[中报]华润微(688396):2023年半年度报告
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时间：2023年08月30日 20:28:21 中财网 |
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原标题:华润微:2023年半年度报告
公司代码：688396 公司简称：华润微
华润微电子有限公司
2023年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人李虹、主管会计工作负责人吴国屹及会计机构负责人（会计主管人员）吴从韵声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
√适用 □不适用
公司治理特殊安排情况：
√本公司为红筹企业
公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司，公司治理模式与适用中国法律、法规及规范性文件的一般A股上市公司的公司治理模式存在一定差异。
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 35
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 37
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 40
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 59
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 64
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 65
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 66
| 备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的
财务报告 |
| | 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及
公告的原稿 |
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
| 常用词语释义 | | |
| 本公司、公司、华润微电子、
CRM、华润微 | 指 | China Resources Microelectronics Limited（华润微电子有限
公司）。在用以描述公司资产、业务与财务情况时，根据
文义需要，亦包括其各分子公司 |
| 董事会 | 指 | 华润微电子有限公司董事会 |
| 股东大会 | 指 | 华润微电子有限公司股东大会 |
| 《章程》 | 指 | 《经第八次修订及重列的组织章程大纲和章程细则》 |
| 中国华润、实际控制人 | 指 | 中国华润有限公司，本公司的实际控制人 |
| CRH (Micro)、华润集团（微电
子）、控股股东 | 指 | CRH (Microelectronics) Limited（华润集团（微电子）有限
公司），本公司的控股股东 |
| 无锡华微 | 指 | 无锡华润微电子有限公司 |
| 华润华晶 | 指 | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 华润上华 | 指 | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 华润安盛 | 指 | 无锡华润安盛科技有限公司 |
| 华润微集成 | 指 | 华润微集成电路（无锡）有限公司 |
| 迪思微电子 | 指 | 无锡迪思微电子有限公司 |
| 华微控股 | 指 | 华润微电子控股有限公司 |
| 华润赛美科 | 指 | 华润赛美科微电子（深圳）有限公司 |
| 重庆华微 | 指 | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 矽磐微电子 | 指 | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 杰群电子 | 指 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 润科基金 | 指 | 润科（上海）股权投资基金合伙企业（有限合伙） |
| 润安科技 | 指 | 华润润安科技（重庆）有限公司 |
| 润西微电子 | 指 | 润西微电子（重庆）有限公司 |
| 华微科技 | 指 | 华润微科技（深圳）有限公司 |
| 润鹏半导体 | 指 | 润鹏半导体（深圳）有限公司 |
| 润新微电子 | 指 | 润新微电子（大连）有限公司 |
| 芯耐特 | 指 | 南京芯耐特半导体有限公司 |
| 中国证监会 | 指 | 中国证券监督管理委员会 |
| 上交所 | 指 | 上海证券交易所 |
| 元、万元、亿元 | 指 | 人民币元、万元、亿元 |
| 本报告期、报告期 | 指 | 2023年 1月 1日至 6月 30日 |
| 传感器 | 指 | 一种检测装置，能感受到被测量的信息，并按一定规律变
换为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传
输、处理、存储、显示、记录、控制等要求 |
| 光罩、光掩模 | 指 | 制造芯片时，将电路印制在硅晶圆上所使用的模具 |
| 分立器件 | 指 | 单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立
式半导体器件有二极管、三极管、光电器件等 |
| 功放 | 指 | 功率放大器，在给定失真率条件下，能产生最大功率输出
以驱动某一负载的放大器，包括 AB、D、数字功放。其中
AB类功放通过晶体管放大电流从而放大信号，D类功放用
脉冲宽度对模拟音频幅度进行模拟，数字类功放用数字信
号进行功率放大 |
| 功率 IC | 指 | 功率集成电路，常见的功率 IC包括电源管理芯片、电机驱
动芯片、LED驱动芯片、音频功放芯片等 |
| 功率半导体 | 指 | 功率器件与功率 IC的统称 |
| 双极工艺 | 指 | 双极工艺是一种基于硅基的典型制造工艺，主要用于双极
型晶体管或集成电路的制备 |
| 屏蔽栅 MOS | 指 | 在沟槽内栅多晶硅电极下面引入另一多晶硅电极，并使之
与源电极电气相连，采用氧化层将上下二个多晶硅电极隔
开，具有导通电阻低、栅电荷低、米勒电容低等特点 |
| 数字芯片 | 指 | 基于数字逻辑设计和运行的，用于处理数字信号的集成电
路，包括微元件，存储器和逻辑芯片 |
| 晶圆 | 指 | 半导体制作所用的圆形硅晶片。在硅晶片上可加工制作各
种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品 |
| 模拟芯片 | 指 | 处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟信号
是指用电参数，如电流和电压，来模拟其他自然物理量而
形成的连续性的电信号 |
| 氮化镓、GaN | 指 | 一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、
电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等性质 |
| 流片 | 指 | 为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一
个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检
验电路是否具备所需要的性能和功能 |
| 短路能力 | 指 | 功率器件发生短路后的承受与控制能力，是器件可靠性的
一种重要参数 |
| 超结 MOS | 指 | 高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种新型功
率器件，在平面垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体
管的基础上，引入电荷平衡结构 |
| 铜片夹扣键合工艺、Copper
Clip | 指 | 指用铜块替代打线的工艺的一种新型的封装工艺，类似的
有铝带/铜丝/金丝键合工艺 |
| 碳化硅、SiC | 指 | 一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁
场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质 |
| AC-DC | 指 | 电源是输入为交流，输出为直流的电源模块。在模块内部
包含整流滤波电路、降压电路和稳压电路 |
| BCD | 指 | Bipolar-CMOS-DMOS的简称，BCD是一种单片集成工艺
技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极管 bipolar，
CMOS和 DMOS器件，称为 BCD工艺 |
| BMS | 指 | 电池管理系统，能够提高电池的利用率，防止电池出现过
度充电和过度放电 |
| CMOS | 指 | Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化
物半导体，互补式金属氧化物半导体，一种在同一电路设
计上结合负信道及正信道的集成电路 |
| DC-DC | 指 | 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电
能的电源模块，其采用微电子技术，把小型表面安装集成
电路与微型电子元器件组装成一体而构成 |
| DMOS | 指 | 双扩散金属氧化物半导体，主要有垂直双扩散金属氧化物
半导体场效应管 VDMOSFET和横向双扩散金属氧化物半
导体场效应管 LDMOSFET |
| EMI | 指 | Electromagnetic Interference，即电磁干扰。指电磁波与电子
元件作用后而产生的干扰现象 |
| ESD | 指 | Electro-Static discharge，静电释放。静电防护是电子产品质
量控制的一项重要内容 |
| Fabless | 指 | 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发和销售，
而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成，
也代指此种商业模式 |
| FRD | 指 | 快恢复二极管，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短 |
| | | 特点的半导体二极管 |
| HVIC | 指 | 高压集成电路 |
| IDM | 指 | IDM模式是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试在内全
部或主要业务环节的经营模式 |
| IGBT | 指 | 绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET和双极性晶体管
的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控
制能力高、工作频率高等特点 |
| IPM | 指 | 智能功率模块，由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电
路以及快速保护电路构成 |
| LDMOS | 指 | 横向扩散金属氧化物半导体，在高压功率集成电路中常采
用高压 LDMOS满足耐高压、功率控制等要求 |
| LED | 指 | Lighting Emitting Diode，发光二极管，是一种半导体固体
发光器件 |
| LV Trench MOS、Trench MOS、
沟槽型 MOS | 指 | 低压沟槽型 MOSFET，是低压 MOS的一种，在体硅表面
刻蚀沟槽形成栅电极，将传统平面 MOS沟道由表面转移到
体内 |
| 智能控制、MCU | 指 | 微控制单元，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减，
并将内存、计数器、USB等周边接口甚至驱动电路整合在
单一芯片上，形成芯片级的计算机 |
| MEMS | 指 | 微机电系统。指集微型机构、微型传感器、微型执行器以
及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体
的微型器件或系统 |
| MOSFET | 指 | 金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在
模拟电路与数字电路的场效晶体管 |
| SBD | 指 | Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管，利用金属与半
导体接触形成的金属－半导体结原理制作 |
| SOC | 指 | System-on-a-Chip，又称为芯片级系统，是在单个芯片上集
成 CPU、GPU等整个电子系统的产品 |
| SOP | 指 | Small Out-Line Package，小外形封装，是一种常见的元器
件形式，其变种包括 TSSOP、SSOP、QSOP等 |
| Trench-FS | 指 | 沟槽型场截止结构，沟槽型将表面沟道变为纵向沟道，场
截止指击穿时电场是穿通型的 |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
| 公司的中文名称 | 华润微电子有限公司 |
| 公司的中文简称 | 华润微 |
| 公司的外文名称 | China Resources Microelectronics Limited |
| 公司的外文名称缩写 | CRM |
| 公司的法定代表人 | 李虹 |
| 公司注册地址 | Conyers Trust Company (Cayman) Limited, Cricket
Square, Hutchins Drive, PO
Box 2681, Grand Cayman, KY1-1111, Cayman Islands |
| 公司注册地址的历史变更情况 | 无 |
| 公司办公地址 | 地址一：江苏省无锡市梁溪路14号
地址二：上海市静安区市北智汇园汶水路299弄12号 |
| 公司办公地址的邮政编码 | 214061、200072 |
| 公司网址 | www.crmicro.com |
| 电子信箱 | [email protected] |
| 报告期内变更情况查询索引 | 无 |
说明：公司注册地在开曼群岛，无法定代表人，公司负责人李虹。
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
| 公司选定的信息披露报纸名称 | 《证劵时报》（www.stcn.com） |
| 登载半年度报告的网站地址 | www.sse.com.cn |
| 公司半年度报告备置地点 | 公司董事会办公室 |
| 报告期内变更情况查询索引 | 无 |
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
| 公司股票简况 | | | | |
| 股票种类 | 股票上市交易所及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
| 人民币普通股（A股 | 上海证券交易所科创板 | 华润微 | 688396 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币
| 主要会计数据 | 本报告期
（1－6月） | 上年同期 | | 本报告期
比上年同
期增减
(%) |
| | | 调整后 | 调整前 | |
| 营业收入 | 5,029,775,789.25 | 5,145,746,527.96 | 5,145,746,527.96 | -2.25 |
| 归属于上市公司股东
的净利润 | 777,880,291.56 | 1,354,528,307.86 | 1,353,983,215.65 | -42.57 |
| 归属于上市公司股东
的扣除非经常性损益
的净利润 | 732,169,026.81 | 1,306,842,692.53 | 1,306,297,600.32 | -43.97 |
| 经营活动产生的现金
流量净额 | 783,287,536.67 | 1,663,027,450.45 | 1,663,027,450.45 | -52.90 |
| | 本报告期末 | 上年度末 | | 本报告期
末比上年
度末增减
(%) |
| | | 调整后 | 调整前 | |
| 归属于上市公司股东
的净资产 | 20,614,337,629.09 | 19,980,685,588.50 | 19,980,722,568.12 | 3.17 |
| 总资产 | 27,821,062,467.10 | 26,468,891,041.66 | 26,457,799,586.84 | 5.11 |
(二) 主要财务指标
| 主要财务指标 | 本报告期
（1－6月） | 上年同期 | | 本报告期比
上年同期增
减(%) |
| | | 调整后 | 调整前 | |
| 基本每股收益（元／股） | 0.5893 | 1.0261 | 1.0257 | -42.57 |
| 稀释每股收益（元／股） | 0.5886 | 1.0261 | 1.0257 | -42.64 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收益
（元／股） | 0.5546 | 0.9900 | 0.9896 | -43.98 |
| 加权平均净资产收益率（%） | 3.8134 | 7.5359 | 7.5330 | 减少3.72个百
分点 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净资
产收益率（%） | 3.5893 | 7.2706 | 7.2677 | 减少3.68个百
分点 |
| 研发投入占营业收入的比例（%） | 10.87 | 7.47 | 7.47 | 增加3.40个百
分点 |
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、报告期内，公司归属于上市公司股东的净利润、扣除非经常性损益的净利润、基本每股收益、稀释每股收益和扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年同期分别下降 42.57%、43.97%、42.57%、42.64%和 43.98%，主要系因公司加大研发投入力度，同时深圳 12吋线、封测基地等新业务逐步开展，整体期间费用有所增长。
2、报告期内，经营活动产生的现金流量净额较上年同期下降 52.90%，主要系因受市场下行影响，盈利能力下降，营运资本占用增加。
七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用
八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
| 非经常性损益项目 | 金额 | 附注（如适用） |
| 非流动资产处置损益 | -445,263.81 | |
| 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免 | | |
| 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，
符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府
补助除外 | 36,822,344.89 | |
| 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 | | |
| 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投
资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益 | | |
| 非货币性资产交换损益 | | |
| 委托他人投资或管理资产的损益 | | |
| 因不可抗力因素，如遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备 | | |
| 债务重组损益 | | |
| 企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等 | | |
| 交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益 | | |
| 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益 | | |
| 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 | | |
| 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易
性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债
产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金
融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得
的投资收益 | 8,800,001.84 | |
| 单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回 | 120,000.00 | |
| 对外委托贷款取得的损益 | | |
| 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动
产生的损益 | | |
| 根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调
整对当期损益的影响 | | |
| 受托经营取得的托管费收入 | | |
| 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 | 12,902,306.53 | |
| 其他符合非经常性损益定义的损益项目 | | |
| 减：所得税影响额 | 10,398,148.93 | |
| 少数股东权益影响额（税后） | 2,089,975.77 | |
| 合计 | 45,711,264.75 | |
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
□适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一) 所属行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司的主营业务包括功率半导体、智能传感器及智能控制产品的设计、生产及销售，以及提供开放式晶圆制造、封装测试等制造服务，属于半导体行业。
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码“C39”。
（1）半导体行业
半导体位于电子行业的中游，上游是电子材料和设备。半导体和被动元件以及模组器件通过集成电路板连接，构成了智能手机、电脑等电子产品的核心部件，承担信息的载体和传输功能是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。自 2000年以来，我国政府颁布了一系列政策法规，将集成电路产业确定为战略性新兴产业之一，大力支持集成电路行业的发展，如 2011年国务院颁布的《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》、2014年国务院颁布的《国家集成电路产业发展推进纲要》，2016年国务院颁布的《“十三五”国家战略新兴产业发展规划》、2017年工信部颁布的《物联网“十三五”规划》、2020年 8月，国务院颁布的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》，制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施，进一步优化半导体产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量。2021年 3月，第十三届全国人民代表大会第四次会议表决通过了《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》的决议，纲要提出需要集中优势资源攻关多领域关键核心技术。坚定发展半导体产业已上升至国家重点战略层面，并成为社会各界关注的重点产业。
2023年上半年，全球半导体市场规模较去年同期有所下降。但从行业来看，虽然传统电子产品需求萎缩，但结构化机会显现，新能源、大数据、云计算、汽车电子等新兴应用领域仍有所增长，ChatGPT等 AI应用带动人工智能领域的需求。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）预估，2023年全球半导体市场将下降 10.3%，规模达约 5,151亿美元，但预计 2024年将增长 11.8%，规模达约 5,760亿美元。SIA预估 2023年全球半导体销售将下降 10.3%，但可望明年反弹，2024年将增长 11.9%。IC Insights预测经历 2023年的周期性下滑后，半导体销售额将出现反弹并在未来三年实现更强劲的增长，到2026年半导体销售额预计攀升至8,436亿美元，年复合增长率为6.5%。
尽管由于周期性的特点和受到宏观经济的影响，半导体市场的销售额出现了短期波动，但芯片在使世界更智能、更高效、更互联方面的作用越来越大，半导体市场的长期前景仍然向好。
2023年上半年，国内半导体市场受周期性影响，智能手机、PC等消费领域终端市场出现疲软，但汽车电子、新能源等应用领域仍有所增长。根据海关统计，2023年 1-5月我国集成电路共出口 1,034亿个，同比下降 11.7%。据工信部统计，2023年 1-5月我国集成电路产量 1,401亿块，同比增长 0.1%。目前，中国半导体产业市场占据全球市场的三分之一以上，产业技术创新能力不断增强，芯片产品水平持续提升，较好地满足了新一代信息技术领域发展需要以及行业应用需求。
随着 5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。
（2）功率半导体行业
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体分为功率 IC和功率分立器件两大类，功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。
图 1功率半导体产品范围示意图
功率半导体属于特色工艺产品，非尺寸依赖型，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律，而专注于结构和技术改进以及材料迭代。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在 8%-10%之间，结构占比保持稳定。功率半导体是电力电子装置的必备，行业周期性波动较弱。
近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，行业市场规模呈现稳健增长态势。
根据 Omdia数据预计，2024年全球功率半导体市场规模增长至 522亿美元。中国是全球最大的功率半导体消费国，占据全球功率半导体超过 37%的需求，且中国的功率半导体的市场规模在全球的占比仍在逐步增加，预计至 2026年中国功率半导体市场规模有望达到 260亿美元。
2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。经过多年发展及一系列整合，公司是目前国内领先的运营完整产业链的半导体企业。
公司是中国本土领先的以 IDM模式为主经营的半导体企业，同时也是中国最大的功率半导体企业之一。在功率半导体领域，公司多项产品的性能、工艺居于国内领先地位，与国外厂商差距不断缩小，国产化进程正加速进行。公司主要产品包括以 MOSFET、IGBT、第三代宽禁带半导体为代表的功率半导体产品，以光电传感器、烟报传感器、MEMS传感器为主的传感器产品，和以MCU为代表的智能控制产品等。
根据 Omdia 2023年 4月的统计，公司在中国功率半导体企业排名第一、中国 MOSFET规模排名第一。
3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）第三代半导体材料带来发展新机遇
第一代半导体材料是指硅、锗元素等单质半导体材料；第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓、锑化铟；第三代半导体材料是宽禁带半导体材料，其中最为重要的就是 SiC和 GaN。和传统半导体材料相比，更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。SiC具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，可以显著降低开关损耗。因此，SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如 MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比，GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，是超高频器件的极佳选择，适用于 5G通信、微波射频等领域的应用。未来，随着第三代半导体材料的成本因生产技术的不断提升而下降，其应用市场也将迎来爆发式增长，给半导体行业带来新的发展机遇。
根据 Omdia数据，全球 SiC和 GaN功率半导体在混合动力和电动汽车、电源和光伏逆变器等需（2）新兴科技产业的发展孕育新的市场机会
随着物联网、5G通信、人工智能等新技术的不断成熟，消费电子、工业控制、汽车电子等半导体主要下游制造行业的产业升级进程加快。下游市场的革新升级强劲带动了半导体企业的规模增长。在汽车电子领域，相比于传统汽车，新能源汽车需要用到更多传感器与制动集成电路，新能源汽车单车半导体价值将达到传统汽车的两倍，同时功率半导体用量比例也从 20%提升到近50%。在新能源光伏领域，在碳达峰碳中和目标引领和全球清洁能源加速应用背景下，根据行业规范公告企业信息和行业协会测算，全国光伏产业链主要环节保持强劲发展势头。新兴科技产业将成为行业新的市场推动力，并且随着国内企业技术研发实力的不断增强，国内半导体行业将会出现发展的新契机。
（3）先进封装技术的升级迭代与创新
随着半导体产业进入后摩尔时代，制造端的成本不断上升，产品功能集成更加复杂，因此得益于对更高集成度的广泛需求，以及下游 5G、消费类、存储和计算、物联网、人工智能和高性能计算等大趋势的推动，先进封装将成为推进封装产业的主推动力。根据 Yole的预测，2020-2026年，先进封装市场的年复合增长率约为 7.9%，到 2025年该市场规模将突破 420亿美元。虽然中国本土供应商在传统封装领域已占据较高比例的全球市场份额，但在先进封装领域仍需持续提升国际竞争力，我国先进封装占总营收比例约为 25%，低于全球市场平均水平，仍有较大的提升空间。先进封装技术的演进，一方面提升封装测试环节在半导体制造产业链中的地位与价值量，另一方面也给现有市场格局带来了新技术要求的挑战。先进封装包括倒装芯片（FC）、硅通孔（TSV）、嵌入式封装（ED）、扇入（Fan-In）/扇出（Fan-Out）型晶圆级封装、系统级封装（SiP）等先进技术演进形式，相较于传统封装技术能够保证质量更高的芯片连接以及更低的功耗。其中，扇出型封装技术是顺应半导体产品小型化、薄型化、功能强而发展起来的新一代封装技术，是封装技术最重要的发展方向之一。面板级封装（PLP）是一种从晶圆和条带级向更大尺寸面板级转换的方案。由于其潜在的成本效益和更高的制造效率，吸引了市场的广泛关注，该技术有望带来了相较传统封装更高规模的经济效益，并且能够实现大型封装的批量生产。
(二) 主营业务情况说明
1. 主要业务、主要产品或主要服务情况
公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域，为客户提供丰富的半导体产品与系统解决方案。公司产品设计自主、制造全程可控，在功率半导体领域已具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线。
目前公司主营业务可分为产品与方案、制造与服务两大业务板块。公司产品与方案业务板块聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。公司制造与服务业务主要提供半导体开放式晶圆制造、封装测试等服务。此外，公司还提供掩模制造服务。
2. 主要经营模式
公司产品与方案板块业务目前主要采用 IDM经营模式，同时制造与服务板块业务向国内外半导体企业提供专业化服务。
IDM模式是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试在内全部或主要业务环节的经营模式。公司产品及方案板块采用 IDM经营模式，主要原因为 IDM模式在研发与生产的综合环节长期的积累会更为深厚，有利于技术的积淀和产品群的形成。另外，IDM企业具有资源的内部整合优势，在 IDM企业内部，从芯片设计到制造所需的时间较短，不需要进行硅验证，不存在工艺对接问题，从而加快了新产品面世的时间，同时也可以根据客户需求进行高效的特色工艺定制。功率半导体领域由于对设计与制造环节结合的要求更高，采取 IDM模式更有利于设计和制造工艺的积累，推出新产品速度也会更快，从而在市场上可以获得更强的竞争力。该模式对企业技术、资金和市场份额要求较高。公司主要经营模式未发生改变，详细情况请参见公司 2022年年报披露部分。
二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司业务包括产品与方案业务及制造与服务业务两大业务板块，公司在主要的业务领域均掌握了一系列具有自主知识产权的核心技术，大部分核心技术均为国内领先，其中沟槽型 SBD设计及工艺技术、光电耦合和传感系列芯片设计和制造技术及 BCD工艺技术国际领先。上述核心技术已成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司主要核心技术情况如下： （1）产品及方案业务相关核心技术
| 序号 | 产品类别 | 核心技术名称 | 技术/产品特点 | 技术
来源 |
| 1 | MOSFET | 沟槽栅 MOS器件
设计及工艺技术 | 1）较优的单位面积导通电阻值及优值系数（FOM）
2）抗短路能力强
3）可靠性高 | 自主
研发 |
| | | 平面栅 VDMOS设
计及其工艺技术 | 1）高的功率密度
2）更好的 EMI和效率折衷表现
3）高可靠性和高抗冲击能力
4）集成低漏电超快恢复 FRD的产品，适用于更高功
率的全桥拓扑应用类市场
5） 超高压系列 1000V-1700V拓展到更宽应用 | 自主
研发 |
| | | 多层外延超结
MOS器件设计及
工艺技术 | 1）自主专利保护的采用非掺杂多层外延技术
2）更高的功率密度
3）更高的开关效率
3）高 ESD保护能力
4）工业类可靠性
5）集成快恢复 FRD的产品，适用于更高功率的 ZVS
LLC拓扑应用类市场，如充电桩，通讯电源等 | 自主
研发 |
| 2 | IGBT | IGBT设计及工艺
技术 | 1）采用 Trench-FS工艺及超薄晶圆加工技术
2）导通电压低、开关损耗小
3）可靠性高、适用性强 | 自主
研发 |
| 3 | 功率二极
管 | 沟槽型 SBD设计
及工艺技术 | 1）采用 8英寸 Trench结构
2）电压覆盖 30V-200V
3）多种金属势垒、满足不同性能要求 | 自主
研发 |
| | | FRD设计及制备技
术 | 1）采用重金属掺杂工艺
2）较快的反向恢复特性
3）较优的软度系数、高雪崩耐量 | 自主
研发 |
| 4 | 物联网应
用专用 IC | 烟雾报警 IC的设
计技术 | 1）丰富的产品规格、多种控制方式
2）具有智能联网功能
3）通过美国 UL认证 | 自主
研发 |
| | | MEMS信号采样处
理设计技术 | 1）采用高精度 Delta-Sigma ADC技术，功耗低、灵
敏度高
2）可同时处理多个、多种 MEMS传感器，实现 MEMS
传感器信号同步采样、信号实时处理和校准 | 自主
研发 |
| 5 | 功率 IC | 无线充专用 IC的
设计技术 | 1）满足国际无线充电联盟（WPC）的 QI标准
2）高充电效率、低待机功耗、低 EMI
3）支持过温过压过流保护、异物检测和动态电流调
整
4）适合无线充应用的 PD快充技术 | 自主
研发 |
| | | 锂电管理系统专用
IC的设计技术 | 覆盖绝大多数锂电系统的应用需求，包括单节锂电保
护、2-10节锂电硬件保护、以及 5-8节以上锂电保护
模拟前端 | 自主
研发 |
| | | LED驱动 IC的设
计和制造技术 | 1）采用公司特色 700V BCD工艺
2）产品规格齐全，包含线性 LED及开关 LED驱动
两大类
3）性能稳定、可靠性高 | 自主
研发 |
| | | 通用开关电源控制
技术及高可靠三端
稳压电路的设计、
工艺及测试技术 | 1）采用公司特色工艺
2）产品规格齐全
3）产品可靠稳定、一致性好 | 自主
研发 |
| 6 | 光电耦合
及传感 | 光电耦合和传感系
列芯片设计和制造
技术 | 1）采用公司特色工艺
2）较优的重复峰值电压及产品开关速度
3）高抗干扰能力、高光耦隔离电压、高产品可靠性 | 自主
研发 |
| 7 | SiC | SiC JBS 系列产品
设计和制造技术 | 1）采用公司自主研发的 SiC工艺和封装技术
2）优异的导通压降 Vf、Qc及漏电，系统性能达到
国际一线品牌水准
3）抗浪涌能力强
4）工业级可靠性 | 自主
研发 |
| | | SiC MOS系列产品
设计和制造技术 | 1）采用自主研发的 SiC工艺及封装技术
2
2）比导通电阻达到 5mΩcm，产品电参数达到国际
标杆水平
3）雪崩耐量高 | 自主
研发 |
| 8 | GaN | GaN D-mode器件
设计及工艺技术 | 1）采用公司自主研发的 Si基氮化镓工艺及封装技术
2）成熟、稳定的产线，产品良率高
3）优异的击穿电压、比导通电阻，参数达到国际标
杆样品水准 | 自主
研发 |
| | | GaN E-mode器件
设计及工艺技术 | 1）GaN E-mode功率器件的产品设计定型
2）自主研发 GaN E-mode器件工艺及封装技术
3）器件参数与对标产品相当，产品良率高 | 自主
研发 |
（2）制造与服务相关核心技术
| 序号 | 工艺类别 | 核心技术名称 | 技术/工艺特点 | 技术
来源 |
| 1 | BCD工艺
技术 | 硅基高压 BCD工艺
技术、硅基高密度
BCD工艺技术、SOI
基 BCD工艺技术 | 1）覆盖 1.0-0.18μm的各个技术节点
2）支持超大范围的工作电压 5V-700V
3）低导通电阻、高可靠性
4）同步提供 200-600V SOI基 BCD工艺选项 | 自主
研发 |
| 2 | MEMS工
艺技术 | 麦克风 MEMS工艺
技术、压力 MEMS工
艺技术、光电传感器
工艺技术、温湿度
MEMS工艺技术 | 1）提供完整的标准 MEMS工艺模块，能够灵活
调整组合
2）提供多样化的表面或体硅加工技术及客制化的
平台
3）丰富的平台组合，包含压力、麦克风、光电
温湿度等 MEMS工艺制程 | 自主
研发 |
| 3 | 功率封装
技术 | IPM模块封装工艺技
术 | 提供金属框架、铝基板（IMS）和陶瓷基板三种
IPM封装技术解决方案 | 自主
研发 |
| | | PQFN/PDFN封装工
艺技术 | 1）齐全的封装类型
2）多种工艺组合，满足不同器件性能的需要
3）掌握主流的功率封装先进工艺技术，包括超薄
芯片封装、铝丝和铝带键合、CopperClip Bond技
术和倒装（FC）技术等 | 自主
研发 |
| 序号 | 工艺类别 | 核心技术名称 | 技术/工艺特点 | 技术
来源 |
| 4 | 面板级扇
出封装技
术 | 单层板双面散热封装
技术 | 1）提供完整的面板级扇出封装产品结构设计，仿
真与加工方案
2）双面散热工艺，有效降低器件工作温度
3）产品适用于大电流，降寄生，高散热产品 | 合作
研发 |
| | | 1.5层扇入扇出结合
面板封装技术 | 1）产品扇入，扇出相结合，最小化封装设计，有
效提升芯片与封装尺寸占比
2）可提供多层布线产品加工方案 | 自主
研发 |
| | | 超薄产品封装技术 | 封装产品厚度 300μm，产品厚度可自由调整，不
受设备与治具限制 | 自主
研发 |
| | | Fine Pitch Fan out 扇
出封装技术 | 面板级加工 Bond pad pitch 从 130um提升到
60um，适用于小电流 IC芯片封装及多芯片 | 自主
研发 |
| | | 面板级 SIP 封装技术 | 通过双面加工的工艺和塑封料通孔互联技术实现
系统级封装，具有低寄生参数，低阻抗设计等优
势。实现异质嵌入结构，堆叠嵌入的封装结构，
可以用于电源砖，功率模块等产品的量产平台 | 自主
研发 |
国家科学技术奖项获奖情况
√适用 □不适用
| 奖项名称 | 获奖年度 | 项目名称 | 奖励等级 |
| 国家技术发明奖 | 2021 | 高压智能功率驱动芯片设计及
制备的关键技术与应用 | 二等奖 |
| 国家科学技术进步奖 | 2019 | 高性能 MEMS器件设计与制
造关键技术及应用 | 二等奖 |
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司加大技术研发投入力度、配置先进设备、引进行业高端人才、整合公司内外部资源，以提升公司在相关领域的自主创新能力和研发水平，提升公司产品和技术在行业内的领先水平，取得了较好的成效。报告期内，公司主要的研发成果如下： （1）基于 8吋先进工艺平台开发 650V第五代微沟槽 IGBT，产品性能与国际主流第五代性能相当，产品性能国内领先，目前已经成熟量产。1200V成熟量产，产品具有短路能力强，可靠性高的优点，广泛应用到光伏、汽车、变频器等领域，产品口碑良好。
（2）重庆 12吋产品稳步上量，2颗超结产品通过可靠性考核并开始送样，其中一颗产品已通过客户验证，开始小批量出货。
（3）完成了 36V 高精度双极型模拟 IC工艺平台的开发，完善并建立标准设计服务平台。目前已完成客户初版产品流片，产品验证及试生产进行中。产品和工艺均将填补国内空白，打破国际公司在国内市场的垄断，有利于推动高精度运放产品的国产化。
（4）Dr MOS产品完成了两版的单体、合封测试，目前在客户端进行测试验证。Dr MOS产品，作为第一个 20V-30V SGT工艺平台的产品，进一步提升了公司工艺/技术水平，提供了 20V-30V Dr MOS器件国产化解决方案，填补了国内空白。
（5）32位安全 MCU工程样片一次性流片成功，DV测试满足设计规范和测试要求，样片 ESD摸底考核通过。公司采用自主创新技术，进一步开发面向工业控制和汽车电子应用的安全 MCU，面向领域包括智能表计/智能家居、物联网/工业互联网、网络安全、汽车电池安全认证、汽车车联网等领域。
（6）异构集成 MEMS第一代高性能麦克风 Demo样品制作完成，产品功能实现，单背板结构器件 SNR约 65-68dB，获得 2022年度全国颠覆性技术创新大赛领域赛优秀奖。
（7）0.11um CMOS EN项目在预研阶段实现器件达标，完成初版模型及 PDK；0.11um BCD先导产品通过产品验证，待客户上量批量生产。
（8）《具 ESD保护结构的半导体器件》和《一种中高压沟槽型 MOSFET器件的制作方法及结构》获第二十四届“中国专利优秀奖”。
报告期内获得的知识产权列表
| | 本期新增 | | 累计数量 | |
| | 申请数（个） | 获得数（个） | 申请数（个） | 获得数（个） |
| 发明专利 | 151 | 63 | 4,367 | 1,736 |
| 实用新型专利 | 5 | 13 | 707 | 380 |
| 外观设计专利 | 0 | 0 | 15 | 15 |
| 软件著作权 | 0 | 2 | 34 | 34 |
| 其他 | 2 | 2 | 370 | 167 |
| 合计 | 158 | 80 | 5,493 | 2,332 |
3. 研发投入情况表
单位：元
| | 本期数 | 上年同期数 | 变化幅度（%） |
| 费用化研发投入 | 546,931,529.93 | 384,368,186.41 | 42.29 |
| 资本化研发投入 | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
| 研发投入合计 | 546,931,529.93 | 384,368,186.41 | 42.29 |
| 研发投入总额占营业收入比例（%） | 10.87 | 7.47 | 增加 3.40个
百分点 |
| 研发投入资本化的比重（%） | 0.00 | 0.00 | 0.00 |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司 2023年上半年研发费投入同比上升 42.29%，主要系因公司为了优化产品、客户及应用结构而加大研发投入力度。
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元
| 序
号 | 项目名称 | 预计总投
资规模 | 本期投入
金额 | 累计投入
金额 | 进展或阶段性成果 | 拟达到目标 | 技术
水平 | 具体应用前景 |
| 1 | 硅基氮化镓功
率器件设计及
工艺技术研发 | 24,354.00 | 1,297.80 | 13,631.35 | 1、GaN E-Mode器件通过三批量 168Hrs
HTRB考核；
2、自研材料动静态参数达标 | 硅基氮化镓器件的研
发，建立相应的材料生
产、产品设计、晶圆制
作和封装测试能力 | 国内
领先 | 应用于智能手机
充电器、电动汽车
充电器、电脑适配
器等领域 |
| 2 | SiC功率器件
设计及工艺技
术研发 | 14,217.00 | 1,881.90 | 14,711.20 | 1、车规级 SiC MOS完成首轮 MPW流片，
芯片参数已达到对标水平，成品 MPW版
168H摸底考核通过。封装成品完成动态
测试评价；
2、SiC沟槽 MOS工艺流通完成 | 完成车规级 SiC 平面
型 MOSFET产品的研
发，建立相应的车规级
产品设计、晶圆制造、
封装测试和考核评价
能力，实现汽车电子产
品规模量产；
完成 SiC沟槽 MOS器
件及其制造工艺开发 | 国内
领先 | 应用于光伏逆变
器、风电逆变器，
UPS电源、电动汽
车、充电桩、车载
充电机，轨道交通
驱动，电信和服务
器电源 |
| 3 | IGBT产品设
计及工艺技术
研发 | 5,954.71 | 1,115.63 | 9,283.52 | 1、基于 8吋先进工艺平台开发 650V第五
代微沟槽 IGBT，产品性能与国际主流第
五代性能相当，产品性能国内领先，目前
已经成熟量产；
2、1200V成熟量产，产品具有短路能力
强，可靠性高的优点，广泛应用到光伏、
汽车、变频器等领域，产品口碑良好 | 通过自主开发和技术
合作，开发先进的
650V/1200V 高性能
IGBT芯片和沟槽
FS-IGBT芯片，建立相
应的产品设计、工艺制
造能力 | 国内
领先 | 应用于汽车电子
领域如汽车空调、
OBC等，工业控
制领域如变频器、
伺服、机器人、光
伏逆变、风力发电
等 |
| 4 | 20-30V Dr
MOS 器件研
发 | 2,000.00 | 236.23 | 1,108.28 | 1、第三版上管 MOS满足量产要求。按照
25V下管参数要求，重新设计第四版下管
MOS
2、第一版本通过功能性测试，并已经在
客户端进行测试，第二版流片中
3、完成两版 Clip产品合封（>600pcs）, | 整合内外部资源，开发
具有业界先进水平的
20-30V DrMOS 产品 | 国内
领先 | 应用于服务器/通
讯系统/PC等领域 |
| | | | | | 最终第三版 Clip已经到位 | | | |
| 5 | AC-DC
Fly-back电源
模块芯片研发 | 2,000.00 | 252.75 | 1,369.38 | 1、第一版第一次流片，实现数字隔离通
讯，各项参数均达标；
2、第二版版图设计完成 95% | 面向 USB PD 快充
Fly-back 原、副边控制
IC开发 | 国内
领先 | 应用于手机、平板
电脑、笔记本电脑
等设备的充电器；
多输出电压的
LED照明整流器、
工业电源设计 |
| 6 | 基于GaN的快
充方案及芯片
研发 | 3,948.00 | 270.64 | 3,849.26 | 1、原边控制芯片完成版图设计，根据客
户反馈完成优化设计；
2、副边控制芯片已通过可靠性考核和客
户认证，并实现了小批量销售；
3、GaN驱动控制器，进行合封 D-Mode
GaN及 SGT的模块试制，评估完成，符
合设计目标，已完成试生产 | 采用新型的 GaN器件
控制及驱动技术，开发
GaN器件的驱动芯片
及基于 GaN器件的快
充电源系统方案 | 国内
领先 | 应用于手机、平
板、笔记本等充电
器及适配器，具有
功率密度高、效率
高、体积小等特点 |
| 7 | 0.11微米 BCD
工艺平台研发 | 7,875.00 | 354.86 | 8,953.17 | 1、核心器件全部研发完成，性能指标全
部达标；其中小尺寸 SRAM指标，达到
目前8吋业界标准0.11微米工艺下的领先
水平；
2、首颗产品完成流片验证，客户完成全
部产品验证，可靠性考核，启动风险量产 | 提升 BCD 工艺技术水
平，巩固在 BCD 技术
领域的竞争优势 | 国内
先进 | 应用于 PMIC、
sub-PMIC等传统
消费类产品线，并
涵盖工控（安防、
通讯等）、车用电
子产品（BMS、电
源控制等）范围 |
| 8 | 面板级封装技
术研发 | 55,000.00 | 3,071.13 | 48,869.48 | 1、面板级 BGA量产平台搭建完成，已经
具备大批量量产的能力；
2、面板级 SIP封装技术落地，实现了 SIP
小批量生产；
3、Die Bond瓶颈工序，月产能达到 15KK；
4、Laser last技术取得阶段性成果，产品
完成 6KK产品封装产出 | 建立专用生产线，研发
高性能、低成本的面板
级封装技术解决方案 | 国内
领先 | 提供更轻、薄、短、
小的封装方案，用
于代替现有 FC
QFN,LGA,BGA
封装形式，提高产
品性价比和可靠
性 |
| 9 | 异 构 集 成
MEMS产品及
其技术研发 | 6,815.00 | 787.66 | 1,675.00 | 1、完成产品集成实验平台建设，以及双
振膜器件方案制定；
2、ASIC器件样品 demo输出与验证 | 实现采用具有完全自
主知识产权技术量产
的高端 MEMS麦克风 | 国内
先进 | 应用于空气净化
器，无人机，手机，
环境检测仪，便携 |
| | | | | | | 产品，创新地利用异构
集成的混合键合技术
制造高端硅麦器件产
品 | | 式产品等，满足更
小、更薄、多传感
功能应用需要 |
| 10 | 32位电机控制
MCU系列产
品研发 | 4,200.00 | 865.53 | 3,657.23 | 1、产品第一代工艺代次及方案推进，目
前在高压低速及高速无感 FOC方案上形
成典型控制算法，在烟机，高速风筒等典
型场景获得客户端认可。集成高压预驱的
前向一体化产品及全集成产品出样，在风
筒及塑封电机等场景完成 demo方案；
2、工艺备份产品第二代工艺代次完成
fullmask试制 | 基于 MCU+电机引擎
的架构，围绕电机产品
研发、一体化产品集
成、电机算法及方案开
发等工作，以简化电机
控制方案、提升电机控
制效率、提供完整电机
控制解决方案为目标 | 国内
领先 | 应用于高速风筒、
风扇、烟机、空调、
变频器等家电场
景中的电机控制 |
| 11 | 掺 Pt MOS 器
件 | 15,000.00 | 293.27 | 318.75 | 基本完成定型产品研制，其样品参数满足
设计要求，利用不同的工艺方案（背面扩
铂和正面扩铂）扩展出 3颗 SGT铂金产
品，目前采用背面掺 Pt工艺的样品进行
送样中 | 攻克 Pt掺杂工艺难题，
实现具备集成快恢复
体二极管的低压 SGT
MOS产品，最终实现
国产替代，填补国内空
白 | 国内
领先 | 应用于基站电源，
逆变器、适配器等
场景 |
| 12 | DTI BCD工艺 | 10,000.00 | 349.40 | 349.40 | 完成了单项工艺固化剂可靠性初评，并发
布了完整设计文件包 | 通过自主研发突破关
键设计制造技术，提升
工艺平台的稳定性和
可靠性，形成国产化自
主可控的加工制备工
艺线 | 国内
领先 | 主要用在电池（储
能、动力）BMS
保护采样功能、电
控（BCM车身控
制）马达驱动以及
电机系统上的隔
离驱动等 |
| 合
计 | / | 151,363.71 | 10,776.80 | 107,776.02 | / | / | / | / |
5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币
| 基本情况 | | |
| | 本期数 | 上年同期数 |
| 公司研发人员的数量（人） | 1,509 | 1,443 |
| 研发人员数量占公司总人数的比例（%） | 15.25 | 13.13 |
| 研发人员薪酬合计 | 29,098.24 | 25,446.45 |
| 研发人员平均薪酬 | 19.28 | 17.63 |
（未完）
