[中报]银河微电(688689):2023年半年度报告

时间:2023年08月28日 18:07:01 中财网

原标题:银河微电:2023年半年度报告

公司代码:688689 公司简称:银河微电 转债代码:118011 转债简称:银微转债 常州银河世纪微电子股份有限公司 2023年半年度报告





重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
详情敬请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”相关内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人杨森茂、主管会计工作负责人李福承及会计机构负责人(会计主管人员)周浩刚声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告内容涉及的未来计划等前瞻性陈述因存在不确定性,不构成公司对投资者的实质性承诺,请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 5
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................. 8
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 27
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 29
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 33
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 52
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 58
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 58
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 60



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、 上市公司、银河 微电常州银河世纪微电子股份有限公司
银河星源常州银河星源投资有限公司,本公司控股股东
恒星国际恒星国际有限公司(Action Star International Limited),本公司股 东
银江投资常州银江投资管理中心(有限合伙),本公司股东
银冠投资常州银冠投资管理中心(有限合伙),本公司股东
聚源聚芯上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心(有限合伙),本公司股东
银河电器常州银河电器有限公司,本公司子公司
银河半导体常州银河世纪半导体科技有限公司,本公司子公司
银河进出口常州银河世纪微电子进出口有限公司,本公司子公司
联元微科技常州联元微科技有限公司,本公司控股子公司
银河寰宇泰州银河寰宇半导体有限公司,本公司孙公司
优曜半导体上海优曜半导体科技有限公司,本公司参股公司
数明半导体上海数明半导体有限公司,本公司参股公司
英飞凌Infineon Technologies.Ltd.,德国半导体设计制造商
安森美Semiconductor Components Industries, LLC.,美国半导体设计制造商
罗姆ROHM Co.,Ltd.,日本半导体设计制造商
德州仪器Texas Instruments Incorporated,美国半导体设计制造商
意法半导体STMicroelectronics NV,总部位于瑞士的半导体设计制造商
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所、交易所上海证券交易所
倒装一种芯片与基板的连接技术。倒装芯片工艺是指在芯片的I/O焊盘上直接 沉积,或通过RDL布线后沉积凸块(Bump),然后将芯片翻转进行加热, 使熔融的焊料与基板或框架相结合,芯片电气面朝下。
外延一种在半导体加工过程中用来制造新型半导体材料的方法,通常是在晶体 材料表面外侧沉积出具有所需性质的晶体层,形成外延层。
氮化镓(GaN)氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,是一种重要的宽禁带半导体 材料。
RFIDRFID是Radio Frequency Identification (RFID)的简称,是一种能够储 存、发射和接 收信号的微型射频识别设备,用来识别特定的物体及其他工 作场合的自动识别技术。
分层由于材料内应力的问题,容易造成不同材料的粘结面产生剥离,称为分 层。
深度学习深度学习(DL,Deep Learning)是机器学习(ML,Machine Learning) 领域中一个新的研究方向,深度学习是学习样本数据的内在规律和表示层 次,这些学习过程中获得的信息对诸如文字、图像和声音等数据的解释有 很大的帮助。它的最终目标是让机器能够像人一样具有分析学习能力,能 够识别文字、图像和声音等数据。深度学习是一个复杂的机器学习算法, 在语音和图像识别方面取得的效果,远远超过先前相关技术。




第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称常州银河世纪微电子股份有限公司
公司的中文简称银河微电
公司的外文名称Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写GALAXY MICROELECTRONICS
公司的法定代表人杨森茂
公司注册地址常州市新北区长江北路19号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址常州市新北区长江北路19号
公司办公地址的邮政编码213022
公司网址www.gmesemi.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引


二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名李福承岳欣莹
联系地址常州市新北区长江北路19号常州市新北区长江北路19号
电话0519-688593350519-68859335
传真0591-851202020519-85120202
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《证券 日报》、中国日报网
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券事务部
报告期内变更情况查询索引不适用


四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上交所科创板银河微电688689不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用


六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入329,986,288.74365,269,762.44-9.66
归属于上市公司股东的净利润30,523,573.8853,483,113.34-42.93
归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益的净利润17,786,538.0643,479,708.05-59.09
经营活动产生的现金流量净额48,854,475.4169,060,194.79-29.26
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产1,287,135,141.911,283,571,849.270.28
总资产1,902,127,588.651,903,586,112.42-0.08


(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.240.42-42.86
稀释每股收益(元/股)0.240.42-42.86
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.140.34-58.82
加权平均净资产收益率(%)2.374.91减少2.54个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)1.383.99减少2.61个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)6.487.76减少1.28个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现营业收入329,986,288.74元,同比减少9.66%;实现归属于上市公司股东的净利润30,523,573.88元,同比减少42.93%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润17,786,538.06元,同比减少59.09%。主要系本报告期内,消费类产品市场景气度低,产能利用不足,销售额下降所致。

基本每股收益、稀释每股收益同比减少42.86%,扣除非经常性损益后的基本每股收益同比减少58.82%,主要系归属于公司所有者的净利润减少所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适 用)
非流动资产处置损益140,166.13 
越权审批,或无正式批准文件,或偶发性的税收返还、减 免  
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切相 关,符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享 受的政府补助除外1,337,061.40 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取 得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的 收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而计提的各项资产减值 准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支出、整合费用等  
交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净 损益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益  
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持有 交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生 金融负债产生的公允价值变动损益,以及处置交易性金融 资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和 其他债权投资取得的投资收益13,264,545.18 
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值 变动产生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次 性调整对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出242,705.85 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额2,247,442.74 
少数股东权益影响额(税后)  
合计12,737,035.82 

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业,致力成为半导体分立器件细分领域的专业供应商及电子器件封测行业的优质制造商。公司以客户应用需求为导向,以封装测试专业技术为基础,积极拓展芯片设计技术、芯片制造技术、半导体器件的封测技术,目前已逐步具备IDM模式下的一体化经营能力,并在芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业取得了一定发展,为客户提供了匹配性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案,满足众多客户一站式采购的需求,是国内分立器件品种门类和封装形式最为齐全的制造商之一。

2、主要产品或服务情况
公司主营各类小信号器件(小信号二极管、小信号三极管、小信号MOSFET)、功率器件(功率二极管、功率三极管、功率MOSFET、桥式整流器),同时还生产车用LED灯珠、光电耦合器等光电器件和少量三端稳压电路、线性恒流IC等其他电子器件。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域,并可以为客户进行封测定制加工。

(二)主要经营模式
公司坚持以客户需求为导向,依托技术研发和品质管控能力,积极实施包括多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多工艺平台封测生产以及销售服务的一体化整合(IDM),采用规模生产与柔性定制相结合的生产组织方式,以自主品牌产品直销为主满足客户的需求,从而实现盈利。

1、采购模式
公司采用“集中管理、分散采购”的模式,将供应链管理的规范性和适应产销需求的采购快捷灵活性有效地结合起来,并通过计划订单拉动和安全库存管控相结合的方式,达到兼顾快速交付订单和有效管控存货风险的要求。

2、生产模式
公司采用“以销定产,柔性组织”的生产模式。公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产,以实现产能的规模效应和专业化管理。同时,公司以市场为导向,努力构造并不断优化适应客户需求的多品种、多批次、定制化、快捷交付的柔性化生产组织模式。

3、营销模式
公司依托自主品牌和长期积累的客户资源,采用直销为主、经销为辅的营销模式,并利用丰富的产品种类和专业化的支持,为客户提供一站式采购服务。公司建有较强的营销团队和集客户要求识别、产品设计、应用服务、失效分析等为一体的技术服务团队,依托丰富的产品种类和专业化的技术支持,为客户提供一站式采购服务。

4、研发模式
公司采用“自主研发、持续改善”的研发模式,并持续推动产学研合作不断深入。公司技术研发中心统一组织管理新产品研发以及技术储备研发活动,涵盖需求识别、产品设计、新材料导入、芯片设计制造、器件封测、模拟试验和验证、应用服务等各个技术环节,构建相互支撑、持续改善的系统性创新体系。公司的主要经营模式在报告期内未发生重大变化,未来还将继续保持。公司将以技术创新为基础,积极整合各类资源,充分满足下游产业和客户对产品的需求,促进公司业务的持续健康发展。

(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业的发展阶段
公司主要从事半导体分立器件的研发、生产和销售,属于新一代信息技术领域的半导体行业。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类(2018)》,公司所属行业为“新型电子元器件及设备制造”下的“半导体分立器件制造”。

半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域,技术水平要求越来越高,半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展,新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中,行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。目前在日本和美国等发达国家的半导体分立器件领域,MOSFET、IGBT等产品已采用大功率集成电路等微细加工工艺进行制作,生产线已大量采用8英寸、0.18微米工艺技术,极大提高了半导体分立器件的性能,从而促使其产品链不断延伸和拓宽。发达国家现代半导体分立器件向大功率、易驱动、低能耗和高频化方向发展,同时,新型产品如 SiC、GaN等宽禁带半导体功率器件陆续被研发面世并开始产业化应用,应用领域也渗透到能源技术、智能制造、激光技术和军事科技等前沿领域。发达国家凭借其巨大优势,引领着半导体分立器件行业的技术发展趋势,并成为产品和技术标准的制定者。国内半导体分立器件行业的产品结构、技术水平和创新能力与国外存在较大的差距。国内半导体分立器件整体技术水平相对落后,以功率二极管、功率三极管、晶闸管和中低端 MOSFET等产品为主,部分高端技术产品仍大量依赖进口。通过对国际先进技术的持续引进、消化吸收再创新以及自主创新,国内优质企业在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平,并凭借其成本、区域优势逐步实现相关产品的进口替代。未来,随着技术水平的提升、高端人才的引进以及管理经验的积累,国内优质企业有望进一步对国外企业形成竞争优势,占据更大的市场空间。

(2)行业的基本特点
半导体行业需要持续的高投入,具有资金密集、技术密集的特点,导致明显的头部集中格局。

以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额,2022年功率分立器件前十大公司中,只有安世半导体一家为中国公司,市场集中度较高。

半导体行业是研发最密集的行业,国际领先企业掌握着中高端芯片制造技术和先进的封装技术,其研发投入强度高于国内企业,全球排名前三的半导体分立器件企业英飞凌、安森美及意法半导体2022年度研发费用分别占到营业收入的12.65%、7.21%及11.79%,高于国内同行业可比公司,在全球竞争中保持优势地位。

半导体行业下游需求领域广泛,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。我国已经成为全球制造业第一大国和全球最大电子产品消费市场,根据 2021年度集成电路产业发展研究报告的数据显示,2021年中国半导体产业销售额同比增长17.1%,中国半导体产业销售收入占全球半导体市场38.8%。

根据中国半导体行业协会的数据显示,2012年至 2021年我国半导体分立器件产业销售收入由1,390亿元增长至3,379.1亿元,年均复合增长率为10.37%,保持较高的增长速度。

半导体分立器件技术研发的重点是提高效率、增加性能和减少体积,不断发展新的器件理论和结构,促进各种新型分立器件的发明和应用。

未来技术发展将会呈现以下几个特点:
①新型功率半导体分立器件将不断出现,替代原有市场应用的同时,还将开拓出新的应用领域。如美国 Gree公司研发出用于移动 WiMAX用途的新的高功率 GaNRF功率晶体管,在 40v、3.3GHz下峰值脉冲输出功率达到创记录的 400W。从理论上讲,MOS控制的晶闸管(MCT)能实现更大的功率输出,但面临着包括原理和实现工艺等诸多方面的巨大挑战。

②新材料、新技术不断得到发展和应用。为了使现有功率半导体分立器件能适应市场需求的快速变化,需要启用新技术,不断改进材料性能或研发新的应用材料,继续优化完善结构设计、制造工艺和封装技术等,提高器件的性能,如第三代半导体材料 SiC、GaN等的应用。类金刚石碳(Diamond Like Carbon, DLC)具有优异的电、力学和热性能,DLC作为一种性能优异的半绝缘钝化材料,对IGBT和FRD等高压器件的HV-H3TRB(高压、高温和高温反向偏置)性能也有显著改善作用。

③体积小型化、组装模块化、功能系统化趋势明显。电子信息产品的小型化、甚至微型化,必然要求其各部分零部件尽可能小型化、微型化、多功能。为适应整机装备效率和提高整机性能的可靠性、稳定性的需求,半导体分立器件将会趋向模块化、集成化。

(3)行业的主要技术门槛
半导体分立器件的研发及生产过程涉及半导体物理、微电子、材料学、机械工程、电子信息等众多学科,需要综合掌握和应用器件设计、芯片制造、封装测试、应用试验等专业技术,属于技术密集型行业。随着下游应用场景不断更新和拓展,电子产品的升级频率更加快速,对半导体分立器件产品的性能参数、可靠性、稳定性等都有持续提升的要求,下游应用对供应商快速满足其新需求的配套设计能力和技术服务支持能力的需求也越来越高。因此,本行业对新进入者具有较高的技术壁垒。

2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
从全球市场来看,半导体分立器件市场集中度较高,且由于国外企业的技术领先优势,几乎垄断了汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。因此,总体而言,国内半导体分立器件企业与国际领先企业在规模及技术上都存在一定差距。

我国半导体分立器件市场呈现金字塔格局,第一梯队为国际大型半导体公司,凭借先进技术占据优势地位;第二梯队为国内少数具备IDM经营能力的领先企业,通过长期技术积累形成了一定的自主创新能力,在部分优势领域逐步实现进口替代;第三梯队是从事特定环节生产制造的企业,如某种芯片设计制造、或几种规格封装测试。

依托电子信息产业的快速发展,半导体分立器件市场一直保持着较好的发展势头。近年来,随着全球电子产品技术的升级换代,催生了新产品和新应用的不断涌现,尤其是电动汽车、5G应用等带来的衍生机会,进一步带动了分立器件应用领域的快速拓展。

公司通过长期的行业深耕,在多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多工艺封装测试等环节均掌握了一系列核心技术,具备较强的根据客户需求进行产品定制,并采用多工艺制造平台提供生产来满足客户需求的能力,在国内属于具备一定技术优势的半导体分立器件商。公司是国内半导体分立器件领域首家加入国际汽车电子技术委员会的企业,在车规级器件及汽车市场具有一定的先发优势。

小信号器件一直是公司的核心优势产品,布局较早、具备先发优势,是该领域的知名品牌。

近年来随着公司在车规级功率器件方面的大力投入和发展,取得了较好的成长,目前已经在车载领域具有一定的市场影响力,尤其在中大功率 MOSFET 方面已属于国内半导体分立器件行业中规模较大的领先企业,车载领域的销售占比增幅明显。
客户认证是半导体分立器件行业的核心门槛之一,公司在计算机及周边设备、家用电器、适 配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域得到了诸多知名龙头客户的长期认可,并随着公司技术水平的不断提升,产品逐步进入工业控制、安防设备、汽车电子、医疗器械等应用领域,具备较强的客户认证优势。

二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
半导体分立器件制造过程的标准化程度高,技术一般与特定的工艺环节相结合,一旦解决某个工艺节点的特定问题,则该技术可以广泛应用于采用该种工艺的多个系列的产品。公司掌握了行业主流的半导体分立器件封装测试通用技术,并对组装、成型、测试过程进行工艺优化,实现精确控制,同时研发出了新型封装结构采用的Clip焊接技术、双面散热封装技术;在半导体分立器件芯片领域,逐步掌握了功率二极管部分品类芯片的设计和制造技术,并研发掌握了SGT结构中低压MOS晶圆制造工艺技术,具体如下:

现有核心技术 技术描述及特点使用该项核心技 术的主要产品
组装 技术高密度阵 列式框架 设计技术框架采用多排高密度化设计使每条框架产品数增加, 同时提高单位面积内的产品数,提高生产效率及降低 材料消耗。小信号二极管、 光电耦合器、功 率二极管、桥式 整流器
 芯片预焊 技术将锡膏或焊片预焊在芯片两面,增加一道工序,在提 升焊接工序效率、减少芯片沾污方面有明显效果,焊 接气孔由5%减少到3%以下,提高产品质量及可靠性。桥式整流器
 点胶量 CPK自动 测量控制 技术通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控制, 提高芯片的受控程度,确保每个点位的胶量都在受控 范围。功率二极管、桥 式整流器
 功率芯片 画锡焊接 技术通过特殊设计的高温针头在装片基岛范围内均匀行 走,达到焊锡量分布均匀平整,位置可控,从而可达 到装片后芯片四周溢锡均匀、BLT厚度稳定可控、焊接 空洞减少的目的,提升功率器件的性能和可靠性。功率二、三极管
 甲酸真空 焊接技术焊接过程中通入甲酸可以将框架表面的氧化铜还原, 使框架表面无氧化层,提升塑封料与框架之间的结合 强度,降低产品分层异常。功率二极管、桥 式整流器
 高温反向 漏电控制 技术SKY芯片采用多层钝化和多次金属化表面,在封装过程 中增加焊接后化学清洗,极大程度降低器件的高温漏 电,提高产品的高温可靠性。功率肖特基二极 管
 多层叠焊 技术通过精准的锡量控制,使芯片与芯片之间焊锡层厚度 和覆盖面积控制达到最优,并实现多层芯片的串联, 从而可以实现超高耐压或特殊功能要求的器件,实现 单芯片不能实现的功能。高压二极管、功 率二极管
 LED倒装 封装技术通过将 LED芯片 PN结输出进行特殊设计,组装过程中 将芯片直接与基板上的正负极共晶焊接,无线焊接缩 短了热源到基板的热流路径,具有较低的热阻。同时 倒装结购使产品具有更好的抗大电流冲击稳定性和光 输出性能,尺寸可以做到更小,光学更容易匹配。LED灯珠
 超薄超小 DFN封装 技术采用特殊的框架设计和制造工艺,框架的密度是普通 蚀刻工艺的2倍以上,封装采用我司先进的超薄超小芯 片的封装工艺,最终封装产品塑封体厚度可以做到 0.22mm以下,塑封体外形可以做到市面上最小的 0201 外形。小信号开关二极 管、肖特基二极 管、PIN二极 管、ESD二极管
 双面散热 封装技术在现有的底部散热封装外形的结构基础上,通过设计 厚尺寸 clip并用于芯片与框架之间的连接,产品塑封 后对上模面采用独特的打磨工艺获得平整裸露 Clip散 热面,从而实现产品底部和顶部均带散热功能,极大 程度提高产品的散热能力,从而提高功率产品的电流 能力。功率二极管、功 率MOS
 基于塑封 前喷涂涂 层的防分 层技术在塑封前于芯片表面喷涂一种特殊的隔离溶胶,该溶 胶与芯片、框架及塑封料均具有有极强的粘接力和强 密着性,并可以在芯片与塑封料之间、框架和塑封料 之间起到很好的缓冲作用,因此可有效解决芯片、框 架与塑封料之间受热力容易产生的的分层异常,提升 功率器件的PCT能力和可靠性。功率二极管、功 率三极管、功率 MOS、SiC肖特 基、SiCMOS
 Clip焊接 技术在框架焊接工艺中采用 clip完成芯片上表面的电极与 框架的连接,有效降低芯片所受应力,降低产品潜在 失效风险。功率二极管、桥 式整流器、功率 MOS
成型 技术Auto模自 动封装技 术采用对塑封模具、框架结构等设计,选用 Automolding 系统实现自动塑封,生产过程中可实现分段开合模、 分段注塑等特殊应用功能,满足有特殊注塑工艺要求 产品的生产,整个过程几乎不受作业人员操作不当影 响,生产效率高,制程受控。小信号二极管、 小信号三极管、 功率MOS
 光耦器件 管脚一体 成型技术通过将不同工位的刀具系统集成在同一副系统或模具 上,实现在切筋成型过程中所有工序一体完成,极大 节约设备占据场地空间以及提升工序生产效率,同时 保证产品成型稳定性。光电耦合器、隔 离驱动
测试 技术基于产品 特性数据 分析的测 试技术针对芯片对产品特性的影响,通过分析量化,制定测 试方案,并用PAT方法筛选出产品性能离散及有潜在失 效模式的产品。小信号二极管、 小信号三极管、 功率二极管、功 率三极管、桥式 整流器、光电耦 合器
 基于光学 影像的全 自动产品 测量技术通过光学影像监测功能对产品的外观进行监测,配合 产线的生产设备,可以实现产品 100%外观监测,将不 符合标准产品有效剔除,检测效率极高。所有封装产品
 基于开尔 文接触方 式的多颗 串联高压 测试技术通过对高压测试座的结构进行特殊优化设计并采用带 回路检测功能的高压测试仪器,从而避免高压测试过 程中因产品引脚与测试座接触不良而发生漏测,提高 测试的生产效率和剔除有效性。所有光电耦合器
 基于FMEA 的测试技 术针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影响, 通过分析量化,制定测试方案,筛选出生产过程中的 潜在异常品及有潜在失效模式的产品。所有产品
MOS 芯片 制造 工艺 技术SGT结构 中低压 MOS晶圆 制造工艺 技术该工艺在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上 引入了水平耗尽,通过改变 MOSFET内部电场的形态, 将传统的三角形电场变为类似压缩的梯形电场,从而 进一步减小 EPI层的厚度,降低导通电阻 Rds(on)。 SGTMOSFET配合先进封装,非常有助于提高系统的效能 和功率密度中低压大功率 MOS
平面 芯片 制造 技术平面结构 芯片无环 高耐压终 端技术特有的无环高耐压平面结构设计,避免了传统台面结 构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题,可以采用标准 半导体工艺(氧化、扩散、光刻、注入、CVD等)制备 技术,达到实现更大晶圆生产、提升产品稳定性、可 靠性等目的。功率二极管
 平面结构 芯片表面 多层钝化 技术采用多层CVD钝化膜技术,形成芯片表面所需的综合钝 化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化,平面玻璃电 泳等保护技术,可以使平面芯片具备 5um~20um的钝化 介质层。多层 CVD钝化膜起到固定可动电荷、稳定耐 压,隔离水汽渗透,绝缘电介质等功能,从而形成芯 片表面所需的综合钝化保护膜,相应产品性能稳定性 优异。聚酰亚胺钝化,平面玻璃电泳技术有效解决了 芯片封装中遇到的可靠性问题,提高器件极限条件下 的稳定性、可靠性。功率二极管
 平面结构 功率稳压 二极管、 TVS芯片 设计及制 备技术特有的平面结构设计及表面多层钝化技术,避免了传 统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题,可以 采用标准半导体工艺制备技术制备,达到提升产品一 致性、稳定性、可靠性的目的。功率二极管
 大功率 TVS产品 提升功率 技术采用平面和台面结构相结合的方式,有效增加芯片的 接触面积,提升产品的功率能力功率二极管
 TVS芯片 VC恒定制 造工艺控 制技术采用特殊的芯片结构及深结工艺,改变单双向TVS芯片 IPP/VC曲线,在IPP范围内芯片的VC保持在一个较小 范围,提升产品功率和电压抑制保护能力。功率TVS二极管
 稳压管 ZZK改善 技术扩散时采用特殊的气体的方式,对芯片表面缺陷、杂 质浓度分布等进行有效的改善,大大降低产品的动态 电阻。稳压二极管
台面 芯片 制造 技术PEG特殊 钝化工艺 保护应用 技术采用一种特殊的组合工艺,结合了刀刮法、光阻法和 电泳法的优势,钝化层根据需要排序进行生长,一方 面钝化过程中不会带入其他杂质,玻璃内部不产气泡 和黑渣点,另一方面形成的玻璃钝化层非常致密,芯 片的击穿硬特性和耐高温特性大大提高,可应用于高 可靠性要求的应用场合。高可靠性要求功 率二极管
公司半导体分立器件封装测试通用技术一般可用于多种封装,并最终应用于多种主营产品,功率二极管芯片制造技术主要用于生产稳压、整流、TVS、FRD等功率二极管芯片,最终应用于功率二极管产品。MOS芯片制造工艺技术主要是SGT结构中低压MOS晶圆制造工艺技术,用于中低压大功率MOSFET产品。此外,公司全参数模拟寿命试验验证技术是基于大量经验数据对自主设计、生产产品进行针对性测试的技术,广泛应用于公司各类主营产品。公司多项核心技术成熟度高,可应用于车规级产品生产,为公司车规级产品线的拓展提供了技术保障。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
公司于2023年7月入选国家级第五批专精特新“小巨人”企业名单,因未发生在报告期内,故不在此处详述。具体情况请见公司于2023年7月24日披露于上交所网站(www.sse.com.cn)的《关于自愿披露公司入选国家级第五批专精特新“小巨人”企业名单的公告》(公告编号:2023-046)。


2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,公司致力于自主研发和创新,丰富产品矩阵,通过加强研发团队建设、加强对外合作,增加配置及充分利用公司研发资源,提升公司的自主创新能力和研发水平,巩固和保持公司产品和技术的领先地位,取得了一定的成效。报告期内,公司投入研发费用2,139.86万元,研发投入总额占营业收入的比例为6.48%;公司申报国家专利14项,获得专利授权19项。截止报告期末,公司累计拥有有效专利237项,其中发明专利25项。

报告期内,公司主要取得的其它研发成果如下:
(1)验证了外延台面芯片技术可行性,完成了两款典型产品的样品试制。

(2)验证了PEG工艺可行性,拓展了公司台面芯片技术路径。

(3)解决了部分封装产品的分层问题,为全面解决分层问题打下来基础。

(4)研发了PDFN系列功率封装关键技术,完善了拓展封装系列,丰富产品规格的技术储备。

(5)完成了氮化镓光耦产品的技术方案设计。

(6)完成了6吋芯片工艺平台的部分关键技术开发。

(7)完成了倒装技术光电产品,保持了公司在车灯照明领域的持续竞争能力。

(8)完成了首款RFID芯片设计,拥有自主知识产权,为下一步产业化奠定了坚实的基础。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利805825
实用新型专利619306212
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他0000
合计1419364237
注:
(1)“本期新增”中的“获得数”为报告期末新获得的专利数;
(2)“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度 (%)
费用化研发投入21,398,632.4928,329,825.07-24.47
资本化研发投入---
研发投入合计21,398,632.4928,329,825.07-24.47
研发投入总额占营业收入比例 (%)6.487.76减少1.28个 百分点
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用


4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目 名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性 成果拟达到目标技术 水平具体应用前景
1智能芯 片和功 率模块 研发2,294.6052.342,301.331.RFID基本完 成,进入总结 和验收阶段; 2.IPM已实现 量产;大功率 IGBT产品已完 成开发,首款 产品已送样。1.安全模块(芯片)通过国际标准NIST测试等, 申请专利2项以上,其中发明专利1项。 2.功率模块产品: 2.1产品耐压630V以上 2.2绝缘耐压:2000V AC, 1分钟以上 2.3产品静电等级:HBM>2000V,MM>200V 2.4完成产品功能验证国内 领先1.RFID芯片用于ID识 别、智能仓储、无人零 售等; 2.功率模块用于变频电 机驱动,主要应用于变 频空调、洗衣机、冰 箱、汽车电子等。
2倒装封 装技术 开发及 不可见 光收发 器件开 发260.0079.24263.85项目已完成。1.功率 1~3W,光通量≥300lm 2.开发并实现共晶、芯片贴膜、围坝胶、划片切 割技术 3.白光、白转黄产品系列化 4.产品符合 AEC-Q102 标准要求国内 领先应用于新一代车灯照明 系统。
3外延低 压系列 芯片及 产品开 发400.00272.29272.29样品已完成, 转入小批量阶 段。开发外延低压芯片,两款典型规格: 1.SF58G,尺寸73mil,片厚310±15um,VB> 640v,VF<1.55v,trr<35ns 2.SF86G,尺寸73mil,片厚310±15um,VB> 430v,VF<1.35v,Trr<50ns国内 领先应用于各类充电器、开 关电源、通讯产品、家 用电器等多个行业。
4双向高 压台面 TVS芯 片及产 品开发400.00215.80215.80样品已完成, 转入小批量阶 段。1.sipos+电泳形成10-25um玻璃保护 2.项目所涉及的产品HTRB能力都满足1000h 3.批次合格率>97%,圆片出率>98%国内 先进广泛应用于交/直流电 源、汽车、家用电器、 仪器仪表、共模/差模 保护、电机干扰抑制、 继电器、接触器噪音的 抑制等各个领域。
5功率器 件封装 结构、 封装材 料研究 及产品 开发1,000.00346.82346.821. 低压器件产 品工艺研究,完 成了样件阶 段,转入小批 量阶段 2. SOD-323HE 已进入小批量 阶段。1.低压器件产品工艺研究: 1.1降低生产工艺中应力影响,在生产工艺上适应 浅结芯片 1.2可靠性:符合汽车产品可靠性试验标准 1.3良率指标: 测试良率>98.5%,单站异常率< 0.3% 2.SOD-323HE封装开发: 2.1产效率大于30K/H,月产能达到10KK 2.2良率≥98%,内部无分层,空洞比例≤10%,单 个最大空洞比例≤3% 2.3PCT≥96H,HTRB≥1000H国内 领先广泛应用于家电、电 源、智能电表、照明、 通信、汽车电子等行 业。
66英寸 平面芯 片技术 及产品 开发420.00208.18208.18高频开关二极 管和功率稳压 芯片两个产品 大类均处于设 计验证阶段。1.高频开关二极管芯片 电压:VR:120V-185V trr≤4ns IR≤60nA 可靠性:175℃条件下HTRB≥1000h 片良率:≥98% 2.功率稳压芯片 主要电压档位:6.2V、15V、18V 电压精度:± 5% 耗散功率:≥0.35W 可靠性:满功率工作寿命满足≥1000h, 片良率≥98% ,对档率≥96%国内 先进应用于电力及能源,车 载电源、家电、开关电 源、智能电表、照明、 通信、汽车电子等领 域。
7高电流 密度功 率器件 技术研 究及产 品开发1,400.00857.35857.351. 高结合力低 分层的封装工 艺研究项目已 转入小批量阶 段。 2. DFN封装中 大功率MOS器 件开发项目目 前处于样品阶 段。 3. PDFN56封1.高结合力低分层的封装工艺研究: 系列产品全制程符合“IPC-JEDEC_J-STD-020D” 分层标准,产品无分层 2.DFN封装中大功率MOS器件开发: 2.1研发纳米银装片、烧结工艺技术和超厚DFN封 装的切割技术 2.2 DFN8080典型产品GSC0465ZT耐压值达600V 以上; 2.3 DFN3333典型产品BL120N03阻抗与普通产品 相比提升10%; 2.4 DFN系列产品免除胶工艺,简化工艺过程,降国内 领先广泛应用于工业控制、 开关电源、汽车电子等 行业。
     装CLIP技术开 发项目目前处 于样品阶段。低生产成本。 3. PDFN56封装CLIP技术开发: 3.1 PDFN5*6双clip初期具备月产能力>3KK能 力,最终匹配设备增加到位产能10KK/月; 3.2 完成PDFN5*6双散热产品的预研及样品试 制、工艺定型; 3.3 器件可实现超低阻抗(<1mΩ)  
8高可靠 度第三 代半导 体光耦 产品开 发250.0083.0983.09进入小批量试 验阶段。1.氮化镓材料的芯片测试技术研究,形成测试工 艺规范 2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术,满足车规 级产品可靠性需求 3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产 品达到2KK/月产能 4.全线成品率>98% 5.产品满足现有UL/VDE认证要求国内 领先广泛应用于工业控制、 开关电源、汽车电子等 行业。
9基于深 度学习 的半导 体封装 缺陷检 测技术50.0024.7424.74第一代检测算 法已基本完成 转入样机阶 段。1.实现基于深度学习的半导体封装表面缺陷检 测; 2.加快产品检测的速度,检测速度>20FPS; 3.检测划痕,破损,溢胶,气孔四种缺陷; 4.将图像采集部分得到的缺陷图片加载到深度学 习模型之中,进行缺陷检测;其中深度学习模型 需要大量的缺陷图片进行训练,理论上训练集的 图片越多,训练出来的模型更强大,更具有鲁棒 性; 5.产品的图像采集和缺陷检测均在机械传动平台 上进行,机械传动平台由放料模块、XY轴移动平 台、报警提示模块等硬件结构构成。国内 领先用于公司包封工序后的 封装体表面缺陷100%自 动检测。
合 计/6,474.602,139.854,573.45////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)164162
研发人员数量占公司总人数的比例(%)16.1114.90
研发人员薪酬合计1,189.701,303.67
研发人员平均薪酬7.258.05


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
硕士研究生42.44
本科6740.85
专科6237.80
高中及以下3118.90
合计164100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
60岁以上42.44
50-60岁(含50岁,不含60岁)74.27
40-50岁(含40岁,不含50岁)4125.00
30-40岁(含30岁,不含40岁)8551.83
30岁及以下(不含30岁)2716.46
合计164100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、技术优势
公司及子公司银河电器均被认定为高新技术企业,公司技术研发中心是“江苏省认定企业技术中心”,公司建有“江苏省半导体分立器件芯片与封装工程技术研究中心”和“江苏省片式半导体分立器件工程技术研究中心”,多次承担省市级科研课题,于 2023年 7月入选国家级专精特新"小巨人"企业名单。公司成功加入国际汽车电子协会,在半导体分立器件领域与英飞凌、安森美等公司同为该协会技术委员会(AEC Technical Committee)成员。公司以封装测试专业技术为基础,并通过不断的研发投入拓展了芯片相关核心技术,已经具备较强的芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力,是细分行业内半导体分立器件品种最为齐全的公司之一,能够满足客户一站式采购需求。公司在多个专门领域拥有资深技术研发团队,建有规范运作的研发中心,配有先进的研发设备,并建立了知识产权管理体系,通过与外部院校和专业供应商开展深入的技术合作,能够满足产品的精细化设计和生产的要求。通过多年的努力,公司逐步积累自身的核心技术,依据多工艺的产线验证和高精度的试验分析手段,形成了众多专业工艺核心技术和授权保护的专利技术,并实现了多项技术的成果转化。截至2023年6月30日,公司拥有有效专利237项,其中发明专利25项,多项产品被评定为高新技术产品。

2、产品优势
公司目前产品涵盖小信号器件、功率器件、光电器件及其他电子器件,掌握了 20多个门类、品功能和封装形式多样性,还是产品质量可靠性方面,均得到客户的广泛认可。我们以客户满意作为公司的核心目标,以零缺陷作为品质追求最终目标,为客户提供满足要求的产品,建立了良好的行业口碑和品牌形象。随着公司在芯片设计制造能力的持续提升,不仅能够有效增强与客户进行产品同步开发的能力和有效缩短产品开发周期,而且也可以依托芯片研发制造平台,为客户研发更具个性化的定制产品,进一步增强为客户提供一揽子配套服务的能力。近年来公司产品研发不断向系列化、前沿化、IDM化发展,逐步开发了功率MOSFET、IGBT、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别,公司已经为诸多知名客户进行配套。近年来公司致力于以汽车电子和工业控制应用等作为重点发展方向,在产品的设计及生产过程控制中严格贯彻 ITF16949质量管理体系标准和执行 AEC-Q101车规可靠性试验标准,确保车规级产品通过专项可靠性试验验证,目前公司产品已经被广泛应用于车身控制、智能驾舱、车载照明、BMS等用途,已经与多家国内外汽车零部件头部企业进行了合作,成功替代了英飞凌、安森美等企业的多款产品,近年来车规级产品的订单需求快速增长。

3、客户优势
公司秉承“诚实守信,拼搏创新,精益求精,合作共赢”的核心价值观,积极推进卓越绩效管理理念。深耕半导体行业多年,以领先的技术、可靠的品质、优质的服务,赢得了国内外众多客户的好评。目前已与众多知名客户形成了长期稳定的合作关系。公司将继续保持和提升在传统领域的优势,紧跟市场方向,积极扩展新能源汽车、清洁能源、安防、5G通讯、物联网、人工智能等新兴市场,抓住需求增长的机遇,全力推进替代进口战略,加快渗透,扩大国产器件份额。

报告期内,已取得了多家知名终端客户的进口替代合作机会,积极推进多个产品线的业务合作,进一步拓宽公司未来的市场空间。

4、品牌优势
公司坚持品牌经营,以技术创新为先导,以产品质量为保证,强化企业综合素质建设。通过多年努力,公司在行业内树立了良好的品牌形象。公司及其子公司在国内外拥有数十项注册商标,其中“BILIN”商标被国家工商行政管理局商标局认定为中国驰名商标,“G牌硅塑封微贴片半导体分立器件”是江苏省名牌产品。公司凭借多年积累所形成的品牌知名度,大力拓展市场,不断提升公司的经营业绩,推动公司长期良性发展。公司为江苏省高新技术企业,获得“常州市重点培育和发展的出口名牌”、“常州市推动高质量发展先进集体”、“常州市智能车间”、“江苏省瞪羚企业”、“江苏省绿色工厂”、“江苏省半导体行业协会副理事长单位”等多项荣誉,并拥有“江苏省认定企业技术中心”、“江苏省半导体分立器件芯片与封装工程技术研究中心”、“江苏省片式半导体分立器件工程技术研究中心”多项技术平台,在同行业中拥有较高的品牌影响力。凭借过硬的产品质量、齐全的产品种类,快速交付的能力和全过程的技术保障服务,赢得了客户的信任。报告期内,公司被部分汽车、工控领域客户认定为“年度优秀合作伙伴”、“年度优质供应商”。公司将进一步加强营销团队建设,强化快速交付的能力和全过程的技术保障服务,做好市场调研、竞争分析和产品前期导入策划工作。通过完善和整合FAE的资源,理顺从销售至事业部的产品开发管理流程,进一步拓展销售渠道、大件销售网络,提升为国际大公司、行业领头企业服务水平,提升品牌影响力。

5、认证优势
半导体行业体系认证/产品认证是重要的市场准入门槛。公司建立了较为完善的质量、环境、职业健康安全、知识产权、社会责任等各项管理体系,并通过了 ISO9001、IATF16949、ISO14001、ISO45001、ISO50001、IECQ-QC080000、GB/T29490、RBA等体系认证,公司实验中心通过了CNAS资格认证。公司积极布局并推进新能源汽车电子应用市场,于2018年通过车规AEC-Q101标准认证,并成功加入国际汽车电子协会,成为国内首家加入该协会的半导体行业会员单位。公司TVS、整流桥、光电耦合器等品类通过了美国UL、德国VDE、北欧四国FI、中国CQC及中国国家电网等多项国内外产品安全认证,产品已得到海内外广大客户的充分认可。

6、管理优势
公司的研发管理团队、生产管理团队、质量管理团队和市场销售团队具有丰富的行业相关经验,具备扎实的专业能力和丰富的管理经验。公司核心管理团队构成合理,事业心强,实践经验丰富,涵盖经营管理、技术研发、市场营销、生产运营、质量控制、财务管理等各个方面,互补性强,保证了公司决策的科学性和有效性。针对行业特点及客户群需求,公司依托专业定制的MES生管系统,以市场为导向,构造适应客户需求的多品种、多批次、定制、快捷的柔性化生产组织模式。公司建有适合于规模化生产的高洁净、防静电专用厂房和完备的配套设施,配备有行业先进的自动化专业生产设备和检测设备,具备规模化、系列化的产品生产能力。拥有智能制造车间以及车规级产品生产专线。通过不断探索管理模式,构建了完善的采购、生产、研发、销售管理体系,提高了经营效率,提升了公司的市场竞争力和盈利能力。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2023年上半年,受全球经济增速放缓,海外高利率和经济发展不确定性因素,以及国内地产、基建市场继续下行等宏观经济环境波动影响,半导体行业下游市场需求仍处于疲软状态,市场竞争愈发激烈。面对困难复杂的形势,公司董事会及管理层科学调配、灵活应对,保障生产经营正常有序进行,努力推进公司产业结构升级、重要项目落地。主要内容如下: 1、抢抓市场机遇,推进业务拓展
报告期内,公司紧紧抓住新能源汽车电子、光伏、储能等新产业发展机遇,积极推进公司可转债项目“车规级半导体器件产业化项目”的建设,加快引进先进的生产、检测设备,进一步扩大产能规模。市场拓展方面,以“攻城战”为基本指导思想,在继续巩固家电、电源、网通、工控等传统领域的市场情况下,继续深化与中高端应用领域头部客户的合作。

2、坚持技术创新,优化研发机制
报告期内,公司引入“项目管理/产品经理”先进且成熟的管理方式,在即期的产品与应用开发、短期的市场开拓与客户提升方面做文章,结合已有芯片设计、流片资源优势,积极提升车规产品、MOS产品的市场知名度与市场占有率。推动“集中研发”的管理新模式,合纵连横,自上而下动态组建各种跨部门的研发部或组,追求快速、有效、持续地解决现实技术与工艺问题,将市场“虚”求在生产层面上持续“实”现。继续加大与重点科研院校的产学研合作力度,多做预研类“课题”,为公司长期的潜在发展做技术储备,强化第三代半导体器件、高功率密度技术和新型材料应用的研发。
3、以结果为导向,强化基础管理
公司上半年持续推动“以结果为导向”的目标管理体系建设,以“添活力、优机制”为总方针,持续优化各层级绩效考核方案,改革管理评审模式,激发团队的战斗力。通过推进 ERP、CRM、OA等信息化系统工具建设,进一步理顺客户关系管理、订单管理、物料全生命周期管理等过程,推进业财一体化协同发展,管理可视化。

报告期内,公司进一步优化品质组织架构,完善从产品设计、供应商管理、生产制程、客户等的全供应链品质保证体系,确保客户的声音可以第一时间得到响应和内部持续改善。完成全员质量意识培训,实现质量表现全面和绩效挂钩,全面推动全员质量管理。积极推进 CNAS实验室管控体系建设,顺利通过认证,新增激光开帽台、HTRB试验箱、潮湿箱、盐雾试验箱、高压蒸煮试验箱、冷热冲击试验箱等试验分析设备,完成环境试验高温区、应用实验室现场改造,提升了公司整体可靠性试验和分析的能力。

4、提升核心凝聚,践行社会责任
报告期内,为进一步建立、健全公司长效激励机制,吸引和留住优秀人才,充分调动公司核心技术、销售、管理人员的积极性,提升团队凝聚力,有效地将股东利益、公司利益和核心团队三方利益结合在一起,使各方共同关注公司的长远发展,在充分保障股东利益的前提下,按照收益与贡献对等的原则,制定2023年限制性股票激励计划,报告期内,以15.00元/股的授予价格向6名激励对象授予85.00万股限制性股票。

公司推动绿色制造,完成二期光伏电站的建设,组织编制车规级半导体器件产业化项目能评报告,实时监控废水、废气中的污染物因子排放数据趋势,确保达标排放。公司进一步学习贯彻“新安全法”,落实安全生产责任制,完善消防管理制度,改造消控室整体环境,更新安全生产综合应急预案,组织对安全隐患排查和整治,开展消防逃生演练等活动,强化对外来施工方的管理,上半年未发生重大环保、安全事故。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)核心竞争力风险
1、新产品开发风险
半导体产业的下游是各类电子电器产品,随着终端产品在例如轻薄化、高功率密度等方面要求的不断提高,以及汽车电子、工业控制等新的应用场景不断涌现,客户对公司不断优化现有产品性能并根据其提出的要求进行新产品开发的能力要求较高。

在产品优化及开发过程中,公司需要根据客户要求进行器件整体设计,包括芯片的性能指标、结构,所采用的封装规格,芯片与封装的结合工艺以及成品检测方法等,对公司技术能力要求较高,同时还需保证产品具有较好的成本效益。如公司无法持续满足客户对新产品开发的要求,将造成公司业绩增长放缓,对盈利能力造成负面影响。

2、技术研发不及预期风险
公司依靠核心技术开展生产经营,只有不断推进新的芯片结构和生产工艺、封装规格、测试技术等方面的储备技术的研发,才能为公司在进行产品设计时提供更大的技术空间和多工艺平台的可能性,以便更好的满足客户需求。

公司主要依靠自主研发形成核心技术,但由于分立器件是多种学科技术的复合产品,技术复杂程度高,新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结果不确定性高等特点。

另外,由于基础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、先导性,研发成果存在着一定的市场化效果不及预期,或被国外已有技术替代的风险。因此,如果公司的研发活动未取得预期结果,或者研发结果产业化进程不及预期,将使公司大额研发投入无法实现成果转化,影响公司经营业绩。

3、核心技术人员流失及技术泄密风险
半导体分立器件行业是技术密集型行业,公司的产品性能、创新能力、新产品开发均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力,如果公司核心技术人员流失或发生核心技术泄密的情况,就很有可能会削弱公司的市场竞争能力,影响公司在行业内的竞争地位。

(二)经营风险
1、原材料价格波动风险
报告期内,公司材料成本占成本的比例较高,对公司毛利率的影响较大。公司所需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切,受到市场供求关系、国家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动,将直接导致公司产品成本出现波动,进而影响公司的盈利能力。

2、寄存销售模式下的存货管理风险
报告期内,公司针对部分客户的订单排程需求,先将产成品发送至客户端寄存仓库,待客户实际领用并与公司对账确认后确认收入,在确认收入前,作为公司的发出商品核算。由于该部分存货脱离公司直接管理,尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制,但在极端情况下依然存在存货毁损、灭失的风险。

3、芯片外购比例较高风险
芯片属于分立器件的核心部件,虽然公司掌握半导体二极管等芯片设计的基本原理,具备对分立器件芯片性能识别以及自制部分功率二极管芯片的能力,但不具备制造生产经营所需全部芯片的能力。公司生产经营模式以封测技术为基础,外购芯片占公司芯片需求的比例较高,如果部分芯片由于各种外部原因无法采购,将对公司生产经营产生重大不利影响。

4、环保风险
公司生产过程中会产生废水、废气、废渣等污染性排放物,如果处理不当会污染环境,产生不良后果。公司已严格按照有关环保法规及相应标准对上述污染性排放物进行了有效治理,使“三废”的排放达到了环保规定的标准,各项目也通过了有关部门的环评审批,但随着国家和社会对环境保护的日益重视,相关部门可能颁布和采用更高的环保标准,将进一步加大公司在环保方面的投入,增加公司的经营成本,从而影响公司的经营业绩。

5、固定资产折旧的风险
固定资产折旧的风险随着扩建项目的陆续投产使用,将新增较大量的固定资产,使得新增折旧及摊销费用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平,则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。

(三)财务风险
报告期内,公司出口销售收入占主营业务收入比例超过25%。公司境外销售货款主要以美元结算,汇率的波动给公司业绩带来了一定的不确定性。近年来我国央行不断推进汇率的市场化进程、增强汇率弹性,汇率的波动将影响公司以美元标价外销产品的价格水平及汇兑损益,进而影响公司经营业绩。

(四)行业风险
1、与国际领先企业存在技术差距的风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品牌知名度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。未来如果公司不能及时准确地把握市场需求和技术发展趋势,无法持续研发出具有商业价值、符合下游市场需求的新产品,缩小与同行业国际领先水平的技术差距,则无法拓展高性能要求领域的收入规模,将对公司未来进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等新兴市场产生不利影响,甚至部分传统产品存在被迭代的风险。

2、市场竞争风险
国际市场上,经过60余年的发展,以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时,国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术,其研发投入强度也高于国内企业,在全球竞争中保持优势地位,几乎垄断汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。国内市场较为分散,市场化程度较高,各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场,并保持着较快的发展速度,这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧,公司如果研发效果不达预期,不能满足新兴市场及领域的要求,公司市场份额存在下降的风险。

3、产业政策变化的风险
在产业政策支持和国民经济发展的推动下,我国半导体分立器件行业整体的技术水平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。如果国家降低对相关产业扶持力度,将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步,加剧国内市场对进口半导体分立器件的依赖,进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。

(五)宏观环境风险
1、宏观经济波动风险
半导体分立器件行业是电子器件行业的子行业,电子器件行业渗透于国民经济的各个领域,行业整体波动与宏观经济形势具有较强的关联性。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、网络通信、汽车电子等下游领域,如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响,半导体分立器件行业的景气度也将随之受到影响。下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎,公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响,进而影响公司盈利水平。

2、国际经贸摩擦波动风险
国际经贸关系随着国家之间政治关系的发展和国际局势的变化而不断变化,经贸关系的变化对于宏观经济发展以及特定行业景气度可以产生深远影响。在全球主要经济体增速放缓的背景下,贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在,国际贸易政策存在一定的不确定性,如未来发生大规模经贸摩擦,可能影响境外客户及供应商的商业规划,存在对公司业绩造成不利影响的风险。

3、税收优惠政策变动的风险
公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、部分项目加计扣除等。公司及子公司银河电器均系高新技术企业,公司分别于2016年11月、2019年12月、2022年11月通过审批被认定为高新技术企业,子公司银河电器分别于2017年11月、2020年12月通过审批被认定为高新技术企业,因此报告期内公司、银河电器减按15%的税率征收企业所得税。如果未来未取得高新技术企业资质,或者所享受的其他税收优惠政策发生变化,将会对公司业绩产生一定影响。(未完)
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