[中报]芯导科技(688230):2023年半年度报告

时间:2023年08月30日 17:58:50 中财网

原标题:芯导科技:2023年半年度报告

公司代码:688230 公司简称:芯导科技 上海芯导电子科技股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”部分内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人(会计主管人员)张娟声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 33
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 35
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 36
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 53
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 60
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 61
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 62



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表
 经公司负责人签名的公司2023年半年度报告文本原件
 报告期内在指定信息披露平台上公开披露过的所有公司文件的正本及 公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
芯导科技、公司、本公司上海芯导电子科技股份有限公司
无锡芯导芯导科技(无锡)有限公司,公司全资子公司
莘导企管上海莘导企业管理有限公司
萃慧企管上海萃慧企业管理服务中心(有限合伙)
中国证监会、证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《上海芯导电子科技股份有限公司章程》
报告期、本报告期、本年度2023年1月1日-2023年6月30日
报告期末、本报告期末2023年6月30日
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
半导体产品广义的半导体、电子元器件产品,包括集成电路芯 片和其他电子元器件产品。
集成电路、ICIntegrated Circuit即集成电路,是采用半导体制 作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体 管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布线或 遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。
功率半导体对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的 半导体器件。
芯片集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、 封装、测试后的结果。
TVSTransient Voltage Suppresser,即瞬态电压抑制 器,是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它 具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌 吸收能力,可用于保护设备或电路免受静电、电感 性负载切换时产生的瞬变电压,以及感应雷所产生 的过电压。
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金属氧化物半导体场效应晶体管, 简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模 拟电路与数字电路的场效晶体管(Field- effecttransistor),依照其“通道”的极性不同, 可分为N-type与P-type的MOSFET。
GaN HEMTGaN(氮化镓) HEMT即 High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管) 是一种用于新 一代功率元器件的化合物第三代半导体材料。与普 通的半导体材料硅相比,具有更优异的物理性能。
肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极 管(简称 SBD),在通信电源、变频器等中比较常 见。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二 极管芯片,具有反向恢复时间极短(可以小到几纳 秒),正向导通压降更低(仅0.4V左右)的特点。
ESD静电保护二极管,是用来避免电子设备中的敏感电 路受到静电放电影响的器件。
TMBSTrench MOS Barrier Schottky Diode,沟槽MOS型 肖特基势垒二极管。
DC-DC在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压 值的电能的转换电路,也称为直流转换电源。
IDMIntegrated Design and Manufacture,垂直整合制 造模式。
Fabless无晶圆厂集成电路设计企业,只从事集成电路研发 和销售,而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托 给专业厂商完成;也代指此种商业模式。
晶圆硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状 为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各 种电路元件结构,而成为有特定电性功能之 IC产 品。
封装把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处, 以便于其它器件连接。
测试把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的 确认,以保证半导体元件符合系统的需求。
平面(Planar)工艺平面工艺,是MOSFET产品常见的一种生产工艺。
沟槽(Trench)工艺沟槽工艺,通常可以进一步提高MOSFET产品的沟道 密度,减小芯片尺寸,降低导通电阻,拥有更低的 导通电阻和栅漏电荷密度。
PSCPrisemi Switch Charger,指芯导科技开关充电产 品。
PBPower Bank,移动电源的电源管理。
PLCPrisemi Linear Charger,指芯导科技线性充电管 理产品
ODMOriginal Design Manufactuce,原始设计制造商。 它可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期维 护的全部服务,客户只需向ODM服务商提出产品的 功能、性能甚至只需提供产品的构思,ODM服务商就 可以将产品从设想变为现实。
NPN半导体工艺中,通过参杂实现的N型+P型+N型三种 结构层,用来实现器件的特殊的功能。
Cascode共源共栅级联结构,通常是将低压N-MOSFET器件和 常开型GaN HEMT器件进行连接合封,形成一个整体 常态关断状态器件。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称上海芯导电子科技股份有限公司
公司的中文简称芯导科技
公司的外文名称Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Prisemi
公司的法定代表人欧新华
公司注册地址中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
公司注册地址的历史变更情况报告期内无
公司办公地址中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号; 上海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄 54号(D幢)10-11层
公司办公地址的邮政编码201210;201203
公司网址http://www.prisemi.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名兰芳云闵雨琦
联系地址上海市浦东新区张江集成电路设计产 业园盛夏路565弄54号(D幢)11层上海市浦东新区张江集成电路设计产 业园盛夏路565弄54号(D幢)11层
电话021-60753051021-60753051
传真021-60870156021-60870156
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报(www.cnstock.com)、中国证券报( www.cs.com.cn)、证券时报(www.stcn.com)、证券 日报(www.zqrb.cn)
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板芯导科技688230不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入131,160,155.43186,612,728.32-29.72
归属于上市公司股东的净利润38,269,379.7268,580,464.40-44.20
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润11,030,495.2643,638,398.94-74.72
经营活动产生的现金流量净额29,590,563.2140,035,486.56-26.09
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产2,163,645,377.902,171,100,979.68-0.34
总资产2,207,970,882.392,212,763,331.58-0.22

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.330.58-43.10
稀释每股收益(元/股)0.330.58-43.10
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.090.37-75.68
加权平均净资产收益率(%)1.753.23减少1.48个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)0.502.06减少1.56个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)16.248.93增加7.31个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现营业收入 13,116.02万元,较上年同期减少 29.72%,其中:第二季度实现营收 7,706.12万元,环比增长 42.44%;实现归属于上市公司股东的净利润 3,826.94万元,较上年同期减少 44.20%,其中:第二季度实现 2,234.68万元,环比增长 40.35%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 1,103.05万元,较上年同期减少 74.72%,其中:第二季度实现875.26万元,环比增长 284.24%。每股收益 0.33元,较上年同期减少 43.1%,扣除非经常性损益后的每股收益 0.09元,较上年同期减少 75.68%。报告期内公司股份支付费用 467.50万元,剔除股份支付影响,2023年上半年公司净利润为 4,294.44万元,较上年同期减少 37.38%。影响上述指标变动的主要原因是:
1、受全球经济环境因素影响,与 2022年上半年相比,以智能手机为代表的消费电子领域市场依旧疲软,终端市场需求不及预期,受下游品牌客户保守采购策略影响,公司销售规模受到了一定的冲击,产品销售价格承压,营业收入较去年同期减少;
2、面对复杂多变的市场形势,为保证公司产品的竞争优势和可持续发展,公司有计划、有步3、受美元汇率波动影响,汇兑收益较去年同期减少;
4、公司非经常性损益增加,主要为使用暂时闲置资金进行现金管理所产生的收益较上年同期增加。

报告期内,公司总资产 220,797.09万元,同比增减少 0.22%;归属于上市公司股东的净资产216,364.54万元,同比减少 0.34%。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益  
越权审批,或无正式批准文件,或偶发性的 税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经 营业务密切相关,符合国家政策规定、按照 一定标准定额或定量持续享受的政府补助除 外10,000.00 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而计提的 各项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支出、整合费 用等  
交易价格显失公允的交易产生的超过公允价 值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益  
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外,持有交易性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的 公允价值变动损益,以及处置交易性金融资 产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金 融负债和其他债权投资取得的投资收益30,123,974.20 
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减 值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期 损益进行一次性调整对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出40,025.65 
其他符合非经常性损益定义的损益项目91,427.33代扣代缴个人所得税 手续费返还
减:所得税影响额3,026,542.72 
少数股东权益影响额(税后)  
合计27,238,884.46 

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所属行业情况
1、行业发展情况
公司所处行业属于集成电路设计行业,根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
2023年上半年,受地缘政治形势、全球经济环境、行业周期等因素影响,集成电路行业整体尚处于低位,以智能手机为代表的消费电子领域整体表现低迷,终端市场需求不及预期。据半导体产业协会(SIA)报告显示,2023年第二季度全球半导体销售总额为1245亿美元,比2023年第一季度增长4.7%,但比2022年第二季度下降17.3%。2023年6月全球销售额为415亿美元,同比增长1.7%,这是全球芯片销售额连续第四个月实现小幅上升。同时,报告显示,我国6月半导体销售额也实现了环比3.2%的增长。

根据Canalys发布的研究数据,2023年上半年,全球智能手机出货量达5.28亿部,同比下降12%,中国智能手机市场出货量为1.32亿部,同比下滑8%。2023年第一季度全球智能手机出货量约为2.698亿部,同比下降13%;第二季度全球智能手机出货量约为2.582亿部,同比减少10%。与第一季度相比,第二季度全球智能手机出货量下滑幅度有所放缓。

2022年以来,美国及其盟国从半导体生产设备、设计软件到相关原料等对中国实施了一系列管制措施,以进一步限制中国先进的芯片制造和人工智能技术的发展。受复杂的外部环境因素影响,集成电路产业实现自主可控的要求越来越迫切,国产替代进口需求空间巨大,具有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。

公司产品主要包括功率器件和功率IC,功率器件产品主要为TVS(包括ESD保护器件)、MOSFET、肖特基等;功率 IC产品主要为电源管理 IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点,可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时,也在积极将产品向汽车电子、光伏储能等领域拓展。根据 Yole报告,在新能源汽车和储能等应用的推动下,全球功率半导体器件市场将从 2020年达175亿美元增长至2026年的262亿美元,年均复合增长率达6.96%。

功率半导体行业属于典型的知识密集型行业,需要融合多种专业技术,跨越多个学科领域,如半导体器件物理、电路设计、产品工艺、应用方案设计等,且技术更新速度快,需要从业人员持续不断地学习、积累,行业技术门槛较高。

公司的功率半导体产品,具有需要多种专业融合、对设计能力和持续创新能力要求高、需要对晶圆制造工艺及封装工艺具有深刻的理解和掌握等特点;产品结构设计技术和产品工艺设计技术难度大、产品测试要求高;同时,品牌客户对企业的认证周期长、对产品的测试验证要求高,一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大,因此具有较高技术门槛。


部认定的专精特 人企业、上海市 成电路行业协会 降低芯片反向漏 S型肖特基势垒 种负载识别电路 一种GaN HEMT器 终端结构,使得 专利技术的GaN 企业。 率IC产品,具有 (ON Semiconduc 替代空间巨大。 一步释放,市场 半导体的研发与 消费类电子、网 要包括瞬态电压 二极管(SBD)、 绍如下:“小巨人”企业、 新技术企业、上海 五届理事会理事单 流的技术、深槽隔 极管的改进技术、可 核心技术显著提升 制备技术,优化了 aN HEMT产品具有 EMT产品,并在多 高性能、低功耗、 tor)、商升特半导 着公司产品不断向 景广阔。 售,公司功率半导 通讯、安防、工业 制二极管(TVS) 氮化镓(GaN HEMT上海市规划 三星级诚信 位。 离及穿通型 连续调节的 了公司产品 终端结构, 片良率高、 客户端进行 尺寸的特点 (Semtech 汽车电子、 体产品包括 、汽车、储 金属-氧化 等。其中,
产品图片主要功能应用领域
 GaN功率器件可 以实现更小的导 通电阻和栅极电 荷。因此GaN功 率器件作为开关 和驱动应用时, 特别适合于高频 应用场合,对提 升变换器的效率 和功率密度非常 有利。消费类电 子、安 防、网络 通讯、工 业等领域

ESD保 护器件 具有静电防护、 浪涌吸收等防过 电压功能,对电 源线、信号线、 输入输出端口等 进行保护。消费类电 子、安 防、网络 通讯、汽 车电子等 领域
普通 TVS 吸收瞬间大电流, 将两端电压箝制 在一个预定的数 值上,从而对后 面的电路进行保 护。安防、网 络通讯、 工业、汽 车电子等 领域
 把输入电压的变 化转化为输出电 流的变化,起到 开关或放大等作 用。消费类电 子、安 防、网络 通讯、工 业、汽车 电子等领 域 
 在变频器、开关 电源、驱动电路 中用作检波、电 流整流。消费类电 子、安 防、网络 通讯、工 业、汽车 电子等领 域 
IC IC产品主要为电源管 -DC类电源转换芯片理IC,具体包括单节锂 氮化镓驱动IC等。各电池充电芯片 产品介绍如下 
产品图片主要功能应用 领域 
 用于电力电子领域 的能量转换开关及 控制。消费类电 子、网络通 讯、汽车等 领域 

   
 用于给锂电池充电, 并支持设备之间相 互充电。消费类电 子、安防等 领域
 应用于电子产品的 电源输入口处,实现 过压保护、短路保 护、过温保护等功 能。消费类电 子、安防等 领域
 用于放大微弱的音 频信号,以驱动扬 声器发出音量合适 的声音;内置防止 破音功能。消费类电 子、网络通 讯、安防等 领域
 电压转换器,将一定 的直流电压升高或 降低至合适值,为 设备供电。消费类电 子、网络通 讯、安防、 工业等领域
2、主要经营模式
公司自设立以来一直采用Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在Fabless模式下,公司专注于功率半导体相关产品的设计,将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工,由外协厂商负责生产。

(1)产品研发模式
公司采用Fabless经营模式,产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术,紧跟客户需求和市场变化趋势,打造自主研发的技术平台,并以此为基础,持续推进技术迭代,丰富产品种类和型号,拓展应用领域,从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。

(2)采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的Fabless经营模式,专注于功率半导体产品的研发和销售环节,晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。

(3)销售模式
根据行业、产品及市场情况,公司主要采取“经销为主,直销为辅”的销售模式。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发,经过多年的技术积累和持续创新,在功率器件和功率IC工艺设计方面积累了多项核心技术。

在功率器件方面:公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了 TVS、肖特基、稳压管等产品的低漏电和高温下的可靠性,使产品在应用过程中更加安全和稳定;深槽隔离及穿通型NPN结构技术实现了TVS产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性,同时实现了产品封装的小型化,不但使产品在应用中减少了空间的占用,同时提升了浪涌防护能力,对产品的保护效果更加优异;MOSFET的沟槽优化技术实现了 MOSFET产品的低导通阻抗、低损耗特性,使产品在应用中大幅降低了功耗,减少了发热;沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性,在使用过程中降低了产品功耗。报告期内,公司不断丰富产品阵容、开发满足更多应用环境的第三代半导体GaN HEMT产品。在大力推进高压GaN HEMT产品系列化的同时,中低压GaN HEMT产品已经进入流片阶段,cascode结构的GaN HEMT也正在开发中。
在功率IC方面:可连续调节占空比的环路控制技术使功率IC产品更快速响应负载变化,可调输出电压范围更大;一种复合DC-DC电路技术不需要额外补偿电路,可以使功率IC产品具有负载响应快、精度高的优点;一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置,即可完成负载大小的识别,实现简单且高效。通过衬底控制实现反向电流控制保护,有效解决系统多路电源复用安全控制问题。报告期内,公司不断完善过流过压保护类IC产品、充电管理产品、开关保护等IC产品的性能与参数,拓展了限流负载开关产品,丰富了开关保护IC品类,不断更新系列化产品以形成整体方案。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
中华人民共和国工业和信息化部国家级专精特新“小巨人”企业2021年度/

2. 报告期内获得的研发成果
截至2023年6月30日,公司现行有效知识产权累计106项,其中发明专利20项,实用新型33项,另有集成电路布图设计专有权47项,商标6项。报告期内,公司获得新增授权知识产权11项。

报告期内获得的知识产权列表

 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利105020
实用新型专利144833
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他475653
合计611154106
注:已失效知识产权未纳入上表统计。


3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入21,300,643.3216,671,532.9927.77
研发投入合计21,300,643.3216,671,532.9927.77
研发投入总额占营业收入比例(%)16.248.93增加 7.31个百分点

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序号项目名称预计总投 资规模本期投 入金额累计投 入金额进展或 阶段性 成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1带 1.5倍电 荷泵的 G类 音频功放1,150.0037.88964.11持续研 发阶段1.1W功率下 0.01%的超低谐波失 真;2.听筒与功放二合一模式;3. 各种安全保护机制。国内领先主要应用于智能手机、平板电脑 扬声器驱动。
2大功率充电 及保护解决 方案项目1,500.0098.741,315.52持续研 发阶段1.充电电流最高达5A以上,升压 放电电流可到 2.4A;2.端口过压 保护导通阻抗低至60mΩ以下;3. 高速保护响应时间。国内领先主要用于5G智能手机、平板电脑 充电系统。
3高性能数模 混合电源管 理芯片开发 及产业化5,709.00676.561,428.85持续研 发阶段组合式快充技术,配合自主研发快 充协议芯片支持 PD3.0、BC1.2, 支持最大8A大电流充电,效率达 99%以上。国内领先主要用于手机、氮化镓快充充电 器、平板电脑、笔记本、电动工具、 IoT 设备等多种应用。
4高性能分立 功率器件开 发和升级-超 低导通阻抗、 超低栅极电 荷的MOSFET3,195.00507.301,003.68持续研 发阶段采用CSPDFNSOD等小尺寸封装,开 发具有超低导通阻抗超低栅极电 荷的中低压MOSFET产品,耐压在 20~150VRdson<1mR@Vgs=10VRdson <4mR@Vgs=4.5V 的超小封装尺寸 的 Qg<100的 MOSFET产品,并逐 步建立起技术平台,开发符合 AECQ101标准的汽车级产品,接下 来,逐步产品系列化。国内领先主要用于手机、智能平板电脑、 TWS、AR、VR、PD快充适配器等消 费类产品,以及BMS锂电池管理与 保护、5G网络通讯设备、5G 通讯 终端设备、AI人工智能、智能安 防、新能源等多种应用。
5高性能分立 功率器件开 发和升级-超 低 VF的肖特 基二极管898.0057.2790.43持续研 发阶段基于DFN1006、DFN0603、DFN1608、 SOD323、SOD523、SOD123FL等封 装,设计开发耐压20-100V,正向 压降目标在 Vf<0.6V@If=0.5A, Vf<0.55V@If=1A,Vf<0.5V@If=2A,国内领先主要用于手机、智能平板电脑、 TWS、AR、VR 等便携式、可穿戴式 的消费类电子产品、5G 网络通讯 设备、5G 通讯终端设备、物联网、
      Vf<0.45V@If=5A,并建立起技术平 台,基于此技术平台开发符合 AECQ101标准的汽车级超低Vf的 肖特基产品。 AI人工智能、智能安防、新能源 等多种应用。
6硅基氮化镓 高电子迁移 率功率器件 开发项目4,010.00206.22372.16持续研 发阶段采用p-GaNHEMT技术,DFN、TO、 CSP、BGA 等多种封装,Vds为 40V~650V,Rdson 做到尽可能小, 阈值电压为1-2V,工作电压范围- 10V至7V。国内领先主要用于5G通讯设备、快充电源、 无线充电等多种应用。
7研发中心建 设项目10,088.0067.82113.77////
8高性能分立 功率器件开 发和升级-大 功率高性能 的TVS产品1,910.00144.41294.35持续研 发阶段采用CSP DFN SOD等小尺寸封装, 工作电压将覆盖 1V~48V,在非信 号线端口上,器件达到 Ippmax>50AIppmax>150AIppmax>3 00A等不同等级的大 Ipp防护器 件,在信号线端口 Ippmax>15A, Ippmax>20A,Cj<0.3pF 的深回退 产品。建议技术平台,并基于此基 础平台开发符合 AECQ101标准的 汽车级产品。逐步形成系列化产 品。国内领先主要用于手机、智能平板电脑、 TWS、AR、VR等便携式、可穿戴式 的消费类电子产品、5G网络 通讯 设备、5G通讯终端 设备、物联网、 AI 人工智能、智能安防、新能源 等多种应用。
9高性能音频 功率放大IC850.0029.6945.01持续研 发阶段采用 1.5X电荷泵自升压技术,单 节锂电能支持大功率恒定输出并 具有极低的谐波失真,提供好音质 指标,喇叭保护功率可配:0.6W、 0.8W、1W 和1.2W,支持6/8欧 姆 喇叭,低噪声:40~100uV,高效率: 功放整体效率高达 83%,一线脉冲 控制和 AGC自动增益控制,高 PSRR:-68dB(217Hz)。国内领先主要应用于蓝牙音箱、手机、平板 电脑扬声器驱动。
10高性能同步 电压转换器 IC1,190.0051.5177.92持续研 发阶段集成了充电指示、输入过压保护、 电池温度检测功能、恒温度充电功 能,充电电流外部可编程,最大充 电电流1A。升压部分采用1.2MHz 工作频率,支持2.2uH小尺寸电感 应用,输出 5.1V,负载电流能力 500mA,待机功耗1uA,控制EN可 完全关断输出电压,支持边充边 放,具有过流、短路和过温保护功 能。截止电流:fixed 3.5mV档位, 充电电流:fixed在52mv档位: (25m: 2.08A|140mA;100mohm: 520mA|35mA),输入限流:不限 流,VSP 改为最小档位(0,1档位 一样),ISHORT:20mA,CREG:10- 100nF,STAT:待机---拉高; 充电 ---拉低;充满----拉高,CV: 4.2/4.35/4.4/4.45V,Precharge 电流:fixed 10mV档位。国内领先主要用于TWS、蓝牙耳机仓、智能 音箱、移动电源、充电宝、锂电池 系统充放电应用等多种应用领 域。
11智能大功率 负载保护IC1,556.0093.68159.08持续研 发阶段限流点可灵活设置及状态反馈支 持的负载开关,封装形式多样,广 泛应用于 USB接口及终端负载的 功耗管理与保护。内部3种限流值 1A、2A、3A,同时外部电阻可调限 流 值,外部限流公式可选,短路 限流设置为 400mA,静态功耗 28uA,具有欠压保护、过温保护、 限流保护以及反向电流保护, Rdson=60mΩ。国内领先主要应用于USB 总线、自供电集 线器、USB外围 设备、ACPI 配电、 PC卡热插拔、笔记本电脑、主板 PC、平板电脑、消费 电子、机顶 盒、工业系统、电信系统等应用。
12一种超低导 通阻抗的屏600.0089.21123.19持续研 发阶段达到国内领先的超低导通阻抗性 能水平。国内领先消费类、通讯、工业(风、光、储 等)。
 蔽栅结构的 MOSFET产品 系列       
13一种超低钳 位电压超大 电流泄放能 力的 TVS产 品系列500.0053.4575.54持续研 发阶段在更小尺寸的封装中实现更大的 电流泄放能力,同时降低正向和负 向的钳位电压,保持国内领先。国内领先主要为手机、平板、TWS、智能手 表等便携式、可穿戴式消费类产 品。
14一种 650V P-GaN结构的 硅基氮化镓 功率器件系 列400.0016.3249.95持续研 发阶段提升产品性能,提高产品良率、降 低产品成本。国内领先主要在快充适配器等领域后续拓 展家电、物联网等领域。
合计/33,556.002,130.066,113.56////

1、本期投入研发费用金额含公司报告期内承担的股份支付费用。
2、研发投入金额包含合并报表内子公司的投入金额。
3、上表中合计数与各明细数直接相加之和在尾数上如有差异,系四舍五入造成。

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)6160
研发人员数量占公司总人数的比例(%)49.5948
研发人员薪酬合计1,344.451,179.4
研发人员平均薪酬22.4219.58
注:研发人员平均薪酬按照平均研发人员计算,已考虑报告期内公司对研发人员实施股权激励带来的股份支付费用 286.46万元。



教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
硕士1524.59
本科3455.74
专科1118.03
高中及以下11.64
合计61100
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含 30岁)1422.95
30-40岁(含 30岁,不含 40岁)2744.26
40-50岁(含 40岁,不含 50岁)1931.15
50岁以上11.64
合计61100

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、技术和研发优势
公司作为功率半导体设计企业,拥有完善的技术创新体系、强大的研发能力和一定的技术优势。经过多年的技术积累,凭借公司强大的研发投入及优秀的研发团队,已经自主研发一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节占空比的环路控制技术、一种复合DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术、一种GaN HEMT器件制备技术。该等核心技术使得公司芯片产品及应用方案在性能、尺寸、功耗、兼容性等方面较为先进。

得益于国内FAB厂的技术沉淀与发展,结合国内设计公司的设计优势,目前部分国产功率器件的性能基本与国际大厂相当;公司的部分TVS、MOSFET等功率器件产品在技术上处于国内前列,与国际大厂的技术相当。

在功率IC产品方面,公司已在快充领域深耕多年,已有多个成熟量产的产品线,覆盖了PSC、PB、PLC系列,能够满足客户需求。公司目前还在不断加大研发投入,扩充产品线,研发小功率场景的数字控制线性充电技术,研发更大功率的电荷泵快充技术及配合的多协议支持的协议芯片,研发供电电源芯片巩固和提升在电源领域的竞争力。

2、新产品开发优势
在功率半导体新产品开发方面,公司高度注重客户需求,注重客户的意见反馈,在新产品开发设计方面具有一定的优势。受益于国产替代,公司凭借较好的技术储备和一定的研发优势,结合下游客户需求及行业发展趋势,对现有产品不断进行更新迭代,为后续的销售增长打下了良好的基础。

3、产品供应优势
近年来,公司基于在功率半导体领域已有的研发优势和下游客户资源优势,不断丰富和优化产品类别,进一步优化供应商管理,完善产品供应体系,公司的产品供应能力得到了较高的提升。

公司合作的主要晶圆、封测厂商大多为行业内知名厂商,产品供应得到有效的保证。

4、终端客户优势
半导体行业上下游产业链之间具有高度的粘性,下游应用行业对产品质量和供应商的选定有严格的要求,一旦对选用的半导体产品经过测试、认证并大规模使用之后不会轻易更换供应商。

终端客户与供应商建立合作前,会对供应商的整体资质进行评价,从供应商的整体规模、产品结构、现有客户结构多维度了解相关情况,并由专人进行现场审核,审核通过后,方可进入终端厂商的合格供应商体系;待双方合作关系建立后,终端客户在供应商产品进入批量供应前通常需要对产品进行认证,认证流程主要包括:样品性能测试、整机性能测试、综合可靠性测试、小批量试产评估等。由于终端客户的认证体系复杂且认证周期较长,一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大。

公司一直注重客户需求,高度重视产品质量管理和客户关系维护,通过快速的客户服务和高效的客户反馈响应机制,既保证快速满足客户需求又能够紧跟市场变化,确保公司产品持续更新、保持先进水平。凭借自身较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的服务,公司产品成功应用于下游行业内小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等ODM客户。

5、品牌优势
公司各类产品广泛应用于小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等ODM客户。多年来,公司在行业中积累了良好的口碑,形成了一定的品牌优势,公司产品的客户认知度和忠诚度均较高,公司品牌获得了客户和经销商的认可。随着公司业务的增长,公司将进一步提升公司品牌优势,与业绩增长形成良性循环。
6、营销及服务网络优势
公司总部位于上海张江高科技园区,全资子公司设立在无锡经济开发区,以国内销售为主,拥有本土优势和营销网络优势,具备丰富的客户资源和较高的品牌知名度。公司通过“经销+直销”的方式建设营销网络,可快速响应客户需求。为贴近客户,并提供专业服务,公司在上海和深圳建立了技术服务中心,配套专业测试设备,为客户提供“一站式”技术支持,不但增进了客户满意度,与客户建立起紧密而稳定的合作关系,同时提升了品牌知名度,提高了市场竞争力。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
本报告期,在地缘政治形势、全球经济环境、行业周期等诸多挑战的背景下,公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造,为客户提供卓越的产品与服务,实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命,凭借优秀的研发能力及研发团队,通过多年的技术积累,已具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。

目前,公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台,公司针对TVS产品先后开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台等;公司针对MOSFET产品先后开发了平面(Planar)工艺MOSFET技术平台、沟槽(Trench)工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽(Trench)工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等;公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基(TMBS)技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基(TMBS)技术平台等;公司针对第三代半导体GaN HEMT产品开发了高压P-GaN HEMT技术平台;公司针对IC产品先后开发了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台,负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步,在技术平台下持续更新、迭代,研发出新一代产品投入市场。

(一)报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入13,116.02万元,较上年同期减少29.72%,其中:第二季度实现营收7,706.12万元,环比增长42.44%;实现归属于上市公司股东的净利润3,826.94万元,较上年同期减少44.20%,其中:第二季度实现2,234.68万元,环比增长40.35%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 1,103.05万元,较上年同期减少 74.72%,其中:第二季度实现875.26万元,环比增长284.24%。报告期内公司股份支付费用 467.50万元,剔除股份支付影响,2023年上半年公司净利润为 4,294.44万元,较上年同期减少 37.38%。

报告期末,公司总资产 220,797.09万元,较年初下降 0.22%;归属于母公司的所有者权益216,364.54万元,较年初下降 0.34%。

(二)报告期内重点任务完成情况
1、持续加大研发投入,提升技术创新能力
报告期内,公司投入研发费用 2,130.06万元,同比增长 27.77%。公司作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业,一直坚持以自主技术创新为基础,坚持技术领先战略,强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求,公司有计划、有步骤地进行技术开发和创新,扩展现有产品系列,加强对现有产品的更新迭代,保证公司产品的竞争优势和可持续发展。

(1)功率器件研发方面:
①在TVS产品方面:
A.公司具有深回退特性的低容ESD产品,产品阵容在不断扩大,性能也在逐步提升,应用领域也得到了进一步拓展。在消费类电子领域的USB、Type-C、HDMI等典型应用中被大量采用,同时,也在网络通讯的信号和数据传输的保护应用中和工业方面人机界面、影像传输、信号和数据传输模块保护应用中也被设计到终端产品中,出货量逐步攀升。

B.超低容值(0.15pF)具有深回退特性、超小封装(0.6*0.3mm)的ESD产品,研发成功,并进入小批量试运营阶段,目前已被应用到终端产品,并已收到终端客户的小批试制订单。同时,针对天线端保护应用的具有高击穿特性、超低容值(0.15pF)的、超小封装、超低钳位电压的ESD 产品也在开发中,目前已经完成版图设计、进入到流片阶段。以上具有 0.15pF超低容值性能的ESD产品可以为5G相关应用,特别是5G信号传输方面提供更加优异的保护性能。

C.在超低钳位电压、超大泄放电流的TVS产品方面,在更小尺寸的封装下,开发出具有更高工作电压、更大泄放电流的产品,在一些客户的设计中,进一步降低了PCB板空间占用率,同时,开发出满足直流32V应用的超小封装、超低钳位电压、超大泄放电流的TVS产品,可满足未来240W充电功率的相关应用。
②在MOSFET产品方面:
A.中压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET,目前已经形成1-30mR,多种封装形式的系列产品,目前在PD快充适配器,BLDC驱动,光伏逆变器、BMS等多个热门领域推广,并有部分产品已经完成验证,其中100V SGT MOS实现小批量出货。
B.低压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET产品,目前形成1.6-10mR,多种封装形式的系列产品,并处于全面推广阶段,部分产品已经在终端客户产品应用中实现量产。特别在手机、平板电脑、TWS、PD快充、笔记本电脑、电动工具、BMS、电机控制等领域都有极为广泛的应用。

30V SGT MOS实现量产出货。

公司还将不断完善不同导通电阻和电压规格的 MOSFET产品,不断拓展新的应用领域,提升MOSFET产品的市场份额。

③在肖特基产品方面:
A.具有超低正向导通压降、大正向导通电流的超小封装尺寸(0.6*0.3mm)的肖特基产品进入量产阶段,目前在筹备扩大产能,以满足需求的攀升。

B.目前正在开发在小型封装中具有更低正向导通压降的肖特基产品,已经完成结构设计和工艺调试,目前已经进入工程批制作阶段。开发成功后,性能将具有业界领先水平。

④在GaN HEMT产品方面:
第三代半导体650V GaN HEMT产品已具有90-250mR的系列P-GaN产品,目前该系列产品在多客户的项目中已经进入资源池,等待客户正式启动项目,进入小批量试运营。此外,中低压GaN HEMT产品已经进入流片阶段,以及cascode结构GaN HEMT也正在开发中。

GaN HEMT产品具有高功率密度、高速度、高效率的功率等特点,在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于传统半导体材料,在快充电源、5G通讯、智能电网等领域将具有广泛的应用前景。

(2)功率IC研发方面:
①过流过压保护类IC产品系列化不断丰富,成功导入知名品牌客户产品中,实现量产; ②能够满足消费工业类终端的快充需求,具有高精度、高效率与高稳定性降压型高压大电流系列及升降压大电流系列产品,已流片成功,正在积极推广中;
③大电流降压DC-DC产品具有高效率高可靠性的特点,已扩展到工控领域的应用,实现出货; ④为了应对客户日益增长的功耗管理需求,对现有产品进行系列化,拓展了限流负载开关产品,丰富了开关保护IC品类,面向工业品类的方向开始有序推进;
⑤在相关的新能源应用领域,公司坚持第三代半导体GaN氮化镓相关器件及驱动控制器的开发, 高整合度驱动器芯片已在客户端完成验证,并实现小批量出货。

2、不断巩固客户合作,积极推动市场开拓
报告期内,公司不断巩固与现有客户的合作关系。在智能手机市场,公司客户涵盖了小米通讯、TCL、传音等手机品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等业内知名的ODM手机厂商;在TWS耳机方面,公司客户包含了小米、华为、OPPO、安克、森海塞尔、VIVO、哈曼、倍思、飞利浦等品牌;在电子烟产品方面,公司客户包括了思摩尔、海派特、悦刻、同跃等品牌;在智能穿戴方面公司拥有客户魔样。基于与上述客户长期稳定的合作关系,公司围绕客户的需求积极开展产品升级迭代与新产品的研发工作。

报告期内,公司新增VR领域某全球知名客户、电子烟客户星泽威、电源管理客户天宝等。围绕公司战略布局,公司正积极拓展汽车电子、光伏储能等领域,不断完善营销体系,加强营销团队建设,加大新客户开发力度,提升客户满意度,进一步提高市场份额。

3、全面优化供应链管理,有效控制运营成本
报告期内,公司全面优化供应链管理,与现有供应商深化合作的同时,不断拓展和完善供应链系统,优化供应链管理流程,提高管理效率,有效控制营业成本。公司与多家晶圆制造厂商和封装测试厂商建立了合作关系,后续将逐步形成深度合作,公司品牌影响力、产品竞争力及市场占有率将得到提升。

4、稳步推行股权激励,完善人才梯队建设
报告期内,为进一步完善公司法人治理结构,建立、健全公司长效激励约束机制,吸引和留住公司优秀人才,充分调动其积极性和创造性,有效提升核心团队凝聚力和企业核心竞争力,有效地将股东、公司和核心团队三方利益结合在一起,使各方共同关注公司的长远发展,确保公司发展战略和经营目标的实现,在充分保障股东利益的前提下,公司推出了《上海芯导电子科技股份有限公司2023年限制性股票激励计划》,向52名激励对象首次授予80万股限制性股票。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
1、产品升级换代的风险
集成电路设计行业产品更新换代及技术升级速度较快,在公司产品主要应用的以手机为主的消费类电子领域,终端产品的更新换代较快,公司需根据下游需求和技术发展趋势对产品进行持续创新,从而维持技术先进性。公司产品具有一定的迭代周期,一般为 3-5年左右。公司未来若未能准确把握下游客户需求或不能持续推出适应市场需求的产品,将面临公司竞争力下降的风险;且由于功率半导体产品的升级换代需要一定周期,如果产品更新换代的进度未达预期或无法在市场竞争中占据优势,公司将面临产品升级换代不及预期的风险,进而对公司的经济效益产生不利影响。

2、技术失密风险
公司所属的功率半导体行业具有技术密集的特点,核心技术保密对公司的发展尤为重要。如果公司在经营过程中因核心技术信息保管不善导致核心技术泄密,将对公司的竞争力产生不利影响。

3、产品收入结构较为集中,存在产品单一的风险
公司主营业务收入来源于功率器件和功率 IC。功率器件主要产品为 TVS、MOSFET和肖特基等,其中 TVS产品收入占比较高,占主营业务的收入比例为 57.62%,未来若因技术升级不及预期、市场竞争加剧或下游应用领域如手机的出货量下降等因素影响,导致主要产品 TVS产品的生产或销售出现不利变化,则将对公司现金流、盈利能力产生不利影响。

4、公司产品下游应用主要以手机为主的消费类电子领域,受下游手机出货量影响较大的风险 公司产品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域,目前主要在以手机为主的消费类电子领域。受下游应用领域集中度较高的影响,全球智能手机出货量对公司产品的销售影响较大。若未来下游消费类电子产品需求量出现波动,如手机市场需求萎缩,或公司在其他应用领域的技术研发及市场开发不及预期,则会对公司的业绩造成一定不利影响。

5、市场竞争风险
公司所处的功率半导体行业属于技术密集型行业,技术门槛较高。目前国内功率半导体市场的主要参与者仍主要为欧美企业,目前,具有 ESD保护器件研发设计能力的国内企业相对较少,随着功率半导体新技术、新应用领域的大量涌现,对功率半导体设计企业的研发提出了非常高的技术要求。尤其是部分竞争对手采用 IDM模式,在市场地位、技术实力以及产能保障方面具备一定优势,公司与该等竞争对手相比尚存在差距。如果公司未能准确把握市场和行业发展趋势,持续提升市场地位和技术水平,以及加大产能保障,将会导致公司竞争能力下降,从而对公司的经营业绩产生不利影响。

6、关于公司产品市场拓展的风险
报告期内,公司以境内销售为主,境外销售占比较低,主要系公司根据目前的发展程度,将主要精力集中在境内市场开拓,在境外销售策略上采取跟随终端品牌客户境外拓展的策略。考虑公司 TVS及 ESD产品已经成功进入小米、传音、TCL等手机品牌厂商以及华勤、闻泰、龙旗等手机 ODM厂商,在境内市场取得一定的市场地位,公司未来将加强 TVS及 ESD产品对境外市场的主动开拓,提升产品的市场份额及品牌影响力。

此外,随着公司 MOSFET和功率 IC相关产品的开发以及在终端客户的持续推广,上述产品的销售收入会持续增加。但上述产品目前占整体市场份额较小,短期内上述产品的市场开拓还将围绕目前的主要客户群体在境内进行开拓。

因此,在上述产品的市场拓展过程中,若因 TVS及 ESD产品境外市场开拓不顺利、产品开发不及预期或下游测试认证出现不利因素,将对公司业绩增长造成不利影响。

7、客户相对集中度较高的风险
报告期内,公司对前五名客户销售收入合计占当期营业收入的 38.77%,集中度相对较高。如果未来公司主要客户的经营、采购战略产生较大变化,或由于主要客户的经营情况和资信状况发生重大不利变化,将对公司经营产生不利影响。

如果公司未能准确把握市场和行业发展趋势,持续提升市场地位和技术水平,竞争能力有可能下降,从而对公司的经营业绩产生不利影响。

8、市场变化的风险
公司的产品主要用于手机、平板和可穿戴设备等消费类电子产品,上述消费类电子产品的市场变化对公司业绩产生一定的影响。未来随着人工智能、物联网、5G等新兴领域的迅速发展,功率半导体的需求将会随之增加。但如果未来发生市场变化,将导致公司下游市场需求波动,进而影响公司经济效益。

9、客户认证失败的风险
公司多款型号的产品在对客户进行批量供应前,都需要通过终端客户的测试认证。由于公司所属的功率半导体行业具有产品更新换代较快的特点,因此,每年都会有多款产品需要终端客户认证,若终端客户测试认证失败,公司产品将不能在终端客户形成销售,可能导致公司营业收入和市场份额下降的情况,对公司盈利能力产生不利影响。

10、产品质量控制的风险
公司的主要产品主要应用于消费电子市场的智能终端设备的品牌客户,其中包括小米、TCL、传音等知名品牌,下游客户对产品质量有着严格的要求。如果未来公司质量控制工作出现疏忽或因为其他原因影响产品的质量,可能给公司带来法律、声誉及经济方面的风险。

11、税收优惠政策变化风险
报告期内,公司享受的税收优惠政策主要系“国家规划布局内集成电路设计企业”优惠税率及研发费用加计扣除等相关税收优惠政策。根据《中华人民共和国企业所得税法》等相关规定,我国关于开发新技术、新产品、新工艺发生的研究开发费用加计扣除优惠政策长期执行。根据《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》(财税[2012]27号)和《关于软件和集成电路产业企业所得税优惠政策有关问题的通知》(财税[2016]49号)规定,公司符合“国家规划布局内集成电路设计企业”标准,可减按 10%的税率征收企业所得税。报告期内公司享受的所得税税收优惠金额占同期利润总额的比例为14.74%,若未来国家税收优惠政策发生不利变化,或公司不符合国家规划布局内重点集成电路设计企业税收优惠条件,将面临无法享受有关税收优惠政策的风险,将对公司的经营成果产生不利影响。

12、行业风险
公司是集成电路设计企业,主要从事功率器件和功率 IC的设计、研发及销售,属于集成电路行业的上游环节。集成电路行业在近年来一直保持稳步增长的趋势,但由于该行业是资本及技术密集型行业,随着技术的迭代,行业本身呈现周期性波动的特点,并且行业周期的波动与经济周期关系紧密。如果宏观经济发生剧烈波动或存在下行趋势,将导致行业发生波动或需求减少,使包括公司在内的集成电路企业面临一定的行业波动风险,对公司的经营情况造成一定的不利影响。

13、宏观环境风险
近年来国际贸易摩擦不断升级,逆全球化贸易主义进一步蔓延,部分国家采取贸易保护措施,对我国部分产业发展产生不利影响。鉴于集成电路产业是典型的全球化分工合作行业,如果国际贸易摩擦进一步升级,国际贸易环境发生未预计的不利变化,则可能对产业链上下游公司生产经营产生不利影响。

2023年上半年,公司收入以内销为主,外销收入占比仅为 11.65%,且产品主要出口地区包括中国香港、中国台湾及韩国等。上述地区对我国的贸易政策相对稳定,公司暂未受到国际贸易摩擦及贸易保护主义的直接影响。但因公司内销客户主要为国内各大消费类电子厂商,使用公司产品的终端客户对外销售受到贸易摩擦影响,不排除将间接导致公司芯片销售受到影响的可能。


六、 报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入13,116.02万元,较上年同期减少29.72%,其中:第二季度实现营收7,706.12万元,环比增长42.44%;实现归属于上市公司股东的净利润3,826.94万元,较上年同期减少44.20%,其中:第二季度实现2,234.68万元,环比增长40.35%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 1,103.05万元,较上年同期减少 74.72%,其中:第二季度实现875.26万元,环比增长284.24%。报告期内公司股份支付费用 467.50万元,剔除股份支付影响,2023年上半年公司净利润为 4,294.44万元,较上年同期减少 37.38%。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入131,160,155.43186,612,728.32-29.72
营业成本86,929,749.09119,550,378.80-27.29
税金及附加1,079,703.82156,453.37590.11
销售费用3,597,917.523,516,266.882.32
管理费用9,741,106.986,329,907.0253.89
财务费用-2,868,057.50-7,067,456.14不适用
研发费用21,300,643.3216,671,532.9927.77
经营活动产生的现金流量净额29,590,563.2140,035,486.56-26.09
投资活动产生的现金流量净额-189,091,023.14-207,549,948.23不适用
筹资活动产生的现金流量净额-50,839,888.24-36,339,752.60不适用
(未完)
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