[中报]路维光电(688401):路维光电2023年半年度报告

时间：2023年08月14日 17:37:22 中财网

原标题:路维光电:路维光电2023年半年度报告

公司代码：688401 公司简称：路维光电

















深圳市路维光电股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人杜武兵、主管会计工作负责人刘鹏及会计机构负责人（会计主管人员）张少坤声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 不适用

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 8
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 37
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 38
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 41
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 78
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 88
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 88
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 89

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表。
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
路维光电、公司、本公司、母公司	指	深圳市路维光电股份有限公司
成都路维	指	成都路维光电有限公司
路维科技	指	成都路维光电科技有限公司
香港路维	指	香港路维实业有限公司
路维盛德	指	共青城路维盛德股权投资合伙企业（有限合伙）
路维兴投资	指	深圳市路维兴投资有限公司
国投科技	指	国投（上海）创业投资管理有限公司－国投（上海） 科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）
兴森科技	指	深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
兴森投资	指	深圳市前海睿兴投资管理有限公司－兴森股权投资 （广州）合伙企业（有限合伙）
金石新材料基金	指	金石投资有限公司－金石制造业转型升级新材料基 金（有限合伙）
鹏晨创智	指	深圳市前海鹏晨创智投资管理企业（有限合伙）
新意资本	指	新意资本基金管理（深圳）有限公司
新余顺禄	指	新余顺禄并购投资管理中心（有限合伙）
新余百耀	指	新余百耀投资中心（有限合伙）
新余粤典	指	新余粤典并购投资中心（有限合伙）
新余华谦	指	新余华谦投资管理中心（有限合伙）
盛元茗溪	指	杭州盛元茗溪投资合伙企业（有限合伙）
宁波丽金	指	宁波丽金股权投资合伙企业（有限合伙）
高新投	指	深圳市高新投创业投资有限公司
派诺光投资	指	宁波保税区派诺光投资合伙企业（有限合伙）
高新投怡化	指	深圳市高新投怡化股权投资基金管理有限公司－深 圳市高新投怡化融钧股权投资合伙企业（有限合伙）
人才创新投资	指	深圳市高新投人才股权投资基金管理有限公司－深 圳市人才创新创业二号股权投资基金合伙企业（有 限合伙）
民生投资	指	民生证券投资有限公司
合钧成长	指	深圳合钧成长投资合伙企业（有限合伙）
天乙金谷	指	江苏天乙金谷新兴产业投资股份公司
控股股东、实际控制人	指	杜武兵
股东大会	指	深圳市路维光电股份有限公司股东大会
董事会	指	深圳市路维光电股份有限公司董事会
监事会	指	深圳市路维光电股份有限公司监事会
中国证监会、证监会	指	中国证券监督管理委员会
上交所	指	上海证券交易所
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
《公司章程》	指	《深圳市路维光电股份有限公司章程》
保荐机构、国信证券	指	国信证券股份有限公司
报告期	指	2023年1月1日至2023年6月30日
元、万元、亿元	指	人民币元、人民币万元、人民币亿元
京东方	指	京东方科技集团股份有限公司（A股上市公司，股票 代码000725）及其子公司的统称，公司客户
华星光电	指	TCL 华星光电技术有限公司（原深圳市华星光电技 术有限公司）、深圳市华星光电半导体显示技术有 限公司、武汉华星光电半导体显示技术有限公司、 武汉华星光电技术有限公司、广东聚华印刷显示技 术有限公司的统称，公司客户
天马微电子	指	天马微电子股份有限公司（A 股上市公司，股票代 码：000050）及其子公司武汉天马微电子有限公司 的统称，公司客户
信利	指	信利光电股份有限公司、信利半导体有限公司、信 利（惠州）智能显示有限公司、信利（仁寿）高端 显示科技有限公司、信元光电有限公司的统称，公 司客户
龙腾光电	指	昆山龙腾光电股份有限公司（A股上市公司，股票代 码：688055），公司客户
晶方科技	指	苏州晶方半导体科技股份有限公司（A股上市公司， 股票代码：603005），公司客户
华天科技	指	华天科技（昆山）电子有限公司，系华天科技（A股 上市公司，股票代码：002185）之全资子公司，公 司客户
通富微电	指	通富微电子股份有限公司（A 股上市公司，股票代 码：002156）、南通通富微电子有限公司、厦门通 富微电子有限公司、合肥通富微电子有限公司的统 称，公司客户
Mycronic	指	Mycronic AB（瑞典上市公司，股票代码：MYCR）、 迈康尼电子设备（上海）有限公司的统称，公司设 备供应商
海德堡仪器	指	Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH，公 司设备供应商
SKE	指	日本SK-Electronics Co., Ltd.，日本上市公司（股 票代码6677）
HOYA	指	日本豪雅株式会社（Hoya Corporation），日本上 市公司（股票代码7741）
LG-IT	指	LG Innotek，韩国上市公司（股票代码011070）， LG集团旗下的子公司
DNP	指	大日本印刷株式会社（Dai Nippon Printing Co., Ltd.），日本上市公司（股票代码7912）
Toppan	指	凸版印刷株式会社（Toppan Printing Co., Ltd.），日本上市公司（股票代码7911）
掩膜版	指	掩膜版（又称光掩膜版、光罩，英文为Photomask）， 是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母 版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图 形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基 片上
菲林	指	是指以感光胶片作为基板的一种光掩膜产品，主要 应用于印刷制版、低端线路板等精度要求相对较低 的行业。菲林是英文“Film”的音译
TFT	指	TFT（Thin Film Transistor）是薄膜晶体管的缩写， 是一种特殊的场效应管，主要由半导体主动层、介 电质层、金属电极层等构成。根据半导体主动层材 质的不同，可分为a-Si技术、LTPS技术和IGZO技
		术等
平板显示（FPD）	指	平板显示（Flat panel display，缩写为FPD）是指 显示屏对角线长度与整机厚度比大于4：1的显示器 件，包括液晶显示器、等离子体显示器、电致发光 显示器、真空荧光显示器、平板型阴极射线管和发 光二极管显示器等
TFT-LCD	指	是指使用 TFT（薄膜晶体管）技术制造的 LCD 显示 器（液晶显示器）。其制作流程包括TFT-Array制 程（薄膜晶体管阵列制程）和CF制程（Color filter 彩色滤光片制程）
STN-LCD	指	指Super Twisted Nematic-LCD的简称，中文名超 扭曲向列型液晶显示器。是在TN技术的基础上改良 的液晶排列技术，其特点是在液晶排列时与玻璃基 板间预设了预倾角，可以改善TN技术对比度差的问 题
分立器件	指	泛指半导体晶体二极管、三极管及特殊器件，是半 导体行业的重要分支
光电子器件	指	是指利用光-电转换效应制成的各种半导体器件，主 要用于光通信、光显示、红外探测等行业
传感器	指	是指能将被感受或被测量信息按照一定的规律转换 成其它可用信号的器件或装置，通常由敏感元件和 转换元件组成
LED	指	是指发光二极管（light-emitting diode），利用 电子与空穴复合释放能量发光的一种发光器件，广 泛应用于照明及平板显示等行业
PCB	指	是指印刷电路板（Printed Circuit Board）
FPC	指	是 指 柔 性 印 刷 电 路 板 （ Flexible Printed Circuit），其特点是电路板基板采用聚酰亚胺或聚 酯薄膜等柔性材料制成，其产品可挠可弯曲
AMOLED	指	主动矩阵有机发光二极体（Active Matrix Organic Light Emitting Diode）面板，每个像素连续可独 立的主动发光，具有高亮度、高分辨率、低能耗等 特点
Mini-LED	指	芯片尺寸介于50~200μm之间的LED器件，主要用 于显示器件或背光模组
Micro-LED	指	微型发光二极管，指由微小LED作为像素组成的高 密度集成的 LED 阵列。阵列中的像素点距通常在 50μm以下，通过巨量转移和微封装技术将Micro- LED 芯片连接到驱动基板上进而实现有源寻址的显 示技术
IC	指	Integrated Circuit，中文称作集成电路，是一种 集成了晶体管、电阻等元件的微型电子器件
LTPS	指	低温多晶硅（Low Temperature Poly-silicon）， 运用于TFT-LCD 和AMOLED 显示面板的半导体主动 层，与传统a-Si相比，该技术具有高分辨率、反应 速度快、高开口率等优点
IGZO	指	铟镓锌氧化物 （Indium Gallium Zinc Oxide）， 运用于 TFT-LCD 和 AMOLED 显示面板的半导体主 动层，主要应用于大尺寸显示面板制造
LTPO	指	LTPO 指低温多晶氧化物（Low Temperature
		Polycrystalline Oxide），LTPS与IGZO技术的结 合体，具有LTPS屏高分辨率、反应速度快的优点下， 同时兼具了IGZO屏低待机功耗的优点
OLEDoS	指	指硅基OLED技术，是指在硅片上实现矩阵式有机发 光二极管（OLED）的显示技术，区别于传统的玻璃 基工艺，可以实现更小的像素间距，更高亮度和屏 幕刷新率
IC封装	指	将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得 到独立芯片的过程，以是否焊线分为传统封装技术 与先进封装技术，其中先进封装包括倒装（Flip Chip），凸块（Bumping），晶圆级封装（WLP）， 2.5D封装，3D封装（TSV）等封装技术
第三代半导体	指	是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为主的宽禁带 半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、 高热导率、高迁移率、可承受大功率等特点
半色调掩膜版（HTM）	指	半色调掩膜版（Half-tone Mask，缩写为HTM），是 在普通二阶掩膜的基础上，利用具有一定光学透过 率的膜来实现部分透光、透光、遮光三种功能的掩 膜版
相移掩膜版（PSM）	指	相移掩膜版（Phase Shift Mask），利用相移（Phase Shift）技术实现光的相位反转，改善图形对比度， 增强图形曝光分辨率。
Chiplet	指	Chiplet 又称芯粒或者小芯片，它是将一类满足特 定功能的die（裸片），通过die-to-die内部互联 技术实现多个模块芯片与底层基础芯片封装在一 起，形成一个系统芯片，以实现一种新形式的IP复 用
Metal Mesh	指	是一种在 PET、玻璃等基材上通过各种工艺形成的 导电金属网格，可用于触控技术
OPC	指	Optical Proximity Correction，即光学邻近效应 修正技术，用于修正光刻图形和掩膜版图形之间由 于曝光产生的变形和偏差
MEMS	指	Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统， 是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微 能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、 接口、通信等于一体的微型器件或系统
Omdia	指	Omdia 由 Informa Tech 的研究部门（Ovum、Heavy Reading 和Tractica）与收购的 IHS Markit 技术 研究部门合并而成，是一家全球领先的市场调研与 研究机构。Omdia 研究团队包括 400 多名分析师， 涵盖 200 多个细分市场，定期出具行业研究报告及 市场排名数据，其数据被众多证券公司行业研究报 告引用
SEMI	指	Semiconductor Equipment and Materials International（国际半导体产业协会），SEMI 定 期收集和发布全球半导体行业数据及预测，是全球 半导体行业数据的权威机构，其数据被众多证券公 司行业研究报告引用
SIA	指	Semiconductor Industry Association(美国半导 体产业协会)，是美国半导体行业的权威组织
WSTS	指	World Semiconductor Trade Statistics(世界半 导体贸易统计组织)，提供半导体行业最新最全面的 总体数据，是半导体行业的权威统计机构

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	深圳市路维光电股份有限公司
公司的中文简称	路维光电
公司的外文名称	Shenzhen Newway Photomask Making Co., Ltd.
公司的外文名称缩写	Newway Photomask
公司的法定代表人	杜武兵
公司注册地址	深圳市前海深港合作区南山街道梦海大道5035号前海华润金 融中心T5写字楼801
公司注册地址的历史变更情况	2023年3月13日，公司注册地址由“深圳市南山区朗山路16号 华瀚创新园办公楼D座102”变更为“深圳市前海深港合作区 南山街道梦海大道5035号前海华润金融中心T5写字楼801”
公司办公地址	深圳市南山区朗山路16号华瀚创新园办公楼D座102
公司办公地址的邮政编码	518057
公司网址	http://www.newwaymask.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	《深圳市路维光电股份有限公司关于变更注册地址、修订<公 司章程>并办理工商变更登记的公告》（公告编号：2022-012 ）《深圳市路维光电股份有限公司2023年第一次临时股东大 会决议公告》（公告编号：2023-001）

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	肖青	沈晓萍
联系地址	深圳市南山区朗山路16号华瀚创新园办 公楼D座102	深圳市南山区朗山路16号华瀚创新园办 公楼D座102
电话	0755-86019099	0755-86019099
传真	/	/
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸 名称	《上海证券报》(https://www.cnstock.com/)《中国证券报》 (https://www.cs.com.cn/)《证券时报》(http://www.stcn.com/)《 证 券 日 报 》 (http://www.zqrb.cn/) 及 经 济 参 考 网 （ http://www.jjckb.cn/）
登载半年度报告的网站地 址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	董事会办公室，深圳市南山区朗山路16号华瀚创新园办公楼D座102
报告期内变更情况查询索 引	/

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所科创板	路维光电	688401	/

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入	307,985,898.48	292,258,337.80	5.38
归属于上市公司股东的净利润	70,631,259.87	46,079,234.31	53.28
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润	58,179,288.20	40,198,622.11	44.73
经营活动产生的现金流量净额	107,503,028.22	186,348,602.16	-42.31
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	1,384,576,612.35	1,343,284,163.50	3.07
总资产	2,036,815,232.09	1,937,255,983.42	5.14

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.37	0.32	15.63
稀释每股收益（元／股）	0.37	0.32	15.63
扣除非经常性损益后的基本每股收益（元／股）	0.30	0.28	7.14
加权平均净资产收益率（%）	5.12	9.48	减少4.36个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%	4.22	8.27	减少4.05个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	5.41	4.66	增加0.75个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内，公司归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长幅度较大，主要系报告期内公司募集资金投资项目依计划建设并陆续投产；同时，公司持续加大研发，坚持技术创新，以技术创造业绩，促使产能水平及产品结构进一步优化带来营业收入和毛利率提升；此外，公司持续加强资金管理，财务费用下降。

经营活动产生的现金流量净额同比下降幅度较大，主要系上期收到较大额的增值税留抵税额退还金额。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	500.88
越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相 关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受 的政府补助除外	11,166,035.86
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得 投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准 备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损 益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交 易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负 债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍 生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投 资取得的投资收益	3,051,440.06
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变 动产生的损益
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性 调整对当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	1,746,152.14
其他符合非经常性损益定义的损益项目	-21,350.71	主要系公司将设备 搬迁至路维科技产 生的搬迁相关费 21,350.71元
减：所得税影响额	1,906,391.81
少数股东权益影响额（税后）	1,584,414.75
合计	12,451,971.67

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所处行业情况
公司成立至今始终致力于掩膜版的研发、生产和销售。掩膜版是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本，是平板显示、半导体、触控、电路板等行业生产制造过程中重要的关键材料。

下游行业的发展情况，一定程度上影响着对掩膜版的需求和发展状况。

近年来，由于贸易保护主义抬头、高通胀等接踵而至，引发全球经济和金融市场震荡，世界经济和贸易增长动能减弱，终端消费直接受到冲击，全球平板显示和半导体行业市场需求持续下滑。但与此同时，以工业自动化、新能源汽车、5G通信、人工智能、元宇宙、物联网、智慧医疗等为代表的新应用市场保持高增长态势，对平板显示和半导体等行业需求均有不同程度的拉动作用。未来随着6G通信、量子计算、AI等领域的突破，半导体市场的增长空间预计还将继续扩大。

此外，随着Chiplet技术的快速发展，与之相应的先进封装产业也将迎来新的发展机遇，国内主流封装厂商都在全力研发各自的先进封装工艺技术，半导体封装掩膜版市场也将随之受益。当前，无论是平板显示用掩膜版，还是半导体用掩膜版，国产化率均较低，尤其是应用于中高端产品的掩膜版，占比更低；随着中国平板显示和半导体行业的快速发展及国产替代需求的进一步扩大，国内掩膜版市场预计将迎来巨大发展空间。

1.平板显示市场
受宏观经济因素、高库存和中国市场放缓的影响，全球消费电子市场在经历了2022年的大幅下滑后，各消费电子品牌厂商更专注于高端消费电子市场的增量，依托不断革新的技术推出新产品以提升高端消费电子产品的内在价值、提高产品价格，增加产品毛利率；如应用于高端智能手机和穿戴设备的LTPO显示技术，应用于高端头显设备的OLEDoS技术。LTPO技术在低功耗和可变刷新率方面有很大优势，OLEDoS在分辨率、刷新率和亮度上有很大优势。随着高端市场的不断增长和技术迭代，其对应的显示掩膜版市场也将随之受益。

Mini-LED、量子点（QD）、OLED等新型显示产品市场份额有所提升，基于Mini-LED的显示技术已逐步被应用于电视、显示器、笔记本电脑、平板电脑和汽车等。Mini-LED电视凭借更高的显示性能、更高分辨率（4K和8K）、更大的屏幕尺寸以及更多的产品选择，在2022年的份额和出货量有所增加，预计2023年市场份额和出货量将继续增加；笔记本电脑基于Min-iLED的iPad和Macbook Pro是该类别在2022年和2023年扩大销量的主要贡献者。

各大显示器厂商在 2022 年 CES（国际消费类电子产品展览会）上推出了 65 英寸和 55 英寸 QD-OLED（QD）电视和34英寸显示器面板。蓝色OLED的QD-OLED技术采用印刷量子点层颜色转换 和亚像素级调光，显示屏可实现更广的色域、更高的色彩亮度。SDC（三星显示）预计将在2023年 使用MMG配置添加77英寸电视和49英寸显示器，预计2023年将有更多新的QD-OLED投资。 从国内主要平板显示和半导体上市企业 2023 年第一季度报告的情况可知，国内市场状况基 本与此趋势相同。随着平板显示企业从去年开始采取的控制产线稼动率、半导体行业各环节去库 存等调节活动的推进，市场供需关系正在得到修复。业内普遍认为，平板显示行业在上半年已触 底并出现反弹迹象。京东方称,2023 年随着国内品牌厂备货需求提升和采购逐步恢复，面板厂谨 慎提升稼动率，下半年促销季的到来，终端销售回暖，品牌方备货动能延续，LCD产品将有机会迎 来量价齐升，预计2023年半导体显示行业将呈现先抑后扬趋势。平板显示的供需关系将逐步恢复 平衡，长期来看，行业的发展将恢复常态。 Omdia 在今年的报告中也对 2023 年平板显示用掩膜版需求面积给出了较为乐观的预测数据， 比2022年报告中给出的数据高出6.4%。 数据来源：Omdia
综合来看，2023年下半年平板显示市场将呈现回升趋势，给上游供应商带来增长空间。中高端产品需求占比将进一步扩大，这类产品所对应的每套掩膜版数量也更多；LTPO、OLEDoS、Mini-LED、量子点（QD）等新型显示产品更广泛的应用于终端消费品上，这也给掩膜版的需求带来很大的推动力，国内平板显示用掩膜版的需求也将会呈现一个逐步增加的态势。

2.半导体市场
半导体行业属于现代高科技产业和新兴战略产业，是现代信息技术、电子技术、通信技术、信息化等产业的基础之一，是全球科技产业中重要组成部分，被广泛应用于5G通信、人工智能、物联网、汽车电子、云计算、消费电子、智能家居、智能化工厂等领域，在《“十四五”国家信息化规划》中，我国计划在教育、科研、开发、融资等各个领域，大力支持半导体产业的发展， 以期实现产业独立自主。 根据SIA最新发布的数据显示，2023年5月全球半导体行业销售额总计407亿美元，虽然同 比 2022 年 5 月 517 亿美元的销售额减少 21.1%，但环比 2023 年 4 月 400 亿美元的销售额增长 1.7%。所有地区销售额较上月都有所增长，中国月增3.9%，欧洲地区月增2%，亚太/其他地区月 增1.3%，日本和美洲地区分别月增0.4%和0.1%。虽然同比销售下滑严重，但2023年全球半导体 销售额已连续三个月小幅上升，半导体市场有望在下半年走出低迷行情。 数据来源：SIA
根据 WSTS 2023年6月对半导体市场的最新预测，2023年全球半导体市场的总体销售预计下滑幅度为10.3%，随后将出现强劲的复苏现象，2024年预测全球整体销售提速11.8%。

数据来源：WTST
根据SEMI 2023年6月发布的报告，2022年半导体材料市场整体规模增长8.9%，达到727亿美元，创历史新高。半导体制造材料主要包括硅材料、工艺化学品、光掩膜版、光刻胶配套试剂、CMP抛光材料、光刻胶、电子气体、溅射靶材等，其中光掩膜版占比13%。半导体芯片用掩膜版领域受惠于全球半导体材料市场的持续扩大，预计未来掩膜版行业整体市场需求量还将继续保持增长。

随着我国半导体产业在全球半导体行业比重日益提升，预计我国半导体掩膜版市场规模也将随之扩大。2022 年 10 月美国商务部公布的修订后的《出口管理条例》中，加大对于半导体设备及零部件的出口供货限制，包含了对掩膜版的供应限制，国内先进制程掩膜版进口受阻，急需国产掩膜版填补供应，掩膜版行业的国产替代进程有望进一步加速。

以SiC、GaN为代表的第三代半导体以其高热导率、高击穿场强等特点，在国防、航空、航天、高铁、新能源汽车、光学存储、激光打印等领域有着重要的应用前景。在国家政策支持和市场需求驱动下，我国第三代半导体产业也得到快速发展，已基本形成了涵盖上游衬底、外延片，中游器件设计、器件制造及模块，下游应用等环节的产业链布局，这也将有力带动我国半导体掩膜版技术和市场需求快速发展。

2023年初，以ChatGPT为首的人工智能领域（AI）突然暴发，带动了各大网络公司对算力的新增需求，AI芯片和光模块作为算力实现的基础，预计未来将实现高速增长。AI芯片生产过程中需要使用到2.5D及3D封装技术；光模块产品生产中用到的光通信芯片，都需要用到半导体掩膜版。面对人工智能领域带来的新机遇，国内半导体封装掩膜版和光通信掩膜版市场也将受益。

综上，未来可预见的期间内，随着中国大陆半导体芯片行业的快速发展及国产替代需求的进一步放大，半导体芯片行业用掩膜版市场将有较大发展空间。

3.触控市场
触控产品，代替了传统的按键，当前已被广泛应用在各种人机交互场景，如平板电脑、智能手机、笔记本电脑、车载显示、智能手表等领域。

虽然in-cell /on-cell技术逐步得到扩大应用，但传统的触控产品仍有其适用的领域。报告期内，触控产品市场处于成熟稳定期，触控类掩膜版需求相对稳定。

4.电路板市场
作为电子元器件的载体或电子器件间电气连接的载体，电路板被广泛应用在手机、电脑、汽车电子、家用电器等各种电子产品中。

报告期内，电路板行业处于成熟稳定期，电路板掩膜版仍有相对稳定的市场需求。

（二）主营业务情况
1. 主要业务
公司自成立至今，一直致力于掩膜版的研发、生产和销售，产品主要应用于平板显示、半导体、触控和电路板等行业，是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本。掩膜版的作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。作为光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版是连接工业设计和工艺制造的关键，掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。

经过多年技术积累和自主创新，公司已具有G2.5-G11全世代掩膜版生产能力，可以配套平板显示厂商所有世代产线；实现了180nm及以上制程节点半导体掩膜版量产，并储备了150nm制程节点半导体掩膜版制造关键核心技术，可以满足国内先进半导体封装和半导体器件等应用需求。

公司在G11超高世代掩膜版、高世代高精度半色调掩膜版和光阻涂布等产品和技术方面，打破了国外厂商的长期垄断，对于推动我国平板显示行业和半导体行业关键材料的国产化进程、逐步实现进口替代具有重要意义。

报告期内，公司主营业务收入 30,798.59 万元，同比增长 5.38%；归属于上市公司股东的净利润为 7,063.13 万元，同比增长 53.28%。报告期内，公司募集资金投资项目依计划建设并陆续投产；同时，公司持续加大研发，坚持技术创新，以技术创造业绩，促使产能水平及产品结构进一步优化带来营业收入和毛利率提升，实现了净利润较大幅度增长。

2. 主要产品或服务情况
根据基板材料的不同，公司的产品可以分为石英掩膜版、苏打掩膜版和其它（菲林等）。根据下游应用行业的不同，公司的产品可分为平板显示掩膜版、半导体掩膜版、触控掩膜版和电路板掩膜版等。

平板显示掩膜版应用于薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）制造，包括 TFT-Array 制程和 CF制程；有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）制造；扭曲/超扭曲向列型液晶显示器（TN/STN-LCD）制造。

半导体掩膜版应用于集成电路（IC）制造、集成电路（IC）封装、半导体器件制造（包括分立器件、光电子器件、传感器及微机电（MEMS）等）及LED芯片外延片制造。

触控掩膜版用于触摸屏的制造过程。

电路板掩膜版用于PCB及FPC的制造过程。

3.主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事掩膜版的研发、生产和销售，通过向平板显示和半导体等下游行业的客户提供定制化掩膜版产品实现收入和利润。公司始终坚持技术创新、产品领先的发展战略，使掩膜版产品持续向大尺寸、高精度演进，形成了以技术创造业绩、以业绩支撑研发的良性循环，推动掩膜版的国产化进程，打开了广阔的市场空间。

（2）采购模式
公司主要采取以销定采的采购模式，同时对于掩膜基板等重要的原材料根据市场部的销售预测、原材料库存情况及原材料供应情况适当备货。

在采购方式方面，对于掩膜基板、光学膜等重要的原材料，公司主要采用询比议价方式，原则上至少选取三家实力雄厚、交货及时、服务意识良好的合格供应商作为供货渠道，以确保价格具有竞争性，同时保证物料的供应稳定、到货及时，公司的主要原材料以境外采购为主，境内采购为辅；对于生产设备，属于技术复杂或者性质特殊的物资，公司主要采用竞争性谈判或单一来源采购方式，与供应商就价格、质量和交付要求等内容进行充分谈判，在保证质量和交付要求的前提下，力求以最低价格达成交易；对于包装盒等辅助材料、低值易耗品，由于金额较小且价格透明，公司通常采取直接采购的方式。

公司目前建立了较为完善的供应商管理与评价机制，公司对供应商进行季度质量评价与年度综合评价，从质量、交期、价格、售后服务等多个方面对供应商进行打分，对供应商进行分级评价。

（3）生产模式
公司采取“见单生产”的模式，即根据销售订单安排生产，主要是由于掩膜版为定制化产品，不同下游领域的客户对于掩膜版的尺寸、精度要求均不同；且由于掩膜版为下游客户生产制造过程中的定制化模具，并非大批量购买的原材料，因此客户单笔订单的采购量较少。

掩膜版生产过程是通过光刻工艺及显影、蚀刻、脱膜、清洗等制程将微纳米级的精细电路图形刻制于掩膜基板上，生产呈现高度定制化和自动化特点。公司的核心生产设备是光刻机，光刻采用激光直写像素化图形的方式进行，系整个掩膜版制造过程中最为耗时的工序。为合理调配产能，公司采用每条产线配置一台光刻机、多条产线共用其它后段设备的方式进行生产线布局。

（4）销售模式
公司的销售模式均为直销，鉴于掩膜版产品的定制化特征，公司通过高度配合客户产品需求和认证流程、提供专业服务，获取订单。掩膜版是光刻微纳加工的核心材料，直接影响终端产品的品质和良率，客户在引进掩膜版供应商或导入掩膜版新产品时需要对多个环节进行严苛的测试及验证，通过该等认证流程后公司方能与客户签署合同或订单。报告期内，公司与平板显示类主要客户签署了框架合同，与之保持长期战略合作；其他类产品的客户通过签署单笔订单开展交易。

公司主要通过参加行业展会与专业论坛、拜访客户及老客户推荐等方式开拓客户。

（5）研发模式
公司自成立以来，始终坚持自主研发和技术创新，致力于打破国外技术垄断，逐步实现掩膜版的国产化。

公司的研发部门分为技术研发和工艺研发两大职能模块。技术研发主要沿下游行业技术演进开展研发活动，公司定期与国内不同行业客户开展技术交流，深度挖掘客户中远期需求以及行业可能存在的技术演进方向，以客户技术需求与产品诉求为目标，形成需求分析→技术研发→产品测试→优化提升的研发机制，且通过相关竞品分析查找工艺技术差异点，以研发带动产品销售；工艺研发旨在对现有技术、设备工艺提升与优化，通过挖掘相关材料、设备等技术现状与发展路径，结合自身工艺特点，提出优化的材料、工艺与设备解决方案，不断提升产品品质与生产效率。

针对上述研发目标，公司的研发活动主要围绕原材料理化特性、各生产环节设备工艺参数调节、原材料与生产工艺参数的匹配，以及研究不同生产环节之间对于最终产品性能的相互影响展开。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司通过自主研发,不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。报告期内，公司新增 4项核心工艺技术，现共拥有32项核心工艺技术，具体情况如下：

序 号	划分维度	核心技术	技术内容	在主要产品中的 应用情况	技术 来源	知识产权保 护情况
1	产品制造技术	G11及以下TFT （a-Si）掩膜版 制造技术	最小图形可达 3μm,线/间（CD）精 度可控制在±0.25μm 以内；总长 （TP）及位置（Position） 精度可 控制在±0.5μm 以内，产品缺陷尺 寸可控制在1.0μm以内。	G11及以下尺寸 a-Si TFT显示面 板用掩膜版	自主 研发	已获得专利 保护
2	产品制造技术	G11及以下平板 显示用多灰阶 （Multi-tone） 掩膜版制造技术	包含半色调及灰阶掩膜版，线/间 （CD）精度可控制在±0.10μm 以 内；总长（TP）精度可控制在±0.5 um 以内，两层图形之间套合偏差 （Overlay Shift）可控制在±0.5μ m以内，半色调层透过率均匀性可控 制在2.0%以内。	G11及以下尺寸 平板显示用掩膜 版	自主 研发	已获得专利 保护
3	产品制造技术	G6及以下AMOLED 掩膜版制造技术	最小图形可达 1.2μm，精度及均匀 性高，线/间（CD）精度可控制在± 0.1μm以内，均匀性可控制在80nm 以内；位置（Position）及总长（TP） 精度可控制在±0.2μm 以内，产品 缺陷尺寸可控制在0.75μm以内。	G6及以下AMOLED 显示面板用掩膜 版	自主 研发	已获得专利 保护
4	产品制造技术	150nm节点半导 体掩膜版制造技 术	线/间（CD）精度可控制在±50nm以 内；总长（TP）精度可控制在±0.2 μm以内。	150nm节点及第 三代半导体用掩 膜版	自主 研发	已获得专利 保护
5	产品制造技术	G6及以下LTPS 掩膜版制造技术	最小图形可达 1.5μm,线/间（CD） 精度可控制在±0.1μm 以内，均匀 性可控制在 100nm 以内；位置 （Position）及总长（TP）精度可控 制在±0.30μm以内，产品缺陷尺寸 可控制在1.0μm以内。	G6及以下LTPS 显示面板用掩膜 版	自主 研发	已获得专利 保护
6	产品制造技术	先进半导体封装 及指纹模组封装 用掩膜版制造技 术	线/间（CD）精度可控制在±0.1μm 以内，总长（TP）精度可以控制在± 0.2μm 以内，产品缺陷尺寸可控制 在1.0μm以内。	半导体、指纹模 组等封装用掩膜 版	自主 研发	已获得专利 保护
7	产品制造技术	高精度蓝宝石衬 底（PSS）用掩膜 版制造技术	线/间（CD）精度可控制在±0.1μm, 总长（TP）精度可控制在±0.15 μ m以内，允许缺陷尺寸≤1.0μm。	PSS蓝宝石衬底 用掩膜版	自主 研发	已获得专利 保护
8	产品制造技术	G5.5及以下 Metal Mesh掩 膜版制造技术	线/间（CD）精度可控制在±0.3μm, 总长（TP）精度可控制在±0.75 μ m 以内，产品缺陷可控制在 5.0μm 以内。	G5.5及以下 Metal Mesh触控 用掩膜版	自主 研发	已获得专利 保护
9	产品制造技术	带AF防护膜层的 掩膜版制造技术	产品具有防指纹、耐划伤等功能，具 有疏水性，水滴角可达 115°及以 上。	触控、线路板、 LED等行业用掩 膜版	自主 研发	未单独申请 专利
10	核心工艺技术	掩膜版光阻涂布 技术	可实现不同粘度、对比度、敏感度及 膜厚要求的光阻涂布，1）光阻涂布 膜厚均匀性可控制在3.0%以内；2） 控制涂布过程中的流量、间隙、转 速、气压等，消除涂布后因光阻不均 匀造成的色差，达到控制涂布 Mura 的目的。	应用于G11及以 下平板显示掩膜 版/半导体掩膜版 的光阻涂布	自主 研发	已获得专利 保护
11	核心工艺技术	掩膜版涂布洗边 (EBR)控制技术	采用高纯度有机溶液，通过调整 Nozzle 角度、喷洒状态等，可对不 同粘度、膜厚的光阻进行洗边（EBR） 处理，实现不同范围内的光阻洗边。	应用于G11及以 下平板显示掩膜 版/半导体掩膜版 的光阻涂布洗边	自主 研发	已获得专利 保护
12	核心工艺技术	掩膜版图档防静 电处理技术	通过分析掩膜版图形线路电学特 性，针对性进行图档设计优化处理， 从而有效避免因设计原因造成的掩 膜版静电击伤现象，提高了掩膜版 品质及使用寿命。	LCD/TP/TFT用掩 膜版的生产	自主 研发	已获得专利 保护
13	核心工艺技术	DCM补偿光刻技 术	针对面板制造中由于投影光刻过程 造成的图形 Distortion，通过相关 算法对掩膜版设计图档进行光刻参 数补偿，从而实现掩膜版图形与面 板投影曝光的整体匹配。	G11及以下平板 显示掩膜版	自主 研发	未单独申请 专利
14	核心工艺技术	多次对位光刻技 术	针对多膜层结构掩膜版，开发多次 对位光刻技术，实现不同膜层图形 套合精度的要求。	G11及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主 研发	未单独申请 专利
15	核心工艺技术	掩膜版显影过程 中缺陷控制技术	自主开发用于掩膜版显影过程的浸 润液，运用该浸润液可保证掩膜版 在显影过程中表面无气泡产生，出 现气泡的比率从目前的 10%降低到 0，提升了产品品质。	G6及以下尺寸掩 膜版	自主 研发	未单独申请 专利
16	核心工艺技术	显影后精度补偿 技术	针对掩膜版蚀刻后精度偏差问题， 自主开发显影后精度补偿技术，极 大提高蚀刻后图形线条质量，减小 图形的精度误差。	G11及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主 研发	未单独申请 专利
17	核心工艺技术	掩膜版高效清洗 技术	自主开发针对掩膜版表面有机异物 的清洗技术，利用光学手段并结合 化学方法，针对性去除掩膜版表面 的有机杂质和异物。与传统单一化 学清洗方式相比，极大提高了有机 杂质和异物的清洗效率。	G11及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主 研发	已获得专利 保护
18	核心工艺技术	半色调(Half- tone)掩膜版沉积 式修补技术	采用不同于传统气相化学沉积的方 式，可针对不同透过率半色调膜层 缺陷进行修补。最小修补图形可达1 μm，可实现10到60%透过率范围膜 层修补，修补膜层透过率均匀性可 控制在2%以内。	G11及以下平板 显示用半色调掩 膜版	自主 研发	未单独申请 专利
19	核心工艺技术	掩膜版贴膜后缺 陷处理技术	针对掩膜版贴膜过程中造成的异物 缺陷，自主开发贴膜后缺陷处理技 术，运用激光处理的方式，可实现掩 膜版贴膜后异物性缺陷的去除，处 理效率高。	G11及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主 研发	未单独申请 专利
20	核心工艺技术	掩膜版光学膜贴 附技术	自主开发掩膜版光学膜贴附技术， 结合自主开发的自动、半自动装置， 可将贴附精度控制在±0.5mm以内， 效率高、品质优异。	G11及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主 研发	已获得专利 保护
21	核心工艺技术	高世代掩膜版用 包装材料清洗技 术	自主开发化学清洗药液及自动化装 置，形成高效自动化清洗工艺，能在 短时间内进行有效清洗，满足平板 显示掩膜版产品包装洁净度、防静 电等品质要求。	G11及以下平板 显示掩膜版包装 材料的清洗	自主 研发	已获得专利 保护
22	核心工艺技术	衰减型相移掩膜 版(ATT PSM) 工 艺技术	自主开发相移掩膜版工艺技术，可 用以实现嵌入式单层式衰减型相移 掩膜版的制造；使用该类掩膜版曝 光时，光在图形边界处的相位角相 差 180°（误差在±2°以内），出 现光的相消叠加，最终使得客户端 的光刻分辨率有所提高。	180nm及以下节 点半导体用掩膜 版	自主 研发	未单独申请 专利
23	核心工艺技术	高精度半导体掩 膜版光阻涂布技 术	可实现不同精度要求的半导体用掩 膜版的光阻涂布、不同光阻涂布膜 厚的控制；涂布均匀性可控制在 1.0%以内，可满足不同粘度、感光性 光阻的涂布要求。	半导体用掩膜版	自主 研发	已获得专利 保护
24	产品制造技术	980*1550 TFT Array掩膜版制 造技术	通过开发对应涂布、光刻、制程、清 洗等工艺，实现 980*1550 TFT 掩 膜版的制造。针对图形尺寸精度、总 长精度、图形套合精度控制等方面 进行开发研究，实现产品CD精度± 0.1μm，位置精度±0.3μm。	980*1550 TFT Array显示面板 用掩膜版	自主 研发	未单独申请 专利
25	核心工艺技术	新型掩膜版缺陷 修复技术	开发掩膜版显影后缺陷修复技术， 避免产品蚀刻后出现大尺寸缺陷， 降低 CVD 修复风险，提高产品制造 良率，缺陷修复面积可达200μm以 上。	LCD/TP/TFT用掩 膜版的生产	自主 研发	未单独申请 专利
26	核心工艺技术	半导体掩膜版贴 膜缺陷控制技术	开发新型半导体掩膜版贴膜工艺及 流程，降低Particle对贴膜成功造 成的影响，提高产品贴膜良率及品 质。	半导体用掩膜版	自主 研发	已获得专利 保护
27	核心工艺技术	混版图形Mura控 制技术	通过研究混版间距、曝光及制程参 数对混版图形位置精度的影响，结 合图形重新设计排布，开发混版图 形Mura控制技术，实现不同混版图 形的Mura要求。	G11及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主 研发	已获得专利 保护
28	产品制造技术	下置型半色调 （Half-tone）掩 膜版制造技术	开发新型下置型半色调（Half- tone）掩膜版制造技术，可实现二元 图形和半色调图形的一次制作， CD 精度可控制在±0.10μm以内；两层 图形之间套合偏差可控制在±0.3 μm以内。	G11及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主 研发	正在申请专 利
29	产品制造技术	980*1150 TFT Array掩膜版制 造技术	通过开发对应涂布、光刻、制程、清 洗等工艺，实现 980*1150 TFT 掩 膜版的制造。针对图形尺寸精度、总 长精度、图形套合精度控制等方面 进行开发研究，实现产品CD精度± 0.1μm，位置精度±0.3μm。	980*1150 TFT Array显示面板 用掩膜版	自主 研发	未单独申请 专利
30	核心工艺技术	高PPI AMOLED显 示面板掩膜版 OPC光刻补偿技 术	开发应用于 G6 及以下 AMOLED 显示 面板用掩膜版产品的 OPC 光刻补偿 技术，使其中高 PPI 类产品的复杂 图形以及更锐利的尖角可以有良好 的制作效果。	G6及以下AMOLED 显示面板用掩膜 版	自主 研发	未单独申请 专利
31	核心工艺技术	高PPI AMOLED显 示面板掩膜版缺 陷检查技术	通过优化自动扫描设备逻辑与算 法，实现高PPI AMOLED显示面板用 掩膜版产品中CH图形缺陷检查，检 出能力可达0.5μm。	G6及以下AMOLED 显示面板用掩膜 版	自主 研发	未单独申请 专利
32	产品制造技术	高精度G8.5灰阶 掩膜版制造技术	通过研究光阻涂布、光刻及化学制 程等关键工艺，开发G8.5灰阶掩膜 版制造技术，实现产品光阻涂布膜 厚达到 5000?，均匀性可达到 1.5% 以内；产品CD精度灰阶区域可达± 0.1μm；图形修补精度可达±0.15 μm。	G8.5及以下显示 面板用掩膜版	自主 研发	未单独申请 专利

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
深圳市路维光电股份有限公司	国家级专精特新“小巨人”企业	2022	/

2. 报告期内获得的研发成果
公司在多年技术积累的基础上，不断对掩膜版产品及相关技术、设备等进行自主创新和技术研发。研发项目主要来源于客户的新需求、生产过程中涉及的工艺技术创新改良，以及对未来技术趋势研判下的预研需要等，包括新产品开发、新型工艺技术开发、工艺技术能力提升、设备开发及应用等，以期在增加产品种类、提升技术能力、提高生产效率、降低成本、提升产品质量等方面取得进展，进一步提升公司综合竞争力。

报告期内，公司完成了高精度G8.5灰阶掩膜版研发、提升玻璃掩膜版（铬系）抗划伤性能的研究与开发等研发项目。实现了高精度G8.5灰阶掩膜版、中精度980*1150mm AMOLED用掩膜版、抗划伤掩膜版等新产品的量产，进一步丰富了产品种类，提升了公司在掩膜版领域的技术能力。

报告期内，公司持续进行研发投入达1,667.30万元，同比增长22.33%，占营业收入比例5.41%。

公司新增4项核心技术，新获授权实用新型6件，软件著作权2件。累计获授发明专利10件；实用新型87件；软件著作权19件；发表论文2篇。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	1	0	31	10
实用新型专利	0	6	97	87
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	0	2	19	19
其他	0	0	2	2
合计	1	8	149	118

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	16,673,039.63	13,629,675.11	22.33
资本化研发投入	0	0	0
研发投入合计	16,673,039.63	13,629,675.11	22.33
研发投入总额占营业收入比例（%）	5.41	4.66	增加0.75个百 分点
研发投入资本化的比重（%）	0	0	0

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名称	预计总投 资规模	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或 阶段性 成果	拟达到目标	技术 水平	具体 应用 前景
1	半导体掩 膜版光学 膜膜面缺 陷去除工 艺研究与 开发	260.00	127.21	127.21	工艺开 发及设 备调试 阶段	开发半导体掩 膜版光学膜表 面 的去 除工 艺，提升贴膜 半导体掩膜版 产品制作良率	工艺 技术 改良	应用 于生 产
2	半导体掩 膜版制程 与精度能 力提升	720.00	180.69	180.69	工艺开 发及设 备调试 阶段	通过研究半导 体掩膜版制程 工艺因素影响 条件，提升半 导体掩膜版制 作精度	工艺 技术 改良	应用 于生 产
3	TFT 掩膜 版清洗效 果与环境 关联性研 究与清洗 能力提升	280.00	93.72	93.72	工艺开 发及设 备调试 阶段	通过研究 TFT 掩膜版的清洗 环 境影 响条 件，降低静电 和脏点发生机 率，提升清洗 一次通过良率	工艺 技术 改良	应用 于生 产
4	封装掩膜 版批量制 程技术研 究及工艺 开发	210.00	10.85	10.85	工艺开 发及设 备调试 阶段	开发批量制程 设备及工艺， 实现批量制程 封装掩膜版技 术，提高封装 掩膜版生产效 率	工艺 技术 改良	应用 于生 产
5	红外传感 用掩膜版 条纹控制 技术开发	380.00	20.10	20.10	工艺开 发及设 备调试 阶段	开发应用于红 外传感掩膜版 的条纹控制技 术，实现高PPI 红外传感掩膜 版的量产	核心 技术 突破	应用 于生 产
6	高世代大 尺寸掩膜	580.00	213.10	213.10	工艺开 发及设	针对高世代大 尺寸掩膜版制	工艺 技术	应用 于生
	版制程工 艺升级改 造				备调试 阶段	程工艺，改造 制程设备并优 化药液供应系 统，提升高世 代大尺寸掩膜 版的制作精度 和效率	改良	产
7	掩膜版产 线数据采 集系统研 究与开发	420.00	129.12	129.12	数据测 试及设 备调试 阶段	开发掩膜版线 上数据实时采 集系统，实时 监控掩膜版生 产，分析掩膜 版生产过程数 据，提升掩膜 版制作效率	核心 技术 突破	应用 于生 产
8	LTPO 掩膜 版产品研 究与开发	300.00	39.14	39.14	工艺开 发及设 备调试 阶段	开 发应 用于 LTPO 显示技术 的 掩膜 版产 品，产品尺寸 可达 850*1200mm ， CD 精度 ±0.07um，位 置精度 ±0.3um	核心 技术 突破	应用 于生 产
9	FPD用PSM 掩膜版产 品研究与 开发	350.00	45.88	45.88	工艺开 发及设 备调试 阶段	开 发应 用于 FPD 行业内的 PSM 掩膜版产 品，CD 精度控 制在 ±0.1μm，相 位 角控 制在 180°±5°内	核心 技术 突破	应用 于生 产
10	IC 掩膜版 信赖性研 究测试项 目	130.00	6.61	6.61	工艺开 发及设 备调试 阶段	研究测试IC掩 膜版信赖性影 响条件，从环 境、工艺、膜 厚、光强等多 方面对IC掩膜 版进行研究， 优化改善其使 用寿命和保存 方式	工艺 技术 改良	应用 于生 产
11	高精度半 色调掩膜 版技术研 究及工艺 开发	207.00	60.27	69.73	工艺开 发及设 备调试 阶段	针对下置型半 色调膜层材料 开发对应的高 精 度制 程工 艺，并结合涂 胶均匀性的优 化，使产品 CD	核心 技术 突破	应用 于生 产
						精 度 达 到 ±0.05μm
12	掩膜版特 殊表面处 理与处理 后清洗工 艺研究与 开发	126.00	62.85	62.85	工艺开 发及设 备调试 阶段	针对掩膜版的 特殊表面处理 工艺，开发相 应的清洗和后 处理工艺，实 现特殊工艺掩 膜版的表面零 缺陷技术	核心 技术 突破	应用 于生 产
13	高世代大 尺寸掩膜 版贴膜缺 陷控制工 艺能力提 升	200.00	116.70	116.70	工艺开 发及设 备调试 阶段	针对高世代大 尺寸掩膜版贴 膜工艺中的环 境影响，测试 优化贴膜工序 和设备，降低 大尺寸掩膜版 贴膜过程中的 缺陷产生，提 高贴膜良率	工艺 技术 改良	应用 于生 产
14	掩膜版涂 胶后除边 装置设备 与工艺的 研究与开 发	80.00	42.56	42.56	工艺开 发及设 备调试 阶段	开发中小世代 掩膜版涂胶后 除边装置，改 善涂胶整体均 匀性，解决涂 胶边缘堆胶问 题	核心 技术 突破	应用 于生 产
15	掩膜版缺 胶修复工 艺研究与 开发	150.00	84.28	84.28	工艺开 发及设 备调试 阶段	开发掩膜版表 面缺胶修复技 术，实现局部 缺 胶修 补工 艺，降低铬层 修补率，提升 大尺寸掩膜版 生产效率	核心 技术 突破	应用 于生 产
16	高精度柔 性显示用 触控掩膜 版研发	500.00	124.66	198.35	工艺开 发及设 备调试 阶段	开发高精度柔 性显示用触控 掩膜版，产品 尺 寸 可 达 850*1200mm ， CD 精度 ±0.2μm，位 置精度 ±0.5μm	核心 技术 突破	应用 于生 产
17	高 精 度 G8.5 灰阶 掩膜版研 发	600.00	188.28	1,242.35	已完成 产品工 艺开发	通过研究光阻 涂布、光刻及 化学制程等关 键工艺，开发 G8.5 灰阶掩膜 版制造技术，	核心 技术 突破	应用 于生 产
						实现产品灰阶 区域 CD 精度 ±0.1μm
18	MW-800光 刻机位置 精度优化 提升项目	86.00	20.58	70.10	已完成 产品工 艺开发	提升MW-800光 刻机制作的光 掩膜的精度， 适应中端精度 光 掩膜 版生 产，从而提升 其 设备 利用 率，提升产品 价值	工艺 技术 改良	应用 于生 产
19	提升玻璃 掩 膜 版 （铬系） 抗划伤性 能的研究 与开发	87.00	25.15	100.12	已完成 产品工 艺开发	通过测试不同 的镀膜物质和 验证不同的工 艺参数，在不 影响铬版本身 规格和性能的 前提下，最大 化提高铬版的 抗划伤性能	工艺 技术 改良	应用 于生 产
20	子版精度 优化提升 项目	457.00	18.42	319.46	已完成 产品工 艺开发	提升母版的 CD 精度和接触时 受力的均匀性 方面来改善子 版的CD精度和 总长精度	工艺 技术 改良	应用 于生 产
21	3D 玻璃盖 板用掩膜 版产品开 发项目	135.00	32.47	32.47	工艺开 发及设 备调试 阶段	开发应用于 3D 玻璃盖板的掩 膜版产品，解 决复杂及大数 据 量资 料处 理，条纹控制 和缺陷识别的 问题	工艺 技术 改良	应用 于生 产
22	大 尺 寸 FMM 用光 掩膜版产 品开发项 目	260.00	24.66	24.66	工艺开 发及设 备调试 阶段	开发应用于大 尺寸 FMM 制造 的 掩膜 版产 品，解决形变 补偿，精度控 制，镀膜及清 洗扫描等复杂 工艺难题	核心 技术 突破	应用 于生 产
合 计	/	6,518.00	1,667.30	3,230.05	/	/	/	/

（未完）