[中报]拓荆科技(688072):2023年半年度报告
原标题:拓荆科技:2023年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及全体董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述了公司在经营过程中可能面临的风险及应对措施，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 五、 公司负责人刘静、主管会计工作负责人杨小强及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司于2023年8月28日召开第一届董事会第二十七次会议及第一届监事会第十六次会议，审议通过了《关于公司2023年半年度资本公积转增股本方案的议案》，公司拟以实施权益分派股权登记日的总股本为基数，以资本公积向全体股东每10股转增4.8股。以公司截至2023年6月30日的总股本126,478,797股为基数测算，合计转增60,709,823股。转增后公司总股本将增加至187,188,620股（转增后公司总股本数以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司最终登记结果为准）。公司2023年半年度不派发现金红利，不送红股。 独立董事对上述议案发表了同意的独立意见，本次资本公积转增股本方案尚需提交公司2023年第三次临时股东大会审议。 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 49 第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 52 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 54 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 88 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 96 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 96 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 97
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
注：本报告中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍五入所致。 第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1、 营业收入较上年同期增长91.83%，主要原因为：受益于国内晶圆厂持续扩产带来的需求增加，公司在手订单充足，产品线不断完善，新产品在客户端验证通过，持续获得更多客户的认可。公司新产品及新工艺经下游用户陆续验证导入，销售收入放量增长。报告期内，PECVD设备实现销售收入9.08亿元，较上年同期增长94.35%；HDPCVD设备、应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备顺利通过客户端产业化验证，实现了首台的产业化应用，ALD设备、SACVD设备持续获得客户验收，均实现销售收入。 2、 归属于上市公司股东的净利润较上年同期增长15.22%、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润较上年同期增长32.65%，主要原因为营业收入增长带来的利润增加。其低于营业收入增长率，主要原因为本期确认股份支付费用1.26亿元，剔除股份支付费用影响后，归属于 上市公司股东的净利润同比增长 129.15%、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长283.68%。 3、 经营活动产生的现金流量净额较上年同期降低384.24%，主要原因为：业务增长采购备货、发出商品增加，购买商品、接受劳务支付的现金增加。 4、 基本每股收益较上年同期降低4.85%，主要原因为加权平均股数增加。 5、 加权平均净资产收益率较上年同期降低2.27个百分点、扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率较上年同期降低 0.80 个百分点,主要系公司2022年 4 月完成首次公开发行股票并在科创板上市收到募集资金，使得2023年上半年加权平均净资产较上年同期大幅度增加。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》 中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用 单位：万元 币种：人民币
第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一） 公司所属行业情况 1. 半导体设备行业情况 集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量，而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力的趋势下，半导体芯片技术持续迭代发展，并逐步向精密化、微小化发展，这对制造工艺技术不断提出挑战，因此，作为支撑半导体芯片制造工艺发展的高端半导体设备的重要地位日益凸显，并拥有巨大的市场空间。 由于半导体行业技术迭代、下游应用创新驱动、终端应用的供需关系等因素叠加宏观经济波动，半导体行业的发展呈现周期性波动的趋势。从近几年的行业发展趋势来看，2020年以来，受到全球消费电子、汽车电子等下游供应短缺刺激，全球半导体市场需求爆发，行业景气度上升。 2022年，受到宏观经济形势和下游需求转换的影响，半导体行业景气度出现了转折，全球半导体制造设备销售额较上年同期实现小幅增长，达到1074亿美元，根据SEMI于2023年7月发布的数据显示，预计2023年全球半导体制造设备的销售额将减少至874亿美元，但经过2023年的半导体库存调整及高性能计算、汽车领域对半导体芯片需求增强的推动，预计2024年全球半导体制造设备的销售额将再次恢复增长，达到1000亿美元。 根据SEMI统计，2022年中国大陆半导体设备销售额为283亿美元，连续第三年成为全球最大半导体设备市场。在当前全球半导体行业销售放缓的情况下，预计2023年中国大陆半导体设备销售额将降至225亿美元，而2024年将恢复增长，预期增长至233亿美元。 尽管半导体行业呈现短期的景气度波动，但随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起， 以人工智能、云计算、智能家居、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业的创新发展，将成为半 导体行业需求增长的驱动力。同时，伴随着我国对半导体产业不断的政策扶持、加大投入力度， 加速了国内半导体设备产业的发展和布局，国内设备厂商迎来了巨大的成长机遇。 2. 公司所在的薄膜沉积设备行业情况 （1）薄膜沉积设备市场规模 在半导体设备中，应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道 工艺设备（封装测试）两大类，其中，晶圆制造设备的市场规模约占半导体设备市场规模的88%。 在晶圆制造设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定 了芯片制造工艺的先进程度。而薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片 制造过程中应用广泛，因此，产生了巨大的薄膜沉积设备市场，其市场规模约占晶圆制造设备市 场规模的22%。2022年全球薄膜沉积设备市场规模达229亿美元，结合中国大陆半导体制造设备 销售额占全球半导体制造设备的销售额约为26%的比例测算，2022年中国大陆薄膜沉积设备市场 规模约为60亿美元，具有广阔的市场空间。 半导体设备及晶圆制造设备市场占比 数据来源：SEMI，同行业公司定期报告 （2）公司所聚焦的薄膜沉积设备细分领域市场情况 薄膜沉积设备主要包括CVD（化学气相沉积）设备和PVD（物理气相沉积）设备。公司主要聚焦在 CVD 设备细分领域内的 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）及HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）等薄膜设备。 虽然PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD设备均属于CVD细分领域产品，但不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，在逻辑、存储等芯片制造过程中应用较为广泛，主要应用如图示： 在逻辑芯片中的应用图示 在3D NAND存储芯片中的应用图示 在DRAM存储芯片中的应用图示 在2021年全球各类薄膜沉积设备市场份额中，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，占 整体薄膜沉积设备市场的33%，ALD设备占比约为 11%，SACVD和HDPCVD占比约小于6%。 薄膜沉积设备占比情况 数据来源：SEMI （3）薄膜沉积设备主要技术门槛 薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备，其技术的发展支撑了集成电路制造工艺的发展。在薄膜沉积设备研制过程中，其反应腔设计、腔体内关键件设计、气路设计、温度控制及射频控制需要在理论知识深刻理解的基础上，结合整机设计和薄膜工艺的配合与集成，专业综合性强，技术密集且壁垒较高。 由于薄膜是芯片结构的功能材料层，在芯片完成制造、封测等工序后一般会留存在芯片中，薄膜的技术参数直接影响芯片性能，因此，对薄膜材料性能的要求极其严格。生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最 终满足技术标准。因此，薄膜沉积设备所需要的验证时间较长。由此可见，薄膜设备从研制到产 业化应用过程均具有极高的技术难度。 此外，集成电路制造不同技术路线及不同工序所需要的薄膜材料种类不同，薄膜沉积设备需 要针对不同材料本身的物理、化学性质，进行工艺开发，以实现不同材料的沉积功能。随着芯片 内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种 类和性能参数不断提出新的要求，因此，技术门槛也在日益提升。 （4）薄膜沉积设备发展趋势 ①薄膜设备市场需求稳步增长 纵观半导体行业的发展历史，虽然行业呈现明显的周期性波动，但整体增长趋势并未发生变 化。在人工智能、大数据、智能驾驶、新能源等新兴领域的快速发展拉动下，晶圆厂将持续进行 资本开支，扩充产能，这将带动半导体设备的市场需求量的增长。薄膜沉积设备作为集成电路晶 圆制造的核心设备，具有较大的市场需求和增长空间。 根据SEMI预测信息，在2022年至2026年期间，下游芯片制造厂商将持续扩充产能，以满足 需求增长，2022年全球半导体制造厂商300mm晶圆厂产能每月约为700万片，预计2026年将增 加至每月960万片的历史新高。中国大陆也将持续推动300mm前端晶圆厂产能增长，将全球份额 从2022年的22%增加到2026年的25%，达到每月240万片晶圆。晶圆厂的产能扩建将引领半导体 设备需求的持续增长。 ②芯片制造工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求 在90nm CMOS芯片工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在FinFET工艺产线，大约需要超 过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级 提高到纳米级，进而拉动晶圆厂对薄膜沉积设备需求量的增加。 不同工艺节点薄膜沉积工序对比 在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2D NAND发展为3D NAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。而随着3D NAND FLASH芯片的堆叠层数不断增高， 从32/64层逐步向更多层及更先进工艺发展，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。 2D NAND与3D NAND结构简图 资料来源：SEMI，广发证券 在芯片工艺技术持续进步的趋势下，当难以通过光刻直接形成先进工艺的情况下，可以结合薄膜沉积设备（主要为ALD设备）与刻蚀设备相配合，采用自对准多重成像技术，实现更小尺寸的工艺，这将进一步促进ALD设备及相关设备的重要性及需求量的提升。 ③先进制程对薄膜沉积设备提出更高要求 在晶圆制造过程中，薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着芯片制造工艺不断走向精密化，对薄膜工艺性能提出了更高的技术要求，包括薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加，这也将拉动半导体高端薄膜设备的需求。 3. 公司所在的三维集成领域设备行业情况 （1）三维集成领域设备行业 随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，不能再只依赖缩短工艺极限实现最优的芯片性能和复杂的芯片结构，而是转向通过新的芯片设计架构和芯片堆叠的方式来实现，因此，产生了新的设备需求，即应用于三维集成领域的半导体设备。 应用于三维集成领域的设备是三维集成芯片、Chiplet等芯片先进架构设计的技术基础。以混合键合设备为代表的三维集成领域专用设备尚处于产品导入期，业界目前已经在存储器、图像传感器和逻辑芯片领域初步实现产业化。随着半导体芯片技术的快速发展，三维集成领域将进入成长期，混合键合设备作为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，其细分市场届时也将迎来快速增长。 （2）公司所聚焦的混合键合设备情况 混合键合设备作为可以提供键合面最小为 1μm 间距的金属导线连接点以实现芯片或晶圆的 堆叠，使芯片间的通信速度提升至业界先进水平，并能提高整体芯片性能。公司面向新的技术趋 势和市场需求，积极进军高端半导体设备的前沿技术领域，研制了应用于晶圆级三维集成领域的 混合键合（Hybrid Bonding）设备产品系列，同时，该设备还能兼容熔融键合（Fusion Bonding）。 键合设备主要应用原理如图示： 晶圆键合设备应用示意图 （3）混合键合设备主要技术门槛 键合设备提供的关键指标是键合面的质量，包括键合精度、键合强度以及界面空隙，其中键合精度和对准精度影响芯片性能，键合强度和界面空隙影响芯片整体良率。键合设备的研制，对于高精密对准系统、微纳精密机械控制、图像处理和分析、套刻量测等技术需要极其深刻的理解和产业化实践经验，技术壁垒较高。同时，随着键合工艺的发展，对键合设备的对准精度、键合精度等性能指标不断提出更高的要求。 （4）混合键合设备发展趋势 随着半导体工艺技术的发展，芯片架构由2D、2.5D逐步向3D创新发展，支撑芯片架构发展的键合技术不断更新迭代，而混合键合技术具备实现更高带宽、更高功率、更高通信速度等优势特点，成为当前业界优选的解决方案。随着“后摩尔时代”的来临，以三维集成为代表的先进芯片架构成为半导体芯片技术发展的重要方向和路径，将直接拉动混合键合设备的市场需求量，因此，键合设备具有较大的潜在市场需求和未来增长空间。 （二） 主营业务情况 1、主要业务情况 公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自公司成立以来，始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，广泛应用于国内 集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。此外，公司推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。 2、主要产品情况 报告期内，公司持续完善PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD等薄膜系列产品性能，拓展薄膜工艺的应用领域，保持产品核心竞争力，进一步提升量产薄膜设备系列产品的市场应用规模和覆盖面，同时，积极推进混合键合设备产品的产业化验证。 公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及混合键合系列产品具体情况如下： （1）PECVD系列产品 ① PECVD产品 PECVD 设备是芯片制造的核心设备之一，也是公司的核心产品，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。 公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UV Cure产品。 ① PECVD产品 公司PECVD系列产品具体情况如下：
UV Cure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。公司UV Cure产品具体情况如下：
ALD 设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD 是必不可少的核心设备之一。 公司ALD产品系列包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品和Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产品。 ① PE-ALD产品 PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。公司PE-ALD产品具体情况如下：
Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。公司Thermal-ALD产品具体情况如下：
SACVD 设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。 在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD 反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力，同时，SACVD沉积过程没有等离子体，可以减少对器件的损伤。公司SACVD产品具体情况如下：
（4）HDPCVD系列产品 HDPCVD 设备主要应用于深宽比小于 5:1 的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。 HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。公司HDPCVD产品具体情况如下：
混合键合设备是晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，可以在常温下通过永久键合工艺技术实现芯片或晶圆的堆叠，提升芯片间的通信速度及整体芯片性能，相比于传统工艺还有有效缩短芯片开发周期、有效保证键合面气密性等特点。 公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）产品和芯片对晶圆键合表面预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation）产品。 ① 晶圆对晶圆键合产品 晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的 12 英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺，公司晶圆对晶圆键合产品具体情况如下：
芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序，公司开发的芯片对晶圆键合表面预处理产品情况如下：
报告期内，公司主营业务未发生重大变化。 （三）主要经营模式 （1）盈利模式 公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售半导体专用设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。 （2）研发模式 公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体设备研发技术团队。 公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的基石。公司根据客户需求、半导体专用设备技术动态和国家专项目标为导向，研发设计新产品、新工艺，制造研发机台，调试性能参数，在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品功能。 （3）采购模式 公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制；针对特定零部件，公司存在提供图纸及参数，并向供应商提供原材料，委托供应商完成定制化加工的情形。 （4）生产模式 公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。 （5）销售和服务模式 报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。 经过多年的努力，公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。 公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。 报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。公司核心技术及其先进性的具体表征如下：
国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2. 报告期内获得的研发成果 公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研发与产业化。报告期内，公司获批承担 1项国家重大专项。截至报告期末，公司已先后累计承担 8项国家重大专项/课题。 公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利960项（含PCT）、获得专利298项；报告期内，公司新增申请专利108项（含PCT）、新增获得专利83项。 报告期内获得的知识产权列表
注2：上表“累计数量”中“获得数”不包含已失效专利。 3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √适用 □不适用 公司重视核心技术的研发，不断开拓新产品，拓展工艺应用领域，始终保持高强度的研发投入，本期研发投入较上年同期增长78.77%，主要系研发人员薪酬及股份支付费用增加。 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：万元
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