[中报]帝奥微(688381):2023年半年度报告

时间：2023年08月11日 17:58:22 中财网

原标题:帝奥微:2023年半年度报告

公司代码：688381 公司简称：帝奥微






江苏帝奥微电子股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。



三、 公司全体董事出席董事会会议。



四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人鞠建宏、主管会计工作负责人成晓鸣及会计机构负责人（会计主管人员）成晓鸣声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 28
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 30
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 31
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 59
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 67
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 67
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 68

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报表
	经公司负责人签名的公司2023年半年度报告文本原件
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、 帝奥微	指	江苏帝奥微电子股份有限公司
南通帝迪	指	南通帝迪半导体有限公司，公司全资子公司
上海帝迪	指	上海帝迪集成电路设计有限公司，公司全资子公司
香港帝奥微	指	Dioo（HongKong）Co., Limited（帝奥（香港）有限公司），公司全资 子公司
美国帝奥微	指	Dioo Microcircuits Co., Ltd.（美商帝奥微电子有限公司），香港帝 奥微全资子公司，公司全资孙公司
台湾分公司	指	美商帝奥微电子有限公司台湾分公司，公司全资孙公司美国帝奥微在 台湾开设的分公司
蓝波微电子	指	Portland Semiconductor Co.,Ltd.（蓝波微电子有限公司），香港帝 奥微全资子公司，公司全资孙公司
安泰房地产	指	南通安泰房地产开发有限公司，公司发起人股东
上海沃燕	指	上海沃燕创业投资合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
上海洪鑫源	指	上海洪鑫源实业有限公司，公司发起人股东
江苏润友	指	江苏润友投资集团有限公司，公司发起人股东
苏州沃洁	指	苏州沃洁股权投资合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
国泰发展	指	国泰集成电路发展有限公司（Cathay IC Development Limited），公 司发起人股东
兆杰投资	指	宁波梅山保税港区兆杰投资管理合伙企业（有限合伙），公司发起人股 东
南通圣喜	指	南通圣喜企业管理合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
上海芯溪	指	上海芯溪集成电路技术中心（有限合伙），公司发起人股东
南通圣乐	指	南通圣乐企业管理合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
上海芯乐	指	上海芯乐集成电路技术中心（有限合伙），公司发起人股东
小米长江产业	指	湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
OPPO广东、OPPO	指	OPPO广东移动通信有限公司
小米智造	指	北京小米智造股权投资基金合伙企业（有限合伙）
爻火微	指	上海爻火微电子有限公司
小米	指	XIAOMI CORPORATION及其附属公司，包括Xiaomi H.K. Limited、小米 通讯技术有限公司和江苏紫米电子技术有限公司等。XIAOMI CORPORATION为香港联交所上市公司，股票代码：01810.HK
通力	指	通力电子控股有限公司及其关联公司
晶圆	指	硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，在硅晶片上可加工制作成各种 电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品
芯片封装	指	把晶圆上的半导体集成电路固定在基座上，用各种连接方式，加工成含 外壳和管脚的可使用的芯片成品，起着安放、固定、密封、保护芯片和 增强电热性能的作用
测试	指	集成电路晶圆测试、成品测试、可靠性试验和失效分析等工作
光罩	指	Mask，指布满集成电路图像的铬金属薄膜的石英玻璃片，在半导体集成 电路制作过程中，用于通过光蚀刻技术在半导体上形成图形
模拟信号	指	用连续变化的物理量表示的信息
信号链	指	一个系统中信号从输入到输出的路径，从信号的采集、放大、传输、处 理一直到对相应功率器件产生执行的一整套信号流程
转换器	指	将模拟或数字信号转换为数字或模拟信号的装置
带宽	指	在单位时间内可传输的数据量
浪涌	指	电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电压的峰 值电压或过载电压
共模电压	指	同时加在电压表两测量端和规定公共端之间的那部分输入电压
结电容	指	在一特定反向偏压下，变容二极管内部PN结的电容
闪烁百分比	指	光输出波形的一个周期内，最大光输出等级与最小光输出等级之差与 最大光输出等级与最小光输出等级之和的百分比值
Fabless	指	Fabrication（制造）和less（无、没有）的组合，是指“没有制造业 务、只专注于设计”的集成电路设计企业的一种运作模式
IDM	指	Integrated Design and Manufacturer，即垂直整合制造商，涵盖集成 电路设计、晶圆制造、封装及测试等各业务环节的集成电路企业
LED	指	发光二极管（Light Emitting Diode）其核心部分是由p型半导体和n 型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层， 称为PN结。在半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子 复合时会把多余能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光 能
MOSFET、MOS、副 芯片	指	Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物 半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效 晶体管，通常作为标准器件搭配驱动电路使用
AC/DC	指	交流转直流的电源转换器
DC/DC	指	直流转直流的电源转换器
ADC	指	Analog to Digital Converter，模数转换器
BCD工艺	指	一种单片集成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极性晶体 管Bipolar、CMOS和DMOS器件，因而被称为BCD工艺
USB	指	Universal Serial Bus，通用串行总线的缩写，是一个外部总线标准， 用于规范电脑与外部设备的连接和通讯，是应用在PC领域的接口技术
dB	指	信噪比的计量单位是dB，其计算方法是10log（Ps/Pn），其中Ps和Pn 分别代表信号和噪声的有效功率
HIFI	指	High Fidelity，一般在频率范围20Hz-20kHz，失真度小、信噪比高的 高品质音质效果
PWM	指	一般指脉冲宽度调制。脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，根据相应载 荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS 管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变
COT	指	Constant-on（off）-Time mode，恒定导通（关断）时间控制，它由迟 滞控制模式发展而来，采用双闭环控制系统，反馈有二个环路：电压外 环和电流内环
LDO	指	Low dropout regulator，低压差线性稳压器，一种电源转换芯片
C-PHY/D-PHY	指	MIPI的物理层协议标准，目前有D-PHY、M-PHY、C-PHY 等3种。D-PHY 现在大量应用于处理器与显示屏、摄像头连接。随着摄像头、显示屏的 像素和帧率的增加，D-PHY的数据传输速度不足，因此推出速度更快的 C-PHY标准。
Pst	指	短时间闪变值，该指标对可见光闪烁进行评估。典型观察时间是10分 钟，模拟人对光波动的主观视感，通过对于瞬时光闪烁概率进行分析计 算，对该段时间内的光闪烁严重程度作出评估
THD	指	总谐波失真，电路不可避免的振荡或其他谐振产生的二次，三次谐波与 实际输入信号叠加产生的谐波成分与实际输入信号的百分比值
TWS	指	True Wireless Stereo，真正的无线立体声，实现蓝牙左右声道无线分 离使用
LDMOS	指	Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化 物半导体，高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功 率控制等方面的要求
JFET	指	Junction Field-Effect Transistor，结型场效应晶体管，JFET是由 p-n结栅极（G）与源极（S）和漏极（D）构成的一种具有放大功能的三 端有源器件
NMOS	指	N type-Metal-Oxide-Semiconductor，N 型金属-氧化物-半导体效应 管，一般指由栅氧化层上的多晶硅栅极（G）与栅极两侧的N型漏极（D）、 源极（S）型的背栅极（B）构成的一种广泛使用于模拟与数字电路中的 N型绝缘栅场效应晶体管

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	江苏帝奥微电子股份有限公司
公司的中文简称	帝奥微
公司的外文名称	Dioo Microcircuits Co., Ltd. Jiangsu
公司的外文名称缩写	DIOO
公司的法定代表人	鞠建宏
公司注册地址	南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层
公司注册地址的历史变更情况	无
公司办公地址	上海市闵行区号景路206弄万象企业中心TC东栋
公司办公地址的邮政编码	201101
公司网址	http://www.dioo.com/
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	无

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代 表）	证券事务代表
姓名	陈悦	王建波
联系地址	上海市闵行区号景路206弄万象 企业中心TC东栋	上海市闵行区号景路206弄万象 企业中心TC东栋
电话	021-67285079	021-67285079
传真	021-62116889	021-62116889
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《上海证券报》（www.cnstock.com）、《中国证券报 》（www.cs.com.cn）、《证券时报》（www.stcn.com ）、《证券日报》（www.zqrb.cn）、《经济参考报》 （www.jjckb.cn）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司证券部
报告期内变更情况查询索引	无

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	帝奥微	688381	/

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期		本报告期 比上年同 期增减 (%)
		调整后	调整前
营业收入	180,568,591.14	292,972,361.97	292,972,361.97	-38.37
归属于上市公司股 东的净利润	28,970,032.15	119,540,450.38	119,542,743.06	-75.77
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益的净利润	-6,852,525.22	110,981,348.68	110,983,641.36	-106.17
经营活动产生的现 金流量净额	-7,860,783.61	85,045,319.29	85,045,319.29	-109.24
	本报告期末	上年度末		本报告期 末比上年 度末增减 (%)
		调整后	调整前
归属于上市公司股 东的净资产	3,107,753,558.81	3,122,392,015.97	3,122,382,854.84	-0.47
总资产	3,153,388,810.72	3,171,804,742.72	3,171,795,581.59	-0.58

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月 ）	上年同期		本报告期比 上年同期增 减(%)
		调整后	调整前
基本每股收益（元／股）	0.1149	0.6320	0.6320	-81.82
稀释每股收益（元／股）	0.1149	0.6320	0.6320	-81.82
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	-0.0272	0.5867	0.5867	-104.64
加权平均净资产收益率（%）	0.92	20.62	20.62	减少19.70个 百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	-0.22	19.14	19.14	减少19.36个 百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	28.42	9.99	9.99	增加18.43个 百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
（1）报告期内，公司实现销售收入18,056.86万元，较上年同期下降38.37%；实现归属于上市公司股东的净利润2,897.00万元，较上年同期下降75.77%；本期归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-685.25万元，较上年同期下降 106.17%。

（2）2023年半年度，公司产生的股份支付费用共2,152.19万元。剔除股份支付费用影响，报告期内公司实现归属于上市公司股东的净利润5,049.19万元，较上年同期下降58.18%。

报告期内公司主要会计数据及财务指标的下降原因如下：
（1）报告期内，受全球经济等因素影响，国内外市场需求疲软，对公司营业收入造成影响，但公司通过调整产品结构，报告期内毛利率保持稳定，为49.28%； （2）公司持续拓宽应用领域布局，加大对研发项目的直接投入和引入优秀的研发技术人才，对应的职工薪酬和其他研发费用增加，截至2023年6月研发技术人员数量同比增加67.90%，研发费用同比增加75.36%。

（3）报告期内，公司实施了股权激励计划，导致股份支付费用增加。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	239,171.07	第十节、七、73
越权审批，或无正式批准文件， 或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务密切相关，符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外	2,206,882.21	第十节、七、67
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益	36,426,012.67	第十节、七、68/70
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出	-324,740.76	第十节、七、74/75
其他符合非经常性损益定义的损 益项目
减：所得税影响额	2,724,767.82
少数股东权益影响额（税 后）
合计	35,822,557.37

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
1、 所属行业概述
公司的主营业务为模拟集成电路产品的研发与销售，公司所处行业属于集成电路设计行业。

根据WSTS预测数据，预计2023年全球模拟芯片市场仍将逆势保持增长，销售额有望增长1.56%达到909.52亿美元。

根据Frost&Sullivan统计，2021年中国模拟芯片行业市场规模约2,731亿元，占比七成左右，中国为全球最主要的消费市场，且增速高于全球模拟芯片市场整体增速。预计2025年中国模拟芯片市场规模将增长至3,340亿元，2020年-2025年复合增长率为6%。

我国已成为全球模拟集成电路最大应用市场，但由于国内半导体产业起步较晚，国内模拟芯片市场仍由国际巨头公司所垄断，海外厂商占据了超八成的市场份额，国产化率尚处于低位，国产替代空间广阔。近年来，我国模拟集成电路应用市场占全球市场份额不断扩大，占全球市场规模超过50%，国内模拟集成电路行业巨大的市场需求给了本土企业广阔的发展空间。目前，我国在5G商业应用领域处于领先地位，同时也在不断推动工业自动化、汽车电动化和智能化的发展，未来我国模拟集成电路行业市场有望继续保持较快增长。


2、 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是研发驱动型公司，一直专注于模拟芯片领域，具备完善的技术、产品研发和创新体系，囊括了模拟芯片行业的主要细分领域，能够为客户提供整体解决方案。公司自成立以来，以信号链模拟芯片开始，产品逐步覆盖了信号链模拟芯片和电源管理模拟芯片的细分领域。依靠多年来深耕行业和自主研发，公司已设计出多款前沿产品，包括USB2.0/3.1元件、超低功耗及高精度运算放大器元件、LED照明半导体元件、高效率电源管理元件，具备提供高性能模拟混合信号半导体行业解决方案的能力，并获得ISO9001认证和ISO14001认证。

在信号链模拟芯片领域，公司产品包括高性能运算放大器、高性能模拟开关、MIPI开关等系列。公司是国内少数既可以提供低功耗、超宽输入电压范围的低边采样高精度运算放大器，又可以提供高边电流采样高压高精度运算放大器产品的供应商。公司的高速USB开关涵盖USB2.0、USB3.1开关，产品采用自主研发的USB布图和结电容优化设计架构，具有高带宽、高耐压等特点，同时具备较强的数据端口保护和负压信号处理能力，整体性能超过欧美品牌，得到国内外手机终端厂商OPPO、小米、VIVO、三星等的一致认可。

在电源管理模拟芯片领域，公司产品包括高低压直流转换器、IR LED驱动、全系列线性充电、开关充电、AC/DC的控制器、过压保护负载开关和电池保护芯片等从墙端到电池端系统级充电解决方案。公司是国内安防监控领域DC/DC转换芯片以及LED驱动芯片的供应商之一，具有稳定的客户基础。产品涵盖从5V到40V输入的降压系列，最大输出电流可以达到6A，得到客户的一致认可。公司是Harman TWS及蓝牙耳机的高低压充电解决方案的主流供应商之一，公司开发的满足JEITA规范的充电系列芯片有效解决了温度检测精度及头盔式蓝牙耳机充电充不满的问题。上述充电芯片与丰富的高保真（HIFI）音频开关系列产品共同巩固了公司在TWS耳机、无线头盔式耳机以及音响领域的市场地位。

公司AC/DC电源管理系列产品主要包括深度调光无频闪驱动芯片和智能调光恒流恒压驱动芯片。公司掌握了极低调光深度去纹波关键技术，产品系列涵盖了不同电流等级的解决方案，广泛应用于灯丝灯、筒灯、壁灯以及T管，得到照明客户的认可。智能调光调色系列最高耐压可以达到85V，最大电流可以支持2A，无斩波条件下PWM调光深度小于0.5%，产品性能业界领先水平，目前公司是市场上少数掌握共阳架构无斩波深度调光恒流关键技术的供应商之一。

未来，公司将进一步加大研发投入和市场开发力度，进一步巩固核心竞争力，提高市场地位。

3、 主要经营模式
公司主要从事模拟芯片的研发、销售业务，经营模式为典型的Fabless模式，即公司专注于从事产品的研发，将主要生产的环节委托给晶圆制造企业、封装测试企业完成。

公司根据终端客户的需求或者对于市场的前瞻性判断进行芯片设计，设计完成后公司根据销售计划向晶圆制造厂下达订单，由其完成晶圆的生产工作。封装测试厂完成芯片封装测试后发回公司，经测试合格后公司对外销售。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
经过多年积累，公司在模拟芯片研发方面已拥有多项国内领先的核心技术，具体情况如下表所示：

序 号	核心技术 名称	技术 来源	技术先进性及表征	主要应用
1	超低寄生 电容 ESD 结构	自主 研发	①-40V~40V范围内不同工作电压等级管脚保 护的超低电容ESD器件和ESD电路结构；② 可支持最高带宽 11GHz 的全系列的高速开关 产品。	摄像头高速 MIPI 开 关、USB2.0、USB3.0、 USB3.1 Type-C 开关 等
2	超低寄生 电容后道 金属结构	自主 研发	①定制非常规的双层厚金属厚介质结构，结 合串入耗尽层降电容技术以及钝化层平坦化 技术，比常规后道金属结构的对地寄生电容 降低30%以上；②采用下一代填充介质的深槽 工艺技术，可使高速通道的金属走线和压焊 盘寄生电容减小60%以上。	摄像头高速 MIPI 开 关、各类移动终端的 USB3.1 Type-C 开关 等
3	低成本集 成高压 MOS	自主 研发	①在5V CMOS标准工艺上只增加2层光罩， 定制出10V CMOS简洁工艺模块，不增加额外 的工艺热过程；②该工艺简洁且移植性强，与 标准工艺相比可以降低15%以上的制造成本。	大摆幅正负压输出的 音频驱动产品
4	超高压器 件技术	自主 研发	①在晶圆厂的标准器件基础上，进一步开发 超高压器件IP；②实现面积更小、集成度更 高的高压LDMOS、JFET、高压电阻的二合一、 三合一器件等的IP，以及相应的静电保护。	适配器、LED驱动
5	零功耗的 高性能模 拟开关控 制技术	自主 研发	①通过对比每个端口的电压，实时选出最高 和最低电压，在不消耗电源电压的情况下，实 现处理正负信号的功能；②在电源掉电后，仍 然可以通过电压选择模块，选出最低电压来 控制NMOS，从而实现隔离正负信号的功能。	智能手机、智能可穿 戴设备等电子产品
6	带宽高达 11GHz 的 高速开关 架构	自主 研发	①采用NMOS结构，特殊的版图设计方式大幅 减小了器件的寄生电容；②内部采用较多高 阻电路结构，可以减小寄生电容对带宽的影 响，大幅提高开关的带宽；③拥有较强的隔离 度和防串扰能力；④支持 1.5V~5V 超宽的电 源电压范围。	超高速USB3.1信号切 换
7	应用于 Type-C 接 口的 THD+N 超 过 -100dB 的音频模 拟开关架 构	自主 研发	①采用钳位NMOS栅极与源极电压，使得栅极 与源极电压差保持恒定，从而减小失真度；② 采用了三级5V NMOS串联架构，可以正常传 输正负电压的音频信号；③内部电压集成浪 涌保护模块，可以抵抗±25V浪涌。同时在发 生纳秒级的快速过压保护时，内部也能迅速 响应，减小低压端的残余电压，保护系统内部 器件；④超过-100dB的THD+N性能，保证耳 机高保真音频传输。	各种超薄智能手机、 笔记本等电子设备的 Type-C接口
序 号	核心技术 名称	技术 来源	技术先进性及表征	主要应用
8	低电压工 作、超低 功耗的高 精度运算 放大器架 构	自主 研发	①采用斩波与自动清零结合的技术方法，大 幅降低芯片的功耗；②采用超低功耗的低压 偏置方式；③采用标准的5V工艺平台，实现 工作电压在1.8-5.5V，整体功耗小于1μA， 系统失调电压小于35μV。	温度检测、电流检测 等领域需要超低功耗 高精度检测的电子设 备
9	高压高精 度电流检 测架构	自主 研发	①该架构的输入共模电压大幅高于电源电 压，共模输入范围广，可以广泛应用于高边检 测采样和低边检测采样中；②核心运算放大 器采用高压高精度的运算放大器架构；③闭 环增益的反馈电阻采用薄膜电阻工艺，实现 线性度不随电压变化而变化。	各种需要高精度电流 检测的电子设备
10	耗尽型音 频开关技 术	自主 研发	①采用负压电荷泵，提高负电压下耗尽管的 隔离度，有效隔离高频音频信号；②采用耗尽 型的NMOS开关，电压选择一直保持栅源电压 （VGS）为0，实现耗尽型的模拟开关导通电 阻始终恒定。	头戴式耳机
11	温度检测 精度达 1 度架构	自主 研发	①针对指定的负温度系数电阻，通过分别修 调内部电阻、电压的方式，检测温度精度可以 达到 1 度，同时可以根据不同的温度改变芯 片的工作状态；②该架构可以灵活嵌入各种 需要精确监控环境温度的芯片方案中。	各种需要温度监控的 充电应用
12	超低待机 功耗的线 性充电架 构	自主 研发	①采用低功耗的基准架构，在完成充电的情 况下，通过时序来关掉恒压环路、恒温环路、 恒流环路等，将功耗降低到 55μA 以下，达 到业内领先水平；②超小面积，可以放入 1mm*1mm 的超小封装中，适合 TWS 耳机的应 用。	小型化、低功耗的TWS 耳机
13	高性能的 线性稳压 技术	自主 研发	①只需要纳安级别的偏置电流即可正常工 作；②限流点在输出短路时，短路电流会达到 最小值，从而可以有效保护芯片。	低功耗的便携式电子 设备
14	高压 DC- DC COT控 制技术及 其相关短 路功率控 制电路	自主 研发	①提高环路稳定性，降低静态功耗；②更快的 负载动态响应能力；③开关频率伪固定及减 小频率抖动；④支持超低输出电压；⑤优化的 突发工作模式设计，从而方便实现轻载高效 率；⑥短路打嗝恢复无过冲软启动。	12V/5V供电的电子电 气设备
15	超低功率 损耗特性 的电路休 眠控制技 术	自主 研发	①低功耗直流转换芯片电路休眠技术；②休 眠状态中完全关闭所有模拟控制电路；③参 考电压采样保持电路自动休眠和定时唤醒。	TWS 耳机底仓电池管 理、低功耗无线设备、 电池供电的便携式设 备
16	超低纹波 的同步直 流转换控 制及零功 耗电容自	自主 研发	①输出电压0.1%纹波直流转换控制技术：电 流型脉宽控制模式；②自动降频，满足99%占 空比需求；③高侧功率管驱动电路零功耗设 计；④自举电容自动充电。	单相、三相智能电表、 电力载波模块
序 号	核心技术 名称	技术 来源	技术先进性及表征	主要应用
	举驱动技 术
17	具备小于 1% PWM调 光能力的 LED 背光 驱动控制 技术	自主 研发	①通过 PWM 沿调节和误差放大器斩波方法提 高LED调光深度小于1%；②该技术可广泛用 于各种LED驱动。	笔记本摄像模块、网 络摄像机、红外监控 设备
18	无外置电 流采样电 阻的充电 技术	自主 研发	①采用开关型充电芯片无采样电阻恒流充电 技术，通过内部电路逐周期采样功率管电流 与内部参考电流之间的差值在电容上的累积 电压值比较判断实现恒流效果；②无外置采 样电阻，可减少芯片管脚数。	低功耗锂电池应用设 备
19	“无源” 负载检测 技术	自主 研发	①采用“无源”电阻设计技术，利用负压电 荷泵控制耗尽管开关，实现该开关在有源时 断开的功能；②在无源时耗尽管闭合实现电 阻特性。	TWS耳机、蓝牙音箱等 影音设备
20	电感型负 压降压直 流转换驱 动技术	自主 研发	①采用负压降压架构及其驱动技术，峰值电 流采样控制模式简化设计；②浮动电源轨驱 动电路提高效率及带载能力；③短路闩锁电 路技术提高芯片可靠性。	手机、电脑、AMOLED显 示终端设备
21	降低总谐 波失真及 提高功率 因数的技 术	自主 研发	①通过控制导通时间的电压，进一步调节频 率限制点，能够降低电网输入电压变化幅度 大的负面影响，从而降低总谐波失真、提高系 统的功率因数；②在升降压构架中实现全电 压范围内总谐波失真指标低于5%，同类产品 一般在10%左右。	LED智能照明
22	基于深度 调光的电 流纹波消 除技术	自主 研发	①采用超低带宽环路技术，在调光小电流条 件下能够避免低频闪烁现象，实现低于 0.1 的短时间闪变值（Pst），使得人眼对光照度 闪变波动的主观视感极小；②专利的去纹波 模块，能够实现低于1%的闪烁百分比，性能 业界领先；③100V的高耐压设计，可靠性更 高，可降低系统设计风险和生产不良率。	智能调光LED灯丝灯
23	基于共阳 极非斩波 的智能调 光技术	自主 研发	①采用创新性的采样结构和深度调光架构， 突破了共阳极设计和无斩波恒流构架容易出 现的调光深度不足的问题，在实现无斩波恒 流驱动的同时，调光深度小于0.5%，业界领 先；②共阳极设计能够显著减少多路输出线 的数量，降低整体电源成本；③无斩波设计可 以实现无频闪，是健康照明的较优解决方案。	LED智能照明
24	集成式系 统 ESD 防 护器件	自主 研发	①研发用于消费类、工控产品芯片的内置集 成式系统ESD防护器件；②研发满足5V～60V 电压电压范围内的多个电压等级，集成式系 统ESD保护器件，实现高于8KV 接触式放电 和15K空气放电等级的高ESD保护能力；③ 同时研发超低电容的集成系统 ESD 器件，满	消费电子、安防、工 控、通讯设备、医疗器 械
序 号	核心技术 名称	技术 来源	技术先进性及表征	主要应用
			足高速IC产品应用；
25	纳安级功 耗的按钮 控制器方 案	自主 研发	①采用depetion技术，在待机模式静态电流 低至10nA（典型值）；②采用高精度振荡器 架构，计时精度在整个输入电源范围和温度 下高达+-20%；③在芯片激活状态下，静态功 耗低至6.5uA（典型情况下）；	平板电脑、智能电话、 游戏控制台、消费类 医疗产品
26	符合 IEC 61000-4- 2 level 4 ±8kV air contact 要求，自 动检测传 输方向的 高速电平 转换芯片	自主 研发	①研发用于 sim 卡的双向电平转换芯片；② 研发自动检测传输方向的电平转换方案；③ 研发低延迟的电平转换方案；④支持传输时 钟频率最高10MHz。	消费电子
27	单向高速 电平转换 架构	自主 研发	①研发低延迟的单向电平转换芯片；②研究 防止IO口到电源（在无电源时）反向漏电的 架构，该架构能降低到传统结构面积的约 25%。③支持传输时钟频率最高24MHz。	服务器、消费电子
28	车载 40V 高压、超 低功耗 LDO架构	自主 研发	①采用特有的低功耗高压比较电路，可以处 理0-40V的比较电压，功耗小于100nA（已申 请专利）；②内置超低功耗UVLO结构，结合 trim方案可以实现±50mV的精度，功耗小于 300nA（已申请专利）；③内置高精度基准， 全温精度+/-1.5%，保证了输出电压全温度范 围的精度；④支持0.65V-16V的宽电压输出。	汽车、工业、消费电 子、通讯
29	开关电源 中的误差 放大器输 出下钳位 动态跟随 软起电压 的技术	自主 研发	①使误差放大器输出下钳位的参考电压实时 动态跟随软起动参考电压，开关电源软启动 时其误差放大器输出直流工作点跟随软启动 参考电压的渐变过程，快速建立正确工作点； ②能够减小启动过程中系统突然加载时输出 电压的变化，是输出电压上升更线性平滑；	智能手机，平板，手持 设备中的高性能开关 电源
30	自适应误 差放大器 输出下钳 位技术	自主 研发	①智能确定跟踪正确的误差放大器输出下钳 位电压点;②自适应优化误差放大器下钳位 点，减小误差放大器响应负载变化时的摆幅， 提高瞬态响应能力	包含误差放大器的开 关电源

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司新增知识产权项目47项，其中发明专利1项。截止2023年6月30日，公司累计获得知识产权项目授权134项，其中发明专利授权30项，实用新型专利34项，集成电路布图设计专有权70项。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	11	1	84	30
实用新型专利	2	2	54	34
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	0	0	0	0
其他	50	44	76	70
合计	63	47	214	134

注：其他为集成电路布图设计
3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	51,317,929.37	29,264,884.81	75.36
资本化研发投入	/	/	/
研发投入合计	51,317,929.37	29,264,884.81	75.36
研发投入总额占营业收入 比例（%）	28.42	9.99	18.43
研发投入资本化的比重（%）	/	/	/

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
1、公司加大研发项目的投入，直接投入费用增加;
2、公司持续引入优秀的研发技术人才，研发人员数量较上年同期增长67.90% ，相应的职工薪酬费用增加;
3、2022年度11月公司实施了股权激励计划，股份支付费用增加。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目 名称	预计总 投资规 模	本期投 入金额	累计投入金 额	进展 或阶 段性 成果	拟达到目标	技术水 平	具体应 用前景
1	USB2. 0高 耐 压、 抗浪 涌、	2,450	19.84	1,978.92	设计 阶段	研发TYPE C端口多 功能数据开关，具备 高耐压，高带宽，高 抗浪涌能力，湿气检 测，耳机识别等特点	国际先 进水平	消费类 电子
序 号	项目 名称	预计总 投资规 模	本期投 入金额	累计投入金 额	进展 或阶 段性 成果	拟达到目标	技术水 平	具体应 用前景
	耳机 检测 等多 功能 数据 开关
2	传感 产品	1,000	270.30	358.01	设计 阶段	研发高精度（全温度 范围误差±1℃）传 感器和读出电路，支 持自动检测片外PNP 和NPN类型和PNP beta，支持自动校准 片外BTJ串联寄生电 阻（高达200Ω）	国际先 进水平	服务 器，笔 记本,通 讯设备 等
3	氮化 镓控 制器	1,250	28.08	874.57	量产 阶段	研发高频准谐振控制 器，开关频率可达 500KHz，应用于高性 价比中大功率快充方 案；满载效率高达 94%以上，功率密度 可达1.5W/cm2	国内先 进水平	消费电 子
4	电压/ 电平 转换 器	1,090	67.33	462.07	样品 验证	研发自动检测传输方 向和低延迟的电平转 换方案；支持传输时 钟频率最高10MHz。	国内先 进水平	汽车电 子，消 费类电 子，工 控
5	电源 监控 产品	300	46.94	133.88	设计 阶段	研发用于消费类产品 的可配置延迟的按钮 式超小型复位芯片； 内置高精度计时功 能，可在1.6V~6.6V 电压和全温度下计时 精度达到+-15%	国内先 进水平	消费类 电子
6	端口 保护 产品	650	13.81	395.63	量产 阶段	研发用于各种接口的 保护芯片，耐压达到 42V，可对外部浪涌 进行快速响应和泄 放。	国内先 进水平	消费电 子、工 控、通 讯设 备、医 疗器械
7	负载 限流 开关	2,500	353.34	1,111.20	设计 阶段	研发具有低导通阻 抗，超低输入电压， 低静态功耗，大电流 等特点的负载开关	国内先 进水平	消费电 子、工 控、通 讯设 备、医 疗器
序 号	项目 名称	预计总 投资规 模	本期投 入金额	累计投入金 额	进展 或阶 段性 成果	拟达到目标	技术水 平	具体应 用前景
								械、笔 记本电 脑等
8	高集 成度 智能 控制 驱动	600	32.79	461.23	样品 验证	研发用于高集成度的 中大功率智能控制驱 动；内置700V高压 启动器件和600V低 阻抗功率器件，满足 北美DLC5.1新标 准，系统集成度更 高。原边恒流驱动构 架调光深度小于1%	国内先 进水平	智能照 明
9	高精 度低 噪声 运算 放大 器	1,000	127.38	853.20	量产 阶段	为对功耗敏感的高精 度测试的手持电子设 备，提供低功耗、低 失调电压和低噪声的 运算放大器	国内先 进水平	消费电 子、工 控、通 讯设 备、医 疗器械
1 0	高速 数据 开关	2,910	522.28	1,875.17	设计 阶段	研发满足车载，服务 器，消费电子等应用 中不同种类信号传输 需求的开关产品，实 现USB3.1 Gen2及 DP1.4接口信号的高 速传输；	国际先 进水平	服务 器，笔 记本、 汽车电 子、消 费电 子、工 控、汽 车电子
1 1	高效 率充 电产 品	2,850	111.61	1,689.91	样品 验证	研发应用于消费电子 产品的充电芯片，优 化充电效率并实现功 率路径管理，达到灵 活配置充电电流，高 效充电的设计要求。	国内先 进水平	消费电 子
1 2	高性 能电 源稳 压器	3,000	812.74	2,107.96	设计 阶段	研发高性能电源管理 产品，具备超低压差 （DROPOUT）、大电 流带载能力、宽工作 电压范围、低噪声、 高输出电压精度和高 PSRR等特点。	国内先 进水平	消费电 子、工 控、汽 车电子
1 3	高性 能多 通道 汽车 智能	2,200	779.85	1,174.86	设计 阶段	研发高性能多通道汽 车智能照明驱动芯 片，用于车灯的稳流 和控制；集成多种诊 断保护机制设计	国内先 进水平	汽车电 子
序 号	项目 名称	预计总 投资规 模	本期投 入金额	累计投入金 额	进展 或阶 段性 成果	拟达到目标	技术水 平	具体应 用前景
	照明 驱动 芯片
1 4	高压 大电 流电 机驱 动	1,300	216.65	408.78	样品 验证	研发用于车载电机驱 动，集成OCP，温度 报警，开路保护等多 种机制指示功能，具 有standby电流小于 1uA，低功耗，带载 电流可达到12A等特 性。	国际先 进水平	汽车电 子
1 5	高压 高精 度运 算放 大器	2,000	358.33	1,082.83	样品 验证	高压MOS与低压MOS 结合的输入方式，可 以应用于各种共模、 差模的方案；供电电 压的范围从2.7V到 60V；在全共模范围 输出精度达到0.5%	国际先 进水平	消费类 电子， 工业控 制，汽 车电子
1 6	降压 电源 转换 器	3,970	753.86	2,945.53	设计 阶段	研发高功率直流同步 降压转换器，采用展 频、虚拟纹波注入等 先进技术，使产品具 有轻载高效，快速动 态响应小于5%，超 低静态功耗等特点	国际先 进水平	消费电 子、工 控、通 讯设 备、汽 车电子
1 7	升压 电源 转换 器	1,150	142.09	744.98	样品 验证	研发高耐压，低电压 启动等不同应用需求 的升压电源转换器， 具有超低关断电流， 大占空比工作稳定等 特点。	国内先 进水平	消费类 电子， 工控， 汽车电 子
1 8	显示 驱动 产品	2,140	335.06	1,923.57	样品 验证	为显示驱动芯片提供 多路高精度电源	国内先 进水平	消费电 子、智 能 LED 照明
1 9	多通 道 I2C 开关	900	61.68	193.27	样品 验证	研发兼容I2C总线和 SM总线的1-to-8双 向开关；物理地址可 配置，支持多达八颗 芯片在I2C总线寻 址；支持热插拔、中 断等多种功能	国内先 进水平	服务 器，通 讯设 备，汽 车电子
2 0	高性 能模	300	77.84	86.91	设计 阶段	丰富公司高性能模拟 开关种类，采用独特 的设计提高不同类型	国内先 进水平	消费类 电子
序 号	项目 名称	预计总 投资规 模	本期投 入金额	累计投入金 额	进展 或阶 段性 成果	拟达到目标	技术水 平	具体应 用前景
	拟开 关					的信号在传输完整性 和高ESD等性能。
合 计	/	33,560. 00	5,131. 80	20,862.48	/	/	/	/

注：上表中数据如存在尾差，系因四舍五入所致。（未完）