[中报]慧智微(688512):2023年半年度报告

时间：2023年08月28日 12:41:20 中财网

原标题:慧智微:2023年半年度报告

公司代码：688512 公司简称：慧智微
广州慧智微电子股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者予以关注，注意投资风险。

三、公司全体董事出席董事会会议。


四、本半年度报告未经审计。


五、公司负责人李阳、主管会计工作负责人徐斌及会计机构负责人（会计主管人员）徐斌声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 不适用

七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。

九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、其他
□适用 √不适用
目 录
第一节 释义 ....................................................................................................................4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................9
第三节 管理层讨论与分析 ..........................................................................................13
第四节 公司治理 ..........................................................................................................38
第五节 环境与社会责任 ..............................................................................................40
第六节 重要事项 ..........................................................................................................42
第七节 股份变动及股东情况 ......................................................................................82
第八节 优先股相关情况 ..............................................................................................88
第九节 债券相关情况 ..................................................................................................89
第十节 财务报告 ..........................................................................................................90

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、发 行人、慧智微	指	广州慧智微电子股份有限公司
慧智微有限、有限 公司	指	公司前身，广州慧智微电子有限公司
慧智微（香港）	指	Smarter Microelectronics（Hong Kong）Limited
慧智微（香港）有 限公司韩国分公司	指	??????????????? ???? （???），慧智 微（香港）韩国分公司
一致行动人	指	李阳、郭耀辉、奕江涛、王国样
大基金二期	指	国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司
建投华科	指	建投华科投资股份有限公司
Star	指	Smartermicro Star Hong Kong Limited
Zhi Cheng	指	Zhi Cheng Micro Hong Kong Limited
Bridge	指	Smartermicro Bridge Hong Kong Limited
慧智慧芯	指	广州慧智慧芯企业管理合伙企业（有限合伙）
慧智慧资	指	广州慧智慧资企业管理合伙企业（有限合伙）
横琴智古	指	珠海横琴智古企业管理合伙企业（有限合伙）
横琴智往	指	珠海横琴智往企业管理合伙企业（有限合伙）
横琴智今	指	珠海横琴智今企业管理合伙企业（有限合伙）
横琴智来	指	珠海横琴智来企业管理合伙企业（有限合伙）
Vertex Legacy	指	Vertex Legacy Continuation Fund Pte. Ltd.，注册在新加坡的有限 责任公司
GSR	指	GSR Ventures III, L.P.，注册在英属开曼群岛的有限责任公司
Banean	指	Banean Holdings Ltd., 注册在英属开曼群岛的有限责任公司
诚侨公司	指	誠僑有限公司（Honesty Bridge Limited），注册在香港的私人 股份有限公司
GZPA	指	GZPA Holding Limited，注册在香港的私人股份有限公司
华兴领运	指	宁波梅山保税港区华兴领运股权投资合伙企业（有限合伙）
合肥泽奕	指	合肥市泽奕半导体投资合伙企业（有限合伙）
峰焱喆投资	指	海南峰焱喆股权投资基金合伙企业（有限合伙）
混沌投资	指	上海混沌投资（集团）有限公司
天泽吉富	指	天泽吉富资产管理有限公司
加盛巢生	指	无锡加盛巢生壹号创业投资合伙企业（有限合伙）
华兴领鸿	指	宁波梅山保税港区华兴领鸿股权投资合伙企业（有限合伙）
汇天泽	指	汇天泽投资有限公司
惠友豪创	指	深圳市惠友豪创科技投资合伙企业（有限合伙）
元禾璞华	指	江苏疌泉元禾璞华股权投资合伙企业（有限合伙）
闻天下科技	指	闻天下科技集团有限公司
横琴安甄	指	珠海横琴安甄企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
涌泉联发	指	珠海涌泉联发投资合伙企业（有限合伙）
汾湖勤合	指	苏州汾湖勤合创业投资中心（有限合伙）
天津德辉	指	天津德辉投资管理合伙企业（有限合伙）
南鑫珠海港	指	广州南鑫珠海港股权投资合伙企业（有限合伙）
信德文化	指	珠海广发信德科文创业投资基金（有限合伙），曾用名：珠海 广发信德科技文化产业股权投资基金（有限合伙）
信德环保	指	珠海广发信德环保产业投资基金合伙企业（有限合伙）
信德智能	指	珠海广发信德智能创新升级股权投资基金（有限合伙）
信德创业营	指	广州信德创业营股权投资合伙企业（有限合伙）
广远众合	指	广远众合（珠海）投资企业（有限合伙）
信德新州	指	珠海广发信德新州一号创业投资基金（有限合伙）
Skyworks/思佳讯	指	Skyworks Solutions, Inc.，一家提供无线通信解决方案的企业， 设计并生产应用于移动通信领域的射频及完整半导体系统解决 方案，总部位于美国，纳斯达克上市公司（股票代码： SWKS.O）
Qorvo/威讯	指	Qorvo, Inc.，一家为移动、基础设施与航空航天市场提供核心 技术及射频解决方案的企业，总部位于美国，纳斯达克上市公 司（股票代码：QRVO.O）
Broadcom/博通	指	Broadcom Inc.，主要从事半导体及软件基础架构解决方案的研 发、设计和销售，总部位于美国，纳斯达克上市公司（股票代 码：AVGO.O）
Qualcomm/高通	指	Qualcomm, Inc.，一家无线通信技术研发公司，总部位于美国， 纳斯达克上市公司（股票代码：QCOM.O）
Murata/村田	指	Murata Manufacturing Co., Ltd.，一家设计、制造电子元器件及 多功能高密度模块的企业，总部位于日本京都，东京/新加坡证 券交易所上市公司（股票代码：6981.T/PJX.SG）
卓胜微	指	江苏卓胜微电子股份有限公司，一家专注于射频集成电路领域 的研究、开发与销售的企业（股票代码：300782.SZ）
唯捷创芯	指	唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司，一家主营业务为射 频前端芯片的研发、设计和销售的集成电路设计企业（股票代 码：688153.SH）
闻泰科技	指	闻泰科技股份有限公司（股票代码：600745.SH）及其关联公 司，包括闻泰科技（深圳）有限公司、安世半导体（中国）有 限公司和 WINGTECH GROUP（HONGKONG）LIMITED
华勤通讯	指	华勤技术股份有限公司（股票代码：603296）及其关联公司
龙旗科技	指	上海龙旗科技股份有限公司及其关联公司
OPPO	指	OPPO广东移动通信有限公司及其关联公司
TCL	指	TCL实业控股股份有限公司及其关联公司
广和通	指	深圳市广和通无线股份有限公司（股票代码：300638.SZ）及其 关联公司
日海智能	指	日海智能科技股份有限公司（股票代码：002313.SZ）及其关联 公司
移远通信	指	上海移远通信技术股份有限公司（股票代码：603236.SH）及 其关联公司
富智康	指	富智康（香港）有限公司及关联公司，富智康（香港）有限公 司为富智康集团有限公司（股票代码：2038.HK）控股的子公 司
股东大会	指	广州慧智微电子股份有限公司股东大会
董事会	指	广州慧智微电子股份有限公司董事会
监事会	指	广州慧智微电子股份有限公司监事会
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
《公司章程》	指	现行有效的《广州慧智微电子股份有限公司章程》
证监会、中国证监 会	指	中国证券监督管理委员会
保荐人	指	华泰联合证券有限责任公司
审计机构、天健、 天健会计师事务所	指	天健会计师事务所（特殊普通合伙）
A股	指	境内上市人民币普通股
报告期、报告期内	指	2023年 1月-6月
报告期末	指	2023年 6月 30日
集成电路、芯片	指	Integrated Circuit 的简称，是采用一定的工艺，将一个电路中所 需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线连在一起，制作 在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个 管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构
蜂窝通信	指	采用蜂窝无线组网方式，在终端和网络设备之间通过无线通道 连接起来，进而实现用户在活动中可相互通信的通信技术，其 主要特征是终端的可移动性，并具有越区切换和跨本地网自动 漫游等功能
2G、3G、4G、5G	指	第二代、第三代、第四代和第五代移动通信技术与标准
EDA	指	Electronic Design Automation，指利用计算机辅助设计软件完成 超大规模集成电路芯片的功能设计、综合、验证、物理设计 （包括布局、布线、版图、设计规则检查等）等流程的设计方 式
CDMA	指	Code Division Multiple Access，码分多址技术
TD-SCDMA	指	Time Division-Synchronous Code Division Multiple Access，时分 同步码分多址技术，属于第三代通信技术
LTE	指	Long Term Evolution，长期演进技术，属于第四代移动通信技 术
5G NR	指	基于正交频分复用技术的全新空口设计的全球性 5G标准，属于 第五代移动通信技术
ODM	指	Original Design Manufacturer 的简称，原始设计制造商，企业根 据品牌厂商的产品规划进行设计和开发，然后按品牌厂商的订 单进行生产，产品生产完成后销售给品牌厂商
射频	指	Radio Frequency，简称 RF，一种高频交流变化电磁波的简称， 频率范围在 300KHz-300GHz之间
射频前端	指	Radio Frequency Front-End，在通讯系统中天线和中频（或基 带）电路之间的部分，包括发射通路和接收通路，一般由射频 功率放大器、射频滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放 大器等共同组成
物联网	指	Internet of Things，一个基于互联网、传统电信网等信息承载 体，通过信息传感设备，按标准和互操作通信协议，将任何物 体与网络相连接，以实现物体间的信息交换和通信，达到智能 化识别、定位、跟踪、监管等功能
射频功率放大器、 PA	指	射频前端中的一种芯片，是各种无线发射机的重要组成部分， 将调制电路所产生的射频信号功率放大，以输出到天线上辐射 出去
射频功率放大器模 组、PA模组	指	集成射频功率放大器及其他芯片的模组
射频开关	指	射频前端中的一种芯片，在移动智能终端设备中主要用于对信 号传输路径上（接收或发射）不同频率或不同通信制式下的信 号进行切换
射频低噪声放大 器、LNA	指	构成射频前端的一种芯片，主要用于无线通信系统中将接收自 天线的信号放大，以便于后级的电子设备处理
滤波器	指	构成射频前端的一种芯片，负责滤除特定频率范围的频率成 分，从而将输入的多种射频信号中特定频率的信号输出
双工器	指	构成射频前端的一种芯片，使得工作在不同频率上的接收和发 射通路能够共享一个天线。它通常由两个带通滤波器并联而 成，其作用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能 同时正常工作，互不干扰
L-PAMiF	指	集成射频功率放大器、滤波器、射频开关和低噪声放大器的射 频功率放大器模组
L-PAMiD	指	Low Noise Amplifier-Power Amplifier Module integrated Duplexer，集成低噪声放大器、功率放大器、射频开关、滤波 器、双工器等的射频前端模组
L-FEM	指	集成滤波器、低噪声放大器和开关的射频前端模组
MMMB PA	指	Multi-Mode Multi-Band PA，多模多频 PA模组
Fabless	指	Fabrication（制造）和 less（无、没有）的组合词；一指集成电 路市场中，没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式，通 常也被称为“Fabless模式”；也用来指代无芯片制造工厂的 IC设 计公司，经常被简称为“无晶圆厂”或“Fabless厂商”
晶圆代工厂	指	在集成电路领域中专门负责生产、制造芯片的厂家
封装	指	为芯片安装外壳，起到安放、固定、密封、保护芯片和增强电 热性能的作用
测试	指	检测封装后的芯片是否可正常运作
封测	指	“封装”、“测试”的合称
GaAs	指	砷化镓，一种应用于半导体产品的砷元素和镓元素的化合物材 料
CMOS	指	Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半 导体，是一种芯片制造工艺
体硅 CMOS	指	一种在标准硅晶圆上进行制造的 CMOS工艺
SOI	指	Silicon-On-Insulator，简称 SOI/绝缘硅，该技术是在顶层硅和背 衬底之间引入一层埋氧化层，有助于减少寄生电容，提升工艺 性能
SMD	指	Surface Mounted Devices，表面贴装器件，包括电阻、电容、电 感等
Cat.1	指	全称是 LTE UE-Category1，其中 UE是指 UserEquipment，是对 于 LTE网络下用户终端设备的无线性能的一种分类。根据 3GPP的定义，将 UE-Category划分为 1-15共 15个等级；Cat.1 是 4G LTE网络的一个类别，上行峰值速率 5Mbit/s，下行峰值 速率 10Mbit/s，属于蜂窝物联网，是广域网
SiP 封装	指	System In a Package，简称 SiP，系统级封装，是将多种功能芯 片和无源器件，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封 装内，从而实现一个基本完整的功能
SoC	指	System on Chip，简称 SoC，意指一个有专用目标的集成电路， 其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容
匹配网络	指	电路设计中的阻抗匹配，在信号源或者传输线跟负载之间的一 种合适的阻抗搭配方式，使得在信号频率范围内，从信号源至 负载的传输最大化
流片	指	集成电路设计、制造和生产中的一个环节，把通过计算机辅助 设计软件完成的电路设计，在晶圆代工厂按一定的制程生产出 芯片的过程。通过流片，检验电路是否具备所需要的性能和功 能。如果成功，就可以大规模制造；反之则需找出其中的原 因，并进行相应的优化设计，并进行再次流片。前述过程一般 称之为工程试作流片，在工程试作流片成功后进行的大规模批 量生产则称之为量产流片
频段	指	在通讯领域中，频段指的是电磁波的频率范围，单位为 Hz，按 照频率的大小，可分为低频、中频、高频等，在不同通信制式 下，有 B1、B3、B5、n41、n77等频段
n77/n78/n79	指	n77、 n78、 n79 的频率范围分别为 3.3GHz~4.2GHz、 3.3GHz~3.8GHz、4.4GHz~5.0GHz。其中 n78的频率范围包含于 n77频段，因此支持 n77/n78频段的产品通常称为单频产品，支 持 n77/n78/n79频段的产品通常称为双频产品
5G新频段/5G重耕 频段	指	3GPP标准化协会规定 5G NR（5G新空口）频谱包含 Sub-6GHz 的频率范围 1（FR1）和毫米波的频率范围 2（FR2），其中 FR1的频率范围为 410 MHz–7,125 MHz（因大部分频谱规划及 R15版本均在 6GHz以下，业界通常称为 Sub-6GHz），FR2的 频率范围为 24250 MHz-52600 MHz（业界通常称为毫米波）。 FR1中 3GHz~6GHz频段范围称为 5G新频段，在 3GHz以下原 4G LTE通信的主要频段范围内应用 5G通信技术，实现对 4G LTE通信频段的复用，该等频段称为 5G重耕频段
带宽	指	信道的频带宽度，为最高频率与最低频率之差
线性度	指	射频功率放大器的指标之一，用来度量放大器使信号形状失真 的程度，线性度越高，失真越小
IP	指	Intellectual Property，知识产权

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	广州慧智微电子股份有限公司
公司的中文简称	慧智微
公司的外文名称	Smarter Microelectronics（Guangzhou）Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写	Smarter Micro
公司的法定代表人	李阳
公司注册地址	广州市高新技术产业开发区科学城科学大道182号创新大 厦C2第三层307单元
公司注册地址的历史变更情况	不适用
公司办公地址	广州市高新技术产业开发区科学城科学大道182号创新大 厦C2第八层
公司办公地址的邮政编码	510663
公司网址	http://www.smartermicro.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	不适用

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书	证券事务代表
姓名	徐斌	朱晓磊
联系地址	广州市高新技术产业开发区科学城科 学大道182号创新大厦C2第八层	广州市高新技术产业开发区科学城科 学大道182号创新大厦C2第八层
电话	020-82258480	020-82258480
传真	020-82258993	020-82258993
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券日报》
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引	不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所科创板	慧智微	688512	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入	247,812,720.65	205,815,739.78	20.41
归属于上市公司股东的净利润	-175,382,744.34	-177,560,384.57	不适用
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	-183,165,351.61	-178,813,461.24	不适用
经营活动产生的现金流量净额	-64,903,807.03	-212,320,573.94	不适用
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	2,355,004,640.01	1,425,530,240.22	65.20
总资产	2,552,335,428.76	1,591,527,648.67	60.37

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）	-0.43	-0.45	不适用
稀释每股收益（元／股）	-0.43	-0.45	不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	-0.46	-0.45	不适用
加权平均净资产收益率（%）	-11.33	-11.67	增加0.34个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	-11.84	-11.75	减少0.09个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	59.62	65.01	减少5.39个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
(1) 2023年上半年公司营业收入为 24,781.27万元，较上年同期增长 20.41%，主要系本期品牌客户渗透率提升，客户项目出货量提升所致。

(2) 2023年上半年公司归属于上市公司股东的净利润为-17,538.27万元，净亏损较上年同期收窄1.23%，主要系销售业务量同比增加、同比期间费用下降所致。

(3) 2023年上半年公司经营活动产生的现金流量为-6,490.38万元，同比变动主要系公司本期原材料采购下降所致。

(4) 2023年上半年归属于上市公司股东的净资产同比增长 65.20%，主要系公开发行股票产生的股本溢价所致。
(5) 2023年上半年总资产同比增长 60.37%，主要系公司首次公开发行上市收到的募集资金所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	255,791.59	处置使用权资产
越权审批，或无正式批准文件，或 偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与公 司正常经营业务密切相关，符合国 家政策规定、按照一定标准定额或 定量持续享受的政府补助除外	3,401,498.46	政府补助
计入当期损益的对非金融企业收取 的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合营 企业的投资成本小于取得投资时应 享有被投资单位可辨认净资产公允 价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益	5,813,918.31	投资收益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害 而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的超 过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公司 期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有事 项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有效 套期保值业务外，持有交易性金融 资产、衍生金融资产、交易性金融 负债、衍生金融负债产生的公允价 值变动损益，以及处置交易性金融 资产、衍生金融资产、交易性金融 负债、衍生金融负债和其他债权投 资取得的投资收益
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量的 投资性房地产公允价值变动产生的
损益
根据税收、会计等法律、法规的要 求对当期损益进行一次性调整对当 期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入 和支出	-205,068.13	营业外收入、营业外支出
其他符合非经常性损益定义的损益 项目	-61,906.90	代扣代缴税费返还、以权 益结算的股份支付确认的 费用总额
减：所得税影响额	1,421,626.06
少数股东权益影响额（税后）
合计	7,782,607.27

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
慧智微是一家为智能手机、物联网等领域提供射频前端的芯片设计公司，主营业务为射频前端芯片及模组的研发、设计和销售。公司具备全套射频前端芯片设计能力和集成化模组研发能力，技术体系以功率放大器（PA）的设计能力为核心，兼具低噪声放大器（LNA）、射频开关（Switch）、集成无源器件滤波器（IPD Filter）等射频器件的设计能力，产品系列覆盖的通信频段需求包括 2G、3G、4G、3GHz以下的 5G重耕频段、3GHz~6GHz的 5G新频段等。

自 2011年成立以来，公司一直专注于射频前端芯片领域，基于多年的技术积累，提出可重构射频前端平台，采用基于“绝缘硅（SOI）+砷化镓（GaAs）”两种材料体系的可重构射频前端技术路线。

公司将绝缘硅引入到功率放大器领域并成功商用，掌握高频模拟信号智能调控的实现路径，形成了自主的可重构射频前端架构，并将其拓展到 LNA、IPD滤波器等领域。目前公司可重构射频前端架构的相关产品累计出货已经超过数亿颗，充分验证了公司技术路线的适用性和产品质量的可靠性。在射频功率放大器领域，公司凭借底层技术架构创新突破国际巨头的专利壁垒，提升性能，优化成本，基于自研架构带来的高集成度优势还顺应了 5G射频前端的发展趋势，为公司的技术升级和产品迭代奠定坚实的基础。

(一) 主要产品情况
报告期内，公司对外销售的主要射频前端模组产品为 5G模组和 4G模组。随着射频前端支持的通信频段不断增加，通信频率不断上升，射频前端的复杂度和对可靠性的要求不断提升，射频前端逐渐从分立芯片走向集成化模组，从低集成模组向高集成模组演进，公司基于自主设计的核心射频前端芯片并集成其他元器件形成射频前端模组并对外销售。

1、射频前端的基本构成和功能简介
通讯系统中，射频前端是无线通信设备的核心部件，负责天线和射频收发机之间的射频信号放大、滤波、频段选择等处理，以满足通信系统对无线电波发射和接收的需求。

按照功能，射频前端可分为发射链路（TX）和接收链路（RX），在发射链路中，数字信号通过调制解调器（Modem）转换成易于传输的连续模拟信号，随后收发器（Transceiver）将模拟信号调制为不易受干扰的射频信号，进入射频前端进行射频信号的功率放大、滤波、开关切换等信号处理，最后通过天线将信号对外发射。接收链路则由天线接收到空间中传输的射频信号，通过射频前端对用户需要的频率和信道进行选择，对接收到的射频信号进行滤波和放大，最后输入收发器和调制解调器得到数字信号。

按照组成器件，射频前端可分为功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、滤波器（Filter）、 射频开关（Switch）。功率放大器负责发射通道的射频信号放大；低噪声放大器负责接收通道中 的小信号放大；滤波器负责发射及接收信号的滤波，去除非信号频率的杂波信号；射频开关负责 收发以及不同频率通道之间的切换。 资料来源：Qualcomm
2、公司主要产品类型及主要情况
报告期内，公司在售的产品型号众多，公司的主要产品类型及主要情况如下： ① 5G新频段系列产品
5G新频段系列产品主要包括：L-PAMiF发射模组和 L-FEM接收模组。该系列产品支持3GHz~6GHz的频段范围，更高的频率有利于支持更大的通信带宽，从而获得更快的通信速度。

L-PAMiF发射模组内部集成 PA、LNA、Switch、Filter等元件，将 Sub-6GHz的 n77/n78/n79的射频发射和接收通路集成在一起，是 5G手机核心的器件之一。公司为满足不同市场和客户需求，开发有 1T2R和 1T1R等多种形态产品。2023年上半年，公司发布了 5G新频段小尺寸高集成n77/n79双频 L-PAMiF产品，支持低压 PC2高功率，性能进一步提升。

L-FEM接收模组内部集成 LNA、Switch、Filter等元件，将天线接收到的微弱信号放大，达到更好的接收信号效果。公司开发的 L-FEM模组已大批应用于手机和物联网模块领域，在客户端获得了良好的反馈及市场优势。

② 5G重耕频段系列产品
5G重耕频段主要集中于 3GHz以下的频率范围，通信频段覆盖 663~2690MHz。5G重耕频段复用 4G LTE通信频段，其通信频率与 4G共频段，并支持 5G通信协议。5G重耕频段产品主要是 5G MMMB PA模组和 L-PAMiD模组，支持 3GHz以下的 5G NR、4G LTE和 3G通信频段。

5G MMMB PA模组内部集成 PA和 Switch。除了常规高压 PA外，公司为 5G手机开发了低压 PA芯片，可以在 3.4V低压下输出 PC2的高功率，满足大带宽和高线性要求，在关键性能参数上均具备良好的表现，具备较强的竞争力。

L-PAMiD模组内部集成 PA、LNA、Switch、Filter等元件，将 Sub-3GHz的射频发射和接收封装进一颗芯片。公司基于多年射频前端芯片的技术积累，以及对射频系统的理解，将多种元件集成在一起并有效避免了频段间干扰。

③ 4G频段系列产品
随着通信制式从 4G向 5G演进，4G LTE的智能手机市场逐步成为长尾市场，4G Cat.1等物联网市场迎来扩容。国产射频前端公司在 4G市场获得更大的份额，迎来较大的增长机遇。

自成立以来，公司就专注研发 4G多频多模功率放大器模组（MMMB PAM），2015年成功推出4G LTE可重构射频前端产品，实现可重构功率放大器模组的商用，2017年推出新一代MMMB PA模组，该款产品支持 4G LTE全频段，通过可重构技术可以在 TD-
SCDMA/WCDMA/CDMA2000/TD-LTE/LTE-FDD多个模式和频段下实现通路复用，该产品集成度高，性能优越，在 2019年中国集成电路产业促进大会中荣获第十四届“中国芯”优秀市场表现产品。近年来，公司紧随市场需求，持续迭代 4G MMMB PA产品，陆续推出更高性能和更具性价比的产品。

(二) 主要经营模式
公司的经营模式为集成电路行业常见的 Fabless模式。公司充分利用集成电路行业高度专业化分工的产业链特点，主要负责产业链中的设计环节，包括射频前端模组中的核心芯片设计、基板设计和集成化模组设计，并向代工厂委托射频前端芯片的晶圆制造、基板制造和封装测试。在此模式下，公司可以将资源集中在设计研发环节，有利于公司紧密跟随市场变化趋势，不断推出性能优良、竞争力卓越的产品，以满足不断发展的市场需求。

1、 研发模式
公司作为 Fabless模式的芯片设计公司，其研发活动的核心为对新技术、新产品的研发和设计。公司紧密跟随市场和技术的发展趋势，设计出用于支持各类通信制式及各类射频前端方案的芯片及模组产品，以满足复杂的无线通信需求。为了在保证质量的基础上开发出符合市场和客户需要的产品，公司已制定多项研发相关内部控制制度，对研发活动的各个环节进行规范化管理，通过各个节点的内部评审降低研发失败的风险。

2、 采购及生产模式
公司采用 Fabless模式经营，主要负责射频前端模组产品的研发、销售与质量管控，产品的生产则采用委外加工的模式完成。公司根据产品定义设计芯片版图和基板设计方案，委托晶圆代工厂根据芯片版图进行晶圆制造，委托基板代工厂根据基板设计方案进行基板的生产制造，晶圆代工厂、基板代工厂自主采购所需原材料，晶圆制造、基板制造完成后交付给后端封测代工厂，同时公司自主采购滤波器、SMD器件等物料，委托封测代工厂根据集成化模组的设计方案进行系统级封装（SiP）形成模组产品。目前，公司采购的物料主要为晶圆、基板及相关的封装测试服务，公司的晶圆代工厂、基板代工厂和封测代工厂主要为行业知名企业。

3、 销售模式
公司的终端客户包括智能手机品牌客户、移动终端设备 ODM客户及物联网模组客户等。按照集成电路行业惯例和企业自身特点，公司采用“经销为主、直销为辅”的销售模式。公司与经销商的关系属于买断式销售关系，公司与经销商签订销售框架协议，经销商根据其客户需求和自身销售备货等因素向公司下达订单，公司根据订单安排出货，后续的定期对账、付款和开票均由公司与经销商双方完成。

(三) 公司所处行业情况
公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售，根据《中华人民共和国国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据国务院颁布的《关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策的通知》，公司所处的集成电路行业属于鼓励类产业。

1、 射频前端行业全球竞争格局
射频前端芯片及模组需处理高频射频信号，处理难度大，需基于砷化镓、绝缘硅等特色工艺进行芯片研发，属于模拟芯片中的高门槛、高技术难度环节，需要长时间的设计经验和工艺经验积累。长期以来，国际头部厂商主导了通信制式、射频前端的标准定义，且射频前端公司与 SoC平台厂商、终端客户之间形成了较为紧密的合作关系。根据 Yole数据，2022年射频前端市场全球前五大厂商 Skyworks（思佳讯）、Qorvo（威讯）、Broadcom（博通）、Qualcomm（高通）、Murata（村田）市场份额（按模组和分立器件合并口径）合计为 80%，具体情况如下：
数据来源：Yole
2、 我国射频前端行业的竞争格局及公司的市场地位
在 5G新周期与国产替代的大背景下，国产射频前端行业迎来发展机遇。基于长期的研发经验积累和前瞻的技术研发，公司成功量产 5G新频段和 5G重耕频段高集成度发射和接收模组，逐步扩大各系列产品在一线品牌手机客户的业务机遇。公司的射频前端模组产品具备高集成度、高性价比、性能可靠稳定的特点，受到客户的广泛认可，市场知名度不断提升，主要应用于智能手机市场以及物联网市场。公司的射频前端模组已经在三星全球畅销系列 5G手机、OPPO、vivo、荣耀等智能手机机型中实现大规模量产，并进入闻泰科技、华勤通讯、龙旗科技等一线移动终端设备 ODM厂商。公司还积极布局物联网领域，持续保持与移远通信、广和通、日海智能等头部无线通信模组厂商的深度合作。基于长期的经验积累和前瞻的技术研发，充分运用公司的核心技术，依托日益优质的客户结构，公司能够准确把握国内射频前端领域客户需求及技术趋势，及时推出迭代升级产品，已具备较强的竞争优势。

二、 核心技术与研发进展
1、 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司坚持自主研发的技术路线，高度重视技术、产品的研发。截至本报告期末，公司的主要核心技术情况如下：

序号	主要核心技术名 称	技术先进性说明	技术 来源	主要应用 产品
1	自适应输出偏置 电压技术	掌握高频射频信号在不同工作环境下 的特征，基于自主设计传感电路实时 监测芯片的温度、功率等环境信息， 通过内部反馈电路自适应调整输入功 率放大器的偏置电压，对环境变量实	自研	4G模组、 5G模组
序号	主要核心技术名 称	技术先进性说明	技术 来源	主要应用 产品
		现系统级补偿，大幅提升复杂工作环 境下的稳定性
2	多功能模块的低 互扰高集成技术	在绝缘硅晶圆单芯片集成开关、 LNA、数字电路、模拟电路、IPD及驱 动级功率放大器等，解决了各种电路 之间的相互耦合和干扰影响，实现高 集成度，大幅减少布图面积和晶圆数 量，极大降低封装成本和供应链备货 难度	自研	4G模组、 5G模组
3	功放电路记忆效 应改善技术	在砷化镓/绝缘硅材料相关工艺功率放 大器不同位置的偏置电路上，设计具 有宽带特性的阻抗，显著降低功放电 路在放大宽带调制信号下的非线性失 真，从而改善大宽带调制信号下的记 忆效应	自研	4G模组、 5G模组
4	自适应模拟预失 真技术	可重构射频前端中，根据功率级在不 同工作点的失真特性，在绝缘硅晶圆 中设计模拟预失真电路；同时内置随 频段变化的自适应调节技术，大幅改 善功率放大器在不同频段下的线性 度，尤其是大信号带宽下的线性度且 实现电路简洁、易于集成	自研	4G模组、 5G模组
5	匹配网络可重构 技术	为应对不同频段对匹配网络的性能优 化需求，自主开发了可调匹配网络， 以数字电路控制低插损、高线性绝缘 硅工艺射频开关对匹配网络进行通路 重构，实现匹配网络在不同频段下的 最佳匹配效果，从而使得功率放大器 能覆盖更宽的工作频率带宽和更优的 射频性能	自研	4G模组、 5G模组
6	驱动级射频放大 技术	基于公司长期以来对绝缘硅材料和工 艺的理解和积累，实现绝缘硅晶体管 用于射频驱动级功率放大电路的精准 建模与仿真，创新性地设计绝缘硅驱 动级放大器及其偏置电路，支持大功 率、高频应用场景，大幅提升了效 率、线性和可靠性	自研	4G模组、 5G模组
7	负压快速产生电 路技术	该技术可在绝缘硅晶圆上快速产生负 压，用于驱动大规模开关阵列，实现 可重构射频通路的快速切换，且电路 结构简单，不需要双相非重叠时钟， 有效节省芯片面积	自研	4G模组、 5G模组
8	全 FlipChip封装 工艺技术	根据砷化镓晶圆、绝缘硅晶圆的材料 特征，通过精准的应力、热电建模及 仿真，合理设计铜柱尺寸以及其在晶 圆上的布局，结合晶圆电路针对性芯 片设计，成功将 FlipChip封装工艺全面 应用于砷化镓及绝缘硅晶圆，实现全	自研	4G模组、 5G模组
序号	主要核心技术名 称	技术先进性说明	技术 来源	主要应用 产品
		FlipChip封装，大幅优化 FlipChip工艺 在该领域的良率，充分利用 FlipChip的 优势，包括减小阻容感寄生、提升散 热效率等
9	射频电路可靠性 优化技术	基于绝缘硅材料相关工艺设计过压保 护电路 OVP和过流保护电路 OCP，提 升 PA在高功率和高 VSWR阻抗等各种 极限条件下的可靠性，防止 PA在大电 压或电流下出现烧坏现象	自研	4G模组、 5G模组
10	支持可重构架构 控制的 MIPI协议 栈技术	基于绝缘硅材料相关工艺自主研发基 于 MIPI3.0内核的协议栈 IP技术，通过 设计优化数字逻辑等技术，开发适用 于控制可重构架构的 MIPI数字电路	自研	4G模组、 5G模组
11	谐波抑制电路	利用 PA负载匹配网络实现谐波抑制功 能，降低了链路的插损，无需独立的 滤波器，节省成本和降低芯片面积	自研	4G模组、 5G模组
12	大带宽高线性功 率放大器设计技 术	基于公司长期以来在器件和工艺方面 的理解和积累，通过对射频功率放大 器、无源匹配网络、偏置电路、控制 电路等方面的设计与优化，尤其是创 新性地加入绝缘硅增益提升电路、线 性补偿电路、宽带提升电路、记忆效 应消除电路等技术，可实现更高的线 性功率、更低的功耗和更大的带宽覆 盖，同时功率放大器在更低的电源电 压下工作，并大幅提升可靠性	自研	5G模组
13	可重构大带宽低 噪声放大器设计 技术	通过对绝缘硅晶体管的精准建模仿 真，搭配可重构匹配网络达到大带宽 及多级增益档的 LNA设计，同时优化 快速启动的偏置电路以应对 5G对 LNA 快速切换的需求	自研	5G模组
14	可重构集成滤波 器技术	通过对绝缘硅器件及工艺精准的电磁 热等指标的仿真建模，采用基于绝缘 硅工艺的厚金属、低插损的先进 IPD工 艺，快速设计产品所需求的高性能 IPD 滤波器或输出匹配电路	自研	5G模组
15	可重构多频双向 耦合器技术	该技术基于绝缘硅材料相关工艺实现 多个耦合通路共用信号路径，通过对 耦合输出端和隔离端灵活切换，实现 多频双向耦合，极大简化射频链路， 减小布版面积，降低成本	自研	5G模组

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
广州慧智微电子股份有限公司	国家级专精特新“小巨人”企业	2023年	——

2、 报告期内获得的研发成果
公司历来重视研发成果保护工作，截至报告期末，公司拥有 102项发明专利、19项实用新型专利、124项集成电路布图设计专有权。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	7	11	209	102
实用新型专利	2	-	26	19
外观设计专利	-	-	-	-
软件著作权	-	-	-	-
其他	-	50	127	124
合计	9	61	362	245

注：1.累计数量中的“获得数”为截至报告期末的有效数量，不包含已经失效的知识产权数量。

2.其他为集成电路布图设计专有权。

3、 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	147,755,144.32	133,802,150.16	10.43
资本化研发投入	-	-	-
研发投入合计	147,755,144.32	133,802,150.16	10.43
研发投入总额占营业收入比例 （%）	59.62	65.01	减少 5.39个百分 点
研发投入资本化的比重（%）	0	0	0

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4、 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名称	预计总投资 规模	本期投入金 额	累计投入金 额	进展或阶段性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用 前景
1	5G双频 L- PAMiF发射模 组	5,060.00	122.58	2,775.13	第三代产品中高性 能版本处于量产阶 段、高性价比版本 进入预量产阶段	设计推出支持 5G新频段 n77/n79双频 1T1R、1T2R L-PAMiF模组，集成了功 率放大器、低噪声放大 器、滤波器、开关等	基于自主开发的功 率放大器和 LNA 内核，形成较强竞 争优势	5G物联 网模组、 5G智能 手机
2	5G单频 L- PAMiF发射模 组	8,926.00	2,378.10	8,830.24	第三代产品中低功 耗版本处于量产阶 段、低压版本进入 预量产阶段	设计推出支持 5G新频段 n77单频 1T1R、1T2R L- PAMiF模组，集成了功率 放大器、低噪声放大器、 滤波器、开关等	基于自主开发的功 率放大器、LNA和 滤波器内核，形成 较强竞争优势	5G智能手 机、5G物 联网模组
3	5G单频 L-FEM 接收模组	7,552.00	1,458.42	6,148.24	第二代产品中高集 成度版本处于量产 阶段、多功能版本 进入预量产阶段	设计推出支持 5G新频段 n77单频 1R、2R接收模 组，集成低噪声放大器、 滤波器、多路射频开关等	基于公司自主开发 的低噪声放大器和 滤波器内核，形成 竞争优势	5G智能手 机、5G物 联网模组
4	5G低频段 L- PAMiD模组	4,665.00	711.36	3,688.63	第二代产品进入预 量产阶段	设计推出支持 Phase7L及 Phase7LE产品形态，集成 3GHz 以 下 低 频 段 3G/4G/5G功率放大器、低 频段和高频段 2G功率放大 模块、多路低噪声放大 器、射频开关、双向耦合 器以及双工器的多频多模 功率放大器模组，布局高 度集成的模块化产品线	基于自主开发的功 率放大器内核，并 集成双工器、LNA 等，设计性能达到 业界主流水平	5G智能手 机、5G物 联网模 组、5G车 载模组
5	5G中高频段 L-	3,920.00	734.02	2,618.22	产品进入预量产阶	设计推出支持 Phase7L及	基于自主开发的功	5G智能手
	PAMiD模组				段	Phase7LE产品形态，集成 3GHz 以下中高频段 3G/4G/5G功率放大模块、 多路低噪声放大器、射频 开关、双向耦合器、滤波 器以及双工器的多频多模 功率放大器模组，布局高 度集成的模块化产品线	率放大器内核，并 集成双工器、LNA 等，设计性能达到 业界主流水平	机、5G物 联网模 组、5G车 载模组
6	MMMB PA模 组	11,946.00	1,864.93	10,681.83	第四代产品中高性 能版本和高性价比 版本处于量产阶 段、低压版本进入 预量产阶段	设计推出覆盖 3GHz以下的 低、中、高频段且支持 3G/4G/5G 模式的多频 MMMB功率放大器模组， 实现更高的射频性能，进 一步开发更高性价比和高 性能等方面的产品	基于自主开发的功 率放大器内核，在 线性功率和效率指 标上达到行业领先 水平，并减少晶圆 数量，形成较强竞 争优势	4G/5G智 能手机、 4G/5G物 联网模 组、5G车 载模组
7	高集成度 TxM 模组	4,719.75	674.36	4,566.80	第三代产品中双天 线版本处于量产阶 段、高可靠性版本 和三天线版本进入 预量产阶段	设计推出高性价比、高功 率 TxM模组，开发支持 4G/5G频段的高集成度、 多天线的产品	基于公司自主开发 的功率放大器技术 实现高功率 TxM模 组，形成较强竞争 优势	4G/5G智 能手机、 4G/5G物 联网模组
8	5G LNA Bank 接收模组	2,930.00	116.08	2,198.63	芯片设计研发阶段	设计推出 LNA的接收模 块，完善 Sub-3GHz射频前 端方案	基于自主开发的 LNA技术，达到业 界主流水平	5G智能手 机、5G物 联网模组
9	Sub-3GHz L- FEM接收模组	3,030.00	1,002.56	1,874.82	芯片设计研发阶段	设计推出支持 Phase7LE产 品形态，集成 3GHz以下开 关、 LNA、滤波器等模 块，完善 Sub-3GHz射频前 端方案	基于自主开发的 LNA技术，并集成 滤波器等，达到业 界主流水平	5G智能手 机、5G物 联网模组
10	物联网 MMMB PA模组	760.00	93.05	214.01	芯片设计研发阶段	设计推出覆盖 3GHz以下的 低、中、高频段且支持 3G/4G模式的多频 MMMB	基于自主开发的功 率放大器内核，形 成较强竞争优势	4G物联网 模组、可 穿戴应用
						功率放大器模组，面向物 联网模组领域提供高性价 比射频前端方案
11	物联网 5G双频 L-PAMiF发射 模组	1,388.00	1,015.18	1,171.18	产品进入预量产阶 段	设计推出支持 5G新频段 n77/n79双频 1T2R L- PAMiF 模组，集成了 n77/n79两路功率放大器、 n77/n79两路宽带低噪声放 大器、滤波器、开关等	基于自主开发的功 率放大器和 LNA内 核，形成较强竞争 优势	5G智能手 机、5G物 联网模 组、5G车 载模组
12	5G全集成 L- PAMiD模组	1,691.00	451.30	451.30	芯片设计研发阶段	设计推出支持 Phase8L产品 形态，集成 3GHz以下低中 高频段 3G/4G/5G及 2G功 率放大模块、多路低噪声 放大器、射频开关、双向 耦合器、滤波器以及双工 器的多频多模功率放大器 模组，布局高度集成的模 块化产品线	基于自主开发的功 率放大器内核，并 集成双工器、LNA 等，设计性能达到 业界主流水平	5G智能手 机、5G车 载模组
合 计	/	56,587.75	10,621.94	45,219.03	/	/	/	/

（未完）