[中报]国博电子(688375):南京国博电子股份有限公司2023年半年度报告

时间:2023年08月30日 20:28:37 中财网

原标题:国博电子:南京国博电子股份有限公司2023年半年度报告

公司代码:688375 公司简称:国博电子






南京国博电子股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”中披露了可能面对的风险,提请投资者注意查阅。

三、 公司全体董事出席董事会会议。

四、 本半年度报告未经审计。

五、 公司负责人梅滨、主管会计工作负责人何莉娜及会计机构负责人(会计主管人员)贾燕声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为:以公司总股本400,010,000股为基数,向全体股东每 10股派发现金红利 6.25元(含税),拟派发现金红利合计人民币 250,006,250.00元(含税),本次利润分配不送红股、不以公积金转增股本。

如在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动的,公司拟维持每股分配比例不变,相应调整分配总额。本次利润分配预案尚需提交公司2023年第一次临时股东大会审议通过。


七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 28
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 30
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 32
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 56
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 61
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 61
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 62



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计主管人员签名并盖章的 财务报表
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
报告期2023年1月1日-2023年6月30日
公司、本公司、国博电子南京国博电子股份有限公司
国微电子南京国微电子有限公司
中国电科中国电子科技集团有限公司
国基南方中电国基南方集团有限公司
中国电科五十五所中国电子科技集团公司第五十五研究所
工信部工业和信息化部
T/R组件Transmitter and Receiver,简称T/R,一个无线收 发系统连接中频处理单元与天线之间的部分,是相控 阵雷达的核心,主要用于实现发射、接收信号的放大, 以及信号幅度、相位的控制,由低噪声放大器、功率 放大器、限幅器、移相器等组成
有源相控阵、AESAActive Electronically Scanned Array,简称AESA, 相控阵雷达的一种射频前端,具有众多的天线单元, 每个天线单元都配有独立的T/R组件,每一个T/R组 件都能单独发射和接收电磁波,部分T/R组件失去效 能不会影响雷达整体工作,具有更高的可靠性
射频、RFRadio Frequency,简称RF,频率为300KHz~300GHz 的电磁波,即波长在1毫米~1千米之间的电磁波
射频芯片工作在射频频段的芯片,实现信号的滤波、放大、射 频转换、调制/解调等功能,通常包含低噪声放大器、 功率放大器、滤波器、混频器、频率合成器等
化合物半导体晶态无机化合物半导体,即是指由两种或两种以上元 素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁 带宽度和能带结构等半导体性质。目前化合物半导体 主要包括以砷化镓、磷化铟等为代表的二代化合物半 导体和以氮化镓、碳化硅等为代表的三代宽禁带半导 体
氮化镓、GaN是氮和镓的化合物,是研制微电子器件、光电子器件 的新型半导体材料,与碳化硅(SiC)等半导体材料一 起被誉为第三代半导体材料
X波段、Ku波段、Ka波段雷达领域对电磁波的通俗分类,X 代表频率为 8- 12GHz范围的电磁波,Ku代表频率为12-18GHz范围 的电磁波,Ka代表频率为26.5-40GHz范围的电磁波
基站、移动通信基站移动设备接入互联网的接口设备,是指在一定的无线 电覆盖区中,通过移动通信交换中心,与移动电话终 端之间进行信息传递的无线电收发信电台
终端、通信终端安装有智能操作系统,可由用户自行安装程序和应用 来实现相应功能的便携设备,主要包括智能手机、平 板电脑等
封装测试、封测封测是“封装、测试”的简称,“封装”指为芯片安 装外壳,起到安放、固定、密封、保护芯片和增强电 热性能的作用;“测试”指检测封装后的芯片是否可 正常运作
晶圆Wafer,集成电路制作所用的晶片,生产集成电路所
  用的载体,可加工制作成各种电路元件结构,由于其 形状为圆形,故称为晶圆
低噪声放大器、LNALow-Noise Amplifier,简称LNA,构成射频前端的一 种芯片,主要用于通信系统中将接收自天线的信号放 大,以便于后级的电子设备处理
功率放大器、PAPower Amplifier,简称PA,构成射频前端的一种芯 片,是各种无线发射机的重要组成部分,将调制振荡 电路所产生的射频信号功率放大,以输出到天线上辐 射出去
射频开关可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件, 用于信号切换到不同的信号通路中去
高线性HBT放大器基于HBT工艺制作的OIP3/EVM等高线性度指标较高 的放大器
精确制导以高性能电磁波、光电探测器为基础,利用目标特征 信息发现、跟踪和识别等方法,控制和导引武器准确 命中目标的技术。对提高武器对地精确打击、防空和 反导等作战效能具有重要作用
相控阵雷达利用电子技术控制阵列天线各辐射单元的相位,使天 线波束指向在空间快速变化的雷达。其特点是:目标 容量大、数据率高,可同时监视和跟踪数百个目标; 具有搜索识别、跟踪、制导等多种功能;对复杂目标 环境的适应能力强,反干扰性能好,可靠性高
数控衰减器用来控制微波信号幅度,实现对信号的定量衰减
整机在微系统等基础上,通过整合各部分系统,形成的独 立完整的装备,如雷达、导弹、发动机等
无源相控阵、PESAPassive Electronically Scanned Array,简称 PESA,相控阵雷达的一种射频前端,仅有一个中央发 射机和一个接收机,发射机产生的高频能量,经功分 网络主动分配给天线阵的各个单元,目标反射信号也 是经各个天线单元送达接收机统一放大
DiFEM集成射频开关和滤波器的前端射频模组
北京南博射频科技有限公司2023年6月,公司名称由“北京南博射频科技有限公 司”变更为“广州越博电子科技有限公司”




第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称南京国博电子股份有限公司
公司的中文简称国博电子
公司的外文名称Guobo Electronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Guobo Electronics
公司的法定代表人梅滨
公司注册地址南京市江宁经济技术开发区正方中路155号
公司注册地址的历史变更情况2023年8月,公司注册地址由“南京市江宁经济技术开 发区正方中路166号”变更为“南京市江宁经济技术开 发区正方中路155号”
公司办公地址南京市江宁经济技术开发区正方中路155号
公司办公地址的邮政编码211111
公司网址www.gbdz.net
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书 (信息披露境内代表)证券事务代表
姓名刘洋魏兴尧
联系地址南京市江宁经济技术开发区正方中路155号南京市江宁经济技术开发区正方中 路155号
电话025-69090053025-69090051
传真025-69090144025-69090144
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《上海证券报》、《中国证券报》、《证券时报》、 《证券日报》、《经济参考网》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点董事会办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板国博电子688375不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入1,921,453,673.221,736,164,965.8610.67
归属于上市公司股东的净利润308,653,248.97262,136,461.3917.75
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润281,580,728.15254,159,878.7110.79
经营活动产生的现金流量净额141,709,445.73-292,803,775.90不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产5,949,002,220.495,635,542,089.745.56
总资产8,889,902,665.328,325,145,119.076.78


(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.770.735.48
稀释每股收益(元/股)0.770.735.48
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.700.71-1.41
加权平均净资产收益率(%)5.339.76减少4.43个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)4.869.46减少4.60个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)9.3110.14减少0.83个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
(1)报告期内公司营业收入同比增长 10.67%:主要系报告期内公司积极开展技术研发和市场开拓,稳妥保障产品生产和供应链安全,使得主营业务收入增加所致。
(2)归属于上市公司股东的净利润同比增长 17.75%,归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长10.79%:主要系报告期内公司主营业务收入增长所致。

(3)经营活动产生的现金流量净额由负转正:主要系报告期内销售回款增加所致。
(4)基本每股收益、稀释每股收益同比均增长 5.48%:主要系报告期内公司净利润增长所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益-590,468.86 
越权审批,或无正式批准文件,或偶发性的税 收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营 业务密切相关,符合国家政策规定、按照一定 标准定额或定量持续享受的政府补助除外25,494,600.50 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用 费  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资 成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认 净资产公允价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而计提的各 项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支出、整合费用 等  
交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值 部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并 日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损 益  
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业 务外,持有交易性金融资产、衍生金融资产、交 易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变 动损益,以及处置交易性金融资产、衍生金融资 产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益6,754,575.34 
单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准 备转回  
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地 产公允价值变动产生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损 益进行一次性调整对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-4,579.17 
其他符合非经常性损益定义的损益项目206,241.88个人所得税手续费返还
减:所得税影响额4,787,848.87 
少数股东权益影响额(税后)  
合计27,072,520.82 

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)公司主营业务情况
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,产品覆盖防务与民用领域,是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业,核心技术达到国内领先、国际先进水平。有源相控阵T/R组件主要应用于精确制导、雷达探测领域,射频集成电路主要应用于移动通信基站领域,并逐步拓展到移动通信终端和无线局域网领域。

公司坚持贯彻创新驱动发展战略,建立了以化合物半导体芯片为核心的技术体系和系列化产品布局,产品覆盖芯片、模块、组件。公司围绕国防装备发展和信息化要求,积累关键核心技术,研制了数百款有源相控阵T/R组件,产品广泛应用于精确制导、雷达探测等领域,除整机用户内部配套外,公司是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台,为我国国防装备发展做出了重要贡献。公司立足于国内移动通信市场,依托自身的研发实力和丰富的射频集成电路系列产品行业经验,形成了系列化的射频集成电路产品,产品主要应用于移动通信基站和终端等领域,公司是国内基站射频器件核心供应商,为我国移动通信产业链构建和产业链安全做出了重大贡献。

公司将紧密结合国家战略新兴产业政策导向和市场需求,坚持创新驱动、产融结合发展道路,通过研发生产平台的持续投资建设和人才团队建设,加强核心技术及前沿技术的研究,不断提升射频集成电路和高密度集成领域的研发生产能力,致力于发展成为该领域的行业领导者,推动国内射频电子产业协同发展,保障国家电子信息产业安全。

公司主要产品如下:

产品类别主要产品用途或功能主要应用领域
T/R组件和 射频模块有源相控阵T/R组件信号收发放大、移相衰减 或混频处理功能精确制导、雷达探测等领 域
 射频模块信号的功率放大及控制移动通信基站等领域
射频芯片射频放大类芯片实现信号功率放大或增益 放大等功能移动通信基站、终端、无 线局域网等通信系统
 射频控制类芯片实现射频通路或信道切 换、信号步进衰减等功能移动通信基站、终端、无 线局域网等通信系统
1、T/R组件和射频模块
(1)有源相控阵T/R组件
有源相控阵T/R组件是指在雷达或通信系统中用于接收、发射一定频率的电磁波信号,并在工作带宽内进行幅度相位控制的功能模块,是有源相控阵雷达实现波束电控扫描、信号收发放大的核心组件。

公司有源相控阵T/R组件主要应用于精确制导武器的雷达导引头、机载雷达、舰载雷达、卫星通信等领域。

图1 国博电子T/R组件产品图 (2)射频模块 在射频模块领域,国博电子相关产品主要包括大功率控制模块和大功率放大模块,产品覆盖 多个频段,主要应用于移动通信基站等领域。公司推出的新一代GaN射频模块在线性度、效率、 可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当,产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水 平。 大功率控制模块是大功率移动通信系统信号发射和接收时信号控制的一个重要器件,对系统 的性能有直接影响,通常位于通信系统的最前端,用于实现信号收发间的切换。大功率放大模块 的功能是实现基站发射链路的信号功率放大,与功率控制模块共同组成了基站发射链路射频的最 前端。 2、射频芯片 国博电子射频芯片主要包括射频放大类芯片、射频控制类芯片,广泛应用于移动通信基站等 通信系统。 图2 国博电子主要射频芯片产品图示
(1)射频放大类芯片
公司射频放大类芯片产品主要包括低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,简称LNA)和功率放大器(Power Amplifier,简称PA)。低噪声放大器一般用于实现接收通道的射频信号放大,处于接收链路的前端,低噪声放大器的性能对整个通信设备的信噪比等指标至关重要。功率放大器的作用是对发射通道的射频信号进行放大,是无线通信设备射频的核心组成部分,影响整个无线通信设备发射性能、系统功耗等重要指标。

(2)射频控制类芯片
公司射频控制类芯片产品主要包括射频开关和数控衰减器。射频开关是指可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件,用于信号切换到不同的信号通路中去。数控衰减器主要用来控制微波信号幅度,实现对信号的定量衰减,通过数控衰减器调整射频链路的信号幅值,能够保证(二)经营模式
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,拥有完整的研发、采购、生产、销售及服务体系。

1、T/R组件和射频模块领域
T/R 组件和射频模块领域,国博电子主要负责 T/R 组件和射频模块的设计、制造以及测试。

在T/R组件和射频模块的产品研发方面,国博公司近年来一直全面推进IPD研发体系变革,对研发团队进行重新建设,公司建立了热学、力学、电学、结构设计、版图设计等多个纵向专业,打破原有纵向职能结构之间的物理壁垒,设计具备灵活性和流动性的矩阵—项目结构,形成组织分层、执行并肩的组织结构体系。在IPD体系之下,项目经理全权负责研发的全生命周期过程,团队中的成员负责专业分工下的部分工作,支撑产品开发。

2、射频芯片领域
射频芯片领域,国博电子主要将研发力量集中投入到芯片设计和质量把控环节,产品的生产、封装、测试工作一般委托第三方厂商或机构完成。对于该部分产品,国博电子在完成芯片设计和版图绘制后,将版图交由晶圆制造商按照版图生产出对应晶圆。晶圆加工完成后,对于需要封装、测试的产品,国博电子负责封装文件和测试规范的制订,封装厂按照文件进行产品的封装、测试。

对于最终的成品,国博电子进行抽样评价,经抽评合格后入库。对于不需要封装的产品,国博电子收到晶圆制造商芯片后进行测试和抽样评价,经抽评合格后入库。

国博电子与主要客户建立了稳定的合作关系,积极跟踪客户需求,依托自身的技术实力研发符合客户需求的产品,通过研发带动销售。公司建立了较为完善的营销体系。

(三)市场地位
防务领域,国博电子是参与国防重点工程的重要单位,长期为陆、海、空、天等各型装备配套大量关键产品,确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障。国博电子研制了数百款有源相控阵T/R组件,其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项,产品广泛应用于弹载、机载等领域,产品市场占有率保持国内领先地位,是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。

民用领域,国博电子主要产品的性能指标已处于国际先进水平。国博电子作为基站射频器件核心供应商,基站射频集成电路技术处于国内领先、国际先进水平,在国内主流移动通信设备制造商的供应链平台上与国际领先企业,如Skyworks、Qorvo、住友等同台竞争,系列产品在2、3、4、5代移动通信的基站中得到了广泛应用。

报告期内,公司所处行业地位未发生重大变化。

(四)报告期内公司所属行业发展情况
1、公司所属行业
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》(2012年10月修订),国博电子有源相控阵T/R组件和射频模块所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”(分类代码C39),射频芯片所处行业为“软件和信息技术服务业”(分类代码I65)。根据《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司有源相控阵 T/R 组件和射频模块所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”,射频芯片所处行业为“I65软件和信息技术服务业”。

2、集成电路行业基本情况
集成电路行业作为全球信息产业的基础,经历了60多年的发展,如今已成为世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如 PC、互联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用,成为现代日常生活中必不可少的组成部分。

目前国际上全球经济增长存在巨大不确定性,市场供需两端均受到不同程度的影响。从全球竞争格局来看,长期以来,美国、日本、韩国、中国台湾等国家和地区占据了全球集成电路行业的主导地位。根据工业和信息化部研究表明,从市场规模的变化趋势上来看,中国大陆地区已逐渐成为全球最大的电子产品生产及消费市场,集成电路总体市场规模不断扩大,近年来更是跃居全球首位。

集成电路行业主要包括集成电路设计业、集成电路制造业、集成电路封装和测试业以及集成电路加工设备制造业、集成电路材料业等子行业。集成电路企业往往具有人才密集、技术密集、资本密集等特点,对企业的研发水平、技术积累、研发投入、资金实力和产业链整合能力有较高要求。根据集成电路设计企业是否拥有集成电路生产、封装及测试生产线,集成电路企业主要可分为IDM模式、Fabless模式。

从信号分类上来看,集成电路可分为模拟集成电路和数字集成电路,其中模拟集成电路用于处理模拟信号(如温度、声音),数字集成电路用于处理数字信号(如0、1),与数字集成电路相比,模拟集成电路具有设计门槛高、制程要求不高、种类繁杂和生命周期长等特点。

国博电子的T/R组件产品和射频集成电路产品属于模拟集成电路。

3、国博电子所处细分行业
(1)军工电子
我国的国防科技工业主要涵盖航空、航天、兵器、核工业、船舶和军工电子六大产业集群。

其中,军工电子不仅独立作为一个产业集群,也为其他产业集群提供信息化建设的技术支持。军工电子行业是我国国防科技工业中至关重要的一环。

近年来,随着美国取消国防预算上限、推行强军政策,并要求其北约与亚洲的军事同盟国增加本国军费以承担各自的防务责任,世界国防支出普遍上涨。在此形势之下,我国根据国防需求和国民经济发展水平,合理确定国防支出规模。根据 2023 年度政府预算报告,2023 年度我国安排国防预算支出 1.58 万亿元,比上年执行数增长 7.2%。受此影响,精确制导、雷达探测等领域的需求也在持续提升。在精确制导方面,精确制导武器是当前和未来战争的主要打击力量。现代实战数据表明,精确制导武器已成为高技术战争的主要杀伤工具,并扮演着越来越重要的角色。

随着全球军备竞赛、装备及配套武器数量增加以及军改后实战实训消耗增加,精确制导的需求将大大增加,进而为公司T/R组件带来较大的增长空间。在雷达探测方面,有源相控阵雷达是当前雷达的重点发展方向,广泛运用于机载雷达和舰载雷达。

(2)移动通信
在移动通信领域,2G 到 4G 的通信网络覆盖以宏基站为主,单个基站信号覆盖面积广,对建筑物的穿透能力较强;而5G通信网络使用更高的频率,单个基站覆盖面积小,传输损耗和穿透损耗加大,难以通过室内覆盖室外。因此,相比于4G,5G不仅将以密集组网的方式建立更多的宏基站,而且也将会建立更多的微基站,基站的数量将显著提升。同时,由于MIMO技术的采用,使得一个基站内射频通道数较4G也成倍的增长,5G MIMO通常为32或64通道,对应传统的4G基站通常为6-8通道,射频通道数增长了几倍,其中射频集成电路是基站必不可少的关键组成部分。

根据工信部《2023年上半年通信业经济运行情况》报告,截至2023年6月末,我国移动电话基站总数达1129万个,比2022年末净增45.2万个。其中,5G基站数量从2022年末的231.2万个增加到293.7万个,5G基站在移动基站中的占比从2022年末的21.3%提升到26%,5G网络建设稳步推进。

同时,移动通信运营商也表示,经历2020-2022年的5G投资高峰后,5G投资规模不会再增长并将呈现逐步下降的趋势。中国移动2022年5G资本开支同比下降3.5%,中国电信2022年5G投资同比下降 10.5%,受此影响,基站设备商对射频集成电路和 GaN 射频模块的需求也呈现下降趋势。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
(1)T/R组件和射频模块
公司对行业前沿技术和产品应用技术进行积极的研究,形成了T/R组件和射频模块、射频芯片的核心技术平台,均应用于公司的自产产品并实现产业化。国博电子具备W波段及以下频段的T/R组件产品设计平台、高密度高精度三维集成工艺平台以及全自动通用测试平台等平台化能力,T/R 组件产品设计平台积累了高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计、有源无源器件协同设计、高效率、高线性电路设计、大功率高效散热设计等关键核心技术,高密度高精度三维集成工艺平台积累了多温度梯度钎焊工艺、多层堆叠互连工艺、大功率模块封测等关键核心技术,全自动通用测试平台积累了可靠性试验分析测试等关键核心技术。研制了数百款有源相控阵 T/R组件,其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项,产品广泛应用于弹载、机载等领域。除整机用户内部配套外,国博电子产品市场占有率国内领先,是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。在射频模块领域,国博电子根据客户需求,开发出大功率控制模块、大功率放大模块等高集成度的产品,产品关键技术指标处于国内领先、国际先进水平。

公司具备面向防务重点工程配套需的系列化功率放大器、低噪声放大器、多功能芯片等有源芯片与IPD无源集成芯片的自主研制能力,并批量工程化应用于各类宽带、高频、大功率有源相控阵T/R组件产品,研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。在新技术方面,公司积极推进射频组件设计数字化转型,重点围绕W波段有源相控微系统、低剖面宽带毫米波数字阵列等新领域,持续开展相关关键技术攻关,积极推进异构集成技术产品化技术,为新一代产品开拓打下基础。

在射频模块领域,国博电子开发的GaN射频模块完整产品系列覆盖DC-10GHz,主要应用于4G、5G基站设备中,并积极布局6G移动通信应用。GaN射频模块为移动通信基站中的核心产品,具有较高的技术壁垒,国博电子是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当,产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。

(2)射频芯片
国博电子在射频芯片领域掌握具有自主知识产权的核心技术。基于自主核心技术,国博电子形成了系列化的射频芯片产品,应用于移动通信基站和移动终端等领域,产品技术水平属于国内领先、国际先进。

在射频放大类芯片领域,公司射频放大类主要产品处于国际先进水平。在低噪声放大器方面,针对5G基站应用,国博电子设计了大动态、高线性的低噪声产品,其噪声系数、增益、OIP3、功耗等主要性能指标均已处于国际先进水平;针对微波通信应用,国博电子也开发了系列化微波低噪声放大器产品。在功率放大器方面,针对移动通信基站应用,国博电子设计了一系列不同输出功率量级、频段及带宽的高线性HBT放大器,其增益、饱和功率、线性功率等主要性能指标也已处于国际先进水平。目前,这两类产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中。针对终端应用的射频放大类芯片,开发完成WiFi、手机PA等产品,性能达到国内先进水平。

在射频控制类芯片领域,国博电子开发的系列射频开关、数控衰减器,具有高集成度、高成品率、高性能等特点,主要电性能指标处于国际先进水平;开发了新一代应用于5G基站智能天线的开关控制芯片和模块,和上代产品相比线性功率等各项指标大幅提升,尺寸和成本明显下降,产品性能达到国际领先水平。伴随技术演进该类产品的应用场景和客户也在不断增加。在基站领域,目前公司系列射频开关、数控衰减器产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中;在终端领域,开关、天线调谐器产品量产,多个射频开关被客户引入并批量交付,DiFEM 相关芯片开始量产交付,产品性能达到国内先进水平。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,公司取得实用新型专利1项,集成电路布图设计登记18项。截至2023年6月30日,公司共拥有各项知识产权150项,其中发明专利40项,实用新型专利29项,软件著作权9项,集成电路布图设计登记72项。

报告期内获得的知识产权列表

 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利502240
实用新型专利21529
外观设计专利0000
软件著作权0009
其他0182272
合计71949150
注:其他为“集成电路布图设计登记”
3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入178,949,803.46176,133,398.371.60
资本化研发投入0.000.000.00
研发投入合计178,949,803.46176,133,398.371.60
研发投入总额占营业收入 比例(%)9.3110.14减少0.83个百分 点
研发投入资本化的比重(%)0.000.000.00

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序 号项目名 称预计总投资 规模本期投入金 额累计投入金 额进展或阶段 性成果拟达到目 标技术水 平具体应 用前景
1射频放 大类芯 片460,000,000.0070,758,389.47351,831,934.37产品广泛应 用于4G、 5G移动通 信基站和终 端中,新产大动态、 高线性的 低噪声产 品及高线 性HBT放 大器主要性 能指标 均已处 于国际 先进水 平移动通 信基 站、终 端、无 线局域
     品持续开 发。  网等通 信系统
2射频控 制类芯 片170,000,000.0015,993,743.7090,421,949.48目前广泛应 用于4G、 5G移动通 信基站中; 在终端领 域,多个信 号切换射频 开关也已经 被客户引 入,新产品 持续开发。高集成 度、高成 品率、高 性能的系 列射频开 关、数控 衰减器主要性 能指标 均已处 于国际 先进水 平移动通 信基 站、终 端、无 线局域 网等通 信系统
3射频模 块300,000,000.0025,058,744.59188,849,692.79目前产品覆 盖多个频 段,已应用 于多个移动 通信基站 中,新产品 持续开发。高功率、 低插损、 高隔离、 高集成度 的大功率 控制模块 及宽带 宽、高线 性、高功 率、高效 率、高可 靠性的大 功率放大 模块主要性 能指标 均已处 于国际 先进水 平移动通 信基 站、终 端、无 线局域 网等通 信系统
4专用模 拟芯片145,000,000.006,428,999.25101,387,709.43目前部分产 品已为射频 芯片提供接 口,驱动, 电源支撑应 用;部分产 品已应用于 精确制导、 雷达探测领 域。新产品 持续开发。高性能的 各类射频 芯片用通 信接口、 驱动、电 源芯片及 高性能的 应用于精 确制导、 雷达探测 的专用芯 片主要性 能指标 均已处 于国际 先进水 平精确制 导、雷 达探测 及通信 领域
5多频段 系列化 瓦片式 T/R组 件研发148,000,000.005,063,355.09123,263,011.25完成瓦片组 件关键技术 研发;实现 L,X,Ku, Ka等多频 段瓦片组件 产品。多频段的 瓦片组件 体系主要性 能指标 均已处 于国内 领先水 平精确制 导、雷 达探测 及通信 领域
6基于自 动化和 信息化 的智能97,000,000.0034,486,331.7234,486,331.72基于新厂房 新产能及新 工序需求, 抓住生产瓶推动基于 产品链的 数字化全 面管理与主要性 能指标 均已处 于国内精确制 导、雷 达探测
 制造平 台建设   颈进一步提 高自动化覆 盖率,实现 自动化及数 字化全面升 级。全程管理 系统的建 立。领先水 平及通信 领域
7多功能 综合射 频技术 研究项 目363,000,000.0 021,160,239.6421,160,239.64完成多功能 综合射频系 统研究项目 的新产品开 发和测试平 台搭建。建立国内 领先的高 密度集成 射频微系 统设计、 工艺制 造、高效 测试试 验、电磁 兼容、高 效散热、 系统应用 等多方面 能力主要性 能指标 均已处 于国内 领先水 平精确制 导、雷 达探测 及通信 领域
合 计/1,683,000,000 .00178,949,803.4 6911,400,868.68////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)296231
研发人员数量占公司总人数的比例(%)15.3716.70
研发人员薪酬合计5,554.764,696.40
研发人员平均薪酬18.7720.33


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士研究生113.72
硕士研究生16957.09
本科及以下11639.19
合计296100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
35岁以下24482.43
36-40岁289.46
40岁以上248.11
合计296100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
(1)技术与产品创新优势
国博电子是国内能够批量提供有源相控阵T/R组件、系列化射频集成电路产品的领先企业。

国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局,产品覆盖芯片、模块、组件。防务领域,国博电子作为参与国防重点工程的重要单位,为陆、海、空、天等各型装备配套了大量的关键产品,确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障,为我国国防装备发展做出了重要贡献。民用领域,国博电子作为基站射频器件核心供应商,基站射频集成电路技术处于国内领先、国际先进水平,为我国自主可控产业链构建和产业链安全做出了重大贡献。

(2)研发优势
国博电子组建了训练有素的研发团队,建立了高效灵活的研发体制。国博电子不断引进专业人才,组建了强大的研发团队,专业领域涵盖了电子、通信、计算机、化学、材料等,形成跨学科的复合型团队。

在有源相控阵T/R组件和射频模块领域,公司积极推进射频组件设计数字化转型,重点围绕W 波段有源相控微系统、低剖面宽带毫米波数字阵列等新领域,持续开展相关关键技术攻关,积极推进异构集成技术产品化技术,为新一代产品开拓打下基础。公司推出的新一代金属陶瓷封装GaN 射频模块及塑封 PAM 等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当,产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。

在射频芯片领域,公司射频放大类芯片广泛应用于4G、5G移动通信基站中,并针对终端应用开发完成WiFi、手机PA等产品,性能达到国内先进水平。公司射频控制类芯片的系列射频开关、数控衰减器产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中;在终端领域,开关、天线调谐器产品量产,多个射频开关被客户引入并批量交付,DiFEM 相关芯片开始量产交付,产品性能达到国内先进水平。

自成立以来,承担了多项国家防务领域重大科研任务,以及发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项”、工信部“面向5G通信的射频前端关键器件及芯片”等国家重大专项,江苏省工业和信息化厅“集成电路PA、LNA等射频有源器件攻关项目”、江苏省科学技术厅“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化项目”等省级项目,国博电子为国家科技水平的进步做出了卓有成效的贡献。

(3)品牌优势
国博电子设立以来获得了多项荣誉,积累了良好的品牌声誉。国博电子核心技术人员累计获得国家科学技术进步奖1项(二等奖)、国防技术发明奖1项(三等奖)、国防科学技术进步奖9项(特等奖1项,一等奖1项,二等奖3项,三等奖4项)、中国电子学会科技进步奖3项(一等奖1项,二等奖1项,三等奖1项)和中国电子科技集团科学技术奖18项(一等奖6项,二等奖5项,三等奖7项)。近三年,公司于2020年获赛迪网、《互联网经济》杂志评选的“2020行业信息化竞争力百强”和“2020 行业信息化领军企业”;2020 年获某主流移动通信设备供应商“供应商最佳交付奖”和“优秀质量协作奖”、2022年获某主流移动通信设备供应商“最佳协同奖”;2021年和2022年入选南京市“独角兽”企业。

(4)丰富的客户资源优势
公司致力于有源相控阵T/R组件和射频集成电路领域系列产品的研发、生产和销售,并形成了相关核心技术。经过多年的努力,国博电子的产品得到了市场的认可。

公司在军用领域占据了重要地位,作为参与国防重点工程的重要单位,为陆、海、空、天等各型装备配套了大量的关键产品,确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障。公司在持续多年的国防服务中同下游单位建立了良好的企业形象和合作关系,主要客户为军工集团下属科研院所及整机单位。

依靠卓越的科研能力和优良的产品质量,公司的产品在民用通信领域也获得了认可。在客户的供应链平台上,公司作为国内领先的射频集成电路企业与国际知名的欧、美、日企业同台竞争,系列产品在2、3、4、5代移动通信的基站中得到了广泛应用。(未完)
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