[中报]格科微(688728):格科微有限公司2023年半年度报告
|
时间:2023年08月29日 22:12:34 中财网 |
|
原标题:格科微:格科微有限公司2023年半年度报告
公司代码:688728 公司简称:格科微
格科微有限公司
2023年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险,敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人赵立新、主管会计工作负责人郭修贇及会计机构负责人(会计主管人员)杨佳蓓声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
√适用 □不适用
公司治理特殊安排情况:
√本公司为红筹企业
□本公司存在协议控制架构
□本公司存在表决权差异安排
公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司,公司治理模式与适用中国法律、法规及规范性文件的一般A股上市公司的公司治理模式存在一定差异。
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者实质承诺,请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ................................................................ 5 第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................... 7 第三节 管理层讨论与分析 .................................................... 11 第四节 公司治理 ........................................................... 27 第五节 环境与社会责任 ..................................................... 29 第六节 重要事项 ........................................................... 32 第七节 股份变动及股东情况 .................................................. 62 第八节 优先股相关情况 ..................................................... 70 第九节 债券相关情况 ....................................................... 70 第十节 财务报告 ........................................................... 71
备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人
员)签名并盖章的财务报表 |
| 经公司负责人签名的公司2023年半年度报告文本原件 |
| 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 |
第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
常用词语释义 | | |
公司、本公司、
格科微 | 指 | 格科微有限公司(GalaxyCoreInc.) |
Uni-sky | 指 | Uni-sky Holding Limited,系公司控股股东 |
Cosmos | 指 | Cosmos L.P.,系公司员工持股平台 |
New Cosmos | 指 | New CosmosL.P.,系公司顾问持股平台 |
Hopefield | 指 | Hopefield Holding Limited,系公司股东 |
Keenway | 指 | Keenway International Limited,系公司股东 |
华登美元基金 | 指 | Pacven Walden Ventures V, L.P.、Pacven Walden Ventures Parallel
V-A C.V.、Pacven Walden Ventures Parallel V-B C.V.、Pacven
Walden Ventures V-QP Associates Fund,L.P.、Pacven Walden
Ventures V Associates Fund, L.P. |
上海橙原 | 指 | 上海橙原科技合伙企业(有限合伙),系公司股东 |
杭州芯正微 | 指 | 杭州芯正微股权投资合伙企业(有限合伙),系公司股东 |
常春藤藤科 | 指 | 日照常春藤藤科股权投资中心(有限合伙),系公司股东 |
中电华登 | 指 | 中电华登(成都)股权投资中心(有限合伙),系公司股东 |
小米长江 | 指 | 湖北小米长江产业基金合伙企业(有限合伙),系公司股东 |
H&S | 指 | H&S Technologies Ltd.,系公司股东 |
TRANSSION | 指 | TRANSSION TECHNOLOGY LIMITED,系公司股东 |
摩勤智能 | 指 | 上海摩勤智能技术有限公司,系公司股东 |
拉萨闻天下 | 指 | 拉萨经济技术开发区闻天下投资有限公司,系公司股东 |
聚源聚芯 | 指 | 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心(有限合伙),系公司股
东 |
HUAHONG | 指 | SHANGHAI HUAHONG INTERNATIONAL,INC.,系公司股东 |
深圳TCL | 指 | 深圳TCL战略股权投资基金合伙企业(有限合伙),系公司股东 |
石溪产恒 | 指 | 合肥石溪产恒集成电路创业投资基金合伙企业(有限合伙),系公司股
东 |
俱成秋实 | 指 | 南京俱成秋实股权投资合伙企业(有限合伙),系公司股东 |
金泰丰 | 指 | 广州金泰丰投资有限公司,系公司股东 |
上海咨勋 | 指 | 上海咨勋信息科技合伙企业(有限合伙),系公司股东 |
湖杉芯聚 | 指 | 湖杉芯聚(成都)创业投资中心(有限合伙),系公司股东 |
Ritz | 指 | Ritz Holdings Limited,系公司股东 |
SVIC | 指 | SVIC NO.38 NEW TECHNOLOGY BUSINESS INVESTMENT L.L.P.,系公司
股东 |
DianZhi | 指 | Hong Kong DianZhi Technology Co.,Limited(香港典知科技有限公
司),系公司股东 |
格科微上海 | 指 | 格科微电子(上海)有限公司,系公司全资子公司 |
格科微浙江 | 指 | 格科微电子(浙江)有限公司,系公司全资子公司 |
格科置业 | 指 | 格科(浙江)置业有限公司,系公司全资子公司 |
格科半导体 | 指 | 格科半导体(上海)有限公司,系公司全资子公司 |
格科微香港 | 指 | 格科微电子(香港)有限公司,系公司全资子公司 |
格科集成电路 | 指 | 格科集成电路(上海)有限公司,系公司全资子公司 |
开曼/开曼群岛 | 指 | Cayman Islands |
三星、三星电子 | 指 | Samsung Electronics Co.,Ltd.,主要从事电子产品的生产和销售业
务的韩国公司,为韩国证券交易所上市公司 |
Frost&Sullivan | 指 | 弗若斯特沙利文咨询公司 |
苏州京浜 | 指 | 苏州京浜光电科技股份有限公司 |
上海芯物 | 指 | 上海芯物科技有限公司 |
建广广兴 | 指 | 建广广兴(德州)半导体产业投资基金合伙企业(有限合伙) |
建广广辉 | 指 | 建广广辉(德州)股权投资管理中心(有限合伙) |
AMOLED | 指 | Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,即有源矩阵有机发
光二极管,AMOLED 因为其对比 TFT-LCD 的优点,被称为继TFT-LCD
后的新一代显示技术,其中 OLED(有机发光二极管)是描述薄膜显示
技术的具体类型,AM(有源矩阵体或称主动式矩阵体)是指背后的像素
寻址技术 |
BSI | 指 | Back Side Illumination,即背照式入射,将感光二级管元件调转方
向,光线从光电二级管的背面入射,从而避免了光电二级管电路面的
金属和电路对光线的阻挡,能够显著增加光电二级管的量子效率,进
而改善低光照条件下的图像效果 |
CMOS | 指 | Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互补金属氧化物半导
体,指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来
的芯片 |
CMOS 图像传感
器/CIS | 指 | Complementary Metal Oxide Semiconductor图像传感器,是采用CMOS
工艺制造的图像传感器;CIS是CMOS Image Sensor的简称 |
COB | 指 | Chips On Board,即板上芯片封装,指将裸芯片用导电或非导电胶粘
附在 PCB 上,然后进行引线键合实现其电气连接,并用胶把芯片和键
合引线包封的封装技术 |
COF | 指 | Chip On Flex或Chip On Film,即薄膜覆晶,在柔性线路板上芯片封
装,指将芯片固定在柔性线路板上的芯片或模组封装技术 |
COF-Like | 指 | 是发行人自行研发的显示驱动芯片创新设计,能够以较低的成本实现
手机屏幕窄边框效果 |
COG | 指 | Chip On Glass,即芯片被直接键合在玻璃上的一种封装技术 |
COM | 指 | Chip On Module,是发行人自行创新研发的高像素CMOS图像传感器封
装工艺 |
CML | 指 | Cambridge Mechatronic Limited |
DAG HDR | 指 | Dual Analog Gain HDR 双模拟增益高动态范围技术 |
Fabless | 指 | 无晶圆厂的集成电路企业经营模式,Fabless企业仅进行芯片的设计、
研发和销售,而将晶圆制造、封装和测试外包给专业的晶圆代工、封装
和测试厂商 |
Fab-Lite | 指 | 轻晶圆厂的集成电路企业经营模式,是介于Fabless模式与IDM模式
之间的经营模式,即在晶圆制造、封装及测试环节采用自行建厂和委
外加工相结合的方式 |
FHD | 指 | Full High Definition,通常为1920*1080或1920*1200分辨率,最
高可支持2560*1080分辨率 |
FPPI | 指 | Floating Poly Pixel Isolation,浮压多晶像素隔离,一种像素隔离
技术 |
HD | 指 | High Definition,通常为1280*720至1600*720分辨率,最高可支持
1600*720分辨率 |
IDM | 指 | Integrated Device Manufacturer,垂直整合制造模式,即厂商拥有
自有品牌,并涵盖集成电路设计、晶圆加工及封装和测试等各业务环
节,形成一体化的完整运作模式 |
LCD | 指 | Liquid Crystal Display,即液晶显示,是一种借助于薄膜晶体管驱
动的有源矩阵液晶显示器 |
TDDI | 指 | Touch and Display Driver Integration,即触控与显示驱动器集成,
将触控芯片与显示芯片整合进单一芯片中 |
QQVGA | 指 | Quarter Quarter Video Graphics Array,通常为120*160分辨率 |
中高阶 CMOS 图
像传感器 | 指 | 中阶、高阶CIS分别主要包括: 500万至1,600万像素、3,200万像
素及以上的CIS |
分辨率 | 指 | 屏幕图像的精密度,代表了显示器所能显示的像素数量 |
光罩 | 指 | 为晶圆制造过程中光刻工艺所需的掩模版,用于将电路图案复刻到晶
圆上 |
晶圆 | 指 | 制造半导体晶体管或集成电路的衬底,可加工制作成各种电路元件结
构,而成为有特定电性功能的集成电路产品,通常指做完电路加工后
的成品晶圆,其尺寸分为8英寸或12英寸等 |
流片 | 指 | 将集成电路设计转化为芯片的试生产或生产过程 |
显示驱动芯片 | 指 | 显示面板的主要控制元件之一,可实现对屏幕亮度和色彩的控制 |
像素 | 指 | 组成图像的最小单位,像素数代表了图像中最小单位点的数量 |
制程 | 指 | 半导体加工工艺的精细度,可加工线条越精细,制程越小,相应的工艺
越先进 |
《上市规则》 | 指 | 《上海证券交易所科创板股票上市规则》 |
《公司章程》 | 指 | 《Memorandum of Association of GalaxyCore Inc.》和《Articles
of Association of GalaxyCore Inc.》,包括对其不时进行的修订和
重述 |
报告期 | 指 | 2023年1月1日-2023年6月30日 |
元、万元、亿元 | 指 | 人民币元、人民币万元、人民币亿元 |
注:本报告中部分合计数与各加数直接相加之和在尾数上存在差异,这些差异是由于四舍五入造成的。
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
公司的中文名称 | 格科微有限公司 |
公司的中文简称 | 格科微 |
公司的外文名称 | GalaxyCore Inc. |
公司的外文名称缩写 | GCORE |
公司的法定代表人 | 赵立新 |
公司注册地址 | 4th Floor, Harbour Place, 103 South Church
Street, P.O. Box 10240, Grand Cayman KY1-1002,
Cayman Islands |
公司注册地址的历史变更情况 | 报告期内,因公司的开曼代理公司发生变更,因此注
册地址发生变更如下:
变更前:One Nexus Way,Camana Bay,Grand Cayman
KY1-9005,Cayman Islands
变更后:4th Floor, Harbour Place, 103 South
Church Street, P.O. Box 10240, Grand Cayman
KY1-1002, Cayman Islands |
公司办公地址 | 中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号2幢第11
层整层、第12层整层 |
公司办公地址的邮政编码 | 201210 |
公司网址 | www.gcoreinc.com |
电子信箱 | [email protected] |
报告期内变更情况查询索引 | 《格科微有限公司关于修订公司章程的公告》(公告
编号:2023-014) |
二、 联系人和联系方式
| 董事会秘书(信息披露境内代
表) | 证券事务代表 |
姓名 | 郭修贇 | 郭修贇 |
联系地址 | 中国(上海)自由贸易试验区
盛夏路560号2幢第11层整
层、第12层整层 | 中国(上海)自由贸易试验区
盛夏路560号2幢第11层整
层、第12层整层 |
电话 | 021-60126212 | 021-60126212 |
传真 | 021-58968522 | 021-58968522 |
电子信箱 | [email protected] | [email protected] |
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
公司选定的信息披露报纸名称 | 《上海证券报》(www.cnstock.com)《中国证券报》
(www.cs.com.cn)《证券时报》(www.stcn.com)《
证券日报》(www.zqrb.cn) |
登载半年度报告的网站地址 | www.sse.com.cn |
公司半年度报告备置地点 | 公司证券事务部 |
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况 | | | | |
股票种类 | 股票上市交易所
及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
A股 | 上海证券交易所
科创板 | 格科微 | 688728 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币
主要会计数据 | 本报告期
(1-6月) | 上年同期 | 本报告期比上年
同期增减(%) |
营业收入 | 1,951,865,382 | 3,294,417,161 | -40.75 |
归属于上市公司股东的净利润 | -22,829,686 | 513,659,759 | -104.44 |
归属于上市公司股东的扣除非经常性
损益的净利润 | -63,480,904 | 508,760,806 | -112.48 |
经营活动产生的现金流量净额 | 249,852,123 | 177,582,171 | 40.70 |
| 本报告期末 | 上年度末 | 本报告期末比上
年度末增减(%) |
归属于上市公司股东的净资产 | 7,854,803,721 | 7,895,411,622 | -0.51 |
总资产 | 19,487,189,592 | 18,152,179,905 | 7.35 |
(二) 主要财务指标
主要财务指标 | 本报告期
(1-6月) | 上年同期 | 本报告期比上年同
期增减(%) |
基本每股收益(元/股) | -0.01 | 0.21 | -104.76 |
稀释每股收益(元/股) | -0.01 | 0.20 | -105.00 |
扣除非经常性损益后的基本每股收
益(元/股) | -0.03 | 0.20 | -115.00 |
加权平均净资产收益率(%) | -0.29 | 6.60 | 减少6.89个百分点 |
扣除非经常性损益后的加权平均净
资产收益率(%) | -0.81 | 6.53 | 减少7.34个百分点 |
研发投入占营业收入的比例(%) | 15.33 | 7.26 | 增加8.07个百分点 |
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2023年上半年公司营业收入为19.52亿元,同比下降40.75%,主要原因是受到通货膨胀、地缘政治等宏观因素影响,智能手机市场出货量下滑。
2023年上半年归属于上市公司股东的净利润下降104.44%,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比下降112.48%,主要原因是受上述因素影响,导致利润下降。
2023年上半年经营活动产生的现金流量净额为2.50亿元,主要系报告期内税费支出减少,公司政府补助增加所致。
2023年上半年基本每股收益-0.01元,较上年同期下降104.76%;稀释每股收益-0.01元,较上年同期下降105.00%;扣除非经常性损益后的基本每股收益-0.03元,较上年同期下降115.00%,主要系受市场波动影响,导致利润下降。
七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用
八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
非经常性损益项目 | 金额 | 附注(如适用) |
非流动资产处置损益 | -12,763 | |
越权审批,或无正式批准文件,
或偶发性的税收返还、减免 | | |
计入当期损益的政府补助,但与
公司正常经营业务密切相关,符
合国家政策规定、按照一定标准 | 47,416,681 | |
定额或定量持续享受的政府补助
除外 | | |
计入当期损益的对非金融企业收
取的资金占用费 | 1,661,518 | |
企业取得子公司、联营企业及合
营企业的投资成本小于取得投资
时应享有被投资单位可辨认净资
产公允价值产生的收益 | | |
非货币性资产交换损益 | | |
委托他人投资或管理资产的损益 | | |
因不可抗力因素,如遭受自然灾
害而计提的各项资产减值准备 | | |
债务重组损益 | | |
企业重组费用,如安置职工的支
出、整合费用等 | | |
交易价格显失公允的交易产生的
超过公允价值部分的损益 | | |
同一控制下企业合并产生的子公
司期初至合并日的当期净损益 | | |
与公司正常经营业务无关的或有
事项产生的损益 | | |
除同公司正常经营业务相关的有
效套期保值业务外,持有交易性金
融资产、衍生金融资产、交易性金
融负债、衍生金融负债产生的公允
价值变动损益,以及处置交易性金
融资产、衍生金融资产、交易性金
融负债、衍生金融负债和其他债权
投资取得的投资收益 | | |
单独进行减值测试的应收款项、合
同资产减值准备转回 | | |
对外委托贷款取得的损益 | | |
采用公允价值模式进行后续计量
的投资性房地产公允价值变动产
生的损益 | | |
根据税收、会计等法律、法规的
要求对当期损益进行一次性调整
对当期损益的影响 | | |
受托经营取得的托管费收入 | | |
除上述各项之外的其他营业外收
入和支出 | 42,849 | |
其他符合非经常性损益定义的损
益项目 | | |
减:所得税影响额 | 8,457,067 | |
少数股东权益影响额(税
后) | | |
合计 | 40,651,218 | |
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。
□适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
根据中国证监会《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》,公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”,行业代码“C39”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类(2018)》,公司属于“新一代信息技术产业”之“电子核心产业”之“集成电路制造”行业。
公司主营业务为CMOS图像传感器和显示驱动芯片的研发、设计和销售。根据 Frost&Sullivan统计,2012 年,全球 CMOS 图像传感器出货量为 21.9 亿颗,市场规模为 55.2 亿美元。得益于智能手机、汽车电子、AR/VR 等下游应用的驱动,预计未来全球CMOS 图像传感器市场仍将保持较高的增长率,至 2026 年全球出货量达到 98.6 亿颗,市场规模将达到 252.9 亿美元,分别实现 6.5%和 5.7%的年均复合增长率。
目前,手机是CMOS图像传感器的主要应用领域,其他主要下游应用还包括平板电脑、笔记本电脑等其他电子消费终端,以及汽车电子、智慧城市、医疗影像等领域。至 2025 年,新兴领域应用将推动 CMOS 图像传感器持续增长,但随着智能手机多摄趋势的不断发展,手机用CMOS图像传感器仍将保持其关键的市场地位。
公司是国内领先、国际知名的半导体和集成电路设计企业之一,主营业务为 CMOS 图像传感器和显示驱动芯片的研发、设计、封测和销售。公司目前主要提供 QVGA(8 万像素)至 3,200 万像素的 CMOS 图像传感器和分辨率介于 QQVGA 到 FHD+ 之间的 LCD 以及 HD 和 FHD 的 TDDI 显示驱动芯片,其产品主要应用于手机领域,同时广泛应用于包括平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、移动支付、汽车电子等在内的消费电子和工业应用领域。
二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
目前公司技术水平先进、工艺节点成熟,并拥有多项专利和专有技术,多项核心技术处于国际先进水平。截止2023年6月30日,公司掌握的主要核心技术如下:
产品类型 | 核心技术 | 领先程度 | 认定依据 |
CMOS图
像传感器 | 高像素 CIS
的 3层金属
设计技术 | 国际领先 | 行业主流参与者大多采用 5 层及以上的金属设计,而公司
的 3 层金属设计实现了与主流设计相同的产品性能,并同
时大幅降低了生产成本,产品性价比国际领先。 |
| 电路噪声抑
制技术 | 国际领先 | 采用数字相关双采样以及创新的噪声补偿修正电路,实现
抗干扰能力和噪声水平的优化,从而在较少的光罩层数下
完成产品的设计开发,并且通过设计优化减小芯片面积。
手机应用下,200万(1.75μm)、500万(1.12μm)及 800
万(1.12μm)像素产品最大信噪比分别达到 37.5dB、37.3dB
和 36.8dB,Readnoise@16x(16倍增益下的读出噪声)分别
达到 1.75e-、1.5e-和 1.2e-;同类产品最大信噪比的国际领先
水平分别为 35~38dB、35~38dB和 36~38dB,Readnoise@16x
的国际领先水平分别为 1.75~2e-、1.4~1.9e-和 1.15~1.9e-,
公司处于国际领先水平。 |
| 低噪声像素
技术 | 国际领先 | 显著降低高温场景下暗电流带来的噪声,配合高像素增益
带来的低读出噪声,显著提升图像传感器在低照度及高温 |
产品类型 | 核心技术 | 领先程度 | 认定依据 |
| | | 场景下的信噪比。
手机应用下,60℃下暗电流可达到 1e-10A/cm2以下;国际
领先水平为 0.8~2.0e-10A/cm2,公司处于国际领先水平。 |
| 黑电平改善
技术 | 国际领先 | 保证黑电平模块的稳定性,同时利用数字模块对黑电平信
号进行补偿,保证黑电平信号的一致性,在 32倍增益下黑
电平的波动小于±0.5DN;国际领先水平为±0.7DN 及以
下,公司处于国际领先水平。 |
| 像素的光学
性能提升技
术 | 国际领先 | 降低像素间的入射光线串扰和像素内的不同材料界面反
射,有效提升对应像素的光线收集效率,提高像素的感光灵
敏度。
手机应用下,200万(1.75μm)、500万(1.12μm)及 800
万(1.12μm)像素产品灵敏度分别达到 1,260mV(/ lux*sec)
2,400e-/(lux*sec)和 2,950e-/(lux*sec);
同类产品的国际领先水平分别为 1,100~1300mV(/ lux*sec)
2,200~2500e-/(lux*sec)和 2,800~3200e-/(lux*sec),公司
处于国际领先水平。 |
| 低光高灵敏
度像素技术 | 国际领先 | 提升高像素增益可以带来更高的红外波长光线吸收量子效
率,而提升感光灵敏度则可以有针对性地进行可见光和近
红外波长下的优化,两者的配合能够使得低光下的图像信
噪比显著提升。
手机应用下,200万(1.75μm)、500万(1.12μm)及 800
万(1.12μm)像素产品最大信噪比分别达到 37.5dB、37.3dB
和 36.8dB;同类产品的国际领先水平分别为 35~38dB、
35~38dB和 36~38dB,公司处于国际领先水平。 |
| COM封装
技术 | 国际领先 | 为公司独创技术,相比主流的 COB封装技术,能够有效帮
助模组厂降低生产成本、提升生产效率和良率,获得了广泛
的市场认可。 |
| FPPI 技术 | 国际领先 | 消除了 STI 隔离带来的侧壁 Si/SiO2 界面的各种界面态
和陷阱复合中心等白点及暗电流来源,在高温下效果尤其
明显。
同时,该技术也避免了单纯靠 PN结隔离带来的光学 cross-
talk加大和满阱容量下降等无法克服的缺点。 |
| 高像素单芯
片集成技术 | 国际领先 | 在片内 ADC 电路、数字电路以及接口电路方面拥有众多
创新设计,相比于市场上同规格双片堆叠式 3200 万图像
传感器,面积仅增大约 8%,消除了下层堆叠的逻辑芯片发
热带来的像素热噪声,显著提高了晶圆面积利用率,满足
5G 手机紧凑的 ID 设计需求。 |
| DAG HDR
技术 | 国际领先 | 基于单帧画面,在暗部使用高模拟增益,使暗部更清晰,更
有质感;亮处使用低模拟增益,避免过曝发白,保留细节
最终输出高动态范围图像。
与传统多帧 HDR 相比,DAG HDR既可增加动态范围、避
免伪影现象,实现精准还原,还能降低多帧合成带来的功耗
问题。以拍照为例:在使用 DAG HDR输出后,需要 3帧合
成的场景减少了 50%。 |
| 动芯片光学
防抖技术 | 国际领先 | 格科微光学防抖马达,通过先进的记忆金属驱动图像传感
器运动,可以实现 X、Y、Rotation三轴防抖补偿,相比传
统镜头式光学防抖马达,可以覆盖更多场景,补偿更为精
准,功耗更低。创新的弹性电连接技术,在提供良好弹性的
同时,确保图像信号的稳定传输,保证光学防抖效果和图像 |
产品类型 | 核心技术 | 领先程度 | 认定依据 |
| | | 效果。 |
显示驱动芯
片 | COF-Like
技术 | 国际领先 | 为公司独创技术,采用传统 COG封装工艺,实现了能够媲
美 COF封装技术的下边框尺寸及屏占比,但其系统成本远
低于 COF组装技术。
公司目前部分在研产品在 COF-Like技术下能够实现 1.6mm
的屏幕下边框宽度,显著低于主流 COG封装下的 3.3mm,
并低于主流 COF封装下的 1.8mm,处于国际领先水平。 |
| 无外部元器
件的显示驱
动芯片设计
技术 | 国际领先 | 无需使用外部元器件,能够减少模组生产及加工工序及原
材料消耗,显著降低产品的生产成本。
公司在 QQVGA至 HD区间内均已实现了 0D0C,而行业主
流参与者在该区间内大多尚未全部实现 0D0C,公司处于国
际领先水平。 |
| 图像压缩算
法 | 国际领先 | 节省约一半的芯片内置缓存电路面积,进而显著减小芯片
的尺寸,减少原材料的消耗,实现产品成本的降低。
经图像压缩后,公司部分 QVGA产品的内部缓存电路面积
可达到 114万μm2;国际主流领先 QVGA产品大多未经图
像压缩,其电路面积为接近 200 万μm2,公司处于国际领
先水平。 |
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用
认定主体 | 认定称号 | 认定年度 | 产品名称 |
格科微电子(上海)有限公
司 | 单项冠军示范企业 | 2021 | CMOS 图像传感器 |
2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,公司申请发明专利48件,实用新型3件;授权发明专利9件。截至2023年6月30日,公司累计获得国际专利授权 15 项(其中国外发明:14 件,国外实用新型 1 件),获得国内发明专利授权 213 项,实用新型专利 209 项。
报告期内获得的知识产权列表
| 本期新增 | | 累计数量 | |
| 申请数(个) | 获得数(个) | 申请数(个) | 获得数(个) |
发明专利 | 48 | 9 | 789 | 227 |
实用新型专利 | 3 | 0 | 245 | 210 |
外观设计专利 | 0 | 0 | 0 | 0 |
软件著作权 | 0 | 0 | 2 | 2 |
其他 | 0 | 0 | 8 | 8 |
合计 | 51 | 9 | 1044 | 447 |
3. 研发投入情况表
单位:元
| 本期数 | 上年同期数 | 变化幅度(%) |
费用化研发投入 | 299,266,457 | 239,133,537 | 25.15 |
资本化研发投入 | 0 | 0 | 0 |
研发投入合计 | 299,266,457 | 239,133,537 | 25.15 |
研发投入总额占营业收入
比例(%) | 15.33 | 7.26 | 增加8.07个百分点 |
研发投入资本化的比重(%) | 0 | 0 | 0 |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元
序
号 | 项目名
称 | 预计总
投资规
模 | 本期投
入金额 | 累计投
入金额 | 进展
或阶
段性
成果 | 拟达到目标 | 技术
水平 | 具体
应用
前景 |
1 | 第二代
背照式
亚微米
高像素
CMOS图
像传感
芯片研
发 | 15,000 | 4,483 | 10,976 | 在研 | 迭代国内晶圆厂的
工艺制程,研究新
的工艺技术、逻辑
架构、数字算法、
模拟电路、封装技
术,来实现高性能
0.7um BSI CMOS图
像传感器,满足品
牌客户对32M 以上
BSI CMOS图像传感
芯片的需求 | 国内
先进 | CMOS
图像
传感
器芯
片 |
2 | 第六代
高性能
1.12um
背照式
CIS研
发及产
业化 | 4,500 | 851 | 1,188 | 在研 | 该项目将迭代国内
晶圆厂的工艺制
程,实现支持视频
HDR的高性能
1.12um BSI CMOS
图像传感器 | 国际
先进 | CMOS
图像
传感
器芯
片 |
3 | 自适应
白点去
除算法
在5M产
品的研
发及产
业化 | 4,200 | 806 | 1,260 | 在研 | 通过升级的自适应
白点去除算法,提
升5M产品性能,增
加测试效率从而降
低产品整体成本。 | 国际
先进 | CMOS
图像
传感
器芯
片 |
4 | 第一代
4K CMOS
图像传
感芯片
研发项
目 | 4,000 | 799 | 1,256 | 在研 | 研发一款图像分辨
率
4K(3840×2160),
具备超高感光特
性,极低噪声与超 | 国际
先进 | CMOS
图像
传感
器芯
片 |
| | | | | | 高动态范围的性能
优良图像传感器 | | |
5 | 智能穿
戴
AMOLED
显示驱
动芯片
的研发 | 6,000 | 2,817 | 4,943 | 在研 | 研发智能穿戴
AMOLED显示驱动芯
片 | 国内
先进 | 显示
驱动
芯片 |
6 | 窄下边
框的HD
TDDI显
示驱动
芯片的
研发 | 4,500 | 735 | 1,365 | 在研 | 研发下沉式HD
TDDI(分辨率
720RGB*1760)的液
晶显示(LCD)驱动
芯片 | 国内
先进 | 显示
驱动
芯片 |
7 | 第一代
大靶面
4M CMOS
图像传
感芯片
研发项
目 | 4,000 | 402 | 402 | 在研 | 研发一款光学靶面
1/1.8, 图像分辨率
4M(2688×1520),
具备高感光特性,
低噪声与高动态范
围的性能优良图像
传感器 | 国内
先进 | CMOS
图像
传感
器芯
片 |
8 | 第七代
高性能
1.12um
背照式
CIS 嵌
入式
OCF研
发项目 | 6,000 | 392 | 392 | 在研 | 将嵌入式OCF应用
于1.12um背照式
CMOS图像传感器 | 国内
先进 | CMOS
图像
传感
器芯
片 |
9 | 第一代
EPICELL
像素研
发项目 | 8,000 | 70 | 70 | 在研 | 开发一款0.8um
50M像素的图像传
感器,其中0.8um
像素采用EPICELL
像素架构,实现像
素间全隔离 | 国际
先进 | CMOS
图像
传感
器芯
片 |
10 | 第二代
EPICELL
像素研
发项目 | 8,000 | 70 | 70 | 在研 | 开发一款0.64um
50M像素的图像传
感器,其中0.64um
像素采用EPICELL
像素架构,实现像
素间全隔离 | 国际
先进 | CMOS
图像
传感
器芯
片 |
11 | 第二代
笔电
720P
CMOS图
像传感
芯片研
发项目 | 4,000 | 166 | 166 | 在研 | 研发一款图像分辨
率
720P(1280×720),
具备高感光特性,
低噪声与更低成本
的性能优良图像传
感器 | 国内
先进 | CMOS
图像
传感
器芯
片 |
12 | 第一代
数码低 | 4,000 | 946 | 946 | 在研 | 研发一款图像分辨
率低功耗,具备高 | 国内
先进 | CMOS
图像 |
| 功耗应
用CMOS
图像传
感芯片
研发项
目 | | | | | 感光特性,低噪声
与高动态范围的性
能优良图像传感器 | | 传感
器芯
片 |
合
计 | / | 72,200 | 12,537 | 23,050 | / | / | / | / |
5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币
基本情况 | | |
| 本期数 | 上年同期数 |
公司研发人员的数量(人) | 467 | 562 |
研发人员数量占公司总人数的比例(%) | 31.24 | 44.92 |
研发人员薪酬合计 | 11,171.80 | 12,033.87 |
研发人员平均薪酬 | 23.92 | 21.41 |
教育程度 | | |
学历构成 | 数量(人) | 比例(%) |
博士 | 15 | 3.21 |
硕士 | 230 | 49.25 |
本科 | 171 | 36.62 |
专科 | 47 | 10.06 |
其他 | 4 | 0.86 |
合计 | 467 | 100.00 |
年龄结构 | | |
年龄区间 | 数量(人) | 比例(%) |
25岁以下 | 94 | 20.13 |
26-35岁 | 286 | 61.24 |
36-45岁 | 79 | 16.92 |
46岁以上 | 8 | 1.71 |
合计 | 467 | 100.00 |
本报告期内,由于本集团部分子公司已出开办期,部分原研发人员直接参与产线相关的准备工作,所以相关的职工薪酬费用计入生产成本。
6. 其他说明
□适用 √不适用
三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、电路设计和工艺研发优势
公司将工艺研发和产品设计创新能力视作价值创造的主要源动力,多年来致力于核心技术的研发,追求通过技术创新来给客户提供更大的影像整体解决方案(total solution),为客户创造更多价值。在工艺研发方面,公司拥有丰富的制造工艺创新经验,独创了一系列特色工艺路线,与市场上其他参与者相比,公司的产品能够以较少的光罩层数完成生产,并进行了优化的 Pixel的三层金属光罩设计,并通过对产品设计的持续优化有效缩小了芯片的尺寸,与同性能的其他产品相比实现了更为精益的成本控制。此外,公司还凭借对摄像头模组及屏模组的设计及工艺流程的深刻理解,独创了 COM 封装技术、COF-Like 创新设计等多项有别于行业主流的特色解决方案,在保证产品性能的前提下对生产良率、工艺难度等进行了大幅改善。公司开创的 FPPI技术,消除了 STI 隔离带来的侧壁 Si/SiO2 界面的各种界面态和陷阱复合中心等白点及暗电流来源,在高温下效果尤其明显。同时,该技术也避免了单纯靠 PN 结隔离带来的光学 cross-talk 加大和满阱容量下降等无法克服的缺点。此外,公司研发的高像素单芯片集成技术,在片内 ADC 电路、数字电路以及接口电路方面拥有众多创新设计,相比于市场上同规格双片堆叠式 3200 万图像传感器,面积仅增大约 8%,消除了下层堆叠的逻辑芯片发热带来的像素热噪声,显著提高了晶圆面积利用率,满足 5G 手机紧凑的 ID 设计需求。因此,公司凭借卓越的工艺研发及电路设计,辅以在后道环节的不断创新,全方位地提升了产品的性价比,从而使公司在激烈的市场竞争中脱颖而出,并占据了有利的行业地位。公司研发的DAG HDR技术,基于单帧画面,在暗部使用高模拟增益,使暗部更清晰,更有质感;亮处使用低模拟增益,避免过曝发白,保留细节,最终输出高动态范围图像。与传统多帧 HDR 相比,DAG HDR既可增加动态范围、避免伪影现象,实现精准还原,还能降低多帧合成带来的功耗问题。以拍照为例:在使用DAG HDR输出后,需要3帧合成的场景减少了50%。格科微光学防抖马达,通过先进的记忆金属驱动图像传感器运动,可以实现X、Y、Rotation三轴防抖补偿,相比传统镜头式光学防抖马达,可以覆盖更多场景,补偿更为精准,功耗更低。创新的弹性电连接技术,在提供良好弹性的同时,确保图像信号的稳定传输,保证光学防抖效果和图像效果。未来,公司将继续坚持自主创新的研发模式,进一步扩大研发投入,以面向行业前沿的创新技术和市场需求为研发导向,不断开发新产品和新工艺,丰富核心技术,提升现有产品的性能与品质。
2、模式创新性
目前,公司运营模式已正式转变为Fablite,通过自有 Fab 产线的基础,把整个产品从设计,研发,制造,测试,销售全环节打通,极高的提升了自身的产品竞争力。在此基础上,公司精准捕捉了行业运行规律,深刻理解了产业链各环节的联动方式与发展痛点,通过商业模式的优化与创新推动了行业经营效率的提升。未来,公司将建立更为高效的内生性产品研发模式,在公司内部形成由产品设计到批量生产的闭环机制,从而大幅提升工艺研发效率,推动公司在高像素领域达到行业前沿水平,满足客户日益更迭的产品需求。
3、供应链优势
公司具有高效且强大的供应链协调能力,与三星电子、中芯国际、Powerchip、SilTerra、SK Hynix、华虹半导体、粤芯半导体等关键委外生产环节的供应商建立了长期稳定的合作关系。由于设计企业的产品生产、新产品工艺流片均需通过委外的方式进行,与上游生产资源的有效绑定将决定设计企业的产品开发和交付能力,是经营过程中至关重要的一环。基于良好的产业链上下游合作关系,公司制定了科学、有效的生产策略,通过逆周期采购方式应对产能供给的周期性变化,在资源有限的条件下实现了产品的稳定开发与交付。
(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用
四、 经营情况的讨论与分析
半导体及集成电路行业是国民经济支柱性行业之一,是信息技术产业的核心。作为中国新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化进程的强劲推动力量,半导体及集成电路行业是国家的战略性、基础性和先导性产业,在保障国家安全等方面发挥着至关重要的作用。一方面,为驱动行业持续发展、鼓励企业不断创新,我国各级政府先后出台了一系列支持性政策;另一方面,下游应用行业需求推动市场增长,高像素摄像头、多摄方案等推动了 CMOS 图像传感器的量价齐升,而高分辨率、大面积的显示设备也带动了显示驱动芯片产品在终端设备中重要性的提升。
公司为国内领先、国际知名的半导体和集成电路设计企业之一,主营业务为 CMOS 图像传感器和显示驱动芯片的研发、设计和销售。公司在 CMOS 图像传感器领域和显示驱动领域深耕多年,拥有业内领先的工艺研发和电路设计实力。凭借优异的产品质量与性价比、高效的服务与技术支持、强大的供应链垂直整合能力,公司累积了深厚的客户资源,并在市场上占据了独一无二的地位。目前,公司已成为国内领先、国际知名的 CMOS 图像传感器和显示驱动芯片供应商。
报告期内,公司实现营业收入195,186.54万元,较上年同期下降40.75%;实现归属于上市公司股东的净利润-2,282.97万元,较上年同期下降-104.44%。实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-6,348.09万元,较上年同期下降 -112.48%。
截止2023年 6月 30 日,公司总资产1,948,718.96万元,同比增长7.35%;归属于上市 公司股东的净资产785,480.37万元,同比下降-0.51%。
报告期内,公司主营业务各产品线销售情况如下表:
单位:万颗/万元 | 数量 | 收入 | 收入占比 |
CMOS 图像传感器-手机 | 32,434.35 | 86,241.98 | 44.21% |
CMOS 图像传感器-非手机 | 8,672.81 | 49,502.22 | 25.38% |
显示驱动芯片 | 22,393.46 | 59,312.84 | 30.41% |
总计 | 63,500.62 | 195,057.04 | 100.00% |
CMOS 图像传感器-手机
报告期内,地缘政治、全球通胀等国内外多重因素影响持续,消费电子市场整体低迷,复苏缓慢;行业去库存意愿强烈,价格竞争加剧,亟需差异化产品,改善市场困局。在此情境下,格科微自主研发的高像素单芯片集成技术优势凸显。相比于市场上同规格双片堆叠式 3,200 万图像传感器,消除了下层堆栈的逻辑芯片发热带来的像素热噪声,面积仅增大约8%,显著提高了晶圆面积利用率,大大改善成本结构。该产品目前已获得品牌订单,为公司进军高像素海量机市场提供有力保证,后续公司将推出基于0.7μm平台包括 5,000万、6,400万、10,800万等在内的更高像素规格产品。同时,在增加产品差异化方面,格科微正式发布业内首款支持单帧高动态的1300万像素图像传感器 GC13A2。这款1/3.1"、1.12um Pixel 背照式图像传感器,采用格科微特色的DAG电路架构,在预览、拍照、录像均可实现低功耗12bit高动态输出,助力手机、平板电脑等提高成像动态范围,让呈现给用户的图像更加生动清晰。目前GC13A2已通过首批品牌客户验证,即将进入量产阶段。
CMOS 图像传感器-非手机
在非手机 CMOS 图像传感器领域,公司进一步提升产品规格,继400万像素产品导入品牌客户并量产后,报告期内公司正式发布一款宽动态、低功耗4K图像传感器GC8613,该产品像素尺寸为1.5μm,可在1/2.7英寸光学格式中实现高解析力,具备优异的动态范围,可实现星光级夜视全彩成像。该产品基于55nm BSI工艺平台,采用格科微特色的DAG电路架构,实现了无伪影单帧宽动态图像输出。借助公司自主研发的FPPI(Floating Poly Pixel Isolation) 隔离技术,降低由Si/SiO?界面缺陷带来的噪声,帮助成像设备拥有出色的“夜视”能力。即使需要全天运行,该产品也可在保持同等性能前提下,降低约40%功耗。GC8613将以4K高分辨率,优异的低照表现,更佳的动态范围赋能智慧城市、智慧家居、会议系统等应用。
在汽车电子领域,凭借成熟的像素工艺和先进的电路设计,公司产品在低光下成像效果清晰度以及高温下图像质量稳定程度均有突破;公司产品主要用于行车记录仪、倒车影像、360 环视、后视等方面,报告期内在后装市场实现超过 1亿元销售额。
显示驱动芯片
报告期内,公司显示驱动芯片业务迅速发展,通过自主研发的无外部元器件设计、图像压缩算法等一系列核心技术,大大提升了产品竞争力,已覆盖 QQVGA 到 FHD+的分辨率。公司主打手机、穿戴式、工控及家居产品中小尺寸显示屏的应用,报告期内,显示驱动芯片产品差异化能力进一步提升,不断扩展在智能家居、医疗、商业显示等多种智能场景下的应用。同时,HD 和 FHD 分辨率的 TDDI 产品已经获得国际知名手机品牌订单,销售占比明显提升,将不断提升TDDI产品的竞争力。除了 LCD 显示驱动芯片之外,公司也持续关注 AMOLED 显示行业的发展。
公司已具备AMOLED 驱动芯片产品的相关技术储备,预计明年将推出基于可穿戴设备、智能手机的AMOLED产品。未来AMOLED 显示驱动 IC 也将成为公司的重要增长点。
募投项目
公司募投项目“12 英寸 CIS 集成电路特色工艺研发与产业化项目”进展顺利,报告期内,该项目已完成首批设备的安装调试,顺利产出了良率符合预期的合格产品,并通过了长期信赖性测试验收,达到大规模量产条件。随着更多设备安装并投产,产能将同步释放提升,最终将实现月产 20,000片晶圆的产能。
根据规划,本次募投项目新增产能主要用于生产中高阶CIS产品,是在现有业务的基础上对产品线的完善与补充。公司创新的高像素单芯片集成技术及高性能的产品设计使得公司有能力消化本次新增产能。目前,公司1,300万、3,200万像素产品已通过部分客户验证并获得客户订单。在此基础上,后续公司将推出基于高像素单芯片集成技术的5,000万、6,400万、10,800万等更高像素规格产品。同时,该项目还有助于实现公司在芯片设计端和制造端的资源整合,提升在背照式图像传感器领域的设计和工艺水平,加快研发成果产业化的速度,有利于增强公司的核心竞争力,为公司提高市场份额、扩大领先优势奠定发展基础。
报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用
五、 风险因素
√适用 □不适用
1、技术创新风险
随着下游市场对产品的性能需求不断提升,半导体和集成电路设计行业技术升级和产品更新换代速度较快,企业需紧跟市场发展步伐,及时对现有产品及技术进行升级换代,以维持其市场地位。同时,半导体及集成电路产品的发展方向具有一定不确定性,因此设计企业需要对主流技术迭代趋势保持较高的敏感度,根据市场需求变动和工艺水平发展制定动态的技术发展战略。例如,在 CMOS 图像传感器领域,不断缩小像素尺寸的工艺技术研发是紧跟行业技术前沿水平的根本。未来若公司技术研发水平落后于行业升级换代水平,或公司技术研发方向与市场发展趋势偏离,将导致公司研发资源浪费并错失市场发展机会,对公司产生不利影响。
2、产品研发风险
公司的主要产品包括 CMOS 图像传感器和显示驱动芯片,其产品的开发具有技术含量高、研发周期长、前期投入大的特点。目前,CMOS 图像传感器市场正朝着更高像素的方向不断发展,由于集成电路的研发存在前期规划偏离市场需求、研发成果不及预期、市场推广进程受阻的风险,公司当前产品研发最终的产业化及市场化效果存在一定的不确定性。因此,公司面临产品研发项目失败的风险,并有可能导致前期研发投入难以收回,从而对后续研发项目的开展和经营活动的正常进行造成负面影响
3、核心技术泄密风险
公司所处的半导体及集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点,核心技术是设计企业在市场立足的根本,是企业核心竞争力的主要体现。未来,如果因核心技术信息保管不善等原因导致公司核心技术泄露,将对公司造成不利影响。
4、生产经营模式发生变化的风险
12 英寸 CIS 集成电路特色工艺研发与产业化项目投产后,公司的经营模式将由 Fabless模式转变为 Fab-Lite 模式,部分 BSI 图像传感器产品的生产将从直接采购 BSI 晶圆转变为先采购标准 CIS 逻辑电路晶圆,再自主进行晶圆键合、晶圆减薄等 BSI 晶圆特殊加工工序,使得公司在人员构成、技术储备、管理模式等方面需要做出适当调整和提高。经营模式的转变能够有力保障公司 12 英寸 BSI 晶圆的产能供应,但同时也可能降低运营效率和灵活性,如果经营模式转变效果不达预期,可能会对经营业绩带来不利影响。
六、 报告期内主要经营情况
具体参见 本节 “一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明”的相关内容。
(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币
科目 | 本期数 | 上年同期数 | 变动比例(%) |
营业收入 | 1,951,865,382 | 3,294,417,161 | -40.75 |
营业成本 | 1,273,458,597 | 2,219,935,552 | -42.64 |
销售费用 | 59,724,951 | 55,082,924 | 8.43 |
管理费用 | 170,672,310 | 101,127,633 | 68.77 |
财务费用 | -11,605,646 | -43,728,181 | 不适用 |
研发费用 | 299,266,457 | 239,133,537 | 25.15 |
经营活动产生的现金流量净额 | 249,852,123 | 177,582,171 | 40.70 |
投资活动产生的现金流量净额 | -955,464,666 | -3,209,088,680 | 不适用 |
筹资活动产生的现金流量净额 | 1,104,902,376 | 2,862,184,946 | -61.40 |
营业收入变动原因说明:主要系报告期内受到通货膨胀、地缘政治等宏观因素影响,智能手机市场出货量下滑。(未完)