[中报]唯捷创芯(688153):2023年半年度报告

时间：2023年08月30日 20:43:06 中财网

原标题:唯捷创芯:2023年半年度报告

公司代码：688153 公司简称：唯捷创芯





唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在生产经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者予以关注，注意投资风险。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人孙亦军、主管会计工作负责人辛静及会计机构负责人（会计主管人员）辛静声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 不适用

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义…………………………………………………………………………………...…...4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 36
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 39
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 41
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 67
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 75
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 76
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 77

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报表
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
唯捷创芯、公 司、本公司	指	唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司
唯捷精测	指	北京唯捷创芯精测科技有限责任公司
联发科、MTK	指	联发科技股份有限公司，总部位于中国台湾，全球知名集成电路设计公 司，中国台湾证券交易所上市公司（2454.TW）
联发科投资	指	MediaTek Investment Singapore Pte. Ltd.,一家依据新加坡法律设立 的公司，联发科持有其100%的股权
Gaintech	指	Gaintech Co. Limited，一家依据开曼群岛（Cayman Islands）法律设 立的有限责任公司，联发科投资持有其100%股权
贵人资本	指	深圳市贵人资本投资有限公司
北京语越	指	北京语越投资管理中心（有限合伙）
天津语捷	指	天津语捷科技合伙企业（有限合伙）
哈勃投资	指	哈勃科技创业投资有限公司
OPPO移动	指	OPPO广东移动通信有限公司
维沃移动	指	维沃移动通信有限公司
天津语尚	指	天津语尚科技合伙企业（有限合伙）
天津语腾	指	天津语腾科技合伙企业（有限合伙）
小米基金	指	湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙）
昆唯管理	指	昆唯（深圳）企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
西藏泰达	指	西藏津盛泰达创业投资有限公司
顺水孵化	指	深圳市顺水孵化管理有限公司
集封投资	指	北京集成电路设计与封测股权投资中心（有限合伙）
中芯海河	指	中芯海河赛达（天津）产业投资基金中心（有限合伙）
北京元实	指	北京元实企业管理有限公司，曾用名：烟台博诚企业管理有限公司
华芯投资	指	青岛华芯创原创业投资中心（有限合伙）
亦合投资	指	北京武岳峰亦合高科技产业投资合伙企业（有限合伙）
天创保鑫	指	天津天创保鑫创业投资合伙企业（有限合伙）
澜阁投资	指	珠海横琴澜阁创业投资合伙企业（有限合伙）
天创海河	指	天津天创海河先进装备制造产业基金合伙企业（有限合伙）
长鑫投资	指	天津长鑫印刷产业投资合伙企业（有限合伙）
稳懋开曼	指	Win Semiconductors Cayman Islands Co., Ltd.，一家依据开曼群岛 （Cayman Islands）法律设立的有限公司
天创鼎鑫	指	天津天创鼎鑫创业投资管理合伙企业（有限合伙）
天津语唯	指	天津语唯科技合伙企业（有限合伙）
远宇实业	指	深圳市远宇实业发展有限公司
Skyworks	指	Skyworks Solutions, Inc.，一家提供无线通信解决方案的企业，设计 并生产应用于移动通信领域的射频及完整半导体系统解决方案，总部位 于美国，纳斯达克上市公司（股票代码：SWKS）
Qorvo	指	Qorvo, Inc.，一家无线及有线通信产品及解决方案提供商，总部位于美 国，纳斯达克上市公司（股票代码：QRVO）
Broadcom	指	Broadcom Inc.，主要从事半导体及软件基础架构解决方案的研发、设计 和销售，总部位于美国，纳斯达克上市公司（股票代码：AVGO）
Qualcomm	指	Qualcomm, Inc.，一家无线通信技术研发公司，总部位于美国，纳斯达 克上市公司（股票代码：QCOM）
Murata	指	Murata Manufacturing Co., Ltd，一家设计、制造电子元器件及多功
		能高密度模块的企业，总部位于日本京都，东京/新加坡证券交易所上市 公司（股票代码：6981）
甬矽电子	指	甬矽电子（宁波）股份有限公司
股票期权激 励计划、《期 权激励计划》	指	公司于2020年10月21日正式授予的上市前制定、上市后实施的股票 期权激励计划，即《唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司2020年股 票期权激励计划（草案）》及其修订稿
报告期、报告 期内	指	2023年1月1日-2023年6月30日
报告期末	指	2023年6月30日
集成电路、芯 片、IC	指	Integrated Circuit的简称，是采用一定的工艺，将一个电路中所需的 晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线连在一起，制作在一小块或几 小块半导体晶片或介质基片上，形成芯片裸片，然后封装在一个管壳内， 成为具有所需电路功能的微型结构
蜂窝移动通 信	指	采用蜂窝无线组网方式，在终端和网络设备之间通过无线通道连接，进 而实现用户在活动中可相互通信的通信技术，其主要特征是终端的可移 动性，并具有越区切换和跨本地网自动漫游等功能
2G、3G、4G、 5G	指	第二代、第三代、第四代和第五代移动通信技术与标准
EDA	指	Electronic Design Automation，指利用计算机辅助设计软件完成超大 规模集成电路芯片的功能设计、综合、验证、物理设计（包括布局、布 线、版图、设计规则检查等）等流程的设计方式
5G NR	指	基于正交频分复用技术的全新空口设计的全球性 5G标准，属于第五代 移动通信技术
Wi-Fi 6	指	第六代无线网络技术与标准
Wi-Fi 6E	指	一种无线通信技术与标准，相比于Wi-Fi 6，Wi-Fi 6E增加了新的频段
Wi-Fi 7	指	第七代无线网络技术与标准
ODM	指	Original Design Manufacturer的简称，原始设计制造商，企业根据品 牌厂商的产品规划进行设计和开发，然后按品牌厂商的订单进行生产， 产品生产完成后销售给品牌厂商
射频、RF	指	Radio Frequency，简称RF，一种高频交流变化电磁波的简称，频率范 围在300KHz-300GHz之间
射频前端	指	Radio Frequency Front-End，在通讯系统中天线和中频（或基带）电路 之间的部分，包括发射通路和接收通路，一般由射频功率放大器、射频 滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放大器等芯片共同组成
射频功率放 大器、PA	指	射频前端中的一种芯片，是各种无线发射机的重要组成部分，将调制电 路所产生的射频信号功率放大，以输出到天线上辐射出去；在讨论模组 产品时，则指代模组中集成的，实现前述功率放大功能的一颗或多颗芯 片裸片及其匹配网络
射频功率放 大器模组、PA 模组	指	集成射频功率放大器及其他芯片的模组
射频开关	指	射频前端中的一种芯片，在移动智能终端设备中主要用于对信号传输路 径上（接收或发射）不同频率或不同通信制式下的信号进行切换
射频低噪声 放大器、LNA	指	构成射频前端的一种芯片，主要用于通信系统中将接收自天线的信号放 大，以便于后级的电子设备处理
滤波器	指	构成射频前端的一种芯片，负责滤除特定频率以外的频率成分，从而将 输入的多种射频信号中特定频率的信号输出
双工器、多工 器	指	构成射频前端的一种芯片，使得工作在不同频率上的接收和发射通路能 够共享一个天线。它通常由两个或两个以上的带通滤波器并联而成，其 作用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作,
		互不干扰。根据滤波器数量不同，包括双工器、三工器、四工器和五工 器等，统称为多工器
L-PAMiD	指	集成射频功率放大器、双工器、射频开关和低噪声放大器的射频功率放 大器模组
L-PAMiF	指	集成射频功率放大器、滤波器、射频开关和低噪声放大器的射频功率放 大器模组
L-FEM	指	集成滤波器、低噪声放大器和开关的射频前端模组
LNA Bank	指	集成多个低噪声放大器和射频开关的射频前端模组，用于主集和分集的 信号接收与放大
DiFEM	指	用于信号接收链路，集成射频开关、滤波器的射频前端模组
DRx	指	分集接收模组，用于分集接收链路，集成射频开关、滤波器、低噪声放 大器的射频前端模组
Fabless	指	Fabrication（制造）和 less（无、没有）的组合词；一指集成电路市 场中，没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式，通常也被称为 “Fabless模式”；也用来指代无芯片制造工厂的IC设计公司，经常被 简称为“无晶圆厂”或“Fabless厂商”
晶圆代工厂	指	在集成电路领域中专门负责生产、制造芯片的厂家
封装	指	为芯片安装外壳，起到安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的 作用
测试	指	检测封装后的芯片是否可正常运作
封测	指	“封装、测试”的合称
载波聚合	指	Carrier Aggregation，简称CA，载波聚合技术，通过聚合多个连续或 非连续的分量载波从而获取更大的传输宽带，提高通信速率
MIMO	指	Multiple Input Multiple Output，简称MIMO，多入多出技术，该技术 在发射端和接收端分别使用多个发射和接收天线，使信号通过发射端与 接收端的多个天线传送和接收，从而改善通信质量
SIP封装	指	System In a Package，简称SIP，系统级封装，是将多种功能芯片和无 源器件，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现 一个基本完整的功能
流片	指	集成电路设计，制造和生产中的一个环节，把通过计算机辅助设计软件 完成的电路设计，在晶圆厂按一定的制程生产出芯片的过程。通过流片， 检验电路是否具备所需要的性能和功能
频段	指	在通讯领域中，频段指的是电磁波的频率范围，单位为Hz，按照频率的 大小，可分为低频、中频、高频等
线性度	指	射频功率放大器的指标之一，用来度量放大器使信号形状失真的程度， 线性度越高，失真越小
dB	指	分贝，是一个比值。在电子工程领域，dB数代表了设备（或系统）输入 端口和输出端口信号强度的相对比值，也即增益
dBm	指	分贝毫瓦，是考征功率绝对值的值
PC2	指	Power Class 2，功率等级2，为发射通道上的功率等级
LDO	指	Low Dropout Regulator，一种低压差线性稳压器
Vreg	指	基准电压，全称Reference Voltage

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司
公司的中文简称	唯捷创芯
公司的外文名称	Vanchip (Tianjin) Technology Co., Ltd.
公司的外文名称缩写	Vanchip
公司的法定代表人	孙亦军
公司注册地址	天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室
公司注册地址的历史变更情况	不适用
公司办公地址	天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室
公司办公地址的邮政编码	300457
公司网址	www.vanchip.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	不适用

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	赵焰萍	高原
联系地址	天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室	天津开发区信环西路19号2号楼2701-3室
电话	010-84298116-3666	010-84298116-3666
传真	010-84298119	010-84298119
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券 日报》《经济参考报》
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引	不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
人民币普通股（A股）	上海证券交易所科创板	唯捷创芯	688153	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入	890,931,776.73	1,311,581,903.16	-32.07
归属于上市公司股东的净利润	-70,200,958.01	26,581,450.09	-364.10
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	-64,145,612.95	10,099,221.64	-735.15
经营活动产生的现金流量净额	455,184,757.43	-346,154,860.26	不适用
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	3,824,891,932.42	3,831,983,077.01	-0.19
总资产	4,307,536,081.87	4,224,666,823.87	1.96

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同期 增减(%)
基本每股收益（元／股）	-0.17	0.07	-342.86
稀释每股收益（元／股）	-0.17	0.07	-342.86
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	-0.16	0.03	-633.33
加权平均净资产收益率（%）	-1.84	1.33	减少3.17个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	-1.68	0.50	减少2.18个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	23.81	18.42	增加5.39个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用

1、2023年半年度实现营业收入89,093.18万元，较去年同期降低32.07%，主要系报告期内消费电子行业市场需求疲软所致。其中，二季度实现营业收入57,292.53万元，较上年同期增长25.86%，较本年一季度增长80.16%。

2、2023年半年度归属于上市公司的净利润为-7,020.10万元，较去年同期降低364.10%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-6,414.56万元，较去年同期降低735.15%。主要系：①本报告期消费电子行业市场需求疲软，公司营业收入规模下降；②由于消费电子行业供应链企业的库存去化压力仍处于高位，这进一步加剧了市场价格的竞争，因此，公司基于谨慎性原则对存货进行减值测试，导致报告期内存货减值损失增加。

3、2023年半年度经营活动产生的现金流量净额为45,518.48万元，较去年同期转负为正，增加80,133.96万元，主要系公司库存余额持续下降，报告期内购买商品所支付的现金减少所致。

4、2023年半年度，公司股份支付费用为4,174.99万元。剔除股份支付费用影响后，报告期内归属于上市公司股东的净利润以及归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润分别为-2,845.11万元和-2,239.57万元。

5、2023年半年度基本每股收益较去年同期降低 342.86%；稀释每股收益较去年同期降低342.86%；扣除非经常性损益后的基本每股收益较去年同期降低633.33%；加权平均净资产收益率以及扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率较上年同期分别减少 3.17个百分点和2.18个百分点。主要系报告期内净利润减少所致。

6、2023年半年度研发投入占营业收入的比例为23.81%，较上年同期增加5.39个百分点，主要系报告期内营业收入规模减少所致。

7、2023年半年度实现净利润为-7,020.10万元，而经营活动产生的现金流量净额为45,518.48万元，主要系本报告期内历史库存不断消耗、供应链端未形成资金占用所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动资产处置损益	-175.12	七、73
越权审批，或无正式批准文件， 或偶发性的税收返还、减免
计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务密切相关，符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外	34,759,277.04	七、67 七、74
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益
非货币性资产交换损益
委托他人投资或管理资产的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备
债务重组损益
企业重组费用，如安置职工的支 出、整合费用等
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益	-25,539,046.00	七、68 七、70
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回
对外委托贷款取得的损益
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出	-15,948,217.10	七、74 七、75
其他符合非经常性损益定义的损 益项目
减：所得税影响额	-672,816.12
少数股东权益影响额（税 后）
合计	-6,055,345.06

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
√适用 □不适用
2023年半年度，公司股份支付费用为 4,174.99万元。剔除股份支付费用影响后，报告期内归属于上市公司股东的净利润以及归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润分别为-2,845.11万元和-2,239.57万元。


第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 唯捷创芯是专注于射频前端芯片研发、设计、销售的集成电路设计企业，主要为客户提供射 频功率放大器模组、Wi-Fi射频前端模组和接收端模组等集成电路产品，广泛应用于智能手机、平 板电脑、无线路由器、智能穿戴设备等具备无线通讯功能的各类终端产品。 （一） 公司主要产品 1、 射频前端概述 射频前端指位于射频收发器及天线之间的中间模块，其功能为无线电磁波信号的发送和接收， 是移动终端设备实现蜂窝网络连接、Wi-Fi、蓝牙、GPS等无线通信功能所必需的核心模块。射频 前端与基带、射频收发器和天线共同实现无线通讯的两个本质功能，即将二进制信号转变为高频 率无线电磁波信号并发送，以及接收无线电磁波信号并将其转化为二进制信号。 若没有射频前端芯片，手机等移动终端设备将无法拨打电话和连接网络，失去无线通信功能。 因此，射频前端在无线通信中有不可或缺、至关重要的作用。 射频前端的简化架构如下图所示： 报告期内，公司对外销售的产品主要为射频功率放大器模组、Wi-Fi射频前端模组及接收端模组，均属于射频前端范畴内的芯片或模组产品。

2、 公司产品具体介绍
（1）射频功率放大器模组（PA模组）
公司主要产品为射频功率放大器模组，其贡献的收入占公司主营业务收入比例为 89.55%。

射频功率放大器是射频前端信号发射的核心器件，作用是将射频前端发射通道的微弱射频信号进行放大，使信号功率达到天线发射以及被通信基站接收的功率要求。经过通信技术的发展和多年的研发投入和产品迭代，公司射频功率放大器模组的集成度不断提高，公司已稳步迈入高端领域，产品结构正在从以中集成度的射频功率放大器模组产品（如 MMMB和 TxM等）为主，转型为高集成度射频功率放大器模组产品（如 L-PAMiD、L-PAMiF等）为主。

作为行业内率先提供 3.4V射频架构产品的公司，2023年上半年，公司向市场推出了新一代低压版本 L-PAMiF产品。截至报告期末，该产品已经通过国内品牌厂商的验证并实现小批量出货。与上代产品相比，新产品降低了客户智能手机产品对升压电源管理芯片的需求，从系统整体方案上优化了成本；与市场上现有的 L-PAMiF产品相比，除可以降低客户的系统成本之外，新一代低压版本 L-PAMiF产品在相同的目标线性功率下，实现了业内更低的电流需求，降低了智能手机运行功耗，其性能业内领先。作为主推的新产品之一，2023年下半年公司将进一步提升该产品的市场份额，优化公司整体毛利率。同时，报告期内公司自主研发的 L-PAMiD产品实现了批量出货，成为国内率先实现向头部品牌客户批量销售该产品的企业，在智能手机产品中实现了国产射频前端高集成度模组的突破。目前，该产品推广顺利，预计能够在今年下半年实现大规模出货。

此外，公司的车规级射频芯片也已通过客户验证，正在汽车和模块厂商处推广。考虑到此类型产品的导入周期较长，预计其将在 2024年实现大规模出货。

（2）Wi-Fi射频前端模组
Wi-Fi作为一种无线联网技术，允许电子设备连接到一个无线局域网交互通信，广泛应用于智能手机、平板和笔记本电脑、路由器等终端产品。Wi-Fi射频前端模组根据 Wi-Fi通信技术协议要求设计，无法适用于蜂窝移动通信技术，是移动终端设备通过 Wi-Fi联网实现无线通讯必不可少的器件。公司 Wi-Fi射频前端模组集成了射频功率放大器、LNA、开关以及控制芯片，以导线键合方式集成为模组，可以同时实现电压和功率检测功能。

根据 TSR数据，终端应用中使用满足 Wi-Fi 6通信标准的产品比例正逐步提高，并将在未来几年继续维持上升趋势。2023年上半年，公司 Wi-Fi射频前端模组以 Wi-Fi 6和 Wi-Fi 6E产品为主，产品性能接近国际先进水平，并已在品牌客户端实现大规模销售，是国内该领域的主要参与者之一。随着新一代产品的推出，公司的 Wi-Fi产品类型得到进一步丰富，能够满足更高要求，覆盖更多客户群体，提高公司市场竞争力。

此外，随着 Wi-Fi协议标准的不断提高，新一代 IEEE 标准 802.11be（Wi-Fi 7）的草案修正案已推出，预计正式版本的发布时间为 2024年。截至本报告期末，作为满足最新一代功能定义的产品，公司的第一代 Wi-Fi 7已正式开始推广，成为较早推出 Wi-Fi 7射频前端产品，完成新标准产品化的公司之一。与此同时，公司也在持续研发的基础上，完成了 Wi-Fi 7产品的更新，适配二代平台的 Wi-Fi 7产品预计将于本年度末推向市场。

（3）接收端模组
接收端模组指射频前端的信号接收链路中集成了 LNA、射频开关、滤波器等两种或以上芯片裸片的模组产品，其主要作用是将天线接收到的微弱射频信号放大，同时尽量减少噪声的引入，从而在移动智能终端上达到更强的接收信号、更好的通话质量和更高的数据传输率。

报告期内，接收端模组的营收为 9,298.27万元，占本期主营业务收入的 10.45%。公司销售的接收端模组产品包括 LNA Bank、L-FEM及开关等产品，其中 LNA Bank通过设计优化完成了迭代更新，第三代产品已正式量产出货，第四代产品也在研发设计中。L-FEM的成熟产品处于大规模量产阶段，新一代产品已在研发验证中；作为可与低压版 L-PAMiF模组搭配使用的接收端产品，其将在发射端产品的带动下，开发新营收增长点，提升市场份额。

截至报告期末，公司接收端模组的新产品 DRx与 DiFEM模组的研发、验证和推广，正按计划进行，预计将在年末正式推出。

公司目前能够满足客户对射频前端产品齐套供应的需求，随着新产品 DRx与 DiFEM模组对接收端产品线的补充，公司将能够进一步为中低端机型和高端机型提供多样化的全套产品解决方案。接下来，公司将进一步夯实自主创新技术，紧跟行业趋势，扩大在 5G终端应用市场中的份额，成为具有全球竞争力的射频前端企业之一。

（二）公司主要经营模式
作为专业的集成电路设计企业，公司采用行业通行的 Fabless模式运营。公司充分利用集成电路行业高度专业化分工的产业链特点，负责产业链中的设计环节，将晶圆的制造、封装环节分别交由产业链对应厂商完成，测试环节根据公司的产品类型和产能规划等因素选择由外部供应商或者唯捷精测完成。

1、研发模式
公司的产品均为自主研发和设计。为了在保证质量的基础上开发出符合市场和客户需要的产品，公司已制定多项制度，对研发活动的各个环节：项目立项阶段、产品设计阶段、产品试产评估阶段与量产阶段，实施全流程管控，通过多次的技术评审和评估来降低研发失败的风险。

2、采购和生产模式
公司采用 Fabless模式经营，自身不从事生产工作，专注于研发设计环节，制造、封装及测试工作主要由专业的晶圆代工厂、封装和测试企业完成，部分产品的测试工作由唯捷精测完成。

为保障外部供应商资信水平健康，提供予公司的产品和服务符合要求，公司制定了多项制度，对采购、生产的各个环节进行管控。

3、销售模式
按照集成电路行业惯例和企业自身特点，公司采用“经销为主、直销为辅”的销售模式。公司与经销商的关系属买断式销售关系，实行销售框架协议基础上的订单销售。此外，对于部分终端客户，公司采用直销模式。

（三）公司所处行业情况
公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业分类指引》，公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据国务院颁布的《关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策的通知》，公司所处的集成电路行业属于鼓励类产业。

1、全球射频前端行业的竞争格局
射频前端芯片的研发设计需要深厚的工艺经验、实践积累，需要具有丰富研发实力的人员在相关领域长年深耕。美国、日本等国家或地区在集成电路领域起步较早，在人才、技术、资本等各个方面积累丰富。深厚的企业沉淀促使美系和日系射频前端企业在市场中占据了主导地位。根据 Yole数据显示，2022年射频前端市场全球前五大厂商 Skyworks、Qorvo、Broadcom、Qualcomm、Murata合计市场份额为 80%，头部厂商集中效应明显。

射频前端包括射频功率放大器、滤波器、射频开关、射频低噪声放大器等产品，各细分领域的市场竞争格局与行业整体的竞争格局略有差异，但均呈现美系和日系厂商占据主导地位的格局。

射频前端行业是我国集成电路行业中对外依存度较高的细分领域之一，特别是在 5G、高集成度射频前端模组等前沿市场，全球前五大射频前端厂商占据我国大部分的市场份额。

相较前述射频前端领域的美系和日系领先厂商，参与射频前端市场竞争的国内企业在资本实力、产品性能和产品线宽度、技术和知识产权积累、研发人员数量和体系、前沿技术定义能力等方面仍存在一定的差距。

2、我国射频前端行业的竞争格局及公司的市场地位
随着我国集成电路行业近年来高速发展，创业企业不断进入射频前端领域，在射频前端领域参与竞争的国内企业数量日益增加。公司是国内最早一批从事射频前端分立器件和模组研发、设计和销售的集成电路设计企业，成立伊始即坚定追赶头部厂商，并在发展过程中逐步缩小差距。

在射频功率放大器分立器件和模组产品的细分领域，公司紧跟通信技术的最新发展，已具备较强的技术实力和竞争优势，是中国射频功率放大器行业的中坚力量。

公司射频功率放大器模组的终端客户主要为手机品牌厂商，公司产品已覆盖小米、OPPO、vivo等全球多家主流手机品牌，其性能表现及质量的稳定性和一致性受到各类客户的广泛认可。公司业已成为智能手机射频前端功率放大器领域国内优质的供应商之一。

基于持续的正向研发、射频前端技术架构演进，公司正努力从跟随者转变为行业引领者，不断提升射频前端架构创新与复杂模组产品的定义能力。报告期内，公司前瞻性地洞悉了 3.4V射频架构的可行性及未来发展趋势。借助创新性的独家芯片设计架构，使得低压系列产品在率先推向市场的同时，还能兼具性能领先的优势。目前，公司 3.4V低压方案已经通过国内品牌厂商的验证，预计于今年下半年大批量出货，是行业内率先推出该产品的公司。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司高度重视技术、产品的研发，具备自有的集成电路设计平台。公司的核心技术来源于自主研发，并已基本应用在公司的主要产品的设计中。截至本报告期末，公司的主要核心技术情况如下：

序	主要核心	技术	技术先进性	对应专利
号	技术	阶段
1	高功率，抗 负载变化 的平衡式 功率放大 技术	量产 阶段	通过90度功分器单元将射频输入信号分成两路等幅 信号，进行放大后再通过可调90度功合器将两路信 号合成一路射频输入信号。提高了输出的最大线性功 率，降低了对射频天线负载变化的敏感度。	一种平衡式 射频功率放 大器、芯片及 通信终端
2	改善射频 功率放大 器线性度 技术	量产 阶段	通过在共发射极放大器的晶体管的基极和集电极之 间连接补偿电路，抵消电容随射频信号变化造成的影 响，易于与主体放大电路集成，且不影响主体放大电 路的其他性能，可调性高。	改善射频功 率放大器线 性度的方法、 补偿电路及 通信终端
3	芯片复用 及可变编 码技术	量产 阶段	公开了一种实现芯片重用的可变编码方法，可以使完 全相同的两个或多个集成电路芯片实现不同的逻辑 控制功能，从而简化了实现系统功能的芯片种类，大 大降低集成电路系统的开发成本及量产供应链的管 理复杂性。	一种实现芯 片重用的可 变编码方法 及其通信终 端
4	具有功率 检测反馈 的功率放 大技术	量产 阶段	通过功率检测反馈电路，检测出本级放大电路的输出 功率，产生与输出功率成反向变化的控制电压，及相 应的控制电流，从而来控制电路的静态工作电流。本 技术使得功率放大器工作在增益和输出功率稳定的 状态。	基于功率检 测反馈的射 频功率放大 器、芯片及通 信终端
5	功率放大 器的模式 切换技术	量产 阶段	通过灵活配置偏置电压，该多模功率放大器可以实现 饱和模式和线性模式的切换，满足多种通信制式的实 际需求。该多模功率放大器还具有成本较低、电路简 单灵活、易于实现等优点。	多模功率放 大器、多模切 换方法及其 移动终端
6	低温漂振 荡电路技 术	量产 阶段	通过频率采样产生控制信号，为RC核心振荡模块输 出合适温度系数的电压，以实现对时钟频率进行温度 补偿；同时输出合适大小的零温度系数电流，以便对 时钟频率进行精确校准。	一种片内 RC 振荡器、芯片 及通信终端
7	提高射频 开关性能 的设计和 布图技术	量产 阶段	通过改变金属层布线方向与多晶硅层布线方向，使得 关断电容变小；通过增加射频晶体管的沟道宽度，减 小导通电阻。通过减小关断电容及导通电阻，有效提 高射频开关的性能。	一种提高射 频开关性能 的射频晶体 管、芯片及移 动终端
8	宽耐压线 性稳压器 技术	量产 阶段	稳压器能够随着电源电压改变而自动改变其偏置条 件，进而保证每个器件端口间的电压差不超出自身工 艺标称电压值，最终使产品能应用于高出标称电源电 压的系统或芯片中。	一种宽耐压 范围的自适 应低压差线 性稳压器及 其芯片
9	低噪放中 的谐波抑 制技术	量产 阶段	通过隔离单元把谐波抑制单元与输出匹配网络/输入 匹配网络隔离，提高了信号放大电路的设计灵活性， 降低了设计难度。	谐波抑制方 法及相应的 低噪声放大 器、通信终端
10	射频模组 的测试夹 具和测试 方案	量产 阶段	通过该测试夹具可以有效减少因焊接带来的新品导 入时间，缩短产品的可靠性认证的周期和上市时间； 同时避免了芯片损伤风险，便于反馈可靠的评估结 果。	一种芯片测 试夹具及测 试系统
11	高电源抑 制比的低 压差线性	量产 阶段	针对中频处的电源抑制，配合调整带隙基准模块中的 中频零点调整单元和 LDO电路中的中频零点产生单 元，使中频电源抑制性能优化到更好的效果。包含该	一种具有电 源抑制的 LDO 电路、芯片及
	稳压器技 术		LDO的电压偏置电路，可增强射频芯片电源对中频信 号的抑制能力，进而提升射频芯片在移动通信终端里 的性能。	通信终端
12	基准电路 自适应过 冲电压抑 制技术	量产 阶段	根据实时检测的待测基准电路输出的采样电压，产生 瞬态高频感应的电压，实现减小待测基准电路启动瞬 间的非线性启动电流，实现在一定程度上保证基准电 路满足时序要求的同时，对基准电路输出的参考电压 过冲快速响应有效地进行抑制。	自适应过冲 电压抑制电 路、基准电 路、芯片及通 信终端
13	射频功率 放大器功 率检测温 度补偿技 术	量产 阶段	本发明解决了不同电路模块的偏置电压Vreg的温度 系数要求不同，需要多个不同温度系数的偏置电压 Vreg供电的技术问题，所提供的功率检测电路及其 射频前端模块具有结构设计简单、生产成本降低，使 用性能可靠等优异效果。	一种带有温 度补偿功能 的功率检测 电路及其射 频前端模块
14	射频开关 电荷泵输 出电压快 速建立和 纹波抑制 技术	量产 阶段	本电荷泵电路不仅能够实现各个子电荷泵模块的输 出电压的快速建立，而且能够极大地减小电荷泵电路 从输入电源汲取的峰值电流，减轻了电荷泵电路对输 入电源以及输出电压造成的较大纹波。	一种电荷泵 电路、芯片及 通信终端
15	射频 3dB 耦合器技 术	量产 阶段	根据 3dB正交混合耦合器的工作频率和端口特征阻 抗的要求，调整直通金属线圈与耦合金属线圈的匝 数、层数，以降低耦合器插入损耗，优化3dB正交混 合耦合器的端口反射系数，端口隔离度等射频性能。 利用本发明，可以有效节省芯片面积，降低了射频前 端模块的设计成本。	一种3dB正交 混合耦合器 及射频前端 模块、通信终 端
16	射频功率 放大器线 性化技术	量产 阶段	利用线性化电路对从功放电路的射频信号输入端输 入的射频信号进行捕捉，捕捉到的射频信号反馈给偏 置电路，偏置电路在此基础上产生相应的偏置电流。 反馈的射频信号和偏置电流被输入到功率放大电路， 从而增加射频功率放大器输出信号的线性度和功率 附加效率。	一种具有高 线性度和功 率附加效率 的射频功率 放大器模块 及其实现方 法
17	芯片间接 口通信技 术	量产 阶段	通过两个通信控制信号总线，实现控制模组和射频器 件之间的单向串行通信。该方案可以有效地减小通信 复杂度，提升传输效率，满足方便和快速的单向通信 要求。	用于射频模 组芯片间和 芯片内的单 向串行通信 设备
18	电源浪涌 保护技术	量产 阶段	通过在集成电路版图设计中优化金属走线的长度和 形状，结合和NMOS管的连线，以此来降低或消除导 流管NMOS的开启时间非均匀性，从而在电源浪涌出 现时保护内部器件。	浪涌保护器 件和包含该 器件的芯片 及通信终端
19	高宽带功 率放大器 技术	量产 阶段	通过正交耦合器将输入的射频信号分成两路相位相 差 90度的射频信号，相位为+45度的射频信号进入 主路功率放大器，相位为-45度的射频信号进入辅路 功率放大器，输出合路射频信号匹配网络将主路信号 和辅路信号合成后输出射频信号，实现负载调制。本 发明具有高带宽，高效率和低损耗等优点。	一种高带宽 的负载调制 功率放大器 及相应的射 频前端模块
20	功率检测 技术	量产 阶段	功率检测单元将接收的待测射频信号转换为直流电 压的过程中进行灵敏度的修调，能够有效调整检测灵 敏度，同时利用基准电流产生单元产生不同温度系数	一种功率检 测电路、芯片 及通信终端
			的基准电流，实现在工作温度范围内检测精度不随温 度变化，从而保证功率检测电路最终输出的电压不随 温度变化，使得本发明具有较高的检测精度。
21	射频设备 复用技术	量产 阶段	该电路包括收发信机、MMMB功放模块、多通道天线 开关、天线，以及中频低通滤波器和低频低通滤波器。 收发信机的低频信号输出端包括两路，其中一路是 2G低频信号输出端；收发信机的中频信号输出端包 括两路，其中一路2G中频信号输出端。本发明通过 复用3G、4G或5G的硬件电路，实现了几乎无成本的 2G通信功能。	一种多制式 无线通信射 频电路及终 端
22	高效电荷 泵技术	量产 阶段	该正负电压电荷泵电路包括时钟发生模块、正电压电 荷泵模块、瞬态增强模块和负电压电荷泵模块，能够 提供稳定可靠且同时产生高于输入电源正轨以及低 于输入电源负轨电压的电荷泵电路设计，满足广泛的 系统设计指标要求。	一种正负电 压电荷泵电 路、芯片及通 信终端
23	高速模拟 电压缓冲 技术	量产 阶段	本发明采用特殊的动态偏置调整方法，可以大幅提升 电压缓冲器在输入信号变化时的工作电流，而在输入 信号没有变化时保持其工作电流较小，从而在不提升 整体功耗的前提下，大幅提升电压缓冲器的工作速 度。	一种高速模 拟电压信号 缓冲器、芯片 及通信终端
24	提升射频 功率放大 器线性度 和功率附 加效率技 术	量产 阶段	本发明利用线性化电路采集来自功率放大器电路的 射频信号输入端输入的射频信号，并将所采集的射频 信号反馈至偏置电路，由偏置电路根据反馈的射频信 号生成相应的偏置电流，该偏置电流输入至功率放大 器电路，从而提升射频功率放大器线性度和功率附加 效率技术。	具有高线性 度和功率附 加效率的射 频功放模块 及实现方法
25	LDO自适应 快速响应 技术	量产 阶段	本发明通过自适应加速响应电路镜像功率管的电流， 使得误差放大器内的差分电路的尾电流可以根据 LDO电路的负载变化自适应地加速充放电，对差分电 路的尾电流和功率管的栅极在极短的时间内进行快 速充放电，使LDO电路的响应时间大大减少，让集成 电路芯片具有更快的响应速度。	一种自适应 快速响应的 LDO电路及其 芯片
26	低损耗射 频收发前 端技术	量产 阶段	本发明在不增加成本的情况下，通过改变在不同工作 模式下输入、输出匹配电路的方式，减小射频开关插 入损耗来优化接收端的噪声系数和发射端的输出功 率以及损耗。	一种低损耗 的射频收发 前端模块及 电子设备
27	LDO限流技 术	量产 阶段	本发明通过负载电流与参考电流的比较，控制LDO电 路中的负反馈环路以及限流输出单元的开启或关闭， 实现对输出电流的控制，从而在大功率、复杂应用环 境等工况下，为射频芯片提供稳定的直流偏置电压。	一种具有限 流功能的 LDO 电路、芯片及 电子设备
28	降低基板 翘曲应力 技术	量产 阶段	本发明所提供的基板在高温回流焊过程中能够与裸 芯片呈现相匹配的翘曲，从而避免因翘曲的不匹配导 致的虚焊问题。	降低翘曲应 力的基板、封 装结构、电子 产品及制备 方法
29	高效天线 调谐器测 试系统	量产 阶段	本发明包括PXI测试箱，PXI测试箱具有发射端口和 接收端口；发射端口通过第一单刀多掷开关选择性连 接于不同的测试通路的输入端，接收端口通过第二单 刀多掷开关选择性连接于不同的测试通路的输出端； 且 PXI测试箱能够根据接收端口的信号值动态调整	一种天线调 谐器峰值电 压测量系统
			发射端口发射信号的大小。
30	多频段、多 种增益接 收模组技 术	量产 阶段	该射频信号接收前端模组包括：多组输入放大器，控 制单元与多个输入耦合开关，多个级间开关和负载中 的可变被动元件连接，并控制被动元件的参数设置。 在降低噪声系数的同时，实现多频段，多种增益模式。	射频信号接 收前端模组、 信号传输控 制方法及移 动终端

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2. 报告期内获得的研发成果
截至2023年6月30日，公司已取得专利77项（其中发明专利54项），集成电路布图设计专用权120项。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	28	11	134	54
实用新型专利	10	11	40	23
外观设计专利	0	0	2	0
软件著作权	2	12	14	14
其他	15	12	123	120
合计	55	46	313	211

注：其他代指集成电路布图设计。


3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	212,160,148.85	241,569,513.13	-12.17
资本化研发投入
研发投入合计	212,160,148.85	241,569,513.13	-12.17
研发投入总额占营业收入 比例（%）	23.81	18.42	增加5.39个百分 点
研发投入资本化的比重（%）

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名 称	预计总投资 规模	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或阶段性成 果	拟达到目标	技术水平	具体应用前 景
1	5G PA模 组	20,217.41	2,127.07	17,959.75	基于原技术方案 的产品已经定 型。基于市场变 化第二代产品设 计定板。	原方案支持低、中、高频段的功 率放大器模组，支持 4G-5G B3+n41双连接。第二代产品支 持低压供电。	在发射额定功率、效率方 面接近国际先进水平。	主要应用于 国内SA场景
2	中、高 频L- PAMiD模 组	9,138.38	1,765.31	5,162.64	第一代产品已量 产，第二代产品 工程样品阶段。	集成低噪声放大器、射频功率 放大器、射频开关以及双工器， 支持中频和高频的 3G-5G通信 频段，同时在n41频段支持PC2 功率等级。	预计在集成度和发射额定 功率，效率和接收噪声系 数方面达到或接近国际先 进水平。	1.手机、平板 电脑、数据卡 等通信终端 设备；2.智能 家居、智慧城 市、可穿戴设 备等物联网 终端
3	低频L- PAMiD模 组	4,454.83	1,013.80	2,873.64	第一代产品已量 产，第二代产品 工程样品阶段。	集成了低噪声放大器、射频功 率放大器、射频开关以及双工 器，支持2G以及3G-5G多个低 频频段。	整体性能（额定功率、线性 度、接收噪声等）接近国际 先进水平。	主要应用于 国内的手机 市场
4	LNA Bank	7,027.13	1,224.94	6,238.03	第一、二和三代 产品均已量产； 目前第四代产品 处于设计阶段。	支持低、中、高频段的低噪声放 大器模组，支持MIMO和载波聚 合，支持多通道信号输入和输 出。	基于自主研发的 LNA技 术，提供业界先进的噪声 系数和功耗。	1.手机、平板 电脑、数据卡 等通信终端 设备；2.智能 家居、智慧城 市、可穿戴设 备等物联网 终端
5	支持5G 单频L- PAMiF模 组	7,118.95	704.06	5,711.58	第一、二和三代 产品已量产。目 前下一代产品正 进行方案论证和 设计。	支持5G NR n77频段的L-PAMiF 模组，集成低噪声放大器、射频 功率放大器和滤波器；支持高 通和 MTK手机平台，第三代产 品支持低压应用。	采用SIP封装，其中PA、 LNA和射频开关等芯片均 为自主研发。在产品的额 定功率、功耗、线性度和灵 敏度等方面都达到业界较 高水平，尤其是在功率回 退下的效率有优势。最新 产品采用低压供电方式， 简化客户电源管理方案。	1.手机、平板 电脑、数据卡 等通信终端 设备；2.智能 家居、智慧城 市、可穿戴设 备等物联网 终端
6	支持5G 双频L- PAMiF模 组	2,214.53	607.44	1,762.14	第一、二代产品 已量产。	支持5G NR n77和n79频段的 L-PAMiF模组，集成低噪声放大 器，功率放大器和滤波器；支持 高通和MTK手机平台。	采用SIP封装，其中PA、 LNA和射频开关等芯片均 为自主研发。在产品功率、 功耗、线性度和灵敏度等 方面都达到业界较强水 平，尤其在功率回退下的 效率和5G Wi-Fi共存上有 优势。最新产品采用低压 供电方式，简化客户电源 管理方案。	1.手机、平板 电脑、数据卡 等通信终端 设备；2.智能 家居、智慧城 市、可穿戴设 备等物联网 终端
7	支持Wi- Fi 6和 Wi-Fi 6E的射 频前端 模组	14,387.81	2,506.72	12,591.75	支持Wi-Fi 6标 准的第一、二代 产品已量产；第 三代 2022年 Q4 量产；支持Wi-Fi 6E标准的产品 2022年 Q4已量 产。	满足 Wi-Fi 6要求的中功率和 高功率接收/发射模组，工作频 率分别在2.4GHz和5GHz；工作 频率在 6GHz以上的 Wi-Fi 6E 的接收发模组。	第一代Wi-Fi 6线性功率 达到业界较高水准；第二 代产品性能进一步提升， 已经在客户端大规模量 产；第三代产品会进一步 丰富Wi-Fi 6的产品类型， 覆盖更多的应用需要和客 户群体。在Wi-Fi 6E和下 一代产品采用自主研发的 线性化技术，相关性能指 标达到业界较高水准。	1.手机、平板 电脑、数据卡 等通信终端 设备；2.智能 家居、智慧城 市、可穿戴设 备等物联网 终端
8	支持Wi- Fi 7的 射频前 端模组	4,020.14	734.47	734.47	支持Wi-Fi 7标 准的第一代产品 已实现量产；第 二代产品预计 2023年Q4量产； 第三代非线性大 功率 Wi-Fi7 射 频前端模组在工 程验证阶段，预 计2024年Q1量 产。	满足Wi-Fi7标准要求的小功率 和高功率接收/发射模组，工作 频率分别在 2.4GHz和 5GHz和 6GHz。下一代产品支持更高效 率，更低成本和数字预失真。	第一代 Wi-Fi7线性功率 达到业界较高水准，已经 在客户端验证通过，小批 量试产；第二代产品性能 进一步提升，已经完成内 部验证，正在给客户送样 和平台认证；第三代产品 会进一步丰富 Wi-Fi7的 产品类型，做非线性高效 率 FEM，并结合 DPD满足 WiFi7线性度的要求。	1.手机、平板 电脑、路由、 数据卡、无人 机、车载等通 信终端设备； 2.智能家居、 智慧城市、可 穿戴设备等 物联网终端
9	支持5G NR的高 功率射 频开关 及天线 调谐开 关	20,933.76	2,794.41	14,558.36	已量产。后续研 发投入用于性能 改善和提升，以 及丰富产品线。	高功率射频开关支持低频段到 6GHz频率范围，应用于手机射 频前端发射通路的频段切换、 通道扩展及天线交换；天线调 谐开关支持不同电压要求，用 于改善手机天线效率。	采用独特的电荷泵频率控 制技术和升压降压技术， 将实现高压天线调谐开 关，达到业界较高水准。	1.手机、平板 电脑、数据卡 等通信终端 设备；2.智能 家居、智慧城 市、可穿戴设 备等物联网 终端
10	L-FEM模 组	8,057.84	1,067.29	7,600.32	第一、二代产品 均已量产；第三 代产品工程样品 阶段。	支持5G NR的n77和n79频段 MIMO接收的需求；支持高通和 MTK手机平台。	基于自主研发的开关、LNA 和成熟的芯片倒装技术， 实现了业界优质的增益、 噪声系数、功耗和线性度， 在能耗和带外抑制有突出 优势。	1.手机、平板 电脑、数据卡 等通信终端 设备；2.智能 家居、智慧城 市、可穿戴设 备等物联网 终端
11	基站射 频功率 放大器 产品	2,659.82	626.97	2,013.28	第一代产品量产 阶段；第二代产 品研发设计中	支持B1/3/5/8/40/41/42频段， 输出功率可达28dBm的高功率、 高增益、高效率产品。	采用自主研发的高效率功 率放大器电路结构，在效 率和带宽方面具有竞争优 势。	无线通信基 站
12	DiFEM模 组	2,526.99	398.44	1,883.86	第一代产品在工 程样品阶段，基 于市场变化第二 代产品设计开发 中	用于信号分集接收通路，支持 Sub 3GHz频段的射频开关和滤 波器模组。	采用自主研发的射频开 关，预计在插损方面达到 业界较高水平。	1.手机、平板 电脑、数据卡 等通信终端 设备；2.智能 家居、智慧城 市、可穿戴设 备等物联网 终端
13	分集接 收端模 组	3,050.33	464.74	2,210.71	设计开发阶段	用于信号分集接收通路，支持 Sub 3GHz频段的集成射频开 关、滤波器和LNA的模组产品。	采用自主研发的射频开关 和LNA，在增益控制和噪声 系数方面预计达到业界较 高水平。	1.手机、平板 电脑、数据卡 等通信终端 设备；2.智能 家居、智慧城 市、可穿戴设 备等物联网 终端
合 计		105,807.92	16,035.66	81,300.53

（未完）