[中报]臻镭科技(688270):浙江臻镭科技股份有限公司2023年半年度报告

时间：2023年08月15日 17:18:17 中财网

原标题:臻镭科技:浙江臻镭科技股份有限公司2023年半年度报告

公司代码：688270 公司简称：臻镭科技






浙江臻镭科技股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人张兵、主管会计工作负责人李娜及会计机构负责人（会计主管人员）李娜声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 31
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 33
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 34
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 48
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 58
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 58
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 59

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表。
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、母公司、 臻镭科技	指	浙江臻镭科技股份有限公司
城芯科技、城芯公司	指	杭州城芯科技有限公司，公司全资子公司
航芯源、航芯源公司	指	浙江航芯源集成电路科技有限公司，公司全资子公司
集迈科、集迈科公司	指	浙江集迈科微电子有限公司
钰煌投资、钰煌公司	指	杭州钰煌投资管理有限公司
基尔区块链	指	杭州基尔区块链科技有限公司
《公司章程》	指	浙江臻镭科技股份有限公司章程
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
报告期	指	2023年1-6月
报告期末	指	2023年6月30日
元、万元	指	人民币元、人民币万元
芯片、集成电路、IC	指	集成电路是一种微型电子器件或部件，采用集成电路加工工艺，按 照要求将所需的晶体管、电阻、电容和电感等电子元器件连接起来， 制作在同一晶圆衬底上，实现特定功能的电路，主要可分为数字集 成电路、模拟集成电路、内存集成电路以及微电子四类。IC是集成 电路（Integrated Circuit）的英文缩写，芯片是集成电路的俗称
晶圆厂	指	晶圆代工厂，指专门负责芯片制造的企业
晶圆	指	又称Wafer、圆片、晶片，用以制造集成电路的圆形硅或化合物晶 体半导体材料
封测	指	“封装、测试”的简称；“封装”指为芯片安装外壳，实现固定、 密封、导热、屏蔽和保护芯片的作用；“测试”指检测封装后的芯 片功能、性能指标是否满足要求
光罩	指	又称光掩模、掩模版（英文称为：Mask、Photomask或Reticle）， 是生产晶圆（晶片）的模具。光罩是根据芯片设计公司设计的集成 电路版图来生产制作的，一套光罩按照芯片的复杂程度通常有几层 到几十层，晶圆制造商根据制作完成的光罩进行晶圆生产
流片	指	为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个电路图 到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电路是否具备所 需要的功能和性能。如果流片成功，就可以大规模地制造芯片；反 之，则需定位原因，并进行相应的优化设计——上述过程一般称之 为工程试作流片。在工程试作流片成功后进行的大规模批量生产则 称之为量产流片
列装	指	一种装备经设计定型后被列入军队的装备序列并批量装备
相控阵雷达	指	利用电子技术控制阵列天线各辐射单元的相位，使天线波束指向在 空间快速变化的雷达。其特点是：目标容量大、数据率高，可同时 监视和跟踪多目标；具有搜索识别、跟踪、制导等多种功能；对复 杂目标环境的适应能力强，抗干扰性能好，可靠性高
数字相控阵	指	采用数字算法实现波束形成或同时多波束的相控阵系统
模拟芯片	指	一种处理连续性模拟信号的集成电路。狭义的模拟芯片，其内部电 路完全由模拟电路的基本模块构成；广义的模拟芯片还包括数模混 合信号芯片和射频前端芯片
数模混合芯片	指	一种结合模拟电路和数字电路功能的集成电路。其内部既能包含电 压源、电流源、运算放大器、比较器等模拟电路基本模块，又能包
		含反相器、寄存器、触发器、微处理器、存储器等数字电路基本模 块
微波	指	频率范围为300MHz~300GHz的电磁波，是无线电波中一个有限频带 的简称，即波长在 1 毫米~1 米之间的电磁波。根据频率由低到高 依次包括：L波段（1~2GHz）、S波段（2~4GHz）、C波段（4~8GHz）、 X波段（8~12GHz）、Ku波段（12~18GHz）、K波段（18~26.5GHz）、 Ka波段（26.5~40GHz）、Q波段（30~50GHz）等
毫米波	指	微波中一类高频的电磁波，频率范围为30GHz~300GHz，波长在1毫 米~10毫米之间
射频、RF	指	Radio Frequency，简称RF，一种高频交流变化的电磁波，频率范 围在300kHz～300GHz之间
终端射频前端芯片	指	将无线电信号转换成一定的无线电信号波形，并通过天线谐振发送 出去的电子元器件，具备处理高频连续小信号的功能，包括天线开 关、低噪声放大器、功率放大器和滤波器等，主要用于手机和物联 网等无线场景
射频收发芯片	指	位于射频前端芯片与基带芯片之间，具有频率变换、滤波、增益控 制和采样等功能，实现数字信号和模拟信号的互相转换
终端射频开关、RF Switch	指	构成终端射频前端的一种芯片，主要用于射频链路中不同方向（接 收或发射）、不同频率的信道切换
终端低噪声放大器、 LNA	指	Low-Noise Amplifier，简称LNA，构成终端射频前端的一种芯片， 主要用于天线接收的信号放大，以便于后级的电子设备处理
终端射频功率放大器、 PA	指	Power Amplifier，简称PA，构成终端射频前端的一种芯片，是各 种无线发射机的重要组成部分，将调制振荡电路所产生的射频信号 功率放大，以输出到天线上辐射出去
电源管理芯片	指	在电子设备系统中负责电能的变换、分配、检测及其它电能管理功 能的芯片
固态电子开关	指	采用半导体集成电路技术实现隔离控制电源或用电器功率回路通 断的装置，具备寿命长、可靠性高、无机械结构、无高压拉弧、无 开关寿命次数限制等优点，并且结合半导体集成电路工艺，可将保 护电路、电流监测电路等功能集成于固态电子开关内部，实现功能 的一体化
T/R 组件、T/R 射频微 系统	指	一个无线收发系统连接中频处理单元与天线之间的部分，实现射频 信号的发射、接收、放大、移相、衰减、滤波和信道切换等功能
ADC/DAC	指	模数转换器/数模转化器
SDR	指	软件定义无线电
射频微系统	指	在传统模组基础上，采用垂直互联、MEMS硅腔、TSV硅转接板、高 精度MMIC微组装以及晶圆级键合等技术，将多功能异质芯片及无 源器件进行一体化三维异构集成，形成多种高集成度、高可靠性的 微系统产品
基带处理芯片	指	用来合成发射的基带信号或对接收到的信号进行解码的芯片
馈电网络	指	对相控阵天线中对各个天线单元进行馈电和馈相的网络
信号处理机	指	实现数据记录、信号调制解调、自动跟踪、目标识别等功能的电子 设备
雷达	指	利用电磁波探测目标，并测定其距离、方位、速度的一种电子设备
频率综合器芯片	指	一种产生电子系统需要的各种形式的频率信号的芯片
时钟分配器	指	一种将输入时钟脉冲经过一定的分频后分别送到各路输出的逻辑 电路
数据链	指	一种在多个传感器、指挥信息系统等单元之间，采用一种或多种网 络结构，按照规定的通信协议和消息标准传递格式化战术信息的数 据信息系统
新一代电台	指	指采用现代化的通信技术和数字化技术，具备更高性能、更广覆盖、 更灵活可靠、更安全便捷的通信终端设备
卫星互联网	指	通过卫星为全球提供互联网接入服务
雷达天线	指	雷达中用来辐射和接收电磁波并决定其探测方向的设备
Sip （ system in package）、系统级封装	指	是将一个系统或子系统的全部或大部分电子功能配置在整合型基 板内，而芯片以2d、3d的方式接合到整合型基板的封装方式
卫星通信	指	地球上（包括地面和低层大气中）的无线电通信站间利用卫星作为 中继而进行的通信
第三代化合物半导体	指	以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化 铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度Eg>2.3eV）的半导体材料
电子对抗	指	双方为削弱、破坏对方电子设备的使用效能、保障己方电子设备发 挥效能而采取的各种电子措施和行动
TDC	指	同步信号窗检测，用于确认同步时钟相对位置
FD	指	幅度快速检测，快速检测出adc的输入信号是否出现超量程情况
FIR	指	FIR(Finite Impulse Response)滤波器，又称为非递归型滤波器， 是数字信号处理系统中最基本的元件
EQ	指	均衡滤波器，是一种可以分别调节各种频率成分电信号放大量的电 子功能

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	浙江臻镭科技股份有限公司
公司的中文简称	臻镭科技
公司的外文名称	Great Microwave Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写	GREAT MICROWAVE
公司的法定代表人	张兵
公司注册地址	浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢502室
公司注册地址的历史变更情况	2017年3月1日注册地址由杭州市余杭区仓前街道绿 汀路1号1幢565室变更为杭州市西湖区西园三路3 号5幢502室；2017年3月9日注册地址由杭州市西 湖区西园三路3号5幢502室变更为杭州市西湖区三 墩镇西园三路3号5幢502室；2017年5月4日注册 地址由杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢502室 变更为浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢 502室
公司办公地址	浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号B幢6楼
公司办公地址的邮政编码	310030
公司网址	http://www.greatmicrowave.com/
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	无

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书 （信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	李娜	孙飞飞
联系地址	浙江省杭州市西湖区三墩镇西 园三路3号B幢6楼	浙江省杭州市西湖区三墩镇西 园三路3号B幢6楼
电话	0571-81023677	0571-81023677
传真	0571-81023675	0571-81023675
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	中国证券报（www.cs.com.cn）、上海证券报（www.cnstock.com ）、证券时报（www.stcn.com）、证券日报（www.zqrb.cn 、经济参考网（www.jjckb.cn）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号B幢6楼公司证券部
报告期内变更情况查询索引	无

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	臻镭科技	688270	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用


六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入	111,220,581.86	104,846,515.85	6.08
归属于上市公司股东的净利润	33,530,238.83	50,400,694.31	-33.47
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	29,585,897.77	45,472,074.27	-34.94
经营活动产生的现金流量净额	-12,925,829.66	-18,012,223.15	不适用
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	2,091,531,525.65	2,088,582,193.03	0.14
总资产	2,164,597,020.01	2,168,751,669.66	-0.19

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.22	0.48	-54.17
稀释每股收益（元／股）	0.22	0.48	-54.17
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	0.19	0.43	-55.81
加权平均净资产收益率（%）	1.60	2.87	减少1.27个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	1.41	2.59	减少1.18个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	46.46	28.04	增加18.42个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、本报告期公司营业收入较上年同期增长6.08%。报告期内公司营业收入主要来自于高速高精度ADC/DAC芯片、电源管理芯片、微系统及模组等。2023年上半年公司积极开拓新客户，强化内部管理，营业收入实现增长。

2、本报告期公司实现归属于母公司所有者的净利润较上年同期下降 33.47%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润较上年同期下降34.94%。主要系报告期内公司业务规模的扩大使得销售、管理人员也有所增加，并且公司持续重视产品研发，保持高强度的研发投入，期间费用大幅增长所致。

3、本报告期基本每股收益、稀释每股收益同比下降 54.17%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比下降55.81%，主要系报告期内公司净利润较上年同期大幅下降及股本增加所致。

4、本报告期公司研发投入占营业收入的比例为 46.46%，较上年同期增加 18.42 个百分点，主要系公司为维持技术创新优势，保持公司产品的市场竞争力，研发投入大幅增加所致。



七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	-4,340.67
越权审批，或无正式批准文件， 或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务密切相关，符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外	3,924,381.67
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公
司期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出	24,300.06
其他符合非经常性损益定义的损 益项目
减：所得税影响额
少数股东权益影响额（税 后）
合计	3,944,341.06

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用


九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
2023 年上半年,世界局势波谲云诡，大国博弈日益加剧，逆全球化形成趋势，全球半导体民用市场在受到全球性通货膨胀以及终端消费市场萎靡的影响下进入了滞涨周期，半导体头部企业增速明显放缓，产业格局集中度不断提升。据WSTS预测，2023年全球半导体市场容量将会由2022年的5741亿美元下降10.3%至5151美元，模拟芯片也预计会由2022的890亿美元下降5.7%至839亿美元，不仅如此，ADI、TI等全球模拟芯片大厂为抢占市场份额，纷纷宣布降价，国内民用半导体供应商受到了日益严峻的挑战。但公司所在的特种行业模拟及数字芯片细分领域收益于装备建设加速、信息化率提升和国产化率提高三方面因素，行业景气度稳中有升，公司亦抓紧机遇，持续招贤纳士、砥砺前行，聚焦主营业务发展和核心技术创新，共振装备信息化的潮流，攀登芯片创新的最高峰。

上半年，特种行业受美国星链等商业化公司的民用产品研发应用模式的启发，从之前的预研-初样-正样的研发阶段顺序逐渐演进到预研-正样，要求大幅缩短预研的时间，降低研发的成本，提高预研的成功率和产品转化率。公司顺应行业的研发模式调整，凭借着全正向研发的宗旨提高多学科协同研发效率，高效迭代公司产品，持续提升产品性能，优化产品矩阵，提高客户的认可度，抓住了数据链、卫星通信和数字相控阵雷达等新兴领域的机遇，保持在特种行业模拟及数字芯片技术应用的领先优势；与此同时，公司持续增加了三维异构微系统的研发投入，为后摩尔时代小型化、轻量化、多功能化的需求做足技术储备，静待行业爆发。下半年，公司将进一步深化内部管理改革，不断优化研发激励机制，以研发核心技术为基础，以高效的研发为手段，以发展自身过硬的产品实力为重点，进一步提升产品的市场占有率，提高公司规模效应实现公司的持续快速健康发展，争做中国的特种行业ADI。



二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司是国内少数能够在特种行业领域提供终端射频前端芯片、高速高精度 ADC/DAC、电源管理芯片、微系统及模组等产品整体解决方案及技术服务的企业之一，在国产装备跨越式发展中起到重要作用，公司研制的集成电路芯片产品技术性能达到国内一流、国际先进水平。

公司产品作为国家重大装备中的核心芯片，具有较高的技术门槛，已在国内形成较强的先发优势。预计未来一定期间内，通过持续的研发投入和新产品的迭代开发，公司仍将在相关领域保持有利的市场地位。

（一）核心技术情况

序号	主要应 用产品	核心技术 名称	技术 来源	主要应用 和贡献	核心技术说明
1	终端射 频前端 芯片	基于低通 滤波器结 构有耗式 匹配电路 技术	自主 研发	宽带高效 率功放芯 片设计	为了解决宽带匹配问题，研究出一个具有 广泛适用性的分析及计算理论，基于低通 滤波结构的宽带有耗匹配结构，其核心思 想在于将输入寄生电容作为低通滤波器的 到地并联电容构成一低通滤波器。根据输 入有效电容值构造二阶低通滤波器，在不 加外输入匹配时，直接匹配到系统阻抗，具 有明显的带宽和集成度优势
2
		带阈值跟 踪和温度 补偿功能 的有源偏 置电路技 术	自主 研发	提升功 放、低噪 放温度稳 定性和线 性度	改进镜像电流源的偏置电路，增加反馈回 路，补偿电压源的波动。利用片上电阻的温 度变化特性，根据环境温度变化进行阈值 电压补偿，使放大器输出稳定在一定范围， 保证放大器的稳定工作，具有明显的宽温 优势
3
		功放堆叠 技术	自主 研发	宽带高功 率功放芯 片设计	针对单管胞击穿电压低、输出寄生电容大 的缺点，进行管胞堆叠设计，提升器件的工 作电压和输出功率，并减小寄生电容，达到 宽带匹配的效果。
4
		开关耐受 功率提升 技术	自主 研发	高耐受功 率开关芯 片设计	结合开关器件模型，优化前馈电容容值，对 栅漏电压、栅源电压进行合理分配，研制高 耐受功率射频开关器件
5	高速高 精度 ADC/DAC 芯片	宽窄带信 号兼容大 动态范围 接收通道 设计技术	自主 研发	提升芯片 射频、模 拟通道的 动态范围	宽带多模应用存在小信号、强干扰的应用 场景，要求接收机具备大动态范围。根据系 统需求选择合适的接收机体系架构，同时 在可实现高比特模数转换器精度的前提 下，进一步比较和选择接收通道的低噪放、 混频器、滤波器等模拟单元不同模型架构 的增益、噪声系数、线性度，并进行系统仿 真选择相关参数经过设计后得到的最优 值，具有明显的高动态指标优势
6
		低杂散低 噪声发射 通道设计 技术	自主 研发	满足发射 通道输出 信号对带 外的杂波 和镜频提 供尽可能 高的抑制 的要求	在选择合适的发射机架构满足多种模式宽 频需要基础上，优化发射通道各模块的电 路设计及校正算法，使发射通道同时满足 输出信号带外的频谱纯净度要求，并对带 外的杂波和镜频提供尽可能高的抑制，具 有明显的杂波与噪声抑制指标优势
7
		多芯片同 步设计技 术	自主 研发	芯片具备 多片同步 功能	相控阵系统的多通道需要具备统一的相位 特性来进行波束合成，往往采用时钟馈线 系统实现，在频率较高时实现难度大、功耗 高，该技术设计了片上可同步的本振及时 钟电路，降低了相控阵系统中时钟同步网 络的实现难度以及功耗，具有多通道组阵 同步优势
8	电源管 理芯片	耐辐射微 型磁隔离 固体电子	自主 研发	满足不同 客户对磁 隔离固体	耐辐射磁隔离固体电子开关是航天能源供 配电系统的核心器件，传统的磁隔离固体 电子开关采用磁性线圈和分立器件进行搭
		开关设计 技术		电子开关 微型化、 耐辐射需 求	建，不仅体积大且保护监测功能简单。公司 拥有高压大电流耐辐射微型化磁隔离固体 电子开关设计能力，成功量产了耐辐射微 型磁隔离固体电子开关芯片，将磁隔离线 圈和保护监测功能在芯片内集成，最终实 现超小体积全功能保护的耐辐射磁隔离固 体电子开关，该技术方案较国内外相关磁 隔离固体电子开关芯片具有明显的耐辐射 和集成度优势
9
		可多相并 联均流耐 辐射负载 点电源芯 片设计技 术	自主 研发	满足客户 对耐辐射 负载点电 源芯片功 率密度 高、大电 流输出需 求	传统耐辐射负载点电源芯片，控制器和驱 动以及功率级一一对应，每路输出独立控 制，功率密度低、电压纹波大，公司拥有耐 辐射负载点电源芯片的交错并联均流设计 能力，通过多相位控制器使多个电路的输 出并联使用，提高输出电流能力、节约占板 面积、降低电压纹波，该技术方案较国内外 相关负载点电源芯片具有明显耐辐射和均 流一致等优势
10
		高可靠/耐 辐射、高 功率密度 微电源模 块设计技 术	自主 研发	满足客户 对电源超 小体积超 高功率密 度的需求	传统开关电源电路需要控制器、功率管、电 感、变压器、电容和外部配置等大量电路， 占用电路板面积且需要用户自行配置调 试。公司拥有高密度多通道电源微系统设 计能力，将外围磁性器件进行微模块内集 成，已研制出多款高功率密度、高可靠或耐 辐射的微电源模块，可将多路开关电源集 成到微小型封装内，实现超小体积超高功 率密度应用，该方案较国内外相关高功率 密度微电源模块具有一定集成度优势和明 显高可靠或者耐辐射优势
11
		耐辐射T/R 组件电源 管理芯片 设计技术	自主 研发	满足客户 对耐辐射 T/R组件 电源管理 芯片小型 化、芯片 化需求	传统 T/R组件中存在大量非微波芯片，如 波控、电源调制、功率管、负压保护、栅压 调节等一系列芯片，占用了 T/R 组件大量 的体积、功耗，公司拥有耐辐射 T/R 电源 管理系统工艺融合设计能力，成功量产了 全功能耐辐射 T/R 组件电源管理芯片，将 所有非射频功能芯片整合至单芯片中，并 可IP化嵌入至微波单片中，最终实现T/R 组件小型化、芯片化，该技术方案较国内外 相关 T/R 电源管理芯片具有明显耐辐射和 集成度优势
12	T/R射 频微系 统及模 组	三维异构 微系统无 源结构与 多物理场 综合设计 技术	自主 研发	满足客户 对T/R射 频微系统 小型化、 轻量化、 高密度集 成的需求	通过对三维异构集成相控阵 T/R 微系统进 行详细的电、热设计，实现典型无源结构的 高精度模型提取，建立可支持用户仿真的 PDK模型库，利用多物理场仿真软件分析射 频功放芯片在三维集成结构中的散热过 程，评估立体散热设计的散热效果，以及电 磁-热-力多物理场联合作用下，热应力形 变等多物理场问题对TR微系统产生的电性 能和可靠性方面的影响，具有高精度和快 速设计收敛优势
13		多通道T/R 射频微系 统数字、 模拟、射 频隔离度 优化设计 技术	自主 研发	满足客户 对T/R射 频微系统 多通道集 成、高隔 离度的需 求	相较于传统的多通道T/R组件，多通道T/R 射频微系统将电源管理芯片、数字控制芯 片和射频芯片采用三维堆叠的形式集成在 很小的硅基板上，其集成度特别高，各种信 号之间的串扰问题将变得不容忽视。因此 在多通道 T/R 射频微系统的设计过程中， 必须对通道间的隔离特性进行研究，了解 信号干扰的机理，建立量化的通道隔离模 型，采用多种手段优化通道间的隔离，具有 高隔离、抗干扰指标优势
14
		毫米波瓦 片式有源 相控阵天 线系统 中，输入/ 输出隔离 度优化技 术	自主 研发	满足客户 对毫米波 有源相控 阵天线前 端高集成 度、轻量 化、低剖 面的需求	相较于传统的毫米波有源相控阵天线集成 方式，毫米波瓦片式有源相控阵天线系统 将BGA封装的T/R组件通过回流焊接工艺 焊接到一体化综合母板上。一体化综合母 板主要由天线辐射单元层、馈电网络层、波 控数据分发层、电源分配层及其中之间的 隔离地层组成。该综合母板上集成了功率 器件射频大信号、馈电网络中的射频小信 号、电源和数字信号，因此在一体化综合母 板的设计过程中，必须对 T/R 的输出口和 馈电网络布线、数字控制信号线、电源走线 进行隔离度仿真和分析，分析信号增益大 小和隔离度的关系，接地孔间距和隔离度 关系，采用类同轴和 SIW 多种手段提高输 入输出间的隔离，从而防止通道自激，出现 杂散。

（二）技术先进性及其表征
公司掌握的上述核心技术先进性的具体表征情况如下：

序号	核心技术名称	先进性具体表征
1	基于低通滤波 器结构有耗式 匹配电路技术	该项技术能够实现功放超宽带匹配，在全频带内实现小于1dB的增 益平坦度，而且采用有耗结构增加电路稳定性，大幅减少外围匹配 电路设计复杂度。
2	带阈值跟踪和 温度补偿功能 的有源偏置电 路技术	该项技术针对低噪放项目进行详细的分析建模，在理论和数值分析 上获取低噪放产品设计的关键数值，快速获取电路的各项初始参 数，减少设计迭代时间，工作温度可扩展至-55℃~125℃，具有宽 温工作优势。
3	功放堆叠技术	管胞堆叠技术可有效提升器件的工作电压，进而提高器件的输出功 率，并减小输出寄生电容，满足高压高功率宽带器件应用需求。
4	开关耐受功率 提升技术	基于电压悬浮结构，结合开关器件模型参数，对前馈电容进行优化 设计，有效缩短设计周期，提升不同工作电压下射频开关的耐受功 率能力。
5	宽窄带信号兼 容大动态范围 接收通道设计 技术	终端类设备需支持多种模式，中频带宽变化很大，该技术的优势在 于使得射频收发芯片支持20kHz~60MHz的中频信号收发，且在各个 增益下具备低噪底、高线性特征，在各个带宽下具备较大的直流抑 制、镜频抑制性能等，动态范围大于60dB，覆盖绝大多数通信雷 达系统要求。
6	低杂散低噪声 发射通道设计 技术	终端设备需支持多种模式，对芯片发射端的要求是尽可能输出干净 的频谱，以支持高阶调制并避免影响其他信道。该技术的优势在于 使得射频收发芯片具备20dBm以上的OIP3，60dB以上的动态范 围，且在各个增益下具备低噪底、高线性特征，覆盖绝大多数通信 雷达系统要求。
7	多芯片同步设 计技术	相控阵系统往往需要提供同步的高频时钟同步网络实现多通道的相 位一致性，该技术使得相控阵仅需提供低频的同步信号即可实现多 通道、多芯片间小数频综相位同步，降低了相控阵系统中同步网络 的实现难度以及功耗，多通道相位同步一致性优于3°，具有多通 道组阵同步优势。
8	耐辐射微型磁 隔离固体电子 开关设计技术	单颗芯片集成片上磁隔离器件，具备完整的单边供电、隔离能量传 递、隔离数传、隔离驱动、短路保护、反时限过流保护、过温保护 和状态隔离指示等功能，在大幅减小磁隔离固体电子开关产品体积 的同时还具备丰富的保护功能和耐辐射适应性，体积较传统方案缩 小50%以上。
9	可多相并联均 流耐辐射负载 点电源芯片设 计技术	具备耐辐射和交错并联均流能力的负载点电源芯片，通过多相位控 制器使多个输出并联使用，提高输出电流能力、节约占板面积、降 低电压波纹。
10	高可靠/耐辐 射、高功率密 度微电源模块 设计技术	单颗电源微模块内集成开关电源控制器、功率开关管、电感、去耦 电容、环路调节阻容等开关电源核心元器件与外围电路，并研制可 将磁性器件集成在微模块内或芯片片内的超高密度集成技术，实现 单一封装或芯片内完整的开关电源变换功能，具备高能量密度多通 道电源微系统的小型化高可靠工作优势。
11	耐辐射隔离开 关电源控制芯 片设计技术	单颗芯片集成源、副边控制器，可支持交错正激、反激、推挽、半 桥及全桥隔离电源拓扑，同时内置预偏置启动、死区时间调节同步 整流、电压模/电流模控制、高精度电压输出、软启动、打嗝保 护、斜坡补偿斜率可调、2MHz工作频率、前沿消隐、外部信号同 步、逐周期限流、过压过温过流保护等模块，并将功率管驱动器内 置，具有灵活多变的工作模式和较少外围电路优势。
12	三维异构微系 统无源结构与 多物理场综合 设计技术	通过对三维异构集成相控阵T/R微系统进行详细的电、热设计，实 现典型无源结构的高精度模型提取，建立可支持用户仿真的PDK模 型库，大大缩短了产品的开发的时间，提高了产品一致性。利用多 物理场仿真软件分析射频功放芯片在三维集成结构中的散热过程， 评估立体散热设计的散热效果，以及电磁-热-力多物理场联合作用 下，热应力形变等多物理场问题对TR微系统产生的电性能和可靠 性方面的影响，产品的散热性能成倍增加。
13	多通道T/R射 频微系统数 字、模拟、射 频隔离度优化 设计技术	多通道T/R射频微系统将电源管理芯片、数字控制芯片和射频芯片 采用三维堆叠的形式集成在很小的硅基板上，通过建立量化的通道 隔离模型和隔离度优化设计技术。多通道T/R射频微系统的设计过 程中，各种信号之间无串扰，隔离度增加20dB以上，可满足绝大 多数通信雷达系统使用要求。
14	毫米波瓦片式 有源相控阵天 线系统中，输 入/输出隔离度 优化技术	毫米波瓦片式有源相控阵天线系统中,输入和输出接口之间的隔离 度对瓦片式集成方案至关重要，通过对输入输出类同轴结构优化， 可以提高天线馈电口和波束合成口的隔离度，可以实现更多有源相 控阵单元的集成。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
臻镭科技	国家级专精特新“小巨人”企业	2023	——

2. 报告期内获得的研发成果
截至2023年6月30日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的专利34项，其中境内授权专利33项，境外授权专利1项，其中发明专利33项，实用新型专利1项，该等专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	1	0	33	33
实用新型专利	0	0	1	1
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	0	0	11	11
其他	0	0	23	23
合计	1	0	68	68

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	51,669,090.48	29,398,146.44	75.76
资本化研发投入	0	0	不适用
研发投入合计	51,669,090.48	29,398,146.44	75.76
研发投入总额占营业收入 比例（%）	46.46	28.04	增加18.42个百分点
研发投入资本化的比重（%）	0	0	不适用

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司本报告期研发投入金额为 5,166.91 万元，较上年同期增加 2,227.09 万元，同比上升75.76%。主要是因为公司作为芯片设计企业，需要通过持续加大研发投入加强技术创新优势，以保持公司产品的市场竞争力，同时报告期内公司研发人员薪酬、研发材料及技术服务投入增加所致。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序号	项目名称	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或阶段性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用 前景
1	宇航高可靠 精密电源系 统套片研究	1,337.06	4,670.09	已完成部分电源系统套片的样品试制 工作，部分型号仍处于设计仿真阶 段，正进行样品试制	针对宇航电源系统高可靠性、高冗余、 全功能监测保护特性，实现开关电源控 制、线性电源点负载、隔离高压驱动、 专用控制保护等系列套片，可接入一次 母线进行高压隔离开关变换，并具有二 次高精度稳压、开关保护、高速驱动控 制等功能，可重构形成多型多参数电源 变换系统	国内领先	空间电源 变换与控 制保护系 统
2	多路射频直 采收发芯片 及同步收发 系统研究	1,969.79	5,475.33	完成多路直采收发芯片的测试验证并 进行优化	实现具备同步能力的8收8发宽带直采 收发芯片，并基于所研芯片实现多通道 同步收发板卡，具有宽带、大动态、高 集成度等特征	国内领先	数字相控 阵、宽带 中频收发 系统
3	宽带高线性 高效率射频 前端芯片研 究	188.82	783.56	已完成原理图设计和版图设计流片， 正进行样品试制	针对智能终端、5G通信等领域结合新 工艺和新架构，实现宽带射频前端芯片 的高线性和高效率指标	国内领先	智能终 端、5G通 信和基站
4	综合相控阵 微系统研究	1,099.93	3,327.58	已完成三维异构硅基微系统的设计、 仿真、制造与测试，性能达到预期设 计目标，目前已进入样品阶段	实现超宽频带多功能相控阵的可重构功 能切换和高密度三维集成	国内领先	综合相控 阵雷达
5	基带射频一 体化SDR微 系统研究	419.68	1,572.63	已完成 SDR 微系统的原理图设计， 目前正在开展版图布局布线及微系统 的仿真优化，并已完成第一轮的流片 和性能的初步测试。目前根据实测的 结果，正在对版图进行进一步的优化	实现基带芯片与射频收发芯片的一体化 三维集成，显著降低互连损耗，显著减 少对外引脚数量和空间占用	国际先进	数据链终 端
6	高可靠精密 微电源模块 研究	151.63	219.91	微电源模块部分型号已完成设计仿 真，正在进行样品试制，部分型号已 完成样品研制	可直接接入常用装备的供电母线，实现 高功率密度和恶劣环境适应能力的隔 离、非隔离微电源模块，具备高效率、 高可靠的拓扑特性，并可监测电源输入 输出电压电流变化情况，具有多种短路 过流、过欠压、过温保护模式	国内领先	空间电源 变换领域
7	宽带高线性 射频收发芯 片研究	0	2,767.98	完成产品的测试，各项技术指标满足 要求，可批量生产	针对5G通信、基站等领域实现 ADRV9002射频收发芯片功能替代，具 备两收两发、一观测通道，片上实现处 理器	国际先进	智能终 端、5G通 信和基站
合计	/	5,166.91	18,817.08	/	/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	153	115
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	55.84	52.51
研发人员薪酬合计	2,642.91	1848.67
研发人员平均薪酬	18.91	19.16

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士研究生	11	7.19
硕士研究生	54	35.29
本科	79	51.64
专科	9	5.88
高中及以下	0	0.00
合计	153	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
30岁以下（不含30岁）	83	54.25
30-40岁（含30岁，不含40岁）	64	41.83
40-50岁（含40岁，不含50岁）	5	3.27
50-60岁（含50岁，不含60岁）	1	0.65
60岁及以上	0	0.00
合计	153	100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用


三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
公司主要产品包括终端射频前端芯片、高速高精度ADC/DAC芯片、电源管理芯片、微系统及模组等，各类主要产品与同行业可比公司对标产品的性能指标对比情况如下： （1）终端射频前端芯片
公司终端射频前端芯片中代表产品为终端射频功率放大器和终端低噪声放大器，以下以终端射频功率放大器为例：

公司	臻镭科技	亚德诺 （ADI）	马科姆 （Macom）	科沃 （Qorvo）	公司产品比较说明
型号	GM1302	HMC8500	NPA1007	TGA2237	-
工作 频率(MHz)	30~2500	10~2800	20~2500	30~2500	工作频率范围与对标产品 相当
饱和输出 功率(dBm)	40	40	40	40	饱和输出功率与对标产品 相当
线性 效率	35%@35dBm	20%@35dBm	30%@35dBm	33%@35dBm	线性效率由于对标产品
增益 (dB)	14	10	11	13	增益优于对标产品，射频 信号放大性能更好
三阶交调 IMD3(dBc)	-28@35dBm	-30@35dBm	未提供	-25@35dBm	三阶交调与对标产品相当
尺寸(mm)	6.0×6.0	5.0×5.0	6.0×5.0	5.0×5.0	尺寸大于对标产品，主要 原因系公司产品针对国防 应用的高可靠性和抗恶劣 环境进行设计，增加了冗 余空间

终端射频前端芯片GM1302图示： （2）高速高精度ADC/DAC
公司高速高精度ADC/DAC芯片中代表产品为高速高精度ADC/DAC芯片，以公司产品CX8842为例：

公司	臻镭科技	德州仪器 （TI）	亚德诺 （ADI）	公司产品比较说明
型号	CX8842	AFE7422	AD9082	-
通道数	8T8R	2T2R	4T2R	通道数与对标产品相 当
ADC 位数/采样频率 （bit/GSPS）	14/4	14/3	12/6	ADC位数/采样频率与 对标产品相当
输入频率范围 （MHz）	10~6000	10~6000	最大为8000	输入频率范围与对标 产品相当
ADC 无杂散动态 范围（SFDR）	70dBFS @2.3G	[email protected] （-3dBFS）	65.2dBFS @2.7G	ADC无杂散动态范围 与对标产品相当
	（0.8Vpp、- 2dBFS）		（1.475V、- 1dBFS）
ADC 噪底（NSD）	-151dBFS/Hz （0.8Vpp、 4GSPS）	-151dBFS/Hz	-153dBFS/Hz （1.475Vpp、 6GSPS）	ADC噪底与对标产品 相当
单通道接收功耗 （W）（接口+数字 +ADC）	1.5	1.9	未公开 （总功耗 11.45W）	接收功耗优于对标产 品
DAC 位数/采样频率 （bit/GSPS）	14/12	14/9	16/12	DAC位数/采样频率与 对标产品相当
输出频率范围 （MHz）	10~6000	10~6000	最大为6000	输出频率范围与对标 产品相当
DAC 无杂散动态 范围（SFDR）	68dBc @12GSPS （1.8GHz）	未公开	68.5dBc @12GSPS （1.9GHz）	DAC无杂散动态范围 与对标产品相当
DAC 噪底（NSD）	-165dBm/Hz @700MHz	未公开	-166.7dBc/Hz @500MHz	DAC噪底与对标产品 相当
单通道发射功耗 （W）（接口+数字 +DAC）	1.2	1.8	未公开 （总功耗 11.45W）	发射功耗优于对标产 品

高速高精度ADC/DAC芯片CX8842图示： （3）电源管理芯片 （未完）