[中报]中微公司(688012):2023年半年度报告
原标题:中微公司:2023年半年度报告 中微半导体设备（上海）股份有限公司 2023年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“五、风险因素”部分内容。 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人 GERALD ZHEYAO YIN（尹志尧）、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负责人（会计主管人员）陈伟文声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币2.00元（含税）。截至审议本次利润分配预案的董事会召开日，公司总股本为618,198,523股，以此计算合计拟派发现金红利人民币123,639,704.60元（含税），占公司2023年半年度合并报表归属母公司股东净利润的12.33%。本次利润分配不送红股，不进行资本公积金转增股本。本事项已经第二届董事会第十六次会议审议通过，尚需提交股东大会审议。 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本半年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义................................................................................................................................... 17 第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................................................................... 18 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 22 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 53 第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 56 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 58 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 71 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 78 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 78 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 79
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2023年上半年度公司营业收入为 25.27亿元，同比增长 28.13%。公司的刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，市场占有率不断提高。在国际最先进的 5 纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的 CCP刻蚀设备实现了多次批量销售，已有超过 200台反应台在生产线合格运转。公司的 ICP刻蚀设备不断地核准更多刻蚀应用，迅速扩大市场并不断收到领先客户的批量订单。本期刻蚀设备收入为 17.22 亿元，较上年同期增长约 32.53%，毛利率达到 46.16%；公司的另一主打产品 MOCVD 设备在新一代 Mini-LED 产业化中，在蓝绿光 LED 生产线上继续保持绝对领先的地位，本期 MOCVD 设备收入 2.99亿元，较上年同期增长约 24.11%，毛利率达到 37.90%。 2023年上半年度归属于上市公司股东的净利润为 10.03亿元，较上年同期增加约 5.35亿元，同比增长约 114.40%，主要系本期收入和毛利增长下扣除非经常性损益的净利润较上年同期增加，以及公司于 2023 年上半年出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约 4.06 亿元（非经常性收益）。 2023年上半年度归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 5.19亿元，较上年同期增加 0.78亿元，同比增长 17.75%。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用 单位：万元 币种：人民币
第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）所属行业情况 半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键。没有能加工微米和纳米尺度的光刻机，等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件越做越小，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。一个国家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体微观加工设备的强国。 近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的最重要的引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值 40%以上，而且在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。 中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距，但发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升，目前占比约20%。 微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工工艺的变化。存储器件从 2D到 3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合拳“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，市场的年平均增长速度远高于其他的设备，这给以刻蚀机和薄膜设备为主打产品的中微公司带来了成长机会。 近年来泛半导体产业的发展和非常迅猛。 三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展迅速。这些器件所需的 MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路在很多种设备，很多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠 MOCVD设备实现。而且这个设备的大部分市场在中国大陆。近年来，中国 LED芯片产业的快速发展带动了作为产业核心设备的 MOCVD设备需求量的快速增长。 （二）公司主营业务情况 公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。 公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从 65纳米到 14纳米、7纳米和 5纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司的薄膜沉积设备已付运客户端验证评估，已如期完成多道工艺验证，目前更多应用正在验证当中。公司 MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED设备制造商。 公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下： 1、刻蚀设备
报告期内，公司主营业务未发生变化。 （三）主要经营模式 1、盈利模式 公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜沉积设备和 MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。 2、研发模式 公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。 公司按照刻蚀设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。 3、采购模式 为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。 4、生产模式 公司主要实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。 5、营销及销售模式 公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的区域销售和支持部门。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备、薄膜沉积设备和 MOCVD等设备的过程中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已达到国际先进水平。 1、刻蚀设备技术 报告期内，公司紧跟技术发展趋势和客户需求，坚持自主创新，致力于产品的差异化，持续强化刻蚀设备的技术领先优势。在深耕成熟刻蚀工艺市场的同时大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发。 在逻辑芯片制造方面，公司开发的 12英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单，已经在从 65纳米到 5纳米的各个技术结点大量量产；同时，先进逻辑器件制造对加工的精确性，重复性，微粒污染水平，以及反应腔之间的匹配度等都提出了更高的要求，公司着力改进刻蚀设备性能以满足 5纳米技术以下的若干关键步骤加工的要求，目前也已经获得重复订单并付运。 在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。先进存储芯片制造中最关键的超高深宽比结构刻蚀应用目前仍然被国外半导体设备公司垄断。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的全套解决方案，相应的开发了配备超低频偏压射频的 ICP刻蚀机用于超高深宽比掩膜的刻蚀，并且开发了配备超低频高功率偏压射频的 CCP刻蚀机用于超高深宽比介质刻蚀。这两种设备都已经开展现场验证，目前进展顺利。 此外，公司和国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、微机电系统等领域不断拓展应用，持续获得订单。公司通过与国际领先客户合作，积极参与新兴器件制造技术的研发，在超构透镜（Metalenses）和基于 12英寸晶圆的微机电系统制造等方面都取得可喜的进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的研发和试产。 在不断扩大刻蚀应用市场占有率和提升产品性能的同时，公司从成立伊始就致力于建立完整且稳定的供应商体系。近年来，公司持续加大供应商本土化和多元化的投入，在合作的深度和广度上进一步加强，为产品降本增效和供应链安全稳定提供更加坚实的保障。 2、MOCVD设备技术 公司用于蓝光 LED的 Prismo D-Blue?、Prismo A7? MOCVD设备能分别实现单腔 14片 4英寸和单腔 34片 4英寸外延片加工能力，Prismo A7?设备已在全球氮化镓基 LED MOCVD市场中占据领先地位。 公司用于制造深紫外光 LED的高温 MOCVD设备 Prismo HiT3?，其反应腔最高工艺温度可达 1400度，单炉可生长 18片 2英寸外延晶片，并可延伸到生长 4英寸晶片，已在行业领先客户端用于深紫外 LED的生产验证并获得重复订单。 公司用于 Mini-LED生产的 MOCVD设备 Prismo UniMax?，具有行业领先的高产能和高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达 4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制。Prismo UniMax?配置了 785mm大直径石墨托盘，可实现同时加工 164片 4英寸或 72片 6英寸外延晶片，有效提高产能并降低生产成本。该设备使用了创新的多区辅助加热调节系统，能精确控制托盘局部区域温度，有助于更大程度上提升 LED波长均匀性。Prismo UniMax?已在领先客户端大规模量产。 公司用于硅基氮化镓功率器件用 MOCVD设备 Prismo PD5?，具有高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达 4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，仅通过更换石墨托盘即可实现 6英寸与 8英寸工艺的便捷切换，Prismo PD5?设备已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。 公司用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，即将开展样机在客户端的验证测试，下一代用于氮化镓功率器件制造的 MOCVD设备及制造 Micro-LED应用的新型 MOCVD设备也正在按计划开发中。 3、薄膜沉积设备技术 公司已在短时间内实现多种 LPCVD设备的研发交付以及 ALD设备(原子层沉积)的重大突破，多款新产品研发项目在快速推进。公司完全自主设计开发的双台机 CVD钨设备，在达到业界领先生产率的同时，保证了较低的化学品消耗，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件接触孔填充应用、DRAM器件接触孔应用，以及 3D NAND器件中的多个关键应用需求。公司开发的新型号 CVD钨设备用创新的工艺解决方案，满足了器件中超高深宽比的接触孔填充要求。公司开发的 ALD钨设备，能够满足 3D NAND等三维器件结构中金属钨的填充需求。同时公司在开发的另一 ALD产品系列，具有业界领先的阶梯覆盖率、均一性和输出效率，能够满足先进逻辑和存储器件中金属阻挡层和金属栅极的应用需求。 国家科学技术奖项获奖情况 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用
2. 报告期内获得的研发成果 具体内容见下表 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 √适用 □不适用 2023年上半年度，公司研究开发支出共计 46,030.41万元，政府补助抵减研发费用 3,025.24万元，研究开发支出净额为 43,005.17万元。其中：计入研发费用 29,174.56万元，开发支出资本化13,830.61万元。本期研发投入资本化的比重增加 18.95%，主要系本期在研项目达到资本化标准的金额增加。 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：亿元
5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币
6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用 公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。公司围绕这一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队持续研发创新并推出有技术和市场竞争力的产品。 （一）突出的创始人及技术团队保证公司在高端半导体设备研发和运营的竞争优势 中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队之一。 中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过 30年的行业经验，是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始人、核心技术人员和重要的技术、工程人员，包括各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计，为公司产品和技术发展做出了不可替代的贡献。 中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，公司共有研发人员 634名，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及 MOCVD设备，并实现了大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。 公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务不断创新改进。 （二）持续高水平的研发投入，提前布局产业发展 持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导体制造对设备的可靠性、稳定性和一致性提出了极高的要求，半导体设备行业技术门槛较高，行业新进入者需要经过较长时间的技术积累才能进入该领域。 公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自主研发和创新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比。公司具有一支技术精湛、勇于创新的国际化人才研发队伍，形成了良好的企业创新文化，为公司持续创新和研发提供保障力量。 公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至 2023年 6月 30日，公司已申请 2,359项专利，其中发明专利 1,991项；已获授权专利 1,425项，其中发明专利 1,202项。 在逻辑集成电路制造环节，公司开发的 12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于 5纳米、5纳米以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在 3D NAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于 64层和 128层的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司的? ? MOCVD设备 Prismo A7、Prismo UniMax能分别实现单腔单腔 34片 4英寸和 41片 4英寸外延? 片加工能力。公司的 Prismo A7与 Prismo UniMax设备技术实力突出，已在全球氮化镓基 LED MOCVD市场中占据领先地位。公司和诸多一流的 LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。公司开发的 12英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及3D NAND器件的多个工艺的制程要求，同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储器件接触孔和金属互联填充设备的开发和工艺验证。 公司高端设备产品和技术处于世界先进水平，产品研发提前布局，符合行业发展趋势。 （三）持续优化营销和服务网络，打造客户认证及服务优势 经过多年的努力，公司凭借在刻蚀设备及 MOCVD设备领域的技术和服务优势，产品已成功进入了海内外半导体和 LED制造企业，形成了较强的客户资源优势。 设备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。随着半导体和 LED制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供快捷的技术支持和客户维护。 公司良好的产品性能表现以及专业售后服务能力已在业内树立了良好的品牌形象。 （四）持续拓展泛半导体设备产品，扩大产品覆盖优势 公司的设备产品覆盖集成电路、MEMS、LED等不同的下游半导体应用市场，具有不同的周期性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。 （五）建立全球化采购体系，持续提升公司生产交付的服务水平 公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严格考核，并对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球约 400家供应商建立了稳定的合作关系。同时，公司注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地保障了公司产品零部件供应和服务水平的持续提升。 （六）充分发挥员工积极性，推动高效和谐的企业文化 公司高度重视企业管理文化建设，经过多年的实践发展，形成了以“四个十大”的企业管理文化，包括 “产品开发的十大原则”、“战略销售的十大准则”、“营运管理的十大章法”和“精神文化的十大作风”。秉承“攀登勇者，志在巅峰”企业精神，不断攀登新的技术和发展高峰。 公司在成立初期就为设备的产业化确立了十项设计和开发的基本原则：（1）为达到设备的最高性能和客户最严要求而开发；（2）为技术的创新、设备的差异化和 IP保护而开发；（3）为实现加工的重复性和反应器一致性而开发；（4）为确保设备的可靠性和耐用性而开发；（5）为达到极少的颗粒和避免器件损害而开发；（6）为设备容易制造和容易维护而开发；（7）为设备模块化、同制化、容易改进和升级而开发；（8）为设备安全性和环境保护而开发；（9）为设备的高输出、低成本、低消耗和高利润而开发；（10）严格遵循五阶段产品开发管理流程（PDP）。遵循这十项原则，公司在最初开发和设计的阶段就充分考虑设备在生产线上可能出现的问题和解决方案，使得公司开发的产品能较快地实现产业化，成为操作简单、性能可靠、好用耐用的设备。 公司业务发展战略和销售十大准则：（1）三维市场和产品发展战略；（2）有机生长和外延扩展战略；（3）客户导向与引领市场战略；（4）立足中国和全球布局战略；（5） 自立自强和合纵连横战略；（6）新产品导入策略；（7）关键客户管理策略；（8）谈判技巧和策略；（9）客户组织内全方位的布局；（10）客户满意的服务策略。 公司运营管理的十大章法：（1）目标管理制度 （MBO）；（2）关键绩效指标管理制度（KPI）；（3）民主集中的决策机制；（4）全员持股的股权期权激励；（5）跨部门合作的矩阵管理；（6）严格且智能的生产和供应链管理；（7）系统的“三全”质量管理制度；（8）严格的法务、合规和知识产权管理；（9）季度审查总结会制度（QCR）；（10）环境、社会和公司治理（ESG）。 公司精神文化的十大作风：（1）自立自强，主动积极；（2）志存高远，进取不息；（3）诚信务实，说到做到；（4）大胆建言，勇于创新；（5）智慧决策，全力执行；（6）看人长处，认己不足；（7）换位思考，善于倾听；（8）厚德载物，乐于助人；（9）严守机密，纪律严明；（10）大局为重，合作共赢。 (二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 四、 经营情况的讨论与分析 数码产业越来越成为国民经济发展的最主要引擎，作为数码产业的基石，加工集成电路和各 种微观器件的半导体设备产业，也越来越成为人们最关注的硬科技产业。作为国内外半导体高端 设备的领先公司，中微公司顺应这一形势，迎来了大发展的机会。 中微的主打产品等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最 多、工艺过程开发难度最高的设备。由于光刻机的波长限制和 2 维芯片到 3 维芯片的发展，等 离子体刻蚀设备越来越成为关键制约设备，也成为十大类关键设备市场最大的一类，占半导体前 道设备总市场约22%。公司布局的薄膜设备（主要是化学薄膜和外延设备）是除光刻机和刻蚀机 外第三大设备市场。此外，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备。 微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制成的革命性变化。存储器件从 2D 到 3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合拳“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，近年来市场的年平均增长速度远高于其他的设备，这给以刻蚀机和薄膜设备为主打产品的中微公司带来了高速成长机会。 近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的 MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路需要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠 MOCVD设备实现，而且这个设备的大部分市场在中国大陆。近年来，中国 LED芯片产业的快速发展带动了作为产业核心设备的 MOCVD设备需求量的快速增长。 公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。 公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。 公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康 领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各 自细分领域取得了卓有成效的进展。 此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目正在顺利 推进中，在南昌的约 14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于 2023年 7月正式投入使 用；公司在上海临港的约 18万平方米的生产和研发基地主体建设已完成，上海临港滴水湖畔约 10万平方米的研发中心暨总部大楼也在顺利建设，为今后的大发展夯实基础。 （图：中微南昌生产和研发基地项目整体航拍图） （图：上海临港生产和研发基地项目整体航拍图） 报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。 报告期内重点任务完成情况 报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果： 1、产品研发及客户拓展方面 公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2023年上半年公司研发投入为 4.60亿元，相较去年同期增长 32.96%，占收入比例为18.22%。 公司持续打造领先设备公司市场形象，积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和品牌优势。报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。 公司主要产品的进展情况如下： （1）CCP刻蚀设备 ? ? ? 公司 CCP刻蚀设备 Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo HD-RIE等产品已广泛应用于国 内外一线客户的生产线。截至公司 2023年第二季度，公司累计生产付运超过 2500个 CCP刻蚀反 应台。 公司已有的产品已经对 28纳米以上的绝大部分 CCP刻蚀应用和 28纳米及以下的大部分 CCP 刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对 28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士 革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的 CCP刻蚀机 Primo SD-RIE已经进入客户验证阶段。 该设备具有实时可调电极间距功能，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，能灵 活调节等离子体浓度分布和活性自由基浓度分布，可以有效的应对一体化大马士革刻蚀工艺中要 求的在同一刻蚀工艺中达到最优的沟槽和通孔刻蚀均匀性的问题，极大拓宽一体化刻蚀工艺的工 艺窗口。 在存储器件制造工艺中，超高深宽比刻蚀仍然是最为关键和困难的工艺之一，这一工艺是制 约存储器件制造技术迭代的瓶颈之一，相应的设备由国外设备供应商垄断。极高深宽比刻蚀工艺 的关键之一在于等离子体中的离子能够获得很高的能量和并且具有很好的准直性，从而能够到达 极高深宽比结构的底部促进刻蚀反应进行。公司自主开发的超高深比刻蚀机采用大功率 400KHz 取代 2MHz作为偏压射频源，通过低频射频有效提升离子入射能量和准直性，极大的提高深宽比 刻蚀的能力。目前，该超高深宽比刻蚀机已经在客户端验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的能力。 （2）ICP刻蚀设备 报告期内，公司的 ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的 50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻? 蚀设备中的 Primo Nanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>100%的年均复合增长。特别是 Nanova VE HP 和 Nanova LUX的推出，极大地扩展了 ICP刻蚀设备的验证工艺范围，在先进Nanova VE HP在 DRAM中的高深款比的多晶硅掩膜应用上，在客户的产线上认证成功。LUX也 ? 已付运至多个客户的产线上开始认证。Primo Twin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、汽车功率器 件 Power Device、微型发光二极管 Micro-LED、AR眼镜用的超透镜 Meta Lens等特色器件的产线 上实现量产，并取得重复订单。 报告期内，公司 ICP技术设备类中的 8英寸和 12英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV 200E?、Primo TSV 300E?在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单 的同时，在 12英寸的 3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户新建的 12英寸 微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司 Primo TSV 300E? 刻蚀设备拓 展了新的市场。 报告期内，公司 ICP刻蚀设备产品部门持续攻克技术难点，开展技术创新，成功地推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的 Nanova VE HP和兼顾深宽比和均匀性的Nanova LUX两种 ICP设备，增强了 ICP设备性能和工艺覆盖度，丰富了 ICP产品种类。 Nanova VE HP配备了更高功率的偏压射频发生器、配套的耐高偏压的静电吸盘和边缘阻抗动态调节装置, 提升了机台的高深宽比的刻蚀能力。边缘阻抗动态调节功能通过调整晶圆边缘的射频耦合实现对等离子体鞘层分布的调节，在高深宽比结构的刻蚀中，可以提高晶圆边缘刻蚀形貌的垂直度，并且延长反应腔清洗维护周期，提高设备利用率。 Nanova LUX集多区域温控静电吸盘、多水平脉冲射频发生器和高功率偏压射频发生器于一体。高功率偏压射频发生器能产生更高的离子能量，提升了高深宽比的刻蚀能力；多区域静电吸盘可对晶圆的局部温度进行微调，实现局部关键尺寸（Critical Dimension，CD）的调节，极大地提高晶圆内 CD的均匀性；脉冲射频发生器能形成脉冲波形，实现对等离子体的灵活调节，扩大工艺窗口。Nanova LUX在客户的晶圆上实现 3sigma为 0.5nm的片内均匀性。 上述 Nanova VE HP和 Nanova LUX的推出，拓展了公司单台机 ICP刻蚀设备 Primo nanova?家族的适用工艺制程，在全面满足 55nm、40nm和 28纳米逻辑芯片制造中的 ICP刻蚀工艺要求的基础上，拓展了在先进逻辑、先进 DRAM、更多层的 3D NAND存储芯片和特色器件等芯片制造中的应用范围。与此同时，公司在原有的双台机 ICP刻蚀设备 Primo Twin-Star?的基础上，通过研发晶圆边缘保护功能和低频偏压系统，推出了 Twin-Star SE，该设备能把同一个反应腔体内的两个反应头之间的刻蚀速率差异缩小?1?/分钟。Twin-Star SE的推出，不仅拓展了公司双台机ICP刻蚀设备在汽车功率器件、微型发光二极管 Micro-LED、AR眼镜用的超透镜 Meta Lens等特色器件的刻蚀市场，也让客户在不同芯片种类的各种刻蚀应用上有了高产出、高性价比的双台机ICP设备可供选择。至此，公司 ICP刻蚀设备形成了完整的单台和双台刻蚀设备的布局，满足客户对高刻蚀性能、高产能和高性价比的需求。 此外，报告期内，公司根据技术发展需求，有序推进先进 ICP刻蚀技术研发，为推出下一代ICP刻蚀设备做技术储备，以满足新一代的逻辑、DRAM和 3D NAND存储等芯片制造对 ICP刻蚀的需求。 （3）MOCVD设备 ? ? 报告期内，公司用于蓝光照明的 Prismo A7、用于深紫外 LED的 Prismo HiT3、用于 Mini-? LED显示的 Prismo UniMax 等产品持续服务客户。公司累计 MOCVD产品出货量超过 500腔，? 持续保持国际氮化镓基 MOCVD设备市场领先地位。其中 Prismo UniMax产品自 2021年 6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，累计出? 货量已超过 120腔，在 Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。Prismo UniMax设备拓展了公司的 MOCVD设备产品线，为全球 LED芯片制造商提供极具竞争力的 Mini-LED量产解决方案，公司正与更多客户合作进行设备评估，扩大市场推广。同时，公司也紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对 Micro-LED应用的专用 MOCVD设备正开发中。 ? （图：Prismo UniMax MOCVD设备） 公司还积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场。在氮化镓功率器件领域，随着 手机和笔记本电脑快充、数据中心等应用的快速爆发，带动氮化镓功率器件生产应用的专用设备 提速增长。2022年，公司推出了用于氮化镓功率器件生产的 MOCVD设备 Prismo PD5?，目前已 交付国内外领先客户进行生产验证，并取得了重复订单。公司也基于产业界的新需求，正开发下 一代用于氮化镓功率器件制造的新型 MOCVD设备，进一步提升公司在该领域的市场竞争力。 ? （图：Prismo PD5 MOCVD设备） 此外，随着电动汽车、光伏储能、轨道交通等应用的快速发展，市场对碳化硅功率器件的需 求呈现爆发式增长，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，目前实验室样机 取得了初步进展，后续将与潜在客户合作开展实验室样品测试，并于 2023年内交付样机至客户端 开展生产验证，进一步丰富公司的产品线。 （4）薄膜沉积设备研发 公司首台 CVD钨设备去年底付运关键存储客户端验证评估，目前验证进展顺利，已如期完成多道工艺验证，各项指标符合预期，更多应用正在验证当中。同时公司在和更多逻辑和存储客户对接验证，市场得到持续拓展。在原 CVD钨设备的基础上，公司开发了新型号 CVD钨和ALD钨设备来实现更高深宽比结构的材料填充，新型号的 CVD钨和 ALD钨设备是生产高端存储器件的关键设备，已通过关键客户实验室测试，首台量产验证机已在客户端进行测试。公司开发的应用于先进存储和逻辑器件的 ALD氮化钛设备也取得重大进展，多项指标达到国际领先水平，关键客户的实验室测试获得了良好结果，预期在 2023年下半年发往客户端进行量产验证。 在现有的金属 CVD和 ALD设备产品基础上，公司计划进一步完善先进 CVD和 ALD设备产品线，以提供先进金属 CVD和 ALD设备全品类解决方案，进一步增强和逻辑存储客户的伙伴关系，全面拓展先进金属 CVD和 ALD设备产品市场。 公司组建的 EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。目前公司 EPI设备正处于工艺调试和客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。 （5）净化设备 子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。中微惠创与德国 DAS环境专家有限公司签订战略合作协议后，双方秉承协议内容按计划实施，在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经生产制造多台净化设备，并顺利的应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。此外，中微惠创还在积极探索新能源领域的相关研究。 （图：净化设备） （6）分布式生态工业互联网平台 子公司中微汇链创新性地以区块链理念和技术为基础，通过云+链方式打造新一代分布式去中心化的工业互联网平台 We-Linkin，协助重点行业和区域产业优化资源配置、促进产业要素的价值实现与流通，充分发挥产业集群效应，为重点行业或链主企业建立资源汇聚、数据互联、流程互通、自主治理的产业协同体系。 中微汇链将公司多年来积累沉淀的业务管理最佳实践经验融入数字化应用产品开发中，致力于为中小型制造企业提供低成本、快速交付的数字化管理解决方案，不仅协助企业全面提升研发、制造、交付管理能力，还助力企业融入产业生态，参与产业创新协作体系。以创新数字化手段推动本土制造产业培育更多”专精特新”中小企业和单项冠军企业。目前，平台场景应用数量已超 70个，可订阅微服务超 300个。 中微汇链为上海市工业互联网协会以及中国物流与采购联合会区块链分会的首批理事单位、上海区块链技术协会会员单位。 报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。 2、生产基地建设 为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司正在上 海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌 产业化基地。在南昌的约 14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于 2023年 7月正式投入 使用；公司在上海临港的约 18万平方米的生产和研发基地主体建设已完成，上海临港滴水湖畔 约 10万平方米的研发中心暨总部大楼也在顺利建设，为今后的大发展夯实基础。 3、供应保障方面 公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，也非常重视零部件的国产化工作。受到全球供应链紧张的影响，公司少量零部件交期较以往有所延长，但通过公司同供应商的通力协作，公司报告期内产品按计划交付。 4、营运管理方面 公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。2023年上半年，公司获得了多项殊荣，行业认可度不断提升，在全球技术分析和知识产权服务提供商TechInsights举办的 2023年客户满意度调查(CSS)中荣获六大奖项。其中，公司在专用芯片制造设备供应商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）和薄膜沉积设备（Deposition Equipment）两个榜单中位列第一，此外公司还荣获了十大芯片制造设备专业型供应商（10 BEST Focused Suppliers of Chip Making Equipment）中排名第三；专用芯片制造设备供应商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）中排名第一；全球晶圆制造设备供应商(THE BEST Suppliers of Fab Equipment）中排名第三；基础芯片制造设备供应商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Foundation Chip Makers）中排名第五。此外，中微公司还荣获 SEMI SCC（Semiconductor Climate Consortium，SCC）碳中和与可持续发展领军企业奖。（未完）  |