[中报]东芯股份(688110):2023年半年度报告
原标题:东芯股份:2023年半年度报告 2023年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人朱奇伟及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 28 第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 31 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 33 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 66 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 72 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 72 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 73
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1.本报告期公司实现营业收入23,964.19万元，同比减少66.42%，主要系受到全球经济环境、存储行业周期下行等影响，2023年上半年较上年同期相比市场需求整体下滑明显，产品市场销售价格下降，公司营业收入大幅减少。 2.本报告期公司实现归属于上市公司股东的净利润-7,510.75万元，同比减少134.99%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-8,097.69万元，同比减少138.52%，主要系（1）2023年上半年营业收入和毛利率水平较上年同期相比大幅下降;（2）研发费用增长：本期随着研发项目的新增和现有项目的展开，研发人员、加工服务费等均较去年同期大幅增加;（3）计提的存货跌价准备增长：受下游应用市场需求疲软的影响，市场行情整体下行，产品市场价格持续下滑，根据企业会计准则规定，经谨慎性考虑后，公司对存在减值迹象的存货计提跌价准备。 3.本报告期公司研发投入占营业收入的比例为34.94%，同比增加27.22个百分点，主要系本期研发费用较上年同期大幅增加而营业收入大幅下降。 4.报告期，公司基本每股收益及稀释每股收益为-0.17元/股，较上年同期减少134.69%，扣除非经常性损益后的基本每股收益为-0.18元/股，较上年同期减少137.50%，主要系本报告期净利润较去年同期大幅下降所致。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。 图：公司产品应用示例 2、主要产品或服务 存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据 断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失 性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP： （1）NAND Flash NAND Flash 即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量 NAND Flash 主要为 MLC、TLC NAND Flash 或 3D NAND Flash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量 NAND Flash主要是 SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司 NAND Flash 产品 属于 SLC NAND Flash，凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用 领域及应用场景的需求。 公司 NAND Flash 产品核心技术优势明显，尤其是 SPI NAND Flash，该产品可提供3.3V /1.8V 两种电压，具备 WSON、BGA 多种封装形式，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储 阵列、ECC 模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提 高了公司产品的市场竞争力。凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移 动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。 图：公司NAND Flash产品 （2）NOR Flash NOR Flash 即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满公司自主设计的 SPI NOR Flash存储容量覆盖64Mb至1Gb，支持Single/Dual/Quad SPI和 QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端 等领域。 图：公司NOR Flash产品 （3）DRAM DRAM 是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制 比特（bit）来实现数据存储。DRAM 具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对 系统中的指令和数据进行处理。 公司研发的DDR3（L）产品具备高传输速率以及低工作电压。可提供1.5V/1.35V两种电压模 式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部存储阵列，是主流的内存产品。 在网络通信，消费电子，智能终端，物联网等领域均有广泛应用。 公司的LPDDR系列产品目前具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三个系列。 LPDDR1的核心电压 与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的电源电压VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V， 产品适合应用在各种移动设备中。LPDDR系列产品广泛应用于可穿戴、遥控设备等便携式产品。 图：公司DRAM产品 （4）MCP MCP 产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。 公司MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性。 图：公司MCP产品 （二）主要经营模式 公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环 节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同 时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。 公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。 在经销模式下，经销商作为上下游产业的纽带，充分了解公司产品的特性及下游应用领域，充分挖掘自身现有客户需求及潜在的客户群体，在开拓市场、提供客户维护、加快资金流转等方面具有优势。公司通过与经销商进行合作，可借助经销商积累的客户资源及服务优势有效的拓展市场，高效地完成产品营销，缩短了产品市场拓展的时间；同时，部分经销商具有一定的产品方案解决能力，能够为终端客户提供相应产品的技术支持和售后服务。经销模式有效提高了公司的运作效率，助推公司快速发展。 直销模式下，公司投入自身资源进行市场推广，直接与下游应用客户接洽产品规格和技术细节，直接向客户寻求产品设计机会，并直接提供技术支持和售后服务。公司与终端客户保持紧密联系，通过与终端客户的直接交流有助于及时感知行业变化趋势，缩短了公司的销售流程，精准把握市场需求，促进产品技术创新与改进，不断推出满足市场需求的优质产品。 （三）所处行业情况 公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据证监会发布的《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。 报告期内，受宏观经济增速放缓、地缘政治局势紧张和行业周期性波动等多重因素影响，以消费电子为代表的下游应用需求疲软，市场景气度下降，同时企业的库存问题也从下游不断传导到上游，进一步抑制了对存储芯片产品的需求。根据 WSTS 发布的数据，2023 年全球半导体市场规模预计将达到5150.95亿美元，同比下降10.28%，其中存储市场规模预计为840.41亿美元，同比下降35.24%。 在市场需求不明朗、库存高涨、业绩普遍亏损等因素叠加影响下，各大IDM厂商纷纷出台减少产出、降低投资、放缓技术升级等措施来调节供需关系缓解价格下降趋势。产能方面，根据TrendForce集邦咨询报道显示，三大IDM厂均已启动减产，三星、美光、SK海力士2023年第二季稼动率环比普遍下修。 随着海外大厂逐步退出利基市场，国产厂商迎来发展机遇，中国大陆及中国台湾厂商逐步占据了利基型存储市场的主要份额。本土厂商近年来持续加大研发投入，竞争实力不断增强。 周期性是半导体行业的常态，存储芯片行业作为强周期的行业，行业低谷不会长期持续。根据WSTS发布的数据，2024年存储市场规模预计为1203.26亿美元，较2023年上涨43.18%。随着大数据时代的向前推进，元宇宙、自动驾驶、人工智能等数据密集型应用技术不断涌现，势必将引发数据存储的浪潮。随着未来市场景气度的回升和需求的逐渐恢复，以及国产替代的巨大需求，从全球范围来看，中国市场仍有较大机会。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，主要产品核心技术情况如下：
国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用
2. 报告期内获得的研发成果 报告期内，公司申请发明专利11项（其中中国发明专利4项，美国发明专利5项，PCT国际阶段发明专利申请2项）；获得发明专利授权4项；获得集成电路布图设计权5项；新申请注册商标2项，获得注册商标1项；获得软件著作权1项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利74项、软件著作权14项、集成电路布图设计权73项、注册商标12项。截至报告期末，公司累计申请境内外专利161项，获得专利授权73项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √适用 □不适用 本期随着研发项目的新增和现有项目的展开，研发人员、加工服务费等均较去年同期大幅增加。 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：万元
5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币
6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用 公司自成立以来就聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品被广泛应用于工业控制、通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等领域。 （1）不断完善的研发体系及持续的技术创新能力 公司基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环节从业经历与经验，以客户需求为导向，建立了产品线短、中、长期的多层次开发计划，持续完善研究开发的系统化平台，为后续产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，在实际研发过程中不断积累经验，形成了多项核心技术。 （2）稳定可靠的供应链体系 公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系，保证了供应链运转效率和产品质量。报告期内公司进一步优化产业链结构，加深与国际一流晶圆代工厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。 （3）完善的质量和服务体系 公司以“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”为公司质量方针，不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。报告期内，公司完善了项目管理系统，实现了客户反馈的电子化管理平台，建立了车规质量管理体系，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度。公司建立了优秀的客户服务团队，将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成良好的处理闭环，并持续提升客户服务管理能力。 （4）优秀的人才团队建设 集成电路设计行业属于典型的技术密集型行业，公司自成立以来就坚持以人为本、创新发展，高度重视对半导体领域尤其是研发和管理领域人才的储备和培养。通过社招、校招、内推、内部培养等多种方式，公司逐步建立了一支拥有良好人才梯队、经验丰富、底蕴深厚的技术和研发团队。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员145人，占公司总人数的59.18%，其中本科及以上学历人数占比约95.86%。公司的市场、运营等其他部门的核心团队均拥有行业内知名公司多年的工作经历，具有丰富的产业经验和专业的管理能力。除了不断完善的绩效考核和薪酬体系以外，公司还通过积极的股权激励计划来充分调动员工积极性，有效促使各方共同关注公司的长远发展，确保公司发展战略和经营目标的实现。 （5）自主清晰的知识产权 公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有覆盖主流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识产权，相关知识产权自主完整、权属清晰。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利74项、软件著作权14项、集成电路布图设计权73项、注册商标12项。 (二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用 四、 经营情况的讨论与分析 2023年上半年公司受到全球经济环境、存储行业周期下行等影响，较上年同期相比市场需求整体下滑明显，产品市场销售价格下降，报告期内，公司实现营业收入2.40亿元，同比下降66.42%。 归属于上市公司股东的净利润为-7,510.75万元，较上年同期下降134.99%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-8,097.69万元，较上年同期下降138.52%。 报告期内主要业务情况： （一）持续完善产品线，升级产品结构 SLC NAND Flash产品方面，公司基于2xnm制程上持续开发新产品，不断扩充SLC NAND Flash产品线，报告期内各项新产品陆续进入研发设计、首次晶圆流片、晶圆测试、样品送样等阶段。 公司先进制程的1xnm NAND Flash产品已完成晶圆制造及功能性验证，正在进行晶圆测试及工艺调整。 NOR Flash产品方面，公司在48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash产品方面已有样品完成可靠性验证。另一方面，公司55nm制程产线的各项新产品陆续进入研发设计、晶圆制造、样片验证等阶段。公司将持续完善NOR Flash产品线，为客户提供中高容量、高可靠性的NOR Flash产品。 DRAM产品方面，公司将不断丰富DRAM自研产品组合，提高产品市场竞争力。 车规产品目前公司的SLC NAND Flash及NOR Flash均有产品通过AEC-Q100测试，公司将继续在严苛的车规级应用环境标准下开发新的高可靠性产品，扩大车规级产品线丰富度。 （二）坚持加大研发投入，重视知识产权保护 公司持续加大研发投入力度，努力建立技术领域的“护城河”。报告期内，公司研发费用0.84亿元，较上年同比增长52.05%，占当期营业收入34.94%。截至报告期末，公司研发与技术人员共145名，数量较上年同期增加46.46%。 公司高度重视知识产权的自主性与完整性，在不断开发新技术、新产品的同时，通过多种途径对相关的知识产权进行保护。报告期内，公司新申请了11项发明专利，新获得4项发明专利授权。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利74项、软件著作权14项、集成电路布图设计权73项、注册商标12项。截至报告期末，公司累计申请境内外专利161项，获得专利授权73项，专利涉及NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节。 （三）多元化布局，建设稳定供应链 公司作为Fabless设计公司，注重建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂、封测厂建立互助、互利、互信的合作关系，打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。报告期内，公司坚持维护与上游合作伙伴的稳定合作，共同应对市场需求波动带来的巨大挑战。公司与晶圆厂进行深度战略合作交流，双方在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的沟通与合作，通过签署并持续执行产能保证协议等方式加深上下游合作、为公司业务发展提供产能的保障。公司与宏茂微、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等国内外知名封测厂建立稳定的合作关系，保证公司供应链的持续稳定。 （四）关注人才培养，推进实施股权激励计划 公司持续重视人才队伍建设和储备，不断加强人才培养机制，除了持续引入具有国际视野的、有丰富行业经验和管理经验的中高层人员外，也在通过各种培养项目锻造执行团队，培养梯队人才。公司持续优化绩效评估机制和职位晋升机制，建立合理有效的激励机制，激发人才的创新思维和主观能动性，提高人才的自我认同感，保证公司人才团队的稳定健康发展。报告期内公司发布了2023年限制性股票激励计划（草案），股权激励计划的发布，将极大激发员工积极性和活力，增强公司凝聚力，助推公司持续快速发展。 （五）完善公司治理、强化信息披露及投资者关系管理 公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。建立健全各项内部控制制度，提升内部审计监督职能，逐步推进信息披露、募集资金管理等各项工作的规范化，促进公司规范运作、科学决策，推动公司各项业务顺利有序地开展。同时，不断提高公司投资者关系管理工作的专业性，加强投资者对公司的了解，促进公司与投资者之间的良性互动关系，切实维护全体股东利益，特别是中小股东的利益，努力实现公司价值最大化和股东利益最大化。 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项 □适用 √不适用 五、 风险因素 √适用 □不适用 （一）业绩大幅下滑或亏损的风险 报告期内，受宏观经济增速放缓、地缘政治局势紧张和行业周期性波动等多重因素影响，以消费电子为代表的下游应用需求疲软，市场景气度下降。根据 WSTS 发布的数据，2023 年全球半导体市场规模预计为5150.95亿美元，同比下降10.28%；其中存储市场规模预计为840.41亿美元，同比下降35.2%。在多重因素影响下，公司报告期内实现营业收入2.40亿元，较上年同期减少 66.42%；实现归属于母公司所有者的净利润-7,510.75 万元，较上年同期减少 134.99%。若未来半导体行业景气度持续低迷、下游应用市场复苏不达预期，则公司业绩存在继续下滑或亏损的风险。 （二）核心竞争力风险 1、研发团队风险 集成电路设计行业属于人才密集型行业，需要相关人才具备扎实的专业知识、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。 截止报告期末，公司拥有研发与技术人员145人，占公司总人数的59.18%。公司通过持续招募，培养，校企合作等方式，通过具备竞争力的薪酬体系及激励手段，持续扩充研发与技术团队，尤其重视国内存储设计人员培养及运营管理团队的建设。 如公司现有团队不能持续提升经验积累，或公司使命、价值观及各类激励手段不足以保障现有研发团队的稳定性及持续扩充研发技术人员，将影响公司核心竞争力和持续创新能力。 2、技术升级导致产品迭代风险 集成电路设计行业产品更新换代及技术升级速度较快，持续研发新技术、推出新产品是集成电路设计公司在市场中保持优势的重要手段。 NAND Flash、NOR Flash及DRAM仍为市场主流存储芯片，同时新型存储芯片技术亦不断涌现。 存储行业中，NAND Flash系列中的中小容量产品围绕着高可靠性方向发展，大容量产品围绕着3D NAND Flash方向发展，两者具备不同性能，因而应用于不同应用场景，基本不存在相互替代效应；NOR Flash凭借擦写次数多、读取速度快、芯片内可执行等特点主要通过提升产品性能、拓展应用场景来扩大市场；DRAM产品通过不断提升制程、提升性能来打开市场。 近年来，新型存储技术如MRAM（磁阻存储器）、RRAM（阻变存储器）、PRAM（相变存储器）、FRAM（铁电存储器）不断发展，其特殊材料和存储结构可在多方面提升存储器性能，目前新型存储器过高的成本或较大的工艺难度，尚未实现规模化和标准化。 目前，存储行业内企业主要根据市场需求和工艺水平对现有技术进行升级迭代，以持续保持产品竞争力。未来如公司技术升级进度或成果未达预期、未能准确把握行业发展趋势，同时如果新型存储技术成熟并达到规模化量产并形成商业化产品，将影响公司市场竞争力并错失发展机会，可能对公司未来业务发展造成不利影响。 3、研发风险 公司主营业务为存储芯片的研发、设计和销售。存储芯片产品需要经历前期的技术论证及后期的不断研发实践，周期较长。如果公司未来不能紧跟行业前沿需求，正确把握研发方向，可能导致产品定位偏差。同时，新产品的研发过程较为复杂，耗时较长且成本较高，存在不确定性。 如果公司不能及时推出契合市场需求且具备成本优势的产品，可能导致公司竞争力有所下降，从而影响公司后续发展。 4、核心技术泄密风险 公司所处的集成电路设计行业具有技术密集性的特点，核心技术对公司提高产品质量和关键性能以及保持公司在行业内的竞争优势有着至关重要的作用，是公司核心竞争力的具体体现。 为了保证核心技术的保密性，公司针对商业保密工作制定了保密制度，明确了核心技术信息的管理流程并与核心技术人员签订了保密协议、竞业禁止协议。但由于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性及其他不可控因素，公司仍可能存在核心技术泄密的风险，将对公司研发和经营造成不利影响。 （三）经营风险 1、委外加工及供应商集中度较高的风险 公司采用Fabless经营模式，公司产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行，晶圆代工厂及封测厂为公司的主要供应商。由于集成电路行业的特殊性，晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业而且市场集中度较高。公司存在晶圆代工厂及封装测试厂集中度较高的风险。 未来如果晶圆价格、委外加工费用大幅上升或公司主要供应商经营发生重大变化或合作关系发生变化，导致公司供货紧张、产能受限或者采购成本增加，可能会对公司的日常经营和盈利能力造成不利影响。 2、境外经营风险 公司推行全球化的研发设计和市场销售布局，报告期内公司的境外业务主要集中在韩国、欧洲、北美等国家和地区。 未来如果境外各区域的市场环境、法律环境、政治环境等因素发生变化，或公司国际化运营能力不足，将对公司未来经营情况造成不利影响。 （四）财务风险 1、业绩波动风险 宏观经济环境的波动、国家产业政策的变化、集成电路行业景气度的周期性变化、行业竞争的加剧等原因可能导致市场对公司主要产品供需关系发生变化，进而导致公司销售收入、毛利率和利润波动等风险。 2、存货跌价风险 公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。公司根据自身库存情况和客户的需求，并结合对市场的预测拟定采购计划。报告期各期末，公司存货的账面价值为8.08亿元，占总资产的比例为19.41%，占比较高。 存储芯片产品属于通用性产品，受宏观经济周期、下游终端需求、主要供应商产能等因素影响，价格呈现周期性波动。报告期内，受市场行情整体下行影响，存储芯片价格降幅较大，报告期末形成存货跌价准备余额2.43亿元。 如果未来公司客户需求持续低迷、市场竞争格局加剧、市场价格持续下行，或公司未能有效拓宽销售渠道，使得库存产品滞销，可能导致存货库龄变长、可变现净值降低，公司将面临存货进一步跌价的风险。 （五）行业风险 公司为客户提供NAND Flash、NOR Flash及DRAM等存储芯片，产品覆盖了网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等多个领域。 受全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，集成电路行业特别是存储芯片行业存在一定的周期性，存储芯片市场与宏观经济整体亦密切相关。如果宏观经济波动较大，存储芯片的市场需求也将随之受到影响；另外下游市场需求的低迷亦会导致存储芯片的需求下降，进而影响存储芯片企业的盈利能力。宏观经济环境以及下游市场的整体波动可能对公司的经营业绩造成一定的影响。 （六）宏观环境风险 近年来国际贸易环境的不确定增加，中美贸易摩擦不断加剧，部分国家采取激进的贸易保护措施，使得我国部分产业发展受到冲击。集成电路行业具有典型的全球化分工合作的特点，若国际贸易环境进一步恶化、各国贸易摩擦进一步升级、全球贸易保护主义持续升温，则可能对公司所处的集成电路产业链产生不利影响，造成产业链上下游交易成本增加，从而可能对公司的经营带来负面影响。（未完）  |