[中报]中微半导(688380):2023年半年度报告

时间:2023年08月17日 18:22:21 中财网

原标题:中微半导:2023年半年度报告

公司代码:688380 公司简称:中微半导






中微半导体(深圳)股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营活动中可能存在的相关风险及应对措施,敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”

三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人周彦、主管会计工作负责人吴新元及会计机构负责人(会计主管人员)赵琪声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 不适用

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本公告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险

九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ............................................................................................................................................. 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ........................................................................................................... 5
第三节 管理层讨论与分析 ...................................................................................................................... 9
第四节 公司治理 ................................................................................................................................... 29
第五节 环境与社会责任 ........................................................................................................................ 31
第六节 重要事项 ................................................................................................................................... 33
第七节 股份变动及股东情况 ................................................................................................................ 66
第八节 优先股相关情况 ........................................................................................................................ 72
第九节 债券相关情况 ............................................................................................................................ 72
第十节 财务报告 ................................................................................................................................... 73



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表。
 载有现任法定代表人签字和公司盖章的2023年半年度报告全文及摘 要。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。


第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
报告期2023年1月1日至2023年6月30日
公司、中微半导、本公司中微半导体(深圳)股份有限公司
北京中微芯成北京中微芯成微电子科技有限公司
四川中微芯成四川中微芯成科技有限公司
成都芯联发成都市芯联发电子科技有限公司
四川芯联发四川芯联发电子有限公司
香港中微SHENZHEN CHINA MICRO SEMICON CO., LIMITED
新加坡中微SINGAPORE CHANGI TECHNOLOGY PTE. LTD.,香港中微全资 子公司
中山联发微中山市联发微电子有限公司
佛山中微中微半导体科技(佛山)有限公司
中微渝芯中微渝芯(重庆)电子科技有限公司
中微沪芯中微沪芯(上海)集成电路有限公司
电科芯片中电科芯片技术股份有限公司,曾用名中电科声光电科技 股份有限公司
顺为芯华顺为芯华(深圳)投资有限合伙企业(有限合伙),系公司的 员工持股平台
顺为致远顺为致远(深圳)投资有限合伙企业(有限合伙),系公司的 员工持股平台
南海成长深圳南海成长同赢股权投资基金(有限合伙),系公司的股 东
中小企业发展基金中小企业发展基金(深圳南山有限合伙),系公司的股东
重庆芯继重庆芯继企业管理咨询合伙企业(有限合伙),系公司的股 东
丰泽一芯丰泽一芯(深圳)贸易有限公司
华虹宏力上海华虹宏力半导体制造有限公司
SoCSystem on Chip的英文缩写,中文称为芯片级系统,意指 一个有专用目标的集成电路,其中包含完整系统并有嵌入 软件的全部内容。
MCUMicrocontroller Unit的英文缩写,中文称为微控制单元, 是把中央处理器的频率与规格做适当缩减,并将内存、计数 器、USB等周边接口甚至驱动电路整合在单一芯片上,形成 芯片级的计算机。
ADCAnalog-to-Digital Converter的英文缩写,中文称为模数 转换器,是可实现将连续变量的模拟信号转换为离散的数 字信号的器件。
DACDigitial-to-Analog Converter的英文缩写,又称DA、D/A 转换器,中文称为数模转换器,是将二进制数字量形式的离 散信号转换成以标准量(或参考量)为基准的模拟量的转换 器。
MOSMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的缩写,即金属-氧化物半导体场效应晶体管, 简称金氧半场效晶体管。
LDOLow Dropout Regulator的英文缩写,中文称为低压差线性 稳压器,是一种线性稳压器,使用在其饱和区域内运行的晶
  体管或场效应管,从应用的输入电压中减去超额的电压,产 生经过调节的输出电压。
BMSBattery Management System的英文缩写,中文称为电池管 理系统,是对电池进行管理的系统,主要就是为了智能化管 理及维护各个电池单元,防止电池出现过充和过放,延长电 池的使用寿命,监控电池的状态。
V电压,也被称作电势差或电位差,是衡量单位电荷在静电场 中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
RISCReduced Instruction Set Computing的英文缩写,中 文称为精简指令集计算机,是一种执行较少类型计算机指 令的微处理器,起源于80年代的MIPS主机(即RISC机), RISC机中采用的微处理器统称RISC处理器。
CE传导骚扰,用来测量被试设备在正常工作状态下通过电源 线、信号/控制线对周围环境所产生的传导干扰是否符合要 求。
RE辐射骚扰,测量被试设备通过空间传播的辐射骚扰场强。
CMOSComplementary Metal Oxide Semiconductor的英文缩 写,中文称为互补金属氧化物半导体,是指制造大规模集成 电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。
IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写,中 文称为绝缘栅双极型晶体管,是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功 率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通 压降两方面的优点,驱动功率小而饱和压降低。
USBUniversal Serial Bus的英文缩写,中文称为通用串行总 线,是一个外部总线标准,用于规范电脑与外部设备的连接 和通讯,是应用在PC领域的接口技术。
IPD集成产品开发(Integrated Product Development), 是一套产品及研发管理的体系,是从产品投资与开发的角 度来审视产品与研发管理的思想和架构。
模拟芯片处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟信号 是指用电参数,如电流和电压,来模拟其他自然物理量而形 成的连续性的电信号。
特别说明:本报告中部分合计数与各加数直接相加之和在尾数上有差异,或部分比例指标与相关数值直接计算的结果在尾数上有差异,这些差异是由四舍五入造成的。

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称中微半导体(深圳)股份有限公司
公司的中文简称中微半导
公司的外文名称Shenzhen China Micro Semicon Co., Ltd
公司的外文名称缩写CMS
公司的法定代表人周彦
公司注册地址深圳市前海深港合作区南山街道桂湾三路91号景兴海 上大厦2101
公司注册地址的历史变更情况公司分别于2022年8月23日、2022年9月28日召开公司 第一届董事会第十八次会议和2022年第二次临时股东
 大会,审议通过了《关于变更公司注册地址的议案》 ,并已办理完成工商变更登记,公司注册地址由“深 圳市南山区南头街道大汪山社区桃园路8号田厦国际中 心A座2008”变更为“深圳市前海深港合作区南山街道 桂湾三路91号景兴海上大厦2101”。
公司办公地址深圳市前海深港合作区南山街道桂湾三路91号景兴海 上大厦2101
公司办公地址的邮政编码518000
公司网址www.mcu.com.cn
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名吴新元赵羽佳
联系地址深圳市前海深港合作区桂湾三路91 号前海金融中心T1栋21楼深圳市前海深港合作区桂湾三 路91号前海金融中心T1栋21楼
电话0755-269200810755-26920081
传真0755-268956830755-26895683
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《证券 日报》《经济参考报》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司董事会秘书办公室
报告期内变更情况查询索引

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板中微半导688380不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入288,212,021.78414,382,622.33-30.45
归属于上市公司股东的净利润26,540,258.9744,610,457.84-40.51
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润-15,891,960.47111,389,506.87-114.27
经营活动产生的现金流量净额-86,407,883.27-229,831,576.80不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产3,035,845,537.403,188,001,445.88-4.77
总资产3,223,807,115.123,369,252,746.57-4.32


(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.070.13-46.15
稀释每股收益(元/股)0.070.13-46.15
扣除非经常性损益后的基本每股收益( 元/股)-0.040.33-112.12
加权平均净资产收益率(%)0.833.35减少2.52个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资 产收益率(%)-0.508.36减少8.86个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)19.1911.73增加7.46个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1.1 2023 年上半年实现销售收入 28,821.20 万元,较去年同期下降 30.45%。2023年上半年,芯片原厂由于前期备货,库存均处于高水位,而下游需求复苏没有达到预期,行业竞争加剧,为抢占市场,纷纷采取积极的销售策略,致公司产品单价较上年同期下降明显。报告期内,公司出货量虽然同比实现小幅增长、环比增长超过100%,但由于价格下降明显,营业收入同比下降幅度较大、环比呈现增长态势。

1.2 2023 年上半年实现归属于上市公司股东的扣非净利润 -1,589.20 万元,比去年同期下降 114.27%;2023 年上半年归属于上市公司股东的净利润 2,654.03万元,比去年同期下降40.51%。主要原因为:
(1)受市场需求疲软和芯片行业去库存影响,公司 2023 年平均毛利率下降至16.04%,虽然出货量略有增长的情况下,但营业收入较大幅度下滑;
(2)同时公司持续加大研发力度,研发费用较去年同期有明显增长,归属于上市公司股东的扣非净利润下降明显;
(3)归属上市公司股东净利润下降幅度较扣非净利润大幅度收窄,主要原因是公司持有的电科芯片股票产生的公允价值变动损益金额变化所致,报告期电科芯片股价上升造成公司半年度公允价值变动损益为2,342.02万元。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益-858.63 
越权审批,或无正式批准文件, 或偶发性的税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外2,982,430.06 
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费  
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益20,033,339.07 
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等  
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益  
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益,以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益23,420,190.72 
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出27,656.02 
其他符合非经常性损益定义的损 益项目91,324.67 
减:所得税影响额4,121,862.47 
少数股东权益影响额(税 后)  
合计42,432,219.44 

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)主要业务、主要产品及其用途
1、主要业务
中微半导是一家以MCU为核心的平台型芯片设计企业,专注于数字和模拟芯片的研发、设计与销售,力求为智能控制器提供芯片级一站式整体解决方案。公司前身为1996年成立的一家芯片应用方案公司,创始人在方案开发过程中萌发芯片设计初心,2001年跨界进入芯片设计行业并成立公司。公司自成立以来,围绕控制器所需芯片从ASIC芯片设计开始,不断拓展技术布局,如今掌握8位和32位MCU、高精度模拟、功率驱动、功率器件、无线射频和底层核心算法等设计能力。

产品在55纳米至180纳米CMOS、90纳米至350纳米BCD、双极、SGT MOS和IGBT等工艺上投产,并逐步向 40纳米、20纳米等更高制程迈进,广泛应用于智能家电、消费电子、工业控制、医疗健康、汽车电子等领域。

2、主要产品及用途
公司主要产品以 MCU芯片为核心,还包括各类 ASIC芯片(高精度模拟、电源管理、通信交互、功率驱动等)、SoC芯片、功率器件芯片和底层核心算法,为智能控制器提供芯片级一站式整体解决方案。

MCU是芯片级的计算机,又称单片机,是把中央处理器(CPU)的频率与规格做适当缩减,并将内存(Memory)、计数器(Timer)、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口,甚至LCD驱动电路都整合在单一芯片上,形成芯片级的计算机。MCU芯片的组成部分可分为:中央处理器、存储器、以及输入/输出。MCU芯片按用途分类可分为通用型和专用型。通用型MCU芯片指的是将可开发的资源(ROM、RAM、I/O、EPROM)等全部提供给用户。专用型MCU芯片指的是其硬件及指令是按照某种特定用途而设计,例如录音机机芯控制器、打印机控制器、电机控制器等。公司是国内最早自主研发设计MCU的企业之一,2004年就在华虹宏力工艺研发MCU芯片,并于2005年推出公司首颗8位MCU,如今MCU产品以专用型为主,覆盖8位和32位全系列,具体如下图所示:
ASIC是专用集成电路,是指应特定用户要求或特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路,例如ADC、DRAM、FLASH等这些具备明确单一功能的,或者H.264编解码、802.3协议、5G基带等特定应用场景的芯片,功能相对单一ASIC在批量生产时与通用集成电路相比具有体积小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。公司2002年推出自主设计的第一款专用新芯片--燃气热水器定时芯片,2014年进入栅极驱动设计,2018年进入高精度模拟产品设计。目前,公司针对特定领域推出具备完美性价比及能效优势的专用芯片系列,产品包括传感、触摸、显示驱动、电机驱动、高精度ADC、BMS模拟前端、遥控、线性稳压器等。

数据转换芯片主要包括模数转换(ADC)和数模转换(DAC)芯片。ADC用于将真实世界产生的模拟信号转换成数字信号进行输入,数字集成电路进行信号处理,然后用DAC将数字信号调制成模拟信号进行输出。公司的高精度ADC产品,通过采样和噪声整形等方式提高了测量的精度,其中24位高精度ADC的有效精度达到21.5位。

电源管理芯片是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的关键器件,使得电压和电流应保持在设备可以承受的规定范围内,其性能优劣和可靠性对整机的性能和可靠性有着直接影响,功能一般包括电压转换、电流控制、电源选择、电源开关时序控制等。公司的电源管理芯片主要产品包括线性电源LDO和开关电源DC-DC等。其中LDO为低压差线性稳压器,用于实现低压差场景下的降压转换,具有低噪声、纹波小、高精度等特征;而DC-DC可以实现降压、升压、升降压转换等多种功能,电压及电流适用范围更广,能够实现高转换效率。

功率IC是半导体芯片中模拟芯片的典型代表,可实现功率(电压、电流、频率)的变换控制与调节,为后续电子元器件提供相应的功率供应和管控要求。公司栅极驱动 IC主要为电机驱动IC,其能够将电机控制器/MCU输出的低压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号,来驱动功率器件进行开关动作,从而驱动电机工作,集成了高侧和低侧驱动器,可降低开关损耗,适应嘈杂的环境并提高系统效率。公司的驱动IC产品包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列,可满足多种场景的应用要求。

公司的ASIC芯片系列如下图所示:

SoC是系统级芯片,又称片上系统,一个专用目的的集成电路,是由多个具有特定功能的集成电路组合在一个芯片上形成的系统或产品,其中包含完整的硬件系统以及承载的嵌入式软件。

SoC芯片组成可以是系统级芯片控制逻辑模块、微处理器/微处理器CPU内核模块、数字信号处理器DSP模块、嵌入的存储器模块、外围通信接口模块、含有ADC/DAC的模拟前端模块、电源提供和功耗管理模块、用户定义逻辑以及微电子机械模块,以及内嵌的基本软件模块或可载入的用户软件。SoC芯片通常为客户定制或是面向特定用途的标准产品。公司以高度集成的优势,将数字和模拟IP设计在同一颗SoC里以实现特定的功能应用。例如电机控制、无线充、测量、无线链接、高压驱动、电磁加热、BMS、电动牙刷等混合信号SoC,不但可以简化设计,同时可以有效缩减BOM尺寸面积,较之传统芯片电路更小,功耗更低,可靠性更高,可以灵活且充裕的能力来执行更高级、用户应用级别的任务。公司现有SoC产品如下图所示: 功率器件又叫功率分立器件,是在电力控制电路和电源开关电路中必不可少的电子元器件, 主要用于电子电力的开关、功率转换、功率放大、线路保护等。MOSFET和IGBT的推出,集高 频、高压、大电流于一身,使功率器件的应用从单一的电力领域迅速渗透到消费电子、汽车电 子、新能源、变频家电等各大领域。功率器件属于模拟电路,相对于数字电路,开发难度较大, 需要有长期的技术积累。公司早在2013年第一款1350V沟槽型终止IGBT就实现量产。目前,公 司推出新一代的SGT MOS、IGBT和CSP MOS,丰富了公司的产品系列,提升了公司一站式整体解 决方案的能力。公司的功率器件产品如下图:
底层核心算法就是各种用于计算机自身运行的驱动程序(经过选择并可以更新)和为控制运行而编制的专用程序。公司注重底层核心软件算法的研发设计,让客户更容易使用公司产品,目前能够提供触摸库、上位机控制软件、电机底层算法等,如下图所示: 公司的产品广泛应用于消费电子、智能家电、工业控制、汽车电子和医疗健康领域,可为该 类领域的智能控制器提供芯片级的一站式整体解决方案。具体应用领域如下图所示: (二)经营模式
集成电路产业链主要由集成电路设计、晶圆制造、封装和测试等环节组成。作为IC设计公司,公司采用业界惯见的Fabless模式,即无生产线的IC设计公司,仅从事IC设计及销售业务,将芯片制造、封装测试工序外包。Fabless模式具有轻便灵活的特点,可以专注于技术创新,设计出拥有自主知识产权的电路布图,依靠晶圆代工厂将技术转化为芯片产品,再面对市场销售自己设计的产品。此外,公司于2011年在四川遂宁建设一条封装测试产线,作为产能调节和研发促进型封装测试存在。

从销售模式看,公司采取经销与直销相结合的方式,具有客户群体众多、无大客户依赖的优点。

(三)公司所属行业发展状况以及公司所处的行业地位分析
1、行业发展状况
公司主营业务为芯片产品的研发、设计与销售,根据《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》,公司所处行业属于 I652“集成电路设计”;根据《国民经济行业分类(GB/T4754-2017)》,公司所属行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”,行业代码“6520”。

把半导体、电阻、电容等电子元器件及连接导线全部集成在微型硅片上,构成具有一定功能的电路,然后焊接封装成的电子微型器件。集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间变化的信号,例如温度、压力、浓度等)。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号)。公司具备模拟和数字集成电路设计能力。

集成电路是现代信息产业的基石,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业,属于国家高度重视和鼓励发展的行业;同时,集成电路行业是一个快速发展的高科技行业,各种新技术、新产品层出不穷,一方面产生了巨大的市场机遇,另一方面也导致市场变化较快,持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的重要手段。

2、公司的行业地位情况
公司是国内知名的MCU供应商,且为国内少有的以MCU为核心的平台型芯片设计企业,具备8位和32位MCU、高精度模拟、功率驱动、功率器件、无线射频和底层核心算法的设计能力,存在技术布局全、产品系列丰富、应用领域广的特点,能为智能控制器提供芯片级一站式整体解决方案。报告期内,公司在产品研发和市场开拓上不断突破,在整个下游市场需求放缓的形势下,通过积极的市场策略,公司芯片出货量环比有所增加,市场占有率进一步扩大。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司自成立以来,围绕智能控制器所需芯片和底层算法进行技术布局,经过20年的自主创新,形成包括高可靠性MCU技术、高性能触摸技术、高精度模拟技术、电机驱动芯片技术及底层算法、低功耗技术、高性能CSP MOSFET技术、逆导IGBT技术等核心技术,广泛应用于公司的各类产品,具体情况如下:

序号核心技术 名称应用于的主 要产品平台对应的主要专利和软著技术用途及特点描述所处 阶段技术 来源
1高可靠性 MCU技术家电控制芯 片、电机与 电池芯片1、201810979922.X用于 EEPROM存储器的基准电流 生成电路及生成方法 2、201810980297.0列选电 路以及包含该列选电路的 EEPROM电路公司高可靠性MCU技术应 用于公司家电控制芯片和 电机与电池芯片的设计 中,特点主要体现为: 1、高可靠性架构;2、充 足的设计裕量保证高一致 性;3、抗干扰存储技术量产自主 研发
2高性能触 摸技术家电控制芯 片、消费电 子芯片1、201911079352.X一种触 摸按键灵敏度调节方法、电 路及触摸开关(实审阶段) 2、202011347611.5一种电 容式触摸按键并行抗干扰方 法及装置 3、202110062720一种电容 式触摸抗干扰检测装置、系 统及方法公司高性能触摸技术用于 实现公司家电控制芯片和 消费电子芯片的触摸功 能,特点主要体现为: 1、超高灵敏度调节、隔 空触摸、接近感应;2、 优异的传导抗扰度 (CS)、传导骚扰 (CE)、辐射骚扰(RE) 性能量产自主 研发
3高精度模 拟技术家电控制芯 片、电机与 电池芯片、 消费电子芯 片、传感器 信号处理芯 片201910007646.5一种ASK 调幅信号解调电路及解调方 法公司高精度模拟技术应用 于公司家电控制芯片、电 机与电池芯片、消费电子 芯片和传感器信号处理芯 片中,特点主要体现为: 1、Sigma-Delta 24位 ADC;2、高精度运放/比 较器/PGA;3、高精度内 部高速振荡器;4、高精 度内部温度传感器;5、 高精度内部基准源/LDO量产自主 研发
4电机驱动 芯片技术 及底层算 法电机与电池 芯片201911043120.9一种电机 控制单电阻采样方法公司电机驱动芯片技术及 底层算法应用于公司电机 与电池芯片中,特点主要 体现为:1、高低压全系 列电机驱动芯片技术; 2、掌握无感矢量控制核 心算法的多种实现方式 (RFO,MRAS等)量产自主 研发
5低功耗技 术消费电子芯 片、传感器 信号处理芯 片1、202010190523.2一种安 全的任意切换芯片工作模式 的方法和芯片 2、202010059657.0一种提 高CPU执行效率的单片机公司低功耗技术应用于公 司消费电子芯片中,特点 主要体现为:1、运行功 耗低极低;2、睡眠功耗 低至0.4微安;3、唤醒 时间短至25微秒量产自主 研发
6高性能 CSP MOSFET 技术锂电保护开 关芯片1、ZL201710046716.9一种 用于锂电保护的开关器件及 其制作方法 2、ZL201710038841.5一种 用于锂电保护的开关器件及 其制作方法 3、ZL201810629461.3一种 集成充电电池保护功能电路公司的高性能的CSP MOSFET主要应用于锂电保 护开关电路,特点主要体 现为:1.功率损耗低;2. 机械能力强;3.雪崩能力 强;4.抗冲击能力强量产受让 取 得、 自主 研发
7逆导 IGBT技 术1350V IGBT 芯片ZL201210559699.6一种逆 导型IGBT器件的制备方法公司的逆导IGBT主要应 用于电磁感应加热等领 域。特点主要体现为:1. 单片集成了FRD,芯片成 本降低;2.芯片面积小, 减少了系统的体积量产受让 取得


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
中华人民共和国工业和信息化部国家级专精特新“小巨人”企业2022年/


2. 报告期内获得的研发成果
1、公司车规级 MCU BAT32A 系列产品进一步扩容,面向车身控制和汽车直流无刷电机应用的超高性价比产品BAT32A233已在多家Tier1内测,市场反应良好,预计3季度批量供货;国内首颗满足AEC-Q100 Grade0的产品BAT32A337在第三方机构 SGS 进行认证中,该产品工作温度-40℃~150℃,适用汽车复杂运行工况和恶劣环境,将主要用于汽车热管理应用; 2、公司面向空调室外机主控和工控领域的高性能 MCU 实现量产,一颗芯片可同时实现压缩机、风机、PFC 控制和系统控制,大大降低 BOM 数量和系统成本; 3、公司面向工业控制类主控MCU BAT32G127系列实现量产,具有超低功耗LCD显示驱动模块,适用于三表,测量,IoT应用,如水表、气表、热表、电压表、电流表、压力表以及燃气报警器可燃气体检测器等;
4、公司发布具备多通道、双AD高精度SoC CMS8H1215产品,实现微小信号放大及多通道模数转换,基于单芯片产品级解决方案,大幅降低系统设计复杂度及系统成本,可广泛应用于消费电子、压力变转、家用医疗及工业测量等领域;
5、公司发布针对紧凑级电机应用的高性价比CMS32M65芯片系列,提供安全功能(IEC60730安规认证)、过压、过温等全面的保护功能,满足工业级标准,同时简化系统和降低系统成本,适合对尺寸和成本敏感的智能家居、绿色骑行、白色家电、电动工具及工业电机控制等紧凑级电机应用;
6、公司积极布局高端域控MCU芯片、半全桥驱动和预驱芯片,向着汽车芯片全国产解决方案迈进。

2023年上半年,公司新申请发明专利6项,获得发明专利批准6项;新申请实用新型专利1项,获得实用新型专利批准2项;新申请软件著作权11项,获得软件著作权批准2项;新申请集成电路布图3项,获得集成电路布图批准10项
截至报告期末,公司累计申请发明专利59项,获得授权的发明专利28项;累计申请实用新型专利38项,获得授权的实用新型专利34项;累计申请软件著作权18项,获得授权的软件著作权16项;累计申请集成电路布图144项,获得集成电路布图批准144项。


报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利665928
实用新型专利123834
外观设计专利0000
软件著作权1121816
其他310144144
合计2120259222

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入55,311,499.4248,605,141.0213.80
资本化研发投入   
研发投入合计55,311,499.4248,605,141.0213.80
研发投入总额占营业收入比 例(%)19.1911.73增加7.46个百分点
研发投入资本化的比重(%)  不适用


研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用

公司研发费用职工薪酬同比增长624.69万元,同时长期资产折旧与摊销、房租及物业费随公司发展同比增加。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序号项目名称预计总投资规模本期投入金额累计投入金额进展或阶 段性成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1大家电主 控芯片研 发项目100,000,000.002,852,767.5079,674,301.02开发阶段实现基于M4内核进行用于 空调室外变频电机控制的 32位高可靠性MCU的研 发,实现进口替代国内领先空冰洗等白电 领域
2车规级 MCU系列 芯片研发 项目60,000,000.0012,769,940.3546,632,681.73部分型号 量产;整 体开发阶 段利用国产车规级110nm及 以下制程,实现基于 M0+ 或M4内核车用仪表显示控 制芯片等系列车规级芯片 的研发,实现进口替代国内领先汽车电子、工 业控制领域
3基于 55/40纳 米制程的 芯片研发 项目80,000,000.0036,535.9912,739,796.38开发阶段利用国产55nm制程带来的 高速、小尺寸的工艺特 性,用于指纹识别、血氧 仪、血压计等的小尺寸、 高算力要求的主控芯片。 主频速度提升到150MHz 以 上,待机功耗控制在5微 安以下。国内领先汽车电子、工 业控制及消费 电子领域
4下一代电 机系列芯 片项目80,000,000.0017,132,376.5271,880,012.94开发阶段应用自研的AGC(自动增益 控制)技术和同步采样技 术,动态调整电流信号放 大增益,高效利用硬件的 速度优势处理关键信号。 支持电机转速超过15万 转。国内领先工业控制、消 费电子领域
5IGBT及功 率器件研 发项目40,000,000.005,046,097.9929,225,867.78量产验证 阶段实现内阻且带快恢复特性 的MOS的研发,提高电机 的节能性;实现新一代 IGBT技术的研发,优化大 功率变频器以及电机等开 关过程。国内领先工业控制、大 家电领域
6动力电池 BMS SoC 研发项目50,000,000.004,448,636.3746,683,557.59量产阶段自研高精度AFE(主动前 端)模块(电池)国内领先工业控制领域
7ASIC芯片 研发项目80,000,000.003,090,472.0563,726,800.02量产阶段测量精度达到或超过 99.7%,结合自研低功耗高 算力的主控MCU内核,以 及自研的高耐压IO,完成 动力电池所需的安全可靠 的高性能SOC。国内领先消费电子领域
8超低功耗 芯片研发 项目20,000,000.009,568,506.4715,976,841.12部分型号 量产;整 体开发阶 段 国内领先消费电子、工 业控制领域
合计/510,000,000.0054,945,333.24366,539,858.58开发阶段///

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)275288
研发人员数量占公司总人数的比例(%)68.5855.81
研发人员薪酬合计4,197.353,572.66
研发人员平均薪酬15.2612.41


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士10.36
硕士3713.46
本科19671.27
本科以下4114.91
合计275100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
50 岁及以上62.18
40-49岁3312.00
30-39岁8430.55
20-29岁15255.27
合计275100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
公司在芯片设计领域深耕20余年,不断拓展自主设计能力,积累的自主IP超过1,000个,具有技术全面、产品线丰富、人才团队建设完善、供应链保障度高的特点。

1、技术布局全、应用领域广
公司围绕智能控制器所需芯片和算法进行技术与产品布局,经过20余年的积累与拓展,掌握主流系列MCU、高精度模拟、功率驱动、功率器件、无线射频、高性能触摸和底层核心算法的设计能力;产品在55纳米至180纳米CMOS工艺、90纳米至350纳米BCD、高压700V驱动、双极、SGT MOS、IGBT等工艺制程上投产;全面的技术能力,使公司成为平台型的芯片设计企业,实现了芯片的结构化和模块化开发,针对不同细分领域可快速推出具有竞争优势的产品,还可为客户提供差异化、定制化服务,满足细分领域客户对芯片功能、资源、性价比的差异化需求;产品广泛应用于家电、消费类、电机与电池、物联网、医疗电子、工业控制、汽车电子等领域。

2、整合能力强、集成程度高
公司始终追求集成电路的本质,通过全面的设计技术(数字、模拟、功率器件设计能力)提升外围电子的整合能力、提高产品集成度,提高产品性能、降低综合成本,提升产品综合竞争力。

以公司电机 SoC芯片为例,与传统方案相比,公司单芯片集成了 MCU、LDO、预驱、3颗(P+N)MOS,一颗芯片实现了传统方案6颗芯片的功能,公司电机方案与传统方案的设计图与实物图对比情况如下:
传统电机方案设计图 公司电机方案设计图 传统电机方案实物图 公司电机方案实物图 3、团队协同好、平台型开发
IC设计行业是知识密集型行业,企业发展的关键因素是人才。公司结合不同城市的地域特点、人才储备优势和贴近市场需求进行研发团队的布局,并以打造成都研发中心为契机,建设以中山、重庆、北京、上海、新加坡等技术团队为支撑的“一个中心、多点支撑”的空间布局,各团队分工合作。

公司以MCU为核心的研发平台成熟,自有IP过1000个,面向具体应用定义产品后进行模块化、结构化设计,新产品设计,开发边际成本低,开发周期短,市场导入快,新领域营收增长快。

4、合作程度深、产能保障好
公司与主要供应商稳定合作多年。长期合作所积累的信誉与共同增长的产能供给与需求,加深了公司与主要供应商之间的合作,形成了合作共赢、共同发展的战略合作伙伴关系,增强供应链合作黏性,在产能上得到较为稳定的保证。此外,公司在四川遂宁建设有产能调节型的封装测试产线,增强公司封装测试的应急能力和工程批芯片即封即测的能力,提高新产品研发验证效率。

5、产品应用经验丰富、产品定义贴近市场
创始团队从芯片应用开发走向芯片设计,公司继承了面向应用、贴近市场的基因,保持了强大的应用开发队伍对产品进行应用研究和对客户进行技术支持,促进公司产品快速推广,降低了客户开发难度,同时在对客户服务和交流中掌握终端产品的功能需求,并将获得的信息反馈给设计前端,使公司在新产品定义或升级换代中准确响应终端需求,设计出市场定位准、资源配置恰当、性能优越、性价比高、竞争力强的芯片产品。

6、产品系列全、客户群体多
公司产品系列全,包括通用MCU(8位、32位)、专用ASIC、混合信号SoC、功率器件等,应用领域广、市场空间大。公司产能在各产品线、领域中高效调节与配置,确保产能消耗和实现更大产能附加值;公司客户群体多,客户关系均衡,抗市场风险和持续盈利能力强。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2023上半年,半导体行业成熟制程的晶圆制造、封装测试等上游产能有效释放,下游市场需求复苏未曾到来、需求增长乏力,出于对产能依赖和市场复苏的乐观期盼,多数采取Fabless经营模式的芯片设计公司的产品库存仍处高位,纷纷采取激进的市场策略抢占市场份额,市场竞争十分激烈。

报告期内,产品出货量环比增长超过100%,同比略有小幅增长;但由于价格下降幅度较大,实现营业收入28,821.20万元比2022年同期41,438.26万元下降30.45%,归属于上市公司股东的净利润为2,654.03 万元,比去年同期4,461.05万元下降40.51%,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-1,589.20万元,比去年同期11,138.95万元下降114.27%。

(一)持续改进产品品质,提高客户满意度
坚持以客户为中心,持续改进产品品质,以满足产品应用从消费级向工业控制和汽车电子迈进。报告期内,公司以提高产品品质为抓手,每半月进行一次品质分析会议,从设计、生产、销售和服务全流程检讨,持续改进产品品质和服务,提高客户满意度,得到更多行业标杆客户认可。

(二)继续加大研发投入,随时迎接新的行业周期
半导体行业存在逆周期投资规律,公司继续加大研发投入,随时迎接新的行业周期的到来。

报告期内,公司研发费用投入5,531.15万元,较去年同期4,860.51万元增加13.80%,占公司营业收入的19.19%;同时,公司不断优化人才招聘渠道引进人才,加强人文关怀、改善工作环境和股权激励等手段留住人才,激发员工工作激情。

(三)不断完善内部控制与公司治理
报告期内,公司严格按照相关法律法规的要求规范公司运作,结合公司实际运营情况及发展规划,制定并实施了切实可行的内部控制规章制度,强化风险控制意识,提升内控管理水平,保障了内控体系的有效持续性运作。随着规模增长,公司通过不断完善内部控制体系,努力打造高效的组织架构和流程,提升公司的管理和风险管控能力。严格按照相关法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时、真实、准确和完整;认真做好投资者关系管理工作,通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通,以便于投资者快捷、全面获取公司的信息,树立公司良好的资本市场形象。

报告期内,公司董事会及下设专门委员会、监事会积极履行职责,确保三会工作顺利开展。

(四)下一报告期内下游应用领域的宏观需求分析
一方面通过报告期内的去库存行为,下游经商销和终端制造商基本完成去库存任务,部分客户已经开始进入主动补库存阶段;另一方面随着国家宏观经济的调控和财政政策刺激,国民消费复苏有望在期盼中到来,下游应用领域需求有望随消费复苏而快速增长。对于下游应用领域需求,无论环比还是同比,有望出现大幅增长。

(五)公司发展战略及经营计划
公司着重长期可持续的发展策略,在市场复苏的期盼期,坚持研发投入备产品、锤炼队伍练内功、规范流程促品质、积极营销占市场和开放包容合作求发展的思路,在既有市场持续产品迭代、优化服务,做到寸土不让;在新兴领域大胆布局、主动出击,稳步推进,做到寸土必争。

公司发展战略:
1、坚持MCU为核心,积极从专用型向通用型MCU转变,持续扩大公司营收规模; 2、坚持以客户为中心,持续提升产品品质和服务,巩固和扩大自身市场地位; 3、利用好资本市场的力量,做好从内生式发展向外延式发展转型,提升公司发展速度。

主要产品经营策略:
1、持续处理好维持产能安全与有效库存关系,把库存水位控制在预算范围内; 2、坚持积极的销售策略不变,以扩大出货量和市场占有率为首要指标,进一步做大营收规模;
3、时刻把握市场变化,积极规划和储备产品,扩大新的应用领域,迎接市场复苏的到来; 4、积极丰富车规级产品线,稳步加大工业控制和汽车电子领域的出货量。



报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)技术风险
(1)产品研发风险
公司作为芯片设计公司,为适应市场新需求和新变化,坚持以研发和技术创新为引领。由于芯片设计的技术要求高、工艺复杂,且流片成本较高,若公司产品研发失败,存在前期投入资金无法收回的风险。

公司正在从事的主要研发项目包括大家电主控芯片研发项目、车规级MCU系列芯片研发项目、基于55/40纳米制程的芯片研发项目、下一代电机系列芯片项目等,上述新产品研发的开发周期较长、资金投入较大,若公司在产品规划阶段未能及时跟踪市场需求走向,或未能维持研发人员的稳定性及研发体系的稳健运作,或在研项目的下游产品技术路径、应用场景等未获市场认可,将对公司未来业绩造成一定影响;此外,若公司研发投入未能及时产业化、技术人才储备无法适应行业的技术形势,导致公司市场竞争中处于落后地位,无法及时、有效地推出满足客户及市场需求的新产品,可能会对公司市场份额和核心竞争力产生一定影响。

(2)技术泄密风险
集成电路设计行业技术密集型的特征日益凸显,拥有核心技术及高素质的研发人员是公司生存和发展的根本。若因核心技术人员流动、技术泄密,或知识产权措施不力等原因,造成公司核心技术流失,可能在一定程度上削弱公司的技术优势,对公司的核心竞争力产生不利影响。

(二)经营风险
(1)供应商风险
公司属于Fabless模式集成电路设计公司,存在因外协工厂生产排期导致供应量不足、供应延期或外协工厂生产工艺存在不符合公司要求的潜在风险。由于行业特性,晶圆制造和封装测试均为资本及技术密集型产业,国内主要由大型国企或大型上市公司投资运营,因此行业集中度较高。如果公司的供应商发生不可抗力的突发事件或未能及时开拓新的供应商,或因集成电路市场需求旺盛出现产能紧张等因素,晶圆代工和封装测试产能可能无法满足需求,将对公司经营业绩产生一定的不利影响。报告期内,上游晶圆加工和封测产能充分释放,下游市场需求未能同步扩张,晶圆和封装测试趋于供大于求状态。

(2)市场周期性的风险
公司MCU产品主要应用于家电、消费和工控与汽车电子领域,虽然工业控制领域占比逐年增加,汽车电子实现突破,但小家电和消费电子领域占比仍然较高。受全球消费能力下降和整个市场周期性影响,家电行业的景气程度和下游客户经营情况会较大程度地影响公司芯片的使用需求。若未来家电和消费类市场需求萎缩,将对公司未来盈利能力产生不利影响。

(3)人才流失风险
芯片设计行业属于技术密集型产业,对技术人员的依赖度较高。同行业竞争对手可能通过更优厚的待遇吸引公司技术人才,同时,公司可能会受其他因素影响导致技术人才流失。上述情况将对公司新产品的研发以及技术能力的储备造成影响,进而对公司的盈利能力产生一定的不利影响。

(三)财务风险
(1)应收账款回收风险
报告期内,公司加大了应收账款管理力度,应收账款总量环比有所减少,但由于下游需求增长没有出现,公司为抢占市场,采取相对积极销售策略,应收账款体量仍然较大,如果未来公司无法及时收回应收账款,可能对公司的现金流和整体经营造成不利影响。

(2)毛利率波动风险
由于整体库存较高和下游需求增长承压,公司毛利率环比出现下滑,对公司盈利水平带来不利影响。

(3)税收优惠政策风险
根据财政部、税务总局、发展改革委、工业和信息化部《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》(财政部税务总局发展改革委工业和信息化部公告2020年第45号),国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业,自获利年度起,第一年至第五年免征企业所得税,后续年度减按10%的税率征收企业所得税。由于研发投入加大,四川中微芯成预计今年能够达到国家鼓励的重点集成电路设计企业指标,获利年度未超过5年,按免征企业所得税计提。

若未来上述税收优惠政策发生调整,或者公司不再满足享受以上税收优惠政策的条件,将对公司的经营业绩产生一定影响。

(4)存货跌价风险
公司存货主要由晶圆和芯片构成。公司每年根据存货的可变现净值低于成本的金额计提相应的跌价准备。报告期内,公司一直坚持了对上游的采购规模,但由于下游需求增长承压,出货增长率没能超过采购增长率,公司库存仍有小幅增加;目前上游供应成本已经下调,库存产品成本与新订购产品成本出现倒挂;若未来市场出现长期不景气情况,使得产品滞销、存货积压,将导致公司存货跌价风险增加,对公司的盈利能力产生不利影响。

(5)汇率波动风险
报告期内,公司存在境外销售和采购、以美元报价和结算的情况。随着公司总体业务规模扩大,境外销售及采购金额预计将进一步增加,虽然公司在业务开展时已考虑了合同或订单订立及款项收付之间汇率可能产生的波动,但随着国内外政治、经济环境的变化,汇率变动仍存在较大的不确定性,未来若人民币与美元汇率发生大幅波动,将对公司业绩造成一定影响。

(四)行业政策风险
集成电路行业是国家经济发展的支柱型行业之一,我国目前已通过一系列法律法规及产业政策,从提供税收优惠、保护知识产权、提供技术支持等角度,大力推动行业发展。如果目前良好的行业政策环境发生负面变化,将对集成电路产业的发展产生一定的影响。除此之外,国际间的贸易摩擦,以及有关国家的贸易保护主义抬头以及美国近期通过的《芯片与科学法案》,可能会对公司的新品研发和营收产生影响。公司将继续重视市场、产品、供应链等方面的多元化布局,抓住供应链本土化的时机,实现公司业务快速发展。


六、 报告期内主要经营情况
详见本节“一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明”。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入288,212,021.78414,382,622.33-30.45
营业成本230,591,788.03221,178,449.404.26
销售费用7,861,493.197,754,627.111.38
管理费用12,830,269.4313,269,912.52-3.31
财务费用-7,232,036.34-506,376.90不适用
研发费用55,311,499.4248,605,141.0213.80
经营活动产生的现金流量净额-86,407,883.27-229,831,576.80不适用
投资活动产生的现金流量净额-362,028,327.82158,393,853.32-328.56
筹资活动产生的现金流量净额-175,332,079.91-10,408,075.97不适用
营业收入变动原因说明:主要系供求关系变化影响,产品单价下降,销售毛利降低; 营业成本变动原因说明:主要是受同比销售出货量增加及期初较高成本的存货影响; 销售费用变动原因说明:本期销售费用与上期基本持平;
管理费用变动原因说明:本期管理费用与上期基本持平;
财务费用变动原因说明:本期财务费用较上年同期减少 672.57万元,主要系公司募集资金银行利息收入所致;
研发费用变动原因说明:主要原因系公司持续增加研发投入,研发薪酬增加,导致研发费用上涨; 经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:本期经营活动产生的现金流量净额-8,640.79 万元,较上年同期流出收窄 14,342.37万元,主要系采购付现金额减少、应收账款回拢所致; 投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:本期投资活动产生的现金流量净额-36,202.83万筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:本期筹资活动产生的现金流量净额-17,533.21 万元,较上年同期降低 16,492.40万元,主要系分配现金股利所致。


2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明
□适用 √不适用

(三) 资产、负债情况分析
√适用 □不适用
1. 资产及负债状况
单位:元

项目 名称本期期末数本期期 末数占 总资产 的比例 (%)上年期末数上年期末 数占总资 产的比例 (%)本期期末金 额较上年期 末变动比例 (%)情况 说明
货币资金439,466,540.1813.631,062,308,336.6431.53-58.63货币资金减 少主要系购 买理财产 品、分配现 金股利、以 及存货增加 占用资金所 致
交易性金 融资产1,122,480,953.5134.821,139,163,931.4133.81-1.46交易性金融 资产增加主 要系购买 理财产品增 加和持有电 科芯片股票 产生的公允 价值变动损 益导致
应收款项113,013,380.903.51130,768,512.153.88-13.58应收账款减 少主要系收 拢应收账款 所致
应收款项 融资9,601,662.230.3013,900,886.870.41-30.93主要原因系 本期应收票 据中信用等 级较高票据 金额减少
预付款项31,537,238.080.9828,382,813.680.8411.11主要系公司 预付产能锁
      定款金额变 化
存货615,093,706.4919.08534,629,108.5115.8715.05由于市场环 境所致,销售 量增长不如 预期
固定资产31,149,220.520.9732,029,702.540.95-2.75主要系固定 资产折旧额 计提所致
在建工程102,566,583.183.1897,294,662.342.895.42公司位于成 都的建设项 目工程相关 成本费用本 期发生额
使用权资产15,717,981.670.4916,634,425.350.49-5.51主要系本期 折旧金额大 于本期增加 金额
长期待摊 费用47,196,363.301.4641,284,916.741.2314.32主要系为开 发新产品新 增较多光罩 费所致
其他非流 动资产842,875.030.039,607,920.180.29-91.23余额变动主 要为预付产 能锁定款金 额变化
合同负债3,206,710.400.102,670,839.850.0820.06主要系对客 户预收账款 增加所致
应付职工 薪酬7,377,223.250.2335,806,086.001.06-79.40主要系期初 余额包含 2022年未发 放奖金,本期 末不含奖金
应交税费6,872,966.070.218,183,542.490.24-16.01主要系未交 增值税及待 转销项税额 的下降所致
一年内到 期的非流 动负债7,671,520.920.246,791,796.180.2012.95主要系一年 内到期的租 赁负债增加
其他流动 负债416,872.400.01347,209.190.0120.06主要系合同 负债中所包 含的销项税 额的变化所 致
租赁负债9,798,445.030.3011,786,429.940.35-16.87一年内到期 的非流动负 债增加,同时 租赁负债减 少
递延收益559,099.050.02743,488.530.02-24.80与资产相关 的政府补助 转入损益导 致递延收益 减少
(未完)
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