[中报]卓胜微(300782):2023年半年度报告

时间:2023年08月29日 04:32:52 中财网

原标题:卓胜微:2023年半年度报告

江苏卓胜微电子股份有限公司
Maxscend Microelectronics Company Limited



2023年半年度报告
(公告编号:2023-063)




2023年 08月

第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人许志翰、主管会计工作负责人朱华燕及会计机构负责人(会计主管人员)汪燕声明:保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。

本报告中涉及未来计划等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,也不代表公司的盈利预测,能否实现取决于市场状况变化等多种因素,存在较大不确定性,敬请投资者注意投资风险。

公司已在本报告中详细阐述了未来可能发生的有关风险因素,详见“第三节 管理层讨论与分析”之“十、公司面临的风险和应对措施”,敬请投资者予以关注。

公司计划不派发现金红利,不送红股,不以公积金转增股本。


目录
第一节 重要提示、目录和释义 .............................................................................................................................. 2
第二节 公司简介和主要财务指标 ......................................................................................................................... 7
第三节 管理层讨论与分析 ...................................................................................................................................... 11
第四节 公司治理 .......................................................................................................................................................... 37
第五节 环境和社会责任 ........................................................................................................................................... 40
第六节 重要事项 .......................................................................................................................................................... 43
第七节 股份变动及股东情况 ................................................................................................................................. 47
第八节 优先股相关情况 ........................................................................................................................................... 53
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................................................ 54
第十节 财务报告 .......................................................................................................................................................... 55

备查文件目录
(一)经公司法定代表人签名的2023年半年度报告全文及其摘要。

(二)载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人员)签名并盖章的财务报表。

(三)报告期内在中国证监会指定信息披露载体上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

(四)其他相关资料。

公司将上述文件的原件或具有法律效力的复印件置备于公司证券投资部。


释义

释义项释义内容
卓胜美国Lynnian, Inc.
卓胜香港Maxscend Technologies(HK)Limited
卓胜成都成都市卓胜微电子有限公司
卓胜上海卓胜微电子(上海)有限公司
卓胜日本Maxscend Technology JAPAN 株式会社
卓胜新加坡Maxscend Technology Singapore Pte.Ltd.
芯卓投资江苏芯卓投资有限公司
汇智投资无锡汇智联合投资企业(有限合伙)
山景股份上海山景集成电路股份有限公司
天津浔渡天津浔渡创业投资合伙企业(有限合伙)
苏州耀途苏州耀途股权投资合伙企业(有限合伙)
上海馨欧上海馨鸥集成微电有限公司
上海合见上海合见工业软件集团有限公司
晟朗微无锡晟朗微电子有限公司
华兴激光江苏华兴激光科技有限公司
报告期2023年1月1日至2023年6月30日
报告期末2023年6月30日
元、万元人民币元、人民币万元
集成电路、芯片、ICIntegrated Circuit,简称IC,将大量元器件集成于一个单晶片 上所制成的电子器件,俗称芯片
射频、RFRadio Frequency,简称RF,一种高频交流变化电磁波的简称, 频率范围在300KHz~300GHz之间
射频前端,RFFERF Front-end,包括发射通路和接收通路,一般由射频功率放大 器、射频滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放大器等芯片 组成
射频开关、Switch构成射频前端的一种芯片,主要用于在移动智能终端设备中对不 同方向(接收或发射)、不同频率的信号进行切换处理
射频低噪声放大器、LNALow-Noise Amplifier,简称LNA,构成射频前端的一种芯片,主 要用于通信系统中将接收自天线的信号放大,以便于后级的电子 器件处理
天线开关、Tuner射频开关的一种,与天线直接连接,主要用于调谐天线信号的传 输性能使其在任何适用频率上均达到最优的效率;或者交换选择 性能最优的天线信道
射频功率放大器、PAPower Amplifier,简称PA, 构成射频前端的一种芯片,主要用 于将发射通道的射频信号放大,使信号馈送到天线发射出去,从 而实现无线通信功能
声表面波滤波器、SAWSurface Acoustic Wave,简称SAW,其原理为在输入端由压电效 应把电信号转换为声信号在介质表面传播,在输出端由逆压电效 应将声信号转换为电信号
双工器、四工器构成射频前端的一种芯片,使得工作在不同频率上的接收和发射 通路能够共享一个天线。它通常由两个或两个以上的带通滤波器 并联而成,其作用是将发射和接收讯号相隔离,保证接收和发射
  都能同时正常工作,互不干扰。根据滤波器数量不同,包括双工 器、四工器等
低功耗蓝牙、BLEBluetooth Low Energy,简称BLE,使用全球通用频带2.4GHz, 能够使蓝牙设备以更低能耗工作,实现蓝牙设备之间、蓝牙设备 和智能手机、平板电脑等控制器的连接
低功耗蓝牙微控制器芯片将BLE、MCU集成到同一芯片,形成以蓝牙收发射频信号的微控制 器
封测"封装、测试"的简称;"封装"指为芯片安装外壳,起到安放、固 定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用;"测试"指检测封装 后的芯片是否可正常运作
晶圆Wafer,集成电路制作所用的硅晶片,生产集成电路所用的载体, 可加工制作成各种电路元件结构,由于其形状为圆形,故称为晶 圆
FablessFabrication(制造)和less(无、没有)的组合词;一指集成 电路市场中,没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式,通 常也被称为"Fabless模式";也用来指代无芯片制造工厂的IC设 计公司,经常被简称为"无晶圆厂"或"Fabless厂商"
IDMIntegrated Device Manufacturing,简称IDM,是集成电路行业 中,垂直整合制造的模式,包含了芯片设计、晶圆制造、封测等 全部芯片制造环节
Fab-Lite轻晶圆厂的集成电路企业经营模式,是介于Fabless模式与IDM 模式之间的经营模式,即在晶圆制造、封装及测试环节采用自行 建厂和委外加工相结合的方式
4G、5G、5G NR4G,指第四代移动通信技术与标准;5G,指第五代移动通信技术 与标准;5G NR,5G New Radio,指基于OFDM的全新空口设计的 全球性5G标准
MEMSMicro-Electro-Mechanical System,简称MEMS,是加工RF产品 的一种技术
GaAs砷化镓,是第二代半导体材料
CMOSComplementary Metal Oxide Semiconductor,简称CMOS,是制 造大规模射频前端芯片用的一种工艺
SOISilicon-On-Insulator,简称SOI,即绝缘衬底上的硅,该技术 是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层
SiGe是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定 含量的Ge形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的 一种硅基工艺集成技术
IPDIntegrated Passive Device,简称IPD,集成无源器件
MLC低温共烧陶瓷技术,是以功能材料作为电路基板材料,将电极材 料、基板、电子器件等一次性烧成,是一种用于实现高集成度、 高性能的工艺
POI一种用于表面声波(SAW)滤波器的衬底材料,以高阻硅作为基 底、中层为氧化埋层,顶部是一层薄且均匀的单晶压电层
BAWBulk Acoustic Wave,利用谐振体声波工作,简称BAW。声波在 介质内部传播
FBARFilm Bulk Acoustic Resonator,薄膜腔声谐振,简称FBAR。是 一种基于体声波(BAW)的谐振技术,它是利用压电薄膜的逆压电 效应将电信号转换成声波,从而形成谐振

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司简介

股票简称卓胜微股票代码300782
股票上市证券交易所深圳证券交易所  
公司的中文名称江苏卓胜微电子股份有限公司  
公司的中文简称(如有)卓胜微  
公司的外文名称(如有)Maxscend Microelectronics Company Limited  
公司的外文名称缩写(如有)Maxscend  
公司的法定代表人许志翰  
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名刘丽琼徐佳
联系地址无锡市滨湖区胡埭工业园刘闾路29号无锡市滨湖区胡埭工业园刘闾路29号
电话0510-851853880510-85185388
传真0510-851685170510-85168517
电子信箱[email protected][email protected]
三、其他情况
1、公司联系方式
公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期是否变化 □适用 ?不适用
公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期无变化,具体可参见2022年年报。

2、信息披露及备置地点
信息披露及备置地点在报告期是否变化
□适用 ?不适用
公司披露半年度报告的证券交易所网站和媒体名称及网址,公司半年度报告备置地在报告期无变化,具体可参见2022 年年
报。

3、注册变更情况
□适用 ?不适用
公司注册情况在报告期无变化,具体可参见2022年年报。

四、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
?是 □否
追溯调整或重述原因
会计政策变更

 本报告期上年同期 本报告期比上 年同期增减
  调整前调整后调整后
营业收入(元)1,665,264,606.542,234,935,044.692,234,935,044.69-25.49%
归属于上市公司股东的净利润(元)366,551,070.50752,097,880.52752,111,998.46-51.26%
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润(元)366,553,653.06756,668,393.63756,682,511.57-51.56%
经营活动产生的现金流量净额(元)968,809,466.66588,395,909.37588,395,909.3764.65%
基本每股收益(元/股)0.68671.40911.4092-51.27%
稀释每股收益(元/股)0.68551.40871.4088-51.34%
加权平均净资产收益率4.13%9.35%9.35%-5.22%
 本报告期末上年度末 本报告期末比 上年度末增减
  调整前调整后调整后
总资产(元)10,021,272,755.079,503,621,869.739,505,617,909.895.42%
归属于上市公司股东的净资产(元)8,997,424,891.528,681,970,458.348,682,108,916.763.63%
会计政策变更的原因及会计差错更正的情况
公司自2023 年开始执行《企业会计准则解释第 16号》(财会〔2022〕31号),将单项交易而确认的使用权资产和租
赁负债所产生的应纳税暂时性差异和可抵扣暂时性差异,分别确认相应的递延所得税负债和递延所得税资产。

会计政策变更原因:
为深入贯彻实施企业会计准则,保持企业会计准则与国际财务报告准则的持续趋同,在2022年11月30日,财政部发
布《关于印发〈企业会计准则解释第16号〉的通知》(财会[2022]31号,以下简称 “通知”),主要内容如下:
一、关于单项交易产生的资产和负债相关的递延所得税不适用初始确认豁免的会计处理 《通知》对《企业会计准则第 18 号——所得税》中递延所得税初始确认豁免的范围进行了修订, 明确对于不是企业
合并、交易发生时既不影响会计利润也不影响应纳税所得额(或可抵扣亏损)、 并因单项交易产生的资产和负债导致等额
应纳税暂时性差异和可抵扣暂时性差异的交易,不适用递延所得税初始确认豁免规定。

适用情形:比如承租人在租赁期开始日初始确认租赁负债并计入使用权资产,固定资产因存在弃置义务而确认预计负
债并计入固定资产成本等。

自2023 年 1 月1 日起不适用递延所得税初始确认豁免规定,应根据《企业会计准则第 18号——所得税》有关规定,
在交易发生时分别确认相应的递延所得税负债和递延所得税资产。

公司报告期末至半年度报告披露日股本是否因发行新股、增发、配股、股权激励行权、回购等原因发生变化且影响所有者
权益金额
□是 ?否

支付的优先股股利0.00
支付的永续债利息(元)0.00
用最新股本计算的全面摊薄每股收益(元/股)0.6867
五、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

六、非经常性损益项目及金额
?适用 □不适用
单位:元

项目金额说明
非流动资产处置损益(包括已计提资产减值准备的冲 销部分)1,096,962.95固定资产处置
计入当期损益的政府补助(与公司正常经营业务密切 相关,符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量 持续享受的政府补助除外)3,211,246.68取得的政府补助
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外, 持有交易性金融资产、交易性金融负债产生的公允价 值变动损益,以及处置交易性金融资产、交易性金融 负债和可供出售金融资产取得的投资收益1,041,312.83出售衍生金融工具取得的投资收益
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-5,356,762.67企业对外公益捐赠等支出
减:所得税影响额-4,657.65 
合计-2,582.56 

其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况:
□适用 ?不适用
公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项
目的情况说明
□适用 ?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经
常性损益的项目的情形。

第三节 管理层讨论与分析 一、报告期内公司从事的主要业务 (一)主营业务 公司是江苏省高新技术企业,专注于射频集成电路领域的研究、开发、生产与销售,主要向市场提供射频开关、射频 低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品解决方案,同时公司还对外提供低功耗 蓝牙微控制器芯片。公司射频前端分立器件和射频模组产品主要应用于智能手机等移动智能终端产品,客户覆盖全球主要 安卓手机厂商,同时还可应用于智能穿戴、通信基站、汽车电子、蓝牙耳机、VR/AR 设备及网通组网设备等需要无线连接 的领域。公司低功耗蓝牙微控制器芯片主要应用于智能家居、可穿戴设备等电子产品。 公司在射频领域拥有多年的技术积累,一直积极投入研发创新与资源布局,专注提高核心技术竞争力。目前,公司正 全力推进自有完整生态链的建设,整合设计、材料、器件、工艺和集成技术等资源优势,打造射频“智能质造”资源平台。 依托长期以来的技术积累和竞争优势,公司将持续夯实在射频领域的布局,在保持并深入拓展手机等移动智能终端领 域的同时,深入挖掘通信基站、汽车电子、网通组网设备、物联网等应用领域的市场机会。公司坚持自主研发核心技术与 资源平台建设,随着5G通信技术的发展,公司已成为国内少数对标国际领先企业的射频解决方案提供商之一。 1、射频前端芯片
(1)移动通信
1)分立器件
1 射频开关
传导开关
射频传导开关的作用是将多路射频信号中的任一路或几路通过控制逻辑连通,以实现不同信号路径的切换,包括接
收与发射的切换、不同频段间的切换等。公司的射频传导开关产品的主要种类有移动通信传导开关、WiFi开关等,采用RF
SOI的材料及相应工艺,广泛应用于智能手机等移动智能终端。

天线开关
天线开关是射频开关的一种,与天线直接连接,主要用于调谐天线信号的传输性能使其在任何适用频率上均达到最
优的效率,或者交换选择性能最优的天线信道。公司的天线开关根据功能的不同,分为天线调谐开关、天线调谐器、天线
交换开关等,主要采用RF SOI的材料及相应工艺,广泛应用于智能手机等移动智能终端。

2 射频低噪声放大器
射频低噪声放大器的功能是把天线接收到的微弱射频信号放大,尽量减少噪声的引入,在移动智能终端上实现信号更
好、通话质量和数据传输率更高的效果。公司的射频低噪声放大器产品,根据适用频率的不同,分为全球卫星定位系统射
频低噪声放大器、移动通信信号射频低噪声放大器、电视信号射频低噪声放大器、FM 调频信号射频低噪声放大器等。上述
射频低噪声放大器产品采用SiGe、RF CMOS、RF SOI、GaAs等材料及相应工艺,主要应用于智能手机等移动智能终端。

③射频滤波器
射频滤波器的作用是保留特定频段内的信号,将该频段外的信号滤除,从而提高信号的抗干扰性及信噪比。公司滤波
器产品根据应用场景的不同,分为用于卫星定位系统的GPS滤波器、用于无线连接系统前端的WiFi滤波器、适用于移动通
信的滤波器等,公司现阶段主要采用SAW、IPD等工艺,上述产品主要应用于智能手机等移动智能终端。

④射频功率放大器
射频功率放大器的作用是把发射通道的射频信号放大,使信号馈送到天线发射出去,从而实现无线通信功能。公司目
前推出的射频功率放大器产品,主要采用GaAs材料及相应工艺实现,主要应用于移动智能终端。

2)射频模组
射频模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上功能的分立器件集成为一
个模组,从而提高集成度与性能并使体积小型化。射频模组根据集成方式的不同可分为不同类型不同功能的模组产品,公
司的射频模组产品包括 DiFEM(接收模组,集成射频开关和滤波器)、L-DiFEM(接收模组,集成射频低噪声放大器、射频
开关和滤波器)、GPS 模组(集成射频低噪声放大器和滤波器)、LFEM(接收模组,集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)、
LNA BANK(接收模组,集成多个射频低噪声放大器和射频开关)、L-PAMiF(主集收发模组,集成射频功率放大器、射频开
关、滤波器、低噪声放大器)等。其中DiFEM、L-DiFEM、GPS模组适用于sub-3GHz频段,LFEM和L-PAMiF适用于sub-6GHz
频段,LNA BANK在sub-3GHz与sub-6GHz频段皆有相适应的产品,上述射频模组产品主要应用于移动智能终端。

(2)无线连接
1)WiFi连接模组
WiFi前端模组(WiFi FEM)是将WiFi射频功率放大器、射频开关、低噪声放大器等以多种组合方式集成为一个模组,
用于无线信号发射和接收,实现WiFi数据传输。公司的WiFi前端模组产品主要应用于移动智能终端及网通组网设备。

2)蓝牙前端模组
蓝牙前端模组(BT FEM)主要用于蓝牙无线系统前端,位于蓝牙 SoC芯片和天线之间。蓝牙前端模组根据系统需求架
构形式集成射频功率放大器、射频低噪声放大器、射频开关,用于提高蓝牙的发射功率或者提升接收灵敏度。公司目前推
出的蓝牙前端模组产品主要应于物联网及其他通讯系统,如蓝牙耳机、VR/AR设备等。

2、物联网芯片
低功耗蓝牙微控制器
低功耗蓝牙微控制器芯片是将BLE射频收发器、存储器、CPU和相关外设集成为一颗芯片,形成具有蓝牙收发射频信号
功能的微控制器。低功耗蓝牙微控制器芯片采用无线连接方式,使其能够快速接入手机、平板、电视等智能终端,实现数
据共享和智能控制。公司的低功耗蓝牙微控制器产品主要应用于智能家居、可穿戴设备、无线充电等领域。

(二)经营模式
报告期内,公司采用Fab-Lite经营模式,是垂直一体化经营和Fabless并行的方式,开展关键技术和工艺的研发及产
能力,加强对产业链各环节的自主控制能力,从新产品技术和工艺的开发、产业链协同、产品交付等角度全面提升竞争力, 不断巩固在射频前端芯片领域的影响力。 研发方面,公司产品均为自主研发,并结合市场需求、技术发展趋势等,提前布局技术发展方向,同时凭借研发团队 的丰富经验建立了切实有效和完善的新产品开发管理流程。公司从产品定义的阶段就着眼于国内领先、国际先进的定位, 用国际化标准引领产品研发流程的各个阶段。 生产方面,公司产品在生产过程中,采用委外和自主生产相结合的模式。针对代工产业链资源较为完善的产品采用委 外生产,公司只从事集成电路的研发、设计和销售,其余环节分别委托给晶圆制造商和封装测试厂完成;对于工艺技术、 定制化、差异化要求较高的产品,公司采用自主生产的方式。 销售方面,公司通过直销和经销的销售模式对公司产品进行推广,既能够及时了解大型客户需求并针对性提供产品与 服务,又能够提高对中小型客户的服务效率,从而不断扩大客户群体,提升品牌知名度与市场竞争力。 (三)业绩驱动因素
报告期内,公司 2023 年上半年度实现营业收入 16.65 亿元,较去年同期下降 25.49%,归属于上市公司股东的净利润
3.67亿元,较去年同期下降 51.26%,其中,2023 年第二季度营业收入环比提升 34.00%,归属于上市公司股东的净利润环
比增长 114.66%。

2023 年上半年,射频前端芯片产业链仍然处于去库存进程中,受到全球宏观经济低迷等因素影响,消费电子需求依旧
不及预期,但随着行业库存的持续去化,下游终端及公司自身库存有所改善。在此基础上,叠加二季度国内手机市场的消
费促销活动提振,促使公司二季度营业收入环比提升。

与此同时,为夯实内生动力,构建长期可持续发展的核心竞争力,公司持续稳步推进芯卓半导体产业化项目建设,通
过对射频滤波器及相应高端模组产品的布局和投资,打造工艺制造能力。报告期内,公司基于芯卓自建产线的规模量产和
工艺技术能力,以市场应用为引领逐步提升滤波器模组产品在品牌客户的覆盖面和市场占有率,同时不断加大研发创新投
入,持续推进产品迭代的速度与效率,不断丰富产品多样性。其中,集成自产滤波器的 DiFEM、L-DiFEM、GPS模组等产 品自二季度开始在客户端逐步放量。 企业面临的市场环境日益复杂多变,但公司坚定不移地为实现战略目标而奋进,不断进行技术演进、产品结构优化、 构建工艺技术和资源壁垒等。在发展的关键时期,公司稳步走向更高价值链端,同时将产业脉络延伸到多元化布局进程中, 将投入和发展重心放在芯卓半导体产业化项目的建设上,助推更先进的技术和工艺能力升级迭代,为公司未来的可持续发 展带来驱动力。 (四)报告期内公司所处行业情况 1、集成电路行业发展格局 (1)集成电路行业整体发展格局 集成电路产业是现代化经济发展的重要组成部分,其发展水平直接关系到一个国家的综合国力和核心竞争力。随着信 息化时代的到来,对集成电路行业提出了更高的要求。大力加强集成电路产业的发展,是提高国家或地区技术创新能力、 经济实力、国际市场竞争力的必经之路。集成电路行业主要包括集成电路设计业、制造业和封装测试业,属于资本与技术 密集型行业,业内企业普遍具备较强的技术研发能力、资金实力、客户资源和产业链整合能力。近年来,随着 5G、人工智 能、物联网、新能源汽车等新兴领域浪潮的不断涌现,我国集成电路行业势必将在国产化跑道上高速度、高质量地奔跑。 2023 上半年,全球宏观经济复苏不及预期,外部环境持续严峻。在科技和产业革命的双重助力下,集成电路产业在新 的发展阶段中充满挑战与机遇,并更加关注创新与适应性。据世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计与预测,2022 年全 球半导体市场规模同比增长 3.27%,预计 2023年全球半导体市场规模将同比下降 10.3%到 5,150亿美元。 目前中国仍然是集成电路进口大国,根据海关总署的统计数据,2023 上半年中国集成电路产品进口数量为 2,278 亿个, 出口数量为 1,276亿个,进口金额为 11,191亿人民币,出口金额为 4,361亿人民币,存在显著的贸易逆差,显示出我国集成 电路行业的内部需求强劲,对外依赖程度较高。展望未来,随着我国集成电路产业的进一步发展,我国有望加快国产化替 代步伐,从而降低对外部的依赖程度。 数据来源:世界半导体贸易统计组织 (WSTS)
(2)集成电路设计发展格局
集成电路设计是集成电路产业生态链中上游的部分,主要是根据消费电子终端设计研发出符合市场需求的各类芯片产
品。随着 5G通信、人工智能、物联网、新能源汽车等新兴领域的蓬勃发展,对高功能、低功耗芯片产品的设计要求越来越
高。集成电路设计起源于 20世纪50年代,经过多年研究和发展,集成电路逐渐成为现代行业的重要组成部分。与此同时,
集成电路设计是推动集成电路行业发展的核心要素。我国集成电路设计行业虽起步较晚,但随着近些年持续努力,目前我
国部分集成电路设计能力可媲美国外领先企业。在未来新兴领域产品性能多元化及国产化的迫切需求下,过去多年设计技
术沉淀势必将与技术迭代创新相结合,进一步探索集成电路设计行业更广、更深的产业生态链。

(3)集成电路制造行业发展格局
集成电路制造是集成电路行业的关键环节,集成电路制造水平代表了一个国家高端制造业的前沿高度,是推动国家信
息化与工业化融合的重点与基石,是调整产业结构、保障国家安全的支撑与引擎。同时,集成电路制造行业是一个高度技
术密集型行业。在集成电路行业中,模拟类芯片公司为了生产具有差异化竞争力强的产品,需要根据设计方案对生产工艺
进行优化调整,甚至定制开发特定工艺。模拟类芯片的制造过程相对复杂,需精细化工艺和技术支持,以确保产品性能、
质量适配下游终端应用领域。

在全球集成电路行业的射频前端市场,众多实力强大的海外企业凭借其卓越的研发技术与创新能力,成功主导并占领
了市场 80%以上的份额,而大部分的国际头部企业采用了 IDM经营模式。IDM模式指垂直整合制造模式,其业务范围涵盖
从集成电路设计,到晶圆制造、封装测试等产业链上的各个环节。IDM 模式的主要优势在于企业能完全自主整合内部资源
最优化;同时由企业把控贯穿在整个研发设计、制造及封装测试过程中的核心知识产权,并根据市场客户需求,积极快速
布局合理化、灵活化的产品。在国际技术壁垒及政治情势持续变动的当下,国家集成电路产业链的自主可控日趋重要。

2、集成电路行业政策法规
集成电路行业是推动科技革命和产业变革的关键力量,其快速发展为国家信息化建设和信息安全提供了有力支撑,促
进了国民经济和社会的持续健康发展。近年来,全球政治经济环境变化多端,国际贸易摩擦形势复杂,集成电路行业的不
确定性增加,因此国产化替代、半导体产业自主可控和供应链抗风险能力提升已上升到国家战略高度。为了进一步优化集
成电路产业和发展环境,提高产业创新能力和发展质量,国家相继出台一系列财政、税收和知识产权保护等政策,为集成
电路企业提供有利的政策环境。


时间发布单位政策主要内容
2010年国务院《国务院关于加快培育和发展 战略性新兴产业的决定》提出要着力发展集成电路等核心基础产业,为集成电路产业 的飞速发展奠定了基础
2014年国务院《国家集成电路产业发展推进 纲要》将集成电路产业发展上升列为国家战略,提出“以设计业的 快速增长带动制造业的发展”
2015年国务院《中国制造2025》提出“着力提升集成电路设计水平,提升国产芯片的应用适 配能力”
2016年国务院《国务院关于印发“十三五” 国家战略性新兴产业发展规划 的通知》明确指出“十三五”期间要做强的信息技术关键核心产业, 启动集成电路发展工程
2017年国家发展 改革委《战略性新兴产业重点产品和 服务指导目录》明确集成电路的电子核心基础产业地位,并将集成电路芯片 设计及服务列为战略性新兴产业重点产品与服务
2018年国务院《2018年国务院政府工作报 告》明确提出“要加快制造强国建设,推动集成电路、第五代移 动通信、飞机发动机、新能源汽车、新材料等产业发展”
2019年财政部、 税务总局《关于集成电路设计和软件产 业企业所得税政策的公告》集成电路设计和软件企业所得税优惠政策
2020年国务院《新时期促进集成电路产业和 软件产业高质量发展的若干政 策》明确“凡在中国境内设立的集成电路企业和软件企业,不分 所有制性质,均可按规定享受相关政策。鼓励和倡导集成电 路产业和软件产业全球合作,积极为各类市场主体在华投资 兴业营造市场化、法治化、国际化的营商环境。”
2021年两会《“十四五”规划纲要和2035 年远景目标纲要》提出健全我国社会主义条件下新型举国体制,打好关键核心 技术攻坚战,推进科研院所、高校、企业科研力量优化配置 和资源共享
2022年国务院《2022年国务院政府工作报 告》要促进数字经济发展培育壮大集成电路、人工智能等数字产 业
2023年财政部、 税务总局《关于集成电路企业增值税加 计抵减政策的通知》提出集成电路企业增值税加计抵减政策以促进集成电路产业 高质量发展
众多相关政策相继推出彰显了我国对提升集成电路产业技术、解决制约国家经济社会发展和产业技术瓶颈问题的决心
与信心,将为我国集成电路行业持续健康发展提供政策助力。

3、行业周期性特点
集成电路行业是资本、技术密集型行业,其周期性主要体现在产品的生命更迭周期、宏观经济波动周期、技术发展周
期、上下游产能供需周期和下游应用市场波动周期等方面。同时,随着近年来政府加大对集成电路行业的支持,政府政策
也是行业周期性的重要因素之一。

射频前端芯片的下游应用领域主要为移动智能终端产品,因此节假日对移动智能终端产品消费的影响会传导至本行
业,且本行业的季节性波动早于下游移动智能终端产品的季节性波动。

4、公司所处的行业地位
公司拥有良好的品牌、技术和成本优势,以及卓越的产品质量控制和供应能力,赢得了市场的高度认可。凭借多年的
技术积累、前瞻性资源布局和不断完善的产品体系,通过坚持不懈的市场和品牌建设、客户及渠道拓展,公司已成为国内
集成电路产业中射频前端领域业务较为完整、综合能力较强的企业之一。
在持续巩固长期以来建立的综合优势的同时,公司积极推动芯卓半导体产业化项目建设,以打造更加完备的技术、生
产和客户资源体系。公司通过前瞻性的战略布局,已贯穿材料、设计、器件、集成等进行技术和物理资源的整合,以便能
更精准定义产品并投放向终端应用,最终形成完整闭环。

近年来,公司一直处于国内射频领域变革的前沿,并在国际竞争中取得一定的成绩,已成为射频前端芯片市场的主要
竞争者之一。随着芯卓半导体产业化项目的落地,公司将以客户需求为起点,先进物理集成为载体,通过定制差异化工
艺,并贯穿材料、器件、集成、设计的循环迭代,突破传统晶圆加工技术平台限制,打造高端“智能质造”平台实现业务
结构成本和质量优化,持续不断探索物理资源边界。

5、行业竞争格局
射频前端器件是通信系统的关键零部件,全球射频前端市场集中度较高,根据 Yole Development数据,2022年度,全
球前五大射频器件提供商占据了射频前端市场约 80%的份额,其中包括 Broadcom 19%,Qualcomm 17%,Skyworks 15%,
Qorvo 15%,Murata 14%。射频前端领域设计及制造工艺技术门槛较高,一方面,国际领先企业起步较早,底蕴深厚,在技
术、专利、工艺等方面积累了资本、人才等竞争优势,同时通过一系列产业整合拥有完善全面的产品线布局,并具备雄厚
的高端产品研发实力。随着通讯领域的快速发展和 5G 的兴起,全球半导体器件厂商通过不断整合并购,以谋求产业链优
化,并利用规模优势获取更多的市场话语权、更低的制造成本。另一方面,大部分国际厂商以 IDM模式经营,拥有设计、
制造和封测的全产业链能力,建立了完整的生态链和森严的技术壁垒,长期垄断市场并主导技术的发展。而国内射频前端
行业起步时间较晚,技术水平、经验储备等与国外发达国家之间有着较大差距。

5G通信技术引入新的频段应用、复杂技术和应用的出现等,对射频前端器件的复杂度和性能提出了更高的要求;此外,
为了适应智能手机轻薄化和降低成本的需求,射频前端的集成度也会逐渐增加,模组化的趋势越来越明显。2023上半年,
经济增速放缓,国际政治经济局面紧张,通货膨胀高企,智能手机创新瓶颈等给射频前端市场蒙上一层阴影;与此同时,
受益于国家政策支持、国产替代红利及资本热潮的驱动,国内射频前端行业涌入大量新进者,射频市场竞争愈加激烈,面
对技术门槛较低且同质化严重的部分射频前端产品,本土的恶性竞争也在吞噬市场的健康发展。同行业公司都在不断加快
和提高新产品研发速度与能力,不断推出具有高可靠性、高集成度、高性能的新产品,以满足市场对高端应用的需求,这
使得市场竞争日趋白热化,也逐步奠定行业分水岭,促使行业分化加剧。

公司依托实践经验积累和持续创新研发,射频前端产品系列日益丰富完善。与此同时,通过自建滤波器生产线对射频
滤波器及相应高端模组产品的布局和投资,进一步向高端应用拓进,将设计研发与工艺制造高度融合并以更精准的方式适
配市场需求。 未来,借助市场扩张和需求回暖的东风,本土射频前端厂商或将迎来更迅速的产品升级要求。国内企业唯有更深刻理 解智能手机厂商痛点,在新技术、新产品及资源建设等方面持续投入,构建具有自主发展能力和核心竞争力的壁垒,才能 够在竞争中领先占据行业头部地位。 (五)下游应用领域宏观需求趋势 全球智能手机需求趋势 射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部分,而智能手机是移动智能终端中普及率最高、形态最多元、需求量 最大的产品。近年来,通信技术发展驱动手机不断迭代升级,智能手机功能日益强大,逐步向高性能、智能化、高集成度 方向发展。受到经济复苏不及预期、地缘政治格局持续紧张等综合因素的影响,使得全球消费者开支趋于谨慎,手机市场 终端需求持续疲软。同时,全球手机普及率的不断提升、手机外观与配置的趋同性等需求侧瓶颈制约手机市场的扩张。根 据 Canayls统计显示,2023年第一季度全球智能手机出货量为 2.70亿部,同比下降 13%,2023年第二季度全球智能手机出 货量为 2.58亿部,同比下降 10%。 中国依然是手机需求量较大的一块市场,据中国信通院数据显示,2023年 1-6月,国内市场手机总体出货量累计 1.30 亿部,同比下降 4.8%,其中,5G手机出货量 1.02部,同比下降 6.4%,占同期手机出货量的 78.9%,我国手机市场已基本 完成向 5G过渡。 2023 年上半年,随着行业库存的持续去化,手机终端厂商库存有所改善。未来通信技术的不断升级,5G 商用进程加 速,下游智能终端产品的多样化将进一步推动射频前端芯片市场的发展。 2020Q2-2023Q2手机市场规模 单位:百万台 数据来源:Canayls
(六)公司主要产品市场发展趋势
1、射频前端芯片技术发展趋势
对智能化、集成化、低能耗的需求不断催生新的电子产品及功能应用,射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成
部分,追求低功耗、高性能、高集成度是其技术升级的主要驱动力,也是芯片设计研发的主要方向。作为模拟电路中应用
于高频领域的一个重要分支,射频前端的技术升级主要依靠设计与制造工艺的结合。射频前端器件采用特殊制造工艺,工
出现的新材料工艺还有 GaN、MEMS等,行业中的各参与者需在不同应用背景下,寻求材料、器件和工艺的最佳组合,以
提高射频前端芯片产品的性能。


产品类型主流材料工艺
射频开关RF SOI、RF CMOS、GaAs、MEMS等材料和工艺
射频低噪声放大器RF CMOS、SiGe、RF SOI、GaAs等材料和工艺
射频滤波器SAW、BAW、IPD、MLC等材料和工艺
射频功率放大器GaAs、RF CMOS、GaN、SiGe等材料和工艺
2、射频前端市场发展趋势
(1)集成化、模组化成为射频前端产业发展方向
随着通信技术升级,通信应用越来越广泛,对射频前端芯片的需求也日益丰富。5G通讯技术使得射频前端需要支持的
频段数量大幅增加,需要组成部件的数量也急剧增多,且 5G 通讯设备还需要向下兼容以往的通信制式,所需要的部件更加
庞大。同时高频段信号处理难度增加导致射频器件的性能要求大幅提高,因此,使得 5G射频前端芯片架构日趋复杂,量价
齐升。然而,移动终端设备内部留给射频前端芯片的空间一直以来在逐渐减少,为满足移动智能终端小型化、轻薄化、功
能多样化的需求,射频前端芯片将逐渐从分立器件走向集成模组化。未来,随着分立器件走向模组化、集成化,智能终端
留给射频器件数量和空间也将随之消减,为了满足日益提高的成本效益需求,射频器件势必将进一步采用新颖且卓越的新
型材料,采用创新的设计方法、以及更为精细的工艺手段,对射频器件成本进行更为细致的优化和控制。

(2)市场竞争加剧、强化壁垒成为射频前端行业发展大势
射频前端芯片技术难度高、研发时间长,产线、设备投资和研发费用高,企业的技术创新能力、资金实力和人才素质
能力都等成为射频前端竞争的核心要素。同时,随着市场竞争的进一步加剧,全球射频前端市场越来越集中,国内企业较
之国际领先企业在技术积累、产业环境、人才培养、创新能力等方面仍有明显差距,国外射频前端领先企业利用技术优势
和产业化经营优势获取更多的市场话语权。目前全球射频前端芯片产业拥有日趋成熟的产业链,行业壁垒必然增强,技
术、资本密集度将进一步提升。

(3)国产化替代、5G通信发展成为射频前端产业发展动力
射频前端对通信行业发展至关重要,而目前全球射频前端芯片市场集中度较高,国内自给率较低。5G技术的快速渗透
普及以及国内广阔的应用领域拓展,促使国内通信产业在全球市场上不断发展并稳步提升,让国内厂商看到了国产替代的
机会。因此,在我国 5G话语权不断提升的背景下,国产替代和对于产业链的把控需求,为国内射频前端芯片厂商的突围破
局提供助力。

根据 Yole Development的统计与预测,2022年移动终端射频前端市场为 192亿美元,到 2028年有望达到 269亿美元,
2022-2028年年均复合增长率将达到 5.8%。其中发射端模组市场规模预计 122亿美元,接收端模组预计 45亿美元,分立滤
波器预计 30亿美元,分立传导开关预计 9亿美元,天线开关预计 19亿美元,分立低噪声放大器预计 12亿美元。

数据来源:Yole Development
(七)报告期内公司的主要经营情况
近几年,行业经历供应链节奏两极化逆转,正常经营循环被扰乱的无序局面,供需差在周期切换中被放大。步入 2023
年,消费电子需求受到各种外部因素影响整体疲软未见明显扭转,景气度复苏节奏较慢,但是随着行业持续去库存推进,
公司逐步改变 2022年度资源错配形成的不利境况,自身库存有所改善,经营绩效有所恢复。同时,公司持续推进芯卓半导
体产业化项目,建设更加完备和先进的技术资源平台,致力于成为全球信息连接物理资源平台的赋能者和建设者,聚焦于
构建长期的可持续发展能力。

报告期内,公司实现营业收入 1,665,264,606.54元,同比下降 25.49%。归属于母公司股东的净利润 366,551,070.50元,
同比下降 51.26%,其中 2023 年二季度营业收入环比提升 34.00%,归属于母公司股东的净利润环比增长 114.66%。主要原
因如下:
? 全球经济增速放缓等外部因素影响使得公司主要下游应用智能手机市场需求疲软。
? 自 2020 年四季度以来,公司持续推动芯卓半导体产业化项目建设,不断加大研发投入和人才储备力度,本报告期研
发费用、管理费用等较去年同期上升。报告期内,公司期间费用合计 324,654,889.27元,同比增长 46.82%,其中研发费用
253,816,592.93元,同比增长 50.79%。

? 随着产品结构及市场竞争格局的变化,产品整体毛利率同比有所下降,报告期内产品整体毛利率 49.06%,较去年同
期下降 3.49个百分点。

? 2023 年二季度,受到终端库存改善、国内手机市场的消费促销活动提振以及集成自产滤波器的 DiFEM、L-DiFEM 等
产品在客户端出货逐步放量等因素影响,营业收入环比有所提升;且随着公司存货水位逐步改善,二季度存货减值压力环
比略有减少,二季度公司存货减值金额 54,815,430.37元,环比减少 22.76%。

报告期内,公司围绕发展战略和经营计划,重点开展的工作及经营成果如下: 1、推动模组化发展,提升集成度渗透
经过多年深耕和积累,公司产品类型从分立器件到射频模组逐步丰富,并具备根据各种应用需求灵活集成各类模组的
技术能力,公司已基本实现射频前端分立器件和射频模组产品的全面覆盖。

实践表明,实现射频前端模组化既需要具备协调各器件以最大程度发挥产品性能的研发设计能力,同时还需要具备产
业链资源和智能制造能力为其提供工艺化支撑。因此伴随芯卓半导体产业化项目的落地,公司模组化趋势发展质量与速度
齐头并进。目前公司产品仍处于从分立器件逐步向射频模组过渡阶段,射频模组产品收入占总营收的比重呈现逐年提升的
31.98%,较去年同期提升 1.22个百分点。一方面,模块化是射频前端领域顺应技术和产品复杂化的必然趋势,公司通过前 瞻性的战略资源布局,整合设计、材料、器件、工艺和集成技术等资源优势,打造射频“智能质造”资源平台,丰富产品系 列、优化产品结构,不断推出的射频模组产品逐步在重点客户拓展取得突破。另一方面,公司通过对成熟产品不断迭代更 新,从技术创新、产品升级、性能提升、成本降低等方面全面提升产品市场竞争力。 2、筑建工艺资源平台,探索产品纵深布局 公司一贯坚持研发与创新,筑建具备市场核心竞争力的产品与技术“护城河”,依托多年在射频前端领域的实践积累与 技术积淀以及芯卓半导体产业化项目的“智能质造”和工艺能力,公司射频前端产品系列日益丰富,应用领域和应用场景不 断拓展。在此基础上,公司持续布局与开拓前沿技术与物理资源平台,突破工艺技术壁垒,不断追求先进的工艺、优异的 性能、可控的质量、稳定的良率等以推动产品迭代升级,提升公司产品的差异化水平,从而更为全面地覆盖并响应客户多 样化需求,进一步探索射频前端产品的纵深布局,打造长期可持续发展能力。 (1)射频滤波器及其模组产品 滤波器产品是通信连接的重要模块,是射频前端关键芯片,也是高端模组性能优劣的核心要素之一。随着通讯技术的 不断发展和通信制式的不断升级,频段的增加和兼容以及模组化、集成化的趋势促使射频滤波器量价齐升,下游的应用领 域和应用场景拓展推动滤波器迎来更为广阔的市场。根据 Yole Development的统计与预测,2022年移动终端射频滤波器市 场为 73亿美元,到 2028年有望接近 100亿美元。 数据来源:Yole Development
滤波器产品具有强应用的特性,为做出具有竞争性的差异化产品,需要将设计与各项制造工艺技术紧密耦合,因而公
司持续投入资源,落实战略发展规划,积极推动滤波器产品的生产制造能力。报告期内,基于长期技术积累和芯卓平台的
资源优势,自建的滤波器产线稳定有序规模量产。其中:自建产线已具备稳定、规模量产自有品牌的 MAX-SAW(高端
SAW滤波器,采用 POI衬底,具有高频应用、高性能等特性,性能在 sub-3GHz以下应用可达到 BAW和 FBAR的水平)
的能力,公司是本土率先量产高端 SAW滤波器的厂家,并通过与上游供应链的紧密合作,大幅度降低了 MAX-SAW的成
本结构。

报告期内,公司交付的 DiFEM、L-DiFEM 及 GPS 模组等产品中集成自产的滤波器超 1.6亿颗,集成自产滤波器相关产
品稳定规模量产,在客户端逐步放量提升;双工器和四工器已在个别客户实现量产导入;公司在分立滤波器基础上持续创
该产品以较小的封装面积从而实现产品成本的优化。同时,公司成功研发 L-FEMiD(主集收发模组,集成射频低噪声放大
器、射频开关、双工器/四工器等器件的射频前端模组)产品,助推高端模组更全面的产品覆盖。公司自建滤波器资源平台,
有助于构建滤波器相关产品的工艺、品质、性能、供应、成本、差异化等综合优势。

(2)射频功率放大器及其模组产品
研发与创新是驱动公司发展提升的核心竞争力,公司在现有产品线的基础上持续迭代升级射频功率放大器相关产品,
深入洞察客户需求,以市场应用为引领逐步提升产品在品牌客户的覆盖面和市场占有率。根据 Yole Development 预测,
2022年全球射频前端芯片市场规模约 192亿美元,其中射频功率放大器模组约占 45%,是射频前端市场第一大品类。

报告期内,公司持续加大应用于 5G NR 频段的主集收发模组 L-PAMiF 产品在客户端的渗透与覆盖,同时推出 MMMB
PA 模组(多模多频 PA 模组,集成射频开关、射频功率放大器等器件的射频前端模组)产品并已处于向客户送样推广阶段。

公司持续的工艺、技术、材料创新研发,芯卓半导体产业化项目关键制造能力构建,“智能质造”资源平台建设,为高
价值化、差异化的发展道路奠定基石。报告期内,公司不断提升射频滤波器、射频功率放大器及其模组能力,助推射频前
端中技术复杂度、集成度最高的“明珠型”产品 L-PAMiD(主集收发模组,集成射频低噪声放大器、射频功率放大器、射频
开关、双工器/四工器等器件的射频前端模组)研发。

公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第 4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
二、核心竞争力分析
(一)研发优势:创新驱动力,紧跟技术前沿
研发和创新是集成电路企业发展的核心驱动力之一。公司自设立以来积极投入研发与创新,专注于提高核心竞争力,
通过不断创新及自主研发,公司逐步掌握了具有领先优势的技术,加速布局上下游产业链,紧跟国际一流企业技术创新步
伐。通过不断创新及自主研发,公司产品覆盖 RF CMOS、RF SOI、SiGe、GaAs、IPD、SAW、压电晶体等各种材料及相
关工艺,可以根据市场及客户需求灵活地提供不同产品。

公司在射频领域具有丰富的技术储备,已在射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、WiFi蓝牙、射频模组产品以
及封装结构等领域形成了多项发明专利和实用新型专利,这些专利是公司产品竞争优势的有力保障,同时也为公司保持产
品创新奠定了技术基础。

公司积极探索产、学、研相结合的新形式,不断深化与各类院校的合作,与全国多所院校建立了长期稳定的合作关系,
合作建立创新基地,形成以市场为导向、以产业为抓手、以研发为支撑的技术创新机制。截至本报告期末,公司共计取得
97项专利,其中国内专利 95项(包含发明专利59项)、国际专利2项(均为发明专利);21项集成电路布图设计。持续、
稳定的研发投入保证了公司自身的研发设计能力和在技术上的领先优势。

为了更好地把握市场动态,公司密切跟踪行业技术演变和发展趋势,对行业进行深度调研,探索公司未来发展方向。

公司新产品的开发趋向高端化、复杂化,通过新设计、新工艺和新材料的结合,持续、稳定地投入研发,保证了公司自身
的研发设计能力和在技术上的积累和演进。基于深厚的技术积累和完整的专利体系,公司能够积极顺应通信技术的变革,
快速推出适应最新通信技术的产品,提升公司产品的市场竞争力。

(二)产品优势:产品线日益完善,布局射频前端产品平台
经过多年经营实践的积累和持续的新产品研发,公司射频前端产品系列日益丰富,应用领域不断拓宽。产品类型从分
立器件到射频模组逐步丰富;产品应用领域从智能手机向通信基站、汽车电子、蓝牙耳机等领域拓展;产品工艺从单一的
成熟工艺到参与研发先进工艺,以及到多种材料与工艺的结合;业务模式从仅参与供应链中的设计研发到设计研发、晶圆
制造及封装测试的全产业链参与。公司在技术研发、产品布局、应用领域、资源平台建设等方面持续创新和布局。同时,
公司研发技术水平的不断提升加快了新产品的研发和迭代速度,提升了公司产品的差异化水平,从而为全面地覆盖并响应
客户不同的需求,夯实产品的核心竞争力。公司当前的规划是为未来的全面布局和发展蓄力,为公司下一阶段盈利能力的
提升和可持续发展奠定扎实的基础。

(三)人才优势:汇聚行业精英队伍,广纳国内外优秀人才
卓越的人才团队是公司获得持续、快速发展的最核心要素。公司的管理团队拥有丰富的行业从业经验和专业的技术能
力,具有高度协同力和凝聚力,是一支具备国际化视野的专业管理团队。公司的技术团队由创始人带领,他们均于国内外
一流大学或研究所取得高等教育学位,并曾供职国内外知名的芯片厂商,具备优秀的技术能力和丰富的产品开发经验,以
其卓越的创新能力带领技术团队引领行业潮流。

经过多年在射频前端应用领域的深耕与积累,公司已建立了一支稳定高效、自主创新、拥有成熟完善管理体系的专业
团队,涵盖了技术研发、市场销售、生产运营、品质管理、财务管理、制造工艺等各个方面,将人才优势变为发展优势,
提高公司的竞争力和可持续发展能力。同时,公司高度注重人才的发掘和培养,推进人才引进工作,吸引了全国各地优秀
高校学子的加盟,引进了多名国内外高层次技术和管理人才,形成了面向长远的人才梯队。公司已逐步建立了成熟的射频
器件及模组研发设计和工艺团队,研发团队核心成员拥有多年射频器件的设计、开发、工艺调试,以及丰富的射频芯片及
模组的封装技术经验。

报告期内,公司重点布局芯卓半导体产业化建设项目,不断加强制造工艺和技术人才队伍的建设。基于公司长期的战
略布局及芯卓半导体产业化项目的人才需求,报告期内公司研发人员占比 61.99%,从上年同期的 657人增长至本报告期末
的 884人,同比增长 34.55%。

公司不断加强岗位培训和专业技能提升培训,提升公司的人才竞争优势。同时公司根据地域人才情况,设立了侧重点
不同的国内外研发体系,实现高效协同发展格局。与此同时,公司通过实施股权激励,实现关键管理人员、核心人员持股,
有利于维护公司主要管理团队和核心团队高度稳定,为公司进一步丰富射频前端产品线及进入更多的应用市场奠定了良好
的人才基础,确保公司经营战略、技术研发等能够有效执行。

(四)客户优势:聚焦深挖客户需求,合作伙伴关系稳固
公司的研发及产品设计以满足客户需求为动力,围绕射频领域技术,紧跟市场发展趋势持续进行产品创新。公司依靠
稳定的交付能力、卓越的品质和优秀的服务,在与国内外客户的深度合作中,积累了良好的品牌认知和客户资源,不仅形
成了高度的认同感和卓有成效的业务伙伴关系,而且形成了较为全面的体系对接和深度融合。

公司客户群体均为国内外知名厂商,此类客户对供应商在产品性能、价格、质量、交付、技术支持等各方面均有较高
要求。因而,公司通过同这些企业的合作,可以学习其优秀的管理制度和经验,并接触到业内最新的应用产品需求,有利
于公司持续提升自身的技术、管理能力,并进一步树立企业品牌,扩大市场影响力。

公司基于多年经验和客户资源积累建立了较为完善的客户支持体系,并于报告期内推动集成客户服务与产品开发流程
的架构建设,有力提升产品推向市场的精准度和效率。公司与部分客户打造客户全流程参与的联合开发模式,借助双方优
势资源,精准定位客户需求,实现公司、客户、资源的共赢共享,构建全流程、全周期、高效率的业务对接客户服务体系。

此模式有助于提升产业资源协同效率,加快产品推向市场的速度,加强生产资源与市场需求的一致性,降低库存风险,并
为建立客户长期稳定的合作关系提供有力保障。

(五)供应链优势:长期稳定的供应链管理和产能供给
为保证高品质、高效率、可持续的供货能力,公司与全球顶级的晶圆制造商、芯片封测厂商形成紧密合作,积极参与
其产能建设,通过高效整合资源,推进供应链合作标准化。一方面,公司在历史经营过程中,与晶圆制造商和芯片封测厂
商形成了稳定的合作机制,建立了稳固、良好的合作关系,在产能供应链管理方面积累了丰富的经验,有效地保障了公司
大规模产品长期、稳定、准时的交付需求。另一方面,公司通过与供应商制订长期产能规划战略、设立生产测试专线、自
购核心关键设备、锁定硬件扩充能力等机制确保产能需求,极大地降低了行业产能波动对公司产品产量、供货周期的影响。

与此同时,公司立足产业发展趋势及公司发展战略,积极打造关键产品的垂直整合供应链结构与全产业链参与能力,
目前已转变为 Fab-Lite 经营模式,通过自建芯卓产线进一步巩固供应链的管控能力,使公司参与关键产品的芯片设计、工
艺制造和封装测试环节。通过构建滤波器产品的专属生产能力,确保产能稳定供给,提升公司对关键产品的效率、成本、
质量和性能把控。

公司通过高效的资源规划、协同管理和精益化管理,实现了供应链各环节之间的无缝衔接,不断提高供应链的运营效
率和产品质量,同时也能够为客户提供更快捷、更灵活、更稳定的服务。

(六)质量优势:健全完善管理体系,提供高品质产品服务
产品质量是公司生存的根本,公司拥有高效完善的质量管理体系,以“技术创新,优质高效,客户满意,不断提高”为
方针,已通过 ISO 9001质量体系认证和 QC080000危害物质过程管理体系。报告期内,公司通过了质量管理体系认证的年
度审核,强化质量体系监管。公司通过对每一款产品的性能、质量与可靠性进行严格把关,达到了手机品牌厂商对芯片的
高要求、严标准。

公司不断完善管理标准制定、供应链控制、执行力强化等,保证了产品质量的稳定性与一致性。一方面,公司与供应
商建立了良好的战略合作关系,制定并实施了一整套从晶圆制造到封测的专业质量控制流程,为公司产品的高质量和市场
开拓提供了可靠的保证。另一方面,针对芯卓的自建产线,公司对产线原材料进行严格标准的质量检验,通过管理信息化
和生产自动化,确保生产质量管控的稳定性,并精准卡控每一个生产过程环节,确保工艺的稳定及可靠。

(七)成本优势:强化全链条精细管理,产品成本优势凸显
随着公司规模的扩大、研发实力的提升,公司在物料采购、产品设计、质量控制等方面的能力得到了较大的提升。一
方面,在芯片生产过程中,芯片设计会对产品的成本有直接影响,公司基于对客户应用需求的深刻理解和准确把握,根据
应用需求设计出成本最优化的产品。另一方面,晶圆和封测成本是产品成本的主要构成,公司与行业内专业知名的晶圆制
造商和封测厂商达成长期合作,通过大量订单形成的规模优势,在与外协厂商合作过程中具有更强的议价能力,进一步降
低生产成本。与此同时,公司通过与供应商协作建立生产专线、参与关键工艺与技术的研究开发、自购关键设备、提升产
品良率等方式共同降低生产成本,以达到互利共赢。另外,公司适时引入新的供应商,多元化的供应商管理使得公司成本
管理更具有弹性和空间。

未来公司芯卓自建产线逐步投入使用,一方面,随着产能爬坡,公司利用自动化、智能化生产制造技术,实现生产过
程的实时监测、数据采集分析,通过科学决策,对生产过程进行优化调整,减少无效操作和资源浪费,并通过精细化管理
提高生产效率,一定程度上降低生产成本。另一方面,芯卓产线通过实时监测和控制生产过程,能够更好地保证产品的品
质和稳定性,减少产品的次品率和损耗率,产线良率得到提升,从而提高晶圆利用率,助力成本有效控制。同时,整合研
产销产品全生产周期,公司产品的技术工艺迭代速度和研发效率将不断提升,公司产品的成本优势也将进一步凸显。另外,
预计大规模量产后,将为公司带来较为明显的规模优势,从而更有利于公司进行成本控制。

(八)战略优势:推动资源平台建设,完成 Fab-Lite经营模式转换 Fab-Lite 模式是由 IDM模式演变而来的模式,指标准化程度较高的生产环节通过委外方式进行,而对于部分关键产品
的特殊工艺则由企业自主完成,从而实现生产效率的提升与成本空间的压缩,有利于企业实现设计、制造等环节协同优化,
有助于充分发掘技术潜力,能有条件率先实验并推行新的产业技术。

面对射频关键器件长期被国外企业垄断的挑战,公司投入重点资源建设,目前已转变为 Fab-Lite 经营模式。公司为国
内射频芯片领域国内领先企业,依托当前国产替代加速推进的市场机遇和公司长期储备的深厚技术积累,基于本土成熟的
半导体厂房基建能力,以及公司持续招募的国内外领先企业具有丰富技术管理经验、技术工艺研发经验和生产制造管理经
验的人员,通过自建滤波器产线,使公司拥有芯片设计、工艺制造和封装测试的全产业链能力,构建滤波器产品及高端模
组的专属生产能力,获得设计研发与工艺技术研发高度适配并快速把握达成市场需求,进一步实现产品全产业链的协同优
公司旨在建立全球领先的射频“智能质造”平台,通过前瞻性的战略布局来获取覆盖产品技术、工艺、成本、性能、交
付等多维度的长期优势,加强公司的综合实力和关键产品的设计制造一体化的垂直发展,为公司开辟有价值的可持续发展
的成长之路。

三、主营业务分析
概述
参见“一、报告期内公司从事的主要业务”相关内容。

主要财务数据同比变动情况
单位:元

 本报告期上年同期同比增减变动原因
营业收入1,665,264,606.542,234,935,044.69-25.49%无重大变化
营业成本848,329,224.811,060,443,515.71-20.00%无重大变化
销售费用16,045,072.6712,828,270.4125.08%无重大变化
管理费用73,494,666.1751,577,349.7642.49%芯卓半导体产业化项目推 进导致管理成本上升所致
财务费用-18,701,442.50-11,614,194.72-61.02%利息收入增加及汇率变动 所致
所得税费用-3,736,384.3167,878,641.79-105.50%利润下降导致所得税下降 所致
研发投入253,816,592.93168,328,253.0550.79%持续加大研发投入所致
经营活动产生的现金流量净额968,809,466.66588,395,909.3764.65%材料采购减少所致
投资活动产生的现金流量净额-887,018,767.21-1,066,482,212.5516.83%无重大变化
筹资活动产生的现金流量净额-89,747,456.36-161,061,936.3944.28%现金股利减少所致
现金及现金等价物净增加额23,786,177.98-563,508,974.06104.22% 
公司报告期利润构成或利润来源发生重大变动
□适用 ?不适用
公司报告期利润构成或利润来源没有发生重大变动。

占比10%以上的产品或服务情况
?适用 □不适用
单位:元

 营业收入营业成本毛利率营业收入 比上年同 期增减营业成本 比上年同 期增减毛利率比上 年同期增减
分行业      
集成电路1,665,264,606.54848,329,224.8149.06%-25.49%-20.00%-3.49%
分产品      
射频分立器件1,103,232,705.91555,929,826.2849.61%-27.24%-21.14%-3.90%
射频模组532,566,569.84276,910,527.6348.00%-22.54%-17.45%-3.21%
分地区      
境内410,382,272.98198,132,003.2651.72%-15.51%-21.60%3.75%
境外1,254,882,333.56650,197,221.5548.19%-28.26%-19.50%-5.63%
主营业务成本构成
单位:元

产品名称成本构成本报告期 上年同期 同比增减
  金额占营业成本比 重金额占营业成本 比重 
射频分立器件原材料374,431,443.4167.35%457,536,184.8564.90%-18.16%
射频分立器件封测费181,498,382.8732.65%247,402,373.4235.10%-26.64%
射频模组原材料187,993,932.9367.88%254,539,309.6775.88%-26.14%
射频模组人工及其他21,724,184.187.85%0.000.00%0.00%
射频模组封测费67,192,410.5224.27%80,890,598.6224.12%-16.93%
同比变化30%以上
□适用 ?不适用
四、非主营业务分析
?适用 □不适用
单位:元

 金额占利润总额比例形成原因说明是否具有可 持续性
投资收益574,157.040.16%联营企业及衍生金融工具投资收益
资产减值-125,778,942.21-34.70%计提存货跌价准备
营业外收入160,820.360.04%收到的罚款及赔偿款
营业外支出5,517,583.031.52%公益性捐赠支出
其他收益3,733,584.871.03%收到的政府补助
五、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
单位:元

 本报告期末 上年末 比重增减重大变动说明
 金额占总资 产比例金额占总资 产比例  
货币资金1,318,276,679.6313.15%1,276,682,948.9613.43%-0.28% 
应收账款376,057,124.163.75%400,436,945.624.21%-0.46% 
存货1,431,227,239.0814.28%1,719,682,522.3418.09%-3.81% 
长期股权投资90,363,891.290.90%90,824,671.400.96%-0.06% 
固定资产1,918,669,636.1519.15%2,042,690,420.6921.49%-2.34% 
在建工程2,863,886,315.6228.58%2,495,834,392.9326.26%2.32% 
使用权资产70,409,425.230.70%13,887,436.340.15%0.55% 
合同负债147,701,745.461.47%6,174,171.200.06%1.41% 
租赁负债62,900,408.420.63%10,550,127.320.11%0.52% 
其他非流动资产1,264,439,306.0112.62%890,701,195.389.37%3.25% 
2、主要境外资产情况 (未完)
各版头条