[中报]天岳先进(688234):山东天岳先进科技股份有限公司2023年半年度报告
原标题:天岳先进:山东天岳先进科技股份有限公司2023年半年度报告 山东天岳先进科技股份有限公司 2023年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之五“风险因素”。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人宗艳民、主管会计工作负责人Teo Nee Chuan及会计机构负责人（会计主管人员）Teo Nee Chuan声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告涉及未来计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 .............................................................................................................................................. 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ........................................................................................................... 6 第三节 管理层讨论与分析..................................................................................................................... 10 第四节 公司治理..................................................................................................................................... 27 第五节 环境与社会责任......................................................................................................................... 29 第六节 重要事项..................................................................................................................................... 31 第七节 股份变动及股东情况................................................................................................................. 48 第八节 优先股相关情况......................................................................................................................... 56 第九节 债券相关情况............................................................................................................................. 57 第十节 财务报告..................................................................................................................................... 58
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点变更情况简介
四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 √适用 □不适用
(二)公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他有关资料 □适用 √不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二)主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2023年1-6月份，公司实现营业总收入43,801.46万元，较上年同期增加172.38%；实现归属于母公司所有者的净利润-7,205.57万元，较上年同期增加1.29 %，实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-11,040.24万元，较上年同期减少5.38%。 2022 年公司调整产能布局，导电型衬底产能产量持续提升，报告期内公司营业收入主要来自于导电型产品销售。截至目前，公司济南工厂已转型为导电型产品为主，产量及营业收入较同期大幅增长，同时，产品结构调整过程中影响单位成本的不利因素逐步消除，并带动综合毛利率由去年同期-10%增加到11.3%。由于公司新建产能上海临港工厂尚处于产能产量爬坡阶段，单位产品成本较高，毛利率仍低于正常经营水平，对公司综合毛利率产生不利影响。 报告期内，新建产能前期费用支出及所储备的人员数量较大导致管理费用上涨；公司加强研发投入，包括8英寸导电型产品产业化研发，液相法等前瞻技术研发，大尺寸半绝缘产品研发，以及高品质导电型产品的持续研发投入等研发支出较大；上述费用的增加减少了报告期净利润和归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润。 报告期内，公司营收规模增长较快，导致报告期末应收账款等经营应收增加，而产能提升导致的职工薪酬、研发投入等经营支出增加，影响经营活动产生的现金流量净额同比减少。 七、境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 九、非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （1）所处行业 公司核心产品和主要收入来源为碳化硅衬底。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引（2012年修订）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业（分类代码：C39）”。根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。 （2）主营业务情况说明 公司是一家国内领先的宽禁带半导体材料生产商，目前主要从事碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体材料在5G通信、新能源汽车、储能等领域具有明确且可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。 公司已经实现6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的规模化供应。 公司高品质 6 英寸产品已经获得行业下游客户的广泛认可。报告期内公司营业收入主要来自于 6 英寸导电型产品销售。 公司与国内外知名客户开展合作。报告期内，公司高品质碳化硅衬底获得国际客户的认可，产品加速“出海”。公司已经与英飞凌、博世等行业下游电力电子、汽车电子领域的国内外知名企业开展了广泛合作，有助于共同推动碳化硅材料和器件的渗透应用。 在8英寸产品布局上，公司具备量产8英寸产品能力，报告期内已开展客户送样验证，并实现了小批量销售，预期产销规模将持续扩大。 公司积极优化产能布局。目前已形成山东济南、上海临港、山东济宁碳化硅半导体材料生产基地。 自去年以来，公司加大了导电型产品的产能产量，2023 年 5 月新建的上海临港智慧工厂开启了产品交付，目前正处于产量的持续爬坡阶段。根据目前公司在手订单及合作客户需求情况预计，临港工厂第一阶段年30万片导电型衬底的产能产量将提前实现，上海临港工厂将成为公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。 公司正规划继续通过技术提升和增加资本投入以进一步提高临港工厂产能产量。公司在日本设立研发及销售中心，积极开拓海外市场。目前海外市场对公司产品的需求旺盛。 公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站、山东省碳化硅材料重点实验室等国家和省级研发平台，拥有一批高素质的研发人员，承担了一系列国家和省部级研发和产业化项目。 截至报告期末，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项，是国家知识产权示范企业；自设立以来，公司获得了国家制造业单项冠军等多项国家级和省级荣誉，并于2019年获得了“国家科学技术进步一等奖”。 公司生产的碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。全球宽禁带半导体材料及器件正处于快速发展期，产品广泛应用于5G通信、轨道交通、新能源汽车及充电桩、新能源、储能、大数据中心、工控等下游领域，应用领域非常广泛。 在“碳达峰、碳中和”的大背景下，绿色电力、储能、电动汽车等新能源行业迅猛发展，电气化和能源的高效利用推动碳化硅半导体行业快速发展。 公司产品以导电型碳化硅衬底为主，具体情况如下：
（3）主要经营模式 1、盈利模式 公司专注于碳化硅衬底材料的研发、生产及销售，主要通过向碳化硅半导体行业的下游企业、科研院所等客户销售碳化硅衬底产品实现收入和利润。此外，公司还销售生产和研发过程中产生的无法达到半导体级要求的晶棒。 2、研发模式 公司研发工作由研发中心主导，实行层级管理的项目制运作，主要包括需求提交与论证、项目立项、项目执行、项目验收等各个环节。 3、采购模式 公司采购以“安全、品质”为导向建立了采购相关制度、管理流程及业务规范，在保证产品品质的前提下，有效保证了供应链的稳定及持续供应。总体上，公司采取“以产定购、战略备货”相结合的采购模式，采购种类包括长晶所需物料、加工所需耗材、生产及检测设备、备品备件等。 4、生产模式 公司实行以订单生产（Make To Order）为主的生产模式。在生产环节，公司采用信息化系统，制定了完善的生产过程控制程序，建立了一套快速有效处理客户订单的流程，销售部门依据客户订单生成ERP 系统内部销售订单，订单经销售、技术、质量、生产计划部门评审后，下达生产工单给生产部门，生产部门依据生产工单领料并进行生产。质量部进行全过程品质控制，达到“不接收、不制造、不流出”不良品的目的。公司生产模式有利于满足不同客户的需求，有利于提升订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，并有助于控制库存水平及提高资金利用效率。 5、营销及销售模式 公司主营业务采取直销的销售模式。公司营销中心主要负责对接客户，为客户提供技术支持和服务，并承担行业趋势研究、市场调研及公司产品推广等营销工作。 公司建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站，先后承担国家“核高基”重大专项等多项国家级研发与产业化项目。截至2023年6月末，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项。公司于2019年获得国家科学技术进步一等奖，2020年获得国家级专精特新“小巨人”企业认定，2021年获得制造业单项冠军示范企业认定等。 公司将始终以客户为中心，不断加大研发投入、强化自主创新、加快产品迭代、提升产品质量、增加产能、扩大市场份额，致力于成为国际著名的半导体材料公司。 二、 核心技术与研发进展 (一)核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各类核心技术。具体情况如下： 1、碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术 公司的碳化硅单晶生长设备采用真空系统结构和材料设计，可在保持极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了高纯碳化硅粉料和碳化硅单晶生长腔室的纯度。此外，公司对设备自动化程度进行不断提升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。 碳化硅单晶生长热场是碳化硅单晶生长的核心，决定了单晶生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。公司的热场仿真模拟团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅单晶进行精确的热场仿真、模拟和设计，从而满足不同尺寸、不同类型晶体的生长技术需求。 2、高纯碳化硅粉料制备技术 碳化硅粉料是碳化硅单晶生长的原料。由于合成环境及使用物料吸附杂质的影响，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。公司研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。 3、精准杂质控制技术及电学性能控制技术 半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，碳化硅单晶电学性能的控制是基于精准的控制生长过程中进入到晶体中的杂质来实现的。 公司基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制，实现了半绝缘碳化硅衬底的高阻电学特性和导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性。 4、碳化硅单晶生长过程中的缺陷控制技术 碳化硅中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅包含200多种晶型结构，其中多种晶型结构间的形成能接近，在高温生长过程中易产生晶型转化，从而导致多型夹杂；碳化硅单晶生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。 公司通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和低微管密度的晶体生长；通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，提高了晶体结晶质量；自主研发了晶体生长界面移位控制技术和生长界面C/Si组分调控技术，实现了晶体连续生长的质量稳定可控。 5、碳化硅单晶衬底超精密加工技术 ①高面型质量的碳化硅晶棒多块切割技术 单晶SiC材料的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，而且脆性高，属于典型的硬脆材料。公司开发了多块拼接多线切割技术，解决了相邻碳化硅晶体之间切割质量差的难题，一批次可实现多块晶体的切割；设计了独有的碳化硅晶体切削液配方，大幅度降低了切割片的表面损伤；开发了一整套的多线切割工艺，每项参数均计算出最优的工艺曲线，提高了切割片的面型质量。 ②高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术 由于碳化硅单晶材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。 公司通过多年研究，研发了一整套的碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。例如，双端面研磨工艺中，公司自主设计了研磨液配方、研磨盘面和夹具模型、磨片修盘工艺；多级机械抛光工艺中，公司设计了金刚石磨料和多级抛光组合工艺；强氧化化学机械抛光（CMP）工艺中，公司开发了特有的强氧化性的抛光液配方。 ③碳化硅衬底表面洗净技术 CMP工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面微米级颗粒、沾污、金属离子等。公司自主研制了化学清洗液，开发了5步清洗工艺，可有效去除衬底表面的微小颗粒，在客户端达到了开盒即用的水平。 国家科学技术奖项获奖情况 √适用 □不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用
(二)报告期内获得的研发成果 报告期内，新申请发明专利和实用新型专利共15项，其中发明专利12项，实用新型3项。 截至报告期末，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项。 报告期内获得的知识产权列表
(三)研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √适用 □不适用 目前，碳化硅半导体产业链发展进入快车道，衬底制备是产业链的关键环节，公司为继续保持在全球技术和产品竞争中的领先优势，加强研发投入，包括8英寸导电型产品产业化研发，液相法等前瞻技术研发，大尺寸半绝缘产品研发，以及高品质导电型产品的持续研发投入等。 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 (四)在研项目情况 √适用 □不适用 单位：元
(五)研发人员情况 单位:万元 币种:人民币
(六)其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一)核心竞争力分析 √适用 □不适用 （1）研发与技术优势 ①技术积累 碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，具有极高的技术壁垒。技术迭代更新需要长期持续开展大量创新性的工作，同时需要获取海量的技术数据积累，以完成各工艺环节的精准设计。公司自成立以来，专注于碳化硅单晶半导体的制备技术，经过十余年的技术发展，自主研发出2-8英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术，系统地掌握了碳化硅单晶设备的设计和制造技术、热场仿真设计技术、高纯度碳化硅粉料合成技术、不同尺寸碳化硅单晶生长的缺陷控制和电学性能控制技术、不同尺寸碳化硅衬底的切割、研磨、抛光和清洗等关键技术；较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，成为全球少数能批量供应高质量4英寸、6英寸半绝缘型碳化硅衬底的企业；公司自成立以来，同时布局导电型碳化硅衬底的研发和产业化；通过持续技术积累实现了6英寸导电型碳化硅衬底批量销售，并自主扩径已经完成高品质8英寸导电型碳化硅衬底制备。公司保持高强度的研发投入，继续在宽禁带半导体领域加强前沿技术储备。 ②知识产权积累 公司坚持自主研发创新，力争实现全流程知识产权覆盖，不断完善知识产权保护体系，构建完整的技术保护网。公司于2018年被评为国家知识产权优势企业，于2022年被评为国家知识产权示范企业。 截至2023年6月末，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项，专利技术覆盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测等每个技术环节，并建立了完整有效的知识产权保护机制。同时，公司高度尊重全球范围内的知识产权，持续通过专利分析导航来进行预警和完善专利布局。 在商标注册方面，公司在多类别注册了“SICC”及“天岳”商标，并在海外多个国家或地区注册了“SICC”商标，对公司品牌进行保护。 ③承担重大科研项目及获得奖励 公司自建立以来，承担了多项国家及省部级重大科研项目，包括国家重点研发计划、山东省重点研发计划、山东省重大科技创新工程等国家及省部级项目20余项。公司于2019年获得国家科学技术进步一等奖、2020年获得山东省科学技术进步一等奖、2014年获得山东省技术发明一等奖、2017年获得济南市科技进步一等奖。此外，公司于2015年完成了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产品鉴定、2017年完成了6英寸导电型碳化硅衬底科技成果鉴定和产品鉴定，产品性能及核心指标达到国内领先、国际先进水平。 ④技术科研平台 公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站等国家和省级研发平台。公司强大的科研实力，不仅促进了碳化硅产业的技术进步和结构调整，同时支撑了地方现代化经济体系建设，提升了区域经济的创新力和竞争力。 （2）生产优势 公司在生产方面具有先发优势与规模优势。作为国内较早从事碳化硅衬底业务的生产企业，公司具有丰富的技术储备和生产管理经验、较强的产品质量控制能力和一定的产业规模。随着公司上海临港工厂的投产，公司高品质碳化硅半导体材料的产能产量将继续提高，进一步巩固领先的规模优势。 （3）产品优势 碳化硅衬底作为半导体器件的基础材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试实现最终应用，整个工艺链条生产验证环节复杂、验证周期长。作为上游的关键衬底材料，下游客户一旦通过验证，一般不会轻易变更衬底材料的供应商。 公司在国内较早实现了碳化硅衬底的批量供应，并且产品参数指标优异、性能不断提升，经过了下游企业的长期验证，产品品质得到了客户的高度认可。 （4）客户资源优势 公司作为国内较早从事碳化硅衬底业务的企业，公司产品已批量供应至国内外知名企业。公司是国际上少数几家能同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。公司 6 英寸导电型产品、6英寸半绝缘产品、4英寸半绝缘产品实现批量供应，形成了较强的客户资源优势，确保了公司在行业内的领先地位。 （5）人才优势 碳化硅衬底技术开发和产业化生产需要大量专业的技术人才和管理人才。公司始终重视人才队伍的建设，通过自主培养和引进各类技术和管理人才，提高技术开发能力和生产能力。公司通过技术科研平台不断吸引业内优秀人才加入，公司研发团队成员主要由来自国内顶尖高校的优秀硕士、博士组成，承担并顺利完成了多项国家及省部级重大课题，同时完成了从产品开发到产业化转化的过程，在技术开发和规模化生产过程中积累了大量的实战经验，可以保证后续各项技术开发工作的顺利进行。 (二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用 四、 经营情况的讨论与分析 报告期内，公司坚持落实长远发展战略，面对电动汽车、新能源、储能等下游应用领域对碳化硅半导体材料需求的爆发式增长，以高质量产品完成客户订单交付，坚持加大前瞻性技术投入，加快产品产能提升和结构优化，加强产业人才、研发人才的储备和培养，为公司进入新的发展阶段奠定基础。 (一)经营情况 伴随着全球及国内在新能源汽车、新能源发电和储能等终端市场需求的快速增长，行业对碳化硅衬底需求呈现出持续旺盛的趋势。在此背景下，公司加快上海临港新工厂产能建设，逐步加大导电型衬底产能产量。 2023年1-6月，公司实现营业收入43,801.46万元，较2022年同比增加172.38%。 2023年1-6月，公司实现归属于上市公司股东的净利润-7,205.57万元，较上年同期增加1.29%，经营亏损主要因研发投入加大、人才储备增加等因素综合影响。 报告期内，公司持续加大客户拓展力度，与国内外知名客户开展战略合作，特别是公司与英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作，为公司未来的销售增长提供持续动力，这将有助于共同推动碳化硅材料和器件的渗透应用。公司高品质碳化硅衬底产品已形成品牌优势。 报告期内，公司与英飞凌签订了合作协议，公司将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但公司也将助力英飞凌向8英寸碳化硅晶圆过渡。该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。公司去年与某客户签订的13.93亿元的框架协议正在按照协议约定履行产品交付。 公司是国内最早从事碳化硅半导体材料产业化的企业之一，具备清晰明确的战略目标，立足全球市场，完善和提升公司的产能布局。2022年以来公司加大了导电型碳化硅衬底产能建设，取得积极效果。 一方面自2022年一季度以来，公司连续五个季度实现了季度收入环比增长，公司导电型产品的产能产量已经获得持续提升；另一方面，公司上海临港工厂2023年5月已经实现产品交付，在处于产量的快速爬坡阶段，且根据目前市场情况预计，原计划临港工厂年30万片导电型衬底的产能产量将提前实现。 公司是国际上少数几家同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。随着公司新建上海工厂产能的逐步释放，预计公司在功率SiC领域将获得更大的市场影响力。 (二)研发创新情况 公司是国内最早从事碳化硅半导体材料产业化的企业之一，具备领先的技术优势和产业化能力。在碳化硅长晶方面，公司具有全自主的核心技术，实现了从2英寸到8英寸完全自主扩径，形成了从基础原理到技术、工艺的深入积累。 2023年1-6月，公司研发费用8,980.84万元，继续加大前沿技术布局，持续加大研发投入，研发实力不断增强。 公司近年来研发投入较大，研发与规模化生产形成良好的正循环积累，一方面公司工程化试验数据为技术和良率的持续改进提供了关键支持，也是产品质量领先的关键因素；另一方面，公司在前瞻性技术发展方向做了全方位布局。公司较早开展了 8 英寸产品制备。2022 年初，公司公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底。在2023年Semicon论坛上，公司首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况，通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创，也代表了公司领先的技术实力。 2023年 1-6 月，公司围绕工艺创新、质量提升、智慧工厂等多方面开展技术创新，并积极推动知识产权保护和商业秘密保护。截至2023年6月底，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项。 本报告期内，公司先后荣获山东省新材料领军企业，济南市优秀企业等荣誉称号。 (三)人才培养 随着公司经营规模不断扩大，公司一方面加强生产管理的人才队伍建设，不断提高生产效率，优化生产流程，培养了一批具备现代化生产管理技能的人才。另一方面，秉承技术领先化、公司平台化、客户全球化的理念，公司不断加强高端生产管理人员、技术研发人才的引进和培养。公司在产品开发的过程中，不断发掘和培养更多优秀人才，研发团队稳定健康发展。 2023年 1-6 月，公司加强人才储备和培养，为新建产能顺利投产所招聘的人员数量较大，研发人员增加较快，整体薪酬支出增加。 截至报告期末，公司研发人员151人，较上年同期增长61人。其中硕士、博士合计52人，占研发人员总数的34.44%。享受国务院特殊津贴专家两人。 (四)年度成果 2023年 5月，公司上海工厂交付仪式在临港顺利举行。博世集团和英飞凌公司代表，以及来自法国、新加坡、台湾地区等国内外客户出席仪式并参观了新工厂。 公司上海工厂启动产品交付开启了公司发展新的篇章。上海工厂采用先进的设计理念，率先打造碳化硅衬底领域智慧工厂，通过AI和数字化技术持续优化工艺，为产能提升打下重要基础。全球新能源汽车、绿色电力和储能等终端市场发展势头迅猛，下游应用领域对碳化硅衬底材料的需求呈现持续旺盛的趋势。 2023年 1-6 月，公司继续秉持“先进品质持续”的经营理念，依托领先的技术优势，持续提升产能，满足日益增长的市场需求，坚持追求卓越的产品品质，推动碳化硅材料应用，始终为客户创造更大的价值。 随着全球能源电气化、低碳化的发展趋势，碳化硅半导体材料和器件将发挥越来越重要的作用。目前下游应用领域对碳化硅的需求旺盛，碳化硅材料和器件的渗透加速。碳化硅半导体领域将迎来长期持续增长的发展机会。公司全体员工将以强烈的使命感、高度的责任感，一致努力，务实创新，坚持以技术领先驱动企业长远发展。 未来，天岳先进将继续以持续创新为驱动力，以宽禁带半导体技术和市场发展为导向，立足国际能源变革和数字化低碳化发展大趋势，始终秉持“先进品质持续”的经营理念，巩固和提升公司在行业中的领先地位，为客户创造更大的价值，致力于成为国际著名的半导体材料公司。 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项 □适用 √不适用 五、 风险因素 √适用 □不适用 (一)核心竞争力风险 1、技术迭代的风险 公司所处的半导体材料行业属于技术密集型行业，涉及热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械、材料等多学科交叉知识的应用。宽禁带半导体产品具有研发周期长、研发难度高、研发投入大的特点。 在半导体材料领域升级迭代的过程中，若公司产品技术研发创新无法持续满足市场对产品更新换代的需求或持续创新能力不足、无法跟进行业技术升级迭代，可能会受到其他具有竞争力的替代技术和产品的冲击，导致公司的技术和产品无法满足市场需求，从而影响公司业绩的持续增长。 公司加强研发投入，布局前沿技术，若公司高强度研发投入不能转化为产业化经验或为持续的产品品质提升提供助力，或研发投入不足，将对公司持续发展产生不利影响。 2、知识产权泄密及人才流失风险 若公司相关核心技术内控制度不能得到有效执行，或者出现重大疏忽、舞弊等行为而导致公司核心技术泄露，公司的专利、专有技术或商业机密可能被盗用或不当使用，将对公司的核心竞争力产生负面影响。 半导体材料行业对于专业人才尤其是研发人员的依赖程度较高，核心技术人才是公司生存和发展的重要基石，若公司核心技术人员流失或无法继续培养或招揽，将对公司的研发生产造成不利影响。 (二)经营风险 1、客户集中度高风险 报告期内，公司主要产品为半绝缘型和导电型碳化硅衬底产品。碳化硅衬底产品主要用于新能源、新一代信息通信、微波射频等领域，相关领域下游龙头企业的集中度相对较高，且对衬底的需求较大。 报告期内，公司前五大客户的销售额占2023年上半年销售总额的比例为51.88%，客户集中度较高。 如果未来公司依赖上述客户不进行业务拓展，或新客户拓展不及预期，将对公司扩大经营产生不利影响。 2、供应商集中度较高的风险 报告期内，公司向前五大原材料最终供应商的采购金额占报告期采购总额的 58.71%，集中度相对较高。若公司无法寻找合适的替代供应商，一旦主要供应商业务经营发生不利变化、产能受限或合作关系紧张，可能导致供应商不能足量及时出货，将对公司生产经营产生不利影响。 3、产能产量提升不及预期风险 公司正加大碳化硅半导体材料产能建设，以抓住新能源汽车、光伏、储能等领域对碳化硅半导体材料需求快速增长的发展机遇，若公司产能产量提升跟不上市场需求的发展，无法完成订单交付，将对公司经营规模的扩大造成不利影响。 4、碳化硅衬底成本高昂制约下游应用发展的风险 相较于成熟的硅片制造工艺，碳化硅衬底短期内依然会面临制备难度大、成本高昂的挑战。例如，目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系。碳化硅衬底是产业链核心环节，若公司和产业内企业无法持续降低碳化硅衬底成本，可能导致整体行业发展不达预期，对公司的经营产生不利影响。 (三)财务风险 1、公司存在累计未弥补亏损的风险 （未完）  |