锴威特(688693):锴威特首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书

时间:2023年08月14日 09:21:53 中财网

原标题:锴威特:锴威特首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书

科创板风险提示 本次股票发行后拟在科创板市场上市,该市场具有较高的投资风险。科 创板公司具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点, 投资者面临较大的市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本 公司所披露的风险因素,审慎作出投资决定。苏州锴威特半导体股份有限公司 (Suzhou Convert Semiconductor CO., LTD.) (张家港市杨舍镇华昌路 10号沙洲湖科创园 B2幢 01室) 首次公开发行股票并在科创板上市 招股说明书 保荐人(主承销商) 发 行 人 声 明
中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见,均不表明其对发行人注册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证,也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。

根据《证券法》规定,股票依法发行后,发行人经营与收益的变化,由发行人自行负责;投资者自主判断发行人的投资价值,自主作出投资决策,自行承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。


  
发行股票类型人民币普通股(A股)
发行股数本次公开发行股票数量为 1,842.1053万股,占发行后总股份的 比例为 25.00%。本次发行全部为新股发行,不涉及股东公开发 售股份的情形且不采用超额配售选择权。
每股面值人民币 1.00元
每股发行价格人民币 40.83元
发行日期2023年 8月 8日
拟上市的证券交易所和 板块上海证券交易所科创板
发行后总股本7,368.4211万股
保荐人(主承销商)华泰联合证券有限责任公司
招股说明书签署日期2023年 8月 14日
目录
声 明.............................................................................................................................. 1
发行概况 ....................................................................................................................... 2
目录................................................................................................................................ 3
第一节 释义 .................................................................................................................. 7
第二节 概览 ................................................................................................................ 14
一、重大风险提示 ............................................................................................... 14
二、发行人基本情况及本次发行的中介机构 ................................................... 16 三、本次发行概况 ............................................................................................... 17
四、发行人的主营业务经营情况 ....................................................................... 19
五、发行人符合科创板定位的说明 ................................................................... 22
六、发行人主要财务数据及财务指标 ............................................................... 26
七、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况 ................................... 26 八、发行人选择的具体上市标准 ....................................................................... 30
九、发行人公司治理特殊安排等重要事项 ....................................................... 30 十、募集资金用途与未来发展规划 ................................................................... 30
十一、其他对发行人有重大影响的事项 ........................................................... 32 第三节 风险因素 ........................................................................................................ 33
一、与发行人相关的风险 ................................................................................... 33
二、与行业相关的风险 ....................................................................................... 39
三、其他风险 ....................................................................................................... 41
第四节 发行人基本情况 ............................................................................................ 43
一、发行人基本情况 ........................................................................................... 43
二、发行人设立情况和报告期内的股本和股东变化情况 ............................... 43 三、发行人报告期内的重大资产重组情况 ....................................................... 51 四、发行人在其他证券市场上市、挂牌情况 ................................................... 51 五、发行人的股权结构 ....................................................................................... 51
六、发行人控股公司、分公司及参股公司情况 ............................................... 52 七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况 ........ 54 八、特别表决权股份或类似安排的情况 ........................................................... 59 九、协议控制架构的情况 ................................................................................... 59
十、控股股东、实际控制人报告期内是否存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪,是否存在欺诈发行、重大信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安全、公众健康安全等领域的重大违法行为 ....................................................... 59 十一、发行人股本情况 ....................................................................................... 60
十二、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的简要情况 ................... 70 十三、发行人与董事、监事、高级管理人员及核心技术人员签署的重大协议及履行情况 ....................................................................................................... 78
十四、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员最近两年变动情况 ....... 78 十五、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员及其近亲属直接或间接持有发行人股份的情况 ....................................................................................... 79
十六、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员对外投资情况 ............... 80 十七、董事、监事、高级管理人员及核心技术人员薪酬情况 ....................... 80 十八、已经制定或实施的股权激励及相关安排 ............................................... 82 十九、员工及其社会保障情况 ........................................................................... 86
第五节 业务和技术 .................................................................................................... 89
一、发行人主营业务、主要产品或服务的情况 ............................................... 89 二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况 ................................................. 108 三、销售情况和主要客户 ................................................................................. 159
四、采购情况和主要供应商 ............................................................................. 166
五、对主要业务有重大影响的主要固定资产、无形资产 ............................. 170 六、发行人的核心技术及研发情况 ................................................................. 174
七、发行人保持技术创新的机制、技术储备及技术创新的安排 ................. 185 八、发行人环境保护和安全生产情况 ............................................................. 186 九、发行人的境外经营及境外资产情况 ......................................................... 187 第六节 财务会计信息与管理层分析 ...................................................................... 188
一、财务报表 ..................................................................................................... 188
二、审计意见和关键审计事项 ......................................................................... 192
三、影响公司经营业绩的重要因素以及对业绩变动具有较强预示作用的财务指标和非财务指标分析 ................................................................................. 194
四、分部信息 ..................................................................................................... 197
五、合并财务报表的编制基础、合并范围及变化情况 ................................. 197 六、主要会计政策和会计估计 ......................................................................... 198
七、非经常性损益情况 ..................................................................................... 214
八、主要税收政策、缴纳的主要税种及其法定税率 ..................................... 215 九、主要财务指标 ............................................................................................. 217
十、经营成果分析 ............................................................................................. 219
十一、资产质量分析 ......................................................................................... 250
十二、偿债能力、流动性与持续经营能力分析 ............................................. 274 十三、报告期的重大资本性支出与资产业务重组 ......................................... 286 十四、资产负债表日后事项、或有事项及其他重要事项 ............................. 287 十五、盈利预测报告 ......................................................................................... 287
第七节 募集资金运用与未来发展规划 .................................................................. 293
一、募集资金运用基本情况 ............................................................................. 293
二、未来发展与规划 ......................................................................................... 295
第八节 公司治理与独立性 ...................................................................................... 299
一、报告期内发行人公司治理存在的缺陷及改进情况 ................................. 299 二、发行人内部控制情况 ................................................................................. 299
三、报告期内发行人违法违规情况 ................................................................. 300
四、发行人资金占用和对外担保情况 ............................................................. 300 五、发行人直接面向市场独立持续经营的能力 ............................................. 301 六、同业竞争 ..................................................................................................... 302
七、关联方及关联交易 ..................................................................................... 302
第九节 投资者保护 .................................................................................................. 319
一、本次发行前后股利分配政策的差异情况 ................................................. 319 二、本次发行前滚存利润的分配安排 ............................................................. 319 三、现金分红的股利分配政策、决策程序及监督机制 ................................. 319 四、摊薄即期回报分析 ..................................................................................... 319
第十节 其他重要事项 .............................................................................................. 322
一、重要合同 ..................................................................................................... 322
二、对外担保情况 ............................................................................................. 326
三、诉讼或仲裁事项 ......................................................................................... 326
四、控股股东、实际控制人报告期内的重大违法行为 ................................. 326 第十一节 声明 .......................................................................................................... 327
一、发行人全体董事、监事、高级管理人员声明 ......................................... 327 二、发行人控股股东、实际控制人声明 ......................................................... 328 三、保荐人(主承销商)声明 ......................................................................... 329
四、发行人律师声明 ......................................................................................... 331
五、会计师事务所声明 ..................................................................................... 332
六、资产评估机构声明 ..................................................................................... 333
七、验资机构声明 ............................................................................................. 335
八、验资复核机构声明 ..................................................................................... 336
第十二节 附件 .......................................................................................................... 337
一、备查文件 ..................................................................................................... 337
二、文件查阅地址和时间 ................................................................................. 338
三、落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、股东投票机制建立情况 ..................................................................................................... 338
四、与投资者保护相关的承诺 ......................................................................... 343
五、发行人及其他责任主体作出的与发行人本次发行上市相关的其他承诺事项 ..................................................................................................................... 384
六、股东大会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘书制度的建立健全及运行情况说明 ................................................................................................. 387
七、审计委员会及其他专门委员会的设置情况说明 ..................................... 389 八、募集资金具体运用情况 ............................................................................. 390
九、无形资产相关证书 ..................................................................................... 398
第一节 释义
在本招股说明书中,除非文中另有所指,下列词语或简称具有如下特定含义:
(一)一般释义

锴威特、发行人、 公司、本公司、股 份有限公司苏州锴威特半导体股份有限公司
锴威特有限苏州锴威特半导体有限公司,系发行人前身
港晨芯苏州港晨芯企业管理合伙企业(有限合伙),系发行人员工持股 平台
西安锴威西安锴威半导体有限公司,系发行人全资子公司
大唐汇金大唐汇金(苏州)产业投资基金合伙企业(有限合伙),系发行 人股东
港鹰实业张家港市港鹰实业有限公司,系发行人股东
光荣联盟北京光荣联盟半导体照明产业投资中心(有限合伙),系发行人 历史股东
金城创融张家港市金城创融创业投资有限公司,曾用名“张家港市金城融 创创业投资有限公司”,系发行人的历史股东
金茂创投张家港市金茂创业投资有限公司,系发行人股东
甘化科工江门甘蔗化工(集团)股份有限公司(现更名为广东甘化科工股 份有限公司,深交所上市公司,股票代码 000576),系发行人 股东
国经众明无锡国经众明投资企业(有限合伙),系发行人股东
招港投资张家港市招港股权投资合伙企业(有限合伙),系发行人历史股 东
招港共赢张家港市招港共赢企业管理合伙企业(有限合伙),系发行人股 东
新工邦盛江苏疌泉新工邦盛创业投资基金合伙企业(有限合伙),系发行 人股东
邦盛聚泓徐州邦盛聚泓股权投资合伙企业(有限合伙),系发行人股东
邦盛聚源南京邦盛聚源投资管理合伙企业(有限合伙),系发行人股东
禾望投资深圳市禾望投资有限公司,系深圳市禾望电气股份有限公司(上 交所上市公司,股票代码 603063)全资子公司,系发行人股东
悦丰金创张家港市悦丰金创投资有限公司,系发行人股东
邦盛投资南京邦盛投资管理有限公司
汉磊科技汉磊科技股份有限公司(中国台湾证券交易所上市公司,股票代 码 3707),系业内知名晶圆代工企业
上海汉磊台 上海汉磊电子贸易有限公司,系汉磊科技股份有限公司(中国 湾证券交易所上市公司,股票代码: 全资子公司 3707)的三级
升华电源四川升华电源科技有限公司,发行人关联方
甘华电源四川甘华电源科技有限公司,发行人关联方
德芯源四川德芯源电子科技有限公司,发行人关联方
泰州海天泰州海天电子科技股份有限公司
中芯国际中芯国际集成电路制造有限公司(上交所上市公司,股票代码 688981)
苏州同冠苏州同冠微电子有限公司
晶丰明源上海晶丰明源半导体股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 688368)
必易微深圳市必易微电子股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 688045),深圳市必易微电子有限公司于 2020年 7月更名为深 圳市必易微电子股份有限公司。
华微电子上交所上市公司,股票代码 吉林华微电子股份有限公司( 600360)
东微半导苏州东微半导体股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 688261)
西安微晶微西安微晶微电子有限公司
浙江金瑞泓浙江金瑞泓科技股份有限公司
无锡众享无锡众享科技有限公司
紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司(深交所上市公司,股票代码 002049)
振华风光贵州振华风光半导体股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 688439)
臻镭科技浙江臻镭科技股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 688270)
成都华微成都华微电子科技股份有限公司
越加红深圳市越加红电子有限公司
天河星深圳市天河星供应链有限公司南山分公司
文亮电子佛山市顺德区文亮电子科技有限公司
瑞凯鸿辰深圳市瑞凯鸿辰科技有限公司
国王科技深圳市国王科技有限公司
华虹半导体华虹半导体有限公司(香港联交所上市公司,股票代码 01347)
华天科技天水华天科技股份有限公司(深交所上市公司,股票代码 002185)
长电科技上交所上市公司,股票代码 江苏长电科技股份有限公司( 600584)
芯朋微无锡芯朋微电子股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 688508)
英飞凌Infineon Technologies AG(英飞凌科技股份公司)
安森美ON Semiconductor Corporation(安森美半导体公司)
东芝Toshiba Corporation(东芝公司)
意法半导体STMicroelectronics N.V.(意法半导体公司)
瑞萨Renesas Electronics Corporation(瑞萨电子有限公司)
Alpha & OmegaAlpha and Omega Semiconductor Limited(万代半导体有限公司)
威世半导体Vishay Intertechnology, Inc.(威世半导体有限公司)
安世半导体Nexperia B.V.(安世半导体公司)
Littelfuse、力特Littelfuse, Inc.(美国力特公司),是电路保护、电源控制和传感 器领域技术领先的制造商
TI、德州仪器Texas Instruments,Inc.(美国德州仪器有限公司)
深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司 新三板挂牌公司,股票代码 ( 833378)
华润微上交所上市公司,股票代码 华润微电子有限公司( 688396)
灿瑞科技上海灿瑞科技股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 688061)
小米小米集团(香港联交所上市公司,股票代码 01810)
美的美的集团股份有限公司(深交所上市公司,股票代码 000333)
雷士照明雷士国际控股有限公司(香港联交所上市公司,股票代码 02222)
佛山照明佛山电器照明股份有限公司(深交所上市公司,股票代码 000541)
振华科技中国振华(集团)科技股份有限公司(深交所上市公司,股票代 码 000733)
闻泰科技闻泰科技股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 600745)
新洁能无锡新洁能股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 605111)
士兰微杭州士兰微电子股份有限公司(上交所上市公司,股票代码 600460)
硅动力无锡硅动力微电子股份有限公司
南麟电子上海南麟电子股份有限公司(新三板挂牌公司,股票代码 831394)
麦肯桥北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
高可靠领域对功率半导体可靠性和参数一致性要求较高的领域,该领域配套 产品质量标准高于同类型民用产品,一般需具有全温区、长寿 命、耐腐蚀、抗辐照、抗冲击等特点,对配套供应商的研发能 力、技术水平、工艺水平、供货稳定性等要求更高。
国务院中华人民共和国国务院
中共中央办公厅中国共产党中央委员会办公厅
国家发改委中华人民共和国国家发展和改革委员会
工信部中华人民共和国工业和信息化部
科技部中华人民共和国科学技术部
财政部中华人民共和国财政部
上交所上海证券交易所
深交所深圳证券交易所
联交所香港联合交易所
中国证监会中国证券监督管理委员会
华泰联合证券、保 荐机构、保荐人、 主承销商华泰联合证券有限责任公司
发行人会计师、大 华会计师大华会计师事务所(特殊普通合伙)
发行人律师、植德北京植德律师事务所
中企华江苏中企华中天资产评估有限公司
报告期2020年度、2021年度及 2022年度
报告期各期末2020年 12月 31日、2021年 12月 31日及 2022年 12月 31日
报告期末2022年 12月 31日
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《证券投资基金 法》《中华人民共和国证券投资基金法》
(二)专业释义

半导体常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材 料有硅、锗、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料 中,在商业应用上最具有影响力的一种
IC、集成电路、芯 片一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺,把一个 电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一 起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装 在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构
分立器件、半导体 分立器件半导体分立器件。与集成电路相对的,采用特殊的半导体制备工 艺,实现特定单一功能的半导体器件,且该功能往往无法在集成 电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件 主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等
功率器件、半导体 功率器件又称电力电子功率器件,主要用于电力设备的电能变换和电路控 制,是进行电能(功率)处理的核心器件,弱电控制和强电运行 间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分
二极管全称为半导体二极管,是一种具有正向导通、反向截止功能特性 的半导体分立器件
三极管全称为半导体三极管,包括双极晶体管、场效应晶体管等
MOSFET、功率 MOSFET或 MOSMOS管,是金属( Metal) —氧化物( Oxid) —半导体 (Semiconductor)场效应晶体管,属于电压控制型器件
平面 MOSFET以平面工艺为技术路线的 MOSFET产品
SOISilicon-On-Insulator,绝缘体上硅,该技术是在顶层硅和背衬底 之间引入了一层埋氧化层,SOI材料具有了体硅所无法比拟的优 点:可以实现集成电路中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅
  CMOS电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路具 有寄生电容小、集成密度高、速度快、漏电小等优势
SBDSchottky Barrier Diode,肖特基势垒二极管
BCD工艺一种结合了 BJT、CMOS和 DMOS的单片 IC 制造工艺
模拟芯片处理模拟电子信号的集成电路。模拟信号在时间和幅度上都是连 续变化的(连续的含义是在某个取值范围内可以取无穷多个数 值),通常与“数字信号”相对
沟槽型功率 MOSFET、沟槽型 MOSFETMOSFET栅极结构通过沟槽工艺制备,具有高元胞密度、低导 通损耗等特点
超级结功率 MOSFET、超级结 MOSFET、超结 MOSFET、超结功 率 MOSFET基于电荷平衡技术理论,在传统的功率 MOSFET中加入 p-n柱 相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构,具有工作频率 高、导通损耗小、开关损耗低、芯片面积小等特点
屏蔽栅沟槽 MOSFET、屏蔽栅 沟 槽 功 率 MOSFET 、 SGT MOSFET 、 SGT MOSShield Gate Trench MOSFET 的缩写,屏蔽栅沟槽型场效应晶体 管
增强型器件又称为“常关”(Normally Off)器件。当栅极-源极电压 V =0V时,其导电沟道尚未形成,器件处于关断状态;当 V GS GS 达到开启电压时,漏源极之间才开始形成导电沟道。
耗尽型器件又称为“常开”(Normally On)器件。当栅极 -源极电压 V =0V时,其导电沟道即已存在,器件处于开通状态。当 V GS GS 达到关断电压时,其导电沟道因耗尽而消失,器件处于关断状 态。
IGBT绝缘栅双极型晶体管,同时具备 MOSFET和双极性晶体管的优 点,如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高等 特点,适用于 600V-6500V高压大电流领域。与功率 MOSFET 相比,更侧重于大电流、低频应用领域
IPIntellectual Property的缩写,即知识产权
IP核知识产权模块,在芯片设计中指可重复使用的具有成熟设计的功 能模块
VDMOS垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管,其电流流通路径 为芯片的表面至芯片底部的纵向流通,大多数功率 MOSFET为 VDMOS
FRMOS、集成快 恢复高压功率 MOSFET在平面 MOSFET中集成快恢复功率二极管的一种功率器件,可 大幅改善器件的反向恢复时间、反向恢复电荷等参数特性,属于 平面 MOSFET的一种细分产品
PWMPulse Width Modulation,脉宽调制,是一种模拟控制方式,根据 相应载荷的变化来调制晶体管基极或 MOS管栅极的偏置,来实 现晶体管或 MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输 出的改变
AC-DC将交流电转换成直流电的一种技术和方法
BJTBipolar Junction Transistor,双极结型晶体管
IPMIntelligent Power Module 的缩写,即智能功率模块,通常由功率
  器件、优化的门极驱动电路和快速的保护电路以及逻辑控制电路 构成
LLC谐振电路(Resonant Converters),由开关网络(全桥或半 桥)、电感(以字母 L表示)、电容(以字母 C表示)等元器 件构成,LLC由于实现了软开关,有效降低了开关损耗,提高 了电源效率,适用于高频、高功率密度设计
PIMPower Integrated Module,是将三相变频器电路、二极管桥接电 路、制动电路集成到 1个模块上的产品,能够紧凑地设计主电路
DC-DC直流变换器,可将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压
GDS文件指 Graphic Data System格式的文件,半导体芯片设计中一般指用 于芯片流片的工业标准数据文件,其中记录了芯片的各图层、图 层内的平面几何形状、文本标签等用于制作光掩膜版的文件数据
逆变器把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成定频定压或调频调压交流电 (一般为 220V,50Hz 正弦波)的转换器,由逆变桥、控制逻辑 和滤波电路组成
功率模块将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一 起,形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功 率控制能力强,往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。
流片像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片
IDM指垂直一体化模式,半导体行业中从芯片设计、加工制造、封装 测试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司
Fabless无晶圆生产的经营模式,指企业只从事芯片设计研发和销售,而 将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成
Foundry半导体行业中专门负责生产、制造芯片的厂家,其依据设计企业 提供的方案,提供芯片代工服务
封装将芯片转配为最终产品的过程,即把晶圆上的半导体集成电路, 用导线及各种连接方式,加工成含外壳和管脚的可使用的芯片成 品,起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用
测试集成电路晶圆测试及成品测试
SiC碳化硅,是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度 大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质,特别 适用于高压、大功率半导体功率器件领域
GaN氮化镓,是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度 大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等 性质
CP测试、中测Chip Probing,也称为晶圆测试或中测,是对晶圆级集成电路的 各种性能指标和功能指标的测试
晶圆,wafer在硅片上加工电路结构后形成的产品
裸芯中测后晶圆经切割后尚未封装的独立芯片单元
封装成品芯片经封装测试后形成的器件
整流用二极管将周期变化的交流电变成单向脉动直流电的过程
开关利用半导体分立器件模拟机械开关,起导通和截止的作用
稳压利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程
光刻一种利用光照、感光剂(光刻胶)、掩膜版(其上有设计好的图 形)配合的复印技术,可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上
WSTSWorld Semiconductor Trade Statistics,世界半导体贸易统计组织
YoleYole Développement SA,一家法国市场研究与战略咨询公司,专 注于功率半导体与 MEMS 传感器等领域
CICChina Insights Consultancy,一家行业咨询公司
GfKGfK SE,一家全球性市场调研机构,总部位于德国
GMIGlobal Market Insights Inc.,一家全球性市场调研机构
Omdia一家以研究科技、媒体和电信业务为核心的全球性调查公司
Strategy Analytics一家全球著名的信息技术,通信行业和消费科技市场研究机构
Frost&Sullivan弗若斯特沙利文咨询公司,一家全球行业咨询公司
QYResearch一家细分行业调查、咨询服务公司
CCID中国电子信息产业发展研究院,是工业和信息化部直属单位,又 称赛迪研究院
特别说明:
本招股说明书部分表格中单项数据加总数与表格合计数可能存在微小差异,均因计算过程中的四舍五入所形成。

第二节 概览
本概览仅对招股说明书全文作扼要提示。投资者作出投资决策前,应认真 阅读招股说明书全文。一、重大风险提示
本公司特别提请投资者注意,在作出投资决策之前,务必仔细阅读本招股说明书正文内容,并特别关注以下重要事项。

本公司提醒投资者认真阅读本招股说明书的“风险因素”部分,并特别注意下列事项:
(一)收入增长可持续性的风险
2022年二季度以来,受全球通货膨胀等因素影响,以智能手机、PC、家电为代表的消费电子市场需求持续疲软,消费电子领域客户自身存在去库存压力。

公司功率器件主要面向消费电子领域,受此影响,2022年度公司平面 MOSFET销量和价格下降明显:销量方面,平面 MOSFET中测后晶圆销售数量相比2021年下降 38.48%,平面 MOSFET封装成品(剔除 DN906型号后)的销售数量相比 2021年下降 12.35%;价格方面,以 2022年度平面 MOSFET中测后晶圆五款主要销售型号的平均销售单价为例,2022年各季度其平均销售单价分别环比下降 6.45%、11.09%、30.41%和 2.06%,对发行人功率器件收入产生不利影响。截至 2023年 3月 23日,公司功率器件的在手订单为 2,828.81万元,其中消费电子领域占 53.69%。若未来半导体行业景气度持续下滑导致市场需求出现重大不利变化,下游客户抗周期波动能力不足或出现经营风险,或者市场竞争加剧导致公司不能保持产品的核心竞争力和市场竞争优势,则会对公司产品售价、销量造成进一步负面影响,并可能导致客户订单执行延缓或出现违约、主要客户流失,从而使公司面临收入增长可持续性的风险。

此外,公司功率 IC业务报告期各期主营业务收入金额分别为 322.32万元、1,169.49万元和 5,692.38万元,规模相对较小;公司功率 IC产品主要面向高可靠领域,客户集中度较高,且该领域客户订单在一定程度上会受到年度预算和终端需求等因素的影响。若未来客户订单延迟或取消、公司未能准确把握行业技术发展趋势或下游市场需求发生重大不利变化等,可能导致公司功率 IC业务出现新客户拓展不达预期、现有客户流失等情形,从而使公司面临收入增长可持续性的风险。

(二)存货滞销及减值的风险
报告期各期末,公司存货的账面价值分别为 3,012.06万元、6,694.00万元和 11,673.77万元,公司存货账面价值随着业务规模的增长及采购模式和产品销售形态的变化有所增加;存货周转率分别为 3.79、2.57和 1.33,呈逐年下降的趋势。公司存货的可变现净值受到下游市场情况变动的影响,2022年二季度以来,受全球通货膨胀等因素影响,以智能手机、PC、家电为代表的消费电子市场需求持续疲软,相关产业链整体呈现去库存压力。受此影响,发行人 2022年末存货订单覆盖率及期后结转/销售率较低,存货消化存在一定的压力。同时由于发行人功率器件主要面向消费电子领域,产品的销售价格呈现一定程度的下滑,存货减值风险有所上升。若未来消费电子领域需求端持续低迷或市场环境发生其他不利变化、客户临时改变需求、竞争加剧或技术升级,或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理,导致产品滞销、周转天数延长、存货积压,公司可能面临存货滞销及减值的风险,进而会对公司的盈利能力产生不利影响。

(三)市场竞争风险
目前,我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段,行业内厂商积极进行市场拓展,市场竞争逐渐加剧。因发行人成立时间较短、规模尚小且部分类型产品的研发起步时间较晚,存在一定的竞争劣势,具体表现在:第一,公司产品以平面 MOSFET为主,占主营业务收入的比例分别为 88.39%、83.07%和56.99%,且报告期内收入集中于 500V-650V电压段产品,报告期内公司超高压平面 MOSFET以及超结 MOSFET、沟槽型 MOSFET、FRMOS、SiC功率器件目前销售收入较少,新产品研发及产业化程度存在差距;第二,发行人功率 IC产品主要面向高可靠应用领域,如未来高可靠领域内新进入者持续增加,该领域市场竞争将可能加剧。前述因素均可能对公司经营业绩带来不利影响;第三,发行人所处行业的竞争对手较多,既包括英飞凌、安森美等国际一流功率半导体厂商,也包括华润微、士兰微等国内的知名功率半导体厂商。与前述竞争对手相比,发行人相关产品的研发及市场推广起步时间较晚,在沟槽型 MOSFET、超结 MOSFET、FRMOS、SiC 功率器件等其他类型 MOSFET的产品丰富度、技术积累和经营规模方面均与前述竞争对手存在一定差距。发行人需要持续投入大量资金用于核心技术及新产品的研发,以缩小与竞争对手的差距并保持自身竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势,不能根据客户需求及时推出新产品、不断优化产品性能与提高服务质量,则可能导致公司竞争能力下降,公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。

(四)毛利率及盈利能力下降的风险
2022年二季度以来,受全球通货膨胀等因素影响,消费电子市场需求持续疲软。公司主要产品平面 MOSFET来自消费电子领域的收入占比较高,自2021年度至 2022年度,公司平面 MOSFET产品的毛利率分别为 35.63%和24.37%,呈现持续下行态势。随着市场需求的变化和行业技术的发展,若公司未能正确判断市场需求变化、技术水平停滞不前、未能有效控制产品成本或市场竞争格局发生不利变化,将会导致公司产品售价和成本出现预期外的波动,公司产品毛利率及盈利能力未来存在下降的风险。

(五)技术迭代的风险
发行人主要经营的产品包括功率器件和功率 IC,两者均属于功率半导体。

功率半导体行业属于技术密集型行业,不追求先进制程,产品生命周期长,较数字芯片相比迭代速度更慢。从技术发展层面来看,一方面,下游客户的个性化需求不断丰富,下游应用领域对产品技术参数的要求亦不断提升,如发行人无法顺应行业技术发展趋势,在产品研发中紧跟下游客户应用需求的变动方向,则有可能导致公司产品被赶超或替代;另一方面,发行人报告期内销售产品以平面 MOSFET为主,在 300V以下电压段和 400V-1,000V电压段分别与沟槽型MOSFET和超结 MOSFET存在一定程度竞争,如因新技术的发展使沟槽型MOSFET和超结 MOSFET的电压覆盖更宽且相关量产工艺成熟,则平面
MOSFET与两类 MOSFET的市场竞争可能加剧,存在市场空间被挤压的风险。

前述风险将导致发行人竞争力减弱,给业务开展造成不利影响。

二、发行人基本情况及本次发行的中介机构
(一)发行人基本情况
发行人名称苏州锴威特半导体股份有限 公司成立日期2015年 1月 22日
注册资本人民币 5,526.3158万元法定代表人罗寅
注册地址张家港市杨舍镇华昌路 10号 沙洲湖科创园 B2幢 01室主要生产经营 地址张家港市杨舍镇华昌路 10 号沙洲湖科创园 B2幢
控股股东丁国华实际控制人丁国华
行业分类计算机、通信和其他电子设 备制造业(行业代码 “C39”)在其他交易场 所(申请)挂 牌或上市的情 况
(二)本次发行的有关中介机构   
保荐人华泰联合证券有限责任公司主承销商华泰联合证券有限责任公司
发行人律师北京植德律师事务所其他承销机构
审计机构大华会计师事务所(特殊普 通合伙)评估机构江苏中企华中天资产评估有 限公司
发行人与本次发行有关的保荐人、承销机 构、证券服务机构及其负责人、高级管理人 员、经办人员之间存在的直接或间接的股权 关系或其他利益关系根据《上海证券交易所首次公开发行证券发 行与承销业务实施细则》等相关法律、法规 的规定,本次发行中,保荐人安排其相关子 公司华泰创新投资有限公司(以下简称“华 泰创新”)参与本次发行战略配售,华泰创 新获配股数为 921,052股,获配股数对应金 额为 37,606,553.16元,最终跟投比例为本次 公开发行股份数量的 5.00%,华泰创新本次 跟投获配股票限售期为自发行人首次公开发 行并上市之日起 24个月。 除此之外,截至本招股说明书签署日,公司 与本次发行有关的保荐人、承销机构、证券 服务机构及其负责人、高级管理人员、经办 人员之间均不存在其他直接或间接的股权关 系或其他权益关系的情形。  
(三)本次发行其他有关机构   
股票登记机 构中国证券登记结算有限责任 收款银行公司上海分公司收款银行中国工商银行股份有限公司 深圳分行振华支行
其他与本次发行有关的机构  
三、本次发行概况
(一)本次发行概况

(一)本次发行的基本情况   
股票种类人民币普通股(A股)  
每股面值1.00元  
发行股数1,842.1053万股占发行后总 股本比例25%
其中:发行新股数量1,842.1053万股占发行后总25%
  股本比例 
股东公开发售股份数量不适用占发行后总 股本比例不适用
发行后总股本7,368.4211万股  
每股发行价格40.83元  
发行市盈率60.69倍(发行价格除以每股收益,每股收益按照 2022年度经 审计的扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司的净利润 除以本次发行后总股本计算)  
发行前每股净资产6.15元/股(按照 2022年 12月 31 日经审计的归属 于母公司所有者 的净资产除以本 次发行前的总股 本计算)发行前每股收益0.90元/股(按 2022年度经审计的扣 除非经常性损益前后 孰低的归属于母公司 所有者的净利润除以 本次发行前总股本计 算)
发行后每股净资产13.63元/股(按照 2022年 12月 31 日经审计的归属 于母公司所有者 权益加本次发行 募集资金净额之 和除以本次发行 后总股本计算)发行后每股收益0.67 元 /股(按照 2022年度经审计的扣 除非经常性损益前后 孰低的归属于母公司 所有者的净利润除以 发行后总股本计算)
发行市净率2.99倍(按每股发行价格除以发行后每股净资产计算)  
发行方式本次发行采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符 合条件的投资者询价配售和网上向持有上海市场非限售 A股 股份和非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结 合的方式进行  
发行对象符合资格的参与战略配售的投资者、询价对象以及已开立上 海证券交易所股票账户并开通科创板交易的境内自然人、法 人等科创板市场投资者,但法律、法规及上海证券交易所业 务规则等禁止参与者除外  
承销方式余额包销  
公开发售股份股东名称本次发行股份均为新股,不进行老股转让  
发行费用的分摊原则本次发行不涉及股东公开发售股份,不适用发行费用分摊, 发行费用全部由发行人承担  
募集资金总额75,213.16万元  
募集资金净额66,479.89万元  
募集资金投资项目智能功率半导体研发升级项目  
 SiC功率器件研发升级项目  
 功率半导体研发工程中心升级项目  
 补充营运资金  
发行费用概算本次发行费用总额为 8,733.27万元,具体构成如下: 1、保荐及承销费:6,066.63万元  

 2、审计验资费用:1,380.00万元; 3、律师费用:781.32万元; 4、用于本次发行的信息披露费用:443.40万元; 5、发行手续及材料制作费用:61.92万元。 注:本次发行各项费用及总额均为不含增值税金额。与前次 披露的招股意向书中发行手续费及材料制作费用差异原因系 根据发行情况将印花税纳入了发行手续费及材料制作费用。 除上述调整外,发行费用不存在其他调整情况。合计数与各 部分数直接相加之和在尾数存在的差异系由四舍五入造成。
高级管理人员、员工拟参 与战略配售情况
保荐人相关子公司拟参与 战略配售情况保荐人相关子公司华泰创新参与本次发行战略配售,实际跟 投比例为本次公开发行股票数量的 5.00%,实际跟投股数为 921,052股,获配金额为 37,606,553.16元。华泰创新本次跟投 获配股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之日起 24 个月
(二)本次发行上市的重要日期 
刊登初步询价公告日期2023年 7月 31日
初步询价日期2023年 8月 3日
刊登发行公告日期2023年 8月 7日
申购日期2023年 8月 8日
缴款日期2023年 8月 10日
股票上市日期本次股票发行结束后将尽快向上海证券交易所申请股票上市
(二)战略配售相关安排
1、本次战略配售的总体安排
本次发行的战略配售仅为保荐人相关子公司跟投,跟投机构为华泰创新。

本次保荐人相关子公司跟投的初始股份数量为本次公开发行股份的 5.00%,即 921,052股;本次发行最终战略配售股数 921,052股,占本次发行数量的5.00%,最终战略配售数量与初始战略配售数量相同。

参与本次战略配售的投资者已与发行人签署《战略配售协议》。参与战略配售的投资者不参加本次发行初步询价,并承诺按照发行人和主承销商确定的发行价格认购其承诺认购的股票数量。

2、保荐人相关子公司跟投
(1)跟投主体
本次发行的保荐人(主承销商)华泰联合证券按照《管理办法》和《实施
 规定参与本次发行的 投数量 人相关子公司跟投的 ,最终获配金额为 37, 期限 承诺获得本次配售的 个月。 本次公开发行的股票 配售的投资者对获配 规定。 行人的主营业务经 司主营业务情况 业务为功率半导体的 主创芯,助力核心芯 IC两大类。在功率器 OSFET工艺平台基础 系列产品;在功率 IC 此外,在第三代半导 业化阶段。 ,公司主营业务收入略配售,跟投主体为 终股份数量为本次公 06,553.16元。 股票限售期限为自发 在上交所上市之日起 股份的减持适用中国 情况 设计、研发和销售, 片国产化”的发展定 方面,公司产品以高 设计研发了集成快恢 面,公司产品主要包 方面,公司的 SiC功 成情况具体如下:泰创新。 发行股份数量的 5% 人首次公开发行并上 始计算。限售期届满 监会和上交所关于股 提供相关技术服务。 ,主要产品包含功率 平面 MOSFET为主 高压功率 MOSFET PWM控制 IC和栅 器件已顺利实现产品 单位:万元   
产品类别2022年度2021年度2020年度
       
 金额比例金额比例金额比例
功率器件14,379.2663.33%17,780.5487.51%12,131.6190.65%
功率 IC5,692.3825.07%1,169.495.76%322.322.41%
技术服务2,207.469.72%1,316.826.48%906.426.77%
其他426.541.88%51.290.25%23.140.17%
合计22,705.64100.00%20,318.15100.00%13,383.49100.00%
(二)公司主要经营模式
公司为采用 Fabless经营模式的芯片设计企业,将晶圆制造和封测环节委外,该经营模式为半导体行业的常见模式。公司具有完善的外协供应商管理体系,对主要晶圆制造厂商及封测厂商均进行有效管理,以保证供应产品的质量符合要求。

(三)主要原材料及重要供应商
公司采购的主要原材料及服务包括晶圆(及晶圆代工服务)、外延片、掩膜版等。报告期内,公司的晶圆代工厂主要为西安微晶微、上海汉磊、公司 D等,公司的外延片供应商主要为南京国盛电子有限公司、浙江金瑞泓等,公司掩膜版供应商主要为无锡迪思微电子有限公司等。

(四)销售模式及主要客户
发行人采取直销为主、经销为辅的销售模式,公司针对中测后晶圆主要采用直销模式销售,针对封装成品采用经销和直销相结合的模式销售。报告期内,公司直销收入占主营业务收入的比例分别为 97.84%、90.19%和 91.41%。公司主要直销客户包括必易微、晶丰明源、公司 A-1、公司 B等,主要经销客户包括深圳市越加红电子有限公司、深圳市天河星供应链有限公司等。

(五)行业竞争情况及发行人在行业中的竞争地位
1、功率器件
发行人功率器件产品以 MOSFET为主,长期以来,以英飞凌、安森美、意法半导体、东芝、瑞萨为代表的国外品牌凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累,目前占据全球 MOSFET市场的主要份额。根据Omdia数据,以销售额计,2020年 MOSFET市场前七大品牌的市场占有率合计达到 68.09%。市场竞争格局相对稳定。我国知名功率半导体企业华润微、士兰微分别位列第八位和第十位,安世半导体(已被闻泰科技收购)位列第九位,三家合计市场份额占比 10.26%,国产品牌经过多年发展已在国际竞争中崭露头角。各类 MOSFET国内竞争格局详见招股说明书第五节之“二、发行人所处行业的基本情况和竞争状况”相关内容。

结合 Omdia数据,以发行人 2020年 MOSFET产品销售额测算,发行人全球 MOSFET市场的市场份额约为 0.23%;结合芯谋研究和 Omdia数据测算,发行人 2021年平面 MOSFET国内市场占有率约为 1.26%。根据江苏省半导体行业协会统计,以销售额计算,2021年公司 FRMOS市场份额位列本土企业第四位(前三位分别为华润微、士兰微、华微电子);SiC功率器件方面,公司是国内为数不多的具备 650V-1700V SiCMOSFET设计能力的企业之一,产品已覆盖业内主流电压段。

2、功率 IC
功率 IC方面,发行人产品主要包括 PWM控制 IC和栅极驱动 IC。PWM控制 IC方面,根据 QYResearch相关数据,国际巨头如 TI(德州仪器)、ADI(亚德诺半导体)、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在 PWM控制 IC领域总体处于领先地位,2021年度 PWM控制 IC中国市场收入前 10大公司均为国外公司。栅极驱动 IC方面,根据芯谋研究相关数据,栅极驱动 IC市场集中度相对较高,2021年度栅极驱动 IC中国市场收入前 10大公司市场占有率合计达到 74.4%,其中欧日美公司总体处于领先地位,3家中国大陆企业峰岹科技(688279.SH)、士兰微(600460.SH)和晶丰明源(688368.SH)市场占有率合计为 20.1%。

功率 IC方面,报告期内,发行人功率 IC产品已向包括公司 A-1、公司 E、单位 H、公司 G等在内的多家高可靠领域客户形成销售,部分客户向发行人采购的功率 IC产品目前没有其他国内供应商可以替代,发行人在高可靠领域已取得一定的市场地位。(未完)
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