[中报]中芯集成(688469):绍兴中芯集成电路制造股份有限公司2023年半年度报告

时间:2023年08月30日 20:27:51 中财网

原标题:中芯集成:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司2023年半年度报告

公司代码:688469 公司简称:中芯集成 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 2023年半年度报告




重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在生产经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。

三、 公司全体董事出席董事会会议。

四、 本半年度报告未经审计。

五、 公司负责人赵奇、主管会计工作负责人王韦及会计机构负责人(会计主管人员)曹桂莲声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中涉及的公司未来发展计划、发展战略、经营计划等前瞻性描述,不构成公司对投资者的实国承诺,敬请投资者注意投资风险。

九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................................................... 6
第三节 管理层讨论与分析 ......................................................................................... 10
第四节 公司治理 ......................................................................................................... 37
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................. 39
第六节 重要事项 ......................................................................................................... 43
第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................... 70
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................. 83
第九节 债券相关情况 ................................................................................................. 83
第十节 财务报告 ......................................................................................................... 84



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会 计主管人员)签名并盖章的财务报告。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
  



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
中芯集成、公司、本公 司绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
中芯越州中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司,公司控股 子公司
中芯先锋中芯先锋集成电路制造(绍兴)有限公司,公司控股 子公司
吉光半导吉光半导体(绍兴)有限公司,公司全资子公司
上海芯昇上海芯昇集成电路有限公司,公司全资子公司
中芯置业中芯置业(绍兴)有限公司,公司全资子公司
中芯置业二期中芯二期置业(绍兴)有限公司,公司全资子公司
中芯国际中芯国际集成电路制造有限公司
越城基金绍兴市越城区集成电路产业基金合伙企业(有限合 伙),公司股东
中芯控股中芯国际控股有限公司,公司股东
硅芯锐绍兴硅芯锐企业管理合伙企业(有限合伙),公司股 东、直接员工持股平台
日芯锐绍兴日芯锐企业管理合伙企业(有限合伙),公司股 东、直接员工持股平台
共青城橙海共青城橙海股权投资合伙企业(有限合伙),公司股 东
共青城秋实共青城秋实股权投资合伙企业(有限合伙),公司股 东
共青城橙芯共青城橙芯股权投资合伙企业(有限合伙),公司股 东
青岛聚源芯越二期青岛聚源芯越二期股权投资合伙企业(有限合伙), 公司股东
青岛聚源银芯青岛聚源银芯股权投资合伙企业(有限合伙),公司 股东
青岛聚源芯越青岛聚源芯越股权投资合伙企业(有限合伙),公司 股东
董事会绍兴中芯集成电路制造股份有限公司董事会
监事会绍兴中芯集成电路制造股份有限公司监事会
股东大会绍兴中芯集成电路制造股份有限公司股东大会
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
科创板上海证券交易所科创板
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
报告期2023年1月1日至2023年6月30日
半导体常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见
  的半导体材料有硅、硒、锗等
分立器件单一封装的半导体组件,具备某种基本电学功能
功率器件应用于电力设备的电能转换和电路控制的器件,是分 立器件的重要组成部分,包括二极管、晶闸管、IGBT、 MOSFET等
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管,是一 种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶 体管
IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极 型晶体管,同时具备MOSFET和双极型晶体管的优点, 如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能 力高、工作频率高等特点
功率模组、功率模块由多个功率器件按一定电路拓扑连接并封装形成的 开关器件组合体,可以缩小装置体积,提高功率及功 率密度
集成电路、IC一种微型电子器件或部件。采用半导体制造工艺,把 一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件 及它们之间的连接导线全部制作在一小块半导体晶 片如硅片或介质基片上,然后焊接封装在一个管壳 内,成为具有所需电路功能的电子器件
智能功率模组、IPM由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快 速保护电路构成的功率模组,具有过流保护等功能
MEMS微机电系统/微机电,集成了微传感器、微执行器、微 机械结构、微电源、信号处理和控制电路、高性能电 子集成器件等于一体的微型器件或系统
晶圆制造半导体的衬底(也叫基片)。由于是晶体材料, 其形状为圆形,所以称为晶圆。按其直径主要分为4 英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等规格
封装将生产加工后的晶圆进行切割、焊线塑封,使电路与 外部器件实现连接,并为集成电路提供机械保护,使 其免受物理、化学等环境因素损伤的工艺
封测封装及封装后测试的简称
射频、RFRadio Frequency,是一种高频交流变化电磁波,频 率范围从300kHz~300GHz之间
屏蔽栅沟槽型MOSFET在沟槽内栅多晶硅电极下面引入另一多晶硅电极,并 使之与源电极电气相连,采用氧化层将上下二个多晶 硅电极隔开,具有导通电阻低、栅电荷低、米勒电容 低等特点
超结MOSFET高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种新 型功率器件,在平面垂直双扩散金属-氧化物半导体 场效应晶体管的基础上,引入电荷平衡结构
模拟芯片处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟 信号是指用电参数,如电流和电压,来模拟其他自然
  物理量而形成的连续性的电信号
碳化硅、SiC一种第三代半导体材料,具有禁带宽度大、临界磁场 高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质
QFNQuad Flat No-lead Package,方形扁平无引脚封装
HVICHigh Voltage Integrated Circuit,高压集成电路
QCDESTQuality-Cost-Delivery-Service-ESH-Technology 首字母缩写,是公司首创的供应商评价及管理体系
赛迪顾问赛迪顾问股份有限公司,直属于工信部中国电子信息 产业发展研究院的咨询企业
YoleYole Development,法国市场研究与战略咨询公司

特别说明:本报告若出现总数与各分项数值之和尾数不符的情况,均为四舍五入原因造成。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
公司的中文简称中芯集成
公司的外文名称Semiconductor Manufacturing Electronics (Shaoxing)Corporation
公司的外文名称缩写SMEC
公司的法定代表人赵奇
公司注册地址浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
公司办公地址的邮政编码312000
公司网址www.smecs.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名王韦张毅
联系地址浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江 路518号浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江 路518号
电话0575-884218000575-88421800
传真0575-884208990575-88420899
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《中国证劵报》(www.cs.com.cn)《上海证劵 报》(www.cnstock.com)《证劵时报》( www.stcn.com)《证劵日报》(www.zqrb.cn)
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简 称
人民币普通股(A 股)上海证券交易所科创板中芯集成688469不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币


主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比 上年同期增 减(%)
营业收入2,519,890,395.682,030,631,364.7524.09
归属于上市公司股东的净利润-1,108,573,595.43-572,768,212.61不适用
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润-1,247,797,211.46-661,395,732.56不适用
经营活动产生的现金流量净额961,664,308.91549,660,221.4474.96
 本报告期末上年度末本报告期末 比上年度末 增减(%)
归属于上市公司股东的净资产13,232,854,653.273,443,763,923.46284.26
总资产36,733,346,056.0125,859,557,900.8242.05
(二) 主要财务指标


主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
毛利率(%)-1.12-1.66增加0.54个百分点
净利率(%)-56.00-38.75减少17.25个百分点
息税折旧摊销前利润率(%)16.16%13.94%增加2.22个百分点
基本每股收益(元/股)-0.21-0.11-83.42
稀释每股收益(元/股)-0.21-0.11-83.42
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)-0.23-0.13-78.74
加权平均净资产收益率(%)-24.86-13.62减少11.24个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)-27.98-15.73减少12.25个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)25.7918.78增加7.01个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
本报告期内营业收入的增长,主要是由于主营业务收入大幅增长,销售晶圆的数量增加、及本报告期内产品组合变动带来价格提升所致。剔除向员工销售配套用房等非主营业务收入后,公司本报告期内主营业务收入增加9.38亿元,同比增长比例为60.75%。

本报告期内经营活动产生的现金流量净额增加,主要是由于本期销售商品收到的现金增加所致。
本报告期内研发投入占收入比例上升,主要是由于公司为进一步扩大市场规模,提升产品的竞争力,大量投入新项目研发,特别是加大12英寸研发项目所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益455,343.61 
越权审批,或无正式批准文 件,或偶发性的税收返还、 减免  
计入当期损益的政府补助,96,735,191.65 
但与公司正常经营业务密切 相关,符合国家政策规定、 按照一定标准定额或定量持 续享受的政府补助除外  
计入当期损益的对非金融企 业收取的资金占用费  
企业取得子公司、联营企业 及合营企业的投资成本小于 取得投资时应享有被投资单 位可辨认净资产公允价值产 生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的 损益  
因不可抗力因素,如遭受自 然灾害而计提的各项资产减 值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工 的支出、整合费用等  
交易价格显失公允的交易产 生的超过公允价值部分的损 益  
同一控制下企业合并产生的 子公司期初至合并日的当期 净损益  
与公司正常经营业务无关的 或有事项产生的损益  
除同公司正常经营业务相关 的有效套期保值业务外,持有 交易性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生金 融负债产生的公允价值变动 损益,以及处置交易性金融资 产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他 债权投资取得的投资收益49,056,610.51 
单独进行减值测试的应收款 项、合同资产减值准备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续 计量的投资性房地产公允价 值变动产生的损益  
根据税收、会计等法律、法  
规的要求对当期损益进行一 次性调整对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业 外收入和支出391,130.47 
其他符合非经常性损益定义 的损益项目  
减:所得税影响额  
少数股东权益影响额 (税后)7,414,660.21 
合计139,223,616.03 

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)公司所属行业
根据国家统计局《2017年国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”,为国家发改委颁布的《产业结构调整指导目录(2019 年本)》规定的鼓励类产业;根据《战略性新兴产业分类(2018)》,公司所处行业为“1.2.1 新型电子元器件及设备制造”。根据中证行业分类标准,公司所处一级行业分类为“45 信息技术”,二级行业分类为“4530 半导体”。

(二)公司所处行业发展趋势
(1) 行业回暖趋势不及预期
2023年上半年,全球半导体行业继续下行趋势。根据美国半导体行业协会(SIA)发布的数据显示,2023年2-6月全球半导体销售额虽呈现逐月连续小幅上涨趋势,但2023年上半年全球半导体销售额约2432亿美元,仍同比下降约20%。在全球半导体销售下降的趋势中,中国半导体销售额的全球占比仍接近30%。受新能源汽车价格波动及消费类市场疲软的影响,2023年半导体价格下降趋势明显。户用光伏受欧洲市场波动的影响,市场需求下降,半导体库存水位上升。

(2) 产业政策支持,国产替代机遇大
中国拥有全球最大且增速最快的半导体消费市场,巨大的下游市场配合积极的国家产业政策与活跃的社会资本,正在全方位、多角度地支持国内半导体行业发展。

随着国家对“中国制造”和“新基建”的重点关注,以及国内芯片技术的提升,国产高端芯片在国际市场上已获得较高的接受度和认可度。国际关系的不断调整,一定程度上促使国内企业加大自主研发力度以实现进口替代。

工信部近期召开的新闻发布会指出,支持“加快关键芯片、高精度传感器等新技术新产品的研发和推广应用进一步提升产业发展内生动力,进一步完善网联基础设施”,并要求重点开展新能源汽车产业的“关键技术攻关”。叠加国家政策对半导体行业的大力支持,给国内半导体制造实现进口替代注入了“强心剂”。

(3) 新能源汽车、风光储能等细分赛道需求高增长
功率半导体作为汽车电子的核心,是新能源汽车中成本仅次于电池的第二大核心零部件,在汽车引擎中的电能转换、驱动系统中的转向、变速、制动,以及车灯、仪表盘等仪器的运作控制等方面均发挥着重要作用。在传统汽车向新能源汽车过渡中,功率半导体的需求增量明显。

中国目前拥有全球最大的IGBT和MOSFET消费市场,随着新能源汽车的普及度快速提升,新能源汽车及充电桩对IGBT、MOSFET等功率器件的需求也在大幅提升,但目前国内IGBT和高端MOSFET市场仍以国外厂商占据较大市场份额,未来我国功率器件需求仍将持续保持增长,同时国产替代进程也在加速。根据Yole数据预测,至2025年,全球功率半导体分立器件和模块的市场规模将分别达到76亿美元和113亿美元。

光伏发电、电能存储、家居用电三者结合的一体化系统,既解决了发电环节的问题,也解决了储电、用电等环节的问题。光储一体化是未来发展的重要趋势,储能系统的运用将成为光伏大规模应用、能源结构转型的关键要素。根据国家能源局数据,2023年1-6月,全国风电、光伏新增装机在1亿千瓦以上,风电光伏新增装(4) 碳化硅(SiC)器件和模组发展潜力巨大
随着5G、新能源汽车等市场发展,碳化硅(SiC)器件和模组的需求规模保持高速增长。根据Yole数据预测,预计到2027年,以碳化硅(SiC)为主要代表的第三代半导体市场规模将达62.97亿美元,其中新能源汽车领域将达到49.86亿美元。

近年来,国际关系发展给国产碳化硅(SiC)器件和模组带来了发展良机,同时,在碳中和趋势下,碳化硅有望在国内新能源汽车、光伏、风电、工控等领域中持续渗透。随着全球碳化硅(SiC)市场的高速成长,新能源汽车、光伏逆变器本土品牌商在全球的市场份额不断提升,国内企业已获入场机会,且有望通过技术快速迭代和产能扩张受益,国产替代的空间非常广阔。

(三) 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司致力于成为新能源产业核心芯片和模组的支柱性力量。

公司在功率器件、MEMS、射频三大产品方向上拥有领先的核心芯片技术,可以提供从功率器件及模组、驱动芯片到控制一套完整的系统方案,产品覆盖新能源汽车、风光储、电网等中高端应用领域。

公司已成为国内具备车规级IGBT芯片及模组生产能力的规模最大的代工企业,拥有种类完整、技术先进的车规级高质量功率器件研发及量产平台,是中国重要的车规级IGBT芯片及模组制造基地。公司的IGBT技术已和国际先进水平同步,产品已广泛应用于新能源汽车主驱逆变、光伏逆变及升压,超高压IGBT也已进入国家电网智能柔性输电系统挂网应用。

公司经过两年的研发和可靠性验证,于2023年上半年实现了车载主驱逆变大功率模组中使用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET的规模化量产(2千片/月),接下来还将进一步扩大量产规模。

同时,公司是国内规模最大、技术最先进的MEMS晶圆代工厂,根据Yole发布的《2023年MEMS产业现状》报告,全球主要MEMS晶圆代工厂中,中芯集成排名全球第五。

(四)公司主营业务、主要产品及服务情况
公司面向新能源汽车、风光储和电网等工业控制领域、高端消费品市场等,提供从设计服务、晶圆制造、模组封装、应用验证到可靠性测试的一站式芯片和模组的代工制造服务。

公司产品主要应用场景如下:
新能源汽车为主的车载领域产品已完成全面市场布局导入并实现大规模量产,产品应用覆盖汽车主驱和车身控制、BMS、OBC、电源管理和新能源充电,填补了多项国产空缺。

应用于工控领域的产品,如光伏、风力发电、储能、服务器电源、充电桩、智能电网、服务器等高端工控领域已经实现大批量出货。

高端消费品领域,公司的产品广泛应用在品牌手机、5G通讯、物联网、AR/VR、智能家电等终端产品上。

(五)公司主要经营模式
1、盈利模式
公司根据市场和客户的需求,研发功率半导体和MEMS等领域的晶圆代工及模组封装技术,为客户提供一站式系统代工解决方案,从而实现相应的收入及利润。

2、研发模式
公司长期持续建设完整的研发体系,坚持市场和研发紧密结合,坚持产品和技术相互支撑。公司实现了研发和大规模量产的无缝衔接,快速交付、持续迭代。公司的研发流程具体包括可行性评估、研发计划与立项、研发项目成本管理、研发项目实施与进度控制、工程试制验证、研发项目验收与评价等环节。

3、采购模式
公司主要向供应商采购晶圆代工及配套服务所需的物料、设备及技术服务等。

为提高生产效率、减少库存囤积、加强成本控制,公司建立了采购管理体系。公司拥有成熟的供应商管理体系与完善的供应链安全体系,建立了供应商准入机制、供应商考核与评价机制及供应商能力发展与提升机制,在与主要供应商保持长期稳定合作关系的同时,兼顾新供应商的导入与培养,加强供应链的稳定与安全。

4、生产模式
公司具备完善的生产运营体系,采取“以销定产”的生产模式,综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划,并按计划进行投产。

5、营销及销售模式
公司采用多种营销方式,积极通过各种渠道拓展客户,具体包括:①公司通过市场研究,主动联系并拜访目标客户,推荐与客户匹配的工艺和服务,进而展开一系列的客户拓展活动;②公司通过与客户的上游供应商、封装测试厂商及各行业协会合作,与客户建立合作关系;③公司通过主办技术研讨会等活动或参与半导体行业各类专业会展、峰会、论坛进行推广活动并获取客户;④客户通过公司网站、口碑传播等公开渠道联系公司寻求直接合作。

公司采用直销模式开展销售业务。公司通过上述营销方式与客户建立合作关系后,将与客户直接沟通并形成符合客户需求的解决方案。公司销售团队与客户签订订单,并根据订单要求提供晶圆代工及相关配套服务,按客户需求进行封装、测试,或将产品发货至客户指定封装、测试厂商。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司确立了功率半导体、传感器、信号连接三大技术方向,坚持自主研发,在新能源汽车、风光储和电网等工业控制领域、高端消费品市场所需要的产品上,持续研发先进的工艺及技术。

公司攻克了各种可靠性以及安全性的技术难题,建立了从研发到大规模量产的全流程车规级质量管理体系,通过了 ISO9001(质量管理体系)、IATF16949(汽车质量管理体系)、ISO26262(道路车辆功能安全体系)等一系列国际质量管理体系认证,制造的产品成功进入了新能源汽车的主驱逆变器、车载充电器、DC/DC 系统、辅助系统等核心应用领域。

在新能源汽车应用领域,公司建立了种类完整、技术先进的车规级高质量研发及量产平台。目前,公司是国内技术最先进、规模最大的IGBT生产基地,拥有比肩国际先进水平的IGBT芯片技术,制造的IGBT产品在可靠性、开关效率、产品一致性等性能上表现优异。公司具备深沟槽刻蚀、超薄减薄工艺、高能注入、平坦化工艺、激光退火、双面对准、质子注入、局部载流子寿命控制、嵌入式传感器、多元化金属层、高性能介质层、高低温CP测试等高端工艺技术;由公司各类工艺平台制造的功率器件产品已大规模量产并广泛应用于多个终端应用领域。用于车载主驱逆变大功率模组的车载IGBT技术已完成参数及可靠性认定,进入量产阶段;用于车载主驱逆变大功率模组的SiC MOSFET技术研发已完成工艺平台搭建及部分产品系列的可靠性认定,进入车规量产;用于车载电池管理、EPS/IPS及刹车自动电机领域的SGT技术,已进入车规量产。

在工控应用领域,光伏、风力发电、储能、服务器电源、充电桩、智能电网、服务器等也已经实现大批量出货。公司用于工业控制的600V到1,700V高密度先进IGBT已实现大规模量产;用于智能电网的超高压 3,300V 和4,500V IGBT以及用于锂电保护的低压 MOSFET均实现了进口替代;用于高压输配电的高压IGBT已成功挂网,器件性能符合设计预期。

在高端消费领域,公司拥有国内规模最大、技术最先进的 MEMS 晶圆代工厂,牵头承担了国家科技部“十四五”规划重点专项“MEMS传感器批量制造平台”项目等国家科技重大专项项目。公司具备体硅和表面硅工艺能力,针对主流应用开发了标准化成套制造工艺,重点研究攻克了高精度膜层沉积/生长、高强度键合技术、高兼容度的敏感元件低温工艺、无损集成器件的MEMS牺牲层释放技术等一系列共性关键技术,为国家快速发展的智能化、物联网等产业的核心芯片需求提供了强有力的支撑。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
公司持续保持高水平的技术研发投入,配置国际先进技术资源,引进高端技术人才,坚持自主研发,保持公司技术水平领先国内,对齐国际。报告期内,公司不仅在晶圆制造工艺进行大力的研发,并在研发领域进行延伸,着眼于芯片行业的模组化。

报告期内,公司新增专利51个,其中:发明专利15个、实用新型专利34个。

公司的发明专利“超结器件及其制造方法”(授权公告号CN 111933691 B)获得中国专利奖“发明专利优秀奖”荣誉。

公司在报告期内的主要研发成果包括:
(1) 强化车载应用研发新技术
报告期内,公司在研项目着力提升应用于高端新能源汽车主驱逆变器的技术水平。其中,应用于车载主驱逆变大功率模组的车载IGBT技术及SiC MOSFET技术已达到国内领先、对齐国际技术水平;SiC MOSFET技术研发已完成工艺平台搭建,并已完成全系列产品参数及可靠性认定,用于新能源汽车主驱逆变的SiC MOSFET已实现批量生产和装车。

应用于车载电池管理、EPS/IPS及刹车自动电机领域的第一代和第二代车载SGT(屏蔽栅沟槽型MOSFET)技术,其对应的40V-150V产品,已进入车规量产,从产品的动态损耗、静态损耗、可靠性评价,其技术水平已处于国内领先,比肩国际主流水平。

同时,在车载应用领域,公司大力研发车载相关封装模组技术,目前其技术水平已达到国内领先。如,应用于新能源汽车主驱逆变器的灌封车载模块技术研发,750V IGBT灌封模块实现规模量产,1200V IGBT 灌封模块通过客户端验证;应用于新能源汽车主驱逆变器的塑封车载模块技术研发,双面散热塑封车载IGBT模块实现规模量产。车载超大尺寸PDFN(TO-LL)封装技术,其平台产品通过客户端功能验证,同步完成汽车电子产品AECQ101认证。

(2) 拓展工控应用研发新领域
报告期内,公司大力拓展在高压输配电、光伏、锂电池电源保护、商用无人机、充电桩、功率电源等工控各领域的研发。公司在工控领域的主要技术已达到国际主流水平。公司应用于高压输配电领域的高压IGBT技术,其高压4500V IGBT成功挂网应用;应用于锂电池电源保护、商用无人机的第二代超低压高密度沟槽型MOSFET技术研发已完成工艺平台搭建,并完成参数及可靠性的认定,进入量产阶段;公司应用于工控等各领域的第三代屏蔽栅沟槽型MOSFET技术,完成性能认定,达到设计预期。

另外,公司应客户需求,向下延伸工控领域的封装模组技术。公司的灌封工业光伏模块技术研发,主要应用于光伏逆变器,光伏模块650V 平台实现规模量产,1000V的光伏模块通过客户端验证,性能已达到世界先进水平。

(3) 突破消费应用研发新深度
公司在消费应用领域的研发技术水平经多年的市场锤炼,目前已达国内领先。

报告期内,公司在充分利用丰富的芯片研发经验的基础上,深度结合市场变化与客户需求,不断打磨并提升公司的研发深度。应用于高端消费品的超高性能硅麦克风技术研发,已攻克关键技术,完成样品研发,性能符合预期。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利7515395122
实用新型专利2534150120
外观设计专利2264
软件著作权0000
其他0000
合计10251551246

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度 (%)
费用化研发投入649,904,872.93381,304,272.8070.44
资本化研发投入00 
研发投入合计649,904,872.93381,304,272.8070.44
研发投入总额占营业收入比例(%)25.7918.787.01
研发投入资本化的比重(%)000

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司2023年上半年研发费投入同比上升70.44%,主要系因公司三期12寸项目加大研发投入力度所致。

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序号项目名称进展或阶段性成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1车载IGBT技术完成参数及可靠性认定,进入量 产阶段完成第三代IGBT器件 全套工艺技术,形成规 模化的晶圆制造代工能 力国内领先,对 齐国际水平应用于车载主驱逆变 大功率模组
2SiC MOSFET技术研 发1.工艺平台搭建完成2.1200V平 台完成全系列产品参数及可靠性 认定,进入量产阶段3.750V平台 完成全系列产品参数及可靠性认 定完成750V-1200V全电 压系列工艺技术开发, 形成规模化的晶圆制造 代工能力国内领先,对 齐国际水平应用于车载主驱逆变 大功率模组
3高压IGBT技术成功挂网,器件性能符合设计预 期性能达到国际同类厂商 水平,建立专用生产 线,搭建特高压器件代 工平台国内领先,对 齐国际水平应用于高压输配电
4第二代超低压高密 度沟槽型MOSFET技 术研发工艺平台搭建完成;完成参数及 可靠性认定,进入量产阶段性能达到国际同类厂商 水平,提供规模化的代 工平台国内领先,对 齐国际水平应用于锂电池电源保 护、商用无人机
5第一代车载SGT(屏 蔽栅沟槽型 MOSFET)产品研发完成参数及可靠性认定,进入量 产阶段性能达到国际先进水 平,实现国产替代国内领先应用于汽车领域
6车载超结MOSFET技 术研发完成参数性能认定,功能性达到 设计预期,可靠性通过性能达到国际先进水 平,实现国产替代国内领先应用于汽车领域
7高功率超结MOSFET 技术研发1.工艺平台搭建完成2.600V/650V 参数符合预期,并通过终端认证性能达到国际同类厂商 水平,提供规模化的代 工平台国内领先应用于充电桩及功率 电源
8第三代屏蔽栅沟槽 型MOSFET技术研发完成性能认定,达到设计预期性能达到国际最先进一 代水平国内领先,对 齐国际水平应用于消费、工控等 各领域
9车规级压力传感器 研发1.压力平台已完成,其中(量程 100KPa~3.5MPa)差压压力传感器 工艺趋于成熟2.绝压压力传感器 (量程100KPa~3.5MPa)工艺成熟且 稳定;可靠性验证通过3.微压 (50KPa)小量程也研发完成研发高可靠性、高精 度、小尺寸的车载应用 压力传感器芯片国内领先应用于物联网/汽车 发动机,油压,胎 压,制动液压等/智 能家居
10高精度车载惯性器 件研发1.工艺平台搭建完成2.加速度计 已通过可靠性认证,进入批量生 产阶段3.三轴陀螺完成工艺平台 搭建,功能性验证通过研发车规级惯性传感 器,填补国内空白国内领先应用于AR/VR设备, 无人机,智能机器人 和L3~L4级辅助驾驶 等众多产品中
11消费类IMU惯性器 件研发攻克关键技术,完成工艺开发; 进度符合预期研发六轴一体式惯性器 件工艺平台,用于中高 端的消费类应用国内领先应用于智能手机/平 板,可穿戴设备, AR/VR设备,平衡 车,扫地机及无人机 等众多产品中
128英寸射频滤波器技 术研发第一代产品规模量产;第二代产 品小规模试产阶段完成滤波器全套工艺技 术,形成晶圆制造、封 装制造一体化的系统集 成代工能力国内领先应用于4G、5G等射 频前端领域
13用于三维感知的 MEMS激光技术研发GaAs基光电传感器产品完成研发 样品送样,并通过客户应用测试 验证,预计Q3小批量试产建立专用生产线,完成 GaAs基光电传感器代工 平台国内先进应用于消费类和车载 类的光电传感器领域
14用于消费类MEMS模 拟技术研发已开发180nm 1.8V/3.3V, 1.8V/5V模拟技术平台,噪声达到 业界水准。提供零温漂的薄膜电 阻研发MEMS模拟信号转 换,传输,放大等处理 技术,提供MEMS配套 的模拟技术解决方案国内领先消费类 MEMS ASIC
15用于工业和车载的 功率器件集成技术 研发已开发出180nm 40V工业级BCD 工艺平台,60V和120V的车载工 艺平台,器件性能为国内领先水 平。并提供DTI隔离,HVCAP,薄 膜电阻等高性能器件和隔离研发功率器件集成技 术,实现功率开关,驱 动等功能,提升功率芯 片的集成化,缩小产品 尺寸国内领先工业和车载LDO,车 载DC/DC,Driver
16MEMS mirror光学传 感器工艺平台开发已开发出应用于激光雷达和工业 机器人等的大尺寸8mmx8mm镜面 工艺平台,内测通过车规级标 准,具备量产能力面向车规和工业应用, 开发大尺寸MEMS微振 镜工艺平台,提供高质 量的批量化量产平台国内领先车载激光雷达、工业 3D扫描
17超高性能硅麦克风 技术研发攻克关键技术,完成样品研发, 性能符合预期开发用于高端消费品的 高性能硅麦克风国内领先,对 齐国际先进高端消费品
18塑封车载模块技术 研发双面散热塑封车载IGBT模块规模 量产研发双面/单面塑封车 载模块,实现IGBT模 块量产,实现高性能散 热模块国内领先新能源汽车主驱逆变 器
19灌封车载模块技术 研发750V IGBT灌封模块实现规模量 产,1200V IGBT灌封模块通过客 户端验证研发灌封工艺平台模 块,750V/1200V IGBT 模块实现自主研发国内领先新能源汽车主驱逆变 器
20灌封工业光伏模块 技术研发光伏模块650V平台实现规模量 产,1000V平台通过客户端验证研发光伏模块,实现自 主一体化开发,从芯片 制造到模块设计、模块 制造,可靠性等国内领先光伏逆变器
21小功率TO封装技术 研发TOLL可靠性已经通过,客户验证 通过,已经量产。TO247可靠性验 证通过研发功率开关类,实现 自主一体化开发,从芯 片制造到封装设计、封 装制造,测试,可靠性 等。以更小的封装和更 低的成本优势占领市场国内领先智能手机充电器、电 脑或显示器开关电 源、电动工具、汽车 EPS
22IPM封装工程技术研 发SSOP54大规模量产,DIP25大规 模量产,DIP26产品通过客户端验 证研发小功率智能功率模 组封装技术,实现晶圆 制造、封装设计及制造 一体化的系列产品量 产,在白色家电应用领 域形成产品优势国内领先家用空调、冰箱、洗 碗机、洗衣机、风机

根据《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》及公司《信息披露暂缓与豁免业务管理制度》等相
关规定,上表部分信息因涉及商业秘密已申请豁免披露,并已履行公司内部相应审核程序。

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)570412
研发人员数量占公司总人数的比例(%)13.7211.27
研发人员薪酬合计18,574.3714,116.57
研发人员平均薪酬32.5934.26


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士203.51
硕士31455.09
本科21738.07
专科及以下193.33
合计570100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下29351.40
30-40岁(含30岁,不含40岁)22439.30
40-50岁(含40岁,不含50岁)529.12
50岁及以上10.18
合计570100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
(1)稀缺的一站式集成代工制造能力
公司提供从设计服务、晶圆制造、模组封装、应用验证到可靠性测试的一站式芯片和模组的代工制造服务,通过制造端与封测端生产资源的高效整合,提高了运营管理效率,降低了供应链成本,同时对终端客户来说责任划分也更为清晰。公司的一站式服务解决了当前芯片代工制造过程中的多方面痛点,有效提升了产品安全性和可靠性,大幅缩短了产品从制造到封装测试所需时间,保证了对客户产品交付的准时性,能够显著降低客户的显性和隐性成本。

同时,借助一站式服务的代工制造能力,公司领先一步拥抱新能源产业链变 短、变高效的趋势。除传统的设计公司外,公司也与诸多终端主机厂和系统公司进 行了深度合作,实现了丰富、有纵深的客户布局。 (2)多产业核心芯片及模组的产业布局 公司确立了功率半导体、传感器、信号连接三大技术方向,坚持自主研发,在 新能源汽车、风光储和电网等工业控制领域、高端消费品市场所需要的产品上,持 续研发先进的工艺及技术,提供多样化的晶圆代工和封装测试等系统解决方案。 随着终端市场的快速发展和行业技术的迭代革新,公司大力推动产品结构升级 和拓展产品种类,加强对重点应用领域的布局。公司利用自身技术优势,持续开发 附加值较高的应用于车载、工控领域的技术平台并加大应用推广。报告期内,公司 晶圆代工业务在车载、工控领域的收入金额及占比不断提升,产品结构明显优化。 在功率模组方面,公司产品系列完整,广泛应用于新能源汽车、光伏风电、智 能电网及其他变频领域,和国内外先进终端紧密结合,实现行业先进水平。 同时,公司全面布局智能化产业所需传感信号链的核心芯片。公司牵头承担科 技部“MEMS传感器批量制造平台”重大专项,应用领域覆盖智能手机、智能汽车、 智能可穿戴、AR/VR、智能工业、智慧医疗等。 (3)高效的数字化车规级智慧工厂 公司是目前国内少数提供车规级芯片的晶圆代工企业之一,建设有高效的数字化车规级智慧工厂。车规级芯片面临着复杂的使用环境和应用工况,对产品的安全性、可靠性、外部环境兼容性、使用寿命等方面的要求相比工业级和消费级芯片更为严格。因此,车规级芯片制造门槛高,产业化周期长,极其考验代工厂的技术研发能力和质量管理能力。公司攻克了各种可靠性以及安全性的技术难题,建立了从研发到大规模量产的全流程车规级质量管理体系,通过了ISO9001(质量管理体系)、IATF16949(汽车质量管理体系)等一系列国际质量管理体系认证,同时推行ISO26262(道路车辆功能安全体系),并运用人工智能、图像识别、机器学习、预测算法等新技术,制造的产品成功进入了新能源汽车的主驱逆变器、车载充电器、DC/DC系统、辅助系统等核心应用领域。

报告期内,公司获2022年浙江省第一批智能工厂(数字化车间)认定,子公司中芯越州获2022年度绍兴市智能工厂认定。

(4)完善的技术研发体系
公司重视研发体系建设,坚持自主研发的道路,采用“市场-研发-生产”一体化的体系,以市场为导向,与客户紧密合作,支撑研发对市场的快速响应,迅速实现技术迭代,同时制定了研发项目管理体系和团队激励机制,有效地推动研发项目的进展。

公司组建了高素质的核心管理团队和专业化的核心研发团队。公司的核心技术人员均在半导体领域耕耘数十年,在不同的技术方向具有丰富的研发管理经验。截至2023年6月30日,公司拥有4,150名员工,其中包括570名研发人员,占员工总数比例为13.73%。报告期内,公司研发投入为6.50亿元,占营业收入的25.79%。

公司秉承市场为导向的研发创新机制,在核心业务领域拥有完整的技术布局,共承担了5项国家重大科技专项,包括牵头的“MEMS传感器批量制造平台”项目以及参与的“汽车级高精度组合导航传感器系统开发及应用”项目、“微纳传感器与电路单片集成工艺技术及平台”项目、“圆片级真空封装及其测试技术与平台”项目及“面向多机协作的半导体制造智能工厂物流调度和优化软件开发”项目。

(5)强壮的供应链体系
公司拥有业界最领先的供应链导入和管理的三权分立体系,从研发能力、质量入考评,从质量可靠性,交付稳定性、技术领先性、服务响应、成本优势等多指标对供应商进行定期管理评级,建立五个层级的供应商合作体系,即潜在供应商、试用期合格供应商、合格供应商、核心供应商、战略供应商。公司首创以供应链开发为主导的供应链QCDEST准入体系,以供应商管理为主导的二次QCDEST管理体系,保证供应链安全、专业、公正和可持续发展。同时,公司主动布局多元化渠道,积极推进国内外双循环机制,重视供应商与公司高度契合的企业文化和价值观,培养符合产业链发展需要的优质战略供应商。

在全球前二十设备主流供应商中,公司是全球前八主流供应商的TOP5客户,是另外五家主流供应商在中国最重要的合作伙伴之一。在稀缺衬底材料供应方面,全球前四主流供应商中,公司是其中三家主流供应商最大的合作伙伴并保持长期稳定合作。

公司拥有全球1000多家供应商,已经在全球建立良好的商业信誉和合规信誉,得到有效的尊重和相互支持,具备最高的承诺和优先级保证。

(6)稳定及卓越的团队
公司成立5年来,先后实施了员工持股计划、期权激励计划及员工参与战略配售等股权激励措施,将员工的个人利益与公司的长远发展进行深度绑定,有效增强了团队的稳定性、归属感和主人翁精神。目前,公司共有1000多人次获授各种类型的股权激励,合计持有公司约8.6%的股份。公司自成立以来,在全员的共同奋战努力下,分阶段实现了17万片月产能的车规级智慧工厂的建设。在公司管理团队的带领下,公司已成为一支极具凝聚力、向心力、执行力的“智慧+创新”型队伍。

公司主要管理团队和核心技术人员均为深耕半导体行业20多年的专业化团队。

公司主要管理团队有丰富的半导体公司管理经验,对半导体行业的发展方向具有前瞻性,对半导体市场的发展趋势具有极高的敏锐度。同时,公司拥有业内一流的技术研发团队,核心技术人员均在业内拥有全面且深厚的行业背景。关键核心技术人员拥有多项国内外发明专利,担任多个国家重大科技专项项目负责人。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
□适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2023上半年,虽然部分细分市场,如新能源汽车、风光储能等相关领域需求依然维持增长,但全球集成电路行业总体需求,受消费电子相关市场需求乏力的影响,继续表现出缺乏增长动力的态势。消费类终端市场整体需求疲弱,客户较为谨慎,都在进一步管控库存水平。公司在消费类应用亦受到部分影响,但是公司凭借自主研发能力和紧密的客户关系,在新能源发电以及新能源汽车方面获得了高渗透的市场格局,在高端的大功率应用领域实现了多个突破,因此来自国内外新能源汽车和风光储能等企业的订单仍然推动公司产能、产值双双持续大幅增长。

在市场开拓方面,公司通过持续增加研发投入,以及在客户合作方面的强化,积极响应市场变化,不断推出新产品新工艺平台,优化公司的产品结构;另一方面,依托稀缺的一站式系统代工模式形成的设计服务与芯片、模组等工艺相结合的综合实力,不断提升产品品质、加强成本管控,向客户提供差异化的优质产品与服务,从而提升了在国内、外市场的渗透率。

在预算管理方面,公司从全面预算出发,建立经营预算、投资预算、筹资预算等一系列财务预算的综合预算体系,制定《全面预算管理制度》。公司创立了以销售目标控生产计划、以生产计划控领料、以领料控采购的全生命周期管理措施,实行“以销定产,以产定采”的三次预算管理体系,从成本中心、预算类别等多角度对各类预算进行严格把控。同时,为更好的激发团队的积极性,公司按业务类型划定BU单元,指定BU责任人,对于预算实际执行情况,逐月逐项进行预实比对,分析原因,落实切实可行的措施,并对各BU执行结果设定目标,定期考核。

在成本管控方面,面对宏观经济的不景气和半导体周期性的库存调整,公司建立和完善了总经理负责的成本委员会组织机制,制定了积极的成本目标,提升了全员的成本改善意识,展开了全员成本改善活动和持续成本优化和减少浪费的工作平台,建立了37个重大专项,64个改善项目。优化了工艺和过程,显著提升了产出降低了单位损耗,并大范围的开拓了与战略和核心供应链合作伙伴之间的深度合作和协同降本项目。同时通过人力资源的合理配置和精细化管理、系统优化、流程优化等方式大幅提升了人员生产率。至2023年六月,累计已完成重大专项9个,专项25个,已实现降本目标91%。同时也陆续新立项11个项目。当前整体推进进展顺利,各降本目标基本达成。随更多项目的逐步交付,降本增效的成果将逐步增大并逐步司盈利能力。同时公司与各战略和核心供应商的深度协作的产业链也成成为业界最 具竞争力的供应链体系之一。 报告期内,公司实现主营业务收入248,192.51万元,同比增长60.75%。 从应用领域区分,51.86%的收入来自车载应用领域,同比增长510.67%;29.60% 的收入来自工控应用领域,同比增长72.41%;18.54%的收入来自高端消费领域,同 比减少49.27%。新能源汽车和工业控制领域是公司的主要增长点。 从产品类型区分,晶圆代工收入占比90.76%,同比增长59.17%;模组封装收入占比8.44%,同比增长127.35%,公司根据市场和客户的需求,利用一站式系统代工制造能力,模组封装业务也逐渐成为公司营收的重要组成部分。

产能方面,公司应用于车载、工控领域核心芯片的IGBT产能达到8万片/月, 其产能利用率超过95%;SiC新建产能2000片/月,产能利用率超过90%。此外公司 还拥有MOSFET产能6.5万片/月、MEMS产能1.1万片/月、HVIC产能5000片/月。 报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
1.宏观环境风险
受到全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响,半导体行业存在一定的周期性。因此,半导体行业的发展与宏观经济整体发展亦密切相关。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,半导体行业的市场需求也将随之受到影响;另外下游市场需求的波动和低迷亦会导致半导体产品的需求下降,进而影响晶圆代工企业的盈利能力,将对公司的经营业绩产生不利影响。

此外,公司的记账本位币为人民币,而部分交易采用美元、日元等外币结算。

公司在经营过程中重视外币资产和外币负债在规模上的匹配,合理控制外汇风险敞口。但未来如果境内外经济环境、政治形势、货币政策等因素发生变化,使得本外币汇率大幅波动,公司仍将面临汇兑损失的风险。

2.产能过剩的风险
由于目前中国大陆晶圆代工厂在功率器件和MEMS领域产能布局较多,未来可能造成市场产能过剩。公司出于行业发展趋势、市场经营策略及客户需求考虑,在满足订单需求的前提下,优化产品组合,逐步将原用于消费电子的通用设备转用于生产预计毛利率更高、市场前景更好的新能源汽车、光伏储能、智能电网、物联网等领域产品。未来,如果公司未能通过持续的技术创新保持技术先进性,进而影响新能源汽车、光伏储能、智能电网、物联网等领域相关客户的导入速度,则公司将面临产能过剩,新能源汽车、光伏储能、智能电网等新领域的产品收入不达预期,导致无法按既定计划实现预期盈利的风险。

3.供应链风险
集成电路晶圆代工行业对原材料、零备件和设备等有较高要求,部分重要原材料、备品备件及核心设备等在全球范围内的合格供应商数量较少,且大多来自中国境外。未来,如果公司的重要原材料、备品备件或者核心设备等发生供应短缺、延迟交货、价格大幅上涨,或者供应商所处的国家和/或地区与他国发生贸易摩擦、外交冲突、战争等进而影响到相应原材料、备品备件及设备等管制品的出口许可、供应或价格上涨,将可能会对公司生产经营及持续发展产生不利影响。

4.技术人才短缺或流失的风险
公司所处的晶圆代工行业属于人才密集型行业,需要大量相关人才具备扎实的专业知识和长期的技术沉淀。同时,各环节的工艺配合和误差控制要求极高,需要相关人才具备很强的综合能力和经验积累。因此,优秀的研发人员及工程技术人员是公司提高竞争力和持续发展的重要基础。

但是近年来在国家政策的大力支持下,半导体企业数量高速增长,行业优秀技术人才的供给存在较大的缺口,人才争夺日益激烈。如果公司核心技术人员离职,或者大量优秀的技术研发人才集中离职,而公司无法在短期内招聘到经验丰富的人才予以补充,可能影响到公司的工艺研发和技术突破,对公司的持续竞争力产生不利影响。

5.技术泄密风险
公司重视对核心技术的保护工作,组建了信息安全委员会,制定了严格的信息安全保护制度,建设了完善的信息安全软硬件保护系统,并和相关技术人员签署了保密协议,对其离职后做出了严格的竞业限制规定,以确保核心技术的保密性。但由于技术秘密保护措施的局限性、技术人员的流动性及其他不可控因素,公司仍存在核心技术泄密的风险。如上述情况发生,可能在一定程度上削弱公司的技术优势并产生不利影响。

6.毛利率波动的风险
未来,如果半导体行业整体情况发生不利变化、客户需求未达预期从而影响到公司晶圆代工业务的销量及价格、主要原材料价格大幅上涨、公司加速产能扩充使得公司一定时期内折旧费用占收入比重大幅增加,以及其他不利情况发生,公司在未来一定时期内可能面临毛利率波动的风险。

7.收入波动的风险
如果消费电子等公司所处下游行业整体出现较大周期性波动,公司未能及时判断下游需求变化,或者受公司技术平台推广不达预期、客户开拓不力、公司产能利用率走低、新增产能建设或释放进度放缓、研发不及预期等因素影响,导致公司出现产品售价下降、销售量降低等不利情形,公司收入持续增长存在不确定性风险,收入可能会存在波动风险。

8.应收款项坏账及存货跌价的风险
公司报告期内的客户主要为半导体行业内的知名公司,信用水平较高,应收账款回款良好。虽然公司主要客户目前发生坏账的可能性较小,但未来如果部分客户的经营情况发生不利变化,公司仍将面临应收账款无法收回导致的坏账损失风险。

随着公司销售规模的稳步增长,各期末存货余额亦呈增长趋势。未来,如果市场需求发生变化,使得部分存货的售价未能覆盖成本,公司将面临存货跌价损失增加的风险。

六、 报告期内主要经营情况
截止2023年6月30日,公司实现营业收入251,989.04万元,较上年同期增长24.09%,其中实现主营业务收入248,192.51万元,较上年同期增长60.75%;报告期内经营活动产生的现金流量净额为96,166.43万元,较上年同期增长74.96%;报告期末公司总资产3,673,334.61万元,较期初增长42.05%。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例 (%)
营业收入2,519,890,395.682,030,631,364.7524.09
营业成本2,548,035,916.192,064,287,991.7923.43
销售费用13,606,139.9810,212,269.7233.23
财务费用219,607,057.36110,563,258.9198.63
研发费用649,904,872.93381,304,272.8070.44
经营活动产生的现金 流量净额961,664,308.91549,660,221.4474.96
投资活动产生的现金 流量净额-5,404,309,451.58-5,254,460,888.762.85
筹资活动产生的现金 流量净额11,493,073,453.215,217,631,212.87120.27
营业收入变动原因说明: 主要是由于本期销售晶圆的数量增加、产品组合变动所致。销售晶圆的数量由上年同期的55.2万片至本期的71.2万片。平均售价(销售晶圆收入除以总销售晶圆数量)由上年同期 2564元增加至本期的 3165元。
营业成本变动原因说明:主要是由于本期销售晶圆的数量增加、产品组合变动且固定成本较高所致。

销售费用变动原因说明:主要原因是本期销售活动增加所致。

财务费用变动原因说明:主要原因是本期使用银行借款提前进行募投项目投资。

研发费用变动原因说明:主要原因是本期新增项目研发活动增加所致。

经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要是由于本期销售商品收到的现金增加所致。

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:本期购买厂房和设备支出增加。
筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要是由于 IPO募集资金增加现金流入。


2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明
□适用 √不适用

(三) 资产、负债情况分析
√适用 □不适用
1. 资产及负债状况
单位:元

项目名 称本期期末数本期期 末数占 总资产 的比例 (%)上年期末数上年期 末数占 总资产 的比例 (%)本期期 末金额 较上年 期末变 动比例 (%)情况说明
货币资金8,768,003,442.8523.871,712,861,332.556.62411.89增加的原因是 IPO 募集资金增 加
应收款项687,753,747.511.87753,032,341.382.91-8.67 
存货2,463,290,052.536.712,103,448,126.178.1317.11 
投资性房 地产68,808,874.530.1970,083,788.820.27-1.82 
固定资产17,423,188,867.2247.4310,881,915,533.9142.0860.11增加的原因是二 期项目投产
在建工程3,060,540,103.328.335,535,161,853.4321.40-44.71减少的原因是二 期项目投产的在 建工程转为固定 资产
使用权资 产42,925,343.890.1220,277,400.760.08111.69增加的原因是租 入的资产增加
短期借款2,563,319,949.636.982,359,461,315.399.128.64 
合同负债614,541,410.281.67606,846,195.662.351.27 
长期借款8,248,125,643.2522.459,575,829,821.7937.03-13.87 
租赁负债24,189,244.690.079,974,737.580.04142.51增加的原因是租 入的资产增加
交易性金 融资产226,609,409.980.621,132,916,333.334.38-80.00减少的原因是本 期赎回银行结构 性存款
其他流动 资产1,161,090,879.623.16812,740,266.143.1442.86增加的原因是设 备采购增加,相 应的进项留抵税 额增加
长期待摊 费用52,062,292.680.1423,779,548.880.09118.94增加的原因是装 修及排污权使用 费摊销增加
交易性金 融负债--18,427,547.230.07-100.00本期末无交易性 金融负债
应付票据260,684,047.320.71115,294,122.190.45126.10增加的原因是用 票据支付款项增 加
递延收益735,186,302.442.00369,679,932.081.4398.87增加的原因是本 期收到设备补贴 款
实收资本 (或股 本)7,021,800,000.0019.125,076,000,000.0019.6338.33增加的原因是 IPO 发行股份增 加注册资本
资本公积9,403,219,775.4725.60451,355,450.231.751,983.33增加的原因是 IPO 发行股份增 加资本公积
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