[中报]长光华芯(688048):2023年半年度报告

时间:2023年08月30日 18:13:24 中财网

原标题:长光华芯:2023年半年度报告

公司代码:688048 公司简称:长光华芯






苏州长光华芯光电技术股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险,具体内容详见本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”相关内容。



三、 公司全体董事出席董事会会议。



四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人闵大勇、主管会计工作负责人郭新刚及会计机构负责人(会计主管人员)郭新刚声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺, 请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 5
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................. 8
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 26
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 27
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 29
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 59
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 69
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 69
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 71



备查文件目录载有单位负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报表文本
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本 及公告的原稿
 载有公司法定代表人签名的2023年半年度报告及摘要原件



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
华丰投资苏州华丰投资中心(有限合伙),公司第一大股东
苏州英镭苏州英镭企业管理合伙企业(有限合伙),公司股东,核心管理团队持 股平台
长光集团长春长光精密仪器集团有限公司,公司股东
国投创投(上海)国投(上海)科技成果转化创业投资基金企业(有限合伙),公司股东
伊犁苏新伊犁苏新投资基金合伙企业(有限合伙),公司股东
璞玉投资宁波璞玉股权投资合伙企业(有限合伙),公司股东
国投创投(宁波)国投(宁波)科技成果转化创业投资基金合伙企业(有限合伙),公司 股东
苏州芯诚苏州芯诚企业管理合伙企业(有限合伙),公司股东
苏州芯同苏州芯同企业管理合伙企业(有限合伙),公司股东
南京道丰南京道丰投资管理中心(普通合伙),公司股东
哈勃投资哈勃科技创业投资有限公司,公司股东
激光研究院苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司,公司全资子公司
《公司章程》现行有效的《苏州长光华芯光电技术股份有限公司章程》
泵浦将能量供给粒子,使粒子由低能态跃迁至高能态的过程
分立器件具有单独功能且功能不能拆分的电子器件,依据芯片结构和功能的不同 可以分为半导体二极管、三极管、桥式整流器、光电器件等
半导体激光器用半导体材料作为工作物质的激光器。具有体积小、寿命长等优点,被 广泛应用于激光加工、激光通信、光存储、光陀螺、测距以及雷达等方 面,又称激光二极管
超快激光器用于发射超短脉冲的锁模激光器,例如,持续时间为飞秒或皮秒的脉冲
固体激光器以固体材料为激光介质的激光器,通常以特种灯或半导体激光器作为能 量泵浦源(以半导体激光器发出的光,泵浦晶体增益介质产生光)
光纤激光器以掺有激活粒子的光纤为激光介质的激光器,通常以半导体激光器作为 能量泵浦源(以半导体激光器发出的光,泵浦光纤增益介质产生光)
光纤耦合把光纤的端面和激光芯片的出光面精密对接起来,以使芯片发射光纤输 出的光能量能最大限度地耦合到接收光纤中去,并使其介入光链路从而 对系统造成的影响减到最小
合束一种通过叠加多个设备的输出从而实现激光源功率调整的方法,本质上 就是将多个激光源的输出合成为一个单一的输出光束,即便每个单一的 激光器的功率不可调,但这种可扩展的合束技术使得合成后的光源的功 率变成可调
VCSELVertical CavitySurface Emitting Laser指垂直腔面发射激光芯片。 此类芯片可以将激光垂直发射而出,一方面简化生产工艺流程,另一方 面扩展了下游领域的应用
IDM垂直整合制造(Integrated Device Manufacture),指从设计,制造, 封装测试到销售自有品牌芯片都一手包办的半导体垂直整合型公司
MOCVDMetal-organic Chemical Vapor Deposition (金属有机化合物化学气 相沉淀)的缩写,是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新 型气相外延生长技术
报告期2023年1月1日至2023年6月30日



第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称苏州长光华芯光电技术股份有限公司
公司的中文简称长光华芯
公司的外文名称Suzhou Everbright Photonics Co.,Ltd
公司的外文名称缩写Everbright
公司的法定代表人闵大勇
公司注册地址苏州市高新区漓江路56号
公司注册地址的历史变更情况公司于2022年8月29日召开第一届董事会第十八次会议 ,审议通过了《关于变更公司注册地址、修订<公司章 程>并办理工商变更登记的议案》,同意公司注册地址 由“苏州高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号 厂房-1-102、2号厂房-2-203”变更为“苏州市高新区 漓江路56号”
公司办公地址苏州市高新区漓江路56号
公司办公地址的邮政编码215163
公司网址www.everbrightphotonics.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名叶葆靖杜佳
联系地址苏州高新区漓江路56号苏州高新区漓江路56号
电话0512-66896988-80080512-66896988-8008
传真0512-668063230512-66806323
电子信箱[email protected][email protected]


三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《中国证券报》、《证券时报》、《上海证券报》、 《证券日报》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引


四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板长光华芯688048不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
√适用 □不适用


报告期内履行持续督导职 责的保荐机构名称华泰联合证券有限责任公司
 办公地址深圳市前海深港合作区南山街道桂湾五路 128号前海深港基金小镇B7栋401
 签字的保荐代表人 姓名时锐、朱辉
 持续督导的期间2022年4月1日至2025年12月31日


六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入142,133,562.90250,378,250.17-43.23
归属于上市公司股东的净利润-10,637,419.9759,181,809.83-117.97
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润-41,770,053.8441,698,039.72-200.17
经营活动产生的现金流量净额45,601,126.84-109,834,364.48不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产3,184,159,007.753,236,451,269.14-1.62
总资产3,444,492,842.723,496,011,408.75-1.47


(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益(元/股)-0.06030.4988-112.10
稀释每股收益(元/股)-0.06030.4988-112.10
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)-0.23700.3514-167.42
加权平均净资产收益率(%)-0.333.07减少3.40个百分 点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)-1.292.16减少3.45个百分 点
研发投入占营业收入的比例(%)38.5421.60增加16.94个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、报告期内,公司实现营业收入 14,213.36 万元,同比下降 43.23%;归属于上市公司股东净利润-1,063.74万元,同比下降117.97%;归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润-4,177.01万元,同比下降 200.17%。主要原因为:(1)受经济增速放缓等宏观因素影响,市场信心不足,上半年激光器市场需求仍旧较为疲软,叠加公司产品价格策略调整影响,导致营业收入同比有所下降;(2)产能利用率不足,相应的摊销费用较高。


2、报告期内基本每股收益和稀释每股收益同比下降112.10%,扣除非经常性损益后的基本每股收益同比下降167.42%,主要是因为报告期内净利润下滑,同时公司派发股票股利,相应股本增加所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益  
越权审批,或无正式批准文件, 或偶发性的税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外21,703,288.49 
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费  
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等  
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益  
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金14,876,458.10 
融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益,以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益  
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出-63,517.29 
其他符合非经常性损益定义的损 益项目482,089.23 
减:所得税影响额5,865,684.66 
少数股东权益影响额(税 后)  
合计31,132,633.87 

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一) 所属行业情况
公司聚焦半导体激光细分行业,主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”,指利用半导体光—电子(或电—光子)转换效应制成的各种功能器件制造。

半导体产业是现代信息产业的基础,广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域,是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。

半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域,而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品,由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成,在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。

半导体激光器引领光子时代,具有电光转换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点,为下游激光器提供不同光子能量,除可以直接使用外,亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源,属于其核心器件及关键部件。因此,根
(二) 公司主营业务情况
公司聚焦半导体激光行业,始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等,逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势,不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线,已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵,为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于:光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内,公司主营业务未发生重大变动。

经过多年的研发和产业化积累,针对半导体激光行业核心的芯片环节,公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺(光刻)、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线,应用于多款半导体激光芯片开发,突破一系列关键技术,是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时,依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势,公司业务横向扩展,建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台,另外公司业务向下游延伸,开发器件、模块及终端直接半导体激光器,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。


(三) 公司主要产品情况
公司核心产品为半导体激光芯片,并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力,纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸,横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。

报告期内,公司主要产品系列如下:

高功率单 管系列产 品    
 高功率单管芯片高功率单管器件光纤耦合模块直接半导体激光器
高功率巴 条系列产 品    
 高功率巴条芯片高功率巴条器件阵列模块 
激光雷达 与3D传 感系列产 品    
 激光雷达VLR系列激光雷达EEL系列TOF系列SL系列
光通信芯 片系列产 品    
 APD系列EML系列DFB系列PD系列
(四) 主要经营模式
1. 盈利模式
公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售,通过向下游客户销售半导体激光芯片系列产品实现收入和利润。报告期内,公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块等产品的销售。

2. 销售模式
公司主要通过对接下游厂家及终端用户,国内市场以直销方式进行销售,海外市场以代理商经销商销售为主。对于成熟且有明确行业标准或规格的产品,公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、学术会议、客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求新客户。对于新产品,公司在客户拓展过程中存在产品导入期。首先,公司根据客户需求进行产品设计、材料选型、样品制造等,对于芯片、器件类产品,由于涉及的性能参数较多,公司先行实施内部可靠性测试。然后将样品送至客户处做性能测试。性能测试通过后,客户会对公司产品实施可靠性测试。可靠性测试通过后,客户会向公司下单采购。公司开始对客户小批量供货,多批次同时合格后,会转入批量供货阶段。在产品定价策略上,公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产品制造成本等因素,经过与客户谈判协商后,确定产品价格。

3. 采购模式
公司制定了供应商管理制度,对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。

根据公司对生产材料的需求,采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应商,收集供应商资料,组织对供应商的能力进行调查,要求供应商提供样品,送技术部门进行测试和验证。根据供应商资料、测试或验证结果,综合进行判定并确定合格供应商,加入合格供应商目录。

公司根据生产计划,综合考虑产品定价、产品质量、付款方式、供货能力等诸多因素,经审批后与相关供应商订立采购协议。为确保主要材料品质的稳定性,公司主要以其行业地位及市场占有率为考虑因素选择行业内知名供应商。对于部分主材,考虑外部环境的变化、价格的波动及生产用料的安全性,适当保证一定的库存量。对于交期短且单价低的材料,以月或周为单位,向供应商下具体订单采购。对于交期长且成本高的材料,以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。同时,公司持续监控及评估现有及潜在供应商能否满足公司的要求及标准。公司对供应商进行定期考核,综合考虑原材料质量、交货期、后期服务、价格等因素,进行动态管理。

4. 研发模式
公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础,确定研发方向,新产品从概念设计开始先后经历6个阶段满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。

(1) 概念设计阶段(项目立项)
由市场销售部牵头,根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容,提出新项目导入申请,填写《产品阶段审批表》报评审委员会审批。经评审委员会指定项目负责人,会签《产品阶段评审表》后交由品质部存档、受控、发行后,新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。

(2) 技术开发阶段
根据概念设计阶段的资料,项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作,包含:确定技术开发性质,明确客户需求,明确参与人员、预算、工作计划,进行可行性分析、参数性能分析、环保分析、产品特性分析,评估风险及对应的控制措施等。

(3) α样品阶段
研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析,制定工作计划、质量保证计划,确定外观指标,进行供应商开发评审,并开始试制。样品试制完成后,项目负责人整理产品验证的相关技术资料,并根据样品情况更新原理草图、设计方案,完善技术指标。

(4) β样品阶段
β样品生产前,研发项目团队根据市场销售部识别的信息,适时依:①原理草图、设计方案、外观指标;②质量保证计划、研发预算、成本分析;③安全和环境评估、测量系统分析、设备和夹具分析、人员分析等,制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标准、作业指导书等技术文件,制定正式生产工作计划并实施。β样品生产完成后,研发项目团队对产品进行可靠性实验分析、单道工艺认证分析及寿命分析等。

(5) 小批量阶段
初步作业标准化试生产前,研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优化,进一步进行产品的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性实验分析、寿命分析、环保分析等,依据β样品试产的技术资料和过程试验报告,制定试生产工作计划并实施。试生产完成后,进行客户认证。

(6) 量产阶段
通过客户认证后,制造中心对产能进行评估,对设备投入实施管理,对人员、潜在失效模式及后果、安全和环境评估等进行分析,确认已具备量产能力,制定生产计划并组织实施。

5. 生产模式
公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式,覆盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程,设计、制造等环节协同优化,有利于公司充分发掘技术潜力,有助于公司率先开发并推行新技术。

由于公司生产工序较多,生产周期较长,公司实行“订单式”生产为主,结合“库存式”生产为辅的生产方式。“订单式”生产主要表现为以客户订单为标准,采用客户订单及全年预计的销售意向进行排产安排,及时更新客户需求及排产计划。“库存式”生产是指公司根据需求预测进行合理的库存备货,以备生产高峰期产能不足的情况。此综合模式可以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立健全研发体系和研发管理制度,加强对研发组织管理和研发过程管理,不断强化芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累,在核心技术方面屡获突破,打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时,针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展趋势,公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累,构建了GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、GaN(氮化镓)三大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品;横向扩展VCSEL及光通信激光芯片领域。依托公司多系列的产品矩阵,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力稳步提升。核心技术先进性及具体表征如下:

序 号技术 类别核心技术名称技 术 来 源技术介绍及先进性的具体表征产品应用 情况
1器件 设计 及外 延生 长技 术高功率高效率 高亮度芯片结 构设计自 主 研 发半导体激光器结构设计包括垂直快轴结构设计、水 平慢轴结构设计及纵向结构设计,通过模拟计算器 件的光斑及载流子分布对器件结构进行优化,综合 考虑器件光斑、载流子、量子阱、能带结构对器件 阈值、斜率、电压、量子效率等参数的影响,进行 最优化设计,提高芯片的效率、功率、光束质量、 电性能和可靠性。高功率激 光单管/巴 条芯片、 VCSEL 芯 片、光通信 芯片
2     
  分布式载流子 注入技术自 主 研 发公司采用分布式载流子注入技术解决半导体激光 器空间烧孔效应,提高载流子调制效率,寻找高效 抑制激光器高阶侧模的载流子调试注入方案,提高 2 半导体激光芯片的亮度,最高可达80MW/cmsr。高功率激 光单管/巴 条芯片
3     
  MOCVD外延生长 技术自 主 研 发激光器晶体材料采用高质量MOCVD外延技术实现。 公司的MOCVD 外延生长技术包括外延工艺、MOCVD 外延设备改进工艺,如针对温度场、气场分布与 III/V比等进行调整,并建立高铟组分应变量子阱 外延生长动力学模型,得到高质量的外延晶体材 料。高功率激 光单管/巴 条芯片、 VCSEL 芯 片、光通信 芯片
4     
  多有源区级联 的垂直腔面发 射(VCSEL)半导 体激光器的设 计自 主 研 发多节 VCSEL 的设计让 VCSEL 的多个有源发光区通 过隧道结串联起来共用上下点极和DBR层,实现低 电流下成倍的功率增长,器件的效率也大大提高。VCSEL芯片
5FAB 晶圆 工艺低损伤刻蚀工 艺技术自 主 研工艺流片(Wafer Fab)是通过光刻、刻蚀、清洗、 氧化、钝化工艺,将外延晶圆的有源区制备出脊波 导,通过磁控溅射、电子束蒸发、电镀、研磨减薄、高功率激 光单管/巴 条芯片、
 技术 退火、制备激光器正负电极并进行欧姆接触合金 化。公司建立步进式自动化光刻、程序化全自动湿 法刻蚀、自动清洗等标准自动化工序,可进行2吋、 3吋、6吋外延晶圆流片。公司在Wafer Fab工艺 和设备方面有一定的技术积累,可提高芯片的性能 和可生产性。VCSEL 芯 片、光通信 芯片
6     
  薄膜氧化热处 理工艺技术自 主 研 发公司在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅、三 氧化二铝等介质材料,通过调节材料的厚度和应力 水平,降低外延片的翘曲程度,提升薄膜密排垂直 腔面发射激光器制作中的光刻精度,从而实现薄膜 密排垂直腔面发射激光器的制备。VCSEL芯片
7腔面 钝化 处理 技术高功率芯片腔 面技术/高COMD 阈值的腔面保 护技术自 主 研 发腔面抗光学灾变损伤(COMD)是限制半导体激光器 输出功率和使用寿命的关键因素,从 COMD 失效的 原理出发,提高COMD阈值的技术主要包括:(1) 减少腔面的光吸收;(2)降低非辐射复合速率; (3)降低光子密度。高功率激 光单管/巴 条芯片、光 通信芯片
8封装 技术大功率半导体 激光器芯片封 装技术自 主 研 发半导体激光器的封装对芯片的性能有极大的影响, 封装需要提供电极及电路、通过焊接来提供好的散 热、不能有空焊、控制应力。公司采用大功率半导 体激光器芯片封装技术进行半导体激光器的封装, 从而提高器件的偏振性和可靠性。高功率器 件及模块
9高亮 度合 束及 光纤 耦合 技术高亮度光谱合 束技术自 主 研 发半导体激光器增益高、增益范围宽,只需少量反馈 即可压制本身发出波长,实现波长锁定。公司利用 高亮度光谱合束技术采用光栅+外腔结构进行波长 选择性反馈,实现波长锁定。但是过多的反馈将导 致输出功率降低,即整体电光效率降低。而过低的 反馈又将导致反馈光无法压制半导体激光器自身 发出波长。因此,公司通过选择光栅参数将波长选 择性反馈调整至合理的范围,提高光纤耦合模块的 输出性能。光纤耦合 模块
10     
  高质量光纤耦 合技术自 主 研 发半导体激光器光纤耦合模块出射激光需要通过光 束整形、合束、VBG等操作,最后耦合进光纤。公 司的高质量光纤耦合技术可实现高质量的光束整 形、波长锁定,最终成功将出射激光进行光纤耦合。光纤耦合 模块
11激光 系统 及应 用技 术激光镀膜技术自 主 研 发激光系统及应用技术主要指激光镀膜技术,公司采 用该技术可以将清洗后的基底立刻进行覆膜的压 合,相比传统的清洗和压合工序,清洗后的基底不 会再次被污染,对压合工序不会造成不良影响。直接半导 体激光器


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
长光华芯国家级专精特新“小巨人”企业2022/

2. 报告期内获得的研发成果
请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”—“经营情况讨论与分析” 报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利1319181104
实用新型专利114743
外观设计专利0187
软件著作权0000
其他0000
合计1421236154

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入54,771,654.2554,088,050.061.26
资本化研发投入---
研发投入合计54,771,654.2554,088,050.061.26
研发投入总额占营业收入比例(%)38.5421.60增加16.94个百 分点
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用


4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序号项目名称预计总投资规模本期投入金额累计投入金额进展或 阶段性 成果拟达到目标技术水 平具体应用 前景
1垂直腔面发射 (VCSEL)半导体激光 芯片的研发35,000,000.0018,330,684.5828,219,644.76中试阶 段开展器件结构设计、外延层生 长、晶圆制造工艺等激光器关 键技术的研究,实现增益光场 与载流子耦合分布结构设计、 DBR 参数的准确控制、高性能 隧道结和量子阱、应力平衡、 低应力湿法氧化及低损伤干法 刻蚀等技术的突破国内先 进人脸识别、 辅助摄像、 激光雷达、 AR/VR
23-5μm中红外量子 级联激光器的研发26,000,000.001,365,235.0616,771,182.08小试阶 段FP 量子级联激光器中心波长 3-5μm;DFB 单纵模边发射量 子级联激光器中心波长 3- 5μm国内先 进量痕气体 测量、工业 废气检测、 呼吸疾病 检测
3高功率半导体激光 芯片的研发70,000,000.0021,867,344.6545,675,984.35中试阶 段制备拥有完全自主知识产权的 高功率半导体激光器芯片国际先 进工业泵浦、 科学研究、 生物医学、 激光装备 等领域
4蓝绿光激光器的研 发8,000,000.003,864,518.325,779,141.88中试阶 段通过步进电机直线模组模拟凸 轮曲线运动,使输出透镜的位 置按照预设位置运动,实现光 束发散角动态调节。国内先 进激光器泵 浦源、科学 研究、激光 装备等领 域
5高功率巴条直接技 术17,000,000.004,065,080.864,633,215.53开发阶 段针对半导体巴条激光器,通过 对激光器物理机制及关键技术 研究,实现巴条高功率输出国际先 进工业泵浦、 科学研究、 激光装备 等领域
6光纤耦合半导体激 光器泵浦模块技术 研发A10,000,000.005,278,790.785,278,790.78中试阶 段基于自主研发芯片和合束技术 进行光纤耦合半导体激光泵浦 源的研究,最终研制出光纤激 光泵浦源产品国内先 进工业泵浦、 科学研究、 生物医学、 激光装备 等领域
合计/166,000,000.0054,771,654.25106,357,959.38////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)122112
研发人员数量占公司总人数的比例(%)24.70%26.54
研发人员薪酬合计2,109.281,645.48
研发人员平均薪酬17.2914.69


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士研究生1713.93%
硕士研究生4032.79%
本科5242.62%
专科119.02%
高中及以下21.64%
合计122100%
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含30岁)6250.82%
30-40岁(含30岁,不含40岁)5040.98%
40-50岁(含40岁,不含50岁)64.92%
50-60岁(含50岁,不含60岁)43.28%
60岁及以上00%
合计122100%


6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1. 核心技术优势
公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域,包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。

公司通过非对称的波导结构设计,让有源层更靠近p型限制层,且p型限制层的折射率大于n型限制层,在不改变光场模式曲线的情况下,实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构,改善了近场模式和远场输出特性;增大发光面积,相对减小输出光功率密度,在增加输出功率的同时保证器件寿命。

公司采用分布式载流子注入技术,通过图形化电极实现载流子的调制注入,平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布,解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应,最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布,进一步提升半导体激光器的输出功率。

公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案,制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构,大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生,提高芯片抗损伤阈值,最终公司研究的多有源区级联的半导体激光器中,让各个小数量的量子阱堆叠,分布在周期性光场的每一个峰的中心,每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置,增加了腔内增益,降低了器件的阈值,并不会增加材料的内损耗,从而提高了激光器的功率和效率。

公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔,每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配,所有激光单元保持输出波长一致性,从而实现波长锁定,由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。

2. 研发及制造工艺平台优势
公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线,拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备,并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前 2 吋量产线主要用于公司新方向氮化镓,3 吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格,而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线,相当于是硅基半导体的12吋量产线。

大部分工艺环节达到了生产自动化,实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产,芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。

公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售,掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节,已建成2吋、3吋及6吋半导体激光芯片量产线,构建了GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、GaN(氮化镓)三大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,具备各类以GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、GaN(氮化镓)为衬底的半导体激光芯片的制造能力。

3. 专业人才优势
公司深耕半导体激光芯片领域多年,核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验,并且高度重视聚集和培养专业人才,在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上,针对性地引入专业人才。目前,公司已构建一批高层次的人才队伍,包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣,承担多项国家级及省级重大科研项目。

公司始终以自身平台为基础,旨在培养一支新成长技术力量,并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所,签订产学研合作协议,建立联合实验室,推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究,进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
报告期内,受激光器市场需求整体低迷,公司努力落实各项应对措施,积极开拓市场,公司具体经营情况如下:
1. 研发工作稳步推进,核心产品不断优化
公司始终重视研发创新能力建设,持续加大对高功率芯片和模块、光通信产品、VCSEL产品、激光无线能量传输芯片、直接半导体激光器产品的投入,使产品保持创新性及领先性。上半年各项产品研发进展如下:
(1). 高功率半导体激光芯片从国产替代,到行业领先。2023 年 2 月,基于在 photonics west报道的芯片技术我司开发了更高功率芯片宽条宽半导体激光芯片,在业内首次推出最大功率超过 66W的单管芯片(热沉温度为室温),芯片条宽 290μm,最大效率超过 70%,工作效率超过 63%,这是迄今已知报道的条宽在 400μm 以下高功率激光芯片的最高水平。上半年,公司推出了 9XXnm 50W 高功率半导体激光芯片,在宽度为 330μm发光区内产生 50W的激光输出,光电转化效率高(大于等于 62%),现已实现大批量生产、出货,是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。另外,公司 9XXnm光纤激光器泵浦源功率提升至 1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至 500W,最大程度地节约单瓦材料成本,为客户创造价值。

(2). VCSEL应用不断拓展,市场规模预期增长。根据 IMARC Group数据,2022年,全球垂直腔表面发射激光器(VCSEL)市场的规模达 17亿美元,预计到 2028年,该市场规模将达到 45亿美元,2023-2028年间的复合年均增长率(CAGR)为 17.4%。公司的 VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向,现在主要有三方面应用:1、消费电子,主要用于手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域;公司将于下一阶段在 3D传感领域形成规模销售 2、光通信,短距离传输,应用于数据中心;3、车载激光雷达芯片,已通过车规IATF16949和 AECQ认证。公司已成为汽车厂商合规可靠的车载激光雷达芯片供应商。除车载雷达用 VCSEL 激光器芯片外,公司还积极布局开发车载 EEL 边发射激光器及 1550 nm 光纤激光器的泵浦源产品,随着项目的推进,将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。

随着 VCSEL自身技术的不断发展,以及与其他技术的结合使用,未来 VCSEL将迎来更多的新兴应用,比如用于眼动追踪、速度监测、PM2.5空气质量监测等。

(3). 光通信产品实现量产,公司正式进入高端光通信领域。公司的单波 100G EML (56GBd EML 通过 PAM4调制)和 50G VCSEL(25G VCSEL通过 PAM4调制)实现量产。公司光通信产品为当前 400G/800G 超算数据中心互连光模块的核心器件。AI 驱动高速光模块需求快速释放,根据 Omdia数据,2025年高速光通信芯片市场规模有望达到 43.40亿美元。

(4). 塑料激光穿透焊接领域新进展。依托完整的垂直产业链平台,公司使用完全自制的芯片,在国内率先推出完全自主的 1710nm直接半导体激光器,主要用于 1 mm以下透明/白色塑料的激光穿透焊。1710nm波长的激光在透明/白色塑料的吸收率上,会高出比它更短波长的激光的几倍至 10倍,能完美的把透明塑料元件焊接在一起,使用更灵活、焊接更美观。目前已在客户端批量应用,在产品的性能及性价比上得到了市场的较好回馈。


(5). 激光无线能量传输芯片引领科技前沿。激光无线能量传输技术具有高能量密度和远距离传输优势。可以为在轨卫星、无人机、移动终端等装备持续供电/补电,拥有广阔的应用前景。上半年,公司研究团队发布了全半导体激光无线能量传输芯片及系统的最新成果,包括 808 nm和 1 μm的发射端激光芯片及模块、接收端单/多结激光电池芯片及模块、激光无线传能系统。2023 年 4 月 19 日,公司 CTO 王俊博士做了相关学术报告《Semiconductor laser and power converter for optical wireless power transmission》,该报告为国内外首次报告全半导体全自主全链路的激光无线能量传输芯片。

2. 平台资源整合,横向拓展新征程
为响应苏州太湖光子中心建设推进暨苏州高新区产业创新集群发展的号召,公司作为发起者及骨干推动成立太湖光子中心的创建。围绕光子产业,为孵化企业提供生产平台和工艺研发、人才平台等全方位支持。发起成立光子产业基金,配合公司“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”战略实施。

(1). 横向拓展氮化镓方向,进军可见光领域,填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。全资子公司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”,为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础,并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。

第三代半导体材料(宽禁带半导体)氮化镓(GaN)以及其合金氮化物是直接带隙半导体,其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势,蓝光和绿光波段的 GaN 激光器产品,已经在激光加工(有色金属加工、激光直写)、激光显示(激光大屏电视,XR微投影)、激光照明(车载大灯)、特殊通信等领域具有广泛应用,总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增长趋势。参考 Market and Market 、Yole等机构的增长幅度测算,预计到 2026 年全球氮化镓元件市场规模将增长到 423 亿美元,年均复合增长率约为 13.5%。

镓锐芯光团队是国内最早从事氮化镓基激光器研究的团队,曾先后攻破关键核心技术,研制出国内首颗氮化镓基蓝光和绿光激光器芯片,填补国内在氮化镓的蓝绿光激光器领域的空白,研发成果和技术水平国内领先、国际一流。目前该公司研制的绿光激光器光功率已达 1.2W,处于国际先进水平。大功率蓝光激光器光功率已达 7.5W,达到国际一流水平。相关产品已进入可靠性验证阶段,明年一季度可向市场推出产品。

(2). 入股中久大光,加大特殊科研领域深度合作。公司全资子公司通过公开增资的方式对四川中久大光科技有限公司进行投资,2023年 5月 29日完成增资工商变更,投资持股比例 1%。公司与特殊领域行业龙头激光器企业达成深度战略合作关系,未来双方将联合研发多个重点项目,提升特殊领域研发能力。

3. 为增加市场占有率,多策略并行
(1). 国产替代与海外拓展并驾齐驱。随着外部环境的持续变化,公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司,将继续加大国产替代进程。同时,现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期,公司将进一步布局海外市场。海外业务的持续延展将为利润和毛利的提升提供有力支持。

(2). 价格调整策略,提高竞争壁垒。公司不断提高的研发能力和优化的生产工艺有效的降低了生产成本,从而公司主动调整了部分产品的价格,将进一步增加市场占有率和销售规模。

4. 完善内部控制,提升公司治理水平
报告期内,公司不断完善内控流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步优化各项制度流程,提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)业绩下滑的风险
报告期内,公司实现营业收入14,213.36万元,同比下降43.23%;归属于上市公司股东净利润-1,063.74万元,同比下降117.97%。收入和利润下降的主要原因系下游需求疲软,导致产能利用率不足,相应的摊销费用较高。未来受市场需求变化、行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响,公司的销售收入将可能面临较大幅度波动的情况,同时公司业绩还将面临原材料成本、人力成本、能源成本、持续的研发投入等各方面因素影响,从而使得公司面临经营业绩下滑的风险。

(二)核心竞争力风险
1. 技术升级迭代风险
公司经过多年的持续研发投入,在高功率半导体激光芯片领域形成了一系列技术积累。随着半导体激光技术的不断演进,技术革新及产品迭代加速、应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。若公司不能继续保持充足的研发投入,或者在关键技术上未能持续创新,亦或新产品技术指标无法达到预期,则可能会面临核心技术竞争力降低的风险,导致公司在市场竞争中处于劣势,面临市场份额降低的情况。

2. 研发失败风险
半导体激光行业是技术密集型行业,具有研发投入高、研发周期长、研发风险大及行业技术更新速度快等特点。公司在研发新产品的过程中,也存在下游客户的产品导入和认证过程,需要接受周期较长、标准较为严格的多项测试。若公司未能准确把握下游行业客户的应用需求,未能正确理解行业及相关核心技术的发展趋势,无法在新产品、新工艺等领域取得持续进步,可能导致公司产品研发失败,或因稳定性差、应用难度大、成本高昂、与下游客户需求不匹配等因素,导致公司新产品无法顺利通过下游客户的产品导入和认证,会对公司的经营业绩造成不利影响。

3. 关键技术人才流失风险
半导体激光行业属于技术密集型行业,对技术人员的依赖度较高,高素质技术人员是公司核心竞争力的重要组成部分,也是公司赖以生存和发展的基础和关键。稳定的研发队伍和技术人员,是公司持续进行技术创新和保持市场竞争优势的重要因素。未来,如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势、核心技术人员的激励机制不能落实、或人力资源管控及内部晋升制度得不到有效执行等,将难以引进更多的高端技术人才,甚至导致现有骨干技术人员流失,将对公司生产经营产生不利影响。

4. 生产良率波动风险
报告期内,公司主营业务为半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销售。由于公司产品生产技术要求较高、技术更新迭代较快,如有新型号、新规格且技术难度较高的产品导入量产,可能会使得生产良率有所波动。如果未来公司的生产工艺技术不能持续进步,则存在生产良率无法进一步稳步提升的风险,进而影响公司的经营业绩。

(三)经营风险
1. 客户集中度较高的风险
公司的主要产品应用领域为国内工业激光器领域,下游行业集中度较高,并且公司产能有限,大部分产能被用于满足下游主要客户的订单需求。受此影响,公司来自主要客户的收入较为集中。若公司因产品和服务质量不符合主要客户要求导致双方合作关系发生重大不利变化,或主要客户未来因经营状况恶化导致对公司的直接订单需求大幅下滑,可能对公司的经营业绩产生不利影响。

2. 产品价格下降的风险
报告期内,受产业链整体价格下降以及国内外厂商的竞争策略影响,公司单管芯片产品价格和光纤耦合模块产品价格呈下降趋势。若未来产品价格持续下降,而公司未能采取有效措施,巩固和增强产品的综合竞争力、降低产品生产成本,公司可能难以有效应对产品价格下降的风险,导致利润率水平有所降低。

(四)行业风险
1. 宏观经济及行业波动风险
公司产品处于激光行业产业链上游,其需求直接受到下游工业激光器、激光加工设备、激光雷达及消费电子等市场发展态势的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动,导致工业激光器等终端市场需求下降,或者激光雷达、消费电子需求下滑、应用场景不成熟等因素导致无人驾驶、人脸识别等技术应用不及预期,将对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。

2. 市场竞争加剧风险
近年来,在产业政策和地方政府的推动下,国内半导体激光行业呈现出较快的发展态势,市场参与者数量不断增加。与此同时,国外企业也日益重视国内市场。在国际企业和国内新进入者的双重竞争压力下,公司面临市场竞争加剧的风险。如竞争对手采用低价竞争等策略激化市场竞争形势,可能对公司产品的销售收入和利润率产生一定负面影响。

(五)其他风险
1. 财务风险
(1)固定资产投资的风险
公司所处的半导体激光行业属于技术和资本密集型行业,专利和技术投资、固定资产投资的需求较高,尤其是生产制造所需的外延生长设备、腔面处理设备、光刻设备、测试组装设备等关键设备的购置成本高昂,规模化生产所需的生产线建设投入较大。

此外,公司首次公开发行募集资金投资项目实施完成后,公司固定资产等长期资产将继续增加,固定资产折旧费用也将相应上升。若公司产销规模未能随之增长,可能导致产品单位成本中单位制造费用较高,进而影响产品毛利率水平,使得公司业绩下降。

(2)应收账款坏账风险
公司的应收账款金额较大。虽然公司主要客户包括行业内知名的客户及科研院所等,商业信誉良好,且公司已按照谨慎性原则计提了坏账准备,但若未来公司大量应收账款不能及时收回,将形成较大的坏账损失,从而对公司经营业绩造成不利影响。

2. 内控风险
(1)不存在实际控制人风险
公司股权相对分散,不存在控股股东和实际控制人。公司经营方针及重大事项的决策由股东大会和董事会按照公司议事规则讨论后确定,但不排除存在因无控股股东、无实际控制人导致公司决策效率低下的风险。同时,分散的股权结构导致公司上市后有可能成为被收购的对象,从而导致公司控制权发生变化,给公司生产经营和业务发展带来潜在的风险。

(2)产品质量控制风险
公司重视产品质量管理,建立了严格的质量控制制度,在产品生命周期内进行全流程监控,建立了覆盖原材料采购、产品生产、产品入库的全过程质量控制体系,并通过了ISO9001体系认证。由于半导体激光芯片生产工艺较复杂、技术难度高等,若某一环节因质量控制疏忽而导致产品出现质量问题,将会对公司品牌形象、市场拓展、经营业绩产生不利影响。



六、 报告期内主要经营情况
2023年上半年公司实现营业收入14,213.36万元,较上年同期下降43.23%;归属于上市公司股东净利润-1,063.74万元,较上年同期下降117.97%。公司上半年受外部市场环境影响,销售收入下滑,产能利用率不足,影响利润水平。 公司在市场压力下,持续进行研发投入,公司研发能力及产品水平进一步提高,持续推出新产品,保持产品领先水平。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入142,133,562.90250,378,250.17-43.23
营业成本97,552,922.54116,602,751.91-16.34
销售费用7,931,067.0816,266,676.56-51.24
管理费用17,488,206.7714,147,184.2023.62
财务费用-3,733,632.03933,824.88-499.82
研发费用54,771,654.2554,088,050.061.26
经营活动产生的现金流量净额45,601,126.84-109,834,364.48不适用
投资活动产生的现金流量净额19,539,523.89-2,188,477,560.69不适用
筹资活动产生的现金流量净额-16,383,705.542,493,752,285.98-100.66
营业收入变动原因说明:主要受整体宏观经济影响,市场信心不足,激光器下游需求低迷影响,以及公司调整价格策略,进一步提升市场竞争力
营业成本变动原因说明:主要受收入规模变化及产品结构变化的影响 销售费用变动原因说明:主要为随着收入的下降及产品质量的提升,相应的售后维修费用减少 管理费用变动原因说明:主要为加强管理团队建设,职工薪酬、咨询服务费增加所致 财务费用变动原因说明:主要为上半年利息收入增加所致
经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要为公司加强应收款管理及受票据到期时点影响 投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要受使用短期闲置资金进行理财活动的影响 筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要为本期内进行了利润分配及票据贴现,且上年同期募集资金到位导致当期筹资活动产生的现金流量净额较高

2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明
□适用 √不适用

(三) 资产、负债情况分析
√适用 □不适用
1. 资产及负债状况
单位:元
(未完)
各版头条