[中报]美迪凯(688079):杭州美迪凯光电科技股份有限公司2023年半年度报告

时间：2023年08月28日 22:53:07 中财网

原标题:美迪凯:杭州美迪凯光电科技股份有限公司2023年半年度报告

公司代码：688079 公司简称：美迪凯






杭州美迪凯光电科技股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”。



三、 公司全体董事出席董事会会议。



四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人葛文志、主管会计工作负责人华朝花及会计机构负责人（会计主管人员）周星星声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用



八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 35
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 37
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 39
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 58
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 63
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 63
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 64

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的 财务报表
	经公司负责人签名的公司2023年半年度报告文本原件
	报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及 公告原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、杭州美迪凯、美迪凯	指	杭州美迪凯光电科技股份有限 公司
实际控制人	指	葛文志
浙江美迪凯	指	浙江美迪凯现代光电有限公 司，系公司一级全资子公司
智能光电	指	美迪凯（浙江）智能光电科技 有限公司，系公司一级控股子 公司
美迪凯光学半导体	指	浙江美迪凯光学半导体有限公 司（曾用名：浙江嘉美光电科 技有限公司），系公司一级全资 子公司
捷姆富	指	捷姆富（浙江）光电有限公司， 系公司二级控股子公司
美迪凯（日本）	指	美迪凯（日本）株式会社，系 公司二级全资子公司
美迪凯（新加坡）	指	美迪凯（新加坡）智能光电科 技有限公司，系公司二级控股 子公司
丽水美迪凯	指	丽水美迪凯投资合伙企业（有 限合伙），系公司控股股东
美迪凯集团	指	美迪凯控股集团有限公司（曾 用名“浙江美迪凯光学技术有 限公司”），系公司股东
丰盛佳美	指	香港丰盛佳美（国际）投资有 限公司，系公司股东
景宁倍增	指	景宁倍增投资合伙企业（有限 合伙），系公司股东
丽水增量	指	丽水增量投资合伙企业（有限 合伙），系公司股东
丽水共享	指	丽水共享投资合伙企业（有限 合伙），系公司股东
海宁美迪凯	指	海宁美迪凯企业管理咨询合伙 企业（有限合伙），系公司股东
CCD	指	Charge-Coupled Device，即电荷 耦合元件，是一种用电荷量表 示信号大小，用耦合方式传输 信号的探测元件
CMOS	指	Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金 属氧化物半导体，指制造大规 模集成电路芯片用的一种技术 或用这种技术制造出来的芯片
CIS/SiC	指	CMOS Image Sensor，即 CMOS 图像传感器
半导体封测	指	将通过测试的晶圆按照产品型
		号及功能需求加工得到独立芯 片的过程
SPI	指	Solder Paste Inspection，即锡膏 检测
AOI	指	Automated Optical Inspection， 即自动光学检测
ITO	指	Indium tin oxide，即氧化铟锡， 是一种混合物，可用于各种光 学镀膜等
AR	指	Augmented Reality，即增强现 实，通过相关设备，在现实世 界中的对象和信息之上叠加数 字信息，进行展示和互动
MR	指	Mixed Reality，即混合现实，该 技术通过相关设备，在现实场 景呈现虚拟场景信息，在现实 世界、虚拟世界和用户之间搭 起一个交互反馈的信息回路， 以增强用户体验的真实感
PVD	指	Physical Vapor Deposition，即物 理气相沉积。指利用物理过程 实现物质转移，将原子或分子 由源转移到基材表面上的过 程。物理气相沉积的基本方法 包括真空蒸发、溅射、离子镀 等
CVD	指	Chemical Vapour Deposition，即 化学气相沉积。指化学气体或 蒸汽在基材表面反应合成涂层 或纳米材料的方法，是半导体 工业中应用最为广泛的用来沉 积多种材料的技术
TTV	指	Total Thickness Variation，总厚 度变化量，指整个晶片的最高 厚度和最低厚度之间的差值
晶圆	指	制造半导体晶体管或集成电路 的衬底，也叫基片，由于是晶 体材料，其形状为圆形，所以 称为晶圆
ToF	指	Time of Flight，飞行时间测距 法，即通过给目标连续发送光 脉冲，然后用传感器接收从物 体返回的光，通过探测光脉冲 的往返时间来得到目标物距离
QFN	指	quad flat no-lead package，方形 扁平无引脚封装
DFN	指	Dual flat no-lead package，双边 扁平无引脚封装
SOT	指	SMALL OUTLING，即封装， 一种表面贴装的封装形式
die bond	指	即贴片，自晶圆上所切下一小 片有线路的"晶粒",以其背面的 金层,与定架中央的镀金面,做 瞬间高温之机械压迫式熔接， 或以环氧树脂之接着方式予以 固定,完成 IC 内部线路封装的 第一步
wire bond	指	即金线键合，在对芯片和基板 间的胶粘剂处理以使其有更好 的粘结性能后,用高纯金线把芯 片的接口和基板的接口键合
CFA	指	Color Filter Array, 即彩色滤光 阵列
MLA	指	Micro Lens Array, 即微透镜阵 列
SAW Filter	指	即声表面波滤波器
CMP	指	Chemical Mechanical Polishing， 化学机械抛光，是半导体晶片 表面加工的关键技术之一
报告期	指	2023年 1月 1日至 2023年 6 月 30日
元、万元、亿元	指	若无特别说明，均以人民币为 度量币种

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	杭州美迪凯光电科技股份有限公司
公司的中文简称	美迪凯
公司的外文名称	HANGZHOU MDK OPTO ELECTRONICS CO.,LTD
公司的外文名称缩写	MDK
公司的法定代表人	葛文志
公司注册地址	杭州经济技术开发区20号大街578号3幢
公司注册地址的历史变更情况	2015年4月16日注册地从杭州经济技术开发区三号路裕 园公寓9幢（西）6层A12座变更为杭州经济技术开发区 白杨街道20号大街578号。2016年12月8日，注册地从杭 州经济技术开发区白杨街道20号大街578号变更为杭州 经济技术开发区白杨街道20号大街578号3幢。
公司办公地址	浙江省嘉兴市海宁市长安镇（高新区）新潮路15号
公司办公地址的邮政编码	314408
公司网址	www.chinamdk.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	不适用

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代 表）	证券事务代表
姓名	华朝花	张紫霞
联系地址	浙江省嘉兴市海宁市长安镇（高 新区）新潮路15号	浙江省嘉兴市海宁市长安镇（高 新区）新潮路15号
电话	0571-56700355	0571-56700355
传真	-	-
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引	不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	美迪凯	688079	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入	170,503,581.98	207,125,615.91	-17.68
归属于上市公司股东的净利润	-31,046,091.74	4,346,851.20	-814.22
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	-23,800,319.40	6,844,359.21	-447.74
经营活动产生的现金流量净额	82,872,731.67	103,500,167.52	-19.93
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	1,519,476,380.02	1,549,634,262.25	-1.95
总资产	2,037,601,398.02	1,909,069,716.52	6.73

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同期增减 (%)
基本每股收益（元／股）	-0.08	0.01	-900.00
稀释每股收益（元／股）	-0.08	0.01	-900.00
扣除非经常性损益后的基本每 股收益（元／股）	-0.06	0.02	-400.00
加权平均净资产收益率（%）	-2.02	0.28	减少2.30个百分点
扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率（%）	-1.55	0.43	减少1.98个百分点
研发投入占营业收入的比例（% ）	20.59	15.83	增加4.76个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
（1）本报告期归属于上市公司股东的净利润同比下降 814.22%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比下降 447.74%，主要是报告期内产能利用率较低，营业收入减少 3,662.20 万元，设备折旧费用增加 1,161.46万元，导致净利润大幅下降。

（2）本报告期基本每股收益、稀释每股收益同比下降 900.00%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比下降 400.00%，主要是报告期净利润下降所致。



七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	-17,900.85	详见本报告十节、七、73 资产 处置收益
越权审批，或无正式批准文件，或 偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与公 司正常经营业务密切相关，符合国 家政策规定、按照一定标准定额或 定量持续享受的政府补助除外	4,289,448.30	详见本报告十节、七、67 其他 收益。
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合营 企业的投资成本小于取得投资时 应享有被投资单位可辨认净资产 公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害 而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益	-11,493,887.25	详见本报告十节、七、68,70。
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益
根据税收、会计等法律、法规的要 求对当期损益进行一次性调整对 当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出	-91,292.57
其他符合非经常性损益定义的损 益项目	71,564.83
减：所得税影响额	-242,275.38
少数股东权益影响额（税后）	245,980.18
合计	-7,245,772.34

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）行业情况
造和销售。

光学光电子是结合光学、电子、计算机等的科学技术，近十年来技术突破发展迅速。当今，光电科技已成为信息系统和网络系统中最引人注目的核心技术，光学光电子产业得到前所未有的广泛关注和大力发展。光学光电子技术是光学及电子信息技术的一个分支，是包含光学技术、微电子技术、材料技术、通信、计算机等多学科交叉产生的新技术。随着产品不断的推陈出新，其应用层面扩展至通讯、信息、生化、医疗、能源、民生等工业，光学光电子产业已成为众所瞩目的明星产业，未来随着光电在通讯、网络、多媒体等扮演核心技术角色，光学光电子产业已变成一个国家科技实力的体现，更是一个国家综合实力的体现。

半导体行业是一个国家工业强盛必不可少的基石。半导体行业位于电子行业的中游， 半导体和被动元件以及模组器件通过集成电路板连接，构成了智能手机等消费类电子产品的核心部件，承担信息的载体和传输功能，是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导体行业具有下游应用广泛、技术要求高、生产工序多、投资回报周期长、风险高等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。为加快推进我国半导体产业发展，国家从财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法律法规和产业政策， 国家政策的高度支持为半导体产业的发展创造了良好的生态环境与重大机遇。

光学光电子、半导体行业发展面临机遇，也面临挑战。随着 5G、 AI、物联网、自动驾驶、 AR/ VR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国光学光电子、半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球光学光电子、半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。


（二）主要业务、主要产品或服务情况
公司主要从事精密光学、半导体光学、半导体微纳电路、智慧终端的研发、制造和销售。公司经过多年深耕，在该领域积累了丰富的经验，拥有多项核心技术。

按照应用领域分类，公司主要有九大类产品和服务，包括半导体零部件及精密加工服务、生物识别零部件及精密加工服务、精密光学零部件、半导体光学、半导体封测、微纳电子、微纳光学、AR/MR、智慧终端。公司产品、解决方案广泛应用于智能手机、安防监控、机器视觉、数码相机、投影仪、智能汽车、大健康、元宇宙等领域。 公司具备较强地承接国际高端光学光电子产业链业务的能力。


1、半导体零部件及精密加工服务

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
传感器陶 瓷基板精 密加工服 务	对用于 CCD/CMOS传感 器的陶瓷基板进行超精 密切割加工，应用于光 学成像和生物识别领域 的光学传感器
传感器光 学封装基 板	用于 CCD/CMOS传感器 的光学镀膜封装基板， 应用于光学成像领域的 光学传感器
芯片贴附 承载基板	对光学玻璃基材进行晶 圆级的研磨抛光加工， 以达到高平坦度、低粗 糙度要求，最终作为生 物识别芯片切割过程中 的承载基板，应用于芯 片加工制程

2、生物识别零部件及精密加工服务

产品/服务类 型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
半导体晶圆光 学解决方案	结合半导体制程技术在 芯片上进行微纳米级光 学加工，目前主要应用 于新一代光学屏下指纹 识别解决方案
光学屏下指纹 识别模组用滤 光片	在近红外特定波段允许 光信号通过，避免光线 信号干扰，应用于光学 屏下指纹识别解决方案
3D结构光模组 用光学联结件	3D脸部识别用点阵投影 器中透镜和光学衍射元 件间的组装，应用于脸 部识别领域的光学传感 器

3、精密光学零部件

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
智能手机摄 像头滤光片 组立件	安装在镜座上的光学滤 光片组件，起到色差补 正、还原图像真实色彩 的作用，应用于摄像头 模组
安防摄像机 摄像头滤光 片组立件	镜座上分别装有增透膜 滤光片及红外截止膜滤 光片，通过日夜时的切 换满足安防摄像机成像 对不同光线场景的需 求，应用于摄像头模组
光学低通滤 波器	利用人造水晶的双折射 特性及红外截止膜、增 透膜等消除成像时的摩 尔纹、色差补正、更好 地还原图像真实色彩， 应用于摄像头模组
红外截止滤 光片	通过红外截止膜系过滤 红外波段，还原图像真 实色彩，应用于摄像头 模组
光学波长板	利用产品的优异的透光 率和导热性，起到透光 和散热的作用，应用于 各类投影仪
产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
吸收式涂布 滤光片	通过红外吸收式油墨过 滤红外波段，提高图像 成像质量，应用于智能 汽车等的摄像头模组
窄带滤光片	通过光学薄膜加工工艺 对特定波段起到带通且 大角度偏移量小的特 性，实现在信号传递过 程中减少信号的损失和 杂讯的干扰。

4、半导体光学

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
超薄屏下 指纹传感 器整套光 路层解决 方案	通过光路层设计，结合半 导体制程技术和光学成 膜技术，在芯片上进行微 纳米级光学加工，目前主 要应用于新一代光学屏 下指纹识别解决方案。
图像传感 器（CIS） 整套光路 层解决方 案	结合半导体制程技术在 芯片上进行 CFA、MLA等 微纳米级光学加工，目前 主要应用于图像传感器 （CIS）光学解决方案
环境光传 感器光路 层解决方 案	通过光路层设计，结合半 导体制程技术和光学成 膜技术，在芯片上实现整 套光路层及光学矩阵的 加工，主要应用于环境光 传感器光学解决方案。

5、半导体封测

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
半导体封 测	封装无引脚焊盘设计占 有更小的PCB面积，可以 做的更薄，具有优异的热 性能，主要是因为底部有 大面积散热焊盘，重量 轻，适合便携式应用，主 要应用于手机、电脑等消 费类领域。

6、微纳电子

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
射频滤波 器 (SAW Filter)	通过膜层设计，结合半 导体制程技术和金属成 膜技术等，在衬底上进 行微电路加工，目前广 泛应用于通讯系统设 备、移动终端设备的半 导体芯片中。

7、微纳光学

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
超构表 面光学 器件	face ID, 智能门锁， 扫地机器人等结构光， 3D深度感知类应用。
散光镜	扩散压印产品，应用于 汽车HUD或ToF 设备。
MLA 镜 头	应用于车载地毯透镜 照明。
晶圆光 学模组	应用于医学成像镜 头,ToF 设备,光学接 近传感器。

8、AR/MR光学零部件精密加工服务

产品/服务类 型	产品 /服务用途	产品示意图	应用示意图
产品/服务类 型	产品 /服务用途	产品示意图	应用示意图
高折射玻璃晶 圆精密加工服 务	对高折射率、高透 过的玻璃晶圆进行 加工，实现高平坦 度及高表面光滑 度，应用于 AR/MR 设备

9、智慧终端

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
智能安防 相机	基于AI（人工智能）技术 和独立的算法，精准实现 多功能智能识别，主要应 用于智慧城市、智慧安防 等场景。

（三）主要经营模式
1.研发模式
公司始终坚持以科技（技术）创新为核心的发展战略，既有结合市场、行业发展趋势的前瞻性研究，也有针对终端产品需求的新工艺、新技术应用型开发。针对产品涉及的关键技术，依托美迪凯企业研究院下各技术中心协同开发。同时，公司与产业链上下游领先企业形成了合作研发机制，使公司能够更好地贴近客户、市场需求。另外，公司与国内多家高校院所共建合作关系，汲取多方优势共同突破行业技术难点问题。

公司依据研发流程，由市场开发中心提出需求，设计技术中心主导进行工艺流程策划，由各个技术中心进行相应关键技术的技术攻关。为提升研发效率，采用多研发环节并行开发，各技术中心协同作业的研发方式。涉及半导体技术的开发，统一由公司半导体事业建设委员会整合相关资源实施。取得的新产品、新技术、新工艺的知识产权由科技管理中心组织申报和管理。公司基于行业特征及自身经营特点，建立了较为完备的研发体系。

2.采购模式
公司建立了供应商管理、采购管理及采购流程管理制度等一套严格、完整的采购管理流程，在运营管理中心下设采购部，主要负责供应商开发、管理以及材料、设备的采购。公司根据相关产品的行业特点，确定供应链管理环境下的采购模式，通过有效地计划、组织与控制采购管理活动，按需求计划实施采购工作，具体内容为：供应商的开发与评估、采购计划的制定、实施采购。

3.生产模式
公司的产品具有定制化特点，公司采取“按订单”及“按客户需求计划”相结合确定生产计划的模式，实现高效率、低成本、高弹性的生产及交付。公司对小批量产品按照客户下达的订单组织生产；对需求量大且稳定的产品，结合客户提供的产品需求计划以及实际下达的订单，进行组织生产，公司会对一些常规的半成品进行预先库存，再根据正式订单进行后续生产、发货，提高生产效率，缩短交货时间。

4.销售模式
公司主要通过直销模式，为客户提供各类精密光学、半导体光学、半导体微纳电路、半导体封测、智慧终端等产品和服务。

公司主要的产品和服务存在定制化特点。公司成立以来坚持研发销售一体化，面向客户需求和下游市场趋势研发产品。公司客户在选择供应商时，需要对候选供应商进行较长周期的评估认证，并经过多轮的样品测试及现场稽核，全面考核候选供应商的产品质量、供货能力后，公司方能进入客户的《合格供应商名录》。

公司与长期合作的客户签订产品销售的框架协议，约定供货方式、结算方式、质量保证等条款；客户根据需求在实际采购时向公司发出订单，约定产品规格、数量、价格、交期等信息，供需双方根据框架协议及订单约定组织生产、发货、结算、回款。



二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了完整的技术创新体系，不断对各项核心技术进行更新迭代，在提升现有产品的技术水平和生产效率的同时，不断开拓新领域的产品应用，与相关领域的领先企业共同成长。公司的核心技术具有平台特征，可实现多领域多产品的应用。公司设立了精密分析实验室，具备物质成分、光学特性、表面形貌、内部结构以及电性方面的分析能力，为各类型新产品研发提供精准检测及分析服务。

经过多年的技术积累，公司在精密光学、半导体光学、半导体微纳电路、半导体封测、表面贴装（SMT）、微纳光学、传感器的晶圆封装等领域具有核心技术及自主知识产权。目前，各项核心技术的技术特点及先进性，在各类产品中的具体应用情况及技术来源如下：

序 号	核心技 术名称	核心技术的技术特点及先进性	应用产品 /服务	技术来源
1	精密光 学	1.公司自主研发多线切割技术，可对水晶、石英、蓝 宝石、陶瓷、铌酸锂等材料进行高精度加工。 2.公司自主研发对各类材质基板进行高精度外形加 工，其中玻璃晶圆的通孔技术可实现在 12英寸玻璃 晶圆上加工近五千个孔，孔的尺寸散差在±5微米以 内，位置度＜10微米。 3.公司自主研发各类材质晶圆衬底的研磨、抛光（包 含 CMP）技术，最大加工尺寸可到 30英寸，厚度公 差、面型、粗糙度等指标具有较强的市场竞争力。 4.公司自主研发，掌握了包括真空蒸发镀膜、溅射镀 膜的 PVD工艺，以及化学气相沉积的 CVD工艺等 各类薄膜技术，并完成各种光学膜系设计及生产工 艺开发，能够满足精密光学及生物识别零部件等产 品对精密薄膜的要求。同时公司自主设计，结合使 用新型光学材料，进行膜层加工，可使光学器件实 现降低杂光、消除鬼影、增透的效果或实现光学光 电子元器件薄型化、消除摩尔纹、高清晰成像效果。	各类影像 光学零部 件、生物 识别零部 件及精密 加工服 务、 AR/MR 光学零部 件精密加 工服务等	自主研发
2	半导体 光学	公司自主研发的半导体光学相关工艺技术，通过涂 胶、光刻、显影、PVD、CVD、湿法蚀刻、干法蚀 刻等半导体制程，直接在各种尺寸的晶圆上叠加光 学成像传输所需的包括各种无机薄膜、有机薄膜 （Color Filter等）、微透镜阵列等在内的整套光路层 （光学解决方案）。	半导体晶 圆光学解 决方案、 超薄屏下 指纹传感 器、图像 传感器、 环境光传 感器等	自主研发
3	半导体 微纳电 路	公司自主研发在各类晶圆衬底上，通过涂胶、光刻、 显影、PVD、CVD、湿法蚀刻、干法蚀刻、CMP等 半导体制程，进行微纳电路加工。	SAW等射 频芯片、 光感芯 片、气压 传感器芯 片等	自主研发
序 号	核心技 术名称	核心技术的技术特点及先进性	应用产品 /服务	技术来源
4	半导体 封测	通过晶圆减薄、背金、激光开槽、刀轮切割、芯片 贴合、引线键合、植球、倒装、塑封（或真空印刷） 和分选测试等工艺研究，成功开发了芯片LGA、SOT、 QFN/DFN、陶瓷封装等，实现半导体器件小型化、薄 型化及良好的导电和散热性能。	射频芯 片、开关 电路等	自主研发
5	表面贴 装（SMT）	通过锡膏印刷、SPI、元件贴装、真空回流焊、AOI 检测等工艺研究，成功开发了电路板表面贴装技术 （SMT）。	工业相 机、安防 相机等	自主研发
6	微纳光 学	1、通过晶圆减薄、单面研抛、光学成膜、镭射切割、 性能测试等工艺研究，成功开发超构表面光学器件 加工技术，实现超构表面光学器件薄型化、小型化、 特定光学特性及高外观要求等特性； 2、采用灰度光刻技术完成3D 微透镜阵列母版制作， 结合晶圆级纳米压印工艺技术在基板表面实现微结 构加工，该产品结构具备高可靠性、高分辨率、高 生产率，PV≤0.3um（MLA），Ra ≤5nm；另公司具备 激光直写、特制模具加工技术，该技术处于国内领 先水平； 3、采用晶圆压纹封装工艺，并结合丝印键合工艺, 实 现一种无基材晶圆级压印光学模组技术，其最小尺 寸可达 1mm*1mm，PV≤1um，可实现降低漏光，减 少杂散光等光学效果； 4、根据客户产品需求利用 die bonding、wire bonding、 注塑等工艺技术可自主设计光学封装及加工方案， 提供更灵活的芯片封装选项，可实现最小包装尺寸、 最薄模组，少颗粒、降低漏光、减少电磁干扰效果， 且具备更高的可靠性。	生物识别 零部件、 AR/VR零 部件、医 疗检测、 智慧家 居、3D深 度感知类 应用等	自主研发

公司致力于光学光电子、半导体光学、半导体微纳电路、半导体封测行业的细分领域，始终将技术创新放在企业发展的首位，紧盯行业发展趋势，围绕客户和市场需求，战略性聚焦关键核心技术攻关，推动新知识、新技术的深度连接和耦合发力，不断丰富技术和产品路线，致力为客户提供更优质、多类型、定制化的产品及解决方案。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
杭州美迪凯光电科技股份有限 公司	国家级专精特新“小巨人”企业	2022年	光电子元器件

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司获得授权专利 10项，申请受理专利 10项。截至报告期末，公司累计申请境内外专利 269项，已经授权 202项，其中有效专利 182项，专利涉及精密光学、半导体光学、半导体微纳电路、半导体封测、微纳光学、晶圆传感器封装等主要核心技术，并取得境内外商标 5项。公司综合实力不断提升。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	3	0	82	23
实用新型专利	7	10	187	179
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	0	0	0	0
其他	0	0	5	5
合计	10	10	274	207

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	35,105,477.23	32,784,583.42	7.08
资本化研发投入
研发投入合计	35,105,477.23	32,784,583.42	7.08
研发投入总额占营业收入比 例（%）	20.59	15.83	增加 4.76个百分点
研发投入资本化的比重（%）

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名称	预计总 投资规 模	本期投 入金额	累计投 入金额	进展 或阶 段性 成果	拟达到目标	具体应 用前景
1	MEMS传感 器芯片微电 路层图形化 干刻工艺研 发	420	66.61	459.05	技术 开发 完成	通过各微电路层膜层材 料及图案的设计，已及 膜层沉积、黄光制程、 刻蚀制程、湿法制程等 工艺开发及流程开发， 在裸硅片上实现符合特 定信息传输性能的 MEMS传感器芯整套 电路层图案制造	消费电 子、车 载、医 疗等领 域
2	高清摄像模 组用红外吸 收滤光片光 学精密加工 工艺的研发	510	128.18	506.10	已量 产	通过研磨、抛光、光学 成膜等工艺，实现蓝玻 璃基板可见光区入射角 0°-30°的偏移极小的要 求。	智能手 机等领 域
3	大尺寸光学 玻璃基板高	372	55.01	355.67	已量 产	通过线切割、研磨、抛 光、光学成膜等工艺，	智能穿 戴等领
	平坦度研抛 工艺及高均 一性镀膜工 艺研发					实现对高折射率玻璃的 高平坦度要求和高膜层 均匀性要求。	域
4	各类电子、电 气主板 SMT 工艺研发	237	51.1	191.85	小批 量生 产	研发安防相机线路板印 刷、元件贴装、光学芯 片贴装、回流固化等工 艺，实现线路板光学元 件高光洁度，贴装后高 可靠性要求。	安防等 领域
5	方形大尺寸 光学基板超 高 TTV要求 的抛光工艺 的研发	186	27	164.38	已量 产	通过线切割、研磨、抛 光等工艺，结合特殊的 游星片，实现方形产品 的高 TTV要求。	智能手 机等领 域
6	纳米级表面 要求封装基 板研发	347	162.45	325.22	客户 送样	自主研发原子层沉积成 膜技术，在各类外形光 学基板表面实现纳米级 外观缺陷成膜。	智能手 机、车 载等领 域
7	黄光制程小 图案间镀膜 拖尾优化方 案的研发	736	405.66	627.66	小批 量试 生产	通过改变光刻胶的叠加 方式与胶型结构，使镀 膜拖尾长度小于 1倍膜 厚，从而达到缩减不同 镀膜区域间的间隙。	智能手 机、车 载、物 联网等 领域
8	温度补偿型 声表面波滤 波器 （TC-SAW） 微电路工艺 研发	1,653	593.22	1,148.03	工程 验证	产品采用高平坦、低翘 曲、超薄铌酸锂晶圆， 通过单面化学研抛工 艺、金属溅射镀膜结合 半导体工艺及修频工 艺，实现晶圆表面微电 路加工。	智能手 机、车 载、物 联网等 领域
9	SAW Filter封装工 艺研发	300	226.8	345.75	小批 量试 生产	通过自主研发覆膜技术 和真空印刷技术，避免 芯片封装空腔，增加产 品硬度，提升产品设计 的灵活性和生产效率， 降低成本。	智能手 机、车 载、物 联网等 领域
10	车载雷达测 距滤光片的 研发	405	173.61	180.86	工程 验证	自主研发溅射和离子束 沉积成膜技术，在曲面 玻璃上均匀成膜，实现 黑色红外通及低电阻滤 光片，该滤光片可帮助 车载雷达实现远距精准 测距。	车载等 领域
11	智能手机领 域光学间隔 层晶圆制作 工艺研发	136	7.7	113.8	小批 量生 产	研发采用激光切割结合 腐蚀工艺在玻璃表面完 成微米级小孔加工（最 小尺寸 200um）搭配蒸 发镀膜工艺实现孔侧壁 镀膜达到特定光学效	智能手 机领域
						果。
12	大尺寸车载 光学基材制 作工艺研发	183	108.9	170.66	客户 送样	研发采用蒸发镀膜结合 黄光工艺在 12寸玻璃 晶圆表面实现最小线宽 5um±1.5um的图形化镀 膜。	车载等 领域
13	可见光红外 波段双通镀 膜及激光切 割工艺研发	217	134.54	186.49	客户 送样	研发采用溅射镀膜工艺 实现可见光及红外波段 穿透双通光学特性，并 采用激光切割工艺完成 小尺寸切割工艺的研 发。	智能手 机等领 域
14	AR/VR领域 均光片纳米 压印工艺技 术研发	185	133.91	142.89	客户 送样	研发采用灰度光刻技术 制作微透镜阵列图形结 构母板，并采用纳米压 印工艺完成微米级别透 镜加工。	智能穿 戴等领 域
15	超大尺寸及 超薄光学玻 璃晶圆衬底 精密抛光技 术及产品研 发	386.00	215.38	215.38	工程 验证	通过高精密研磨、抛光 技术，结合单面抛光工 艺，实现 25寸超大尺寸 玻璃晶圆厚度加工至 0.2mm的超薄化要求。	智能穿 戴等领 域
16	各向异性导 电膜镀膜工 艺研发	362	86.06	86.06	工程 验证	采用 PVD成膜技术，结 合黄光、lift-off等工艺， 实现膜层具有更稳定的 阻值，在膜厚方向具有 良好的导电性，使得芯 片叠层连接位置导通性 良好，有效的解决了压 合工艺中芯片连接位置 阻值变大的问题。	显示 屏、太 阳能电 子等领 域
17	功率器件芯 片微电路层 金属膜层沉 积工艺研发	583	114.58	114.58	工程 验证	对于功率器件各叠层结 构及膜层材料的设计， 通过金属膜层沉积工艺 的调整，达到高精度膜 厚及均匀性需求，实现 功率器件高品质、低能 耗的目标。	消费电 子、车 载、医 疗等领 域
18	Mosfet器件 小型化、低功 耗封装工艺 研发	365	36.98	36.98	工程 验证	自主开发 Mosfet器件 封装技术，通过引线键 合、塑封等工艺，实现 产品小型化、薄型化、 低功耗等特性，在保证 产品稳定性和可靠性的 同时降低材料成本，提 升产品性能。	电源管 理
19	关于阵列式 波导片镀膜 工艺的研发	235	37.28	37.28	工程 验证	采用真空镀膜技术，通 过膜系设计及成膜工 艺，在光学基板表面成	智能穿 戴等领 域
						膜，使产品在可见光波 段范围内，满足光线一 定入射角度时特定反射 值的要求，为智能穿戴 产品提供大视场角、高 分辨率等硬件能力
20	大尺寸超薄 玻璃镭射打 孔工艺的研 发	226	29.35	29.35	工程 验证	通过镭射切割、腐蚀等 工艺，结合超大尺寸玻 璃加工平台的应用，实 现在大尺寸超薄玻璃基 板上通孔加工，通孔散 差及位置度精度达到微 米级的要求。	智能手 机等领 域
21	光学模压晶 圆间隔层技 术研发项目	168	57.84	57.84	工程 验证	研发以树脂为材料的晶 圆间隔层起到智能手机 类光学镜头组件间定 位、聚焦和遮光效果。	智能手 机领域
22	车载 HUD均 光片纳米压 印工艺技术 研发	175	3.69	3.69	工程 验证	研发灰度光刻结合纳米 压印工艺，制作车载 HUD上的光学匀光片， 起到匀光、整型等特殊 光学投影效果。	车载等 领域
23	AR镀膜结合 丝印技术以 及异性切割 工艺研发	158	6.86	6.86	工程 验证	研发特殊光学滤光片制 作工艺，以满足 AR/VR 或医疗设备等领域的特 殊滤光需求。	AR/VR 等领域
24	无机物沉积 方式实现 RGB阵列工 艺研发	527	264.19	264.19	工程 验证	通过 PVD成膜技术，结 合黄光、Lift-off工艺， 自主开发无机颜色膜工 艺代替传统半导体彩胶 工艺，实现各通道光透 过率更高、损耗小，光 选择性更好、设计灵活 等特性。	智能手 机、消 费电 子、物 联网等 领域
25	射频芯片基 板研发	322	9.3	9.3	工程 验证	通过线切割、研磨、精 雕、抛光等工艺，对 LT\LN等材质进行晶圆 加工，实现产品的高外 观、TTV、翘曲等要求。	射频芯 片
26	射频芯片晶 圆 SIO2层化 学抛光工艺 研发	272	3.39	3.39	工程 验证	自主开发化学抛光工 艺，使晶圆表面 SIO2 膜层平坦化，提高产品 频率一致性，提升产品 良率和性能。	智能手 机等消 费类电 子
合 计	/	9,666.00	3,139.59	5,783.31	/	/	/

5. 研发人员情况

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	135	114
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	18.83	14.01
研发人员薪酬合计	1,220.91	1,072
研发人员平均薪酬	9.04	9.4

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士研究生	1	0.74
硕士研究生	5	3.70
本科	55	40.74
专科及以下	74	54.82
合计	135	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
30岁以下（不含 30岁）	47	34.82
30-40岁（含 30岁，不含 40岁）	69	51.11
40-50岁（含 40岁，不含 50岁）	13	9.63
50-60岁（含 50岁，不含 60岁）	6	4.44
合计	135	100.00

（未完）