[中报]南芯科技(688484):南芯科技2023年半年度报告

时间：2023年08月17日 20:40:51 中财网

原标题:南芯科技:南芯科技2023年半年度报告

公司代码：688484 公司简称：南芯科技






上海南芯半导体科技股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”中相关内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人阮晨杰、主管会计工作负责人赵熹及会计机构负责人（会计主管人员）赵熹声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来发展计划、发展战略、经营计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................................................................... 10
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 14
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 37
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 40
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 42
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 67
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 74
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 74
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 75

备查文件目录	载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖 章的财务报表
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、南芯科技	指	上海南芯半导体科技股份有限公司
辰木信息	指	上海辰木信息技术合伙企业（有限合伙）
源木信息	指	上海源木信息技术合伙企业（有限合伙）
闰木信息	指	上海闰木信息技术合伙企业（有限合伙）
上海集电	指	上海集成电路产业投资基金股份有限公司
红杉瀚辰	指	深圳市红杉瀚辰股权投资合伙企业（有限合伙）
杭州顺赢	指	杭州顺赢股权投资合伙企业（有限合伙）
浦软晨汇	指	上海浦软晨汇创业投资中心（有限合伙）
安克创新	指	安克创新科技股份有限公司
OPPO通信	指	OPPO广东移动通信有限公司
维沃通信	指	维沃移动通信有限公司
英特尔	指	英特尔亚太研发有限公司
聚源聚芯	指	上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合 伙）
小米基金	指	湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙）
顺为科技	指	苏州工业园区顺为科技股权投资合伙企业（有限合伙）
紫米电子	指	江苏紫米电子技术有限公司
摩勤智能	指	上海摩勤智能技术有限公司
光速优择	指	天津光速优择壹期创业投资合伙企业（有限合伙）
国科鼎奕	指	西藏国科鼎奕投资中心（有限合伙）
聚源铸芯	指	苏州聚源铸芯创业投资合伙企业（有限合伙）
沃赋一号	指	天津沃赋一号科技合伙企业（有限合伙）
精确联芯	指	深圳精确联芯投资合伙企业（有限合伙）
武汉顺赢	指	武汉顺赢股权投资合伙企业（有限合伙）
嘉兴临宸	指	嘉兴临宸创业投资合伙企业（有限合伙）
穹瑞企管	指	上海穹瑞企业管理合伙企业（有限合伙）
中电艾伽	指	嘉兴中电艾伽投资合伙企业（有限合伙）
瀚扬咨询	指	安吉瀚扬财务咨询服务有限公司，曾用名扬州瀚通投资 管理有限公司
元禾璞华	指	江苏疌泉元禾璞华股权投资合伙企业（有限合伙）
张江燧锋	指	上海张江燧锋创新股权投资基金合伙企业（有限合伙）
全德学	指	全德学镂科芯创业投资基金（青岛）合伙企业（有限合 伙）
龙旗科技	指	上海龙旗科技股份有限公司
马墨企管	指	上海马墨企业管理中心（有限合伙）
冯源绘芯	指	平潭冯源绘芯股权投资合伙企业（有限合伙）
国科鼎智	指	北京国科鼎智股权投资中心（有限合伙）
稔熙企管	指	上海稔熙企业管理合伙企业（有限合伙）
芯明创投	指	嘉兴芯明创业投资合伙企业（有限合伙）
皓斐信息	指	上海皓斐信息技术合伙企业（有限合伙）
武汉顺宏	指	武汉顺宏股权投资合伙企业（有限合伙）
酷科电子	指	南京酷科电子科技有限公司
北京南芯	指	南芯科技（北京）有限公司
新加坡南芯	指	Southchip Semiconductor Technology Pte. Ltd.
新加坡贸易	指	Southchip Semiconductor Trading Pte. Ltd.
韩国南芯	指	Southchip Semiconductor korea Ltd.
华宝	指	深圳市华宝新能源股份有限公司
正浩	指	深圳市正浩创新科技股份有限公司
德赛西威	指	惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司
安波福	指	安波福中央电气（上海）有限公司
TTI	指	Techtronic Industries Co. Ltd，成立于 1985年，TTI设计、 生产及销售电动工具、配件、手动工具、户外园艺电动 工具及地板护理产品
中芯国际	指	中芯国际集成电路制造有限公司及其下属子公司，上海 证券交易所科创板上市公司，证券代码 688981.SH
华虹集团	指	上海华虹宏力半导体制造有限公司和华虹半导体（无 锡）有限公司
长电集团	指	江苏长电科技股份有限公司及其下属子公司，上海证券 交易所主板上市公司，证券代码 600584.SH
华天集团	指	天水华天科技股份有限公司及其下属子公司，深圳证券 交易所主板上市公司，证券代码 002185.SZ
嘉盛半导体	指	嘉盛半导体（苏州）有限公司
Frost & Sullivan	指	弗若斯特沙利文咨询公司，是一家全球化的企业增长咨 询公司，研究板块覆盖了信息和通讯技术、汽车与交通、 航空航天等各个细分板块
TI	指	Texas Instruments，德州仪器，全球领先的半导体公司之 一
报告期	指	2023年 1月 1日至 2023年 6月 30日
报告期末	指	2023年 6月 30日
元、万元、亿元	指	人民币元、人民币万元、人民币亿元；本报告中未标明 为其他币种的，均为人民币
境内	指	中国大陆地区，不包括中国香港、中国澳门、中国台湾 地区
工信部	指	中华人民共和国工业和信息化部
DC-DC	指	Direct Current - Direct Current，是将直流电转换为直流电 的一种技术和方法，可实现升压或降压功能
AC-DC	指	Alternating Current - Direct Current，是将交流电转换成直 流电的一种技术和方法
PD	指	Power Delivery，功率传输，USB-PD是一种充电协议
Buck	指	开关电源三大基础拓扑之一，Buck电路是降压电路，其 输出平均电压小于输入电压
Boost	指	开关电源三大基础拓扑之一，Boost电路是升压电路，其 输出平均电压大于输入电压
Buck-Boost	指	开关电源三大基础拓扑之一，其输出平均电压大于或小 于输入电压
GaN	指	氮化镓，是一种直接能隙的半导体，其较高功率密度意 味着在更小的尺寸、更少的元件、更小的系统和更轻的 重量的条件下，可实现更高的功率，有助于提供更可靠 和更高效的系统
NVDC	指	Narrow Voltage Direct Current，限定的直流电压，用于充 电器上来限定充电电压值，以保护电池内部的化学物质
MOSFET	指	Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属- 氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管， 是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶 体管
Tx	指	Transmit，发射
Rx	指	Receive，接收
MCU	指	Micro Controller Unit 的简称，即微控制单元，是把 CPU 的频率与规格作适当缩减，并将内存、计数器、USB等 周边接口甚至驱动电路整合在单一芯片中，形成芯片级 的计算机
I2C	指	一种简单、双向二线制同步串行总线，只需要两根线即 可在连接于总线上的器件之间传送信息
AMOLED	指	Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机 发光二极体，一种显示屏技术
Type-C	指	一种 USB接口形式，特点在于更加纤薄的设计、更快的 传输速度以及更强的电力传输。除此之外，Type-C支持 双面都可插入接口的设计
DPDM	指	DP即 USB Data Positive，USB数据正信号；DM即 Data
		Minus，USB数据负信号。USB的 DPDM信号被用来作 为充电双方的握手信号
PHY	指	Physical，端口物理层
BC1.2	指	Battery Charging v1.2，是 USB-IF下属的 BC（Battery Charging）小组制定的协议，主要用于规范电池充电的需 求，该协议最早基于 USB2.0协议来实现
PPS	指	Programmable Power Supply，可编程电源，属于 USB PD3.0中支持的一种 Power Supply类型，是一种使用 USB PD协议输出的可以实现电压电流调节的电源
UFCS	指	Universal Fast Charging Specification，电信终端产业协会 发布的融合快充标准
DFP	指	Downstream Facing Port，下行端口，数据传输中作 Host
LDO	指	low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器
SoC	指	System on Chip的简称，即片上系统、系统级芯片，是将 系统关键部件集成在一块芯片上，可以实现完整系统功 能的芯片电路
ADC	指	ADC指 Analog to Digital Converter，模数转换器，是用 于将模拟形式的连续信号转换为数字形式的离散信号 的器件
集成电路、芯片、IC	指	Integrated Circuit的简称，是采用一定的工艺，将一个电 路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线连 在一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片 上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的 微型结构
模拟集成电路	指	由电阻、电容、晶体管等组成的模拟电路集成在一起， 用来处理连续函数形式模拟信号（如声音、光线、温度 等）的集成电路
晶圆	指	经过特定工艺加工，具备特定电路功能的硅半导体集成 电路圆片，经切割、封装等工艺后可加工制作各种电路 元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品
封装	指	将芯片转配为最终产品的过程，即把晶圆上的半导体集 成电路，用导线及各种连接方式，加工成含外壳和管脚 的可使用的芯片成品，起着安放、固定、密封、保护芯 片和增强电热性能的作用
测试	指	集成电路晶圆测试及成品测试
嵌入式系统	指	以应用为中心、以计算机技术为基础、软件硬件可裁剪、 适应应用系统对功能、可靠性、成本、体积、功耗严格 要求的专用计算机系统
电荷泵	指	也称为开关电容式电压变换器，是一种利用电容，而非 电感或变压器来储能的直流变换器，能使输入电压升高 或降低，也可以用于产生负电压。其内部的 MOSFET开 关阵列以一定的方式控制快速电容器的充电和放电，使 输入电压以一定因数倍增或降低，从而得到所需要的输
		出电压
原边	指	电压的输入侧
副边	指	电压的输出侧
同步整流	指	采用通态电阻极低的专用功率 MOSFET，来取代整流二 极管以降低整流损耗的一项新技术，可以提高转换器的 效率
电容器	指	一类电子元器件，两个相互靠近的导体，中间夹一层不 导电的绝缘介质，就构成了电容器
开关充电	指	充电器的电流断续注入电池，电流恒定大小，但却是充 电、停止交替进行，这种充电方式称为充电的“开关模 式”
线性充电	指	充电器的电流持续注入电池，但电流会随着电池电压的 不断上升而线性地减小，这种充电方式称为充电的“线 性模式”
真无线、TWS	指	True Wireless Stereo的简称，耳机的两个耳塞不需要有 线连接，左右两个耳塞通过蓝牙组成立体声系统
版图设计	指	将电路设计电路图或电路描述语言映射到物理描述层 面，从而可以将设计好的电路映射到晶圆上生产

注：本报告书中若部分合计数与单项数据之和在尾数上存在差异，均为四舍五入原因所致。




第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	上海南芯半导体科技股份有限公司
公司的中文简称	南芯科技
公司的外文名称	Southchip Semiconductor Technology（Shanghai） Co., Ltd.
公司的外文名称缩写	Southchip
公司的法定代表人	阮晨杰
公司注册地址	中国（上海）自由贸易试验区盛夏路565弄54号（4幢 1601
公司注册地址的历史变更情况	不适用
公司办公地址	中国（上海）自由贸易试验区盛夏路565弄54号（4幢 1601
公司办公地址的邮政编码	201210
公司网址	http://www.southchip.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	无

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	梁映珍	王蓉
联系地址	中国（上海）自由贸易试验区盛夏路 565弄54号（4幢）1601	中国（上海）自由贸易试验区盛 夏路565弄54号（4幢）1601
电话	021-50182236	021-50182236
传真	021-58309622	021-58309622
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《证券日报 》
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司董事会秘书办公室
报告期内变更情况查询索引	无

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	南芯科技	688484	无

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期		本报告期 比上年同 期增减(%)
		调整后	调整前
营业收入	660,459,657.09	775,541,268.44	775,541,268.44	-14.84
归属于上市公司股东的净 利润	100,632,272.37	202,633,262.49	202,429,394.07	-50.34
归属于上市公司股东的扣 除非经常性损益的净利润	96,612,395.64	200,201,123.74	199,997,255.32	-51.74
经营活动产生的现金流量 净额	165,199,190.00	200,560,395.50	200,560,395.50	-17.63
	本报告期末	上年度末		本报告期 末比上年 度末增减 (%)
		调整后	调整前
归属于上市公司股东的净 资产	3,471,792,384.19	1,074,477,666.36	1,074,245,023.84	223.11
总资产	4,301,346,275.44	2,304,552,680.58	2,304,320,038.06	86.65

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月 ）	上年同期		本报告期比 上年同期增 减(%)
		调整后	调整前
基本每股收益（元／股）	0.26	0.56	0.56	-53.57
稀释每股收益（元／股）	0.26	0.56	0.56	-53.57
扣除非经常性损益后的基本每股收	0.25	0.56	0.56	-55.36
益（元／股）
加权平均净资产收益率（%）	4.35	21.28	21.27	减少16.93个 百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	4.17	21.03	21.01	减少16.86个 百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	18.88	9.06	9.06	增加9.82个 百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、 营业收入较上年同期减少 14.84%：主要系下游终端市场整体需求下降，销售收入减少所致；2023年第二季度开始有所恢复，营业收入较上年第二季度同比增长 5.59% 。

2、 归属于上市公司股东的净利润较上年同期减少 50.34%、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润较上年同期减少 51.74%：主要系营业收入同比下降，公司员工人数大幅增长、研发加大投入所致。

3、 经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少 17.63%：主要系公司加大投入，员工人数增长所致。

4、 归属于上市公司股东的净资产较期初增加 223.11%：主要系首次公开发行新股募集资金到位及本期盈利所致。

5、 总资产较期初增加 86.65%：主要系公司首次公开发行新股收到募集资金所致。

6、 基本每股收益及稀释每股收益均较上年同期减少 53.57%：主要系净利润减少以及本期公司首次公开发行新股综合所致。

7、 加权平均净资产收益率较上年同期减少 16.93个百分点、扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率较上年同期减少 16.86个百分点：主要系净利润下降及首次公开发行新股收到募集资金所致。

8、 研发投入占营业收入的比例较上年同期增加 9.82个百分点：主要系报告期内公司营业收入同比下降，研发投入大幅增长所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	7,450.82
越权审批，或无正式批准文件， 或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务密切相关，符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外	3,664,617.18	主要系收到的浦东新区“十 四五”期间促进中小企业上 市挂牌财政扶持补贴。
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合
营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益	115,260.21
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出	-1,915.49
其他符合非经常性损益定义的损 益项目	234,464.01	主要系个税手续费返还
减：所得税影响额
少数股东权益影响额（税 后）
合计	4,019,876.73

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业及行业发展概况
1、所属行业
公司主营业务为模拟与嵌入式芯片的研发、设计和销售，所处行业属于集成电路设计行业。

根据《中华人民共和国国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所属行业为“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。公司所处的集成电路设计行业属于国家发改委颁布的《产业结构调整指导目录（2019年本）》所规定的鼓励类产业，政府主管部门为工信部，行业自律性组织为中国半导体行业协会。

2、行业发展概况
（1）集成电路行业
集成电路行业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。集成电路产品根据功能主要可分为数字芯片和模拟芯片，其中数字芯片指基于数字逻辑设计和运行的，用于处理数字信号的集成电路芯片，包括微元件、存储器和逻辑芯片；模拟芯片指处理连续性模拟信号的集成电路芯片。

根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）统计，2020年至 2022年，全球集成电路市场销售规模分别为 3,612.26亿美元、4,630.02亿美元和 4,799.88亿美元，保持增长态势。其中 2021年在半导体市场需求旺盛的引领下，全球半导体市场高速增长，同比增长达 28.18%。2022年下半年起销售趋缓，但全年销售额仍温和增长，同比增长 3.67%。

根据 SEMI（国际半导体产业协会）预测，2023年全球集成电路销售额预计将下滑 8%-10%，但长期来看，全球及中国集成电路产业仍将持续增长。近年来蓬勃发展的新能源车、5G、自动驾驶、数据中心、工业自动化、人工智能、物联网、可穿戴设备等新兴产业将形成强大的未来需求。

未来几年通信、消费电子、数据中心等领域成长率减缓，而车用和工业用领域成长较快。

我国是全球最大的集成电路需求市场，特别是对价值较高的高端芯片进口依赖仍较大，芯片进口金额远超出口金额，显示我国在芯片领域存在大量的进口替代空间。我国高端集成电路产业实现自主可控、进口替代，成为了亟待解决的问题。为推动芯片国产化进程，2015年 5月，国务院发布《中国制造 2025》提出 2025年芯片自给率要达到 70%的发展目标。

根据国家统计局发布的 2022年国民经济和社会发展统计公报，我国 2022年全年集成电路产量 3,241.9亿块，比上年下降 9.8%；全年集成电路出口 2,734亿个，比上年下降 12%，金额为10,254亿元，比上年增长 3.5%，在我国主要商品出口中金额排名第三；集成电路进口 5,384亿个，比上年下降 15.3%，金额为 27,663亿元，比上年下降 0.9%，在我国主要商品进口中金额排名第一。

（2）模拟芯片行业
模拟集成电路产品的生命周期较长，下游应用广泛且分散，是整个市场发展的晴雨表。得益于行业本身的技术积累和消费电子、智能家居、智能安防、汽车电子、工业控制等下游应用领域的发展，模拟集成电路行业保持稳定发展。根据 WSTS统计，全球模拟芯片 2022年市场规模为895.54亿美元，较 2021年同比增长 20.85%。

中国模拟芯片市场规模在全球占比达到 50%以上，是全球最主要的模拟芯片消费市场，2017-2021年复合增长率约为 9.32%，增速高于全球，2021年中国模拟芯片市场规模达到 3,056.3亿元，根据中国半导体行业协会的数据显示，我国模拟芯片自给率近年来不断提升，2017年至 2020年 从 6%提升至 12%，总体仍处于较低水平，当前还有较广阔的国产化空间。随着国内企业产品开发 速度加快，在新技术和产业政策的双轮驱动下，未来中国模拟芯片市场将迎来发展机遇。 （二）主营业务、主要产品及服务 南芯科技是国内领先的模拟和嵌入式芯片设计企业之一，主营业务为模拟与嵌入式芯片的研 发、设计和销售，专注于电源及电池管理领域，为客户提供端到端的完整解决方案。公司现有产 品已覆盖充电管理芯片（含电荷泵充电管理芯片、通用充电管理芯片、无线充电管理芯片）、DC- DC芯片、AC-DC芯片、充电协议芯片及锂电管理芯片，通过打造完整的产品矩阵，满足客户系 统应用需求。公司产品主要应用于手机、笔记本/平板电脑、电源适配器、智能穿戴设备等消费电 子领域，储能电源、电动工具等工业领域及车载领域，部分终端应用情况如下： 智能穿戴设备及 智能手机 笔记本电脑 平板电脑 适配器 消费配件 无线充电 无人机、机器人 储能电源 电动工具 车载充电

公司产品覆盖端到端的完整应用，包括供电端的反激控制、同步整流、充电协议通信，设备终端内部的充电协议通信、充电管理、电池管理，以及各类 DC-DC转换和显示屏电源管理等。

电荷泵充电管 理芯片

通用充电管理 芯片

无线充电管理 芯片

DC-DC芯片

AC-DC芯片

充电协议芯片

锂电管理芯片

以“成为全 新能力以及 芯片，助力 动机制和长 的伙伴关系 代，从而提 迭代升级， 的应用，致 心技术与研发 技术及其先 ，公司新增 动技术、次 技术和汽车 发，主要核	领先的模拟与嵌入式芯片企业”为经营愿景 苛的品质管控能力，在消费电子、工业及汽 产芯片自主可控。公司与上游晶圆制造商、 稳定的合作关系，提高了公司的供应链能力 在良好的合作中及时了解需求端技术新方向 研发效率。未来，公司将继续加强技术积淀 断丰富产品矩阵，提升在消费电子领域的优 于成为全球领先的模拟与嵌入式芯片企业。 进展 性以及报告期内的变化情况 7项核心技术，分别是锂电池监测技术、零电 控制全集成软开关 Flyback技术、Smart Hig 线 LDO技术。上述技术均已应用于公司主 技术情况如下：	凭借高 电子领 装测试 公司与 新动态 加大研 ，进一 开关的 Side Driv 产品，公	的研发 推出高 商等供 端品牌 针对性 投入， 拓展在 荷泵控 er技术、 司的核心
核心技术名 称	技术简介	技术来 源	主要应 用
兼容 2：1 电荷泵和 1：1直传 的电荷泵充 电技术	兼容 2:1电荷泵和 1:1直传的大功率充电模 式	自主研 发	电荷泵 充电管 理芯片
多兼容模式 的电荷泵电 压变换器技 术	公司研发了覆盖 6:2、4:2、4:1、2:2等多种 电压转换比、支持正向和反向充电、兼容 charger和 DC-DC模式的电荷泵电压变换器 技术，每一种模式都支持初始电容开短路 检查，安全带载软启动和 90度移相并联功 能；在不同 DC-DC模式间，支持依据设置 电压自动模式切换的功能；在充电时，可 以检测输入输出短地、电容开短路等意外 情况，确保芯片安全可靠。	自主研 发	电荷泵 充电管 理芯片
高效率可重 构串联-并 联型开关电 容电压变换 器技术	对于 N:1的串联-并联型电荷泵，如果需要 兼容（N-1）:1、（N-2）:1 … 1:1等模式， 该技术可以实现最优的充电效率：通过增 加少数功率管，并调整时序，让更多的功 率管和电容都参与到电荷转换，进而显著 提升效率。	自主研 发	电荷泵 充电管 理芯片
谐振式电荷 泵控制技术	在传统电荷泵中加入电感元件和电容构成 谐振通路，以进一步降低损耗和提高大电 流电池充电时的转换效率，同时可以减小 电容数目和高度，以减小整体方案的尺寸 和成本；可实现高充电效率和小尺寸方 案。	自主研 发	电荷泵 充电管 理芯片
高集成度的 充电控制技 术	包含升压、降压、升降压不同架构；支持 NVDC路径管理；最高可支持 100W充电效 率。	自主研 发	通用充 电管理 芯片
核心技术名 称	技术简介	技术来 源	主要应 用
ASK解调技 术	解调电路可将电源上的 ASK调制信号同时 分解成一路电压及一路电流信号，同时将 电压及电流信号进行解调，增加解调的成 功率；多路电流解调电路分时复用，利用 单独的一路电流解调电路，可以根据不同 的参数配置出最高多达 8路的解调方式； 纠错性能高，能适应电压及频率的抖动， 结合 ADC对电压的采样及 Timer对频率的 计算，匹配实时电压和频率信息。	自主研 发	无线充 电管理 芯片
Buck-Boost 升降压转换 器控制技术	相比于单一的降压型 Buck电路和升压型的 Boost电路，Buck-Boost电路没有转换比的 限制，可以同时支持升降压，为系统设计 带来了更大的灵活性。但因为 Buck-Boost 电路本身更加复杂，所以相应的芯片设计 难度也比单一的 Buck或者 Boost更高，该 技术可实现在升降压的区间平稳过渡，可 靠性高，电压电流纹波小，效率更高。	自主研 发	DC-DC 芯片、 通用充 电管理 芯片
AMOLED的 驱动技术	提供了一个高效的低纹波的负压 Buck-Boost 控制电路；开发了低纹波的轻载控制方 式，同时兼顾轻载高效和防止屏闪；针对 电池电压的大变化范围，开发了 down- mode的控制方式，使 Boost在高输入电压 的情况下工作在降压模式，同时对输入的 line-transient有效抑制，降低纹波。	自主研 发	DC-DC 芯片
Flyback同 步整流控制 技术	用于取代副边续流二极管，减少续流二极 管的能耗，提高系统效率，降低热损耗； 减小开关过程中电压应力，增强系统的可 靠性；防止误开启机制，有效避免因误开 启带来的功率管损坏风险。	自主研 发	AC-DC 芯片
AC-DC SSR 控制技术	传统控制方法需要外加 LDO或者提高控制 器电源范围，公司的 SSR控制器供电控制 方法，只需要一个辅助电感就可以在不增 加控制器电源电压情况下满足 PD宽输出要 求，也无需额外 LDO，简化设计难度，提 高系统效率；特有的自适应过载短路保护 方法，大大减少短路功耗，系统更加安全 可靠。	自主研 发	AC-DC 芯片
基于 Flyback架 构氮化镓功 率器件控制 技术	采用高频 QR技术，同时具备氮化镓直驱的 专利技术，可以无需任何辅助器件，直接 驱动 GAN功率器件，成本及可靠性优势明 显；特有频率控制曲线，在不同负载都具 备极高的效率。	自主研 发	AC-DC 芯片
Type-C PHY 实现技术	兼容 Type-C标准，支持 USB-PD协议，已通 过 USB官方认证；兼容传统 USB的充电标 准，如 BC1.2、DCP、HVDCP、DCP等；兼 容工信部快充标准，已通过工信部认证； 兼容手机厂商自定义快充标准。	自主研 发	充电协 议芯片
核心技术名 称	技术简介	技术来 源	主要应 用
锂电池保护 技术	该技术在保证高可靠性的同时，实现了更 小的方案尺寸；设计了超低功耗的控制电 路，极大减小保护芯片本身的电流消耗； 高精度的电路保证了全温范围对关键保护 参数的监控。	自主研 发	锂电管 理芯片
锂电池监测 技术	该技术通过高精度 ADC检测电池的电压、 电流、温度等信息，通过特殊的算法计算 电池的剩余库伦容量，最大库仑容量，电 池的健康状况等指标。保证电池的安全使 用，提高电池的使用效率。	自主研 发	锂电管 理芯片
零电压开关 的电荷泵控 制技术	在传统电荷泵结构上创新的实现了所有开 关管在开通和关断阶段的零电压，能极大 的降低开关损耗，从而提高电荷泵电压转 换器的转换效率，该技术适用于各种类型 的电荷泵结构。	自主研 发	电荷泵 充电管 理芯片
低电压自启 动技术	该技术能够使得无线充电模组的 Rx模块在 低增益线圈方案下，进行功率传输之前的 启动行为，能够让模块兼容高低增益的线 圈方案，低于 1.2V的启动电压使 Rx顺利启 动，提高线圈和 Tx输入电压的兼容性。	自主研 发	无线充 电芯片
次级控制全 集成软开关 Flyback技 术	次级控制全集成软开关 Flyback芯片，单片 集成高速隔离数字通信，无需片外光耦即 可实现次级控制。通过次级控制原边功率 管，结合次级主动式同步整流，可有效避 免初级功率管和次级同步整流管共通风 险。同时无需增加任何片外器件，可以通 过次级控制原边功率管软开通，实现更高 的效率。	自主研 发	AC-DC 芯片
Smart High Side Driver 技术	高边智能开关技术， 该技术实现了在保证 电源传输的同时，实现了多段式，及外部 可调恒流限流充电或恒流限流保护技术， 保证了可驱动容性，阻性负载，及感性负 载；同时，该技术通过高精度电流采样技 术，可时时监控负载电流变化，通过外部 管脚传递给系统负载电流及故障信息；该 技术在驱动感性负载关断时，通过较低输 出负压电压数值，保证了系统感性负载的 快速衰减时间，满足系统 ON/OFF需求。	自主研 发	汽车电 子芯片
汽车级智能 保险丝技术	该技术通过高带宽高共模抑制比低失调运 放和高速模数转换器实现的实时电流检测 和保护；模拟传统保险丝功率熔断的算法 及实现；集成低功耗 bypass管，并实时监 控电流、自动保护并切换到外部功率管； 支持 cold crank并可以防止电池反接。上述 技术在车身电子和域控制器应用中，可以 替代保险丝和继电器用作供电分配，在新 能源汽车和传统汽车里有着广泛的需求。	自主研 发	汽车电 子芯片
核心技术名 称	技术简介	技术来 源	主要应 用
汽车天线 LDO技术	该 LDO用于汽车电子中的天线、摄像等模 组，集成了全面的保护和报错功能，来满 足汽车电子各种安全场景中对可靠性的苛 刻要求，具体包括：电池极性反接保护、 反向电流保护、短路到电池保护、短路到 地保护、输出感性负载钳位、过温保护， 及高精度电流检测功能等。	自主研 发	汽车电 子芯片

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
截至 2023年 6月 30日，公司累计获取专利 70项，其中国内专利 69项，国外专利 1项，报告期内，公司获得新增授权发明专利 12项。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	19	12	207	70
实用新型专利	0	0	0	0
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	0	0	0	0
其他	0	0	0	59
合计	19	12	207	129

注：其他为集成电路布图

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	124,719,646.80	70,256,467.89	77.52
资本化研发投入
研发投入合计	124,719,646.80	70,256,467.89	77.52
研发投入总额占营业收入 比例（%）	18.88	9.06	增加 9.82个百分 点
研发投入资本化的比重 （%）

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
主要系公司加大研发投入，报告期内研发人员薪酬、研发材料等投入较上年同期大幅增长所致。



研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用


4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序号	项目名称	预计总投 资规模	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或阶段 性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用前景
1	大功率电 荷泵充电 管理芯片 项目	3,150.00	1,328.97	3,105.17	研发及验证 阶段（非单 一产品，下 同）	1、针对单节电池应用，单颗芯片最大 功率覆盖 67W到 90W范围，两颗并联 可实现 120W；针对双电芯应用，单颗 芯片可覆盖 120W，两颗并联可实现充 电功率 200W以上的充电方案 2、实现高转换比架构，降低损耗，业 界领先的大电流充电条件下 97%以上 的充电效率	大幅提高单芯片支 持功率和效率，将行 业内手机最大充电 功率等级进一步提 高，达到国际领先水 平	智能手机、平板 等消费电子
2	通用高性 能充电管 理芯片项 目	6,571.20	1,049.11	6,570.48	研发及验证 阶段	1、针对 1-18S电池的各类充电拓扑架 构，各种充电功率，各类主流应用的全 系列覆盖 2、充电效率达到业界领先地位 3、更高的集成度	提供行业领先的充 电效率和系统集成 度	消费电子、储 能、机器人等工 业应用
3	高性能 DC-DC芯 片项目	3,335.00	790.83	2,662.47	研发及验证 阶段	1. 覆盖从 5V输入到 100V输入的应用 2. 高集成度 3. 高效率	提供行业领先的电 源效率，动态响应和 系统集成度	消费电子、工 业、汽车、通讯 等
4	面向工业 应用的电 源管理芯 片项目	3,310.00	937.65	3,300.00	验证及验证 阶段	1、开发支持>240W输出功率的数模混 合控制器 2、兼容第三代半导体功率器件	预期新产品具备创 新性，进入大功率应 用领域，满足储能系 统前沿技术需求，在	充电器、储能电 源等工业应用
						3、满足能效标准 4、从系统应用的角度优化整体方案的 性价比	系统整体成本方面 体现优势
5	面向消费 类市场的 快速充电 协议芯片 项目	5,170.00	1,170.43	4,905.03	研发及验证 阶段	1、支持 USB PD3.1、UFCS以及其他私 有快充协议并实现多协议兼容方案 2、内置和外置环路补偿功能的升级优 化 3、片上实现快充适配器系统的 LPS、 AC电压监测和 AC输入状态监测功能	预期新产品的快充 协议兼容性将达到 国内领先地位，满足 高性能高可靠性的 应用要求	消费电子
6	面向手机 大功率充 电市场的 锂电管理 芯片项目	4,160.00	1,136.33	3,764.44	研发及验证 阶段	1、具备过压，欠压，过流保护功能 2、达成±15mV的过压精度 3、±0.75mV过流检测精度 4、集成采样，计量，保护，认证等功能 的电量计方案，实现在高低温，动态负 载及多种充电曲线下 SOC 的精确上 报，充放电截止的预报，锂电池使用期 限预测等功能。 5. 集成高精度，low offset ADC，支持 多通道轮询采样，支持多种模数转换模 式 6、支持多种工作功耗模式	提高了保护精度，支 持更低的电流检测 电阻，实现国产芯片 在大功率充电手机 应用上的突破；进入 锂电管理高端应用 领域并实现技术突 破	智能手机
7	大功率无 线充电管 理芯片项 目	5,339.00	1,605.51	5,216.80	研发及验证 阶段	1、接收芯片实现高集成度 50W接收功 率 2、发射芯片实现超过 50W的发射能 力。 3、接收芯片支持小感量线圈以最大化	高集成度的大功率 无线充电解决方案， 预期新产品进入手 机应用领域并实现 技术突破	手机、无线充电 发射器等
						接收效率 4、接收端效率超过 97% 5、支持最新的 Qi2.0 EPP及 MPP协议
8	支持单串 或者双串 电池架构 的电荷泵 充电管理 芯片项目	4,990.00	900.83	4,552.92	研发及验证 阶段	1、高效率单电芯电荷泵充电芯片，最 大功率可覆盖到 45W以上； 2、支持有线无线双路径管理； 3、支持双向充放电管理，简化系统设 计，提升电池续航	新产品可大幅提高 单节电池供电设备 的充电效率，将行业 内单电芯手机的最 大充电功率等级进 一步提高，达到国际 领先水平	智能手机、平板 等消费电子
9	高性能车 载充电芯 片项目	2,380.00	955.78	2,217.57	研发及验证 阶段	1、升降压 DC-DC，集成两个 MOS管， 单芯片支持最高 100W输出 2、通过车规认证 3、支持 I2C调压调流，满足 USB PD/PPS电压电流要求 4、支持抖频，提高 EMI性能 5、支持 USB充电与 carplay功能。 6、更高功率密度的 PD充电方案。	进一步提高集成度， 单芯片支持功率等 级和转换效率将达 到行业领先水平，具 备高效率、高可靠 性、高性价比的优点	汽车电子领域
10	高性能车 载应用电 源管理与 驱动类芯 片项目	3,737.00	1,669.61	2,591.13	研发及验证 阶段	1.集成温度、电流和电压等保护的智能 开关芯片 2. 全系列一级 Buck converter，低静态 电流，支持抖频功能 3.通过车规认证	智能开关芯片全面 覆盖应用中所需到 保护功能，达到行业 领先水平。 电源芯片进一步提 高功率密度，低功耗 与轻载高效达到行 业领先水平。	智能座舱、 ADAS、车身域 控制器、智能保 险盒等汽车电 子
11	面向消费 类电子领 域的高效 率 Amoled PMIC芯片 项目	2,120.00	502.68	1,378.77	研发及验证 阶段	1. 针对手机应用的不同亮度范围进行 效率优化 (较市面上现有方案提 升>3%)，延长手机的续航时间，减少手 机在亮屏情况的下的发热情况； 2. 支持更大电流(≥1.2A)，提升手机屏 幕亮度(≥2000nit)，提升用户对手机屏 幕的体验； 3. 针对未来新的屏幕技术，延长屏幕 寿命，提前做好相关技术布局，兼容支 持现在和未来不同手机屏幕的技术需 求。	预期新产品在效率， 功耗，最大亮度以及 兼容不同种类屏幕 等方面做到国际领 先水平； 支持手机、平板、笔 电多应用场景	智能手机，平 板，笔记本电脑
12	面向消费 类市场的 AC-DC 芯 片项目	1,070.00	424.23	508.73	研发阶段	1、中小功率段产品覆盖； 2、丰富产品矩阵； 3、满足能效要求；	预期新产品具备创 新性，进入中小功率 应用领域，达到行业 领先水平，在系统整 体成本方面体现优 势	消费电子
合计	/	45,332.20	12,471.96	40,773.51	/	/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	331	214
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	63.29	55.73
研发人员薪酬合计	9,485.21	5,172.60
研发人员平均薪酬	28.66	24.17

（未完）