[中报]微导纳米(688147):江苏微导纳米科技股份有限公司2023年半年度报告
|
时间：2023年08月30日 20:43:25 中财网 |
|
原标题:
微导纳米:江苏
微导纳米科技股份有限公司2023年半年度报告
公司代码：688147 公司简称：
微导纳米
江苏
微导纳米科技股份有限公司
2023年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”中阐述了公司在经营过程中可能面临的风险，敬请广大投资者务必仔细阅读并注意投资风险。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人王磊、主管会计工作负责人俞潇莹及会计机构负责人（会计主管人员）俞潇莹声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无。
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、 其他
□适用 √不适用
目 录
第一节 释义...........................................................................................................................4
第二节 公司简介和主要财务指标 ......................................................................................5
第三节 管理层讨论与分析 ..................................................................................................9
第四节 公司治理 ................................................................................................................28
第五节 环境与社会责任 ....................................................................................................30
第六节 重要事项 ................................................................................................................32
第七节 股份变动及股东情况 ............................................................................................55
第八节 优先股相关情况 ....................................................................................................60
第九节 债券相关情况 ........................................................................................................60
第十节 财务报告 ................................................................................................................61
| 备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
人员）签名并盖章的财务报表。 |
| | 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 |
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
| 常用词语释义 | | |
| 微导纳米、本公
司、公司 | 指 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
| 万海盈投资 | 指 | 无锡万海盈投资合伙企业（有限合伙） |
| 聚海盈管理 | 指 | 无锡聚海盈管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 德厚盈投资 | 指 | 无锡德厚盈投资合伙企业（有限合伙） |
| 先导智能 | 指 | 无锡先导智能装备股份有限公司（股票代码：300450.SZ） |
| 芯链融创 | 指 | 芯链融创集成电路产业发展（北京）有限公司 |
| 《公司章程》 | 指 | 《江苏微导纳米科技股份有限公司章程》 |
| 《公司法》 | 指 | 《中华人民共和国公司法》及其不时修订 |
| 《证券法》 | 指 | 《中华人民共和国证券法》及其不时修订 |
| 《上市规则》 | 指 | 《上海证券交易所科创板股票上市规则》及其不时修订 |
| 中国证监会 | 指 | 中国证券监督管理委员会 |
| 上交所 | 指 | 上海证券交易所 |
| 报告期 | 指 | 2023年 1月 1日-2023年 6月 30日 |
| 报告期期末 | 指 | 2023年 6月末 |
| 元、万元、亿元 | 指 | 人民币元、人民币万元、人民币亿元 |
| ALD、原子层沉积 | 指 | Atomic Layer Deposition，是一种可以将物质以单原子层形式一
层一层地镀在基底表面的工艺 |
| TALD | 指 | Thermal Atomic Layer Deposition（热原子层沉积），一种原子
层沉积技术 |
| PEALD | 指 | Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition（等离子体增强原子
层沉积），一种原子层沉积技术 |
| CVD | 指 | Chemical Vapor Deposition（化学气相沉积法），利用气态或蒸
汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的
过程 |
| PECVD | 指 | Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（等离子体增强化
学气相沉积），CVD的一种，在沉积室利用辉光放电使其电离
后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他
材料薄膜的制备方法 |
| LPCVD | 指 | Low Pressure Chemical Vapor Deposition（低压化学气相沉积），
CVD的一种 |
| PVD | 指 | Physical Vapor Deposition（物理气相沉积），利用物理过程实
现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程 |
| 晶硅太阳能电池 | 指 | 采用晶体硅作为半导体材料的太阳能光伏电池 |
| TOPCon | 指 | Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化物钝化接触，一种电
池结构 |
| HJT | 指 | Heterojunction with Intrinsic Thin Layer（具有本征薄层异质结），
又称为 HJT/SHJ，一种异质结太阳能电池 |
| IBC | 指 | Interdigitated Back Contact（叉型背接触电池），一种高效晶硅
太阳能电池结构 |
| XBC | 指 | IBC以及 TBC（TOPCon技术与 IBC技术结合的 BC类太阳能
电池结构）等 BC类太阳能电池 |
| 柔性电子 | 指 | Flexible Electronics，是一种技术的通称，是将有机/无机材料电
子器件制作在柔性/可延性基板上的新兴电子技术 |
| MEMS | 指 | Micro Electro Mechanical System（微机电系统），是集微传感 |
| | | 器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制
电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件
或系统，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的
智能系统 |
| 晶圆 | 指 | 用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料 |
| 舟 | 指 | 由石英或金属连接而成承载晶圆的装置 |
| LED | 指 | Light Emitting Diode（发光二极管），一种常用的发光器件，通
过电子与空穴复合释放能量发光 |
| OLED | 指 | Organic Light Emitting Diode，属于一种电流型的有机发光器
件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与
注入的电流成正比 |
| k、介电常数 | 指 | 希腊文 Kappa，描述一种材料保有电荷的能力 |
| 高 k、High-k | 指 | 具有高 k性质的材料可以比其他材料能够更好的存储电荷 |
| 栅、栅极 | 指 | Gate，用来打开或闭合晶体管，包括有多晶硅栅、金属栅等 |
| 栅介质 | 指 | Gate dielectric，是用来将栅从电流通道隔离出来的绝缘体底层 |
| SEMI | 指 | Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导
体装备与材料产业协会 |
| nm/纳米 | 指 | 长度的度量单位，国际单位制符号为 nm，1纳米等于一百万分
之一毫米 |
| KW、MW、GW | 指 | 千瓦、兆瓦、吉瓦，1MW=1,000KW，1GW=1,000MW |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
| 公司的中文名称 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
| 公司的中文简称 | 微导纳米 |
| 公司的外文名称 | Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co., Ltd. |
| 公司的外文名称缩写 | Leadmicro |
| 公司的法定代表人 | 王磊 |
| 公司注册地址 | 无锡市新吴区长江南路27号 |
| 公司注册地址的历史变更情况 | 2023年8月14日，公司2023年第三次临时股东大会审议通过《关
于变更公司住所、修订<公司章程>并办理工商变更登记的公告
》，同意公司住所由“无锡市新吴区漓江路11号（经营场所：
无锡市新吴区新硕路9-6号厂房）”变更为“无锡市新吴区长江
南路27号”。截至半年报披露日，公司已完成工商变更登记。 |
| 公司办公地址 | 无锡市新吴区长江南路27号 |
| 公司办公地址的邮政编码 | 214028 |
| 公司网址 | www.leadmicro.com |
| 电子信箱 | [email protected] |
| 报告期内变更情况查询索引 | 详见公司于 2023年 7月 28日在上海证券交易所网站（
www.sse.com.cn）披露的《关于变更公司住所、修订<公司章程>
并办理工商变更登记的公告》（公告编号：2023-045）。 |
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
| 公司选定的信息披露报纸名称 | 《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券
日报》和经济参考网（www.jjckb.cn） |
| 登载半年度报告的网站地址 | www.sse.com.cn |
| 公司半年度报告备置地点 | 公司证券部办公室 |
| 报告期内变更情况查询索引 | 不适用 |
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
| 公司股票简况 | | | | |
| 股票种类 | 股票上市交易所
及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
| 人民币普通股
（A股） | 上海证券交易所
科创板 | 微导纳米 | 688147 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币
| 主要会计数据 | 本报告期
（1－6月） | 上年同期 | 本报告期比上年
同期增减(%) |
| 营业收入 | 382,077,210.54 | 155,613,114.47 | 145.53 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 68,567,191.18 | -39,250,294.54 | 不适用 |
| 归属于上市公司股东的扣除非经常
性损益的净利润 | 45,502,550.97 | -49,306,533.34 | 不适用 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | 217,754,407.35 | -4,520,562.34 | 不适用 |
| | 本报告期末 | 上年度末 | 本报告期末比上
年度末增减(%) |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 2,032,296,559.70 | 1,962,789,244.48 | 3.54 |
| 总资产 | 5,638,882,761.49 | 3,819,741,719.03 | 47.62 |
(二) 主要财务指标
| 主要财务指标 | 本报告期
（1－6月） | 上年同期 | 本报告期比上年同期
增减(%) |
| 基本每股收益（元／股） | 0.15 | -0.10 | 不适用 |
| 稀释每股收益（元／股） | 0.15 | -0.10 | 不适用 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收
益（元／股） | 0.10 | -0.12 | 不适用 |
| 加权平均净资产收益率（%） | 3.43 | -4.54 | 增加7.97个百分点 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净
资产收益率（%） | 2.28 | -5.70 | 增加7.98个百分点 |
| 研发投入占营业收入的比例（%） | 25.66 | 39.74 | 减少14.08个百分点 |
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2023年上半年，公司营业收入为 38,207.72万元，同比增长 145.53%，主要系报告期内在手订单陆续实现收入转化，专用设备产品验收数量增长所致。
2023年上半年，公司归属于上市公司股东的净利润为 6,856.72万元，同比增加 10,781.75万元，主要系报告期内公司营业收入及营业毛利同比增长，且公司设备出货量大幅提升，按照国家软件产品增值税即征即退的优惠政策，公司期内获得的软件退税金额增长较多所致。2023年上半年，公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 4,550.26万元。
2023年上半年，公司经营活动产生的现金流量净额为 21,775.44万元，主要系报告期内公司销售回款及预收合同款项增加所致。
2023年上半年，公司总资产、归属于上市公司股东的净资产分别为 563,888.28万元、203,229.66万元，较上一年末分别增长 47.62%、3.54%，主要系报告期内公司业务规模扩大以及长期租赁导致使用权资产增加所致。
2023年上半年，公司基本每股收益、稀释每股收益均为 0.15元/股，扣除非经常性损益后的基本每股收益为 0.10元/股。公司加权平均净资产收益率为 3.43%，扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率为 2.28%。以上财务指标较上期的变动主要系公司净利润变动所致。
2023年上半年，公司研发投入占营业收入的比例为 25.66%，较上年度减少 14.08个百分点，主要系公司营业收入规模大幅增长所致。
七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用
八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
| 非经常性损益项目 | 金额 | 附注（如适用） |
| 非流动资产处置损益 | | |
| 越权审批，或无正式批准文件，
或偶发性的税收返还、减免 | | |
| 计入当期损益的政府补助，但与
公司正常经营业务密切相关，符
合国家政策规定、按照一定标准
定额或定量持续享受的政府补助
除外 | 961,617.94 | |
| 计入当期损益的对非金融企业收
取的资金占用费 | | |
| 企业取得子公司、联营企业及合
营企业的投资成本小于取得投资
时应享有被投资单位可辨认净资
产公允价值产生的收益 | | |
| 非货币性资产交换损益 | | |
| 委托他人投资或管理资产的损益 | | |
| 因不可抗力因素，如遭受自然灾
害而计提的各项资产减值准备 | | |
| 债务重组损益 | | |
| 企业重组费用，如安置职工的支
出、整合费用等 | | |
| 交易价格显失公允的交易产生的
超过公允价值部分的损益 | | |
| 同一控制下企业合并产生的子公
司期初至合并日的当期净损益 | | |
| 与公司正常经营业务无关的或有
事项产生的损益 | | |
| 除同公司正常经营业务相关的有
效套期保值业务外，持有交易性金
融资产、衍生金融资产、交易性金
融负债、衍生金融负债产生的公允
价值变动损益，以及处置交易性金
融资产、衍生金融资产、交易性金
融负债、衍生金融负债和其他债权
投资取得的投资收益 | 10,089,739.58 | |
| 单独进行减值测试的应收款项、合
同资产减值准备转回 | 14,890,430.70 | |
| 对外委托贷款取得的损益 | | |
| 采用公允价值模式进行后续计量
的投资性房地产公允价值变动产
生的损益 | | |
| 根据税收、会计等法律、法规的
要求对当期损益进行一次性调整
对当期损益的影响 | | |
| 受托经营取得的托管费收入 | | |
| 除上述各项之外的其他营业外收
入和支出 | 962,843.89 | |
| 其他符合非经常性损益定义的损
益项目 | 230,238.73 | |
| 减：所得税影响额 | 4,070,230.63 | |
| 少数股东权益影响额（税
后） | | |
| 合计 | 23,064,640.21 | |
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
√适用 □不适用
单位：元 币种：人民币
| 项目 | 涉及金额 | 原因 |
| 代扣个人所得税手续费返还 | 230,238.73 | 具有偶发性 |
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）主营业务、主要产品或服务情况
微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游客户提供先进薄膜设备、配套产品及服务。
在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型 High-k原子层沉积（ALD）设备应用于 28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，已与国内多家厂商建立了深度合作关系，相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平。报告期内，公司藉由原有的薄膜沉积类产品研发、推广和产业化的经验，成功推出了半导体集成电路薄膜沉积 CVD产品，已在客户端验证。在光伏领域内，公司作为率先将 ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。报告期内，在开发行业内首条 GW级 PE-Poly TOPCon电池工艺整线的基础上，公司进一步推出全新的 TOPCon 2.0整线工艺技术。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、钙钛矿/异质结叠层电池等新一代高效电池技术。根据公开的市场数据统计，公司 ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。
公司已开发和正在开发的多款薄膜沉积设备，具体如下：
1、半导体领域主要产品
| 产品图示 | 产品说明 |
| | 适用于高介电常数（High-k）栅氧层、MIM
电容器绝缘层、TSV介质层及金属化等薄
膜工艺需求。产品凭借原子级别的精确控
制、沉积薄膜的高覆盖率薄膜沉积和超薄
膜厚的均匀性，可为逻辑芯片、存储芯片及
先进封装提供介质层等关键工艺解决方
案。 |
| | 采用创新的批量型（mini-batch）腔体设计，
可一次处理 25片 12英寸晶圆，适用于成
膜镀率低，厚度要求高，以及产能要求高的
关键工艺及应用。产品利用特有的流场设
计，具有成膜速度快，占地面积小，产能
高、使用成本低等优势，为存储芯片以及
Micro-OLED显示器、MEMS等提供定制
化量产的解决方案。 |
| 产品图示 | 产品说明 |
| | 采用原创设计开发的自动化平台与模块化
ALD反应腔相结合，可以按需配置 PEALD
或 Thermal ALD等工艺需求。产品具有强
大的兼容性，其硬件配置在保持量产机型
强大功能的前提下，可满足各类晶圆尺寸
（6、8英寸）量产工艺需求，同时也可满
足客户高端研发和新工艺试量产需求，可
广泛应用于 MEMS、光电器件等泛半导体
器件领域。 |
| | 可根据不同温度要求制备氧化硅、氮化硅、
氮氧化硅等薄膜制备工艺及应用，通过精
准快速控制成膜速度、低反应温度、材料配
比等技术，完美实现材料厚度均匀性、膜应
力，热过程，以及阶梯覆盖率等极具挑战的
工艺需求。产品可为逻辑芯片、存储芯片、
先进封装等提供客制化掩膜层、介质层、图
案化等关键工艺解决方案。 |
| | 公司根据下游客户需求，独立开发或合作
开发的 CVD产品系列，可应用于逻辑、存
储、先进封装、显示器件以及化合物半导体
等镀膜领域。 |
| | Trancendor平台系列是微导纳米独立研发
的、适用于高产能半导体制程设备的晶圆
传输系统。该系统可根据客户工艺需要，灵
活挂载一至多个工艺腔体（每个工艺腔体
可配备一至多个工作站）在真空环境下进
行快速高效晶圆传输。 |
iTomic系列原子层沉积镀膜系统，适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料，可用于逻辑芯片、传统及新型存储芯片的电容介质层、高 k栅介质覆盖层、掺杂介质层、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等多个应用领域。该系列部分产品已取得客户验收，实现产业化应用，并取得重复订单。
iTomic MW系列批量式原子层沉积镀膜系统，适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料，可用于逻辑芯片、传统和新型存储芯片电容介质层、掺杂介质层、新型显示器、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等应用领域。该系列部分产品已取得客户验收，实现产业化应用。
iTomic PE系列等离子体增强沉积镀膜系统，适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料；可用于 MEMS、逻辑、存储、CMOS芯片的多重图案化和间隔层。该系列部分产品已发往客户处进行试样验证。
iTronix 系列化学气相沉积镀膜系统，可应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件以及化合物半导体等镀膜领域。该系列产品采用差异化竞争策略，以市场需求为切入点，依托产业化应用中心强大的前瞻工艺开发能力及国际化的研发团队，以及公司所具有的半导体设备设计制造能力，致力于解决关键工艺卡脖子问题。该系列部分产品已经取得客户订单，进入产业化验证阶段。
2、光伏领域主要产品
| 产品图示 | 产品说明 |
| | 采用先进反应腔体设计和薄膜沉积技术,可为
PERC、TOPCon、XBC、钙钛矿/异质结叠层电
池等新兴太阳能电池表面钝化提供高质量超薄
钝化膜的制备，确保电池光电转换效率的进一
步提升。基于成功量产机型的设计原理，夸父系
列 ALD薄膜钝化系统是公司原创设计的第五代
产品，代表了光伏行业国产创新设备的先进技
术，兼容 M10-M12硅片尺寸，在提供超高产能
的同时，最大程度降低设备的运营成本，为客户
提供可靠的量产解决方案，引领光伏产业化高
效电池智能化制造。 |
| | 祝融系列（ZR5000×1）管式 PECVD系统突破
性解决传统管式 PECVD的产能瓶颈，可与公司
ALD钝化技术无缝对接，确保 PERC、TOPCon、
IBC、TBC等高效电池生产。
祝融系列（ZR5000×2）管式 PEALD系统利用公
司原创设计的工业级等离子体增强原子层沉积
(PEALD)技术，实现了超高产能的批量型
PEALD镀膜，是 ALD领域量产化技术又一次
突破，专为接触钝化技术(TOPCon、HPBC、
POLO、SHJ和 TBC)量身定制，为后 PERC高
效电池技术提供可靠的量产解决方案。
祝融系列（ZR5000×3）管式 PEALD镀膜平台延
伸祝融系列概念，一体式设计实现氮化硅正膜、
氧化铝/背膜、氧化硅/多晶硅钝化膜一站式完
成，可实现单道产能翻倍，节省占地面积。同时
兼具先进的制造执行管理系统（MES）和自动导
引车（AGV）对接功能。在提供超高产能的同时，
最大程度降低设备的运营成本，为后 PERC高
效电池技术提供理想可靠的量产解决方案。 |
| | 采用原创设计的高温热场控制技术，实现了兼
容磷、硼两种扩散工艺，拥有独创的冷却技术可
提升设备与零件的使用寿命，同时缩短了工艺
时间，为 PERC+和 TOPCon等下一代量产高效
电池的提效降本，提供了全套的主机及先进的
工艺解决方案。此外，羲和系统也提供退火，氧
化和低压化学气相沉（LPCVD）功能。 |
| | 专用于钙钛矿/异质结叠层电池等新兴太阳能电
池的非晶/微晶、掺杂层、阻水阻氧、致密保护
层等薄膜材料。以工业产线模块化为核心设计
思路，为客户提供高质量、高产能、高可靠性、
低制备成本、低投资成本的先进薄膜设备解决
方案。 |
注：开发实现是指虽未与客户签署销售合同但已立项形成设计方案，或形成研发样机发往客户处进行试样验证，下同。
公司设备在光伏产品生产中的具体镀膜工艺、应用领域和产业化阶段情况如下：
| 设备类型 | 镀膜工艺 | 目前应用领域 |
| TALD | Al O等工艺
2 3 | PERC电池背面钝化层、
TOPCon电池正面钝化
层、XBC电池钝化 |
| | | 钙钛矿/异质结叠层电池等
高效晶硅太阳能电池钝化 |
| PECVD | SiN等工艺
X | PERC电池减反层 |
| PECVD | SiN等工艺
X | TOPCon电池背面减反层 |
| PEALD和
PECVD | Al O、SiN等工
2 3 X
艺 | PERC电池背面钝化层、
减反层 |
| PEALD和
PECVD | Al O、SiN等工
2 3 X
艺 | TOPCon电池正面钝化
层、减反层 |
| PEALD和
PECVD | 隧穿氧化硅、掺杂
多晶硅等工艺 | TOPCon电池隧穿层、掺杂
多晶硅层 |
| 炉管设备 | 非晶硅晶化及掺
杂、扩散 | TOPCon电池扩散、退火 |
| ALD/PEA
LD/PECV
D | 非晶/微晶硅基掺
杂薄膜、阻水阻
气保护层等 | 钙钛矿/异质结叠层电池 |
3、其他新兴应用产品
| 产品图示 | 产品说明 |
| | 以国产化零部件为主导，可满足高端研发和
新工艺试量产需求，用于高端装备的微纳制
造镀膜。 |
| | 使用 ALD卷对卷高阻隔膜技术，可保障高
产能，满足稳定量产需求，同时具有薄膜厚
度精确可控、保形性较好、成分可控等优点，
成功实现了在宽幅柔性基材上制备高阻隔
膜及其他功能薄膜。该系统可为柔性电子材
料提供高质量、高经济效益的封装薄膜。 |
除上述专用设备外，公司还为客户提供配套产品及服务，主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。
①设备改造。公司的设备采用模块化设计，公司可以针对市场需求和技术发展趋势，为已销售的在役设备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。②备品备件及其他。公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。备品备件主要为载具（一体舟）、去离子水等产品。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。
（二）主要经营模式
1、盈利模式
公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成本、费用等相关支出，形成公司的盈利。
2、采购模式
公司主要根据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划，在合理控制库存的同时，保证物料供应的及时性。
3、生产模式
公司采用定制化设计与生产。根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产，以满足客户的差异化需求。公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。
4、销售模式
公司的销售模式为直销，主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。设备运至客户指定的位置后，公司负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。
5、研发模式
公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段。
报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
（三）所属行业发展情况
根据《国民经济行业分类与代码》（GBT/4754-2017），公司所处行业属于 C3562半导体器件专用设备制造（指生产集成电路、二极管（含发光二极管）、三极管、
太阳能电池片的设备的制造），属于
高端装备在半导体、光伏等新一代信息技术领域、
新能源的应用。根据公司产品的应用领域的不同，下游行业发展情况如下：
1、半导体薄膜沉积设备行业
（1）薄膜沉积设备是半导体前道工艺设备的核心设备之一，受下游晶圆产线扩产、先进制程和新兴工艺的驱动，行业拥有较大的市场空间和良好的成长性。
薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用，直接影响半导体器件性能，其与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备，投资额占晶圆制造设备投资总额约 22%。
薄膜沉积设备的不断创新和进步支撑集成电路制造工艺向更小制程发展的关键。随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，这给以薄膜沉积设备为核心产品的公司带来了极大的成长机会。根据 Maximize Market Research预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模 2025年将扩大至 340亿美元，2022至 2025年复合年均增长率达到 15.6%。
（2）半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒，国际市场目前主要被传统设备厂商垄断，国产替代趋势明显。
半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒，由于传统的国际大型厂商成立较早，具有先发优势，而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点，后发厂商的客户认证壁垒较高。多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料 AMAT(Applied Materials, Inc.)、泛林半导体 LAM (Lam Research Corporation)、东京电子 TEL(Tokyo Electron Limited)、先晶半导体 ASM(ASM International)等传统设备厂商所垄断。
为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，相关支持政策不断落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机。同时，当前，海外半导体工艺设备供应受限，基于供应链安全的考虑，国内晶圆厂商对半导体工艺设备的国产化需求强烈，本土半导体设备的导入和验证加速。薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。
随着摩尔定律不断演化，集成电路的特征尺寸及刻蚀沟槽不断微缩，晶圆制造复杂度和工序量大幅度提升，ALD等先进真空薄膜技术在半导体设备国产化进程中扮演越来越重要的角色。终端应用需求增长、进口替代和自主可控等因素驱动了国内晶圆厂逆周期扩产和工艺迭代升级，加速了国内半导体行业头部客户对国产 ALD设备的产业化验证。作为国内领先的半导体薄膜沉积设备供应商，公司持续加速半导体领域内各细分领域的产品研发、产业验证和应用，实现多项 ALD、CVD技术产业化的突破，在保持 ALD产品市场竞争力和占有率的同时，不断推出更多具备竞争力的 CVD系列产品。
2、光伏薄膜沉积设备行业
（1）薄膜沉积设备是
太阳能电池片制造环节的关键设备之一，受益于光伏行业装机规模持续扩大，市场前景广阔。
薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率，随着电池结构的发展，薄膜沉积设备的重要地位愈发凸显，且在电池产线设备投资中的占比不断提高。
随着全球《巴黎协定》的通过以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩大。国内经过过去十多年快速发展，光伏技术不断突破，发电成本快速下降，装机规模迅猛增长，根据中国光伏行业协会（CPIA）数据显示，2022年全国新增光伏并网装机容量87.41GW，累计光伏并网装机容量达到 392.6GW，新增和累计装机容量均为全球第一。2023年上半年国内累计新增装机 78.42GW，同比增长 154%。电池片产量超过 220GW，同比增长超过 62%。
装机容量和电池片产量的不断扩大带动了光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。
（2）光伏电池片技术迭代带来设备新需求，具备相应技术储备和研发实力的公司具有更强的市场竞争力。
太阳能晶硅电池片的制造环节的规模优势明显、技术迭代较快，在实现规模经济、降本增效的驱力下，电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用，其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。
目前，由于 PERC电池片的量产平均转换效率已逐渐接近理论极限，TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线正逐步成为电池技术的主要发展方向。新建量产产线开始主要聚焦于 TOPCon、HJT两种技术路线。其中，TOPCon技术凭借其较高的转换效率、相对成熟的设备与工艺、较高的量产性价比，在 N型路线中率先脱颖而出，2022年下半年开始规模化量产。根据中国光伏行业协会预测，至 2030年 TOPCon将占据约一半以上的电池市场。本轮技术迭代周期，率先实现技术研发与量产的领先设备厂商将更具市场竞争力。
在全球碳中和的背景下光伏行业快速发展，装机量持续增加，客户产能扩充计划加速。随着公司与行业多家头部客户共同合作的 TOPCon新型高效电池生产线实现规模化的量产，TOPCon产能率先放量，下游客户扩产计划加速。技术更迭推动 ALD技术在新一代高效电池设备中投资比重增加，大幅度提升了 ALD设备在光伏领域的市场渗透率。公司在光伏领域内进一步深化并拓宽了市场覆盖率，通过进一步丰富公司技术及产品矩阵，全力推进工艺整线产品策略的实施，并加快海外市场的拓展，同时积极布局更新一代的高效电池技术和产品，既充分抓住当下市场机遇，同时储备未来技术方向。
二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
自设立以来，公司一直重视研发工作，通过不断技术改进、技术创新，在以ALD技术核心的薄膜沉积技术领域形成了多项核心技术和科技成果，并应用于公司主营业务，实现了科技成果与产业的深度融合。公司在原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术等前沿科技领域持续构筑和强化技术壁垒。报告期内，公司核心技术无重大变化。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用
| 认定主体 | 认定称号 | 认定年度 | 产品名称 |
| 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 国家级专精特新“小巨人”企业 | 2021年 | 不适用 |
2. 报告期内获得的研发成果
报告期内公司新增专利申请及授权数量再创新高。其中，新增各类型国家专利授权共计 6项，累计授权专利数达到 108项；新增申请专利共计 50项，累计申请专利数达到 285项。
报告期内获得的知识产权列表
| | 本期新增 | | 累计数量 | |
| | 申请数（个） | 获得数（个） | 申请数（个） | 获得数（个） |
| 发明专利 | 41 | 4 | 174 | 18 |
| 实用新型专利 | 9 | 2 | 102 | 81 |
| 外观设计专利 | 0 | 0 | 9 | 9 |
| 软件著作权 | 1 | 1 | 20 | 20 |
| 其他 | 5 | 7 | 99 | 53 |
| 合计 | 56 | 14 | 404 | 181 |
备注：其他是指商标。
3. 研发投入情况表
单位：元
| | 本期数 | 上年同期数 | 变化幅度（%） |
| 费用化研发投入 | 63,900,425.85 | 61,837,358.02 | 3.34 |
| 资本化研发投入 | 34,131,463.68 | 0.00 | 不适用 |
| 研发投入合计 | 98,031,889.53 | 61,837,358.02 | 58.53 |
| 研发投入总额占营业收入比例（%） | 25.66 | 39.74 | 减少 1个百分点 |
| 研发投入资本化的比重（%） | 34.82 | 0.00 | 增加 34.82个百分点 |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期研发投入总额增加 3,619.45万元,增长幅度为 58.53%,系公司进一步扩充研发团队、加大研发投入、积极加快新产品研发活动所致。
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
√适用 □不适用
报告期内随着公司研发项目的推进，部分项目已取得客户订单，进入开发实现或产业化验证阶段，公司对此部分满足资本化条件的研发投入予以资本化处理。
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元
| 序
号 | 项目名称 | 预计总投
资规模 | 本期投入金
额 | 累计投入
金额 | 进展或阶段性
成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应用
前景 |
| 1 | TOPCon整线技术的
开发 | 4,700.00 | 598.65 | 4,441.48 | 产业化应用，
并持续开发中 | 开发出可量产的批量型等离子增强型设备兼容 ALD
（PEALD）和 PECVD薄膜沉积技术及其配套产品，同时完
成 TOPCon电池正面钝化层及减反射层、背面隧穿层及多晶
硅层的制作。 | 国际同类
先进水平 | 光伏领域 |
| 2 | 应用于新能源电池的
ALD镀膜设备的研发
及产业化 | 1,785.00 | 86.77 | 846.54 | 开发实现阶段 | 开发出批量式粉末 ALD沉积设备、新能源及催化材料改性
柔性材料 ALD沉积设备，在精确控制镀膜厚度的同时，提
升包覆率、均匀性，提高材料性能，降低原材料耗用量以
及提升产能，生产成本。 | 目标达到
国际先进
水平 | 新能源 |
| 3 | 半导体制造 ALD设
备平台 | 8,444.00 | 699.16 | 8,414.42 | 产业化应用，
并持续开发中 | 开发具有国际水平的半导体制造 ALD设备产品及配套工艺
平台。 | 国际同类
先进水平 | 半导体等
领域 |
| 4 | 大尺寸硅片
PEALD/PECVD设备 | 5,281.00 | 352.25 | 4,128.00 | 产业化应用，
并持续开发中 | 开发基于等离子增强型的 ALD设备（PEALD），以及配
套设备，使其能够满足相关工艺加工需求。 | 国际同类
先进水平 | 光伏领域 |
| 5 | 新一代化合物半导体
mini-LED显示技术关
键工艺技术研发及产
业化 | 2,500.00 | 666.62 | 1,200.46 | 产业化验证，
并持续开发中 | 本项目研发的针对新一代化合物半导体 MiniLED显示技术
的设备可用于各类高、低温薄膜工艺应用，特别是氮化硅
工艺，能够全面满足 300mm/200mm晶圆的薄膜沉积工艺
需求，为先进逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供介质
层、图案化等关键工艺解决方案。 | 目标达到
国际先进
水平 | 新型显示
领域 |
| 6 | 先进化合物半导体及
微机电关键工艺及产
业化应用 | 500.00 | 300.28 | 1,152.49 | 产业化验证，
并持续开发中 | 开发 6/8寸单片 ALD系统，用于特殊半导体器件、MEMS、
光电器件及化合物半导体器件等行业应用。 | 国际同类
先进水平 | 化合物半
导体和微
机电领域 |
| 7 | RD13 | 5,000.00 | 105.65 | 3,560.82 | 产业化验证，
并持续开发中 | 研发工艺用高生产率配置真空镀膜系统，采用新型循环掺
杂比例的技术，将多元化合物的组成比控制在个别应用领
域元件所需的组合比，提供了解决目前存储器器件制造方
案，满足复杂 3D超高深宽比结构中对薄膜覆盖度、保型
性的工艺要求；结合等离子体系统技术，满足多种介质层
沉积工艺需求。 | 目标达到
国际先进
水平 | 半导体等
领域 |
| 8 | 基于 300mm晶圆半
导体制造高产能自动
化真空传输技术的研
究与产业化 | 1,200.00 | 341.00 | 993.79 | 产业化应用，
并持续开发中 | 开发生产半导体集成电路专用工艺平台，即具有低微尘、
高产能的晶圆传输平台的半导体集成电路量产专用团簇平
台。 | 国际同类
先进水平 | 半导体等
领域 |
| 9 | RD15 | 3,625.00 | 304.49 | 1,034.27 | 产业化应用，
并持续开发中 | 开发用于先进芯片制造高介电常数（High-k）材料的原子
层沉积（ALD）设备及工艺。 | 国际同类
先进水平 | 半导体等
领域 |
| 10 | 高效太阳能晶硅电池
接触钝化技术的研究
与产业化 | 5,280.00 | 1,507.16 | 4,179.57 | 产业化应用，
并持续开发中 | 开发应用于新型高效电池技术生产工序中的正背膜钝化设
备，确保光电转换效率的进一步提升，并进一步提升了高
效电池的产能。 | 国际同类
先进水平 | 光伏领域 |
| 11 | 叠层电池技术研发 | 1,000.00 | 120.40 | 496.18 | 产业化验证，
并持续开发中 | 开发一种等离子体镀膜用电极结构，保证镀膜均匀性；开
发一种沉积多种材料类型的镀膜技术，保证硅异质结电池
（叠层电池）技术灵活性，为更高效电池效率的取得提供
可能性。 | 目标达到
国际先进
水平 | 光伏领域 |
| 12 | 高阻隔膜产业化技术
研发 | 2,400.00 | 631.89 | 1,589.67 | 产业化应用，
并持续开发中 | 开发幅宽大、阻隔等级超高的量产型卷对卷空间原子层设
备及配套自动化装备。 | 国际同类
先进水平 | 柔性电子
材料 |
| 13 | 批量型集成电路 ALD
系统研发 | 3,773.00 | 192.43 | 196.44 | 产业化应用，
并持续开发中 | 开发具有成膜速度快，占地面积小，产能高、使用成本低
的批量型 ALD系统和工艺以及设备自动化需求的软硬件控
制系统，满足集成电路及显示产业应用需求的，可一次处
理 25片 12英寸晶圆，适用于薄膜质量高，成膜镀率低，
厚度要求高，以及产能要求高的关键工艺及应用 | 国际同类
先进水平 | 半导体等
领域 |
| 14 | 半导体高级薄膜工艺 | 43,693.00 | 2,737.00 | 2,737.00 | 部分已产业化
验证，并持续
开发中 | 开发满足半导体高质量薄膜工艺需求，能够满足稳定性、
重复性和可维护性的设备，带动产业技术升级，实现国际
化，促进微纳器件制造与加工工艺领域的进一步发展。 | 目标达到
国际先进
水平 | 半导体领
域 |
| 15 | 光伏高效镀膜系统 | 7,246.00 | 1,159.43 | 1,159.43 | 产业化验证，
并持续开发中 | 开发应用于 TOPCon及新一代高效电池技术工艺，为电池
制造提供整线解决方案。 | 目标达到
国际先进
水平 | 光伏领域 |
| 合
计 | / | 96,427.00 | 9,803.19 | 36,130.57 | / | / | / | / |
注：因部分在研项目市场持续开拓，工艺升级持续优化的需要，报告期内调整部分项目预计总投资额度。
5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币
| 基本情况 | | |
| | 本期数 | 上年同期数 |
| 公司研发人员的数量（人） | 303 | 206 |
| 研发人员数量占公司总人数的比例（%） | 19.25 | 25.50 |
| 研发人员薪酬合计 | 5,469.71 | 3,262.56 |
| 研发人员平均薪酬 | 18.05 | 15.84 |
| 教育程度 | | |
| 学历构成 | 数量（人） | 比例(%) |
| 博士研究生 | 10 | 3.30 |
| 硕士研究生 | 53 | 17.49 |
| 本科 | 187 | 61.72 |
| 其他 | 53 | 17.49 |
| 合计 | 303 | 100.00 |
| 年龄结构 | | |
| 年龄区间 | 数量（人） | 比例(%) |
| 30岁以下（不含30岁） | 109 | 35.97 |
| 30-40岁（含30岁，不含40岁） | 165 | 54.46 |
| 40-50岁（含40岁，不含50岁） | 24 | 7.92 |
| 50-60岁（含50岁，不含60岁） | 3 | 0.99 |
| 60岁及以上 | 2 | 0.66 |
| 合计 | 303 | 100.00 |
（未完）
