[中报]高新发展(000628):2023年半年度报告
原标题:高新发展:2023年半年度报告 2023年半年度报告 2023年 8月 第一节 重要提示、目录和释义 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人任正先生、主管会计工作负责人张月女士及会计机构负责人（会计主管人员）魏文萍女士声明：保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。 本半年度报告涉及未来计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 公司请投资者认真阅读本半年度报告全文。公司在本报告第三节“管理层讨论与分析”中“公司面临的风险和应对措施”部分描述了公司未来经营中可能面临的风险以及应对措施，敬请广大投资者注意查阅。 公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。 目录 第一节 重要提示、目录和释义 ............................................................................... 2 第二节 公司简介和主要财务指标............................................................................ 7 第三节 管理层讨论与分析 ..................................................................................... 10 第四节 公司治理 ..................................................................................................... 22 第五节 环境和社会责任 ......................................................................................... 23 第六节 重要事项 ..................................................................................................... 23 第七节 股份变动及股东情况 ................................................................................. 31 第八节 优先股相关情况 ......................................................................................... 35 第九节 债券相关情况 ............................................................................................. 36 第十节 财务报告 ..................................................................................................... 37 备查文件目录 本半年度报告中涉及的下列文件和资料均齐备、完整，并备于本公司供查阅： （一）载有法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的公司2023年半年度财务报表； （二）载有公司法定代表人签名的半年度报告文本； （三）报告期内在中国证监会指定报纸上公开披露过的公司所有文件的正本及公告的原稿。 释义
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司简介
1、公司联系方式 公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期是否变化 □适用 ?不适用 公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期无变化，具体可参见 2022年年报。 2、信息披露及备置地点 信息披露及备置地点在报告期是否变化 □适用 ?不适用 公司披露半年度报告的证券交易所网站和媒体名称及网址，公司半年度报告备置地在报告期无变化，具体可参见 2022年年 报。 3、其他有关资料 其他有关资料在报告期是否变更情况 □适用 ?不适用 四、主要会计数据和财务指标 公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据 □是 ?否
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用 公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 3、境内外会计准则下会计数据差异原因说明 □适用 ?不适用 六、非经常性损益项目及金额 ?适用 □不适用 单位：元
□适用 ?不适用 公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项 目的情况说明 □适用 ?不适用 公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经 常性损益的项目的情形。 第三节 管理层讨论与分析 一、报告期内公司从事的主要业务 报告期，公司的主营业务为建筑业和功率半导体业务。功率半导体业务为公司战略转型确立的具备硬核技术的新主业， 建筑业是公司目前第一大收入及利润来源，是公司打造强大功率半导体主业的坚实基础。除此之外，公司目前还有智慧城 市建设、运营及相关服务业务、期货（控股权转让过程中）、厨柜等业务，但收入或利润体量均较小，并且公司也一直在 积极优化、处置与公司整体发展战略不相关的业务、资产，聚焦主业。报告期，公司营业收入为 28.32亿元，较上年同期 23.84亿元增长 18.79%，归属于上市公司股东的净利润为 9,331.32万元，较上年同期增长 36.99%，主要原因系报告期建筑 施工业务利润提升。 （一）建筑业 面对复杂严峻的国际环境和艰巨繁重的国内改革发展稳定任务，经济运行整体回升向好，据国家统计局数据显示， 2023年上半年，全国固定资产投资（不含农户）243,113亿元，同比增长 3.8%。分领域看，基础设施投资增长 7.2%，制造 业投资增长 6.0%，房地产开发投资下降 7.9%，全国建筑业总产值 132,261亿元，同比增长 5.9%，全国建筑业房屋建筑施工 面积 117.8亿平方米，同比下降 1.7%。努力建设成为高标准的国家中心城市是成都市的远景目标，基础建设将持续进行， 且将不断加大投资力度，全面对标世界先进城市，蹄疾步稳建设有全球影响力的智慧城市、国际化公园城市，迈出城市高 质量发展新步伐。成都市将不断深入落实主体功能区战略，“东进”、“南拓”、“中优”、“西控”以及“北改”，提升城市功能能 级。成都市住建局印发的《成都建筑业“十四五”规划》提出全面推进新型建筑工业化发展、推动智能建造发展、积极推行 工程总承包，以建设美丽宜居公园城市为载体，推进绿色建筑发展、推进新型基础设施建设工程，到 2025年，成都全市建 筑产业总产值达到 7,800亿元。作为国家级高新技术产业开发区，成都高新区将落实成都市“三个做优做强”和 “四大结 构”优化调整的决策部署 ，依托成都电子信息产业功能区、成都天府国际生物城、成都新经济活力区、交子公园金融商务 区和成都未来科技城五大产业功能区，继续聚焦公园城市建设、智慧城市建设，深入实施“幸福美好生活十大工程”，持 续推进基础设施建设，加快建设具有世界影响力的一流科技园区。《成都高新南区国土空间总体规划（2021-2035年）（草 案）》提出，加速新川创新科技园建设、拓展瞪羚谷产业社区建设、优化天府数字国际产业社区、启动骑龙湾产业社区建 设、推进冯家湾产业社区建设、加快中和老码头项目改造、助力三元科创活力片区升级、推动玉林芳草老旧社区的智慧化 改造、推动交子公园金融商务区重点片区打造。推动城市有机更新，以“补齐当下短板，增强发展动力”为目标，分类划 定 3个重点更新单元，三元片区、冯家湾片区、中和街道老城区，渐进式推动片区更新；实施高效集约的 TOD综合开发， 围绕 TOD布局多元居住产品，增加人才公寓供给；打造城市特色社区，满足多元化需求，建设交子公园一交子金融商务区、 大源中央公园—大源 CBD片区、新川之心公园—成都 5G智慧城等新活力社区。落实成都市市域公园体系，建立蓝绿交织 的全域公园，统筹建设“综合公园—社区公园一游园”三级城市公园”体系，推进建设瞪羚谷、锦城华阙、三元广通、交 子商圈、大源商渊、中和玉津、朝阳乐跃 7个未来公园社区。2023年，成都高新区将策划实施项目 563个，总投资超 5,600 亿元。其中，作为“三个做优做强”主阵地的“清水河高新技术产业走廊（高新片区）、未来科技城片区、交子金融商圈、 天府国际生物城”四大重点片区全面发力，全年推进建设重大项目 308个，总投资超 3,300亿元，同比增长近 30%。在清水 河高新技术产业走廊突出“调整优化”，持续开展三区协同联动、片区开发等攻坚行动，全力推进京东方成都车载显示基 地等 118个项目建设，总投资超 1,600亿元；在未来科技城突出“功能转向”，加快基础设施建设和高能级项目招引落地， 全力推进天府绛溪实验室等 97个项目建设，总投资达 985.8亿元；在天府国际生物城突出“项目提质”，加快提高城市功 能品质，全力推进华西国际肿瘤治疗中心（重离子质子）等 72个项目建设，总投资达 423.9亿元；在交子金融商圈突出 “能级提升”，加快推动各商业综合体聚势见效，全力推进成都银行总部等 21个项目建设，总投资达 314.5亿元。成都高 新践行新理念、瞄定新目标，提升城市发展能级、推动城市有机更新、实施高效集约的 TOD综合开发、强化城市新形态， 在推动实现公园城市内涵式发展过程中，基础建设的需求持续增加。 公司子公司倍特建安经营的项目主要集中在房屋建筑、市政公用和建筑装饰装修项目，业务区域主要位于成都地区。 倍特建安承揽业务主要采用工程总承包（EPC模式）模式，通过竞标形式获得。一直以来，倍特建安的劣势是在行业内业 务规模较小，受资金规模制约，无法与国内大型建筑企业竞争，即使是与四川本地的领先建筑施工企业如成都建工、华西 集团相比也存在着不小的差距。但经过多年的发展，倍特建安也积累了丰富的建筑施工经验，获得了房屋建筑工程施工总 承包、市政公用工程施工总承包双一级和多领域专业施工承包的较高业务资质。近年来，公司立足于成都高新区，倍特建 安抓住成都高新区建设发展巨大机遇，积极拓展高新区业务，并在管理、人员相匹配的情况下，稳妥发展成都市其他区域 业务，公司建筑业规模和经营效益已发生显著变化，在成都地区有一定竞争优势。
1、紧密围绕成都高新区五大产业功能区的建设需求，建筑施工业务订单持续增加，不断提升项目管理能力，深化提质 增效工作，工程产值逐步释放。报告期，建筑业务毛利率 11.46%，较上年同期增长超过 4个百分点，净利率 6.53%，较上 年同期增长超过 3个百分点。截止 2023年 6月 30日，倍特建安累计已签约未完工订单金额约 355.04亿元，为公司后续利 润来源提供了可靠保障。 2、强化资金统筹运作，降低融资成本，拓宽资金渠道。报告期，公司与成都农村商业银行股份有限公司、国海证券有 限责任公司合作，通过全国首单上市公司“保函+”供应链 ABS产品，助力公司绿色建筑建设发展，引流金融“活水”。 3、报告期，倍特建安整合外部资源，联合多家业内知名建筑设计院，以工程总承包（EPC）模式陆续承揽并实施 新川 V5V9V23V24号地块软件园项目、交子公园金融总部产业园六期项目等多个优质项目并稳步推进存量项目，其中成都高新 区妇幼保健院新建项目成功立项“2023年度四川省建筑业新技术应用示范工程”并上榜“2023年四川省首批智能建造试点 项目”；积极拓展联建资源，承建更多大体量优质项目，与中建三局以联合体方式中标交子公园金融总部产业园七期项目。 以提质增效为导向，推进优化内部组织架构和业务流程、引进并培养优秀人才等管理工作；成立技术中心，推进项目工法 选题，加强了关键技术研发和科技成果转化，推进实施全过程技术创新；积极拓宽采购渠道，扩大集约化采购优势，深化 降本增效，项目管理能力持续提升，工程总承包模式管理经验逐步丰富，业务规模平稳发展。 未来，倍特建安将继续立足于成都高新区，牢牢抓住高新区拥有的强大优质禀赋资源，特别是抓住高新区主导建设的 五大产业功能区的巨大机遇，积极参与公园城市建设，分享成都高新区城市建设发展红利，实现快速发展，同时逐步丰富 业务区域市场，继续与大型央企、省市国有平台公司以合资合作方式实现更大市场的拓展，将建筑施工业务打造成能为公 司提供较高、持续稳定的利润来源，作为公司拓展具有发展前景的战略新兴业务的基础。 （二）功率半导体业务 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率、直流交流转换等。功率半导体位于 电子行业的中游，上游是电子材料和设备。以功率半导体为核心部件的逆变器、变频器等电力电子产品，在工业、消费、 军事等领域都有着广泛应用，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。功率半导体 IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是由双极型三极管 BJT和 MOSFET（金属-氧化物半导体场效应 晶体管）组成的复合全控型电压驱动式功率器件，被称为电力电子行业里的“CPU”。按照工作电压的不同，IGBT在 650V至 6500V的电压范围内的各类应用场景广泛应用，其中工控、新能源汽车、风光储和消费电子是 IGBT的主要应用领 域。根据 Omdia的统计，2021年全球功率半导体市场规模约为 462亿美元，预计至 2024年市场规模将增长至 548亿美元。 作为全球最大的功率半导体消费国，据中国产业信息网数据， 2023 年中国大陆地区 IGBT 市场规模预计达到 290.8 亿元， 同比增长 11.6%。受益于国产替代大背景以及 IGBT下游应用领域多重需求共振，行业空间快速成长，工艺仍在快速更新， 国内厂商市场份额尚低但正在快速追赶海外龙头的技术水平。IGBT应用发展方向主要集中于新能源车、风光储领域以及工 业控制领域。在新能源车领域，汽车电动化带来内部 IGBT应用场景快速增加，相较于传统燃油车中 IGBT主要用于辅助驱 动系统，新能源车汽车中 IGBT的应用场景涵盖牵引逆变器、OBC、高低压辅助驱动系统、DCDC模块、充电桩等，IGBT 使用品类和使用数量均有较大提升，此外，以直流充电桩为代表的新能源汽车附属产业亦对 IGBT拥有强需求。在车规级 IGBT细分领域中，车规级 IGBT相较于工业级 IGBT的性能要求存在显著差异，IGBT传统龙头与后起之秀处于同一竞争起 跑线，为国内厂商提供发展机遇。2023年 7月 31日，国务院办公厅转发国家发改委《关于恢复和扩大消费的措施》的通 知，其中提出：继续扩大新能源汽车消费，加强充电桩等配套设施建设。根据中汽协数据，2023年上半年中国实现新能源 汽车销量 374.7万辆，同比增长 44.1%，预计 2023年国内新能源汽车销量有望突破 900万辆，同比增长超 30%，为 IGBT带 来更大的需求市场。 风光储领域，在全面推进“碳中和”大背景下，预计到 2025年我国风光储领域 IGBT市场规模有望达 到 183亿元，5年 CAGR增速达到 21.94%。工业控制领域，当前我国已在工控领域实现部分产品的 IGBT国产化替代，但 高精尖工控类产品的国产化率仍有上升空间，在工控产品市场稳步增长与国产替代率逐步上升的双向驱动因素下，我国工 控用 IGBT亦将实现稳步增长。从功率半导体经营模式来看，涵盖 IDM（集成设备制造商）、Fabless（无晶圆厂）以及制 造代工和封测代工等多种形式，以满足不同的市场需求和战略定位。当前，国外大厂多采用 IDM模式，国内厂商受限于资 产投入规模以及高固定成本，多采用 Fabless模式。前者研发效率高，但转线灵活度差，后者灵活但研发效率低，Fab-Lite 能够结合二者优势，兼顾生产效率与产品质量。国外如安森美、松下等厂商已开始采用 Fab-Lite模式。2023年，随着“缺 芯”得到一定程度的缓解，海外头部厂家产能恢复， 国内厂家或面临一定程度上的市场竞争，技术提升和持续成本优化， 以及顺应全球电动化趋势，加快车规产品研发和验证速度，将有助于重塑市场格局。 公司子公司森未科技的定位是在功率半导体领域专注 IGBT等功率半导体器件的设计、开发和销售，掌握国际主流IGBT芯片设计技术和加工工艺，以通用产品支撑规模，以高端产品实现高附加值。目前森未科技处于功率半导体产业链中 上游，面向客户提供 IGBT器件、IGBT检测方案、IGBT应用方案。作为公司打造 Fab-Lite模式的重要载体，芯未半导体定 位为功率半导体器件及组件特色产线建设的主体，正在建设功率半导体器件局域工艺线和高可靠分立器件集成组件生产线， 业务方向是为各领域/市场客户提供 IGBT特色高端定制化模块及配套组件代工制造服务，主要面向新能源车、新能源发电 （光伏/风力）及工控领域，通过产线建设旨在搭建企业一体化制造、测试、中试、验证平台，实现从芯片特色工艺到模块、 组件的一条龙中试、量产能力，推动产品快速高效迭代，充分挖掘 IGBT产品能力和潜力，服务产业链上下游客户。功率 半导体器件局域工艺线注重超薄晶圆和高能注入等特色工艺研发攻关，是 IGBT产品核心竞争力的重要工艺支撑，公司已 充分掌握上述超薄晶圆和高能注入等特色工艺所需的核心技术。未来，随着功率半导体器件局域工艺线和高可靠分立器件 集成组件生产线的建设完成，森未科技将充分利用芯未半导体的产能加快客户订单交付，打造差异化、特色化产品以提高 市场竞争力，芯未半导体将优先响应森未科技需求，将其作为新增产能消化的有力支撑。公司将拥有 IGBT等功率半导体 芯片工程研制能力和集成组件封装能力，与标准晶圆及封装委外加工相结合，推动公司功率半导体业务兼具 IGBT芯片设 计、封装、生产能力，以相对较低的投入规模获得生产效率及产品竞争力的提升。 根据前述定位和发展路径，报告期内，功率半导体业务实现营业收入 6,774.83万元，与上年同期相比增长 66.47%，主 要系森未科技经营规模快速增长；芯未半导体目前尚在建设生产线，报告期内尚未对公司收入产生贡献。 1、加强市场开拓力度，进一步拓宽产品应用领域。报告期，森未科技以大电流、高密度产品为重点扩展客户体系，获 取行业标杆客户，2023年上半年新签销售订单 9,662.79万元，较上年同期增长 61%。在工控领域，稳步巩固工控市场份额， 报告期，工业变频和电源领域实现销售 4,288.07万元，较上年同期增长 95%；在新能源领域，大力拓展新能源市场，强化 与国内光伏、储能、充电桩、新能源车等行业头部客户的互动与交流，多款产品送样并处于测试阶段，部分规格性能表现 优异，客户的反馈良好，进一步积聚提升品牌效应，报告期实现销售收入 1,174.41万元，较上年同期增长 98%。 2、夯实 IGBT研发实力，进一步提升产品转化率。以项目制为基本研发制度，推进先进技术预研、强化新产品市场化 研发。先进技术预研紧密结合公司功率半导体板块的产线开发规划，推进高电流密度、高结温的 IGBT和集成化 SiC MOS 器件研发，持续锻造未来产品的核心竞争力；新产品开发以市场为导向，推进电压规格为 650V、750V、950V、1200V、 1700V，单颗芯片电流规格覆盖 50A-300A的产品研发。报告期，运行多项研发项目，重点围绕新能源发电、新能源车领域 不断创新自有产品，在新能源发电领域新增布局 8个产品，覆盖了主流 100kw-350kw范围；在新能源车领域新增布局 5个 产品，覆盖了充电桩、OBC、PTC、主驱等方向。成功开发的高功率密度、低损耗的 650V/75A、1200V/120A IGBT单管已 通过多个新能源大客户测试，尤其是 1200V /120A IGBT单管可根据客户的需求兼容不同封装，已覆盖光伏、储能、电机控 制等多个应用领域；成功开发的 1200V/300A芯片，封装于 1200V/900A IGBT模块，其性能媲美进口 IGBT厂商，可应用于 光伏和储能电站，为全面进入光伏和储能市场增强了推动力。森未科技新申报受理（含审核中）自有专利 8项，截止报告 期末，森未科技作为申请人或共同申请人已取得授权专利 33项。报告期后，森未科技获国家级专精特新“小巨人”企业称 号，并进入“四川省博士后创新实践基地”“四川省新经济示范企业”“成都市企业技术中心”“成都高新区瞪羚企业” 评审阶段。 3、加大人才队伍建设，进一步完善激励约束机制，组建和培养出专业高效的人才团队，构建具有核心竞争力的人才队 伍。报告期，森未科技基于原有研发团队，加强校企地三方联动，以增强产品研发能力为重点，注重科研开发，打造产学 研创新平台，联合电子科技大学成立功率半导体联合实验室，推进前沿领域的研究，将学校师资和科研技术优势转化为公 司的科研优势，快速建强研发实力；持续招募高质量人才，组建多支产品团队，强化对市场和客户需求的理解，以市场和 客户需求驱动新产品的开发，并引进应用类人才，加强客户应用场景下的产品调试和测试能力，截至报告期末，森未科技 功率半导体器件研发技术人员占比超过 55%；此外强化营销队伍建设，构建属地化的营销团队，进一步贴近市场、贴近客 户。芯未半导体则围绕产线、营销两方面推进人才队伍建设，报告期内，招募高级管理、工程技术、生产管理及生产运营 人员等各类人才 60余名，关键岗位人才配置、组织架构及人才梯队初步建设完成。报告期内，芯未半导体各专业领域人员 已根据部门及岗位分工推进各项工作，助力芯未半导体产线建设、生产运营管理及市场拓展。 4、强化全面质量管理，加强与重点供应商的战略合作关系，提升产品供应的稳定性。丰富供应商体系，确保产能供应， 积极导入 FAB厂商和 FRD供应商；加强质量保证，完善质量管控；启动实验室CNAS（国家级）认证，助力质量和技术认 证。 5、芯未半导体继续以项目建设为核心工作，稳步推进成都高新西区高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目建设、 晶圆线和封装线设备采购等工作，助推年底实现模块产线首发产品通线并开始产能爬坡的目标更近一步。 二、核心竞争力分析 如前所述，公司 2022年并购整合功率半导体企业森未科技和芯未半导体，由此正式进入功率半导体行业，建立和提升 关键核心竞争力。森未科技定位于功率半导体领域，专注 IGBT等功率半导体器件的设计、开发和销售，是推动我国 IGBT 功率半导体国产化进程的创新企业，具备较强人才优势、技术优势、丰富的产品库优势、较强的应用能力优势。 1、人才优势。半导体行业是人才驱动型行业，人才是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。森未科技拥有优秀 的研发团队和应用团队。森未科技创始团队深耕 IGBT芯片技术研发与产业化近十年，有大量一线工艺实操经验，对 IGBT 产业各个环节——从芯片设计能力到应用场景，都有深刻的理解。公司的核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组 成，在功率半导体专业领域的经验累积均超过 10年，并持续吸纳专业人才，形成了由清华大学、中国科学院、电子科大、 四川大学，西安交大等国内著名大学的博士、硕士组成的研发队伍。截至本报告期末，公司功率半导体专职研发人员占比 超过 55%，专业的人才队伍为公司的长远稳定发展奠定了良好基础和持续动力。 2、技术优势。森未科技掌握全球范围内 IGBT最新一代“微沟槽+场截止”芯片设计技术。微沟槽 IGBT相对普通型沟 槽 IGBT将芯片关键尺寸大幅缩小，结构设计上引入虚拟沟槽和虚拟栅极，增强注入效率、降低压降的同时有效调节 IGBT 的各类电容比例，实现 IGBT的良好可控性和更宽的安全工作区，同时使得芯片的单位面积电流密度大幅提高。报告期， 公司已成功研发并量产的第 7代“精细沟槽 + FS技术”芯片，具有更低的饱和压降，电流密度超过 300A/cm2，性能达到 国际领先水平。除累计取得多项专利外，森未科技在结构设计、版图设计、工艺流程设计、工艺参数、工序监控、测试标 准、质量管控流程等方面形成了的一系列非专利技术。森未科技取得了多项自主研发的 IGBT核心技术成果，积累了丰富 的经验、技术。截至本报告期末，森未科技作为申请人或共同申请人已取得授权专利 33项。 3、丰富的产品库优势。森未科技通过早期持续不断的研发积累了丰富的产品库，拥有近百个产品型号的 IGBT产品序 列，成功开发并批量出货 650~1700V的芯片 100多种，并凭借过去十年来积累的基础数据，自主建立了“IGBT”的 IP芯 片库，基于现有产品序列，森未科技可以快速开发出新的产品型号，快速满足市场需求，产品在多个应用领域实现国产替 代，产品性能、技术实力得到市场验证和客户认可。丰富的产品储备是森未科技快速切入新客户的重要支撑，也是森未科 技保持与现有客户长期稳定合作的重要基础。基于此，森未科技在客户需求响应速度、产品适应性、产品迭代能力及持续 服务能力等方面都具有一定的市场竞争优势。 4、团队具备较强的应用能力。在传统的工业应用领域，存量市场产品和系统基本已经定型，因为行业惯性，芯片规格 已经定型，所以可以 pin to pin进行模仿和替换。而在风光储和新能源汽车行业，下游的产品还在快速发展更新，客户有需 求采用更能发挥自身逆变器或电驱动能力的新型 IGBT产品，需要供应商掌握底层的芯片技术能力和器件应用能力，才能 向客户提供优质的产品和技术支持，与客户共同合作开发新的产品型号。因此，风光储和新能源汽车两个市场给了国内企 业自定义产品、优化自身产品的机会。森未科技的基因是从应用场景出发，去定义芯片、设计芯片、实现芯片，以应用的 可靠性为基点，详细剖析客户需求，能使产品始终围绕应用需求，追求产品的最优性价比，从而使得芯片和器件产品更加 适应终端客户的实际应用场景。 三、主营业务分析 概述 参见“一、报告期内公司从事的主要业务”相关内容。 主要财务数据同比变动情况 单位：元
□适用 ?不适用 公司报告期利润构成或利润来源没有发生重大变动。 营业收入构成 单位：元
注 2：功率半导体业务于 2022年 6月 30日并入公司，公司上年同期利润表和现金流量表未体现功率半导体业务数据。 注 3：本报告期境外收入主要系森未科技出口 IGBT模块所致。 占公司营业收入或营业利润 10%以上的行业、产品或地区情况 ?适用 □不适用 单位：元
内公司从事的主要业务”建筑业相关情况。 公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近 1期按报告期末口径调整后的主营业务数据 □适用 ?不适用 四、非主营业务分析 □适用 ?不适用 五、资产及负债状况分析 1、资产构成重大变动情况 单位：元
□适用 ?不适用 3、以公允价值计量的资产和负债 ?适用 □不适用 单位：元
无 报告期内公司主要资产计量属性是否发生重大变化 □是 ?否 4、截至报告期末的资产权利受限情况 详见本报告之财务报表附注之五.61。 六、投资状况分析 1、总体情况 ?适用 □不适用
□适用 ?不适用 3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况 ?适用 □不适用 单位：元
（1） 证券投资情况 □适用 ?不适用 公司报告期不存在证券投资。 （2） 衍生品投资情况 □适用 ?不适用 公司报告期不存在衍生品投资。 5、募集资金使用情况 □适用 ?不适用 公司报告期无募集资金使用情况。 七、重大资产和股权出售 1、出售重大资产情况 （未完）  |