[中报]晶升股份(688478):南京晶升装备股份有限公司2023年半年度报告
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时间：2023年08月17日 20:56:57 中财网 |
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原标题:晶升股份:南京晶升装备股份有限公司2023年半年度报告
公司代码：688478 公司简称：晶升股份
南京晶升装备股份有限公司
2023年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人李辉、主管会计工作负责人吴春生及会计机构负责人（会计主管人员）吴春生声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司第一届董事会第二十一次会议、第一届监事会第十六次会议审议通过了《关于公司2023年半年度利润分配预案的议案》，公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币2.50元（含税）。截至2023年6月30日，公司总股本为138,366,096股，以此计算合计拟派发现金红利人民币34,591,524.00元（含税）。不送红股，不进行资本公积转增股本。公司独立董事对此发表了同意意见，本次利润分配预案尚需提交股东大会审议通过后实施。
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 37
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 39
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 41
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 76
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 83
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 83
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 84
| 备查文件目录 | 载有公司法定代表人签名的2023年半年度报告正文 |
| | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
人员）签名并盖章的财务报表 |
| | 报告期内在中国证监会指定媒体上公开披露过的所有本公司文件的正
本及公告原稿 |
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
| 常用词语释义 | | |
| 公司、本公司、晶
升股份 | 指 | 南京晶升装备股份有限公司 |
| 晶能半导体 | 指 | 南京晶能半导体科技有限公司，公司全资子公司 |
| 集芯半导体 | 指 | 南京集芯半导体材料有限公司，公司全资子公司 |
| 晶升半导体 | 指 | 南京晶升半导体科技有限公司，公司全资子公司 |
| 晶采半导体 | 指 | 南京晶采半导体科技有限公司，公司全资子公司 |
| 鑫瑞集诚 | 指 | 鑫瑞集诚（厦门）创业投资合伙企业（有限合伙） |
| 明春科技 | 指 | 南京明春科技有限公司 |
| 盛源管理 | 指 | 南京盛源企业管理合伙企业（有限合伙） |
| 海格科技 | 指 | 南京海格半导体科技有限公司 |
| 聚源铸芯 | 指 | 苏州聚源铸芯创业投资合伙企业（有限合伙） |
| 江北智能 | 指 | 南京江北智能制造产业基金（有限合伙） |
| 润信基金 | 指 | 漳州漳龙润信科技产业投资合伙企业（有限合伙） |
| 元禾璞华 | 指 | 江苏疌泉元禾璞华股权投资合伙企业（有限合伙） |
| 沪硅产业 | 指 | 上海硅产业集团股份有限公司（688126.SH） |
| 中微公司 | 指 | 中微半导体设备（上海）股份有限公司（688012.SH） |
| 立昂微 | 指 | 杭州立昂微电子股份有限公司（605358.SH） |
| 毅达鑫业 | 指 | 上海毅达鑫业一号股权投资基金合伙企业（有限合伙） |
| 华金领翊 | 指 | 珠海华金领翊新兴科技产业投资基金（有限合伙） |
| 疌泉红土 | 指 | 江苏疌泉红土智能创业投资基金（有限合伙） |
| 人才基金 | 指 | 南京市人才创新创业投资基金合伙企业（有限合伙） |
| 盛宇投资 | 指 | 江苏盛宇人工智能创业投资合伙企业（有限合伙） |
| 海聚助力 | 指 | 南京海聚助力创业投资中心（有限合伙） |
| 深创投 | 指 | 深圳市创新投资集团有限公司 |
| 华金丰盈 | 指 | 珠海华金丰盈八号股权投资基金合伙企业（有限合伙） |
| 上海新昇 | 指 | 上海新昇半导体科技有限公司，沪硅产业全资子公司 |
| 金瑞泓 | 指 | 金瑞泓微电子（衢州）有限公司，立昂微控股子公司 |
| 神工股份 | 指 | 锦州神工半导体股份有限公司（688233.SH） |
| 合晶科技 | 指 | 合晶科技股份有限公司（6182.TWO） |
| 三安光电 | 指 | 三安光电股份有限公司（600703.SH） |
| 东尼电子 | 指 | 浙江东尼电子股份有限公司（603595.SH） |
| 中科钢研 | 指 | 中科钢研节能科技有限公司 |
| 比亚迪 | 指 | 比亚迪汽车工业有限公司 |
| 控股股东 | 指 | 李辉 |
| 实际控制人 | 指 | 李辉 |
| 中国证监会、证监
会 | 指 | 中国证券监督管理委员会 |
| 上交所官网 | 指 | 上海证券交易所官方网站（www.sse.com.cn） |
| 《公司章程》 | 指 | 《南京晶升装备股份有限公司章程》 |
| 《公司法》 | 指 | 《中华人民共和国公司法》 |
| 报告期 | 指 | 2023年1-6月 |
| 报告期末 | 指 | 2023年6月30日 |
| 元、万元 | 指 | 人民币元、人民币万元 |
| 企业会计准则 | 指 | 《企业会计准则基本准则》和各项具体会计准则、企业会计准 |
| | | 则应用指南、企业会计准则解释及其他相关规定 |
| 股东大会 | 指 | 南京晶升装备股份有限公司股东大会 |
| 董事会 | 指 | 南京晶升装备股份有限公司董事会 |
| 监事会 | 指 | 南京晶升装备股份有限公司监事会 |
| 晶圆 | 指 | 又称 Wafer、圆片、晶片，用以制造集成电路的圆形硅或化合
物晶体半导体材料 |
| 衬底 | 指 | 外延生长工序的基片，通过气相外延生长技术在其表面生成相
应材料和结构 |
| 外延片 | 指 | 由外延工艺在衬底上形成外延层而成 |
| 半导体 | 指 | 常温下导电性能介于导体（ Conductor）与绝缘体
（Insulator）之间的材料 |
| 集成电路、芯片 | 指 | Integrated Circuit，集成电路，通常也叫芯片，是一种微型
电子器件或部件，采用一定的工艺，将一个电路中所需的晶体
管、电阻、电容和电感等电子元器件按照设计要求连接起来，
制作在一小块半导体晶片如硅片或介质基片上，成为具有特定
功能的电路 |
| 传感器 | 指 | 是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将感受到的信
息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，
以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求 |
| 存储芯片 | 指 | 具备存储功能的半导体元器件，用来实现运行程序或数据存储
功能 |
| 硅片 | 指 | Silicon Wafer，半导体级硅片，用于集成电路、分立器件、
传感器等半导体产品制造 |
| 碳化硅 | 指 | Silicon Carbide，碳和硅的化合物，一种宽禁带半导体材
料，第三代半导体材料之一 |
| 氮化镓 | 指 | Gallium Nitride，氮和镓的化合物，一种宽禁带半导体材
料，第三代半导体材料之一 |
| 第三代半导体 | 指 | 以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带
的半导体材料。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高
的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的
抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件 |
| 禁带 | 指 | 在能带结构中能态密度为零的能量区间，常用来表示价带和导
带之间的能量范围。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体
性质还是具有绝缘体性质。第三代半导体因具有宽禁带的特
征，又称宽禁带半导体 |
| 单晶 | 指 | Single Crystal，不含大角晶界或孪晶界的晶体 |
| COP-FREE | 指 | COP（Crystal Originated Particulate）晶体原生颗粒，在单
晶生长中引入的一个或多个小凹坑，类似 LLS（局部光散射
体）；COP-FREE指无原生缺陷片 |
| 热场 | 指 | 单晶炉中的热系统，用于提供热传导及绝热的所有部件的总
称，由加热及保温材料构成，对炉内原料进行加热及保温的载
体，是晶体生长设备的核心部件 |
| 轻掺 | 指 | 一种硅片制作工艺，固体母合金直接融入硅熔体，掺杂量小 |
| 重掺 | 指 | 一种硅片制作工艺，纯元素掺杂，根据元素的不同分为气体，
液体和纯元素固体掺杂，掺杂量大 |
| 射频器件 | 指 | 利用射频技术形成的一类元器件，常用于无线通信等领域 |
| CCD | 指 | Charge Coupled Device的缩写，电荷耦合元件，是一种半导
体器件，能够把光信号转化为电信号 |
| Nm | 指 | nm表示nano meter，中文称纳米，长度计量单位1纳米为十亿
分之一米 |
| PVT | 指 | Physical Vapor Transportation，物理气相传输法，碳化硅晶
体生长方法之一 |
| LPE | 指 | Liquid Phase Epitaxy，液相外延法，碳化硅晶体生长方法之
一 |
| TSSG | 指 | Top-Seeded Solution Method，顶部籽晶溶液生长法，碳化硅
晶体生长方法之一 |
| MOSFET | 指 | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属
-氧化物半导体场效应晶体管，一种可以广泛使用在模拟电路
与数字电路的场效晶体管 |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
| 公司的中文名称 | 南京晶升装备股份有限公司 |
| 公司的中文简称 | 晶升股份 |
| 公司的外文名称 | Crystal Growth & Energy Equipment Inc. |
| 公司的外文名称缩写 | CGEE |
| 公司的法定代表人 | 李辉 |
| 公司注册地址 | 南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧 |
| 公司注册地址的历史变更情况 | 1、2013年5月14日，由南京经济技术开发区兴智路6号535室，变
更为南京经济技术开发区恒发路30-1号；2、2021年6月4日，由
南京经济技术开发区恒发路30-1号，变更为南京经济技术开发区
红枫科技园B4栋西侧。 |
| 公司办公地址 | 南京经济技术开发区红枫科技园B4栋西侧 |
| 公司办公地址的邮政编码 | 210034 |
| 公司网址 | http://www.cgee.com.cn |
| 电子信箱 | [email protected] |
| 报告期内变更情况查询索引 | 无 |
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
| 公司选定的信息披露报纸名称 | 中国证券报、证券日报、证券时报、上海证券报、经
济参考报 |
| 登载半年度报告的网站地址 | www.sse.com.cn |
| 公司半年度报告备置地点 | 公司证券部 |
| 报告期内变更情况查询索引 | 不适用 |
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
| 公司股票简况 | | | | |
| 股票种类 | 股票上市交易所
及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
| A股 | 上海证券交易所
科创板 | 晶升股份 | 688478 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币
| 主要会计数据 | 本报告期
（1－6月） | 上年同期 | 本报告期比上
年同期增减(%) |
| 营业收入 | 114,360,483.44 | 65,055,832.11 | 75.79 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 15,087,668.56 | 2,757,383.87 | 447.17 |
| 归属于上市公司股东的扣除非经常
性损益的净利润 | 8,011,574.77 | -2,865,025.05 | 379.63 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | -78,416,107.91 | -38,137,320.12 | -105.62 |
| | 本报告期末 | 上年度末 | 本报告期末比
上年度末增减
(%) |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 1,554,001,920.99 | 520,616,603.12 | 198.49 |
| 总资产 | 1,720,597,082.28 | 610,402,614.44 | 181.88 |
(二) 主要财务指标
| 主要财务指标 | 本报告期
（1－6月） | 上年同期 | 本报告期比上年
同期增减(%) |
| 基本每股收益（元／股） | 0.1308 | 0.0262 | 399.43 |
| 稀释每股收益（元／股） | 0.1308 | 0.0262 | 399.43 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收
益（元／股） | 0.0695 | -0.0272 | 355.45 |
| 加权平均净资产收益率（%） | 1.74 | 0.57 | 增加1.17个百分
点 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净
资产收益率（%） | 0.92 | -0.60 | 增加1.52个百分
点 |
| 研发投入占营业收入的比例（%） | 12.39 | 15.23 | 减少2.84个百分
点 |
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、2023年上半年实现营业收入11,436.05万元，较上年同期增长75.79%；主要系销售规模扩大，批量订单在上半年验收量增加所致。
2、2023年上半年实现归属于上市公司股东的净利润1,508.77万元，较上年同期增长447.17%；实现的归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润801.16万元，较上年期增长379.63%。主要为：销售收入增加与成本管控带来规模成本效益，上半年主营业务销售毛利率35.44%，较上年同期增长了1.16个百分点。
七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用
八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
| 非经常性损益项目 | 金额 | 附注（如适用） |
| 非流动资产处置损益 | 4,172.22 | |
| 越权审批，或无正式批准文件，
或偶发性的税收返还、减免 | | |
| 计入当期损益的政府补助，但与
公司正常经营业务密切相关，符
合国家政策规定、按照一定标准
定额或定量持续享受的政府补助
除外 | 310,000.00 | |
| 计入当期损益的对非金融企业收
取的资金占用费 | | |
| 企业取得子公司、联营企业及合
营企业的投资成本小于取得投资
时应享有被投资单位可辨认净资
产公允价值产生的收益 | | |
| 非货币性资产交换损益 | | |
| 委托他人投资或管理资产的损益 | 8,015,003.88 | |
| 因不可抗力因素，如遭受自然灾
害而计提的各项资产减值准备 | | |
| 债务重组损益 | | |
| 企业重组费用，如安置职工的支
出、整合费用等 | | |
| 交易价格显失公允的交易产生的
超过公允价值部分的损益 | | |
| 同一控制下企业合并产生的子公
司期初至合并日的当期净损益 | | |
| 与公司正常经营业务无关的或有
事项产生的损益 | | |
| 除同公司正常经营业务相关的有
效套期保值业务外，持有交易性
金融资产、衍生金融资产、交易
性金融负债、衍生金融负债产生 | | |
| 的公允价值变动损益，以及处置
交易性金融资产、衍生金融资
产、交易性金融负债、衍生金融
负债和其他债权投资取得的投资
收益 | | |
| 单独进行减值测试的应收款项、
合同资产减值准备转回 | | |
| 对外委托贷款取得的损益 | | |
| 采用公允价值模式进行后续计量
的投资性房地产公允价值变动产
生的损益 | | |
| 根据税收、会计等法律、法规的
要求对当期损益进行一次性调整
对当期损益的影响 | | |
| 受托经营取得的托管费收入 | | |
| 除上述各项之外的其他营业外收
入和支出 | 78,857.49 | |
| 其他符合非经常性损益定义的损
益项目 | | |
| 减：所得税影响额 | 1,331,939.80 | |
| 少数股东权益影响额（税
后） | | |
| 合计 | 7,076,093.79 | |
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
□适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
1、所属行业
公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他晶体生长设备等定制化产品。
根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/4754-2017），公司所属行业为“专用设备制造业”下的“半导体器件专用设备制造”（C3562）；根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司属于“1、新一代信息技术产业”中“1.2电子核心产业”中的“1.2.1新型电子元器件及设备制造-3562*半导体器件专用设备制造”。
（1）半导体行业
半导体行业具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点，其技术水平与发展规模已成为衡量一个国家综合国力和产业竞争力的重要标准之一。半导体行业遵循螺旋式上升规律，下游应用行业的需求增长是半导体产业快速发展的核心驱动力。半导体核心元器件晶体管的诞生使得半导体产业迅猛增长，但随着计算机、液晶电视、手机、平板电脑等消费电子渗透率快速提升，行业增长逐步放缓。近年来，随着人工智能、大数据、云计算、物联网、汽车电子及消费电子等应用领域的快速发展，全球半导体行业逐渐恢复增长。根据 WSTS统计及预计，2023、2024年全球半导体市场销售额分别为 5151亿美元、5760亿美元，全球半导体市场销售额将在 2023年出现 10.3%的下跌后，有望在 2024年以 11.8%的增长幅度强劲复苏并创历史新高。
凭借巨大的市场需求、下游应用行业快速发展、稳定的经济增长及有利的政策等众多优势条件，我国半导体产业规模持续快速发展。然而半导体产业国产化进程严重滞后于国内快速增长的市场需求，导致该行业存在较严重的进口依赖，市场供需错配状况亟待扭转，进口替代空间巨大。与此同时，随着国际贸易纷争不断，基于电子信息安全等因素考虑，国内半导体产业链技术水平也亟需发展和提升。因此，现阶段国内半导体行业正处于产业升级的关键阶段，实现核心技术“自主可控”为最重要的发展目标。
碳化硅作为第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点，碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、轨道交通、5G通讯等领域。由于碳化硅衬底制备成本、良率、产能等主要因素，目前全球碳化硅材料及器件应用仍处于早期，受下游应用领域发展驱动，全球产业已步入高速发展阶段。
根据 Yole统计及预测，预计到 2027年全球碳化硅器件市场规模有望增长至 62.97亿美元，年复合增长率为 34%。
（2）半导体设备行业
随着半导体产业的第三次转移，中国大陆半导体行业快速发展，带动半导体设备行业也随之发展。在国产设备不断取得突破，持续通过客户验证且下游客户产能顺利爬坡后，国产化率有望得到显著提升。同时，晶圆厂投资力度的加大及新建产能进程的加快，进一步刺激对半导体设备采购需求，为半导体设备行业，尤其是国产半导体设备行业的发展奠定了广阔的市场。此外，除传统硅基晶圆制造外，以碳化硅为代表的第三代半导体材料产业链也愈发成熟，随着下游市场需求逐渐增多，将会带动其晶圆制造产线的建设，进一步加大对半导体设备的需求。
由于不同技术等级的芯片需求大量并存，决定了不同技术等级的半导体设备依然存在较大的市场需求，各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。随着下游客户新建产线及更新升级，各半导体设备厂商迎来巨大的成长机遇，拥有更多机会使设备产品获得验证和试用。这也为国内半导体设备企业开发新产品、扩大市场占有率构建有利的竞争环境，形成“设备—工艺—产品”良好的相互促进作用，使国内半导体产业进一步发展，缩小与国际产业水平的差距。
（3）半导体级晶体生长设备行业
半导体级晶体生长设备主要以硅片制备和化合物材料制备的晶体生长设备为主，其中，化合物材料主要以碳化硅为主。硅片/碳化硅材料主要用于制造芯片，应用于通信、消费电子、汽车、工业等领域。晶体生长设备的技术先进性对半导体级硅片、碳化硅单晶衬底的规格指标及性能优劣具有决定性作用。
基于成本等因素的考虑，半导体硅片不断向大尺寸方向演进，12英寸硅片占据市场主要份额，对大尺寸单晶硅晶体生长设备产生较大需求；此外，由于设备投入成本较高，技术难度较大等因素，国内 12英寸硅片主要依赖于进口，国内厂商市场份额和国产化率较低，进口替代空间巨大。半导体级单晶硅晶体生长设备，尤其是大尺寸设备未来市场前景广阔。
国内新能源汽车、光伏逆变等应用领域在全球处于主导地位。以新能源汽车、光伏逆变为代表的碳化硅功率器件应用领域系碳化硅衬底及上游晶体生长设备市场规模增长的主要驱动因素。
根据 Yole等机构统计及预测，预计 2027年度汽车及能源市场导电型碳化硅功率器件占比约为86.5%，同时其他应用领域主要包括射频、工控等，也将持续带动碳化硅衬底产能需求规模化增长。而不同尺寸、不同类型的碳化硅单晶衬底及不同的下游应用需求又将进一步大幅提升对碳化硅单晶炉的需求。在市场保持高景气度的情况下，在国内产能加速扩产叠加设备国产化率提升的双重因素驱动下，我国碳化硅晶体生长设备市场发展潜力巨大。
3、公司的主营业务情况
（1）公司的主营业务
公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。自成立以来，公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发，并聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他晶体生长设备等定制化产品。
公司凭借多应用领域产品技术开发经验，已在晶体生长设备领域形成丰富产品序列，可满足客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求，逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商。依靠优质的产品及服务质量，公司得到了众多主流半导体厂商的认可，陆续开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、东尼电子、合晶科技、比亚迪等客户，已取得良好的市场口碑，确立了公司在半导体级晶体生长设备领域的市场地位。
（2）公司的经营模式
①盈利模式
公司主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，通过向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他晶体生长设备等定制化产品，同时销售设备相关配件等配套产品，提供设备售后维护升级等技术服务，实现收入和利润。
②研发模式
公司主要采取自主研发模式，以高温晶体生长设备为基础，以半导体级晶体生长设备为核心，持续进行研发投入，开展自主研发及创新，不断提升设备品质，优化设备性能，取得了晶体生长设备关键核心技术领域的重要成果。
③采购模式
公司采购的原材料主要包括机械加工件、机械标准件、热场件、系统部件、电气控制件、仪器仪表及气路部件等。其中，机械加工件、热场件、系统部件及气路部件等零部件由公司进行设计开发，由第三方供应商依据公司提供的图纸自行采购原材料，完成定制加工后向公司供应；其他标准零部件则面向市场独立进行采购。
④生产模式
公司主要采取订单式生产结合库存式生产的生产模式，根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，实施订单式生产为主，少量库存式生产为辅的生产方式。其中，订单式生产指公司在与客户签订订单或客户有较明确的采购预期后，根据订单情况进行设计并组织生产。库存式生产指公司对标准化模块或批量出货设备常用组件，根据内部需求及生产计划进行预生产，达到快速响应客户需求及平衡产能。
⑤销售模式
公司通过直销模式销售产品，与潜在客户主要通过商务谈判等方式获取订单。公司配备了专业的销售与服务团队，负责市场推广、客户开发、销售及售后等服务。
客户基于自身的业务发展情况及定制化需求，对公司产品提出要求，并在公司向其提供技术设计方案后进行评审确认。待客户通过公司制定的设计方案后，根据客户的要求提供公司相关的资质材料，完成客户对公司的资质认证，并将公司纳入客户的合格供应商体系中。经履行商务谈判程序后，公司与客户按照双方确认的产品技术设计方案、验收标准及生产、交付、结算等合同条款，签订合同及技术协议书。公司组织生产并完成产品交付、产品验收程序。
（3）公司的主要产品
根据客户在晶体技术指标、产品类型及工艺路线、设备配置及技术规格参数等不同的定制化工艺方案，公司主要为半导体材料厂商及其他材料客户提供定制化晶体生长设备，以满足不同客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求。经过多年持续的研发投入和技术工艺积累，公司开发了包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉及其他晶体生长设备等主要产品，具体情况如下： ①半导体级单晶硅炉
公司生产的半导体级单晶硅炉主要应用于 8-12英寸半导体硅片制造，设备结构设计具有高稳定性、高可靠性等特点，通过配备自主研发晶体生长控制、热场系统，能够满足不同技术规格半导体级硅片的生长及制造要求。
公司半导体级单晶硅炉需达到及匹配客户晶体技术指标需求，开发与定制化产品相配套的标准化工艺方案，向客户提供定制化“晶体生长设备+工艺方案”。公司可根据不同客户关于产品技术规格及晶体生长工艺需要，实现热场结构、长晶控制系统策略、视觉识别系统、磁力线强度及分布、氧化物过滤系统等主要产品构成要素的定制化方案，可满足不同下游客户差异化应用需求。
| 产品主要系列/
型号 | 产品特点 | 应用领域 | 产品图例 |
| 8英寸半导体级单晶硅炉 | | | |
| SCG200系列 | 设备具有高稳定性、高可靠
性的结构设计，配备了自主
研发的晶体生长控制系统，
配合低能耗、高清洁度热场
系统及超导磁场，可实现全
自动长晶，生长晶体可满足
半导体级 8英寸轻掺硅片指
标要求 | 8英寸硅片制造 | |
| 12英寸半导体级单晶硅炉 | | | |
| SCG300系列 | 设备具有高稳定性、高真空
度、高可靠性的结构设计，
配备自主研发的功率控制、
锁拉速等生长控制算法，热
场系统具有高水平微缺陷控
制能力，配合水冷套、超导
磁场及基础工艺包，生长晶
体可满足 COP-FREE硅片指
标要求 | 12英寸硅片制造 | |
| SCG400系列 | 设备具有大尺寸、高抽速的
真空设计，配备先进的液面
距测量、宽幅炉压精确控
制、氧化物处理等系统，生
长晶体可满足 12英寸重掺
硅片、12-18英寸硅单晶耗
材指标的要求 | 12英寸重掺硅片及
12-18英寸半导体硅
耗材制造 | |
公司半导体级单晶硅炉完整覆盖主流 12英寸、8英寸轻掺、重掺硅片制备，生长晶体制备硅片可实现 28nm以上 CIS/BSI图像传感器芯片、通用处理器芯片、存储芯片，以及 90nm以上指纹识别、电源管理、信号管理、液晶驱动芯片等半导体器件制造，28nm以上制程工艺已实现批量化生产。
| 产品主要系列/型号 | 规格 | 半导体器件应用领域 | 可应用制程工艺 |
| SCG200MCZ单晶炉 | 8英寸 | 指纹识别、电源管理、信号管理、液
晶驱动（面板驱动）芯片 | 90nm以上 |
| SCG300MCZ系列 | 12英寸 | CIS/BSI图像传感器芯片、通用处理
器芯片、存储芯片 | 28nm以上 |
| SCG400MCZ单晶炉 | 12英寸 | 功率器件 | 65nm-90nm |
②碳化硅单晶炉
公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于 6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计一体化、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。
公司碳化硅单晶炉需满足客户在特定工艺技术路线下关于控温精度、控压精度、极限真空、压升率的指标参数要求，保证设备长晶产出的一致性和稳定性，满足客户特定压力及温度控制策略的应用需要，匹配客户晶体生长工艺/技术路线要求。针对不同客户对于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的差异化适配性需求，产品具有定制化特点。公司可根据不同客户关于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的需要，实现腔室结构、加热方式、生长过程监控、控制方式等主要产品构成要素的定制化方案，可满足不同下游客户差异化应用需求。
| 产品主要系列/
型号 | 产品特点 | 应用领域 | 产品图例 |
| JSSD系列
感应加热 PVT
碳化硅单晶炉 | 设备采用模块化结构设计，
可方便切换晶体生长尺寸和
石英腔室冷却方式；全金属
密封结构可以降低漏率；旋
转液动力的冷却方式提升了
冷却均匀性；高精度控温控
压及远程监控技术进一步提
升了设备自动化程度 | 主要用于生产 6-8英
寸碳化硅单晶衬底 | |
| SCET420系列
感应加热 PVT
碳化硅单晶炉 | 设备采用先进的电磁屏蔽技
术，同时对真空、温度等控
制参数定点标定及二次校
准，减小机差，增强批量化
生产的工艺可复制性 | | |
| | | | |
| SCMP系列
感应加热 PVT
碳化硅单晶炉 | 设备采用双线圈感应加热系
统，可实现独立运动控制及
功率加载，改善单线圈系统
轴向径向温梯耦合严重的问
题；同时配备一体式焊接结
构石英腔室、离线式装料系
统、高精度控温控压技术和
感应线圈高精度安装与定位
等技术，可实现设备高稳定
性运行 | | |
| | | | |
| 产品主要系列/
型号 | 产品特点 | 应用领域 | 产品图例 |
| SCR950系列
电阻加热 PVT
碳化硅单晶炉 | 设备采用多段式电阻加热，
可实现长晶过程中温度梯度
的动态调整；同时，先进的
气流路径规划及热场防护技
术，可降低长晶过程的热场
衰减，增加热场使用寿命，
提升温场稳定性；配备长晶
界面可视化系统，实时监测
晶体生长状态以提升长晶效
率 | | |
| SCMP/LP系列
TSSG法
碳化硅单晶炉 | 设备采用 TSSG法长晶，可
获得更高质量的晶体；配备
CCD晶体直径监测系统、厚
度监测系统，实时监测晶体
生长状态以提升长晶效率；
配合扩径工艺，可实现大尺
寸碳化硅单晶生长，同时可
获得高载流子浓度的 P型碳
化硅单晶 | | |
| | | | |
公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅 MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成 HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括 5G通信、卫星、雷达等。
| 产品类型 | 应用碳化硅衬底制备领域 | 半导体器件应用领域 |
| PVT感应加热碳化硅单晶炉 | 6-8英寸导电型/半绝缘型碳化
硅衬底 | 碳化硅二极管、碳化硅
MOSFET等功率器件；HEMT
等微波射频器件 |
| PVT电阻加热碳化硅单晶炉 | | |
| LPE法碳化硅单晶生长炉 | 6-8英寸 P型导电型碳化硅衬
底 | P型 IGBT等高功率器件 |
③其他晶体生长设备
除上述主要产品外，公司根据客户差异化应用需求，研发并供应其他材料晶体生长设备。
其中，公司自主研制的自动化拉晶控制系统（软硬件），主要应用于G10至G12太阳能电池片的制造，该全自动控制系统具有高可靠性、通用性、安全性等特点。通过配备自主研发的液面距精确控制、直径控制、生长控制等技术，可进一步提高系统的自动化程度和智能控制水平，能够满足光伏单晶硅片高效率、高产量的市场需求。该控制系统，依据多年积累的研发经验及工艺验证，在采用PIDF嵌套式、多循环控制算法的基础上，配备了自主开发的多功能视觉系统和信息化集成控制软件，可实现长晶过程全自动运行和即时监控反馈，同时可实现各辅助工步（例如复投、化料等）自动化操作，无需人工过多干预，极大地提高了客户处设备大规模生产的运行稳定性和单晶生产效率。
| 产品
类别 | 产品主要
系列/型号 | 产品简介 | 产品图例 |
| 碳化硅原
料合成炉 | HC-SCET
1000系列 | 设备采用分段式高纯度石墨电阻加热
及热场结构，温场均匀性好；通过气
流路径优化与热场防护技术，具有高
腐蚀性气氛下排杂、杂质的定向沉积
与热场稳定的特点，可满足高品质碳
化硅原料合成；设备最大装料量达到
100KG，大幅提升了原料合成效率 | |
| 氮化铝原
料提纯炉 | ANET920
系列 | 设备采用全金属保温系统，可靠的密
封设计可有效降低晶体中的碳和氧元
素含量；分段式钨网加热器温度梯度
可控，周向温度均匀性好；多种测温
方式相结合使得测温精度高；自主开
发的温度、压力控制系统，可兼容多
种温度、压力控制模式，满足不同长
晶工艺的需求 | |
| 集成电路
刻蚀用硅
材料长
晶炉 | SF280
系列 | 设备采用坩埚下降法，多温区控温，
通过优化气路设计，可有效避免热场
和晶体的相互污染；自动化程度高；
可根据需要定制晶体形状，提高效率
和原料的利用率 | |
| 自动化拉
晶控制系
统（软硬
件） | SG160
系列 | 设备采用先进的控制逻辑算法和模块
化控制设计思路，可极大提高系统的
可靠性、通用性、规模生产的重复
性；在多功能视觉系统和逻辑算法的
加持下，可实现液面距和拉速、直径
的精确测量和控制能力，且拉晶过程
从调温-引晶-放肩-转肩-等径-收尾实现
全自动化运行；配备信息化集控软
件，可实现单晶炉大批量数据的远程
监控、数据采集与分析，减少炉台间
的机差，提升批量一致化生产的良率
和产量。主要应用领域为光伏电池片
制造等。 | |
二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司基于在晶体生长设备行业多年积累的专业技术及工艺，通过持续研发，对工艺技术和设备不断优化升级，在晶体生长设备设计、晶体生长工艺及控制等技术具有优势。公司核心技术来源于自主研发，并通过专利和技术秘密的方式进行保护，主要核心技术情况如下：
| 序号 | 核心技术名称 | 核心技术先进性 |
| 1 | 晶体生长设备建模
与仿真技术 | 晶体生长设备是一个复杂的多物理场强耦合系统，晶体的
生长速率、晶体尺寸、晶体质量与该系统的参数相关性强，系
统设计的合理性对晶体生长控制至关重要。由于晶体生长环境
的特殊性，一般检测手段通常无法对系统的关键信息精确测
量，相关参数的实际值很难通过实验手段获取。同时，考虑到
晶体生长时间较长，成本较高，相关设施投入大等因素，获取
最优的生长条件难度较大。
本技术建立了一套完整的数值建模仿真体系及晶体最优生
长条件解决方案，能对晶体生长过程中的传热、电磁、流体流
动、化学反应、结构力学等物理过程进行单场或多场耦合仿
真，在缩短设备开发周期的同时可提高设计的可靠性，为设备
设计提供了大量有效的设计依据，可有效缩短设备及工艺开发
周期。 |
| 2 | 热场的设计与模拟
技术 | 单晶生长条件需要在高温下进行，同时需要良好的温度梯
度控制长晶界面，结合均匀稳定的温度场以实现单晶的稳定生
长，热场的温度梯度可控基础至关重要。本技术采用现代化的
3D模拟技术，对晶体生长过程与熔液对流进行模拟、热场设计
与优化，开发满足不同类型晶体生长的热场系统。具有低能
耗，高清洁度，高晶体品质等技术特点，同时具有较高的热场
部件使用寿命，以降低运行成本。
此外，针对传统石墨加热器直接暴露在腐蚀性气氛中，运
行一段时间后容易发生的腐蚀、阻值衰减、打火等问题，造成
工艺难以保持稳定，公司通过特殊的热场优化设计，实现了将
加热器与腐蚀性气氛有效隔离，同时通过内置石墨筒提高了加
热的均匀性。该结构设计在提高加热器使用寿命及降低成本的
同时，能显著提高加热效率，使晶体生长品质一致，良率重复
性高。 |
| 3 | 晶体生长设备设计
技术 | 晶体生长设备通常在高温及真空状态中运行，炉内材料在
高温下通常伴有复杂的化学反应。复杂的系统结构和苛刻的使
用条件使得晶体生长设备的结构和设计较为复杂。本技术涵盖
了晶体生长设备设计的关键技术环节、系统及解决方案，主要
实现了单晶生长的自动控制、生长设备腔室冷却的可靠性及均
匀性，运动控制系统的稳定性、平稳性及精确性，超高真空腔
室密封及可靠性，测量系统的稳定性及可靠性。 |
| 4 | 基于视觉图像的控
制技术 | 公司的图像系统拥有独特的控制算法和自编的CCD程序，
在晶体形貌检测、直径控制、液面距测量与精确控制等方面具
有较大的优势，对其内部缺陷及材料损耗、晶体生长过程实现
有效控制。 |
| 5 | 晶体自动化生长控
制系统及数据采集
分析技术 | 单晶生长中需要对多种工艺参数进行实时监测和控制，多
参数协同控制才可保障高品质单晶的生长。公司多年积累研发
的晶体生长自动化控制系统采用优化的PIDF嵌套式、多循环控
制等算法，能够实现快速响应、稳定精确控制，可以满足高品
质单晶的生长要求。
单晶生长过程系统需要监测大量不同的工艺参数，公司开
发的晶体生长集中式数据管理系统（Centralized Data
System），以及建立在计算机网络技术基础上的生产现场管理
系统，可实现工艺参数的实时数据化，具备百万级数据处理能
力，系统抓取频率在1秒以内，工艺参数记录和分析对于工艺 |
| 序号 | 核心技术名称 | 核心技术先进性 |
| | | 改善分析和提高生产良率有较大的帮助，可有效提高晶体生长
过程的智能化监测能力及生产效率。 |
| 6 | 半导体晶体生长工
艺开发技术 | 晶体生长工艺开发主要针对目标晶体产品的质量指标，在
多维工艺空间中搜索迭代出最优的晶体生长工艺参数配方。
晶体生长是动态变化的过程，需要根据晶体生长的状态参
量，对相应的控制变量进行调整，从而达到对晶体生长环境进
行动态监测，控制晶体生长。公司通过引入晶体重量、生长界
面、晶体外形及引晶过程可视化等多种晶体生长状态参量监测
手段，为生长过程中的动态监测及调整提供参考信息；同时，
公司建立的数值建模仿真体系能对晶体生长过程中的物理及化
学过程进行耦合仿真，有效缩短了工艺开发周期，并可提高工
艺稳定性与自适应性，实现半导体晶体生长高质量与高产量的
商业目标。 |
| 7 | 低速超高精度传动
机构设计技术 | 单晶生长过程需在坩埚升降、坩埚旋转、晶轴升降、晶轴
旋转等功能的联合作用下实现，上述功能的稳定性和精确度直
接影响晶体生长过程中的引晶、放肩、等径、收尾等环节品
质。因此低速超高精度传动机构的设计技术至关重要。
本技术采用高精度伺服驱动系统作为动力源，配备高精研
磨传动单元和精确导向机构，可实现长晶周期内升降及旋转的
低速超高精度连续平稳运动的需求，同时，传动机构兼具精确
对中与调整水平的功能，可实现晶轴与坩埚轴轴线同心度精度
高的要求。本技术能有效解决低速运动中出现的升降卡顿、旋
转失步、轴线偏摆等问题，进一步提高引晶成功率、降低晶体
断线率，提高晶体生长的稳定性。 |
| 8 | 气路系统优化设计
技术 | 晶体生长设备反应腔室的工艺气体流动会对晶体生长的热
环境，以及长晶过程中的杂质输运、化学反应、热场稳定性等
过程产生重要影响。本技术通过流体模拟仿真，优化气路结构
设计，使多气体均匀混合，合理规划单晶炉内的传质路径、抑
制化学反应发生条件以及控制化学反应发生位置，提高单晶炉
热场的稳定性，并且可有效抑制晶体内的杂质含量。 |
报告期内，公司的核心技术及其先进性没有发生重大变化。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
截至2023年6月30日，公司累计取得国内专利77项，其中发明专利28项，实用新型专利49项。此外，公司拥有计算机软件著作权4项。报告期内，公司获得新增授权专利2项。
报告期内获得的知识产权列表
| | 本期新增 | | 累计数量 | |
| | 申请数（个） | 获得数（个） | 申请数（个） | 获得数（个） |
| 发明专利 | 0 | 1 | 57 | 28 |
| 实用新型专利 | 4 | 1 | 53 | 49 |
| 外观设计专利 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 软件著作权 | 0 | 0 | 4 | 4 |
| 其他 | 0 | 0 | 9 | 9 |
| 合计 | 4 | 2 | 123 | 90 |
注：上表“其他”包括1个境外专利，8个商标权。
3. 研发投入情况表
单位：元
| | 本期数 | 上年同期数 | 变化幅度（%） |
| 费用化研发投入 | 14,173,777.43 | 9,908,235.59 | 43.05 |
| 资本化研发投入 | - | - | - |
| 研发投入合计 | 14,173,777.43 | 9,908,235.59 | 43.05 |
| 研发投入总额占营业收入
比例（%） | 12.39 | 15.23 | 减少2.84个百分
点 |
| 研发投入资本化的比重
（%） | - | - | - |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元
| 序号 | 项目名称 | 预计总投资规
模 | 本期投入
金额 | 累计投入金
额 | 进展或阶段性
成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应用前景 |
| 1 | 高品质半导体
级硅单晶工艺
开发 | 1,337.09 | 149.17 | 149.17 | 持续研发阶段 | 通过对现有的热场结构进行
优化，改善目前晶体生长过
程中液面处的温度梯度ΔGL
和晶体冷却过程特定温度区
间的冷却速度，同时采用全
新的功率控制策略，从而达
到降低晶体的缺陷密度，使
晶体品质达到近完美单晶水
平。 | 达到国内领
先水平 | 单晶硅生长 |
| 2 | 硬轴式单晶炉
开发 | 240.00 | 58.87 | 58.87 | 持续研发阶段 | 在软轴提拉式半导体单晶炉
的基础上，开发一款硬轴提
拉式的半导体单晶设备，主
要内容包括新型硬轴式提拉
头、新型旋转提拉密封方
式、新型腔体及旋转方式
等。 | 达到国内领
先水平 | 单晶硅生长设
备 |
| 3 | 设备信息化软
件系统 | 181.31 | 55.69 | 55.69 | 持续研发阶段 | 开发一套设备信息化软件系
统，可实现单晶炉大批量数
据的远程监控、数据采集和
数据分析，减少炉台间的机
差，提升炉台产量，提高良
率和一致性。 | 达到国内领
先水平 | 单晶硅生长设
备 |
| 4 | 硅单晶炉控制
系统及仿真开
发 | 180.00 | 63.95 | 63.95 | 持续研发阶段 | 开发一套单晶炉软件仿真系
统，针对单晶炉长晶控制逻
辑及工艺需求，用不同的控 | 达到国内领
先水平 | 单晶硅生长设
备 |
| 序号 | 项目名称 | 预计总投资规
模 | 本期投入
金额 | 累计投入金
额 | 进展或阶段性
成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应用前景 |
| | | | | | | 制策略进行模拟验证，提高
单晶炉自动化程度。 | | |
| 5 | 8英寸碳化硅单
晶炉改进 | 277.04 | 147.88 | 147.88 | 持续研发阶段 | 在公司8英寸碳化硅单晶炉
的基础上，立足于客户使用
过程中的痛点问题，制定相
应解决方案，持续对设备张
晶良率、稳定性、自动化进
行优化。 | 达到国内领
先水平 | 碳化硅单晶生
长 |
| 6 | 碳化硅单晶炉
自动化系统开
发 | 158.73 | 41.87 | 41.87 | 持续研发阶段 | 鉴于碳化硅晶体生长速率
慢，长晶周期长，机台数量
多的特点，本项目拟通过设
备集中监控、AGV自动拆装
炉、长晶过程实时动态调整
手段等实现长晶车间的全自
动运行。 | 达到国内领
先水平 | 碳化硅单晶生
长 |
| 7 | SG160单晶炉改
进项目 | 445.41 | 95.89 | 335.72 | 持续研发阶段 | 结合SG160单晶炉长晶的实
践经验，进行设备改进和优
化，主要改进优化内容包
括：机械结构的改进和PLC
控制系统的优化，36-40寸热
场的研发、炉外加料机的研
发。 | 达到国内领
先水平 | 光伏单晶硅生
长 |
| 8 | 高效太阳能硅
单晶生长工艺
开发 | 350.00 | 171.88 | 171.88 | 持续研发阶段 | 通过对现有热场和水冷屏进
行优化，改善长晶过程中晶
体的散热条件，并结合软件
自动控制系统，研发出高拉
速、高稳定性、高容错率的
太阳能热场和单晶硅生长工
艺。 | 达到国内领
先水平 | 光伏单晶硅生
长 |
| 序号 | 项目名称 | 预计总投资规
模 | 本期投入
金额 | 累计投入金
额 | 进展或阶段性
成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应用前景 |
| 9 | Topcon N型控
氧磁拉单晶炉
研发 | 252.38 | 0.00 | 0.00 | 市场调研及立
项阶段 | 通过相关降氧方案设计：①
低流阻及在线管道自清洁设
计开发、②磁场模块及结构
设计开发（横向及勾型）、
③氩气流量及抽速设计、④
热场结构优化、⑤控养功能
控制模块的开发、⑥电极可
升降功能的开发等，开发出
可满足topcon n型硅片低氧
含量需求的新一代光伏单晶
炉。 | 达到国内领
先水平 | 光伏 |
| 10 | 电阻炉大尺寸
碳化硅单晶生
长工艺研究 | 250.00 | 102.41 | 102.41 | 持续研发阶段 | 采用碳化硅长晶过程可视化
操作系统，对碳化硅生长过
程的界面推进速度和界面形
状进行监控，通过调整温度
梯度，减少大尺寸碳化硅晶
体生长中引长速及界面形状
造成的内应力和微观缺陷，
研发出高品质、低缺陷、稳
定化碳化硅单晶生长工艺。 | 达到国内领
先水平 | 碳化硅原料合
成 |
| 11 | 碳化硅原料合
成工艺优化 | 190.00 | 84.45 | 84.45 | 持续研发阶段 | 优化现有的硅粉和碳粉的原
料配比及混料技术并对目前
的合成炉热场进行优化改
进，得到高纯度、粒径分布
均匀、高筛选通过率的碳化
硅原料。 | 达到国内领
先水平 | 碳化硅原料生
长工艺 |
| 12 | 大公斤碳化硅
原料合成炉开
发 | 160.00 | 56.42 | 140.10 | 持续研发阶段 | 在公司原有碳化硅原料合成
炉的基础上，开发新一代碳
化硅原料合成平台，装料量
进一步扩容，同时对耗材成 | 达到国内领
先水平 | 碳化硅原料合
成 |
| 序号 | 项目名称 | 预计总投资规
模 | 本期投入
金额 | 累计投入金
额 | 进展或阶段性
成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应用前景 |
| | | | | | | 本、操作维护、设备功能等
方面进行全方位升级。 | | |
| 13 | 多片式CVD设备
开发 | 1,500.00 | 144.85 | 144.85 | 持续研发阶段 | 开发出一款均匀性好，自动
化程度高的多片式碳化硅外
延设备。 | 达到国内领
先水平 | 碳化硅外延 |
| 14 | CVD传片、调度
系统开发 | 449.00 | 6.84 | 6.84 | 持续研发阶段 | 开发一套晶圆传输调度平
台，实现8英寸晶圆的自动
装载、拿取。平台机构配备
标准接口，可对接CVD或其
他各类型工艺腔室。配套调
度系统，可通过采集PM设备
信号，实现整体调度，完成
连续生产操作。 | 达到国内领
先水平 | 碳化硅外延 |
| 15 | 多线切割机设
备开发 | 616.15 | 49.20 | 49.20 | 持续研发阶段 | 针对8英寸硬脆性材料，开
发一款满足高品质、高速、
高效切片的多线切割整机设
备。 | 达到国内领
先水平 | 硬脆性材料切
片 |
| 16 | SOI硅片生长系
统开发 | 426.00 | 85.50 | 85.50 | 持续研发阶段 | 开发新型热场结构、优化控
制软件，可满足SOI硅片高
阻低氧需求的晶体生长设
备。 | 达到国内领
先水平 | 射频芯片应用 |
| 17 | 定制化高温真
空设备开发 | 414.92 | 30.85 | 30.85 | 持续研发阶段 | 根据客户需求开发定制化高
温真空类设备：镁提纯炉、
碳化硅涂层炉、锑化镓单晶
炉、锗单晶生长炉、碳化硅
原料合成炉、晶体退火炉
等。 | 达到国内领
先水平 | 薄膜沉积及晶
体生长 |
| 18 | 液面距视觉控
制系统升级 | 135.62 | 60.06 | 60.06 | 持续研发阶段 | 在液面距稳定控制的基数
上，开发绝对液面测量和校
准功能，提高液面距控制系 | 达到国际领
先水平 | 长晶工艺控制 |
| 序号 | 项目名称 | 预计总投资规
模 | 本期投入
金额 | 累计投入金
额 | 进展或阶段性
成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应用前景 |
| | | | | | | 统的精确性、重复性，进一
步提高自动化控制程度、提
高晶棒的品质。 | | |
| 19 | TaC涂层设备开
发 | 133.31 | 7.70 | 7.70 | 持续研发阶段 | 结合公司多年来在高温设备
领域积累的经验，以及成熟
的仿真模拟技术，设计出一
款产量高，生产成本低的碳
化钽涂层设备。 | 达到国内领
先水平 | 碳化钽涂层制
备 |
| 20 | 固体源蒸发控
制系统开发 | 73.00 | 0.00 | 0.00 | 市场调研及立
项阶段 | 开发一套固体源蒸发控制系
统，用于200℃以上熔点源物
质的高精度输送控制。 | 达到国内领
先水平 | 碳化钽涂层制
备 |
| 合计 | / | 7,769.96 | 1,413.48 | 1,736.99 | / | / | / | / |
（未完）
