[中报]华海清科(688120):2023年半年度报告

时间：2023年08月28日 20:22:47 中财网

原标题:华海清科:2023年半年度报告

公司代码：688120 公司简称：华海清科
华海清科股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述了公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者注意投资风险，审慎作出投资决定。

三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人张国铭、主管会计工作负责人王怀需及会计机构负责人（会计主管人员）王峰声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................. 9
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 34
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 36
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 38
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 64
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 72
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 73
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 74

备查文 件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责人签名并盖章的财务报表
	经公司负责人签名的公司2023年半年度报告文本原件
	报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
华海清科、公司	指	华海清科股份有限公司
华海清科（北京）	指	华海清科（北京）科技有限公司
清控创投	指	清控创业投资有限公司
清华控股、天府清源	指	清华控股有限公司，现已更名为“天府清源控股有限公司”
四川能投	指	四川省能源投资集团有限责任公司
四川省国资委	指	四川省政府国有资产监督管理委员会
科海投资	指	天津科海投资发展有限公司
清津厚德	指	清津厚德（天津）科技合伙企业（有限合伙）
清津立德	指	清津立德（天津）科技合伙企业（有限合伙）
清津立言	指	清津立言（天津）科技合伙企业（有限合伙）
国投创业基金	指	国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）
金浦国调	指	上海金浦国调并购股权投资基金合伙企业（有限合伙）
金浦新兴	指	上海金浦新兴产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）
国开科创	指	国开科技创业投资有限责任公司
天津领睿	指	天津领睿股权投资基金合伙企业（有限合伙）
浙创投	指	浙江省创业投资集团有限公司
青岛民芯	指	青岛民芯投资中心（有限合伙）
大成汇彩	指	大成汇彩（深圳）实业合伙企业（有限合伙）
石溪资本	指	合肥石溪产恒集成电路创业投资基金合伙企业（有限合伙）
中芯海河	指	中芯海河赛达（天津）产业投资基金中心（有限合伙）
水木愿景	指	南宁水木愿景创业投资中心（有限合伙）
武汉建芯	指	武汉建芯产业基金合伙企业（有限合伙）
融创租赁	指	融创融资租赁有限公司
金浦新潮	指	南京金浦新潮创业投资合伙企业（有限合伙）
长江存储	指	长江存储科技有限责任公司
中芯国际	指	中芯国际集成电路制造有限公司
华虹集团	指	上海华虹（集团）有限公司
荣芯半导体	指	荣芯半导体（淮安）有限公司
长鑫存储	指	长鑫存储技术有限公司
《公司章程》	指	《华海清科股份有限公司章程》
股东大会	指	华海清科股份有限公司股东大会
董事会	指	华海清科股份有限公司董事会
监事会	指	华海清科股份有限公司监事会
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
中国证监会	指	中国证券监督管理委员会
上交所	指	上海证券交易所
半导体	指	常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，按照制造技术可分 为集成电路（IC）、分立器件、光电子和传感器，可广泛应用于下 游通信、计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空航天等产业
IC、集成电路、芯片	指	Integrated Circuit的简称，指集成电路，通常也叫芯片（Chip）， 是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需 的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小 块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成 为具有所需电路功能的微型结构
化学机械抛光（CMP）	指	Chemical Mechanical Polishing，集成电路制造过程中实现晶圆全 局均匀平坦化的关键工艺
晶圆	指	晶圆指制造集成电路芯片的衬底（也叫基片）。由于是晶体材料， 其形状为圆形，所以称为晶圆。按其直径主要分为6英寸、8英寸、 12英寸等规格
硅片	指	Silicon Wafer，半导体级硅片，用于集成电路、分立器件、传感器 等半导体产品制造
晶圆再生、再生晶圆	指	对晶圆制程所需挡、控片（材质为晶圆）进行回收，通过去除晶圆 表面的杂质和缺陷，使处理后的晶圆在平整度和表面的颗粒数量上 都达到新片的标准，实现其循环再利用
减薄	指	对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使 其厚度减少至合适的超薄形态
封装	指	在半导体开发的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在支撑外 壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电路板的工艺技 术
先进封装	指	处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封 装、圆片级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封装、3D封装 等均被认为属于先进封装范畴
MEMS	指	Micro Electro Mechanical System，微机电系统
逻辑芯片	指	一种通用芯片，它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定
NAND	指	闪存，属于非易失性存储器
Chiplet	指	芯粒,预先制造好、具有特定功能、可组合集成的晶片
MicroLED	指	微发光二极管，一种新型的显示器件
SiC	指	碳化硅，一种常用的化合物半导体材料
GaN	指	氮化镓，一种常用的化合物半导体材料
WPH	指	Wafer per hour，指每小时能够加工的晶圆数量
Cu/Al/W/Co	指	铜/铝/钨/钴，芯片加工常用的金属材料
节点、制程	指	泛指在集成电路制造过程中的“晶体管栅极宽度的尺寸”，尺寸越 小，表明工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上，可以制造出 更多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用更小的空间，主要 节点如90nm、65nm、45nm、28nm、14nm、7nm、5nm等
SEMI	指	Semiconductor Equipment and Materials International，国际半 导体设备与材料产业协会
报告期	指	2023年1-6月
报告期期末	指	2023年6月30日

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	华海清科股份有限公司
公司的中文简称	华海清科
公司的外文名称	Hwatsing Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写	Hwatsing
公司的法定代表人	张国铭
公司注册地址	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
公司注册地址的历史变更情况	2021年10月19日注册地址由天津市津南区咸水沽镇聚兴道9 号3号楼一层变更为天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
公司办公地址	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
公司办公地址的邮政编码	300350
公司网址	www.hwatsing.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	不适用

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	王同庆	王旭
联系地址	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
电话	022-59781962	022-59781962
传真	022-59781796	022-59781796
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	上海证券报、中国证券报、证券日报、证券时报
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号资本证券部
报告期内变更情况查询索引	不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所科创板	华海清科	688120	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
√适用 □不适用

报告期内履行持续督 导职责的保荐机构	名称	国泰君安证券股份有限公司
	办公地址	中国（上海）自由贸易试验区商城路618号
	签字的保荐代表人姓名	唐伟、裴文斐
	持续督导的期间	2022年6月8日至2025年12月31日

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入	1,234,424,929.07	717,198,683.99	72.12
归属于上市公司股东的净利润	374,097,280.17	185,709,691.27	101.44
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	307,458,275.64	143,834,225.62	113.76
经营活动产生的现金流量净额	268,502,815.49	-178,135,954.97	不适用
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	5,112,181,523.90	4,790,865,019.64	6.71
总资产	8,318,629,331.34	7,826,758,909.40	6.28

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）	2.35	1.17	100.85
稀释每股收益（元／股）	2.35	1.17	100.85
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	1.93	0.90	114.44
加权平均净资产收益率（%）	7.53	12.52	减少4.99个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	6.19	9.70	减少3.51个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	11.24	11.79	减少0.55个百分点

注：上年同期“基本每股收益”、“稀释每股收益”和“扣除非经常性损益后的基本每股收益”根据本报告期资本公积转增股本后的总股本调整列报。

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2023年上半年，公司积极把握集成电路产业需求拉动所带来的市场机遇，持续加大研发投入和生产能力建设，增强了企业核心竞争力，公司CMP产品作为集成电路前道制造的关键工艺设备之一，获得了更多客户的肯定并实现了多次批量销售，市场占有率不断提高，同期营业收入及净利润均实现较大幅度同比增长。

营业收入同比增长72.12%达到12.34亿元，归母净利润同比增长101.44%达到3.74亿元，扣非归母净利润同比增长113.76%达到3.07亿元，利润增长主要系：（1）公司本期营业收入12.34亿元，较去年同期增长72.12%；（2）公司强化费用控制，本期期间费用的增长幅度低于营业收入的增长幅度；（3）本报告期公允价值变动、现金管理收益、嵌入式软件即征即退税收优惠等金额增加。

2023年上半年度经营活动产生的现金流量净额较上年同期大幅增加，主要系公司业务规模扩大，销售回款增幅较大。

报告期末，归属于上市公司股东的净资产较上年末增加6.71%，总资产较上年末增加6.28%，主要系公司盈利以及新增贷款的影响。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如 适用）
非流动资产处置损益	-725.73
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关， 符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政 府补助除外	41,202,941.68
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交 易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融 负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、 衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益	29,946,890.63
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	79,996.62
减：所得税影响额	-4,590,098.67
合计	66,639,004.53

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

√适用 □不适用
单位：元 币种：人民币

项目	涉及金额	原因
软件增值税即 征即退退税	41,423,049.90	公司所销售产品中的嵌入式软件增值税即征即退是因公司 正常经营业务产生的持续性事项，与主营业务密切相关且 能够持续取得，体现公司正常的经营业绩和盈利能力，不 符合非经常性损益的定义，因此归于经常性损益。

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业及产品
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，根据中国证监会颁布的《上市公司行业分类指引（2012年修订）》，公司属于专用设备制造业（行业代码：C35）。根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司属于专用设备制造业下的半导体器件专用设备制造（行业代码：C3562）。根据国家统计局《战略性新兴产业分类（2018）》，公司属于“1、新一代信息技术产业”中“1.2.1新型电子元器件及设备制造-3562*半导体器件专用设备制造”。

半导体产业在连接世界、驱动智能化发展、推动社会进步等方面发挥着重要作用，随着新技术的不断创新，智能手机、智能家居、无人驾驶、工业自动化等广泛应用，5G通信、人工智能、大数据等新兴领域的快速发展，不仅极大地提升了人们的生活质量，为社会经济发展带来了巨大的推动力，也带来了庞大的半导体市场需求，近年来全球半导体芯片领域持续扩大投资规模，带动了半导体设备行业快速发展。

随着近年来全球半导体产业格局和市场环境的不断变化，半导体设备作为半导体制造行业的基石,其关键技术和产品的自主可控尤为重要，也给我国本土半导体设备制造商带来挑战和机遇。

公司作为一家拥有核心自主知识产权的高端半导体设备供应商，始终以集成电路产业需求为导向，坚持自主创新的发展路线，在基础理论、关键技术、整机装备、成套工艺等贯穿式研究成果的基础上，对标国际发展趋势，以更先进制程、更高产能、更低成本为重要突破方向，致力成为国际一流半导体设备供应商。

公司自成立以来始终坚持自主创新的发展路线，在纳米级抛光、纳米精度膜厚在线检测、纳米颗粒超洁净清洗、大数据分析及智能化控制等关键技术层面取得了有效突破和系统布局，开发出了Universal系列CMP设备、Versatile系列减薄设备、HSC系列清洗设备、HSDS/HCDS系列供液系统、膜厚测量设备，以及晶圆再生、关键耗材与维保服务等技术服务，初步实现了“装备+服务”的平台化战略布局。公司主要产品及服务已广泛应用于集成电路、先进封装、大硅片、第三代半导体、MEMS、MicroLED等制造工艺，具体如下：
1、CMP设备

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
Universal H300		具有四个 12英寸抛光单元，通过创新抛光系 统架构设计，每个抛光单元配置双抛光头，并 优化清洗技术模块，具有更好的晶圆清洁效 果，整机性能大幅提高，满足集成电路、先进 封装、大硅片等制造工艺。
Universal-300E		具有四个12英寸抛光单元和单套组合清洗单 元，可配备 7区抛光头，可集成多种终点检 测技术，满足集成电路、先进封装、大硅片等 制造工艺。
Universal-300Dual		具有四个12英寸抛光单元和双套组合清洗单 元，可集成多种终点检测技术，满足集成电 路、先进封装、大硅片等制造工艺。
Universal-300X		具有四个12英寸抛光单元和双套组合清洗单 元，配备 7区抛光头，可集成多种终点检测 技术，满足集成电路、先进封装、大硅片等制 造工艺。
Universal-300T		在Universal-300X机型基础上搭载了更先进 的组合清洗技术，可满足集成电路、先进封 装、大硅片等制造工艺。
Universal-200Smart		具有四个 8英寸抛光单元和单套组合清洗单 元，可集成多种终点检测技术，满足集成电 路、先进封装、硅片、第三代半导体、MEMS、 MicroLED等制造工艺。
Universal-150Smart		可用于 6-8英寸各种半导体材料抛光，拥有 四个独立的抛光单元，工艺搭配灵活，产出率 高，满足第三代半导体、MEMS等制造工艺。

2、减薄设备

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
Versatile-GP300		集成超精密磨削、抛光及清洗单元，配置先进 的厚度偏差与表面缺陷控制技术，提供多种 系统功能扩展选项，具有高精度、高刚性、工 艺开发灵活等优点，可以满足集成电路、先进 封装等制造工艺的 12英寸晶圆减薄需求。
Versatile-GM300		面向封装领域创新研发的超精密晶圆减薄设 备，兼容 8/12英寸晶圆，采用新型布局，可 实现薄型晶圆背面超精密磨削与应力去除， 依托卓越的厚度在线测量与表面缺陷控制技 术，具有高精度、高刚性、工艺开发灵活等优 点，满足封装领域的薄型晶圆加工需求。

3、清洗设备

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
HSC-F3200		应用于12英寸硅衬底的终端清洗，采用旋转 喷淋式清洗方案，配备多种化学药液接口，具 备正面、背面清洗及干燥功能。工艺可灵活调 整，具有占地面积小、易维护等特点，适用于 规模化产线端应用。
HSC-F3400		应用于 12英寸硅衬底 CMP工艺后清洗，具 备正面和背面清洗功能，在 HSC-F3200的基 础上增加两个腔室并采用独特的腔室气流流 场设计保证工艺腔室内流场稳定。配备新颖 的晶圆背面清洗和背面干燥模块，具有维护 便捷、工艺调整灵活、产能高等特点，适用于 大规模产线端应用。
HSC-S1300		主要应用于4/6/8英寸化合物半导体的刷片清 洗设备，具备正面和背面刷洗功能。整机集成 水平刷洗及单片清洗干燥技术，可满足晶圆 干进干出和湿进干出两种放片模式。机台兼 容酸性溶液清洗和碱性溶液清洗，兼容透光 和不透光晶片的清洗。

4、供液系统

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
HSDS		满足半导体制造过程中湿法工艺设备的研磨 液等供应需求，操作维护便捷，具有高可靠 性、安全性和低维护保养成本、配置灵活等优 点。
HCDS		满足半导体制造过程中湿法工艺设备的清洗 液等化学品供应需求，操作维护便捷，具有高 可靠性、安全性和低维护保养成本、配置灵活 等优点。

5、膜厚测量设备

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
FTM-M300		可进行非接触式、无损伤测量，精度高、测量 结果可靠、准确，边缘测试性能优异，可实现 3D形貌可视化，主要应用于 Cu、Al、W、Co 等金属制程。

6、晶圆再生

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
晶圆再生		晶圆再生是将集成电路制造厂商在制造芯片 的过程中使用过的控挡片回收，将其工艺薄 膜、金属颗粒残留等杂质去除，使其达到再次 使用的标准，公司为客户提供晶圆再生服务 和再生晶圆销售。

7、关键耗材与维保服务

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
关键耗材与维保		关键耗材与维保服务主要是向客户的 CMP设 备提供设备关键易磨损零部件的维保、更新 服务，以保证设备的稳定运行。关键耗材主要 包括7分区抛光头、保持环、气膜等，维保服 务主要包括为客户进行7分区抛光头维保等。

（二）主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，通过向下游集成电路制造商及科研院所等客户销售CMP、减薄、清洗等半导体设备，并提供关键耗材与维保、升级等技术服务和晶圆再生业务。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于关键耗材与维保、晶圆再生等技术服务。

2、研发模式
公司主要采取自主研发模式，取得了CMP设备、减薄设备、清洗设备、膜厚测量设备等关键核心技术领域的重要成果。集成电路装备研发难度极高，按照国际行业惯用研发模式，公司的产品研发及商品化流程主要包括规划和概念阶段、设计阶段、开发实现阶段（Alpha和Beta）、验证确认阶段、量产及生命周期维护阶段。

3、采购模式
公司采购的主要原材料包括机械标准件类、机械加工类、气体/液体控制类、电气类和机电一体类等，其中机械加工类是供应商依据公司提供的图纸自行采购原材料并完成定制加工的零部件。其他常规标准零部件，公司面向市场进行独立采购。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。公司通常会与供应商签订年度框架合同并以订单形式具体执行采购，会根据主生产计划、物料BOM清单和零部件的库存量，动态计算和更新零部件的采购计划，并按照采购计划在《合格供应商名录》中选择供方并进行采购。采购物资送达后，质量部进行到货检验，检验合格后由库房部办理入库手续，完成采购。

4、生产模式
公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产和库存式生产相结合的生产管理方式。基于公司设备采用模块化设计的优势，公司在客户有较明确采购预期、形成公司的销售预测单时就可以开始安排销售机台的模块库存式生产，通常先预生产一部分通用模块；等待获得正式订单后再开始订单式生产，根据确定的参数配置需求设计差异模块，生产剩余的通用模块（如有）和定制化方案中的差异模块并完成总装、测试。

5、销售模式
公司通过直销模式销售产品，与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。公司设有销售部负责市场开发、产品的销售，同时客户服务部的服务工程师在客户所在地驻场工作，负责公司产品的安装、调试、保修、维修、技术咨询。同时，公司也从事CMP等设备有关的耗材、配件销售以及相关技术服务，对于客户的设备耗材、备件以及维保、工艺测试、设备升级、晶圆再生等服务需求，公司在与之签订相关合同或订单后，协调公司有关部门完成相关发货、安装、测试等。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司在纳米级抛光、纳米精度膜厚在线检测、纳米颗粒超洁净清洗、大数据分析及智能化控制和超精密减薄等领域研发的核心技术达到了国内领先的水平，主要核心技术概况如下：

序号	核心技术类别	核心技术名称	技术来源	具体表征
1	纳米级抛光	直驱式抛光驱 动技术	自主研发	抛光盘与转子整体形成，支撑轴承的内圈 固定安装于转子轴盘，支撑轴承的外圈固 定安装于轴承座内，支撑轴承为转子轴盘 和抛光盘提供精密的旋转支撑，直驱电机 定子通过支撑盘安装于转子轴盘内部。
2
		多区压力调控 抛光技术	自主研发	TM 即Flapa 系列承载头成套产品，具有多元 迭代的弹性膜耦合连接部和自动补偿的叠 层边缘结构，可实现腔室压力的协同及独 立调控，将动态终端控制分区从6个扩展 至8个，提升边缘区域调压能力。
3
		自适应承载头 技术	自主研发	结合历史工艺数据的分析和制程需求，在 承载头的内部设置由复合材料和/或功能 合金制成的旋转枢轴，通过适应性吸收电 磁波干扰，实现不同类型晶圆抛光的准确 停止，并且旋转枢轴的外缘部与承载头基 座的内壁形成为线性隔离接触，增加基板 与抛光垫之间的平行度。
4
		预适应保持环 技术	自主研发	在承载头的内部设置复合材料和功能合金 制成的旋转枢轴，选择性吸收电磁波干扰 ，实现化学机械抛光的准确停止；承载头
				的内部设置用于定心的旋转枢轴，旋转枢 轴的外缘部与承载头基座的内壁形成为线 性的隔离接触。
5	纳米精度膜厚 在线检测	归一化抛光终 点识别技术	自主研发	根据驱动抛光盘的电机负载率随时间变化 率、摆臂的摆动角度随时间变化率和承载 头相对于抛光盘中心的摆动距离随时间变 化的数据，计算得到归一化摩擦力矩随时 间变化的数据，以消除抛光单元运行参数 的波动影响。
6	纳米颗粒超洁 净清洗	马兰戈尼干燥 技术	自主研发	TM 即VRM 竖直干燥装置，采用可旋转固 定的整流喷头组件将干燥溶剂喷射至“气- 固- 体”的三相交界线，整流喷头组件的喷头 的喷射角度和距离均经过系统性迭代优化 ，能够将漂洗液准确喷射至晶圆表面形成 完整的螺旋液流膜并将干燥气体喷射覆盖 所述三相交界线。
7
		智能清洗技术	自主研发	在清洗刷从初始位置移向晶圆的过程中， 根据驱动电机负载变化，检测清洗刷与晶 圆的接触状态并记录为接触零点，按照预 设工艺控制清洗刷在设定位置对晶圆刷洗 ；并且将清洗效果、清洗刷与晶圆的距离 以及刷洗摩擦力矩等参数构建模型，迭代 优化预设工艺流程。
8
		工艺腔室气流 场改善技术	自主研发	通过新型气流场布局形式，完善并优化腔 室内部尤其是被清洗晶圆周边气流场，避 免了气流的紊流现象。通过工艺过程微环 境性能的提升，使得清洗工艺效果得到显 著提升。
9
		晶圆夹持技术	自主研发	通过磁力控制方式来完成晶圆 gripper夹持 和打开状态转换。该非接触式晶圆夹持开 合方式避免了传统机械接触式驱动方式对 零部件造成的磨损，精度及可靠性高，过程 稳定可控，无外部污染物引入的风险，大大 提升了工艺稳定性。
10	大数据分析及 智能化控制	高产能设备架 构技术	自主研发	采用多工位串行并行兼容的模块化布局， 基于浏览器/服务器模式的符合SEMI标准 的分布式工程控制软件，引入复杂工艺流 程调度及应急处理与恢复算法来处理系统 级颗粒污染控制等集成难题，保证设备的 可靠性和高效率。
11
		抛光装备运行 参数智能监测 与调控技术	自主研发	实时监控抛光垫的形貌和表面温度等运行 参数，同时利用电涡流传感器测量保持环 金属部的位移，预测其磨损程度，并使上 述运行参数与磨损程度等数据与承载头的 载荷耦联，调控承载头的载荷施加。
12
		基于智能控制 的抛光技术	自主研发	TM 即SPTC 智能调控系统，获取抛光压力 分布、去除速率形貌、目标去除速率形貌 、压力响应模型，然后利用目标去除速率 形貌和去除速率形貌计算去除速率形貌变
				化；利用去除速率形貌变化和压力响应模 型计算压力变化并通过历史大数据回归分 析推荐抛光参数。
13	超精密减薄	超精密研磨面 形控制技术	自主研发	将研磨面形特征分解为凹凸度和饱满度， 采用非接触测量方式，检测晶圆关键位置 的厚度，省去中间位置的检测步骤，基于 人工智能技术，构建磨抛参数与晶圆面形 智能模型，精确预测磨抛补偿参数，提升 面形控制的准确性。
14
		超精密集成减 薄技术	自主研发	通过移动缓存部在集成设备空间的磨削单 元和化学机械抛光单元之间传输晶圆，并 具有固定机构、定心机构和水平移动机构 ，定心机构设置在固定机构上以将放置于 固定机构的基板定位至与固定机构同心的 位置，固定机构与水平移动机构连接以使 固定机构带载基板水平高速移动提高机台 生产效率。
15
		超精密集成减 薄智能控制技 术	自主研发	根据化学机械抛光之前测量的晶圆的厚度 分布与历史大数据的比较分析，通过机器 学习调整承载头对晶圆的各分区的初试加 载，同时根据对晶圆进行化学机械抛光期 间在线测量的厚度分布和TTV阈值实时修 整压力分布。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
华海清科股份有限公司	国家级专精特新“小巨人”企业	2021年度	化学机械抛光设备
华海清科股份有限公司	单项冠军示范企业	2021年度	化学机械抛光设备

2. 报告期内获得的研发成果
截至2023年6月30日，公司累计获得授权专利337件，软件著作权23件。具体情况详见下表：
报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	36	19	435	175
实用新型专利	18	49	190	162
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	5	3	25	23
其他	0	4	89	71
合计	59	75	739	431

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	138,709,837.94	84,587,655.17	63.98
资本化研发投入	-	-	不适用
研发投入合计	138,709,837.94	84,587,655.17	63.98
研发投入总额占营业收入比例（%）	11.24	11.79	减少0.56个百分点
研发投入资本化的比重（%）	-	-	不适用

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司高度重视核心技术的研发和创新以及技术人才的挖掘和培养，加大研发投入，本期研发投入中研发人员薪酬及研发直接投入大幅增加。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序号	项目名称	预计总投 资规模	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或阶段性 成果	拟达到目标	技术水平	具体应用前 景
1	关键零部件项目	21,400.00	5,979.07	20,300.89	产业化应用	研制出集成电路设备相关核心 零部件，满足产业化应用要 求。	国际先进水平	集成电路设 备
2	先进抛光装备项目	3,890.00	826.85	1,824.11	产线验证	研制先进半导体领域专用的抛 光设备，满足量产要求。	国际先进水平	第三代化合 物半导体
3	先进零部件项目	8,400.00	2,116.18	2,634.25	工艺验证	研制纳米级先进零部件，通过 集成验证与应用，满足集成电 路精密制造需求。	国际先进水平	集成电路设 备
4	先进CMP工艺项目	2,600.00	480.24	1,534.37	工艺验证	突破先进制程CMP材料及工艺 技术，具备先进制程CMP工艺 整体解决方案的能力。	国际先进水平	先进制程逻 辑芯片制造
5	3D NAND芯片制造 Oxide CMP装备研发	1,360.00	344.29	652.52	产业化应用	研制3D NAND Oxide CMP装 备，满足量产要求。	国际先进水平	≥128层3D NAND芯片制 造
6	先进湿法设备项目	1,194.50	101.02	474.19	测试阶段	研制半导体湿法设备并满足量 产要求。	国际先进水平	逻辑芯片、 存储芯片
7	三维闪存芯片制造超 精密减薄装备研发	2,240.00	868.80	1,983.10	工艺验证	攻克超精密减薄关键核心技 术，研制出12吋超精密减薄 装备，满足产业化应用要求。	国际先进水平	三维闪存芯 片制造
8	基于三段式刷洗技术 的CMP装备研发	1,730.00	72.27	1,633.53	工艺验证	开发新型CMP设备，提高CMP 后清洗能力，满足各道先进制 程应用。	国际先进水平	芯片制造
9	Final Clean单片清 洗机关键技术研发	90.00	23.74	110.66	产线量产	研制新型单片清洗机关键系统 及核心部件，提高整体清洗工 艺性能。	国际先进水平	集成电路设 备
10	300mm晶圆超精密全 自动Trimming机台	1,816.00	58.77	58.77	设计阶段	研制出关键集成电路设备 Trimming机台，满足产业化 应用要求。	国际先进水平	集成电路设 备
11	CMP过程白光在线测 量技术研究与开发	968.00	216.26	216.26	设计阶段	研制光学在线量测模块，实现 晶圆非金属膜层厚度的CMP过 程在线测量，满足产业化应用 要求。	国际先进水平	集成电路设 备
12	先进制程关键零部件	19,500.00	2,107.08	2,107.08	设计阶段	研制用于先进制程的关键零部 件，满足产业化应用要求。	国际先进水平	集成电路设 备
13	其他小项目	4,046.30	676.41	1,196.17	/	/	/	/
合计	/	69,234.80	13,870.98	34,725.92	/	/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	373	277
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	33.36	34.93
研发人员薪酬合计	5,976.33	3,957.19
研发人员平均薪酬	16.02	14.29

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士研究生	11	2.95
硕士研究生	161	43.16
本科	180	48.26
专科	19	5.09
高中及以下	2	0.54
合计	373	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
30岁以下（不含30岁）	154	41.29
30-40岁（含30岁，不含40岁）	197	52.81
40-50岁（含40岁，不含50岁）	20	5.36
50-60岁（含50岁，不含60岁）	2	0.54
60岁及以上	0	0
合计	373	100.00

（未完）