[中报]微导纳米(688147):江苏微导纳米科技股份有限公司2023年半年度报告

时间:2023年08月30日 20:43:25 中财网

原标题:微导纳米:江苏微导纳米科技股份有限公司2023年半年度报告

公司代码:688147 公司简称:微导纳米 江苏微导纳米科技股份有限公司
2023年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”中阐述了公司在经营过程中可能面临的风险,敬请广大投资者务必仔细阅读并注意投资风险。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人王磊、主管会计工作负责人俞潇莹及会计机构负责人(会计主管人员)俞潇莹声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无。


七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目 录
第一节 释义...........................................................................................................................4
第二节 公司简介和主要财务指标 ......................................................................................5
第三节 管理层讨论与分析 ..................................................................................................9
第四节 公司治理 ................................................................................................................28
第五节 环境与社会责任 ....................................................................................................30
第六节 重要事项 ................................................................................................................32
第七节 股份变动及股东情况 ............................................................................................55
第八节 优先股相关情况 ....................................................................................................60
第九节 债券相关情况 ........................................................................................................60
第十节 财务报告 ................................................................................................................61



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
微导纳米、本公 司、公司江苏微导纳米科技股份有限公司
万海盈投资无锡万海盈投资合伙企业(有限合伙)
聚海盈管理无锡聚海盈管理咨询合伙企业(有限合伙)
德厚盈投资无锡德厚盈投资合伙企业(有限合伙)
先导智能无锡先导智能装备股份有限公司(股票代码:300450.SZ)
芯链融创芯链融创集成电路产业发展(北京)有限公司
《公司章程》《江苏微导纳米科技股份有限公司章程》
《公司法》《中华人民共和国公司法》及其不时修订
《证券法》《中华人民共和国证券法》及其不时修订
《上市规则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》及其不时修订
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
报告期2023年 1月 1日-2023年 6月 30日
报告期期末2023年 6月末
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
ALD、原子层沉积Atomic Layer Deposition,是一种可以将物质以单原子层形式一 层一层地镀在基底表面的工艺
TALDThermal Atomic Layer Deposition(热原子层沉积),一种原子 层沉积技术
PEALDPlasma Enhanced Atomic Layer Deposition(等离子体增强原子 层沉积),一种原子层沉积技术
CVDChemical Vapor Deposition(化学气相沉积法),利用气态或蒸 汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的 过程
PECVDPlasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(等离子体增强化 学气相沉积),CVD的一种,在沉积室利用辉光放电使其电离 后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他 材料薄膜的制备方法
LPCVDLow Pressure Chemical Vapor Deposition(低压化学气相沉积), CVD的一种
PVDPhysical Vapor Deposition(物理气相沉积),利用物理过程实 现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程
晶硅太阳能电池采用晶体硅作为半导体材料的太阳能光伏电池
TOPConTunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化物钝化接触,一种电 池结构
HJTHeterojunction with Intrinsic Thin Layer(具有本征薄层异质结), 又称为 HJT/SHJ,一种异质结太阳能电池
IBCInterdigitated Back Contact(叉型背接触电池),一种高效晶硅 太阳能电池结构
XBCIBC以及 TBC(TOPCon技术与 IBC技术结合的 BC类太阳能 电池结构)等 BC类太阳能电池
柔性电子Flexible Electronics,是一种技术的通称,是将有机/无机材料电 子器件制作在柔性/可延性基板上的新兴电子技术
MEMSMicro Electro Mechanical System(微机电系统),是集微传感
  器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制 电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件 或系统,其内部结构一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的 智能系统
晶圆用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料
由石英或金属连接而成承载晶圆的装置
LEDLight Emitting Diode(发光二极管),一种常用的发光器件,通 过电子与空穴复合释放能量发光
OLEDOrganic Light Emitting Diode,属于一种电流型的有机发光器 件,是通过载流子的注入和复合而致发光的现象,发光强度与 注入的电流成正比
k、介电常数希腊文 Kappa,描述一种材料保有电荷的能力
高 k、High-k具有高 k性质的材料可以比其他材料能够更好的存储电荷
栅、栅极Gate,用来打开或闭合晶体管,包括有多晶硅栅、金属栅等
栅介质Gate dielectric,是用来将栅从电流通道隔离出来的绝缘体底层
SEMISemiconductor Equipment and Materials International,国际半导 体装备与材料产业协会
nm/纳米长度的度量单位,国际单位制符号为 nm,1纳米等于一百万分 之一毫米
KW、MW、GW千瓦、兆瓦、吉瓦,1MW=1,000KW,1GW=1,000MW


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称江苏微导纳米科技股份有限公司
公司的中文简称微导纳米
公司的外文名称Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co., Ltd.
公司的外文名称缩写Leadmicro
公司的法定代表人王磊
公司注册地址无锡市新吴区长江南路27号
公司注册地址的历史变更情况2023年8月14日,公司2023年第三次临时股东大会审议通过《关 于变更公司住所、修订<公司章程>并办理工商变更登记的公告 》,同意公司住所由“无锡市新吴区漓江路11号(经营场所: 无锡市新吴区新硕路9-6号厂房)”变更为“无锡市新吴区长江 南路27号”。截至半年报披露日,公司已完成工商变更登记。
公司办公地址无锡市新吴区长江南路27号
公司办公地址的邮政编码214028
公司网址www.leadmicro.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引详见公司于 2023年 7月 28日在上海证券交易所网站( www.sse.com.cn)披露的《关于变更公司住所、修订<公司章程> 并办理工商变更登记的公告》(公告编号:2023-045)。

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名龙文朱敏晓
联系地址无锡市新吴区长江南路27号无锡市新吴区长江南路27号
电话0510-819759860510-81975986
传真0510-811636480510-81163648
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券 日报》和经济参考网(www.jjckb.cn)
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
人民币普通股 (A股)上海证券交易所 科创板微导纳米688147不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入382,077,210.54155,613,114.47145.53
归属于上市公司股东的净利润68,567,191.18-39,250,294.54不适用
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润45,502,550.97-49,306,533.34不适用
经营活动产生的现金流量净额217,754,407.35-4,520,562.34不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产2,032,296,559.701,962,789,244.483.54
总资产5,638,882,761.493,819,741,719.0347.62

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同期 增减(%)
基本每股收益(元/股)0.15-0.10不适用
稀释每股收益(元/股)0.15-0.10不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.10-0.12不适用
加权平均净资产收益率(%)3.43-4.54增加7.97个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)2.28-5.70增加7.98个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)25.6639.74减少14.08个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2023年上半年,公司营业收入为 38,207.72万元,同比增长 145.53%,主要系报告期内在手订单陆续实现收入转化,专用设备产品验收数量增长所致。

2023年上半年,公司归属于上市公司股东的净利润为 6,856.72万元,同比增加 10,781.75万元,主要系报告期内公司营业收入及营业毛利同比增长,且公司设备出货量大幅提升,按照国家软件产品增值税即征即退的优惠政策,公司期内获得的软件退税金额增长较多所致。2023年上半年,公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 4,550.26万元。

2023年上半年,公司经营活动产生的现金流量净额为 21,775.44万元,主要系报告期内公司销售回款及预收合同款项增加所致。

2023年上半年,公司总资产、归属于上市公司股东的净资产分别为 563,888.28万元、203,229.66万元,较上一年末分别增长 47.62%、3.54%,主要系报告期内公司业务规模扩大以及长期租赁导致使用权资产增加所致。

2023年上半年,公司基本每股收益、稀释每股收益均为 0.15元/股,扣除非经常性损益后的基本每股收益为 0.10元/股。公司加权平均净资产收益率为 3.43%,扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率为 2.28%。以上财务指标较上期的变动主要系公司净利润变动所致。

2023年上半年,公司研发投入占营业收入的比例为 25.66%,较上年度减少 14.08个百分点,主要系公司营业收入规模大幅增长所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益  
越权审批,或无正式批准文件, 或偶发性的税收返还、减免  
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关,符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外961,617.94 
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费  
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益  
非货币性资产交换损益  
委托他人投资或管理资产的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而计提的各项资产减值准备  
债务重组损益  
企业重组费用,如安置职工的支 出、整合费用等  
交易价格显失公允的交易产生的 超过公允价值部分的损益  
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益  
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益  
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,持有交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益,以及处置交易性金 融资产、衍生金融资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益10,089,739.58 
单独进行减值测试的应收款项、合 同资产减值准备转回14,890,430.70 
对外委托贷款取得的损益  
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益  
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出962,843.89 
其他符合非经常性损益定义的损 益项目230,238.73 
减:所得税影响额4,070,230.63 
少数股东权益影响额(税 后)  
合计23,064,640.21 

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目涉及金额原因
代扣个人所得税手续费返还230,238.73具有偶发性

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)主营业务、主要产品或服务情况
微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积(ALD)技术为核心,化学气相沉积(CVD)等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系,专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售,向下游客户提供先进薄膜设备、配套产品及服务。

在半导体领域内,公司是国内首家成功将量产型 High-k原子层沉积(ALD)设备应用于 28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备厂商,已与国内多家厂商建立了深度合作关系,相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等诸多细分应用领域,多项设备关键指标达到国际先进水平。报告期内,公司藉由原有的薄膜沉积类产品研发、推广和产业化的经验,成功推出了半导体集成电路薄膜沉积 CVD产品,已在客户端验证。在光伏领域内,公司作为率先将 ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业,已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一,与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。报告期内,在开发行业内首条 GW级 PE-Poly TOPCon电池工艺整线的基础上,公司进一步推出全新的 TOPCon 2.0整线工艺技术。同时,公司跟随下游厂商的量产节奏,持续优化 XBC、钙钛矿/异质结叠层电池等新一代高效电池技术。根据公开的市场数据统计,公司 ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。

公司已开发和正在开发的多款薄膜沉积设备,具体如下:
1、半导体领域主要产品

产品图示产品说明
 适用于高介电常数(High-k)栅氧层、MIM 电容器绝缘层、TSV介质层及金属化等薄 膜工艺需求。产品凭借原子级别的精确控 制、沉积薄膜的高覆盖率薄膜沉积和超薄 膜厚的均匀性,可为逻辑芯片、存储芯片及 先进封装提供介质层等关键工艺解决方 案。
 采用创新的批量型(mini-batch)腔体设计, 可一次处理 25片 12英寸晶圆,适用于成 膜镀率低,厚度要求高,以及产能要求高的 关键工艺及应用。产品利用特有的流场设 计,具有成膜速度快,占地面积小,产能 高、使用成本低等优势,为存储芯片以及 Micro-OLED显示器、MEMS等提供定制 化量产的解决方案。
产品图示产品说明
 采用原创设计开发的自动化平台与模块化 ALD反应腔相结合,可以按需配置 PEALD 或 Thermal ALD等工艺需求。产品具有强 大的兼容性,其硬件配置在保持量产机型 强大功能的前提下,可满足各类晶圆尺寸 (6、8英寸)量产工艺需求,同时也可满 足客户高端研发和新工艺试量产需求,可 广泛应用于 MEMS、光电器件等泛半导体 器件领域。
 可根据不同温度要求制备氧化硅、氮化硅、 氮氧化硅等薄膜制备工艺及应用,通过精 准快速控制成膜速度、低反应温度、材料配 比等技术,完美实现材料厚度均匀性、膜应 力,热过程,以及阶梯覆盖率等极具挑战的 工艺需求。产品可为逻辑芯片、存储芯片、 先进封装等提供客制化掩膜层、介质层、图 案化等关键工艺解决方案。
 公司根据下游客户需求,独立开发或合作 开发的 CVD产品系列,可应用于逻辑、存 储、先进封装、显示器件以及化合物半导体 等镀膜领域。
 Trancendor平台系列是微导纳米独立研发 的、适用于高产能半导体制程设备的晶圆 传输系统。该系统可根据客户工艺需要,灵 活挂载一至多个工艺腔体(每个工艺腔体 可配备一至多个工作站)在真空环境下进 行快速高效晶圆传输。
iTomic系列原子层沉积镀膜系统,适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料,可用于逻辑芯片、传统及新型存储芯片的电容介质层、高 k栅介质覆盖层、掺杂介质层、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等多个应用领域。该系列部分产品已取得客户验收,实现产业化应用,并取得重复订单。

iTomic MW系列批量式原子层沉积镀膜系统,适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料,可用于逻辑芯片、传统和新型存储芯片电容介质层、掺杂介质层、新型显示器、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等应用领域。该系列部分产品已取得客户验收,实现产业化应用。

iTomic PE系列等离子体增强沉积镀膜系统,适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料;可用于 MEMS、逻辑、存储、CMOS芯片的多重图案化和间隔层。该系列部分产品已发往客户处进行试样验证。

iTronix 系列化学气相沉积镀膜系统,可应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件以及化合物半导体等镀膜领域。该系列产品采用差异化竞争策略,以市场需求为切入点,依托产业化应用中心强大的前瞻工艺开发能力及国际化的研发团队,以及公司所具有的半导体设备设计制造能力,致力于解决关键工艺卡脖子问题。该系列部分产品已经取得客户订单,进入产业化验证阶段。



2、光伏领域主要产品

产品图示产品说明
 采用先进反应腔体设计和薄膜沉积技术,可为 PERC、TOPCon、XBC、钙钛矿/异质结叠层电 池等新兴太阳能电池表面钝化提供高质量超薄 钝化膜的制备,确保电池光电转换效率的进一 步提升。基于成功量产机型的设计原理,夸父系 列 ALD薄膜钝化系统是公司原创设计的第五代 产品,代表了光伏行业国产创新设备的先进技 术,兼容 M10-M12硅片尺寸,在提供超高产能 的同时,最大程度降低设备的运营成本,为客户 提供可靠的量产解决方案,引领光伏产业化高 效电池智能化制造。
 祝融系列(ZR5000×1)管式 PECVD系统突破 性解决传统管式 PECVD的产能瓶颈,可与公司 ALD钝化技术无缝对接,确保 PERC、TOPCon、 IBC、TBC等高效电池生产。 祝融系列(ZR5000×2)管式 PEALD系统利用公 司原创设计的工业级等离子体增强原子层沉积 (PEALD)技术,实现了超高产能的批量型 PEALD镀膜,是 ALD领域量产化技术又一次 突破,专为接触钝化技术(TOPCon、HPBC、 POLO、SHJ和 TBC)量身定制,为后 PERC高 效电池技术提供可靠的量产解决方案。 祝融系列(ZR5000×3)管式 PEALD镀膜平台延 伸祝融系列概念,一体式设计实现氮化硅正膜、 氧化铝/背膜、氧化硅/多晶硅钝化膜一站式完 成,可实现单道产能翻倍,节省占地面积。同时 兼具先进的制造执行管理系统(MES)和自动导 引车(AGV)对接功能。在提供超高产能的同时, 最大程度降低设备的运营成本,为后 PERC高 效电池技术提供理想可靠的量产解决方案。
 采用原创设计的高温热场控制技术,实现了兼 容磷、硼两种扩散工艺,拥有独创的冷却技术可 提升设备与零件的使用寿命,同时缩短了工艺 时间,为 PERC+和 TOPCon等下一代量产高效 电池的提效降本,提供了全套的主机及先进的 工艺解决方案。此外,羲和系统也提供退火,氧 化和低压化学气相沉(LPCVD)功能。
 专用于钙钛矿/异质结叠层电池等新兴太阳能电 池的非晶/微晶、掺杂层、阻水阻氧、致密保护 层等薄膜材料。以工业产线模块化为核心设计 思路,为客户提供高质量、高产能、高可靠性、 低制备成本、低投资成本的先进薄膜设备解决 方案。
注:开发实现是指虽未与客户签署销售合同但已立项形成设计方案,或形成研发样机发往客户处进行试样验证,下同。



公司设备在光伏产品生产中的具体镀膜工艺、应用领域和产业化阶段情况如下:
设备类型镀膜工艺目前应用领域
TALDAl O等工艺 2 3PERC电池背面钝化层、 TOPCon电池正面钝化 层、XBC电池钝化
  钙钛矿/异质结叠层电池等 高效晶硅太阳能电池钝化
PECVDSiN等工艺 XPERC电池减反层
PECVDSiN等工艺 XTOPCon电池背面减反层
PEALD和 PECVDAl O、SiN等工 2 3 X 艺PERC电池背面钝化层、 减反层
PEALD和 PECVDAl O、SiN等工 2 3 X 艺TOPCon电池正面钝化 层、减反层
PEALD和 PECVD隧穿氧化硅、掺杂 多晶硅等工艺TOPCon电池隧穿层、掺杂 多晶硅层
炉管设备非晶硅晶化及掺 杂、扩散TOPCon电池扩散、退火
ALD/PEA LD/PECV D非晶/微晶硅基掺 杂薄膜、阻水阻 气保护层等钙钛矿/异质结叠层电池
3、其他新兴应用产品

产品图示产品说明
 以国产化零部件为主导,可满足高端研发和 新工艺试量产需求,用于高端装备的微纳制 造镀膜。
 使用 ALD卷对卷高阻隔膜技术,可保障高 产能,满足稳定量产需求,同时具有薄膜厚 度精确可控、保形性较好、成分可控等优点, 成功实现了在宽幅柔性基材上制备高阻隔 膜及其他功能薄膜。该系统可为柔性电子材 料提供高质量、高经济效益的封装薄膜。
除上述专用设备外,公司还为客户提供配套产品及服务,主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。

①设备改造。公司的设备采用模块化设计,公司可以针对市场需求和技术发展趋势,为已销售的在役设备提供改造服务,以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果,提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备,设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。②备品备件及其他。公司设备在运行过程中,部分零部件会出现正常损耗,因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。备品备件主要为载具(一体舟)、去离子水等产品。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。

(二)主要经营模式
1、盈利模式
公司通过向客户销售专用设备,提供设备改造、备品备件等配套产品及服务,获得相应的收入,扣除成本、费用等相关支出,形成公司的盈利。

2、采购模式
公司主要根据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划,在合理控制库存的同时,保证物料供应的及时性。

3、生产模式
公司采用定制化设计与生产。根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产,以满足客户的差异化需求。公司在设备生产中存在外协加工的情况,公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。

4、销售模式
公司的销售模式为直销,主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。设备运至客户指定的位置后,公司负责组织安装调试、配合客户生产工作,并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。

5、研发模式
公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段。

报告期内,公司主要经营模式未发生变化。

(三)所属行业发展情况
根据《国民经济行业分类与代码》(GBT/4754-2017),公司所处行业属于 C3562半导体器件专用设备制造(指生产集成电路、二极管(含发光二极管)、三极管、太阳能电池片的设备的制造),属于高端装备在半导体、光伏等新一代信息技术领域、新能源的应用。根据公司产品的应用领域的不同,下游行业发展情况如下:
1、半导体薄膜沉积设备行业
(1)薄膜沉积设备是半导体前道工艺设备的核心设备之一,受下游晶圆产线扩产、先进制程和新兴工艺的驱动,行业拥有较大的市场空间和良好的成长性。

薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用,直接影响半导体器件性能,其与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备,投资额占晶圆制造设备投资总额约 22%。

薄膜沉积设备的不断创新和进步支撑集成电路制造工艺向更小制程发展的关键。随着集成电路制造不断向更先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大,芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求,这给以薄膜沉积设备为核心产品的公司带来了极大的成长机会。根据 Maximize Market Research预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模 2025年将扩大至 340亿美元,2022至 2025年复合年均增长率达到 15.6%。

(2)半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒,国际市场目前主要被传统设备厂商垄断,国产替代趋势明显。

半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒,由于传统的国际大型厂商成立较早,具有先发优势,而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点,后发厂商的客户认证壁垒较高。多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料 AMAT(Applied Materials, Inc.)、泛林半导体 LAM (Lam Research Corporation)、东京电子 TEL(Tokyo Electron Limited)、先晶半导体 ASM(ASM International)等传统设备厂商所垄断。

为推动我国半导体产业的发展,国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金,相关支持政策不断落实与实施,本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机。同时,当前,海外半导体工艺设备供应受限,基于供应链安全的考虑,国内晶圆厂商对半导体工艺设备的国产化需求强烈,本土半导体设备的导入和验证加速。薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备,将会迎来巨大的进口替代市场空间。

随着摩尔定律不断演化,集成电路的特征尺寸及刻蚀沟槽不断微缩,晶圆制造复杂度和工序量大幅度提升,ALD等先进真空薄膜技术在半导体设备国产化进程中扮演越来越重要的角色。终端应用需求增长、进口替代和自主可控等因素驱动了国内晶圆厂逆周期扩产和工艺迭代升级,加速了国内半导体行业头部客户对国产 ALD设备的产业化验证。作为国内领先的半导体薄膜沉积设备供应商,公司持续加速半导体领域内各细分领域的产品研发、产业验证和应用,实现多项 ALD、CVD技术产业化的突破,在保持 ALD产品市场竞争力和占有率的同时,不断推出更多具备竞争力的 CVD系列产品。

2、光伏薄膜沉积设备行业
(1)薄膜沉积设备是太阳能电池片制造环节的关键设备之一,受益于光伏行业装机规模持续扩大,市场前景广阔。

薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率,随着电池结构的发展,薄膜沉积设备的重要地位愈发凸显,且在电池产线设备投资中的占比不断提高。

随着全球《巴黎协定》的通过以及中国碳达峰和碳中和目标的提出,全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩大。国内经过过去十多年快速发展,光伏技术不断突破,发电成本快速下降,装机规模迅猛增长,根据中国光伏行业协会(CPIA)数据显示,2022年全国新增光伏并网装机容量87.41GW,累计光伏并网装机容量达到 392.6GW,新增和累计装机容量均为全球第一。2023年上半年国内累计新增装机 78.42GW,同比增长 154%。电池片产量超过 220GW,同比增长超过 62%。

装机容量和电池片产量的不断扩大带动了光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。

(2)光伏电池片技术迭代带来设备新需求,具备相应技术储备和研发实力的公司具有更强的市场竞争力。

太阳能晶硅电池片的制造环节的规模优势明显、技术迭代较快,在实现规模经济、降本增效的驱力下,电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用,其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。

目前,由于 PERC电池片的量产平均转换效率已逐渐接近理论极限,TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线正逐步成为电池技术的主要发展方向。新建量产产线开始主要聚焦于 TOPCon、HJT两种技术路线。其中,TOPCon技术凭借其较高的转换效率、相对成熟的设备与工艺、较高的量产性价比,在 N型路线中率先脱颖而出,2022年下半年开始规模化量产。根据中国光伏行业协会预测,至 2030年 TOPCon将占据约一半以上的电池市场。本轮技术迭代周期,率先实现技术研发与量产的领先设备厂商将更具市场竞争力。

在全球碳中和的背景下光伏行业快速发展,装机量持续增加,客户产能扩充计划加速。随着公司与行业多家头部客户共同合作的 TOPCon新型高效电池生产线实现规模化的量产,TOPCon产能率先放量,下游客户扩产计划加速。技术更迭推动 ALD技术在新一代高效电池设备中投资比重增加,大幅度提升了 ALD设备在光伏领域的市场渗透率。公司在光伏领域内进一步深化并拓宽了市场覆盖率,通过进一步丰富公司技术及产品矩阵,全力推进工艺整线产品策略的实施,并加快海外市场的拓展,同时积极布局更新一代的高效电池技术和产品,既充分抓住当下市场机遇,同时储备未来技术方向。

二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
自设立以来,公司一直重视研发工作,通过不断技术改进、技术创新,在以ALD技术核心的薄膜沉积技术领域形成了多项核心技术和科技成果,并应用于公司主营业务,实现了科技成果与产业的深度融合。公司在原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术等前沿科技领域持续构筑和强化技术壁垒。报告期内,公司核心技术无重大变化。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
江苏微导纳米科技股份有限公司国家级专精特新“小巨人”企业2021年不适用

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内公司新增专利申请及授权数量再创新高。其中,新增各类型国家专利授权共计 6项,累计授权专利数达到 108项;新增申请专利共计 50项,累计申请专利数达到 285项。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利41417418
实用新型专利9210281
外观设计专利0099
软件著作权112020
其他579953
合计5614404181
备注:其他是指商标。

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入63,900,425.8561,837,358.023.34
资本化研发投入34,131,463.680.00不适用
研发投入合计98,031,889.5361,837,358.0258.53
研发投入总额占营业收入比例(%)25.6639.74减少 1个百分点
研发投入资本化的比重(%)34.820.00增加 34.82个百分点

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期研发投入总额增加 3,619.45万元,增长幅度为 58.53%,系公司进一步扩充研发团队、加大研发投入、积极加快新产品研发活动所致。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
√适用 □不适用
报告期内随着公司研发项目的推进,部分项目已取得客户订单,进入开发实现或产业化验证阶段,公司对此部分满足资本化条件的研发投入予以资本化处理。


4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名称预计总投 资规模本期投入金 额累计投入 金额进展或阶段性 成果拟达到目标技术水平具体应用 前景
1TOPCon整线技术的 开发4,700.00598.654,441.48产业化应用, 并持续开发中开发出可量产的批量型等离子增强型设备兼容 ALD (PEALD)和 PECVD薄膜沉积技术及其配套产品,同时完 成 TOPCon电池正面钝化层及减反射层、背面隧穿层及多晶 硅层的制作。国际同类 先进水平光伏领域
2应用于新能源电池的 ALD镀膜设备的研发 及产业化1,785.0086.77846.54开发实现阶段开发出批量式粉末 ALD沉积设备、新能源及催化材料改性 柔性材料 ALD沉积设备,在精确控制镀膜厚度的同时,提 升包覆率、均匀性,提高材料性能,降低原材料耗用量以 及提升产能,生产成本。目标达到 国际先进 水平新能源
3半导体制造 ALD设 备平台8,444.00699.168,414.42产业化应用, 并持续开发中开发具有国际水平的半导体制造 ALD设备产品及配套工艺 平台。国际同类 先进水平半导体等 领域
4大尺寸硅片 PEALD/PECVD设备5,281.00352.254,128.00产业化应用, 并持续开发中开发基于等离子增强型的 ALD设备(PEALD),以及配 套设备,使其能够满足相关工艺加工需求。国际同类 先进水平光伏领域
5新一代化合物半导体 mini-LED显示技术关 键工艺技术研发及产 业化2,500.00666.621,200.46产业化验证, 并持续开发中本项目研发的针对新一代化合物半导体 MiniLED显示技术 的设备可用于各类高、低温薄膜工艺应用,特别是氮化硅 工艺,能够全面满足 300mm/200mm晶圆的薄膜沉积工艺 需求,为先进逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供介质 层、图案化等关键工艺解决方案。目标达到 国际先进 水平新型显示 领域
6先进化合物半导体及 微机电关键工艺及产 业化应用500.00300.281,152.49产业化验证, 并持续开发中开发 6/8寸单片 ALD系统,用于特殊半导体器件、MEMS、 光电器件及化合物半导体器件等行业应用。国际同类 先进水平化合物半 导体和微 机电领域
7RD135,000.00105.653,560.82产业化验证, 并持续开发中研发工艺用高生产率配置真空镀膜系统,采用新型循环掺 杂比例的技术,将多元化合物的组成比控制在个别应用领 域元件所需的组合比,提供了解决目前存储器器件制造方 案,满足复杂 3D超高深宽比结构中对薄膜覆盖度、保型 性的工艺要求;结合等离子体系统技术,满足多种介质层 沉积工艺需求。目标达到 国际先进 水平半导体等 领域
8基于 300mm晶圆半 导体制造高产能自动 化真空传输技术的研 究与产业化1,200.00341.00993.79产业化应用, 并持续开发中开发生产半导体集成电路专用工艺平台,即具有低微尘、 高产能的晶圆传输平台的半导体集成电路量产专用团簇平 台。国际同类 先进水平半导体等 领域
9RD153,625.00304.491,034.27产业化应用, 并持续开发中开发用于先进芯片制造高介电常数(High-k)材料的原子 层沉积(ALD)设备及工艺。国际同类 先进水平半导体等 领域
10高效太阳能晶硅电池 接触钝化技术的研究 与产业化5,280.001,507.164,179.57产业化应用, 并持续开发中开发应用于新型高效电池技术生产工序中的正背膜钝化设 备,确保光电转换效率的进一步提升,并进一步提升了高 效电池的产能。国际同类 先进水平光伏领域
11叠层电池技术研发1,000.00120.40496.18产业化验证, 并持续开发中开发一种等离子体镀膜用电极结构,保证镀膜均匀性;开 发一种沉积多种材料类型的镀膜技术,保证硅异质结电池 (叠层电池)技术灵活性,为更高效电池效率的取得提供 可能性。目标达到 国际先进 水平光伏领域
12高阻隔膜产业化技术 研发2,400.00631.891,589.67产业化应用, 并持续开发中开发幅宽大、阻隔等级超高的量产型卷对卷空间原子层设 备及配套自动化装备。国际同类 先进水平柔性电子 材料
13批量型集成电路 ALD 系统研发3,773.00192.43196.44产业化应用, 并持续开发中开发具有成膜速度快,占地面积小,产能高、使用成本低 的批量型 ALD系统和工艺以及设备自动化需求的软硬件控 制系统,满足集成电路及显示产业应用需求的,可一次处 理 25片 12英寸晶圆,适用于薄膜质量高,成膜镀率低, 厚度要求高,以及产能要求高的关键工艺及应用国际同类 先进水平半导体等 领域
14半导体高级薄膜工艺43,693.002,737.002,737.00部分已产业化 验证,并持续 开发中开发满足半导体高质量薄膜工艺需求,能够满足稳定性、 重复性和可维护性的设备,带动产业技术升级,实现国际 化,促进微纳器件制造与加工工艺领域的进一步发展。目标达到 国际先进 水平半导体领 域
15光伏高效镀膜系统7,246.001,159.431,159.43产业化验证, 并持续开发中开发应用于 TOPCon及新一代高效电池技术工艺,为电池 制造提供整线解决方案。目标达到 国际先进 水平光伏领域
合 计/96,427.009,803.1936,130.57////
注:因部分在研项目市场持续开拓,工艺升级持续优化的需要,报告期内调整部分项目预计总投资额度。

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)303206
研发人员数量占公司总人数的比例(%)19.2525.50
研发人员薪酬合计5,469.713,262.56
研发人员平均薪酬18.0515.84


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士研究生103.30
硕士研究生5317.49
本科18761.72
其他5317.49
合计303100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含30岁)10935.97
30-40岁(含30岁,不含40岁)16554.46
40-50岁(含40岁,不含50岁)247.92
50-60岁(含50岁,不含60岁)30.99
60岁及以上20.66
合计303100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、先进技术路线优势
公司以 ALD技术为核心,专注于 ALD工艺技术研发和应用场景拓展。ALD工艺可以在 100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级(1个纳米约为 10个原子)的薄膜厚度。随着制程技术节点的不断进步,ALD工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力,会越来越受到青睐。

此外,ALD技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术,在柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。上述任一领域的应用前景均体现了ALD的技术特点及优势,为公司的后续发展提供了广阔市场空间。

2、优秀的研发团队和完善的产业化应用中心平台的优势
公司创始团队、核心管理人员拥有丰富的国内外顶级半导体设备公司研发和运营管理经验,并积极引入和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领域工程师,形成了跨专业、多层次的人才梯队。公司的研发技术团队结构合理,专业知识储备深厚,工艺开发、产线验证经验丰富,是奠定公司技术实力的基石。

同时,公司已建立的产业化应用中心以现有技术为基础,围绕国产化替代的战略需求,结合行业内最前沿的技术发展趋势和市场需求,针对先进技术和工艺性能,搭建了研发平台、高端研发人才培养平台以及未来新项目、新企业发展孵化器。产业化应用中心使公司具有前瞻应用定制化能力,可为客户提供全场景 Demo设备线,从而能够及时响应客户的各类需求,为客户提供全方位的解决方案。

3、技术积累与研发创新能力优势
公司坚持自主研发,已形成原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等多项核心技术,上述核心技术成功应用于公司各类产品。公司光伏领域设备被评为江苏省首台(套)重大装备产品,半导体领域设备成为国产首台成功应用于 28nm节点集成电路制造前道生产线的量产型 High-k原子层沉积设备。公司凤凰 300(iTomic原子层沉积设备)原子层沉积设备入选第十五届中国半导体创新产品。其他产品也已在半导体及泛半导体领域经过量产验证,并获得重复订单。

4、丰富的产品品类优势
公司的设备产品覆盖半导体、光伏、柔性电子等不同的下游应用市场,半导体领域公司以 ALD为核心正逐步拓展 CVD等多种真空技术和产品,光伏领域公司持续推进以 ALD为核心的工艺整线策略和新一代高效光伏电池技术开发,同时依托产业化应用中心平台探索先进薄膜沉积技术在其他新兴应用领域的发展机会。多领域、多品类产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响,同时,不断拓宽公司市场规模和成长空间。

5、优质客户资源优势
在半导体领域内,公司率先攻克难度较高的 28nm逻辑电路栅氧层氧化铪工艺并获得了客户的重复订单,为公司向全工艺段覆盖奠定客户基础。公司先后获得多家国内知名半导体公司的商业订单,并与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作。

光伏领域已覆盖包括通威太阳能有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、晶澳太阳能科技股份有限公司、阿特斯阳光电力集团股份有限公司、天合光能股份有限公司等在内的多家知名太阳能电池片生产商。

6、高效客户服务优势
公司主要产品为非标准化产品,通过将基础研发与行业应用紧密结合,以下游企业的实际需求为研发导向,为客户定制化开发可量产的工艺及设备。公司技术服务体系健全,为客户提供及时的驻厂技术服务支持,及时到达现场排查故障、解决问题,保证快速响应客户的需求,缩短新产品导入的工艺磨合时间。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
报告期内,受益于下游光伏、半导体领域客户需求的增长及公司技术与产品的前期积累和布局,公司业务量不断扩大,在手订单金额持续增长。截止至报告期末,公司在手专用设备订单约62.53亿元,其中光伏设备订单 56.21亿元,半导体设备订单 5.48亿元,其他设备订单 8,461万元。

公司根据订单节奏安排产品交付并推进客户验收,前期在手订单陆续实现收入转化,专用设备产品验收数量增长导致公司营业收入较上年同期有所增长,从而使得公司业绩相比去年同期有所改善。2023年上半年公司实现营业收入 38,207.72万元,与上年同期相比增加 22,646.41万元,同比增加 145.53%。2023年上半年实现归属于母公司所有者的净利润为 6,856.72万元,与上年同期相比实现扭亏为盈,同比增加 10,781.75万元。

同时,为把握市场机遇,保持行业先发优势,提升未来发展潜力并加快现有在手订单转化,公司重点在研发投入、人才资源、产品布局、供应交付等方面采取措施: 1、创新驱动发展战略,加大研发投入和技术保护,构建长期竞争优势 报告期内,公司坚持自主创新,持续加大研发投入,巩固现有技术优势,拓展并深化产业前瞻领域的应用。2023年上半年,公司研发投入 9,803.19万元,占收入比例超过 25%,其中约 50%投向半导体领域。公司半导体领域研发投向包括逻辑、存储、新型显示器、化合物半导体等项目;光伏领域研发投向包括 TOPCon、XBC、钙钛矿/异质结叠层电池等新一代高效电池技术等项目。

同时,在持续强化技术壁垒的同时,公司高度重视技术保护工作,强调知识产权发展战略与企业发展规划的融合,完善专利布局。截止报告期末,公司各类型国家专利授权共计 108项,申请专利累计达到 285项。

2、紧跟行业发展趋势,推进产品销售和验证,提高市场份额
报告期内,受益于 TOPCon电池产能扩充和公司产品竞争优势,公司光伏设备订单量稳步增长,市场占有率不断提升,产品已广泛应用于国内 TOPCon新建产线。公司应用于 XBC电池生产线的产品已经验收,进入产业化应用阶段。半导体领域内,公司加速推进现有产品的产业化验证工作,公司 iTomic MW系列批量式原子层沉积镀膜系统实现首台产业化应用,该设备可一次处理25片 12英寸晶圆,具备高产能及良好性能指标,进一步扩宽了公司工艺应用覆盖面。

同时,公司紧跟行业技术发展趋势,继续保持与下游客户深入稳定合作,持续推出定制化高性能产品。公司新开发的第一代 iTronix系列 CVD薄膜沉积设备已取得客户订单,并在极短时间内出货至客户端进行产业化验证。凭借开发行业内首条 GW级 PE-Poly TOPCon电池工艺整线的技术优势,报告期内公司推出了全新的 TOPCon 2.0整线工艺技术解决方案,TOPCon2.0管式 PE-Tox+PE-poly四合一的各项技术指标达到了行业先进水平,研究成果受到产业界和学术界的广泛关注。

公司目前产品布局进展情况详见本章节之“一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明”之“(一)主营业务、主要产品或服务情况”。

3、多举措提升产品交付能力,保障在手订单收入转化
报告期内,为满足快速增长的订单,公司通过在供应链、生产制造、内部管理方面的多举措优化提升保障产品按期交付,缩短交期,保障交付。首先,在供应链方面,公司严格遵循 PFMEA(过程失效模式和影响分析)原则,制定项目风险管理计划,对多款重要零部件的供应情况进行风险评估,分类梳理产能供给情况,确保优质、充足的多元化上游零部件供应。其次,在生产制造方面,公司构建了科学的生产计划体系,推行精益化生产,采用模块化生产与组装,将复杂工序有效划分为高效集成的模块,生产效率得到提升。最后,在内部管理方面,公司加强资源优化配置和各部门联动,通过加大人员招聘、合理规划物流通道、动态库存管理等具体措施,最大程度地提高了内部协作效率。报告期内,专用设备产量持续增长,与上年同期同比增幅超过 4倍,产品交付能力稳步提升。

4、落实新生产研发基地建设和搬迁,夯实发展基础
报告期内,公司与先导控股集团有限公司签署《租赁协议》,租赁其位于无锡市新吴区长江南路东侧、香泾浜南侧的厂房及附属设施,租赁面积约为 5.62万平方米,用于满足公司日常生产经营,目前已分期推进建设并陆续投入使用。公司新厂区规划包含合计约 6,000平方米的高等级洁净室,其中约 3,000平方米已建成并陆续投入使用。新厂区各主要功能区划分科学合理,为公司后续研发、生产和运营提供足够的全间,夯实发展基础。



5、实施股权激励,深度绑定核心员工与公司利益
公司研发队伍人员不断充实,截至报告期末,研发人员达到 303人,同比增长 48.07%。目前已形成了一支结构合理、分工明确、专业知识储备深厚、产线验证经验丰富的研发团队。研发团队的构建将不断助力公司下游应用领域关键产品和技术的攻关与突破。为了进一步建立、健全公司长效激励与约束机制,吸引和留住优秀人才,充分调动核心团队的积极性,公司制定和实施了《2023年限制性股票激励计划》(以下简称“激励计划”),2023年 3月 29日,公司向 322名激励对象授予 1,425.68万股限制性股票。未来,公司将继续推行和实施更多的措施,构建全方位的员工激励体系,以保障公司核心竞争力的稳步提升。

报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)核心竞争力风险
1、技术迭代及新产品开发风险
随着技术和应用领域的不断发展,下游客户对薄膜沉积设备工艺路线、材料类型、技术指标等要求也不断变化,因此会对产品提出新的要求。公司需要不断紧跟行业技术发展趋势、及时研发可满足行业技术要求的产品。

如果公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求,或者技术创新产品不能契合客户需求,如无法持续提供满足电池降本增效需求的产品、无法响应半导体、新型高效电池等领域新出现的应用需求,可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要,从而可能对公司的经营业绩造成不利影响。

2、核心技术人员流失或不足的风险
公司后续将加大 ALD等薄膜沉积技术在半导体、新型高效电池等领域应用推广的投入力度,若公司不能提供更好的发展空间、更具市场竞争力的薪酬待遇以及更适合的研发条件,将无法持续吸引相关领域的顶尖人才加盟,公司将面临技术人才不足的风险。在行业高速发展、国产替代趋势加快的大背景下,甚至有可能发生现有核心技术人员流失的情形,对公司的产品研发与盈利能力产生不利影响。

(二)经营风险
1、新产品验证进度及市场发展不及预期的风险
公司薄膜沉积设备主要应用于半导体晶圆、光伏电池片的生产环节,直接影响半导体器件性能及光伏电池片的光电转换效率,是下游客户产线的关键工艺设备。因此,客户对公司新产品的验证要求较高、验证周期较长,公司用于半导体各细分领域和新型高效电池的新产品存在验证进度不及预期的风险。

在半导体领域,我国半导体设备制造产业起步较晚,目前国内产线关键设备的国产化仍处于起步和发展阶段。在光伏领域,新型高效电池扩产计划持续推进,但因技术成熟度、投资成本等限制性因素,规模化量产尚存在不确定性。如果半导体制造和国内新型高效电池产线发展不及预期,公司未来销售增长将受到限制。

2、季节业绩波动的风险
由于客户采购存在非均匀、非连续等特征,导致公司各季度间的订单签订金额存在较大波动。

受产品开发和生产周期、下游市场环境、客户经营状况等因素影响,公司各订单从合同签订、发货到最终验收的周期也存在较大差异,从而使得公司各季度的营业收入波动较大。而与此同时,公司的期间费用支出有较强刚性。由此导致了公司各季度经营业绩存在波动,甚至可能出现单个季度亏损的风险。

(三)财务风险
1、经营业绩波动甚至出现亏损的风险
公司在半导体各细分领域和光伏新型高效电池的产品、技术方面存在持续加强投入的需求,相关投入会对公司经营业绩造成影响。如果未来由于新产品开发持续投入但未能及时实现产业转化,或出现市场竞争加剧、下游客户投资需求变化,以及在手订单由于生产、验收周期受外部不利因素影响未能及时转化为收入等情形,可能使公司面临一定的经营压力,从而导致公司未来业绩存在大幅波动甚至出现亏损的风险。

2、存货跌价的风险
报告期末,公司存货账面价值较高,主要是由于公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价准备,但仍不能排除市场环境发生变化,或其他难以预计的原因,导致存货无法顺利实现销售,或者存货价格出现大幅下跌的情况,使得公司面临存货跌价风险。

3、研发投入未能有效转化的风险
报告期内,公司持续加大研发投入。随着在半导体领域产业化不断推进和光伏领域持续投入,公司研发人员以及研发项目投入增加,导致研发费用呈持续上升趋势。若研发费用持续增加,但研发投入未能有效实现成果转化,将对公司的经营业绩产生不利影响。

4、募投资金使用风险
公司募集资金拟投资项目的可行性分析系基于当前较为良好的市场环境及公司充足的技术储备,在市场需求、技术发展、市场价格、原材料供应等方面未发生重大不利变化的假设前提下作出的。若在项目实施过程中,外部环境出现重大变化,将导致募投项目不能如期实施,或实施效果与预期值产生偏离的风险。(未完)
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