[中报]宏微科技(688711):江苏宏微科技股份有限公司2023年半年度报告

时间:2023年08月17日 18:22:35 中财网

原标题:宏微科技:江苏宏微科技股份有限公司2023年半年度报告

公司代码:688711 公司简称:宏微科技 转债代码:118040 转债简称:宏微转债 江苏宏微科技股份有限公司 2023年半年度报告 重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示
本公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之五“风险因素”部分。


三、公司全体董事出席董事会会议。


四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人赵善麒 、主管会计工作负责人薛红霞 及会计机构负责人(会计主管人员)薛红霞声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 27
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 29
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 31
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 57
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 63
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 63
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 64



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人 员)签名并盖章的财务报表。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
发行人、公司、本公司、宏微 科技江苏宏微科技股份有限公司, 系由原江苏宏微科技有限公司 于2012年8月18日整体变更 设立
宏电节能江苏宏电节能服务有限公司, 公司全资子公司
英飞凌英飞凌科技公司(Infineon Technology AG)
富士电机/富士富士电机株式会社(Fuji Electric)
三菱电机/三菱三菱电机株式会社 (Mitsubishi Electric Corporation)
安森美安森美半导体公司(ON Semiconductor)
芯动能常州芯动能半导体有限公司
芯片从晶圆上切割下来的内含基本 功能元胞的晶粒
功率半导体器件用于电器设备中实现电能变换 和控制的半导体器件(通常指 电流为数安至数千安,电压为 数百伏至数千伏的半导体器 件)。
分立器件半导体分立器件,与集成电路 相对而言的,采用特殊的半导 体制备工艺,实现特定单一功 能的半导体器件。分立器件主 要包括功率二极管、功率三极 管、晶闸管、MOSFET、IGBT等
第三代半导体第三代半导体材料,主要包括 SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓) 等。
光伏逆变器可将光伏(PV)太阳能板产生 的可变直流电压转换为市电频 率交流电(AC)的逆变器
IGBTInsulated GateBipolar Transistor的缩写,绝缘栅双 极型晶体管,是一种电压控制 开关型功率半导体器件,也是 电能转换的核心器件。
FREDFast-Recovery Epitaxial Diode的缩写,快恢复外延二极 管,是二极管的一种,也是一 种功率半导体器件,既可以独 立使用,也可以与IGBT配做续 流二极管使用。
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,金 属氧化物场效应晶体管,是一 种高频的电压控制开关型功率 半导体器件。
SiC碳化硅(SiC)是第三代宽禁带 半导体材料的代表之一,具有 禁带宽度大、热导率高、电子 饱和迁移速率高和击穿电场高 等特性,是生产第三代功率半 导体器件的主要材料。
芯片代工芯片设计企业将设计方案完成 后,由芯片代工企业通过采购 硅片材料、光刻、刻烛、离子 注入、扩散等环节制造出芯片。
封装将晶圆分割成单个的芯片后, 将芯片安放、焊接引线和连接 到一个封装体上。
测试封装后对半导体器件功能、电 参数等进行测量,以检测产品 的质量。
证监会中国证券监督管理委员会
《公司法》《中华人民共和国公司法》
报告期2023年1月1日至2023年6 月30日
报告期末2023年6月30日
元、万元人民币元、万元


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称江苏宏微科技股份有限公司
公司的中文简称宏微科技
公司的外文名称Macmic Science&Technology Co.,Ltd
公司的外文名称缩写MACMIC
公司的法定代表人赵善麒
公司注册地址常州市新北区华山路18号
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址常州市新北区华山路18号
公司办公地址的邮政编码213002
公司网址www.macmicst.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名丁子文戴超原
联系地址江苏省常州市新北区华山中路18号江苏省常州市新北区华山中路18号
电话0519-851660880519-85166088
传真0519-851622970519-85162297
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点董事会办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
人民币普通股(A股)上海证券交易所科创板宏微科技688711不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比 上年同期增 减(%)
营业收入764,417,819.31332,789,969.12129.70
归属于上市公司股东的净利润62,518,536.5632,242,711.1393.90
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润58,388,048.4326,399,195.90121.17
经营活动产生的现金流量净额-116,033,559.30-38,465,632.43不适用
 本报告期末上年度末本报告期末 比上年度末 增减(%)
归属于上市公司股东的净资产1,034,988,832.53965,686,490.887.18
总资产1,999,529,736.571,688,986,350.1718.39


(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同期 增减(%)
基本每股收益(元/股)0.410.2193.87
稀释每股收益(元/股)0.410.2192.67
扣除非经常性损益后的基本每股收益 (元/股)0.380.17121.23
加权平均净资产收益率(%)6.283.61增加2.67个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资 产收益率(%)5.882.96增加2.92个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)6.606.98减少0.38个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现营业收入764,417,819.31元,同比增加129.70%;实现归属于上市公司股东的净利润62,518,536.56元,同比增加93.90%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润58,388,048.43元,同比增加121.17%,基本每股收益0.41元/股,同比增加93.87%,扣除非经常性损益后的基本每股收益0.38元/股,同比增加121.23%,稀释每股收益0.41元/股,同比增加92.67%,主要系报告期内公司接受的订单饱满,整体产能提升,营业总收入和利润同比均有所增长。

经营活动产生的现金流量净额-116,033,559.30元,主要系公司下游需求旺盛,为了满足生产和经营的需要,公司购买原材料支付的现金增加以及公司日常经营活动开支增加所导致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益307,682.25 
越权审批,或无正式批准文件,或 偶发性的税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与公 司正常经营业务密切相关,符合国 家政策规定、按照一定标准定额或 定量持续享受的政府补助除外2,817,103.59 
计入当期损益的对非金融企业收取 的资金占用费  
企业取得子公司、联营企业及合营 企业的投资成本小于取得投资时应 享有被投资单位可辨认净资产公允 价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害 而计提的各项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支出、 整合费用等  
交易价格显失公允的交易产生的超 过公允价值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公司 期初至合并日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有事 项产生的损益  
除同公司正常经营业务相关的有效 套期保值业务外,持有交易性金融 资产、衍生金融资产、交易性金融 负债、衍生金融负债产生的公允价 值变动损益,以及处置交易性金融 资产、衍生金融资产、交易性金融 负债、衍生金融负债和其他债权投 资取得的投资收益1,916,317.07 
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的 投资性房地产公允价值变动产生的 损益  
根据税收、会计等法律、法规的要 求对当期损益进行一次性调整对当 期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入 和支出-181,779.96 
其他符合非经常性损益定义的损益 项目  
减:所得税影响额728,834.82 
少数股东权益影响额(税后)  
合计4,130,488.13 

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT和FRED芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下,积极推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义,而研发和生产自主可控的IGBT、FRED芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。

目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品270余种,公司产品应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS电源等),新能源发电(光伏逆变器等)、电动汽车(电控系统等)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。


(二)主要经营模式
1.研发模式
公司建立了以客户需求为导向的研发体系,制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件,研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段,各个研发项目均由产品质量先期策划(APQP)小组承接项目,每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。

2.采购模式
公司的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、外壳等,其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工,以及向英飞凌等生产厂商直接采购两种方式;其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的采购模式,对于生产中常用的直接物料,由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求,由采购部根据供应商的交货周期进行下单;对于偶然所需的临时物料,由需求部门填写《请购单》提出请购需求,通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批,通过后由采购部负责统一采购。

3.生产模式
公司具备完善的生产运营体系,主要采取“以销定产”的生产模式,由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划,公司产品的生产具体可分为两种模式:自产模式和委托加工模式。

(1)自产模式
公司模块采用自产模式,通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试,最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品,公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格,设计生产出通用的不同系列的产品,并向客户销售;定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作,设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前,公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试,公司按照研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等为基础向客户收取技术服务费;量产后,公司按照客户的设计方案、技术指标要求,组织生产并批量提供产品。

(2)委托加工模式
公司采取Fabless模式,对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计,将设计好的芯片委托给芯片代工企业制造,公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求,实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多,公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备单管先进封装工艺的公司进行代工。

4.营销模式
公司销售采取了直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下,公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动;在经销模式下,公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作,利用经销商的渠道和经验拓展客户资源,扩大市场占有率。


(三)所处行业情况
1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)发展阶段
功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分,更是发电、输电、变配电、用电、储电等领域的基础核心部件。

功率半导体的下游应用领域十分广泛,且需求持续稳定增长。除了消费电子、通信、计算机、工业控制、汽车电子等传统领域,近年来,功率半导体器件在电动汽车/充电桩、新能源发电、智能电网、轨道交通、变频家电等诸多新兴应用领域中得到广泛的应用,随着“碳中和”战略的推进,功率半导体器件将迎来一个高速发展时期。

(2)基本特点
半导体行业属于技术、资本和人才密集型行业,无论是技术研发还是产线建设都需要大量的资金投入。公司目前正面临电动汽车、新能源发电等下游新兴产业带来的市场机遇。公司在未来发展和争取市场机遇过程中需投入大量的资金来进行产品及工艺的研发、产能的提升和研发人才的引进。

(3)主要技术门槛
自上世纪80年代IGBT产品开启工业化应用以来,一直为国外知名公司所垄断,国外知名公司的产品系列化很全,应用面很广,其中英飞凌已实现各种电压范围IGBT覆盖,三菱、富士电机、安森美也涵盖了多个电压区间。近年来,IGBT技术经历了丰富的演变,涌现出不同的IGBT技术方案,这些方案主要由英飞凌、三菱电机和富士电机等海外厂商主导推动。海外厂商IGBT的结构设计仍在不断突破和创新,先后推出了沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区结构等新技术,推动了IGBT应用和市场发展。同时IGBT的制造工艺也在持续创新,深沟槽、精准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等多种工艺的引入形成了较高的技术壁垒,制造技术也成为实现IGBT自主创新的关键。近几年来,国内IGBT无论是在芯片设计方面还是在芯片制造和封装方面虽有突破但与国外相比仍有不少差距。

以SiC为代表的第三代半导体2021年首次导入商业化,2018年在产业链下游应用爆发的推动下,正式进入高速发展期,SiC功率器件(SBD、MOSFET)目前广泛用于新能源汽车、光伏、轨道交通等领域,以意法半导体,英飞凌科技为首的国际领先企业已实现SiC器件的量产并占据全球绝大部分市场份额。平面栅、沟槽栅、深沟槽、超薄片等新技术的引入使得SiC功率器件在成本和性能上更具优势,但上述技术的栅氧质量、双极退化、阈值电压漂移、动态可靠性等诸多问题在设计和制造端都形成了很高的技术壁垒。近年来,国内SiC行业在衬底制备、芯片设计、晶圆制造和封测方面都有突破,但与国外相比,技术水平和市场份额都有较大的差距。


2.公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发与生产。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019中国电动汽车用IGBT最具发展潜力企业称号”和“中国电气节能30年杰出贡献企业”等荣誉称号。“2-200A/200-1200V”超快速软恢复外延二极管(FRED)芯片性能指标达到国际同类产品的先进水平。公司“超快软恢复外延型二极管(FRED)系列产品”、“一种新型的NPTIGBT结构”于2015年荣获中国半导体行业协会等授予的“中国半导体创新产品和技术奖”。2015年,公司“高压大电流高性能IGBT芯片及模块的产业化”项目获得江苏省人民政府“江苏省科学技术奖三等奖”,“一种新型NPTIGBT芯片和模块的开发及产业化”项目获得中国电源学会科学技术奖一等奖。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线,能够满足不同终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需求,具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021年,公司荣获“江苏省小巨人企业”的奖励。2022年,公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”的奖励。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与
持了良好的商业合作关系,同时依托龙头客户产生的 发进展 进性以及报告期内的变化情况 的研发体系和研发管理制度,加强对研发组织管理和 装测试等工艺技术积累,在核心技术方面不断突破, 块封装领域的核心能力,并形成了公司的主要核心技
技术描述及特点
该技术覆盖诸多电压和电流规格,通过优化沟槽深度 角度以及整体形貌,结合牺牲氧和栅氧工艺,保证良 好的多晶填充的同时,实现可靠的沟槽结构,同时借 助不同沟槽栅结构的设计,满足不同特性要求;另外 在场阻断技术上,通过优化芯片厚度,场阻断层深度 和浓度以及激光退火的能量等工艺参数,在保证良好 的开关速度和软度的同时实现器件的低通态压降。
通过改变沟槽内多晶的电位连接方式或者调整发射极 的注入区域,实现虚拟原胞可有效调整沟道电流密度 及沟道电流分布,来改善了器件的输出特性、提高短 路能力以及抗闩锁能力。
该技术通过将传统的IGBT元胞与FRD元胞集成于同一 芯片,在反向时由FRD实现IGBT的续流,提供了一个 紧凑的电流泄放电路;该技术能够大幅降低热阻,降 低器件内部的最高结温波动,从而提高器件的电流密 度及工作寿命。
微沟槽IGBT相对普通型沟槽IGBT将芯片关键尺寸大 幅缩小,结构设计上创新性的引入虚拟沟槽和虚拟栅 极,增强注入效率降低压降的同时有效调节IGBT的各 类电容比例,实现IGBT的良好可控性和更宽的安全工 作区,同时使得芯片的单位面积电流密度大幅提高。
该技术采用独特的正面和背面掺杂浓度分布来精准控 制注入效率,加上特殊的基区少子寿命控制技术,使 二极管芯片可以实现较低的正向压降,较软的反向恢 复特性,完美契合IGBT续流的应用。
该技术采用多层外延设计、高电压终端设计及工艺控 制、高雪崩耐量设计和局部少子寿命控制技术,产品 具有超短的反向恢复时间、较低的正向压降和高雪崩 耐量。
是最为适合于宽禁半导体模块封装的界面连接技术之 一,也是 SiC模块封装中的关键技术,因烧结连接层 成分为银,具有优异的导电和导热性能;由于银的熔 点高达961℃,将不会在熔点小于300℃的软钎焊连接 层中出现典型疲劳效应,具有很高的可靠性。所用烧 结材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度,且烧结 料不含铅,属于环境友好型材料。
 
主要降低当IGBT关断时,回路产生的瞬间加载于IGBT 的集电极(C)和发射极(E)之间的尖峰电压,采用 该技术的模块产品可以实现在相同的基板面积和线路 拓扑下,寄生电感减少30%-50%,由于内部寄生电感降 低了一半,因此而产生的尖峰电压也随之降低一半, 从而降低器件过压失效的风险。
采用铜端子与铜基板的直接绑定,可以避开因材料膨 胀系数错配而造成的应力变化,在超声焊接过程会对 焊接面积进行震动,有效去氧化及脏污。同时,超声 波焊接要求焊接端子截面积大,有利于模块过流。
基于IGBT的薄片场阻断技术平台,通过调节衬底电阻 率和芯片厚度来实现不同的耐压,同时通过调整源极 的注入图案来有效调整沟道电流密度及电流分布,实 现较低Rdson并确保较高的抗闩锁能力
上述技术来源均为公司自主研发,并独立享有相关知识产权成果。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
公司国家级专精特新“小巨人”企业2022/

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,公司根据研发项目计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作,根据项目要求配置先进设备,按项目特点和需求合理配置研发团队,加强对外合作,充分利用公司研发资源,提升公司的自主创新能力和研发水平,巩固和保持公司产品和技术的领先地位,取得了一定成效。

报告期内,公司主要取得的研发成果如下:
(1)光伏用400A/650V三电平定制模块开发顺利,已开始批量交付,目前产能稳定,终端表现良好;
(2)车用800A/750V双面散热模块开发顺利,通过相关车用可靠性测试及系统测试,已开始小批量交付使用;
(3)车用750V 12寸芯片的顺利开发以及其对应的车用模块快速上量; (4)12寸1700V高性能续流管及1700V IGBT芯片已完成开发和验证。


报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利408237
实用新型专利4010697
外观设计专利0066
软件著作权0000
其他0000
合计80194140

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入50,484,395.4923,238,916.20117.24
资本化研发投入   
研发投入合计50,484,395.4923,238,916.20117.24
研发投入总额占营业收入比 例(%)6.606.98减少0.38个百分点
研发投入资本化的比重(%)///

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
研发投入合计较上年同期增加117.24%,主要系公司持续重视研发工作,项目有序推进,并且较上年同期新增了1个在研项目,新增项目为:光伏用FRED芯片及分立器件的研发及产业化。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序号项目名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平具体应用 前景
1定制化光伏 逆变器用 IGBT模块的 研发及产业 化5,000.00839.912,658.115款产品已量产、6款产品工艺调 试中、2款产品客户整机验证中, 3款产品已大批量供货完成 650V-1700V多个电流规格模 块产品的开发,满足光伏客户使用 要求,并最终批量化生产国内 先进光伏
2工控智能功 率模块5,000.001,635.133,913.283款产品工艺调试中,2款产品客 户整机验证中、7款产品已大批量 供货完成 650V-1700V多个电流规格模 块产品的开发,满足工控客户使用 要求,并最终批量化生产国内 先进工业控制
3精细结构 IGBT芯片的 开发及产业 化5,000.001,234.763,513.121款芯片在设计开发中,1款已封 装在客户整机端验证,1款产品已 小批量供货,2款产品已大批量供 货(1)本项目针对电动汽车用 GV IGBT模块中 IGBT芯片进行技术攻 关,研发高功率、低损耗、高可靠 性的芯片产品,并推进产业化 (2)本项目针对高频电源用高效率 IGBT单管的 IGBT芯片需求进行技 术攻关,研发高功率、低损耗的芯 片产品,并推进产业化 (3)针对下一代高功率IGBT模块 的IGBT芯片需求进行技术攻关,研 发高功率、低损耗的芯片产品,并 推进产业化国内 先进工业控制、 电动汽车
4软恢复续流 二极管芯片 的开发及产 业化1,100.0038.551,076.30项目已完成,产品已大批量供货(1)本项目针对中大功率IGBT模 块中续流管的应用需求,进行技术 攻关,研发高耐压、低压降、软快 恢复的FRD芯片产品,并推进产业 化,可靠性满足AQG324标准国内 先进工业控制、 光伏、电动 汽车
      (2)本项目针对1200V高功率IGBT 模块中续流管的应用需求,进行技 术攻关,研发高功率、低压降、软 快恢复的芯片产品,并推进产业化  
5电动汽车电 机控制用国 产IGBT模块 研发项目3,000.00219.072,425.742款产品已在客户端整机验证中, 1款产品已小批量供货,5款产品 已大批量供货(1)电压750V、电流820A,采用 PINFIN铜底板材料,并使用铜超声 键合工艺,低杂感设计,高功率密 度,可靠性满足AQG324标准 (2)设计电压650V、电流400A, 采用低杂感设计,高功率密度的模 块 (3)设计电压650V、电流600A, 完成产品设计,满足客户使用要求, 并最终批量化生产 (4)新一代IGBT车用模块,具备 高可靠性、高功率密度、散热效率 高,满足客户使用要求,并最终批 量化生产国内 先进电动汽车
6光伏用FRED 芯片及分立 器件的研发 及产业化1,000.00400.20400.20IGBT、FRED芯片设计开发及工艺 验证中(1)性能上:匹配光伏应用场景、 芯片级功率密度更高 (2)可靠性上:进一步提高产品可 靠性能力,尤其是HV-H3TRB能力 (3)应用上:配合客户端轻量化要 求、集成度要求国内 先进光伏
7新能源汽车 碳化硅模块4,500.00680.822,103.801款产品已在整机客户端认证中, 1款产品在设计开发阶段(1)设计电压 1200V、电流 300A-600A (2)提升性能、降低成本,进一步 增强公司优势产品的竞争力 (3)研究、开发一种 SIC MOSFET 模块及相关制程工艺,满足客户提 出的性能参数要求,并达到批量交国内 先进电动汽车
      付的成熟度  
合计/24,600.005,048.4416,090.55////


5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)143124
研发人员数量占公司总人数的比例(%)17.1521.27
研发人员薪酬合计1,475.57795.74
研发人员平均薪酬10.326.42


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士10.70
硕士2215.38
本科及以下12083.92
合计143100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
20-306948.25
31-405739.86
40以上1711.89
合计143100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、技术优势
IGBT作为一种功率半导体器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,属于国家战略高新技术及核心关键技术。公司专注于功率半导体器件的研发和技术创新,始终坚持“关注需求、赋予价值、成就品牌”的研发理念,以技术自主创新为根基,以研发持续投入为保障,建立了完善的研发体系和强大的研发团队。公司已具备并掌握先进的IGBT、FRED芯片设计能力、工艺设计能力、模块的封装设计与制造能力、特性分析与可靠性研究能力、器件的应用研究与失效分析能力。公司自主研发设计的芯片是公司模块产品具有高性价比的主要竞争力之一。经过多年的技术沉淀和积累,公司已在IGBT、FRED等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面积累了众多优秀核心技术。其中芯片领域的核心技术主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟原胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术;软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRED芯片设计及制造技术;高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。

2、产品优势
公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产和销售,公司产品集中应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS、开关电源等),部分产品应用于新能源发电(光伏逆变器等)、电动汽车(电控系统等)等多元化领域。目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品270余种,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。

3、客户优势
公司凭借先进的产品技术、可靠的产品质量和优质的服务与行业龙头企业及众多知名客户保持了良好的商业合作关系,同时依托龙头企业产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
报告期内,公司专注于功率半导体器件的研发和技术创新,已经建立完善的研发体系和研发团队,目前公司已具备先进的IGBT、FRED芯片设计、工艺集成、模块的封装设计及工艺实现、器件的产品特性分析及可靠性研究等能力,自主研发已成为公司核心竞争力之一。产品方面公司已在IGBT、FRED等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面积累核心技术,随着公司技术与产品在工控领域的不断渗入及新能源领域的不断拓展,有望带动公司业绩持续增长。受益于双碳战略对于新能源汽车、光伏等下游产业成长所带来的巨大推动及半导体器件国产化的驱动,公司业务将进一步快速增长。公司将全面优化管理流程,大力提高运营效率,降低成本提升效益,实现高质量高速发展。

(一)经营情况
在部分原材料供应紧张、价格上涨的情况下,公司通过技术创新、工艺改进和精细化管理,提高了生产效率和产品的良品率。通过加强上下游协同,深化产业链战略合作,核心竞争力持续提升。报告期内,公司实现营业收入76,441.78万元,归属于上市公司股东净利润6,251.85万元,同比分别增长129.70%和93.90%。

(二)募投项目情况
报告期内,公司抓住市场需求旺盛和国产化替代的机遇,积极推进募投项目建设。加快引进先进的生产工艺设备,扩大产能,缓解了产能缺口。截至报告期末,“新型电力半导体器件产业基地项目”及“研发中心建设项目”共计已投入31,938.14万元。

(三)研发工作情况
报告期内,公司为加快产品开发速度、提高产品开发成功率、加强产品开发阶段质量管控,在产品研发阶段导入了项目管理。并在公司内部多场合、多频次宣贯“目标管理、进度管理、预算管理”的意识,强调“通过团队协作,加速新品和新技术开发、产品迭代”的理念,通过“产品需求管理、产品概念策划、项目目标和计划评审、项目立项评审、项目阶段评审、项目验收考核”等一系列措施的环环相扣,使得研发项目按时完成率和目标达成率较往年有较大的提升。聚焦公司主营业务方向、服务于中长期业务发展需求,公司在重点应用领域(如电动汽车、光伏)、重点客户、新市场积极布局新产品开发,通过市场调研、应用分析、联合下游客户合作,持续筛选出经济效益较好、市场竞争力较强、技术含量高,创新性高,填补市场空白的产品开发需求。

公司以汽车产品质量管理IATF16949体系中五大工具(APQP、FMEA、PPAP、MSA、SPC)为切入点,梳理了APQP五个阶段的输入与输出文件,使得项目开发过程中紧密围绕产品质量管理的主线,重点强化了DFMEA、PFMEA、CP、SOP的信息对齐与贯通,提高了产品开发阶段全过程质量意识及重要性。

基于项目管理的产品开发模式,公司通过明确项目目标、进度管理、预算管理,明确了项目开发各个阶段的工作内容及输出物,设立了项目里程碑,在各个关键阶段组织评审,评审阶段目标及工作完成情况、问题点关闭情况是否达到预期要求,能否满足进入下个阶段工作的条件。实施项目管理以来,设计开发阶段的变更得到了有效的控制、产品质量先期策划(APQP)的深入度得到了加强、开发阶段的风险项和问题点识别愈发细致。项目团队人员专业化程度、职业化素养、人员的积极性得到较大的提升,“目标结果为导向、成本和经营意识、项目时间的紧迫性”逐步地深入到各个部门中,团队协作的意识得到加强。

报告期内,公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作,根据项目要求配置先进设备,按项目特点和需求合理配置研发团队,加强对外合作,充分利用公司研发资源,提升公司的自主创新能力和研发水平,巩固和保持公司产品和技术的领先地位,取得了一定成效。

报告期内,公司主要取得的研发成果如下:
1、光伏用400A/650V三电平定制模块开发顺利,已开始批量交付,目前产能稳定,终端表现良好;
2、车用800A/750V双面散热模块开发顺利,通过相关车用可靠性测试及系统测试,已开始小批量交付使用;
3、车用750V 12寸芯片的顺利开发以及其对应的车用模块快速上量; 4、12寸1700V高性能续流管及1700V IGBT芯片已完成开发和验证。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)核心竞争力风险
1、技术升级及产品迭代风险
功率半导体器件行业技术不断升级,持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的关键。

公司现有的技术存在被新的技术替代的可能。如国内外竞争对手推出更先进、更具竞争力的技术和产品,而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的研究方向,或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平,新产品研发失败,将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。

(二)经营风险
1、重要供应商依赖的风险
产品中的核心原材料中自研芯片采用Fabless模式委托芯片代工企业生产,外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片代工供应商产能严重紧张或者难以通过供应商采购芯片,则可能导致公司产品无法及时、足量供应,进而对公司的经营业绩产生不利影响。

2、固定资产折旧及减值的风险
随着公司改扩建项目的投产使用,将新增较大量的固定资产,使得年新增折旧及摊销费用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平,则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。

固定资产存在由于损坏、技术升级和运营效率降低等原因存在资产减值的风险。未来,若下游市场重大变化、制造的工艺发生重大变革,或出现其他更为领先的工艺,亦会导致公司固定资产出现减值的风险。

(三)行业风险
1、市场竞争风险
国际市场上,经过60余年的发展,以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时,国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术,其研发投入强度也高于国内企业,在全球竞争中保持优势地位,几乎垄断工业控制、新能源、电动汽车等利润率较高的应用领域。

国内市场较为分散,市场化程度较高,各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场,并保持着较快的发展速度,这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧,公司如果研发效果不达预期,不能满足新兴市场及领域的要求,公司市场份额存在下降的风险。

(四)宏观环境风险
公司产品主要应用于工业控制、新能源、电动汽车等行业,如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响,半导体行业也将随之受到影响,从而对公司的销售和利润带来负面影响。


六、 报告期内主要经营情况
2023年上半年公司实现营业收入76,441.78万元,同比增加129.70%;实现归属于母公司所有者的净利润6,251.85万元,同比增长93.90%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润5,838.80万元,同比增长121.17%。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入764,417,819.31332,789,969.12129.70
营业成本601,778,265.15260,518,230.58130.99
销售费用9,825,168.587,495,331.5931.08
管理费用23,544,273.9310,690,297.15120.24
财务费用8,660,850.982,477,494.41249.58
研发费用50,484,395.4923,238,916.20117.24
经营活动产生的现金流量净额-116,033,559.30-38,465,632.43不适用
投资活动产生的现金流量净额-26,369,496.86-222,228,586.59不适用
筹资活动产生的现金流量净额148,088,072.0951,734,996.75186.24
营业收入变动原因说明:主要系报告期内公司接受的订单饱满,整体产能提升 营业成本变动原因说明:主要系报告期内公司订单量增加,收入增加的同时,成本亦相应增加。

销售费用变动原因说明:主要系公司规模扩大,销售人员数量增加,薪酬及股权激励增加。

管理费用变动原因说明:主要系公司规模扩大,管理人员数量增加,薪酬上升及股权激励费用增加所致。

财务费用变动原因说明:主要系公司经营规模扩大,贷款金额增加致使利息支出增加及汇兑损益增加。

研发费用变动原因说明:主要系研发人员薪酬增加,研发项目直接投入增加所致。

经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系随着公司业务规模的快速增长,存货采购规模及应收账款金额相应增长。

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系本期理财产品到期套现,处置部分非流动资产产生收益。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系公司为满足生产和经营需要,取得银行借款所致。


2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明
□适用 √不适用

(三) 资产、负债情况分析
√适用 □不适用
1. 资产及负债状况
单位:元

项目名称本期期末数本期期末 数占总资 产的比例 (%)上年期末数上年期末 数占总资 产的比例 (%)本期期末 金额较上 年期末变 动比例 (%)情况说 明
货币资金196,739,114.309.84190,837,228.0211.303.09 
交易性金融 资产79,133,424.663.96189,172,780.8211.20-58.17注1
应收票据79,581,188.953.9878,334,043.484.641.59 
应收账款452,920,279.3422.65308,550,115.7718.2746.79注2
应收款项融 资25,420,237.681.2725,644,760.031.52-0.88 
预付款项9,517,857.720.4852,232,374.053.09-81.78注3
其他应收款1,131,130.740.06689,393.460.0464.08注4
存货368,897,869.6418.45229,162,241.3913.5760.98注5
其他流动资 产9,539,165.770.488,875,929.850.537.47 
长期股权投 资20,000,000.001.000.000.00不适用注6
固定资产231,873,999.7011.60210,194,534.5712.4510.31 
在建工程272,688,107.7613.64144,636,818.088.5688.53注7
使用权资产128,112,115.186.41124,849,648.767.392.61 
无形资产12,915,001.880.6511,622,493.350.6911.12 
长期待摊费 用397,943.370.0293,067.050.01327.59注8
其他非流动 资产102,920,852.705.15107,281,658.986.35-4.06 
递延所得税 资产7,741,447.180.396,809,262.510.4013.69 
短期借款306,425,334.1915.32246,212,621.9214.5824.46 
应付票据53,062,403.792.654,156,245.460.251176.69注9
应付账款341,481,397.6317.08289,424,618.7617.1417.99 
合同负债4,329,049.060.223,910,669.070.2310.70 
应付职工薪 酬13,835,056.420.6919,396,465.931.15-28.67 
应交税费1,070,225.700.05247,898.890.01331.72注10
其他应付款374,763.440.02503,685.750.03-25.60 
衍生金融负 债48,989.000.000.000.00不适用注11
一年内到期 的非流动负 债56,057,056.722.805,709,149.880.34881.88注12
其他流动负 债562,776.380.03494,483.210.0313.81 
长期借款57,878,048.382.8940,000,000.002.3744.70注13
租赁负债98,729,823.284.9495,533,004.935.663.35 
其他非流动 负债15,062,500.000.750.000.00不适用注14
递延收益15,716,189.080.7917,711,015.491.05-11.26 

其他说明
注1:报告期末,交易性金融资产余额7,913.34万元,同比减少58.17%,主要系公司赎回部分理财导致交易性金融资产减少所致。

注2:报告期末,应收账款余额45,292.03万元,同比增加了46.79%,主要系公司销售规模扩大,销售收入增加。

注3:报告期末,预付款项951.79万元,同比减少了81.78%,主要系公司变更了主要供应商的付款方式,由预付改为月结。

注4:报告期末,其他应收款113.11万元。同比增加了64.08%,主要系公司二期项目工程高压电路及公司销售设备剩余质保金所致。

注5:报告期末,存货36,889.79万元,同比增加60.98%,主要系公司订单增加,相应芯片等原材料备货增加所致。

注6:报告期末,长期股权投资2,000.00万元,主要系公司新增了对常州能量方舟新材料有限公司投资2,000.00万元。

注7:报告期末,在建工程27,268.81万元,同比增加88.53%,主要系公司存在尚未达到可转固状态的基建、设备所致。

注8:报告期末,长期待摊费用39.79万元,同比增加327.59%,主要系公司厂房、实验室改造工程增加所致。

注9:报告期末,应付票据5,306.24万元,同比增加1176.69%,主要系公司选择采取银行开具承兑方式付款所致
注10:报告期末,应交税费107.02万元,同比增加331.72%,主要系公司上半年销售收入增加,计提所得税增加所致。

注11:报告期末,衍生金融负债4.90万元,主要系公司新增了远期锁汇业务。

注12:报告期末,一年内到期的非流动负债5,605.71万元,同比增加881.88%,主要系一年内到期的长期借款增加所致。

注13:报告期末,长期借款5,787.80万元,同比增加44.70%,主要系公司新增借款所致。

注 14:报告期末,其他非流动负债 1,506.25万元,主要系公司收到常州新北区一期科创投资中心(有限合伙)款项1,500万元,同时确认财务费用6.25万元。


2. 境外资产情况
□适用 √不适用

3. 截至报告期末主要资产受限情况
√适用 □不适用
单位:元

项目期末账面价值受限原因
货币资金5,445,708.81银行承兑汇票保证金及国内信 用证保证金
无形资产6,629,370.12为筹借长期借款进行抵押
应收款项融资17,140,506.29为开具银行承兑汇票设定质押
应收票据73,295,277.68已背书且在资产负债表日尚未 到期的应收票据
(未完)
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