[中报]新洁能(605111):2023年半年度报告
原标题:新洁能:2023年半年度报告 无锡新洁能股份有限公司 2023年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司全体董事出席董事会会议。 三、 本半年度报告未经审计。 四、 公司负责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无。 六、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 七、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、 重大风险提示 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“可能面对的风险”的内容。 十一、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 31 第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 33 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 35 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 47 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 56 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 57 第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 58
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司信息
二、 联系人和联系方式
三、 基本情况变更简介
四、 信息披露及备置地点变更情况简介
五、 公司股票简况
六、 其他有关资料 □适用 √不适用 七、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1、2023年第二季度，公司实现营业收入 384,808,894.09元，环比第一季度增长 2.98%；实现归属于上市公司股东的净利润 82,660,261.19元，环比第一季度增长 27.26%。 2、由于 2022年度公司的股份数量因送股发生变动，根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 9号——净资产收益率和每股收益的计算及披露》（2010年修订）规定，以调整后的股数重新计算并列示上年同期的的基本每股收益、稀释每股收益。 八、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 九、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、 其他 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 1、主营业务 公司的主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET （SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动 IC、电源管理 IC 等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号 2000余款，电压覆盖 12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、算力服务器和数据中心、工控自动化、消费电子、5G通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。 2、经营模式 公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。 3、行业情况 （1）所处行业 公司主要供应高性能、高质量、高可靠性半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业(C39)”大类下“半导体分立器件制造(3972)”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012 年修订），公司所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。 分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在 22%-25%之间。 半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、光伏储能、智能装备制造、物联网、5G等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。 根据 Omida 数据显示，全球功率半导体市场规模，预计 2024 年市场规模将达到 532.19 亿美元；其中中国功率半导体市场规模，预计 2024 年市场规模将达到 195.22 亿美元，占全球市场约为 36.68%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。 ①按产品品类 功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率 IC和功率模块三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等。据中商产业研究院数据，功率半导体分立器件中，以 MOSFET 和 IGBT 为代表的晶体管占比最大，约 28.8%。以 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 为代表的功率器件需求旺盛，市场规模如下：
②按应用领域 受益于新能源汽车和充电桩、光伏逆变及储能、服务器及数据中心等市场领域的快速发展，工业自动化、消费电子等行业的稳步拓展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。 新能源汽车：智能化、电动化驱动功率器件市场增长 汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐步成熟，产品向多元化发展。随着新能源汽车购置税减免政策的延续、用车环境优化、限牌限号地方政策等因素的催化下，新能源车的优势逐渐显露，预计未来渗透率将不断提高。据中汽协发布的数据显示，2023年 1至 6月，我国新能源汽车产销分别完成 378.8万辆和 374.7万辆，同比分别增长 42.4%和 44.1%，市场占有率达到 28.3%。 汽车受智能化、电动化、网联化和软件化等产业趋势驱动，电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的 2至 3倍。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和 OBC （车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 均有广泛使用。根据据半导体行业纵横数据，混动和纯电动汽车上功率半导体价值量分别占单车半导体总价值的 40%和 55%。据英飞凌统计数据，纯电动汽车半导体价值量预估在 1000 美元左右，而功率半导体达 550-600 美元左右。 充电桩：政策利好密集释放，迎来高景气周期 受益于新能源汽车快速增长，与之配套的充电桩市场亦呈现快速发展态势，城市充电设施持续稳步增加，农村公共充电基础设施受政策利好刺激，也在快速发展，作为充电基础设施的充电桩产业，迎来了蓬勃发展的机遇期。根据中国充电联盟数据，2022年我国车桩比为 2.6:1，预计到2027年车桩比有望达到 2:1。随着全球新能源汽车加速渗透，预计 2022年至 2025年全球充电桩年增量将由 410万座/年增至 1094万座/年，我国充电桩年增量将由 250 万座/年增至 580 万座/年。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的 50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。 光伏储能：加速渗透，前景可期 随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，中国政府一直致力于推动清洁能源发展，光伏产业是其中的重要组成部分。为促进光伏行业的发展政府出台了一系列支持政策，包括补贴、税收优惠和市场准入等。中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上具有竞争力，出口量持续增长。 中高压 MOSFET、IGBT及碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。据中国光伏行业协会数据，至 2025年，中国新增光伏装机保守预测为 90GW，同比增长 10%。据未来智库数据预测，2025年中国光伏逆变器市场规模达 196 亿元。据中商产业研究院数据，光伏逆变器主要由机械件、电感和半导体器件构成，其中功率模块及分立器件成本占比约为 9%。 服务器及数据中心：爆发式增长带来广阔空间 服务器根据场景需求变化，经历通用服务器、云服务器、边缘服务器、AI服务器四种模式。 国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推 AI服务器市场及出货量高速增长。 以 SGT MOSFET、SJ MOSFET、Gate Driver、DrMOS为代表的功率半导体在 CPU/GPU供电、同步整流、PFC、LLC、散热风扇等服务器重要部件中有广泛应用。国产服务器厂商全球市场份额占比超 35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。据 IDC预测，2023年全球 AI服务器市场规模为 211亿美元，预计 2025年达 317.9亿美元，2023-2025年 CAGR为 22.7%；预计 2025年中国 AI服务器市场规模达到 103.4亿美元。据 Trend Force预测，2026年全球 AI服务器出货量将进一步提升，2022-2026年 CAGR达到 10.8%。 工业自动化：工业 4.0智能转型带动功率半导体增长 我国处于工业 4.0快速发展时期，在《“十四五”智能制造发展规划》中政府提出明确发展目标：到 2025年，规模以上制造业企业基本普及数字化，重点行业骨干企业初步实现智能转型。到2035年，规模以上制造业企业全面普及数字化，骨干企业基本实现智能转型。 自动化是工业 4.0的关键之一，而功率 IGBT作为实现整流、变频的主要器件之一在工业 4.0的实现当中发挥着不可替代的作用。 此外，功率半导体在消费电子、5G通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等领域均有大量应用，市场规模将随经济发展、技术迭代、新应用普及等因素而稳步提升。 （3）行业特点及发展趋势 在功率半导体设计制造环节，目前主要有 IDM 模式和 Fabless模式，两方都在发挥各自优势，新洁能自成立以来始终主要采用 Fabless的经营模式。IDM模式一般重资产，工厂投入相对较大，对产能规划要求相对精准可控，对各类专业人才需求大，在产能协同、成本控制、需求响应速度等方面具有较强优势，但也易受制于巨额的固定投入。而 Fabless模式下，设计公司和 Foundry可以共同合作开发先进工艺以提升产品竞争力。新洁能作为国内头部设计公司，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达到了良好效果。 功率半导体自诞生以来，从基材的迭代、微沟槽结构的优化、先进封装、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的功耗及损耗。 发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口逐步转向自给自足。在中高端领域，如 SGT MOSFET、SJ MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家仍主要追随海外厂家技术发展路线并积极谋求创新。据 Yole 数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期，给国内厂家留有充足的发展时间，有望成为最先被国产化的领域之一。 二、 报告期内核心竞争力分析 √适用 □不适用 1、研发实力优势 自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有 187项专利（其中美国专利 1项），集成电路布局图 34项，软件著作权 1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与 IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在 IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文 20篇，其中 SCI收录论文13篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端 IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆 IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于 12英寸芯片工艺平台的 MOSFET产品，实现基于 12英寸芯片工艺平台的 IGBT产品的量产，并新增开发多款模块产品及功率 IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，逐步实现对 SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 2、产品系列优势 公司目前主要产品为 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、沟槽型功率 MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖 12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中 MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在 IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经在客户端送样测试中；在化合物半导体领域，公司的 SiC MOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaN HEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有 2000余款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。 3、产品品质优势 公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了 ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET”、“超结功率 MOSFET”、“沟槽型功率 MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过 AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。 4、产业链协作优势 产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得 IGBT、MOSFET主要基于 8英寸以及 12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。 公司目前是国内 8英寸和 12英寸工艺平台上 IGBT和 MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。 5、进口替代优势 国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET以及超结功率 MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对 MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。 6、品牌和客户优势 公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、光伏储能、数据中心、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。 7、人才优势 公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长兼总经理朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于 8英寸和 12英寸芯片工艺平台对 MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在 MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。 公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 三、 经营情况的讨论与分析 报告期内，公司共实现营业收入 75,848.51万元，较去年同期减少了 11.92%；其中主营业务收入 75,640.06万元，较去年同期减少了 11.96%；归属于上市公司股东的净利润 14,761.29万元，较去年同期减少了 36.98%；扣除股份支付影响后的净利润为 17,048.85万元，较去年同期减少了36.00%。 2023年第二季度，公司实现营业收入 38,480.89万元，环比第一季度增长 2.98%；实现归属于上市公司股东的净利润 8,266.03万元，环比第一季度增长 27.26%。 （一）市场开发与销售 2023年上半年，公司下游应用市场的整体景气度延续了 2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战。基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、服务器电源和数据中心等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在高端市场的应用规模及影响力。 ? 产品结构方面： （1）IGBT产品作为光伏储能行业的重点应用产品，虽然光伏储能行业上半年需求有所减弱，但公司积极调整结构进行应对，拓宽了更多的应用领域，加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车等领域的销售力度，实现了 IGBT产品销售规模的持续增长。2023年上半年公司的IGBT产品实现了销售收入 18,205.67万元，相比去年同期增长了 45.43%，销售占比从去年同期的 14.57%提升到今年的 24.07%；此外，公司的新品大电流 IGBT单管逐渐上量，IGBT模块产品在客户端的验证顺利推进，更大功率的 IGBT模块产品亦在有序开发中。 （2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，受到的市场波动影响也较大。对于此，公司一方面持续加大研发投入，实现产品平台的升级与型号拓展；另一方面主动参与到市场价格竞争中，给客户提供更具性价比的产品方案，并加强与客户的沟通与服务，进一步提高客户的黏性，促进在重点领域的销售规模和市场份额得以扩大；如：在新能源汽车领域，公司已经覆盖比亚迪汽车的全系列车型，在国产供应商份额中处于领先地位，与联合电子、伯特利等 tier1厂商合作实现深入合作，并导入到哈曼卡顿、法雷奥等国际 tier1厂商；在算力服务器领域，公司已经与长城、浪潮等公司展开积极合作，并有望进一步放大规模；其他如视源股份等家电客户、明纬电子等工控客户，公司均实现了销售份额的进一步提升。2023年上半年，SGT产品实现了销售收入 25,682.43万元，相比去年同期下降了28.63%，销售占比从去年同期的 41.89%减少到今年的 33.95%。随着公司在多个细分领域的份额拓展，预计下半年 SGT产品的销售规模有望提升。 （3）SJ-MOSFET产品方面，公司的产品工艺平台已经升级至第四代，在国内处于领先水 平，产品系列得以进一步丰富，目前已处于快速上量阶段；随着公司与客户合作的进一步深入， 客户认可度和黏性的增加，公司的 SJ-MOSFET产品产品同样在新能源汽车和充电桩、算力服务 器、家电、高端工控等应用领域的市场份额取得了长足进展，产品销售规模有望跨上新的台阶。 2023年上半年实现销售收入 9,440.47万元，相比去年同期减少了 4.58%，销售占比从去年同期 的 11.52%提升至 12.48%。 （4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，面临的客户群体众多且 细分应用领域多样。在此基础上，公司亦对 Trench-MOSFET产品进行了进一步开发升级，成功 导入至新能源汽车等新兴应用领域并实现批量销售，促进了在相关应用领域产品市场份额的提 升。2023年上半年实现销售收入 21,289.79万元，相比去年同期下降了 22.26%，销售占比从去 年同期的 31.88%降低至 28.15%。 ? 市场结构和客户结构方面： 2023年上半年，公司进一步加大新能源汽车和充电桩、光伏储能、服务器电源等领域的拓 展力度，同时，公司亦积极发展工业自动化、智能短距离交通、消费电子应用等下游应用领域的 业务机会，推动了公司的稳健发展。从具体结构来看： 汽车电子方面：2023年以来，公司与比亚迪的合作转向直供，并应用至比亚迪的全系列车型中，公司通过加大汽车客户的销售人员配置与支持力度，实现了产品生产组织、品质管控、销售发货、到客户使用的全过程跟踪与服务协调，并得以进一步扩大合作规模、拓展合作深度；公司的车规产品已大批量交付近 60家 Tier1厂商及终端车企，除域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等应用外，新增导入线控刹车系统、车身控制模块、变速箱控制器、电控悬架等动力安全领域。2023年下半年公司在汽车电子领域的销售规模预计将得到快速提升，目标成为汽车市场出货品种最多、出货数量最大的本土品牌功率器件设计公司。 光伏储能方面：相比于去年，2023年上半年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等，光伏储能海外市场的需求出现部分下滑，同时国内外 IGBT产品供应商的产能增加，市场的供需关系发生一定变化。面对市场的实际情况，公司一方面保持与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源、昱能科技等头部客户的紧密合作，及时了解市场波动及客户需求情况，提供更具性价比的合作方案；另一方面加强新产品的开发，积极推动更多大电流单管 IGBT和模块产品的放量进度，在保证光伏储能领域的国产 IGBT单管龙头地位的同时，以尽快成为光伏储能领域的国产 IGBT模块的第一品牌。 （二）研发创新 2023年上半年，公司进一步加大了研发投入，当期共计研发投入 4,691.76万元，相比去年同期增长了 22.40%，占当期营业收入的比例为 6.19%。 2023年上半年，公司（含子公司）新增授权专利 18项，其中发明专利 13项、实用新型专利 5项；当期申报专利 4项，其中发明专利 4项；新增产品 200余款。截至目前，公司共有 187项专利，34项集成电路布局设计，2000余款产品。 ? IGBT平台： （1）使用第七代微沟槽场截止技术的 650V 逆导型 IGBT（RC-IGBT）产品已通过终端客户测试，开始批量投产； （2）创新设计具有更大工艺容宽的第七代 650V微沟槽高功率密度 IGBT工艺平台在华虹 8寸与 12寸平台工程流片，所有直流参数已达到设计预期，正在进一步优化动态参数特性； （3）创新设计具有更大工艺容宽的第七代 1200V微沟槽更高功率密度 IGBT工艺平台在华虹 8寸与 12寸平台工程流片，所有直流参数已达到设计预期，正在进一步优化动态参数特性； （3）应用于光伏逆变领域的业界最大电流的 1200V TO-247plus封装单管产品 1200V 160A产品在 12寸平台工程流片，所有直流参数已达到设计预期，正在进一步优化动态参数特性； （4）大功率模块用高元胞集成度 1200V 200A芯片已在华虹 8寸平台进行工程流片，所有直流参数已达到设计预期，正在进一步优化动态参数特性； （5）独创设计具有正温度系数的模块用 650V和 1200V高性能快恢复二极管（FRD）芯片已进入风险试产，1000V 平台正在开发中。 （6）基于 650V和 1200V平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片，多款应用于光伏逆变领域的 IGBT模块产品正在开发，其中应用在 110KW光伏逆变器上的第一款产品450A/650V已开发完成，客户测试正在进行中，预计 9月可完成第一阶段的性能测试。 ? SJ-MOS平台： （1）针对新一代新能源汽车 OBC、充电桩、高能效中大功率服务器电源和工业电源、储能电源、变频家电等行业需求，全面拓展第四代沟槽栅超结 MOSFET系列产品在 8寸和 12寸平台的电压、电流、封装外形规格，器件核心综合性能优值（FOM）较同规格最优竞品降低达25%，形成了电压覆盖 500V、600V、650V、700V，导通电阻覆盖 10毫欧姆(mΩ)~2欧姆(Ω)，封装外形新增 TOLL、DFN8*8、TO-247-4L等 100余款的立体产品系列，产品处于快速爬坡上量阶段； （2）在第四代沟槽栅 SJ-MOS平台基础上，进一步创新优化了 600V、650V特征导通电阻（Rsp），相较于第四代产品，器件特征导通电阻进一步降低 12%，达到华虹同平台最优水平； （3）第四代深沟槽 SJ-MOS 800V平台已在 8寸平台工程流片，预计 2023年底前完成该工艺平台开发； （4）第五代 SJ –MOS平台工程流片中，650V产品特征导通电阻可以降低至 0.95欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，正在进行终端结构优化和良率提升。 ? SGT-MOS平台： （1）针对车规应用的 P60V SGT MOS平台完成工艺固化，参数性能业界领先，可靠性达到车规级，进入风险量产阶段； （2）业界最小元胞尺寸 N25V第三代 SGT MOS平台基本固化，特征导通电阻 Rsp降至 3.8毫欧平方毫米（mΩ.mm2）； 业界最小元胞尺寸 N30V第三代 SGT MOS平台固化，Rsp较上一代产品降低 39%，正在进行电流规格拓展，形成系列化产品； 业界最小元胞尺寸 N40V第三代 SGT MOS平台晶圆测试结果符合预期，正在进行封装评估； N25V~N40V第三代 SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、大功率数据中心、AI服务器、通讯电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用。 （3）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性 N150V 第三代 SGT MOS完成工艺开发，其特征导通电阻（Rsp）可以低至 85毫欧平方毫米(mΩ.mm2)，相较于同规格最优竞品小40%以上，器件核心综合性能优值（FOM）较同规格最优竞品降低达 25%以上，产品主要针对A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用。 （4）基于 12寸平台，达到业界领先水平的低品质因子、高鲁棒性 N60V、N85V、N100V第三代 SGT MOS均在进行产品工程流片阶段，以 100V产品为例：其特征导通电阻（Rsp）可低至 35毫欧平方毫米(mΩ.mm2)，相较于同规格最优竞品小 20%以上，栅极电荷（Qg）较同规格最优竞品降低 15%以上，器件核心综合性能优值（FOM）较同规格最优竞品降低达 30%，该平台预计陆续会于 2023年第三季度和第四季度完成工艺流程固化，产品主要针对混动新能源车48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、 轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。 ? Trench-MOS平台： （1）在 8寸平台完成了具有创新结构的高可靠性 P60V~150V器件结构设计和工艺固化，已出多套产品版，工程流片中； （2）8寸平台 0.75-0.8um单位元胞尺寸（cell pitch）P30~40V产品平台设计与工艺固化，多套产品版进入风险试产阶段； （3）8寸平台 0.55um单位元胞尺寸（cell pitch）N12V产品平台工程流片中，器件设计参数性能达到业界领先； （4）在 12寸平台完成多款车规级产品开发，产品进入风险量产阶段；在 12寸平台评估开发 pitch小于 0.75um NMOS产品工艺平台。 汽车电子方面：SGT-MOS、Trench-MOS、SJ-MOS、IGBT四大产品平台中已有近 120款典型产品基于 APQP完成了产品开发，且多数已通过了 AEC-Q101 车规可靠性考核，其电压范围覆盖了 P20V、P30V、P40V、P60V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V 、N150V、N650V、N1200V等，并在持续持续扩充增量中。公司持续基于 IATF16949汽车质量管理体系对车规产品的整个生命周期进行管理。在客户需求的基础上，通过内部顾客导向过程，接收客户需求，运用 APQP、PPAP、DFMEA等工具实现产品的开发；在资源管理过程中，基于管理评审、经营计划等，协调各方面资源配置保证车规产品快速高质量生产；在支持过程中，基于VDA6.3/VDA6.5对产品的过程及成品进行验证，包括可靠性的测试、车规设备的认证、人力资源的支持和预见性维护和保养等，通过管控关键的生产过程来保证车规产品质量。公司致力于向汽车客户提供零缺陷产品，持续满足客户需求，提高客户满意度。 第三代半导体功率器件平台：公司已开发完成 1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列产品，新开发 650V SiC MOSFET工艺平台，用于新能源汽车 OBC、光伏储能、工业及自动化等行业，相关产品通过客户验证，并实现小规模销售；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN 产品开发中。 报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，并积极引入高学历人才，以进一步加强新能源汽车和充电桩、光伏储能、服务器电源和数据中心、高端工控等相关应用领域的产品开发力度。 （三）生产运营 报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2023年以来，随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，与各主要供应商继续保持良好合作关系，并开发更多的封测领域供应商，为后续进一步加强合作提供了供应保障。 ? 芯片代工环节： （1）公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，在华虹宏力一厂、二厂、三厂、七厂均批量投产。公司已成为国内 8英寸、12英寸芯片工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司； （2）功率 IC产品，公司已与国内外各代工厂建立了良好合作关系，并实现批量投产； （3）公司已与相关 CP测试公司建立合作，拥有了 12寸产品的 CP测试能力； （4）为满足 IGBT大电流单管与 IGBT大功率模块的差异化合封需求，公司自主研发多款FRD产品，并积极开发新的 FRD芯片代工资源，协调 FRD供应商增加更多产能。公司已与与杭州立昂微电子股份有限公司实现合作，目前已有 18款 FRD产品，部分型号已进入风险量产阶段； （5）公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前 SiC MOSFET产品和 GaN HEMT产品均已实现工程产出。 ? 封装测试环节： （1）汽车电子产品方面，公司已与日月光、成都集佳、长电科技、子公司电基集成等多家具备车规供应能力的封测厂展开合作，完成多个产品封装形式的规模量产，并进一步扩大了车规产品的规模； （2）功率 IC产品，公司均已开发了相应的封装与测试外协厂，以实现功率 IC产品的快速放量； （3）子公司金兰半导体的第一条 IGBT模块封装测试生产线已经建设完成，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，目前已建设产能为 1万个模块/月，将于下半年逐步补充配套设备，以实现达产产能 6万个模块/月。 （四）子公司发展情况 1、电基集成 公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品。从设立之初，电基集成就特别注重车规级封测产线的建设与管理，并顺利通过 SGS IATF 16949体系认证。 2023年上半年，电基集成实现收入 4,790.21万元，较上年同期增长约 22.76%。完成IATF16949 汽车质量体系换证审核，全面提升公司的 ISO14001环境管理体系、ISO45001 职业健康安全管理体系和 IECQ QC080000有害物质管理体系执行效果；全面完善公司的 EAP设备自动化系统、TMS 测试管理系统和条码系统，加快建设智能工厂和数字化车间建设，推动公司向更高标准和更专业的方向发展。 SOP8和 PDFN3.3x3.3 等新封装形式目前处于工程验证和小批量阶段，sTOLL 等无引脚先进功率封装已经进行了设备的调试安装，并针对车载和工业设备应用的大功率双面散热封装项目进行了立项。 2、金兰半导体 公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，致力于先进半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、光伏储能、5G基站电源、工业电源等对功率模块产品的需求持续增加，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。 目前金兰半导体已建立一支完整的包括产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队， 多数成员拥有十几年丰富的 IGBT模块产品及工艺开发经验以及生产品质管理经验；已完成建设第一条 IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，目前设计产能为 1万个模块/月，2023年下半年逐步补充相关配套设备，以实现达产产能 6万个模块/月。 相关产品的开发工作进展顺利，基于 650V和 1200V平台、使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片、多款应用于光伏逆变领域的 IGBT模块产品正在有序开发，其中应用于 110KW光伏逆变器上的第一款产品 450A/650V已开发完成，客户测试正在进行中，预计 9月可完成第一阶段性能测试；在 2023年下半年，计划完成应用于光伏逆变领域 1200V平台的 2款产品开发，并在 2023年底前完成在客户处第一阶段性能测试； 1000V平台用于光伏逆变器和光伏储能的多款产品也列入 2023年下半年开发计划，计划在 2023年底或 2024年初完成开发送客户测试；并尽快推动产品的量产以及产能爬坡工作。 3、国硅集成 公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自公司实现控股以来，国硅持续加强研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过 ISO9001体系认证。 目前，国硅集成已实现量产 25V低侧驱动系列产品 18款，适用于光伏 MPPT应用，家电PFC应用；量产 40V桥式驱动系列产品 4款，适用于中小功率风机、中低压水泵；量产 250V半桥驱动芯片 10款（2023年上半年新增 4款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片 12款（2023年上半年新增 6款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增 250V高侧驱动芯片产品线（推出 4款新品），适用于重卡、高速电摩等应用。2023年上半年国硅集成累计完成工程批验证 25V~700V桥式驱动芯片 12款，预计今年四季度实现量产。 2023年上半年，国硅集成入选了江苏省“创新型中小企业”、江苏省“科技型中小企业”，入库无锡市“雏鹰企业”，顺利通过 2023年度的江苏省“双创人才”拨款考核。 （五）内部管理 2023年上半年，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，树立良好资本市场形象。 （六）投资情况 公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。 2023年上半年，公司与无锡临芯投资有限公司共同投资设立无锡临尚创业投资合伙企业（有限合伙），其中公司出资 1,000.00万元，主要作为公司整合优质项目资源模式的一种探索创新，符合公司未来发展战略规划，有利于抓住行业快速发展的契机，拓宽投融资渠道，整合多方资源，可以进一步增强公司的整体实力。除此以外，公司不存在其他对外投资情形。 （七）主要荣誉奖项 2023年上半年，公司新增荣誉和奖项如下： 2023年国家级专精特新小巨人企业； 2023年度江苏省工业和信息产业转型升级专项资金专精特新中小企业能力提升项目 2023年度无锡高新区（新吴区）“飞凤人才基金（组织人才专项） 2022年第二批无锡高新区（新吴区）科技领军人才创新创业项目-创业类 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项 □适用 √不适用 四、报告期内主要经营情况 (一) 主营业务分析 1 财务报表相关科目变动分析表 单位：元 币种：人民币
营业成本变动原因说明：本期营业成本相对稳定，主要系销售的产品结转对应成本。 销售费用变动原因说明：主要系以前年度销售人员股权激励的股份支付费用分配至本期，相较去年同期有所降低所致。 管理费用变动原因说明：主要系以前年度管理人员股权激励的股份支付费用分配至本期，相较去年同期有所降低所致。 财务费用变动原因说明：主要系公司银行存款增加，本期通过现金管理增加利息收入所致。 研发费用变动原因说明：主要系公司本期持续加大研发投入所致。 经营活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司本期购买商品、接受劳务支付的现金减少所致。 投资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司本期购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金，以及进行现金管理、对外投资支付的现金增加所致。 筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系公司去年同期收到股权激励款项和子公司吸收少数股东投资的现金，而本期不存在筹资活动产生的现金流入所致。 投资收益变动原因说明：主要系公司去年同期存在处置其他非流动金融资产取得的投资收益所致。 资产减值损失变动原因说明：主要系公司本期计提的存货跌价准备增加所致。 2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用 (二) 非主营业务导致利润重大变化的说明 □适用 √不适用 (三) 资产、负债情况分析 √适用 □不适用 1. 资产及负债状况 单位：元
注（1）交易性金融资产变动原因说明：主要系报告期内公司购买保本浮动型理财所致。 注（2）其他应收款变动原因说明：主要系报告期内公司应收的押金及保证金减少所致。 注（3）其他流动资产变动原因说明：主要系报告期内公司预缴及待抵扣税款增加所致。 注（4）在建工程变动原因说明：主要系报告期内公司新厂房建设工程以及待安装通用设备增加所致。 注（5）应付票据变动原因说明：主要系报告期内公司应付银行承兑汇票增加所致。 注（6）合同负债变动原因说明：主要系报告期内公司预收货款有所减少所致。 注（7）应付职工薪酬变动原因说明：主要系报告期内公司向员工发放年终奖金导致应付短期薪酬减少所致。 注（8）应交税费变动原因说明：主要系报告期末公司应交增值税和企业所得税减少所致。 注（9）其他应付款变动原因说明：主要系报告期末公司应付限制性股票回购义务减少所致。 注（10）其他流动负债变动原因说明：主要系报告期末公司已背书未到期的信用等级较低的银行承兑汇票减少所致。 注（11）递延所得税负债变动原因说明：主要系报告期内对外投资形成的其他非流动金融资产增加导致的暂时性差异增加所致。 2. 境外资产情况 √适用 □不适用 (1) 资产规模 其中：境外资产 556,988.36（单位：元 币种：人民币），占总资产的比例为 0.01%。 (2) 境外资产占比较高的相关说明 □适用 √不适用 其他说明 无 3. 截至报告期末主要资产受限情况 √适用 □不适用 单位：元
4. 其他说明 □适用 √不适用 (四) 投资状况分析 1. 对外股权投资总体分析 √适用 □不适用 截至 2023年 6月末，公司的长期股权投资净值为 487,020,610.00元（母公司口径），相比期初增加了 4,181,423.55元，主要系报告期内子公司股份支付增加所致。 (1).重大的股权投资 □适用 √不适用 (2).重大的非股权投资 □适用 √不适用 (3).以公允价值计量的金融资产 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
证券投资情况 □适用 √不适用 证券投资情况的说明 □适用 √不适用 私募基金投资情况 √适用 □不适用 2021年 7月 19日，公司披露了《关于拟与专业投资机构共同投资合伙企业暨关联交易的公告》（公告编号：2021-029），公司与上海临芯投资管理有限公司共同投资嘉兴临盈股权投资合伙企业（有限合伙）。截至本报告期末，公司共出资 1,060.00万元，嘉兴临盈股权投资合伙企业（有限合伙）按照合伙协议约定已投资于江苏富乐华半导体科技股份有限公司。 2023年 6月 13日，公司披露了《关于拟与专业投资机构共同投资合伙企业暨关联交易的公告》（公告编号：2023-025），公司与无锡临芯投资管理有限公司共同投资无锡临尚创业投资合伙企业（有限合伙）。截至本报告期末，公司共出资 1,000.00万元，该基金尚未展开投资。 衍生品投资情况 □适用 √不适用 (五) 重大资产和股权出售 □适用 √不适用 (六) 主要控股参股公司分析 √适用 □不适用 单位：万元
注：1、根据投资协议，公司对常州臻晶已提名并派驻董事，能够对常州臻晶产生重大影响。 2、根据公司于 2022年 12月 29日披露的《对子公司国硅集成技术（无锡）有限公司增资暨关联交易的公告》（公告编号：2022-073），国硅集成增资后，公司对其直接持股比例调整为44.6250%，同时公司实际控制人朱袁正先生能够控制的有限合伙企业持有国硅集成股份比例为5.0000%。截至 2023年 6月 30日，工商登记已办理完成，公司注册比例为 44.6250%；由于本次增资方尚未实际出资，公司的实际出资比例仍为 52.5%，实际拥有的表决权比例为 52.5%。（未完）  |