[中报]纳芯微(688052):2023年半年度报告

时间：2023年08月23日 17:52:40 中财网

原标题:纳芯微:2023年半年度报告

公司代码：688052 公司简称：纳芯微

苏州纳芯微电子股份有限公司
2023年半年度报告

重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示
公司已在本报告中描述公司面临的风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”相关内容，请投资者予以关注。

三、公司全体董事出席董事会会议。

四、本半年度报告未经审计。

五、公司负责人王升杨、主管会计工作负责人朱玲及会计机构负责人（会计主管人员）朱玲声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无。

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来发展计划、发展战略、经营计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。

九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否
十二、其他
□适用 √不适用

目录
第一节释义..................................................................................................................................... 4
第二节公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节公司治理 ........................................................................................................................... 36
第五节环境与社会责任 ............................................................................................................... 39
第六节重要事项 ........................................................................................................................... 41
第七节股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 67
第八节优先股相关情况 ............................................................................................................... 75
第九节债券相关情况 ................................................................................................................... 75
第十节财务报告 ........................................................................................................................... 75

备查文件目录	载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表
	载有现任法定代表人签字和公司盖章的2023年半年度报告全文及摘要
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
纳芯微、公司、本公司	指	苏州纳芯微电子股份有限公司
纳芯微电子有限公司	指	苏州纳芯微电子有限公司，系公司前身
远景科技	指	远景科技国际有限公司，系公司一级全资子公司
纳矽微	指	上海纳矽微电子有限公司，系公司一级全资子公司
纳芯微深圳	指	纳芯微电子（深圳）有限公司，系公司一级全资子公司
襄阳臻芯	指	襄阳臻芯传感科技有限公司，系公司参股公司
上海海春微	指	上海海春微电子有限公司，系公司一级全资子公司
苏州万芯微	指	苏州万芯微电子科技有限公司，系公司一级全资子公司
苏州纳希微	指	苏州纳希微半导体有限公司，系公司一级全资子公司
苏州纳星	指	苏州纳星创业投资管理有限公司，系公司一级全资子公司
上海澜芯	指	上海澜芯半导体有限公司
重元纳星创业投资	指	苏州工业园区重元纳星创业投资合伙企业（有限合伙），系公司参股的合伙企业
华业纳星创业投资	指	苏州华业纳星创业投资合伙企业（有限合伙），系公司参股的合伙企业
苏州和煦	指	苏州和煦管理咨询合伙企业(有限合伙) ，系公司控股的合伙企业
德国纳芯微	指	Novosense Microelectronics Germany GmbH，系公司全资孙公司
韩国纳芯微	指	Novosense Microelectronics Korea Co., Ltd，系公司全资孙公司
日本纳芯微	指	Japan Novosense Microelectronics Co., Ltd，系公司全资孙公司
瑞矽咨询	指	苏州瑞矽信息咨询合伙企业（有限合伙）
纳芯壹号	指	苏州纳芯壹号信息咨询合伙企业（有限合伙）
纳芯贰号	指	苏州纳芯贰号信息咨询合伙企业（有限合伙）
纳芯叁号	指	苏州纳芯叁号信息咨询合伙企业（有限合伙）
国润瑞祺	指	苏州国润瑞祺创业投资企业（有限合伙）
慧悦成长	指	深圳市慧悦成长投资基金企业（有限合伙）
上云传感	指	深圳市上云传感投资合伙企业（有限合伙）
物联网二期基金	指	上海物联网二期创业投资基金合伙企业（有限合伙）
苏州华业	指	苏州华业致远一号创业投资合伙企业（有限合伙）
长沙华业	指	长沙华业高创私募股权基金合伙企业（有限合伙）
天博智能	指	天博智能制造（山东）有限公司（曾用名：曲阜天博国际贸易有限公司）
深创投	指	深圳市创新投资集团有限公司
红土善利	指	深圳市红土善利私募股权投资基金合伙企业（有限合伙）
聚源聚芯	指	上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙）
重元优芯	指	上海重元优芯信息科技合伙企业（有限合伙）（曾用名：苏州工业园区元禾重元优芯创业投资合伙企业（有限合伙））
元禾重元贰号	指	苏州工业园区元禾重元贰号股权投资基金合伙企业（有限合伙）
江苏疌泉	指	江苏疌泉元禾璞华股权投资合伙企业（有限合伙）
聚源铸芯	指	苏州聚源铸芯创业投资合伙企业（有限合伙）
国科瑞华三期	指	深圳市国科瑞华三期股权投资基金合伙企业（有限合伙）
小米长江	指	湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙）
汇创新	指	汇创新（深圳）私募股权基金管理有限公司
平雷投资	指	海南平雷创业投资有限公司（曾用名：深圳市平雷资本管理有限公司）
哇牛智新	指	嘉兴哇牛智新股权投资合伙企业（有限合伙）
常用词语释义
得彼一号	指	共青城得彼一号产业投资合伙企业（有限合伙）（曾用名：深圳市得彼一号产业投资合伙企业（有限合伙））
永鑫融慧	指	苏州永鑫融慧创业投资合伙企业（有限合伙）
苏民投君信	指	苏民投君信（上海）产业升级与科技创新股权投资合伙企业（有限合伙）
嘉睿万杉	指	苏州嘉睿万杉创业投资合伙企业（有限合伙）
津盛泰达	指	西藏津盛泰达创业投资有限公司
嘉睿聚创	指	永春嘉睿聚创创业投资合伙企业（有限合伙）
纳芯微 1号资管计划	指	国泰君安证券资管－招商银行－国泰君安君享科创板纳芯微 1号战略配售集合资产管理计划
光大富尊	指	光大富尊投资有限公司
宁波盛橡	指	宁波盛橡企业管理有限公司
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
《公司章程》	指	《苏州纳芯微电子股份有限公司章程》
集成电路、芯片、IC	指	采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互联在一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，使之成为具有所需电路功能的微型结构。IC是 Integrated Circuit的英文缩写，即集成电路，也可以称为芯片
MOSFET	指	金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器件使用以实现特定功能
IGBT	指	绝缘栅双极性晶体管，具备 MOSFET和双极型晶体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作频率高等特点
GaN	指	Gallium Nitride，氮和镓的化合物，一种第三代半导体，主要应用为半导体照明和显示、电力电子器件、激光器和探测器等领域
模拟信号	指	用连续变化的物理量所表达的信息，如温度、湿度、压力、长度、电流、电压等，通常又把模拟信号称为连续信号，它在一定的时间范围内可以有无限多个不同的取值
数字信号	指	自变量是离散的，因变量也是离散的信号，典型的就是当前用最为常见的二进制数字来表示的信号。在实际的数字信号传输中，通常是将一定范围的信息变化归类为状态 0或状态 1，这种状态的设置大大提高了数字信号的抗噪声能力
模拟芯片	指	一种处理连续性模拟信号的芯片。常见的模拟芯片主要包括线性产品、转换器产品、隔离与接口产品、射频与微波产品、各类 ASIC 芯片、各类电源管理芯片及驱动芯片等
混合信号芯片	指	一种结合模拟电路和数字电路的芯片，其内部既能包含电压源、电流源、运算放大器、比较器等模拟电路基本模块，又能包含倒相器、寄存器、触发器、MCU、内存等数字电路基本模块。混合信号芯片也属于模拟芯片的范畴
ASIC	指	Application Specific Integrated Circuit的英文简称，即专用集成电路，是指应特定用户要求或特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路
传感器	指	用于侦测环境中所生事件或变化，并将此讯息传送出至其他电子设备（如中央处理器）的装置，通常由敏感元件和转换元件组成
敏感元件	指	传感器的重要组成部分，能敏锐地感受某种物理、化学、生物的信息并将其转变为电信息的特种电子元件
常用词语释义
传感器信号调理 ASIC 芯片	指	是对传感器敏感元件输出的模拟信号进行放大、转换和校准的专用芯片，也称 Sensor Signal Conditioner IC
数字隔离芯片	指	指标准数字隔离芯片、集成电源的数字隔离芯片（也称隔离电源芯片）、隔离接口芯片、隔离驱动芯片、隔离采样芯片等采用数字隔离工艺的产品
ADC	指	Analog-to-Digital converter的英文简称，即模拟数字转换器，是用于将模拟形式的连续信号转换为数字形式的离散信号的器件
MCU	指	Microcontroller Unit的英文简称，即微控制单元，又称单片微型计算机或单片机，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减，并将内存（memory）、计数器（Timer）、USB、A/D转换、UART、PLC、 DMA等周边接口，甚至 LCD驱动电路都整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制
MEMS	指	Micro-Electro-Mechanical System的英文简称，即微机电系统，是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。主要由传感器、动作器（执行器）和微能源三大部分组成
CMOS	指	Complementary Metal Oxide Semiconductor的英文简称，即互补金属氧化物半导体，是一种集成电路的设计工艺，可以在硅质晶圆模板上制出 NMOS（n-type Metal-Oxide-Semiconductor）和 PMOS（p-type Metal-Oxide-Semiconductor）的基本元件，由于 NMOS与 PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为 CMOS
DC-DC 电源	指	是指将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压的电源
PLC	指	Programmable Logic Controller的英文简称，即可编程逻辑控制器，可用于内部存储程序、执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数与算术操作等面向用户的指令，通过数字或模拟式输入/输出控制各种类型的机械或生产过程，是工业控制的核心部分之一
流片	指	为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电路是否具备所需要的性能和功能
I2C	指	一种通讯接口标准
CAN	指	一种通讯接口标准
LIN	指	一种通讯接口标准
OOK	指	On-Off Keying的英文简称，即二进制启闭键控，以控制正弦载波的开启与关闭的方式进行调制解调。该调制方式的实现简单，在通信系统应用广泛
浪涌	指	瞬间出现超出稳定值的峰值，包括浪涌电压和浪涌电流。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲
AOP	指	Acoustic Overload Point的英文简称，是麦克风在总谐波失真小于 10%时所能承受的最大声压级，又叫声压过载点
CMTI	指	Common Mode Transient Immunity的英文简称，即共模瞬态抗扰度，是指瞬态穿过隔离层以破坏驱动器输出状态所需的最低上升或下降斜率
ESD	指	Electro-Static discharge的英文简称，即静电释放。静电通常瞬间电压超过千伏，会烧毁未有效防护的电路
VDE	指	欧洲最有测试经验的试验认证和检查机构之一，该机构会依据德国 VDE国家标准、欧洲标准或 IEC国际电工委员会标准对电工产品进行检验和认证
UL	指	全球检测认证机构、标准开发机构，其已成为世界知名的检测认证机构之一
常用词语释义
CQC	指	中国质量认证中心，是经中央机构编制委员会批准，由国家市场监督管理总局设立，委托国家认监委管理的国家级认证机构
AEC-Q100	指	由汽车电子协会 AEC（Automotive Electronics Council）所制定的规范，主要是针对车载应用的集成电路产品所设计出的一套应力测试标准
AEC-Q103	指	由汽车电子协会 AEC（Automotive Electronics Council）根据车载 MEMS特性制定出的专项标准，用于车载 MEMS的车规级认证；其中，针对车规级 MEMS压力传感器的 AEC-Q103认证与 AEC-Q100 认证相比，在可靠性测试中增加了压力载荷，来模拟芯片实际的运行环境
BMS	指	监测电池的电压、电流、温度等参数信息，并对电池的状态进行管理和控制的装置
电源抑制比/PSRR	指	即 Power Supply Rejection Ratio，把电源的输入与输出看作独立的信号源，输入与输出的纹波比值即是电源抑制比。电源抑制比越大，代表输出信号受到电源的影响越小
共模抑制比	指	即 Common Mode Rejection Ratio，是放大电路对差模信号的电压增益与对共模信号的电压增益之比的绝对值。该指标越高，表示抗共模干扰能力越强
报告期、本报告期	指	2023年 1月 1日至 2023年 6月 30日
报告期末、本报告期末	指	2023年 6月 30日
元、万元、亿元	指	人民币元、人民币万元、人民币亿元

第二节公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称	苏州纳芯微电子股份有限公司
公司的中文简称	纳芯微
公司的外文名称	Suzhou Novosense Microelectronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写	Novosense
公司的法定代表人	王升杨
公司注册地址	苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园C1-501
公司注册地址的历史变更情况	1、2016年10月10日，公司注册地址由苏州工业园区仁爱路150号第二教学楼A104室变更为苏州工业园区若水路388号E1105室； 2、2019年12月25日，公司注册地址由苏州工业园区若水路388号E1105室变更为苏州工业园区金鸡湖大道88 号人工智能产业园C1-501。
公司办公地址	苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园C1-501
公司办公地址的邮政编码	215000
公司网址	www.novosns.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	无

二、联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	姜超尚	王一飞
联系地址	苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园C1-501	苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园C1-501
电话	0512-6260 1802-823	0512-6260 1802-823
传真	0512-6260 1802	0512-6260 1802
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《证券日报》
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引	无

四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所科创板	纳芯微	688052	无

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、其他有关资料
□适用 √不适用
六、公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元币种：人民币

主要会计数据	本报告期（1－6月）	上年同期	本报告期比上年同期增减(%)
营业收入	723,676,719.81	793,518,574.33	-8.80
归属于上市公司股东的净利润	-131,604,299.70	195,026,542.09	-167.48
归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润	-178,351,436.97	163,123,080.37	-209.34
经营活动产生的现金流量净额	-260,167,586.85	-259,411,444.49	不适用
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	6,543,027,968.67	6,497,545,971.59	0.70
总资产	7,090,426,770.67	6,860,678,536.40	3.35

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期（1－6月）	上年同期	本报告期比上年同期增减(%)
基本每股收益（元／股）	-0.93	2.32	-140.09
稀释每股收益（元／股）	-0.93	2.32	-140.09
扣除非经常性损益后的基本每股收益（元／股）	-1.26	1.94	-164.95
加权平均净资产收益率（%）	-2.00	7.80	减少9.80个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%）	-2.71	6.52	减少9.23个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	46.23	13.21	增加33.02个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1. 本期营业收入为 72,367.67万元，同比下降 8.80%，主要系受整体宏观经济及半导体周期下行，以及客户去库存行为等因素的影响，终端市场需求疲软。

2. 本期归属于上市公司股东的净利润为-13,160.43万元，同比下降 167.48%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-17,835.14万元，同比下降 209.34%；本期归属上市公司股东的净利润和归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润下降主要是因为：1) 受整体宏观经济及半导体周期下行，以及客户去库存行为等因素的影响，终端市场需求疲软，公司营业收入同比下降；且行业下行周期内受供需关系变化的影响，公司毛利率有所下降；2) 公司注重在行业下行周期的人才、技术积累，在研发投入、市场开拓、供应链体系、质量管理、人才建设等多方面持续的资源投入，使得公司销售费用、管理费用、研发费用持续上升；3) 因公司 2022年度实施限制性股票激励计划等，本报告期内摊销的股份支付费用 19,283.49万元，较上年同期增长较大，若剔除股份支付费用的影响，公司 2023年 1-6月实现归属于母公司所有者的净利润 6,123.06万元，实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 1,448.35万元。

3. 本期经营活动产生的现金流量净额为-26,016.76万元，主要系随着业务规模的增长，公司购买商品、接受劳务支付的现金和支付的职工薪酬及费用规模大幅增加，从而使得经营活动产生的现金流出增大；
4. 本报告期末归属于上市公司股东的净资产为 65.43亿元，较上年末增长 0.70%；总资产为70.90亿元，较上年末增长 3.35%；
5. 本期基本每股收益、稀释每股收益为-0.93元/股，同比下降 140.09%；扣除非经常性损益后的基本每股收益为-1.26元/股，同比下降 164.95 %；加权平均净资产收益率为-2.00%，同比减少 9.80个百分点；扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率为-2.71%，同比减少 9.23个百分点。

6. 本期研发投入占营业收入的比例为 46.23%，同比增加 33.02个百分点，主要系公司研发人员人数及平均薪酬均有所增长，计入研发费用的股份支付费用金额也大幅增加。2023年上半年，公司研发人员平均薪酬为 37.95万元/人，同比增长 12.89%；2023年 6月末，公司研发人员人数同比增加 107人；另 2023年上半年，公司计入研发费用的股份支付费用金额为 16,262.88万元，同比增加 1631.67%。

七、境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	658,295.29	第十节七、73/75
越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外	9,421,890.18	第十节七、67/74
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费	2,189.73
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融	42,276,691.45	第十节七、68/70
非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	-3,862.76	第十节七、74/75
其他符合非经常性损益定义的损益项目	507,697.56	第十节七、67
减：所得税影响额	6,115,764.18
少数股东权益影响额（税后）
合计	46,747,137.27

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用

九、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节管理层讨论与分析
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）公司主营业务情况说明
1、主要业务情况
公司是一家高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。公司以『“感知”“驱动”未来，共建绿色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命，坚持『可靠、可信赖、持续学习、坚持长期价值』企业价值观，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。

公司专注于围绕下游应用场景组织产品开发，聚焦传感器、信号链和电源管理三大产品方向，提供丰富的半导体产品及解决方案，并被广泛应用于汽车、泛能源及消费电子领域。目前已能提供 1,700余款可供销售的产品型号。

报告期内，公司主营业务未发生重大变化。 2、主要产品和服务情况公司产品涵盖传感器、信号链和电源管理三大产品领域，被广泛应用于汽车、泛能源及消费电子领域，其中泛能源领域主要是指围绕能源系统的工业类应用，从发电端、到输电、到配电、再到用电端的各个领域，包括光伏储能、模块电源、工控、电力电子、白电等。公司产品具体情况如下：（1）传感器产品
公司传感器产品主要包括磁传感器、压力传感器、温湿度传感器，具体如下：

产品类型	主要产品	主要特点
磁传感器	集成式电流传感器、线性电流传感器、角度传感器等	主要基于霍尔效应原理，为基于聚磁环的大量程电流检测提供高精度的解决方案，可被广泛应用于电动汽车电驱系统的相电流检测、工业系统中工业电机控制和光伏逆变器等电流模块的大电流检测。
压力传感器	表压传感器、绝压传感器、差压传感器等	主要基于硅的压阻效应并采用先进的 MEMS微加工工艺，能够实现宽温度范围下的微低压压力检测（-100kPa 到 400kPa），同时产品出厂的预校准能大幅简化客户系统设计，可广泛应用于汽车电子、工业控制、医疗电子、白色家电等市场。
温湿度传感器	模拟输出温度传感器、数字输出温度传感器、温度传感器等	主要采用晶体管 PN结温度效应并集成高精度信号调理电路。其超高输出精度和极低的功耗可广泛应用于工业、医疗、便携式设备、家用电器、可穿戴设备以及电脑、服务器等市场，同时丰富的封装形式也可广泛适用于多种环境与设备。

（2）信号链产品
信号链芯片是系统中信号从输入到输出的路径中使用的芯片，包括信号的收集、放大、传输和处理的全部过程，主要包括线性产品、隔离产品、转换器产品、接口产品等。公司信号链产品涵盖了信号链细分领域中的信号调理芯片、隔离、接口、放大器等，具体如下：

产品类型	主要产品	主要特点
传感器信号调理芯片	MEMS麦克风 ASIC、热电堆传感器 ASIC、 PIR传感器 ASIC、压力传感器 ASIC、磁传感器 ASIC等	信号调理芯片将公司自主设计的各个电路模块集成至一颗芯片中，能够实现传感器信号的采样、放大、模数转换、传感器校准、温度补偿及输出信号调整等多项功能，性能和成本都得到了大幅优化，是传感器系统的核心部件，被广泛应用于汽车电子、工业自动化、智能家居、TWS 耳机消费电子等场景。
隔离器系列	数字隔离器、隔离接口、隔离电源、隔离采样等	基于 CMOS工艺，通过电容耦合技术利用电容内部的电场变化来实现数字信号的传输。另外，公司在标准数字隔离芯片的基础上，陆续开发出了超宽体隔离器、“隔离+” 产品。“隔离+”产品集成了电源、接口等多类型的数字隔离芯片，能够同时实现电源、接口隔离和信号隔离，具有高集成度、低成本、小型化等优势，被广泛应用于汽车电子、泛能源、消费电子等领域。
通用接口	CAN/LIN接口、I2C 接口等	接口芯片是基于通用和特定协议且具有通信功能的芯片，广泛应用于电子系统之间的信号传输，可提高系统性能和可靠性。
工业汽车 ASSP	工业变送器 ASIC、汽车智能执行器电机驱动 SoC等	为工业或者汽车行业中的特定应用开发的应用专用物料。
通用信号链	电压基准、放大器、数据转换器等	以运放（包括通用运放，精密运放，电流放大器等），通用的电压基准，通用比较器，通用模拟开关，分立的 ADC/DAC等为基础的标准模拟信号链芯片。在工业、汽车等应用场合作为模拟电路的基础元器件被广泛使用。

（3）电源管理产品
电源管理芯片是在电子设备系统中实现对电能的变换、分配、检测及其他电能管理职责的芯片，是电子设备中的关键器件，电源管理芯片同步于电子产品技术和应用领域升级，产品种类繁多。公司的电源管理产品主要包括栅极驱动、供电电源、LED驱动、电机驱动、功率路径保护等芯片产品，具体如下：

产品类型	主要产品	主要特点
栅极驱动	隔离驱动、非隔离驱动等	用来驱动 MOSFET、IGBT、SiC、GaN 等功率器件的芯片，能够放大控制芯片（MCU）的逻辑信号，包括放大电压幅度、增强电流输出能力，以实现快速开启和关断功率器件。被广泛应用在工业、通信、新能源汽车等不同领域的开关电源和电机控制设计中。
电机驱动	直流有刷电机驱动、继电器与螺线管驱动等	用来驱动 BDC、Stepper、Relay、Valve、BLDC 等多种电机负载的芯片，能够在控制芯片（MCU）的逻辑信号输入下，开通或切换驱动输出，以实现系统驱动多种电机负载按需求动作。被广泛应用在工业，汽车等不同领域的电机控制设计中。
LED驱动	线性 LED驱动等	支持完整的诊断保护，并具有恒流精度高和散热能力强等特点，主要应用于汽车尾灯、前灯、内饰氛围灯等场景。
供电电源	LDO、电压监控等	专为汽车电池供电应用场景而设计，非常适合待机功耗要求高的汽车应用，给待机系统中的 MCU和 CAN/LIN收发器供电，达到省电和延长电池寿命的目的。
产品类型	主要产品	主要特点
功率路径保护	电子保险丝等	适合驱动阻性、容性、感性等多种负载类型，并支持完整的诊断保护功能。主要应用于车身控制器、整车控制器、配电控制器、BMS等场景。

（二）公司经营模式报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。 1、研发模式公司产品的生产流程包括集成电路设计、晶圆制造、芯片封装、芯片测试四个环节，芯片的设计与研发是公司业务的核心。公司已制定了规范的研发流程，包括需求提出、项目立项、设计开发、工程导入、认证与试量产和量产等阶段。公司在研发各阶段严格把控产品质量，除需求提出环节外，各环节均需通过由研发负责人、产品线负责人和质量负责人组成的项目评审会的评审。公司具体的研发流程如下： 2、采购及生产模式
报告期内，公司的晶圆制造、芯片封装和绝大部分测试均由委外厂商完成，少部分产品的封装测试环节由子公司纳希微承接。为了保证对公司产品交期和质量的管控，公司制定了《供应商管理控制程序》，规定了对供应商的选择、管理和年度考核细则；制定《采购控制程序》规定了委外加工、设备及软件采购等业务的申请、验收程序。另外，为了规范入库产品的验收、存放等内控流程，公司制定了《仓库作业规范》和《仓库管理控制程序》规定，制定了仓库内部接收、入库、存储到发货的全流程规范。

3、销售模式
报告期内，公司根据客户需求情况及行业惯例，采用直销与经销相结合的销售模式。直销模式是指公司直接将产品销售给终端客户，经销模式是指公司将产品买断性地销售给经销商。公司成立初期以直销模式为主，直接面向最终客户并与其建立长期、稳定的合作关系，进而逐步拓展市场。随着公司产品品类的丰富、应用领域的拓展以及客户数量的增长，为了更好地服务和管理资源，提高公司品牌宣传力度及市场占有率，进一步打开下游市场。

（三）公司所属行业情况说明
公司所处行业属于集成电路设计行业。根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520）。公司所处行业情况具体如下：
1、模拟芯片市场概况
从全球市场来看，2023年上半年，受宏观经济下行、终端消费市场需求疲软以及库存过剩等因素影响，全球半导体产业销售额维持在低位，据美国半导体工业协会（SIA）数据显示，2023年 1-6月全球半导体产业销售额为 2,453.4亿美元，同比下降 19.4%。

2023年 6月初，世界半导体贸易统计组织（WSTS）下调了 2023年半导体行业市场规模增长预估，由去年 11月份预测的同比下降 4.1%下调至下降 10.3%，至 5,150亿美元。从产品类型来看，WSTS认为，通胀加剧和终端设备市场疲软，将对依赖消费者支出的集成电路及其细分品类造成较大打击。从终端应用来看，并非所有半导体需求都持续低迷，与电动汽车、可再生能源相关的需求将保持强劲，需求急剧攀升的生成式 AI也推升部分逻辑芯片需求。

从国内市场来看，2023年上半年国内集成电路产量及销售出现下降的情况。据工信部及海关数据显示，2023年上半年，国内集成电路产量 1,657亿个，同比下降 3%；2023年上半年国内集成电路进口量降至 2,277亿个，同比下降 18.5%。

从市场竞争状况来看，受下游终端需求疲软、消费信心下降等因素影响，半导体行业进入调整期，2023年上半年模拟芯片行业库存水位提高，产品销售价格承压。同时海外模拟芯片头部企业采取一些积极的市场竞争策略，试图抢占更多中国市场份额，国内模拟芯片市场竞争加剧。

短期来看，2023年上半年仍处于半导体行业调整期，同时半导体行业下行也给国内模拟芯片公司带来了更多行业并购整合的机会。由于模拟芯片产品品类繁多，下游应用领域广泛，有相对较高的设计难度及相对较长的研发与验证周期，外延并购可以为模拟芯片厂商快速积累核心技术、提升竞争力并扩大市场份额，也是模拟芯片公司快速发展的重要途径。2023年 7月 18日及 8月 2日，公司披露了《关于签订股份收购意向协议的公告》及《关于签订股份收购意向协议的进展公告》，公司已与昆腾微电子股份有限公司 30名股东签署了《意向协议》，拟通过现金方式收购其30名股东合计持有昆腾微电子股份有限公司 67.60%股权。本次收购有助于公司进一步完善公司的技术 IP组合，扩充产品料号，完善产品解决方案，提升公司在战略市场包括汽车、泛能源等围绕客户开发更多品类、满足客户更多需求的能力。

2、主要下游市场概况
新能源汽车产销量保持稳步增长。根据中国汽车工业协会数据，2023年 1-6月，汽车产销分别完成 1,324.8万辆和 1,323.9万辆，同比分别增长 9.3%和 9.8%。其中新能源汽车产销分别完成378.8万辆和 374.7万辆，同比分别增长 42.4%和 44.1%，2023年上半年新能源汽车的市占率达到28.3%以上。随着汽车逐步向电动化、网联化、智能化、共享化发展，汽车销量的增长将继续对汽车电子芯片形成较大拉动。

传统工业市场需求整体平淡。根据 MIR 睿工业统计，2022年中国自动化整体市场规模 2,963.9 亿元，同比增长 1.4%；2023上半年自动化整体市场规模 1,519亿元，同比下降 2.4%；其中一季度自动化市场规模 795亿元，同比下降 1.9%；二季度自动化市场规模 724亿元，同比下降3.1%，预计 2023年整体市场仍处于恢复阶段。

光伏等新能源市场保持较快成长。根据国家能源局数据统计，2023年 1-6月国内光伏累计新增装机 78.42GW，同比增长 154%，其中 6月新增 17.21GW，同比增长 140%，环比增长 33%。

根据美国清洁能源协会数据，2023年上半年美国电池储能投运 1.5GW/5.1GWh，同比增长 32%。

根据国家能源局数据，截至 2023年 6月底，国内新投运新型储能装机规模约 8.63GW /17.72GWh，相当于此前历年累计装机规模总和。

消费电子领域对上游芯片需求呈现改善趋势，主要是消费类下游客户经历一年多去库存后整体库存水位已处低位，为应对下半年的生产旺季有补库存需求。

二、核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司报告期内新增 3项核心技术，公司以信号链技术为基础，在模拟及混合信号领域开展了自主研发工作，并在传感器、信号链、电源与驱动、第三代功率半导体五大领域形成了多项核心技术，上述核心技术均已应用于公司主要产品。截至本报告期末，公司核心技术具体情况如下：

序号	核心技术名称	核心技术先进性及表征
1	传感器信号调理及校准技术	该技术实现了传感器信号调理 ASIC芯片的等效输入零漂<1uV，共模抑制比大于 100dB，可用于对各种小电压输出传感器的精确放大；另外，该技术可解决 MEMS麦克风芯片在前置放大（Preamp）过程中信号过大带来的谐波失真问题，其 AOP指标最高可达到 133dB；在信号校准方面，该技术涵盖多种校准模式和校准算法，可适用于多种类型传感器的应用，校准精度可达 0.1%。同时，也提供了传感器的开短路、过压、过流、高温等诊断技术，产品自身的诊断功能可以在出现异常时发送特定的信号或代码，降低失效带来的意外风险
2	高压/反压保护电路技术	该技术可在常规工艺条件下，实现车规级传感器信号调理 ASIC 芯片超过+/-30V的高压/反压保护能力，在恶劣的工况环境下可以提供更好的工作稳定性
3	高精度 CMOS温度传感器技术	CMOS 该技术实现了温度传感器高精度、高线性度的测温性能，在-50℃-150℃范围内，误差小于+/-0.75℃；在体温范围内误差小 +/-0.2℃ 0.015℃ 50ms 于，分辨率达。温度转换加传输时间、温度转换电流 30μA、脉冲通信阶段 1μA
4	高性能高可靠性 MEMS压力传感器技术	采用该技术的集成式压力传感器芯片具有高灵敏度、高稳定性的特点，产品灵敏度大于 10mV/V，综合精度小于 0.2%F.S.，寿命周期内精度和稳定性优于 1%F.S.等；另外，通过该技术可实现极低量程（低至 200Pa）以及满足车规级 AEC-Q103标准的集成式
序号	核心技术名称	核心技术先进性及表征
		压力传感器芯片
5	MEMS压力传感器低应力耐介质封装 StripTest 及三温自动化测试校准技术	低应力耐介质封装技术适用于微压 MEMS传感器产品，能够基本消除外壳带来的应力，采用该技术的 MEMS气压式水位传感器可达到全温区 1%精度。StripTest流水线自动化批量标定系统，应用于自研绝压和差压产品的三温并行标定测试，具有单颗全流程追溯功能，可以降低测试成本，提高标定效率
6	基于“Adaptive OOK”信号调制的数字隔离芯片技术	该技术可使公司的数字隔离芯片实现大于±200kV/μS的 CMTI。同时，在极端环境下，该技术能够保护数字隔离芯片的内部器件在 CMTI大于±300kV/μS时不被损坏；同时，该技术解决了传统 OOK技术信号抖动过大的问题，可将信号抖动控制在 1ns左右
7	高压隔离工艺	该工艺通过调整隔离栅的材料配比，在不影响产品电性能的前提下，大幅度提升了安规隔离耐压和浪涌冲击能力，采用该技术的产品均通过 DIN VDE0884-11 Reinforced Isolation（增强绝缘）认证
8	隔离电源芯片设计技术	该技术可以使隔离电源传输效率接近 50%，并且能实现宽范围电压输入，输出电压精度可以达到 2%以内。采用该技术的隔离电源芯片具有软启功能，能够保护输出侧的电路不受过压冲击，保障输入侧电源的稳定供电。通过该技术可以实现在输出短路或输入电压过大时保护芯片，增强了器件的可靠性
9	功率驱动技术	该技术可以使隔离驱动芯片的 CMTI达到±150KV/μS，具有很强的抗共模干扰能力。该技术还可在芯片掉电或者供电不足时，防止芯片误输出信号。采用该技术的产品能够实现小于 35ns传输延时和小于6ns的波形脉宽失真，并具有 4A~6A大电流的驱动能力。公司的隔离驱动芯片能够满足 VDE、UL、CQC等安规要求
10	高精度隔离电压/电流检测技术	该技术实现了高压端电压/电流信号的检测和放大，并通过隔离通信技术传输到低压端进行进一步处理。该技术采用了多种校准、补偿技术，使产品的增益误差<0.3%、失调<100uV、非线性度 <0.03%、CMTI大于±100kV/μS，且具有极低温漂和 100dB左右的电源抑制比、输入共模抑制比
11	磁传感技术	该技术实现了基于电磁感应原理的电流检测，可提供具有高隔离等级的高边电流检测功能，电路采用低噪声低失调技术，实现全温度<5mV零点误差，<1.5%灵敏度误差, 400KHz带宽，1us响应时间,灵敏度从 0.5mV/G到 30mV/G可配置。集成电流路径的磁电流产品可实现 5A~65A电流检测
12	LED 驱动技术	该技术为 LED提供恒定的驱动电流，具有 PWM调光和外部可配电阻两种调光方式；该技术具有完善的诊断、保护及自动恢复功能；采用了“Thermal-blancing”方案，支持使用外部 shunt电阻突破芯片散热功率限制，有效提升芯片的电流驱动能力
13	线性稳压器技术	该技术具备超低功耗特性，可以使线性稳压器在空载静态功耗仅为 5uA的条件下，满足 3-40V输入电压范围，最大输出 500mA 负载电流同时兼备完整的保护功能，包括输入和输出欠压，输出限流保护。此外，该技术引入动态极点补偿，实现整个宽负载范围和宽输出电容组合范围内的环路稳定性
14	汽车域控多路驱动芯片技术	该技术利用多种高低压隔离环和多种高低压器件完成高压驱动芯片的安全设计。内部集成带反馈的高精度电荷泵、高压 LDO、浮
序号	核心技术名称	核心技术先进性及表征
		动轨等多个电源轨；并集成复杂的数字控制逻辑以及可配置的驱动电流时序，实现改善驱动延时，提高驱动效率，优化驱动级电压转换速率等以改善系统 EMI的影响；集成高共模高精度可调增益高压运放，帮助简化系统设计
15	直流电机驱动技术	该技术通过监控驱动 FET 的栅极电压和多级驱动电流方式，精准控制 FET 的导通和关断时间。该技术还可以判断栅极驱动是否输出异常，实现完整的驱动 VGS 与 VDS 监控保护功能和负载输出状态（OPEN LOAD, STG, SCB, SHORT LOAD）诊断。采用该技术的芯片能够在输出短路或过载时保护驱动芯片和负载，提高系统可靠性，同时也一并优化系统效率和 EMI 等重要指标
16	高压模拟电路及 MCU 技术	该技术通过将高压模拟电路、eFlash以及 ARM处理器集成在一个芯片内来满足高度集成模拟电路的 SoC的设计。采用该技术的 MCU芯片可以在一个芯片中集成 LIN总线接口电路，集成 40V 的高压供电 LDO电源，集成 40V高压功率级输出。这样的 MCU 芯片在应用上做到极小的周边电路面积，满足大部分的 Formfactor的应用场合
17	开关型稳压器技术	该技术包含 DC-DC降压稳压器、DC-DC升压稳压器和 flyback 反激稳压器等拓扑结构。DC-DC降压稳压器可实现从 3~100V的宽输入范围，输出电压可调，输出电流 1~10A，具有极高转换效率同时兼备完整的保护功能。Flyback 反激稳压器具有宽输入范围，从 4~40V, 集成了软启动、可调 UVLO和短路保护等完整的保护功能，支持多种反馈模式
18	第三代功率半导体技术	该技术利用先进第三代半导体材料（也称宽禁带半导体）碳化硅，实现大功率开关管及二极管等功率器件应用。与第一代半导体硅材料相比，在提升功率器件耐压能力的同时可以大大降低导通电阻及开关损耗，解决了传统功率器件在大功率大电流情况下发热严重，效率低的问题。碳化硅二极管基于混合式 PIN-肖特基二极管技术，推出了 1200V 系列产品，可实现超低导通电压<1.4V,极低的反向漏电流 uA级，额定电流 10倍以上的抗浪涌电流能力；碳化硅 MOSFET器件基于平面栅工艺，推出新一代自对准高电流密度产品，可实现优异的比导通电阻参数<4mohm2，损耗更低，同时兼容 15V/18V驱动电压。该技术常用于光伏、储能、充电桩、电动汽车充电机、主驱动等电力电子场景，用以降低系统损耗，成本及体积等参数。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
苏州纳芯微电子股份有限公司	国家级专精特新“小巨人”企业	2023年第五批	/

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司新增中国境内知识产权项目申请 22件，其中发明专利 18件，获得中国境内知识产权项目授权 15件，其中发明专利 10件。此外，报告期内公司新增中国境外知识产权项目申请 2件。
报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	18	10	118	43
实用新型专利	4	5	53	54
软件著作权	0	0	12	13
其他	6	2	61	60
合计	28	17	244	170

注：1、上表“其他”为集成电路布图设计。

2、上表为公司在中国境内的知识产权情况，不含境外知识产权情况。

3. 研发投入情况表
单位：万元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	33,458.25	10,484.86	219.11
资本化研发投入
研发投入合计	33,458.25	10,484.86	219.11
研发投入总额占营业收入比例（%）	46.23	13.21	增加 33.02个百分点
研发投入资本化的比重（%）

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司注重在行业下行周期的人才、技术积累，在研发投入、人才建设等多方面持续的资源投入，公司研发人员人数及平均薪酬均有所增长，计入研发费用的股份支付费用金额也大幅增加。

2023年上半年，公司研发人员平均薪酬为 37.95万元/人，同比增长 12.89%；2023年 6月末，公司研发人员人数同比增加 107人；另 2023年上半年，公司计入研发费用的股份支付费用金额为16,262.88万元，同比增加 1,631.67%。

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序号	项目名称	预计总投资规模	本期投入金额	累计投入金额	进展或阶段性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用前景
1	适用氮化镓功率器件专用芯片的研发	2,000.00	804.71	804.71	持续开发	开发适配 E-Mode GaN FET专用驱动芯片及合封 Power Stage产品，集成 SR控制及驱动电压调节功能，适配各种厂商GaN FET	国内领先	数字电源类，光伏逆变器等
2	基于霍尔/磁阻效应的磁性传感器芯片研发	16,500.00	2,485.46	2,485.46	持续开发	研发符合 AEC-Q100标准的车规级磁传感器芯片，支持-24V~28V 过压反压保护，达到 1%的绝对精度，实现国产芯片在磁传感器领域中高端应用上的突破；其中包括磁性位移，电流，速度等传	国内领先	主要应用于汽车电子领域、工业领域
序号	项目名称	预计总投资规模	本期投入金额	累计投入金额	进展或阶段性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用前景
						感器。
3	面向于泛能源和新能源汽车应用的硅基功率器件研发	1,000.00	128.27	128.27	持续开发	开发车规级 650V、750V、1200V 30A至 280A IGBT各等级单管产品，以及车规级 650V 15A至 70A 超级结功率 MOSFET系列产品，全面覆盖新能源车电控，电源，热管理，光伏，储能等应用场景。	国内领先	新能源车电控，电源与热管理系统，泛能源
4	LED驱动芯片研发	9,500.00	2,176.92	5,608.76	持续开发	研发符合 AEC-Q100标准的车规级线性 LED驱动，支持 5V~40V 宽输入范围，实现 LED负载的全错误诊断和保护功能，完整覆盖汽车尾灯、日间行车灯、车内照明灯和车内氛围灯的应用。	国际领先	主要应用于汽车电子领域
5	基于化合物半导体的功率器件研发	1,500.00	55.08	55.08	持续开发	开发车规与工规 650V，1200V， 1700V SiC MOSFET产品系列，涉及 TO247-3，TO247-4,TO263 等封装，全面覆盖新能源电源，热管理，光伏，数字电源的应用场景。	国内领先	新能源车电源与热管理系统，光伏数字电源
6	步进马达驱动芯片研发	1,000.00	163.27	163.27	持续开发	开发车规级 32/64/128/256细分步进马达驱动芯片系列，驱动电流达 1.5A以上，内部集成电流检测，智能衰减模式，自带各种保护功能，如欠压，短路，负载检测等等。	国内领先	汽车热管理，车灯等
7	低功耗 MEMS麦克风信号调理芯片研发	4,000.00	284.53	284.53	持续开发	低功耗，高 PSRR，高 AOP/SNR 的数字麦克风 ASIC。	国际领先	手机内高性能数字麦克风模组
8	基于新工艺平台的非隔离驱动研发	2,000.00	499.52	499.52	持续开发	基于新工艺平台，开发 35V， 120V，200V，600V，单通道，半桥非隔离驱动产品系列。实现性能更优，成本更低，驱动电流覆盖 1A~5A。	国内领先	新能源车电源与电控，泛能源
9	高性价比隔离栅极驱动器的研发	4,000.00	1,500.87	1,500.87	持续开发	基于新工艺平台，开发耐压 30V+，单通道，半桥，智能隔离驱动产品系列。实现性能更优，成本更低，驱动电流覆盖 1A~15A，进一步提升抗干扰性能。	国际领先	新能源车电源与电控，
10	多路高低边驱动芯片研发	2,000.00	335.55	335.55	持续开发	开发车规及工规级单路/双路/4 路/8路低边，可配置高低边驱动芯片系列，RDSon覆盖 90mohm 到 1mohm，集成负载检测及各种保护功能。	国内领先	新能源车车身电子，工业自动化
11	高集成度专用ASSP	11,000.00	2,487.15	6,373.03	持续开发	研发符合 AEC-Q100标准的车规级电机控制器系列，内置控制 MCU+驱动半桥以及集成功率管，支持 BLDC，BDC，Stepper	国内领先	主要应用于新能源车热管理系统和车身管理系统
12	高集成隔离电源芯片的研发	3,000.00	808.54	1,411.93	持续开发	开发高可靠性低 EMI的隔离电源产品，EMI达到工业 ClassB的标准。	国际领先	主要应用于工业控制、电源、电力电表
13	高精度温/湿度传感器芯片研发	2,600.00	939.34	939.34	持续开发	研发集成式温湿度传感器芯片，湿度精度可达+-3%，LGA封装和	国内领先	主要应用于工业领域，
序号	项目名称	预计总投资规模	本期投入金额	累计投入金额	进展或阶段性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用前景
						DFN 两种封装；DFN 封装应用在工业，汽车领域；LGA 封装应用在消费领域，IoT市场。		汽车电子领域，消费和 IoT领域
14	高精度信号链 AFE	5,900.00	2,088.35	5,205.46	持续开发	量产高精度 24bits-ADC和基准芯片。	国内领先	工业自动化
15	高可靠性压力传感器研发	3,500.00	1,801.58	1,801.58	持续开发	通过小尺寸、小量程、低噪声 MEMS芯片+传感器信号调理 ASIC芯片，低应力集成封装技术，实现差压传感器的 4~100kPa 量程和绝压传感器的 100~400kPa量程，全温域可达精度 1%。	国内领先	主要应用于汽车电子领域、工业领域，医疗领域
16	高性能高可靠性的隔离采样芯片的研发	7,000.00	1,871.51	1,871.51	持续开发	开发工业级隔离模拟信号采样芯片，主要为高性价比隔离电压采样芯片研发。	国际领先	主要应用于工业控制、电源、电力电表
17	高性能高可靠性 I2C接口芯片研发	600.00	174.01	290.44	持续开发	开发工业级和汽车级的 I2C接口类芯片，补全产品系列。	国内领先	主要应用于汽车电子领域和工业领域
18	高压固态继电器芯片开发	2,000.00	380.02	935.63	持续开发	开发高可靠性固态继电器芯片。	国内领先	主要应用于汽车电子领域、工业领域
19	工业和通讯类接口芯片研发	4,000.00	1,224.32	1,919.97	持续开发	开发符合工业级高可靠性的接口芯片，主要分为多点低压差分接口 MLVDS芯片和隔离 CAN接口芯片。	国内领先	主要应用于通信设备、工业控制等领域
20	马达驱动芯片研发	20,900.00	2,877.01	8,697.38	持续开发	开发符合工业级和汽车级的马达驱动芯片，主要分为直流有刷电机预驱动器、单通道 H桥马达驱动器、多通道低边与半桥马达驱动器。其中单通道 H桥马达驱动器需要支持到 40V的工作电压，驱动峰值电流达到 3.6A，导通阻抗在 0.52欧姆。四路低边马达驱动器需要支持 55V的工作电压，每个通道电流能力达到 3A的峰值电流，导通阻抗达到0.26欧姆多通道半桥马达驱动器可以 36V 工作电压下支持多路直流有刷电机同时工作。	国内领先	主要应用于工业控制，新能源汽车、车身电子等领域
21	汽车功能安全隔离驱动芯片	5,000.00	1,097.98	3,624.52	持续开发	开发符合汽车功能安全 ISO26262 ASIL-D 认证及 AEC-100标准的车规级智能隔离栅极驱动芯片，从设计，仿真，验证，生产制造全流程符合汽车功能安全流程要求，产品驱动电流达到+/-15A，集成多通道高精度 ADC，集成上电自检与诊断功能，同时适配 IGBT 与 SiC MOSFET，多模式，多功能的保护功能。	国内领先 CMTI 指标国际领先	主要应用于新能源车电控
22	汽车级接口芯片研发	8,000.00	1,871.91	4,273.28	持续开发	开发满足 AEC-Q100标准的高可靠性 LIN、CAN等接口芯片，LIN 芯片需要满足 SAE J2602和 ISO	国内领先	主要用于汽车电子领域
序号	项目名称	预计总投资规模	本期投入金额	累计投入金额	进展或阶段性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用前景
						17987标准，支持 40V的电源耐压，静态功耗小于 10uA，系统 ESD达到 6kV。
23	数字隔离芯片技术和工艺改进	300.00	0.63	106.48	持续开发	在原有隔离类产品的基础上提升隔离耐压等性能。	国际领先	主要应用于汽车电子领域、工业领域
24	通用电源芯片研发	12,000.00	2,260.77	5,329.23	持续开发	研发符合 AEC-Q100标准的车规级通用供电电源芯片，包含一次侧和二次侧的 LDO、降压型 DC-DC、升压型 DC-DC等。	国际领先	主要应用于汽车电子领域、工业领域
25	通用功率路径保护芯片研发	12,500.00	1,914.70	4,091.67	持续开发	本项目在同类产品中技术定位处于国内领先，国际先进水平。典型的应用场景包括车载娱乐、智能座舱、整车控制器、车身域控制器等电子系统，满足客户对高可靠性车规级功率路径保护 IC 的需求。相关产品能够广泛应用在汽车领域，实现下游产业的智能化升级及芯片的进口替代。	国内领先	主要应用于汽车电子领域
26	同步整流功率级研发	2,000.00	290.44	290.44	持续开发	开发适用于 AI服务器板卡 Vcore 供电新型拓扑的同步整流功率级芯片，实现高达 70A/CH电流能力，集成故障回报，短路保护，过温保护等各种保护功能。	国际领先	AI服务器电源
27	新一代高性价比数字隔离芯片的研发	2,000.00	680.18	827.35	持续开发	研发高性价比数字隔离芯片。	国际领先	主要应用于汽车电子领域、工业领域
28	音频功放芯片研发	8,000.00	1,820.86	2,221.72	持续开发	开发符合车规的音频功放芯片，主要分为四通道，两通道和单通道。输入方式包含模拟与数字，其中 4通道最高功率需要达到 4*150W，每个通道峰值电流会到 10A，此外由于功率比较高，需要使用粗铜线工艺与大散热封装。	国内领先	主要用于车载多媒体
29	直流有刷马达驱动芯片研发	3,000.00	434.74	434.74	持续开发	开发车规及工规级集成功率 MOSFETH桥驱动，3.5A~20A驱动电流系列产品。多通道预驱芯片系列，集成负载诊断及各种保护功能。	国内领先	车身电子及娱乐系统
合计	/	156,800.00	33,458.22	62,511.72	/	/	/	/

注：上表数据分项相加与合计项存在尾差系四舍五入所致。（未完）