[中报]精智达(688627):2023年半年度报告

 时间：2023年08月29日 17:38:28 中财网

原标题:精智达:2023年半年度报告

公司代码：688627 公司简称：精智达






深圳精智达技术股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，具体内容详见本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”，敬请广大投资者查阅。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人张滨、主管会计工作负责人梁贵及会计机构负责人（会计主管人员）崔小兵声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成本公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用


目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 38
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 39
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 41
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 80
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 84
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 84
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 85



备查文件目录载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖 章的财务报告
　报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义　　
报告期指2023年 1月 1日至 2023年 6月 30日
公司、本公司、精智达指深圳精智达技术股份有限公司
精智达有限指深圳市精智达技术有限公司
控股股东、实际控制人指张滨
深圳萃通指深圳市萃通投资合伙企业（有限合伙），为公司股东以及公 司实际控制人张滨控制的其他企业
深圳丰利莱指深圳市丰利莱投资合伙企业（有限合伙），为公司股东以及 公司实际控制人张滨控制的其他企业
源创力清源指深圳源创力清源创业投资合伙企业（有限合伙），为公司股 东
常州清源指常州清源天使创业投资合伙企业（有限合伙），为公司股东
新麟二期指苏州新麟二期创业投资企业（有限合伙），为公司股东
力合清源指上海力合清源创业投资合伙企业（有限合伙），为公司股东
中小企业基金指深圳国中中小企业发展私募股权投资基金合伙企业（有限合 伙），为公司股东
南山架桥指深圳南山架桥卓越智能装备投资合伙企业（有限合伙），为 公司股东
石溪产恒指合肥石溪产恒集成电路创业投资基金合伙企业（有限合伙）， 为公司股东
深圳外滩指深圳市外滩科技开发有限公司，为公司股东
三行智祺指苏州三行智祺创业投资合伙企业（有限合伙），为公司股东
聚力三行指苏州聚力三行创业投资合伙企业（有限合伙），为公司股东
众汇寄托指苏州众汇寄托创业投资合伙企业（有限合伙），为公司股东
采希壹号指三亚市采希壹号私募基金合伙企业（有限合伙），为公司股 东
偕远投资指宁波梅山保税港区偕远投资管理合伙企业（有限合伙），为 公司股东
人才基金指深圳市人才创新创业一号股权投资基金（有限合伙），为公 司股东
华芯润博指合肥华芯润博集成电路投资合伙企业（有限合伙），为公司 股东
深圳睿通达指深圳市睿通达投资合伙企业（有限合伙），为公司股东
深圳藤信指深圳市藤信产业投资企业（有限合伙），为公司股东
苏州藤信指苏州藤信创业投资合伙企业（有限合伙），为公司股东
屹唐华创指北京屹唐华创股权投资中心（有限合伙），为公司股东
红阳智悦指深圳红阳智悦投资合伙企业（有限合伙），为公司股东
高新投指深圳市高新投创业投资有限公司，为公司股东
深创投指深圳市创新投资集团有限公司，为公司股东
上海金浦指上海金浦科技创业股权投资基金合伙企业（有限合伙），为 公司股东
前海基金指前海股权投资基金（有限合伙），为公司股东
中原前海指中原前海股权投资基金（有限合伙），为公司股东
众创星指青岛众创星投资合伙企业（有限合伙），为公司股东
加法壹号指深圳市加法壹号创业投资合伙企业（有限合伙），为公司股 东
共创缘指厦门市共创缘投资咨询合伙企业（普通合伙），为公司股东
程铂瀚投资指北京市程铂瀚创业投资管理中心（有限合伙），为公司股东
珠海冠中指珠海冠中集创科技有限公司，为公司参股公司
北京冠中指北京冠中集创科技有限公司，为珠海冠中全资子公司
科睿叁号指珠海港湾科睿叁号创业投资基金合伙企业（有限合伙）
珠海格创指珠海格创未来产业投资基金合伙企业（有限合伙）
红塔创芯指红塔创芯一期（珠海横琴）产业投资基金合伙企业（有限合 伙）
芯联淄博指芯联壹号（淄博）股权投资合伙企业（有限合伙）
珠海富昆迈指珠海富昆迈管理咨询中心（有限合伙）
维信诺股份指维信诺科技股份有限公司（股票代码：002387.SZ）及其控股 公司
TCL科技指TCL科技集团股份有限公司（股票代码：000100.SZ）及其控 股公司
京东方指京东方科技集团股份有限公司（股票代码：000725.SZ）及其 控股公司
深天马指天马微电子股份有限公司（股票代码：000050.SZ）及其控股 公司
广州国显指广州国显科技有限公司
合肥维信诺指合肥维信诺科技有限公司
长鑫科技指长鑫科技集团股份有限公司及其控股公司长鑫存储技术有 限公司
兆易创新指兆易创新科技集团股份有限公司（股票代码：603986.SH）及 其控股公司
沛顿科技指沛顿科技（深圳）有限公司及其控股公司，为深圳长城开发 科技股份有限公司（股票代码：000021.SZ）的控股公司
晋华集成指福建省晋华集成电路有限公司
太极实业指无锡市太极实业股份有限公司（股票代码：600667.SH）及其 控股公司
通富微电指通富微电子股份有限公司（股票代码：002156.SZ）及其控股 公司
IDC指International Data Corporation，国际数据公司
WSTS指World Semiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统计组 织
CINNO Research指上海群辉华商光电科技有限公司旗下电子信息全产业链独 立研究机构
SEMI指Semiconductor Equipment and Materials International，半导体 设备材料产业协会
IC Insights指全球半导体产业独立研究机构
泰瑞达指Teradyne Inc.，泰瑞达公司（股票代码：TER.O）
爱德万指Advantest Corporation，爱德万公司（股票代码：6857.T）
科休指Cohu Inc.，科休公司（股票代码：COHU.O）
TFT-LCD指Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶 显示器
AMOLED指Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，主动矩阵有机发 光二极管
Micro LED指Micro Light-Emitting Diode，微米发光二极管
Cell制程指成盒制程，以前段 Array 制程制好的玻璃为基板，与彩色滤 光片的玻璃基本结合，并在两片玻璃基板中注入液晶
Module制程指模组制程，将 Cell制程后的玻璃与其他如背光板、电路、外 框等多种零组件组装的生产作业
点灯指将信号输入待测模组或面板并将其点亮以剔除不良品
AOI指Automated Optical Inspection，自动光学检测，通过光学成像 的方法获得被测对象的图像，经过特定算法处理及分析，与 标准模板图像进行比较，获得被测对象缺陷的一种检测方法
Gamma指显示器的输出图像对输入信号的失真
Gamma调节指One Time Programing，调节面板真实亮度线性变化与人眼亮 度感知非线性的偏差，并将调节后的相关参数烧录到产品的 芯片寄存器中
Mura指显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象
Sensor指触控传感器
PCB指Printed Circuit Board，印制电路板
FPC指Flexible Printed Circuit，柔性电路板
DRAM指Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器
NAND Flash指存储单元串联型闪存芯片
MEMS指Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统，利用集成电 路及微加工技术把微结构、微传感器、微执行器等制造在一 块或者多块芯片上的微型集成系统
UVW指一种对位平台
SEMU指SEMI Mura Unit，国际半导体设备与材料协会云纹单位
VAS指视觉模拟评分
FPGA指现场可编程门阵列
FTP指文件传输协议
TCPIP指传输控制协议/互联网络协议
UDP指用户数据报协议
CIM指计算机集成制造
Carrier指一种显示屏生产过程中用到的载治具
CG指Cover Glass，盖板
OCA指Optically Clear Adhsive，用于胶结透明光学元件（如镜头）的 的特种粘胶剂
眼盒指Eye Box，近眼显示光学模组与眼球之间的一块锥形区域，也 是显示内容最清晰的区域
MTF指Modulation Transfer Function，调制传递函数

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称深圳精智达技术股份有限公司
公司的中文简称精智达
公司的外文名称Shenzhen SEICHI Technologies Co., Ltd.
公司的外文名称缩写SEICHITECH
公司的法定代表人张滨
公司注册地址深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村富安娜公司1号 101工业园D栋1楼东
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村富安娜公司1号 101工业园D栋1楼东
公司办公地址的邮政编码518110
公司网址www.seichitech.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

　董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表
姓名彭娟黄琳惠
联系地址深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村 富安娜公司1号101工业园D栋1楼东深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村 富安娜公司1号101工业园D栋1楼东
电话0755-210583570755-21058357
传真//
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券日报》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司董事会秘书办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况　　　　
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板精智达688627不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币


主要会计数据本报告期 （1－6月）上年同期　本报告期 比上年同 期增减 (%)
　　调整后调整前　
营业收入247,413,268.22213,329,661.31213,329,661.3115.98
归属于上市公司股东 的净利润34,553,241.8220,648,997.1420,727,231.4667.34
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益21,355,539.8217,802,423.3617,880,657.6819.96
的净利润　　　　
经营活动产生的现金 流量净额45,520,442.72-118,144,170.77-118,144,170.77不适用
　本报告期末上年度末　本报告期 末比上年 度末增减 (%)
　　调整后调整前　
归属于上市公司股东 的净资产649,742,905.95602,710,504.39602,724,203.187.80
总资产1,001,361,542.16962,685,876.33961,971,844.584.02

(二) 主要财务指标


主要财务指标本报告期 （1－6月 ）上年同期　本报告期比 上年同期增 减(%)
　　调整后调整前　
基本每股收益（元／股）0.490.290.2968.97
稀释每股收益（元／股）0.490.290.2968.97
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）0.300.250.2520.00
加权平均净资产收益率（%）5.563.813.82增加1.75个 百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）3.443.283.30增加0.16个 百分点
研发投入占营业收入的比例（%）11.179.579.57增加1.6个百 分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
（1）报告期内归属于上市公司股东净利润同比增长 67.34%，主要系主营业务收入同比增加，且报告期内公司出让所持珠海冠中部分股权份额产生投资收益所致。

（2）报告期经营活动产生的现金流净额增加：主要系报告期销售回款增加所致。

（3）报告期基本每股收益同比增长 68.97%，主要系主营业务收入同比增加，且报告期内公司出让所持珠海冠中部分股权份额产生投资收益所致。

（4）报告期稀释每股收益同比增长 68.97%，主要系主营业务收入同比增加，且报告期内公司出让所持珠海冠中部分股权份额产生投资收益所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注（如适用）
非流动资产处置损益13,279,256.28主要系本期对参股公司部分 股权转让收益
越权审批，或无正式批准文件， 或偶发性的税收返还、减免　　
计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务密切相关，符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外2,036,306.93详见财务报告附注之政府补 助说明
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费　　
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益　　
非货币性资产交换损益　　
委托他人投资或管理资产的损益200,924.93委托理财收益
因不可抗力因素，如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备　　
债务重组损益　　
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等　　
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益　　
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益　　
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益　　
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益　　
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回　　
对外委托贷款取得的损益　　
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益　　
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响　　
受托经营取得的托管费收入　　
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出-77,015.11详见财务报告附注之营业外 收支项目
其他符合非经常性损益定义的损 益项目89,870.92主要系代扣代缴个税手续费 返还
减：所得税影响额2,327,458.36　
少数股东权益影响额（税 后）4,183.58　
合计13,197,702.00　

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

√适用 □不适用
单位：元 币种：人民币

项目涉及金额原因
嵌入式软件产品销售 环节实际税负超过 3% 即征即退的增值税7,820,232.39销售嵌入式软件产品设备为公司日常经营活动，且 本项政府补助符合国家政策规定、按照一定标准定 额或定量持续享受。

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）主营业务
公司是检测设备与系统解决方案提供商，主要从事新型显示器件检测设备的研发、生产和销售业务，产品广泛应用于以 AMOLED为代表的新型显示器件制造中光学特性、显示缺陷、电学特性等功能检测及校准修复，并逐步向半导体存储器件测试设备领域延伸发展。

作为国家级专精特新“小巨人”及高新技术企业，公司始终坚持研发导向、客户导向，致力于检测设备的自主可控和国产化替代。公司在光学检测及校正修复技术、电学信号检测技术、精密机械自动化与控制技术、软件算法技术等领域深耕多年，自主研发的新型显示器件检测设备主要用于产品缺陷检测、产品等级判定与分类，对部分产品缺陷进行校准、修复及复判，从而提升产品良率、降低生产损耗，并为相关工序的工艺提升提供数据支撑，现已形成新型显示器件 Cell及 Module制程的光学检测及校正修复系统、老化系统、触控检测系统等拥有自主知识产权的丰富产品线。

凭借多年的研发创新和技术积累，公司深刻把握行业客户对于良率与效率提升的核心需求，与下游主要新型显示器件厂商建立了稳定的合作关系，主要客户包括维信诺股份、TCL科技、京东方、广州国显、合肥维信诺、深天马等。公司为客户提升生产工艺水平、提高产品良率和生产效率，有效降低了国内新型显示器件厂商对进口设备的依赖程度及采购成本。

基于公司自身在新型显示器件检测领域的技术积累，并多年有效实践了“本地化交付、合作开发及本地化生产、自主研发生产”等业务模式，同时在半导体产业国家发展战略的引导下，公司面向半导体存储器件行业布局了晶圆测试系统、老化修复系统、封装测试系统等产品线，开展了 DRAM测试机及探针卡预研，形成了 MEMS探针卡连接系统设计、老化修复系统调试及应用等阶段性技术储备，并实现了部分型号探针卡的批量销售，个别型号测试设备也已经进入验证阶段。

公司以市场需求为导向研发创新，半导体业务方面，公司主要采用以销定产的生产模式，根据客户对所需产品的性能、规格、配置的要求进行定制化生产。公司在半导体存储器件测试领域已开发客户主要包括长鑫科技、兆易创新、沛顿科技、晋华集成、通富微电、太极实业等。公司将积极推进国内半导体测试设备的自主可控和国产化替代，进一步提升公司核心竞争力。

（二）行业情况
1、新型显示器件检测设备行业
新型显示器件行业属于资金和技术密集型行业，围绕新型显示技术发展起来的产业具有投资规模大、技术进步快、辐射范围广、产业集聚度高等特点，目前全球参与竞争主要企业仅十余家，主要集中在中国大陆地区、韩国、中国台湾地区及日本。经过多年的追赶和在政府的一系列政策支持下，我国新型显示器件行业迅速发展和提升，改变了全球显示器件产业的格局，成为重要的一极，国际话语权日益增强。

新型显示器件制造设备主要包括显影设备、蒸镀设备、激光设备、组装设备、检测设备等。

新型显示器件制造设备行业发展受下游产业的新增产线投资及因新技术、新产品不断出现所产生的产线升级投资所驱动，与显示产业的发展具有极高的联动性。根据北京市电子科技情报研究所报告，在新型显示器件产线的投资中，通常表现出“产能扩产、设备先行”的特征，对设备的投资占产线总投资的 60%-80%。根据中国电子信息产业发展研究院报告，截至 2022年 11月，中国大陆已建成新型显示器件产线年产能达到 2.34亿平方米 TFT-LCD和 0.17亿平方米 AMOLED；中国大陆新型显示器件产业营收从 2012年度的 740亿元持续增长至 2021年度的 5,868亿元，年复合增长率达到 25.8%，产业规模位居全球第一。在国内新型显示器件生产厂商持续大规模投资及升级面板生产线的影响下，我国新型显示器件检测行业发展势头良好，检测设备的国产化替代趋势明显。随着国家政策扶持力度的加大，我国国产检测设备的发展环境将更加优化完善，新型显示器件检测设备产业迎来量质齐升的发展阶段。

虽然 2022年以来，国际政治经济形势复杂，地区冲突频发，全球通胀预期回升，滞胀风险攀升，全球终端消费电子产品需求出现下滑的迹象。但一方面，AMOLED渗透率提升及应用范围扩展，国产厂商份额稳步提升，国内 AMOLED产业业绩受终端消费电子产品需求下滑影响程度相对较小；另一方面，新型显示器件产业通常通过逆周期投资以获得长期价值成长，国内 AMOLED厂商持续存在明确的大规模产线投建计划，下游客户 AMOLED产线建设及设备采购受到终端消费电子产品市场变化的影响较为有限，预计不会对公司持续经营能力造成重大不利影响。

根据 CINNO Research报告，2021年中国大陆新型显示器件检测设备市场规模约为 59亿元，其中 Cell/Module制程检测设备约为 34亿元。新的建厂和扩产将带动检测设备市场在 2024年达新型显示器件行业整体景气度不断提升，本土厂商发展迅速，产能从境外转到境内的过程为国内检测设备的研发、生产创造了重大崛起机会。目前，以公司等为代表的国内检测设备厂商，在技术领域持续投入，已经基本实现对国外厂商技术层面的追赶，并在部分领域实现弯道超车。

在相同技术情况下，国内厂商设备较国外产品更具价格优势。当前国际贸易保护主义抬头的大环境下，国内显示器件厂商大力导入国产设备，自主可控的生产检测设备和本土化的产业链进一步夯实了我国在新型显示器件生产领域的竞争优势。

2、半导体测试设备行业
半导体产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，半导体测试贯穿整个半导体制造过程，测试设备是整个半导体产业的重要支撑。根据 SEMI，2022年全球半导体设备销售额增长至 1,085亿美元的新高，其中，测试设备销售额达到 76亿美元。目前，半导体测试设备市场份额高度集中于日本、美国的领先厂商，根据 SEMI统计，爱德万、泰瑞达和科休在半导体测试设备市场占据全球份额合计超过 90%。

在目前复杂的国际政治、经济形势下，国内半导体厂商存在强烈且急迫的设备国产化需求。

随着半导体技术不断发展，制造工序日益复杂，对半导体测试设备在测试功能模块、测试精度、响应速度、应用程序定制化、平台可延展性以及测试数据的存储、采集和分析等方面提出愈来愈高的要求。近年来，国内厂商在后道检测设备领域功率模拟类测试机、分选机等设备率先实现突破，但存储器件和 SoC测试设备等主要市场国产替代成果仍十分有限，尤其是在存储器件测试领域。

DRAM等半导体存储器件的核心功能为数据存储，其功能特点决定了在后道测试过程中所应用的设备与其它半导体器件存在差异。原因在于存储器的测试需要多次遍历读写其内部存储单元，对于现代的大容量存储器件来说，测试工作负荷远远大于其它类型的半导体器件。为尽可能降低封测成本，就要求无论是晶圆测试、老化修复还是封装测试等环节的设备都需要提供尽可能多的测试通道，以实现多芯片并测，从而提高测试效率；其次，DRAM封装测试设备需要针对 DDR接口的传输速度和质量进行测试，DDR接口作为目前业内最高速的单端口总线之一，测试系统的速度要求达到 9Gbps以上，也是区别于其它半导体测试设备的一个重要指标；另外，半导体存储器本身的技术也还处于持续发展阶段，性能指标不断提升，这就要求相关测试设备具备一定的技术领先性以兼容后续器件的发展。所以，以 DRAM为代表的半导体存储器件的测试设备体现出系统复杂、技术难度高的特点，但是在存储器件的晶圆测试、老化修复、封装测试等各环节的测试技术又具备一定的相通性，有机会在技术攻关中以点破面，在实现核心技术体系构建的基础上，完成晶圆测试设备、老化修复设备、封装高速测试设备、MEMS探针卡、治具板卡等产品的全系列开发。

半导体产业技术变革持续带动行业增长，存储器件作为半导体产业的两大支柱之一，市场规模维持长期增长，并将在 5G、AI及汽车智能化的驱动下步入下一轮成长周期。根据 WSTS统计，2021年全球存储器市场规模为 1,538亿美元，占集成电路总产值的 33%。根据 IC Insights统计，DRAM和 NAND Flash一直占据半导体存储器件市场的主导地位，2021年占比分别超过 56%和41%。

从国内半导体产业发展态势来看，存储器件也是驱动近年来行业资本开支的主要动力之一。

中国大陆存储器件市场呈现“大市场+低自给率”的特征，国产替代势在必行。目前本土存储器件厂商技术实力与国际主流厂商快速缩小，已经分别在 DRAM与 NAND Flash取得关键技术突破，市场份额取得了实质性进展，并在进一步增加投资以加速扩张产能，但目前应用在量产线中的后道测试设备仍以前述国外厂商设备为主。国内存储器件厂商对于服务响应及时、性价比高、具备自主可控和产业链安全等特点的国产设备需求强烈，国内半导体存储器件测试设备领域有望迎来发展良机。

公司综合研判国内半导体产业发展态势和半导体存储器产业链特征，将半导体测试设备业务开拓重点放在种类多、价值高、市场空间广、技术发展潜力大的 DRAM等半导体存储器件的测试设备上，致力于打造技术领先、自主可控的半导体测试设备产品，解决行业客户需求的痛点，为国内半导体产业的安全发展做出贡献。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司自成立以来始终深耕检测设备领域的光学检测及校正修复、电学信号检测、精密机械自动化及控制、软件算法等技术，具备丰富的技术积累和
量产经验。公司主要核心技术具体情况如下：
（1）光学检测及校正修复技术

技术名称技术来源技术内容技术优势应用产品
显示缺陷自动 光学检测技术自主研发 及 合作研发通过图像处理算法及软件平台对显 示器件的画异、点缺陷、线缺陷、 Mura缺陷等显示缺陷进行有效检出 并分类，并通过机器学习进行分类 和分等的判别增强。1、缺陷检测覆盖范围广，亮点、暗 点、群亮点、群暗点、亮线、暗线、 线上点、多暗线、大面积偏色、点 状、斑状、带状、环状、云状等缺陷 形态等综合覆盖近百种缺陷； 2、基于深度学习增强拦截及判别，软 件系统设计灵活，高效适配不同客户 的检出缺陷种类和规格； 3、曲面屏拍图自动展平及光学校准， 可对应大曲率（90°）弧角显示屏的缺 陷检测。Cell光学检测设备、Module光学检 测设备、Gamma调节设备
光学特性测量 及校准技术自主研发测量包括闪屏、可视角、亮度均匀 性、色度均匀性、视角色偏、透过 率、对比度、Gamma曲线和Gamma 值等光学参数；通过分析显示屏各 灰阶亮度值、色坐标值并自动调节 使得显示屏更符合人眼视觉感受、 改善显示屏色彩、提升产品等级。1、高集成度：灵活配置参数测量功能 开关，具有丰富的数据统计和报表输 出的功能，满足客户差异化需求； 2、高准确度：通过精确光学标定的测 量仪器获得亮度、色度、变化周期 等； 3、自动Gamma校正技术快速、准 确，效果优良。平均单点调节时间 ≤0.6 s；调节良率≥99.8%。Cell光学检测设备、Module光学检 测设备、Gamma调节设备
AMOLED显示 屏Mura补偿技 术自主研发采用高分辨率工业相机对AMOLED 显示屏的多个画面进行成像，通过 高速的子像素定位、曲面图像展平 及拼接、子像素亮度转换、Mura灰 阶-亮度建模等图像处理技术，生成 像素级补偿数据并完成烧录。1、修复数据精度达子像素级； 2、支持超过70°的大曲率曲面 AMOLED模组显示屏的曲边部分的 Mura补偿； 3、补偿效率高，系统拍照和补偿节拍 ≤60s。Mura补偿设备
TFT-LCD显示 屏Mura补偿技 术自主研发针对中大尺寸高分辨率TFT-LCD显 示屏的光学亮度、色度Mura的补偿 和修复，设计了一套高可靠性且高 运行效率的光学系统，包括嵌入式 的图像滤波单元、成像失真校正、 视角特性校正，亮度Mura补偿模 型、色度Mura补偿模型、并行计算 单元等。1、高并行的软件算法及运算架构，针 对TFT-LCD TV模组屏4K Mono De- Mura过程节拍≤20s, 8K Color De-Mura 过程节拍≤45s； 2、使用内置于相机固件中的多种光学 校准与图像滤波技术使得在通过工业 相机测量显示屏光学参数精度接近专 业的光学测量仪器，为精确的光学补 偿提供有力支持。Mura补偿设备
高精度光学对 位及量测技术自主研发采用单/双采集相机对部件上的标记 或形状进行识别，计算其精确的空 间坐标，并计算其对准偏差参数。 单目算法适用于较小尺寸、较低精 度的对准需求，双目算法适用于较 大尺寸、较高精度、尤其是较高旋 转对准精度的对准需求。1、简单易用，兼容多种分辨率工业相 机，根据采集视场的需求灵活选择软 件配置； 2、支持反射、透射等多种打光方式下 的图像处理与标定； 3、坐标识别精度可达1um，对准精度 可达10um； 4、支持UVW、XYθ平台对位，及主 流型号机器人引导对位。Cell光学检测设备、Module光学检 测设备、Mura补偿设备、Gamma 调节设备、老化设备
外观缺陷检测 与判别技术自主研发针对显示屏的崩缺、破裂、凸点、 裂纹、划伤、异物、印刷异常等视 觉外观缺陷进行自动检测和分类。1、光学系统通用性强，采用线结构 光、同轴光等组合给光方式，高频分 时点亮同步成像完成外观缺陷的图像 采集； 2、算法平台结合传统图像增强及缺陷 定位算法和基于深度学习的缺陷识别 技术，实现各种缺陷检出及智能分 类，为产线产品质量管控提供相应的 复盘分析数据。Cell光学检测设备

（2）电学信号检测技术

技术名称技术来源技术内容技术优势应用产品
信号源专用驱 动技术自主研发用于生成面板测试所需要的高精度 驱动信号和电源输出。1、宽幅电压输出：±50 V； 2、高压摆率：>200 V/us； 3、高电压精度：≤1 mV； 4、时序精度：＜100 ns。信号发生器
点灯专用电信 号采集技术自主研发用于对驱动显示器件的各种信号和 电源的高精度实时采集。1、实现Cell制程高压高精度高摆率的 驱动信号和Module制程高压高精度电 源信号实时采集，并通过软件或硬件技 术进行补偿。 2、实现针对压接质量的检测，判断压 接过程产生的短接或开路不良，并发出 报警信息。信号发生器
测试驱动专用 电源技术自主研发针对显示器件模组测试时的驱动要 求，提供高精度、低噪声的多路电 源系统。1、最大提供14路正/负电源，输出电流 范围 1uA -25A，输出电压范围±15V， 精度<1mV，输出纹波<10mV； 2、硬件/软件自动远端补偿功能； 3、上电斜率控制功能，上电时序控制 精度1ms。信号发生器
驱动信号异常 报警及处理技 术自主研发针对测试过程中的操作异常或产品 异常引发的过压、过流等异常情况 进行主动的分级保护处理，并提交 报警信息。1、实现us级别的过压过流保护和报警， 预置保护及报警门限； 2、实现1ms以内的软件保护响应时间 和上位机通讯时间，保证机台整体的动 作一致性。信号发生器
触摸屏传感器 电学参数检测 技术自主研发针对触控屏Sensor的电容阵列进行自 容/互容容值测量、连线电阻测量、 虚短/虚断测量等；针对触控屏模组 进行坐标精度测量、线性精度测 量、响应时间测量、悬浮测量等。1、并发测量通道数达到1,024个，电容 测量精度达到0.01pF，量程范围0.1pF- 2,000pF，电阻测量精度≤1%，量程范围 100~1GΩ；具备复阻抗和损耗角测量功 能，单笔测量耗时＜1ms； 2、支持多电平多总线的模组接口通讯， 支持反射/投射屏体坐标对位模式，对 位行程精度10um，支持多指笔头模拟， 最大笔头数10个，支持压感触控测试， 压力测试精度50g。Sensor测试机、线性测试机

（3）精密机械自动化与控制技术

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高精密压接技 术自主研发集成高精度的直线和旋转运动机 构，光栅尺传感器、编码器等实时 反馈的闭环控制技术，配合自主研 发的视觉对位系统，最高精度达到 ±3μm，满足高精密的对位压接的需 求。1、高精度传动硬件搭配光栅尺、编码 器等闭环反馈系统，实现综合运动机构 重复定位精度±1um； 2、提高了Cell产品金手指压接和探针 压接、模组产品连接器接续的精度，达 到99.6％以上的点亮成功率。Cell光学检测设备、Module光学检 测设备、Gamma调节设备、Mura 补偿设备、老化设备
高精密治具技 术自主研发采用自主设计的气缸传动系统、精 密运动机构配合电信号转接板设 计，实现对产品稳定接续和信号传 输。1、自主设计的精密运动机构和气动控 制传动系统，稳定可靠实现接续功能， 提高治具使用寿命； 2、治具适用于柔性产品、异形产品， 并兼容多方向出Pin的产品； 3、治具载台采用防静电吸嘴式设计， 减少产品裂片和静电损伤等不良现象。Cell光学检测设备、Module光学检 测设备、Gamma调节设备、Mura 补偿设备
高速大负载系 统减振技术自主研发通过采用空气减振系统结合大理石 平台和自主研发的阻尼装置，在承 载较大载荷高速运动时，具有高精 度和良好的减振效果，为光学检测 装置提供所需要的振动隔绝平台。1、自主研发的直线式或转盘式自动化 平台，均可在满足设备客户要求节拍时 间下，实现高精度运行，可实现水平重 复性调整精度±50um； 2、可实现＞10Hz减振率90％以上，适 用于高速、重负载场合的检测设备，有 效提供减振性能，为高精度接续和测试 稳定性提供了重要基础。Cell光学检测设备、Module光学检 测设备、Gamma调节设备、Mura 补偿设备
MEMS探针卡 连接系统设计自主研发测试机头与探针卡的连接系统设 计，包括机械结构设计、连接器设 计、探针卡连接PCB板设计等，在 满足通道密度的条件下，保证连接 的可靠性、信号完整性。1、连接头内径300mm/外径520mm；信 号通道数量2880； 2、最高时钟500MHz，总压接力量 400Kg； 3、适应温度范围-20℃∽+125℃。探针卡

（4）软件算法技术

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缺陷判别与分 级软件技术自主研发基于亮度、面积、位置、纹理特 征、SEMU值、VAS值等多种特征量 的缺陷分级判别规则，并结合深度 学习的智能分类复判，实现整套缺 陷分级与判别准则。1、采用分布式检测与判别分级结构； 2、离线分析与复判功能； 3、丰富的生产状态报警与预警功能： 4、灵活的判别分级规则编辑功能。Cell光学检测设备、Module光学检 测设备
测试图案及信 号生成算法自主研发用于生成面板测试所需的测试图案 数据，并生成对应的驱动信号。1、自主研发的FPGA算法和相关软硬 件模块； 2、根据客户需要生成高质量、高稳定 性的驱动信号，并实现信号幅度和时序 上的高精度控制。信号发生器
基于PC的自动 化控制软件技 术自主研发采用高性能的工业计算机加运动控 制卡的方式代替可编程逻辑控制器 完成IO采集、设置及运动控制的功 能，实现实时的高集成度的复杂运 动控制、设备状态监控等功能。1、兼容各种主流运动控制卡； 2、支持顺序联动、同时联动、加减速 联动等多种多轴联动控制方法； 3、通过单台PC并发多轴控制，状态信 息共享，控制效率高，扩展性强。Cell光学检测设备、Module光学检 测设备、老化设备、Sensor测试机
工厂生产信息 管理技术自主研发采用局域网通信相关技术开发整套 设备生产状态与生产信息的控制平 台软件，实现各类设备的生产状 态、运行状态、配置信息、产品质 量信息的上传与下载以及各个设备 之间的联动运行控制，用于各类设 备与客户CIM信息系统进行数据通 讯、文件上传等。1、通过集成对象的消息传输方法，标 准化的通信接口设计，实现高鲁棒性的 轻量级局域网实时通信信息转发服务 器软件平台； 2、具备通信终端的高灵活性及扩展性， 新增通讯终端只需根据标准的接口协 议定义通信字段即可实现快速接入； 3、支持FTP、TCPIP、UDP、网络盘等 网络通信协议，可实现小数据量实时通 信，大数据量智能空闲通信等多种工厂 信息管理的通信需求。Cell光学检测设备、Module光学检 测设备、老化设备

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
深圳精智达技术股 份有限公司国家级专精特新“小巨人”企业2021年OLED显示屏智能检测装备

2. 报告期内获得的研发成果
截至报告期末，公司及控股子公司合计拥有知识产权 319项，其中发明专利 36项、实用新型专利 56项、外观设计专利 14项，此外公司累计获得软件著作权 189项。公司掌握了多项生产技术诀窍、工艺控制参数等非专利技术。基于自身技术实力及丰富的量产经验，公司能够积极顺应市场工艺水平的提升，进行技术创新和设计改进，持续优化产品性能，抢占高性价比新产品的先发优势。

报告期内获得的知识产权列表

　本期新增　累计数量　
　申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）
发明专利847636
实用新型专利136456
外观设计专利001414
软件著作权33189189
其他00024
合计1210343319
注：“其他”指公司的商标，公司累计获得商标 24项。


3. 研发投入情况表
单位：元

　本期数上年同期数变化幅度（%）
费用化研发投入27,629,472.0020,419,425.9835.31
资本化研发投入　　　
研发投入合计27,629,472.0020,419,425.9835.31
研发投入总额占营业收入 比例（%）11.179.57增加 1.60个百分点
研发投入资本化的比重 （%）　　　

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期研发投入较上年度同期增加 35.31%，主要系为提升公司技术和产品核心竞争力，公司通过扩充研发队伍等措施，持续加大研发投入，导致研发费用增加。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序号项目名称预计总投资 规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶 段性成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1DRAM测试 机及探针卡 预研1,770535.531,655.40DRAM测 试机项目 处于设计 阶段； 探针卡项 目部分产 品进入批 量销售阶 段DRAM测试机项目： 1、高精度：输出波形时间设置 分别率 1ps，电压电流设置 及检测分辨率 16bit； 2、高集成度：数字通道 30720， 电源通道 3072； 3、高并测数及高效率：支持 768 个 DUT的并行测试； 4、满足-40℃ ~ +125℃ 可控温 区工作范围； 5、支持 DDR4/5, LPDDR4/5； 6、自主化测试系统软件开发及 应用，优化的修复算法，并兼容 现有主流测试机指令集。 MEMS探针卡项目： 1、最大针数 ≥ 150000 Pin 2、最大耐电流 1.2A 3、针卡平整度 ≤ 30um 4、针尖尺寸 ≤ 12u 5、最大探针压力 12g国际先进面向新一代 DRAM 存 储器的高并测大容量测 试机，及符合存储芯片 量产测试要求的三温 （125℃/98℃/- 40℃） 15万级别针数的探针 卡。 国外厂商在该领域深耕 多年并建立了一定的技 术壁垒，国内器件厂商 对于测试设备的自主可 控需求提升。
2DRAM晶圆 老化测试设 备研发1,000.00379.41458.45验证阶段1、数字通道 2880DR+5760IO， 电源通道 2880； 2、数字通道时间设置分辨率 10ps； 3、支持 3072 DUT并行测试； 4、支持 DDR4/5/6， LPDDR4/5/6； 5、自主化测试系统软件开发及 应用，优化的修复算法，并兼容 现有主流测试机指令集。国际先进针对 DRAM 晶圆的高 温老化测试设备，根据 待测产品规格及测试要 求，编写特定的测试向 量与测试条件程序，专 门用于 DRAM 晶圆的 早期缺陷发现和筛除， 优化和提升晶圆测试效 率。 针对国内客户的测试流 程改善要求，开发设计 具备本土化的测试指令 集与测试向量的高端晶 圆老化设备。
3CG与 OCA 贴附后夹层 异物 AOI检 测系统研制500.00130.29489.79验证阶段1、实现 OCA与 CG贴附完成 后，AOI检出 OCA与 CG层之 间≥50um*50um的异物； 2、基于贴合异物不良率 1%~2%，过检率≤1.0%，漏检率 ≤0.1%。国内领先可用于各种透明膜与透 明玻璃之间的缺陷检 测，如异物、脏污等。
4新型显示 AOI检测系 统研制500.00162.66410.93测试阶段1、整体过检率＜5%，检出率 99%; 2、平均单画面检查算法时间＜ 1.2s; 3、软件稳定运行，兼容各种主 流相机。国内领先可用于各种新型显示器 件的点灯缺陷检查和外 观缺陷检查。
5近眼显示检 测系统研发400.00149.19316.02调研阶段1、检测亮度、色度、均一性、 对比度、MTF、画面显示缺陷 等： 2、亮度测试重复性±5%： ≥99%； 3、波长重复性±0.3nm：≥99%； 4、检测产品视场角：≥110°。国内领先可用于 Micro LED显示 器件缺陷检出及光学特 性测量。
6信号发生器 66XX平台 开发400.00125.93371.79试产阶段1、支持 4路 1/4/8 lane Edp 8.1G； 2、支持 4路 2CHANEL LVDS 6、8、10bit； 3、支持 4路 RGB/SPI/MIPI扩 展； 4、支持 ETH,RS232,USB2.0,USB3.0等上 位机通讯接口。国内先进适用于所有 OLED模组 点屏测试及老化设备
7微型显示晶 圆 AOI检测 系统400.00109.51157.70设计阶段1、Wafer尺寸：4/8/12寸，产品 尺寸：≤0.3寸； 2、对应最小像素：1μm，对应 最大分辨率：4096×2160； 3、单片产品 TT≤8s，点线检出 率 99.5%； 4、自动对焦、寻址、点灯，CIM 对接，实时上报产品工艺信息。国内领先可用于 Micro LED的晶 圆段点灯缺陷检测。
8高精度 AOI 缺陷分层定 位系统350.00151.42151.42验证阶段1、定位相机 :151M 面阵相 机,WD:319mm-570mm； 2、分层相机:500万面阵相机,拍照 视野： 2.1*1.77mm；解析度： 0.86um/pixel； 3、平面度要求＜0.01mm；Z轴精 度需要<5μm；国内领先应用新型显示器件不同 缺陷的精确位置。
9Micro LED 外观缺陷检 测系统350.00138.39138.39验证阶段1、检测精度≤2μ； 2、检测项目：芯片脏污、刮 伤、翻晶、立晶、偏位、缺失、 裂痕、旋转等； 3、AI检测精度：96%； 4、AI检测速度：20FPS； 5、AI召回率：90%。国内先进应用于 Micro LED外观 缺陷检查
10显微外观检 测系统研发300.00120.71293.01设计阶段1、对应最小缺陷：1μm； 2、对应最小 LED尺寸：10μm； 3、脏污、刮伤、裂痕检出率 ≥98%； 4、翻晶、立晶、偏位、缺失、 旋转检出率：100%。国内领先可用于 Micro LED显示 器件的点灯缺陷检查和 外观缺陷检查。
11信号发生器 85XX平台 开发235.0089.96131.95试产阶段1、电压类型 AC/DC，输出范围 ±25V，分辨率 10nS，上升/下降 <=250Ns，同步性≤5ns,电压精度 ≤30Mv，电压纹波≤50mV，电 源电流>=2A，信号>=250Ma； 2、支持两个通道的对外围阻抗 检测、通道之间的开短路检测、 通道对 GND之间的阻抗检测； 3、支持过压/过流/过温/欠压/欠流 等保护功能。国内先进适用于所有 OLED屏体 点屏测试及老化设备
12显示屏 Carrier模式 光学检测设 备研发230.00163.37163.37验证阶段1、Carrier上屏体模组只需要压接 一次，可完成整条线体所有的设 备多个工位光学工艺测试； 2、Carrier统一标准定制，根据产 品定做，各设备的需求性一致； 3、Carrier模式将屏体模组的 FPC 连接器的磨损损伤转移到探针接 触，成功率跟品质提升； 4、Carrier可回流系统； 5、Carrier有独立识别系统。国内先进适用于新型显示模组段 的自动检测设备
13OLED老化 Pallet 高精 度压接系统200.00185.30185.30验证阶段1、单双边治具兼容设计：单双边 治具定位，矫正兼容性设计； 2、压头下压精度：3um； 3、所有治具兼容产品：1"-20" （10*10mm-470*470mm)； 4、磁力压接治具；实现一侧压头 UVW对位完成后实现磁力压接； 5、加热治具：实现治具加热 85± 2°，持续加热 1000H以上； 6、所有治具负载≤50KG。国内先进适用于全自动 OLED 屏体老化设备
合计/6,635.002,441.674,923.52////
（未完）
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