[中报]安集科技(688019):2023年半年度报告

时间:2023年08月30日 21:58:29 中财网

原标题:安集科技:2023年半年度报告

公司代码:688019 公司简称:安集科技
安集微电子科技(上海)股份有限公司
2023年半年度报告






重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人Shumin Wang、主管会计工作负责人Zhang Ming及会计机构负责人(会计主管人员)Zhang Ming声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无。


七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义..................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 8
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 13
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 38
第五节 环境与社会责任 ............................................................................................................... 41
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 44
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 59
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................... 67
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................... 67
第十节 财务报告 ........................................................................................................................... 68



备查文件目录报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿
 载有公司法定代表人、财务负责人签章的财务报表



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
安集科技、公司、本公司安集微电子科技(上海)股份有限公司
Anji CaymanAnji Microelectronics Co., Ltd.,公司控股股东
上海安集安集微电子(上海)有限公司,公司全资子公司
宁波安集宁波安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
台湾安集台湾安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
宁波安集投资宁波安集股权投资有限公司,公司全资子公司
北京安集北京安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
安集电子材料上海安集电子材料有限公司,公司全资子公司
新加坡安集ANJI MICROELECTRONICS PTE. LTD.,宁波安集投资 全资子公司
CORDOUANCORDOUAN TECHNOLOGIES,新加坡安集全资子公司
SEPPURESEPPURE PTE. LTD.
报告期2023年 1-6月
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
化学机械抛光(CMP)Chemical Mechanical Planarization,集成电路制造过程中实 现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯 化学的抛光方法不同,CMP 技术由化学作用和机械作用 两方面协同完成。
化学机械抛光液、抛光液、研 磨液由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成,是化学机械抛光工 艺过程中使用的主要化学材料。
研磨颗粒、纳米磨料为生产化学机械抛光液所需的关键原材料,主要包括硅溶 胶、气相二氧化硅和二氧化铈等品类。
清洗技术通过化学处理、气体或物理方法去除晶片表面杂质的过 程。通常在工艺之间进行,用于去除芯片制造中上一道工 序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物, 去除光阻掩膜或残留,也可根据需要进行硅氧化膜、氮化 硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀,为下一步工序准备好良 好的表面条件。晶圆清洗步骤数量约占所有芯片制造工序 步骤 30%以上,而且随着节点的推进,清洗工序的数量和 重要性会继续提升。根据清洗介质的不同,目前半导体清 洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线,晶圆 制造产线上通常以湿法清洗为主。
湿法清洗针对不同的工艺需求,采用特定的化学药液和去离子水, 对晶圆表面进行无损伤清洗,以去除晶圆制造过程中的颗 粒、自然氧化层、有机物、金属污染、牺牲层、抛光残留 物等物质,可同时采用超声波、加热、真空等辅助技术手 段。
湿电子化学品、工艺化学品是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程 中不可缺少的关键性基础化工材料之一,一般要求超净和 高纯,对生产、包装、运输及使用环境的洁净度都有极高 要求。按照组成成分和应用工艺不同,可将湿电子化学品 分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类。
光刻半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光 和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工 艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。
光刻胶光刻中采用的感光物质,其利用光照反应后溶解度不同将 掩膜版图形转移至衬底上。
光刻胶去除刻蚀过程中光刻胶定义的图像被转移到晶圆表面并且刻 蚀到定义的深度,刻蚀之后作为刻蚀保护层或者阻挡层的 剩余光刻胶需要从晶圆表面去除。
光刻胶去除剂、光阻去除剂又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”,是光刻胶去 除工艺中使用的化学材料,主要由刻蚀剂、溶剂及添加剂 等组成,通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液 冲洗半导体晶片,去除半导体晶片上的光刻胶及其光刻胶 刻蚀后残留物。
刻蚀后清洗液一种光刻胶去除剂,应用于干法刻蚀后晶圆表面残留物去 除。
光刻胶剥离液一种光刻胶去除剂,应用于厚膜光刻胶去除,包括晶圆级 封装以及部分集成电路工艺。
半导体电镀、电化学沉积在芯片制造过程中,将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表 面形成金属互连。
电镀基础液提供电沉积金属离子,与电镀液添加剂相互作用,在电场 作用下实现金属电化学沉积。
电镀液添加剂电镀工艺核心材料,改善镀层性能及电镀质量。在电镀工 艺中,电镀液添加剂与基础液相互作用,在电场作用下实 现金属电化学沉积。
刻蚀用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材 料的过程,主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀,其中湿法刻蚀 指用液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学的方式去 除硅片表面的材料,干法刻蚀是通过等离子气与硅片发生 物理或化学反应(或结合物理、化学两种反应)的方式将 表面材料去除。
芯片、集成电路(IC)Integrated Circuit,是一种微型电子器件或部件。通过氧化、 光刻、扩散、外延、蒸镀、表面处理等制造工艺,把电路 设计中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件进行布线 互连,在硅晶圆或化合物材料的基板上,再进行封装工艺 分割而成。
制程、节点、特征线宽晶体管栅极宽度的尺寸,用来衡量半导体芯片制造的工艺 水准。尺寸越小,表明工艺水平越高,如 130nm、90nm、 28nm、14nm、7nm等等。
逻辑芯片一种通用芯片,它的逻辑功能按照用户对器件编程来确 定。
存储芯片又称“存储器”,是指利用电能方式存储信息的半导体介 质设备,其存储与读取过程体现为电子的存储或释放,广 泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬 盘等领域。
模拟芯片主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在 一起用来处理模拟信号的芯片类型。
DRAM动态随机存取存储器,属于易失性存储器。
NAND闪存,属于非易失性存储器。
2D NAND存储单元为平面结构的一种 NAND存储器。
3D NAND一种新兴的闪存类型,通过把存储单元堆叠在一起来解决 2D或者平面 NAND闪存带来的限制。
晶圆(wafer)集成电路制作所用到的基材片,由于其形状为圆形,故称 为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构,而成
  为有特定电性功能的集成电路产品。
传统封装先将晶圆片切割成单个芯片再进行封装的工艺,主要包括 单列直插封装(SIP)、双列直插封装(DIP)、小外形封 装(SOP)、小晶体管外形封装(SOT)、晶体管外形封 装(TO)等封装形式。
先进封装处于前沿的封装形式和技术。目前,带有倒装芯片(FC) 结构的封装、晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、 2.5D 封装、3D 封装等均被认为属于先进封装范畴。先进 封装四大要素分别为 RDL、TSV、Bump和 Wafer,RDL 起到 XY平面电气延伸的作用,TSV起到 Z轴电气延伸的 作用,Bump 起到界面互联和应力缓冲的作用,Wafer 作 为集成电路的载体以及 RDL和 TSV的介质和载体。
晶圆级封装(WLP)Wafer-Level Packaging,在晶圆上封装芯片,而不是先将晶 圆切割成单个芯片再进行封装。这种方案可实现更大的带 宽、更高的速度与可靠性以及更低的功耗,并为用于移动 消费电子产品、高端超级计算、游戏、人工智能和物联网 设备的多晶片封装提供了更广泛的形状系数。
三维集成将多层集成电路芯片堆叠键合,通过穿透衬底的三维互连 实现多层之间的电信号连接的技术,TSV是三维集成技术 的实现方法之一。
凸块(Bumping)技术在芯片上制作凸块,通过在芯片表面制作金属凸块提供芯 片电气互连的“点”接口,广泛应用于 FC(倒装)、WLP (晶圆级封装)、CSP(芯片级封装)、3D(三维立体封 装)、(SiP)系统级封装等先进封装。凸块制造过程一般 是基于定制的光掩模,通过真空溅镀、黄光、电镀、蚀刻 等环节而成,该技术是晶圆制造环节的延伸,也是实施倒 装(FC)封装工艺的基础及前提。材料一般为 Cu、Au、 Ni、Ag-Sn等,有单金属的凸点,也有合金凸点,最常用 的凸点材料是 Cu和 Au。相比以引线作为键合方式传统的 封装,凸块代替了原有的引线,实现了“以点代线”的突 破。该技术可允许芯片拥有更高的端口密度,缩短了信号 传输路径,减少了信号延迟,具备了更优良的热传导性及 可靠性。此外,将晶圆重布线技术(RDL)和凸块制造技 术相结合,可对原来设计的集成电路线路接点位置进行优 化和调整,使集成电路能适用于不同的封装形式,封装后 芯片的电性能可以明显提高。
重布线层(RDL)技术Redistribution Layer,起着 XY 平面电气延伸和互连的作 用。RDL技术的核心是在晶圆表面沉积金属层和介质层并 形成相应的金属布线图形,对芯片的 I/O端口进行重新布 局,根据后续封装工艺需求,将其布局到新的且占位更为 宽松的区域,并形成面阵列排布。随着工艺技术的发展, 通过 RDL 形成的金属布线的线宽和线间距也越来越小, 从而提供更高的互连密度。目前 RDL 技术多采用电化学 沉积的方式来完成。
小芯片组、芯粒(Chiplet)技 术在同一个封装或系统里集成多个裸片的一种新型芯片设 计模式。
硅通孔(TSV)技术Through Silicon Via,通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆 之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的新的技术解决方 案。TSV技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,芯 片之间的互连线最短,外形尺寸最小,大大改善芯片速度
  和低功耗的性能。
铜阻挡层集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材料, 目的是防止铜和绝缘介质发生反应。
鳍式场效应晶体管(FinFET)Fin Field-Effect Transistor,一种新的互补式金氧半导体晶 体管,FinFET命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非常相似。 这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流,也可以大 幅缩短晶体管的闸长。
摩尔定律当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每 隔 18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。
超越摩尔当芯片中的临界尺寸越来越接近物理极限,摩尔定律不能 沿用原来的方法单纯缩小元器件尺寸来提高元器件密度。 只能通过引入更加创新的三维集成来提升芯片性能,包括 革命性的新材料,芯片内的三维堆积,芯片之间的三维互 联。
后道工艺半导体芯片制造工艺流程中比较靠后的对晶体管进行导 线连接的工艺步骤,如铜互连、金属退火等。
前道工艺半导体芯片制造工艺流程中比较靠前的对晶体管性能进 行控制的工艺步骤,如栅极光刻技术、离子注入技术等。
平坦化在制造工艺中,通过热流程、有机层或化学机械抛光技术 对晶圆表面的平整化。
铜制程、铜互连技术在半导体集成电路互连层的制作中采用铜金属材料取代 传统铝金属互连材料的半导体制造工艺技术。铜互连工艺 具有更低的电阻率、抗电迁移性,能够满足芯片尺寸更小、 功能更强大、能耗更低的技术性要求。
大马士革工艺衍生自古代的 Damascus(大马士革)工匠之嵌刻技术,先 在介电层上刻蚀金属导线用的图膜,然后再填充金属,特 点是不需要进行金属层的刻蚀。
导体具有低电阻和高电导率的材料。
介电材料属绝缘体,是指在外电场作用下能发生极化、电导、损耗 和击穿等现象的材料。在化学机械抛光领域,介电材料通 常指二氧化硅、氮化硅等绝缘材料。
浅槽隔离(STI)即 Shallow-Trench Isolation。通常用于0.25μm以下工艺, 通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽, 并在槽中填充淀积氧化物,用于与硅隔离。
宽禁带半导体、第三代半导 体使用禁带宽度在 2.3eV及以上的半导体材料(如碳化硅、 氮化镓等)的半导体器件。
SEMISemiconductor Equipment and Materials International,国际 半导体设备与材料产业协会。
WSTSWorld Semiconductor Trade Statistics,世界半导体贸易统计 协会。
SIASemiconductor Industry Association,美国半导体产业协会。
TECHCET一家全球知名的电子材料咨询公司。

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称安集微电子科技(上海)股份有限公司
公司的中文简称安集科技
公司的外文名称Anji Microelectronics Technology (Shanghai) Co., Ltd.
公司的外文名称缩写Anji Technology
公司的法定代表人Shumin Wang(王淑敏)
公司注册地址上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢 底层
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址上海市浦东新区华东路5001号金桥综合保税区T6-5
公司办公地址的邮政编码201201
公司网址www.anjimicro.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引公司办公地址变更情况详见公司于2023年3月22日在上海证券交 易所网站(www.sse.com.cn)披露的《关于变更办公地址的公 告》(公告编号2023-013)

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名杨逊冯倩
联系地址上海市浦东新区华东路5001号金桥综 合保税区T6-5上海市浦东新区华东路5001号金桥综合保税 区T6-5
电话021-20693346021-20693346
传真021-50801110021-50801110
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《上海证券报》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板安集科技688019不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入574,910,253.78503,365,657.8814.21
归属于上市公司股东的净利润235,014,487.04126,860,678.1085.25
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润160,769,402.71135,540,927.0818.61
经营活动产生的现金流量净额158,244,850.2261,865,949.39155.79
主要会计数据本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产1,930,553,343.901,521,549,944.3826.88
总资产2,350,394,228.922,047,601,294.0714.79

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)3.042.2137.56
稀释每股收益(元/股)3.042.2137.56
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)2.082.36-11.86
加权平均净资产收益率(%)13.4710.04增加3.43个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)9.2110.73减少1.52个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)17.6214.93增加2.69个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现营业收入57,491.03万元,较去年同期增长14.21%,主要原因为公司持续加大产品研发和产品商业化的多方位布局,三大技术平台核心竞争力稳步提高,同时不断加强与客户合作交流的紧密程度,并积极推进产品品类的丰富和完善,部分领先技术和成熟技术的产品在客户端有不同程度的继续推广应用,具体详见“第三节 二、核心技术与研发进展”。

归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 16,076.94 万元,较去年同期增长18.61%,主要原因包括:(1)报告期内公司营业收入稳步增长,同时由于近年来开发的数只高技术难度、高研发投入的新产品系列快速上量,加之汇率变动的影响,报告期内公司毛利润同比增长19.73%;(2)报告期内,公司期间费用同比增长25.61%,大于公司营业收入的同比增长率,主要原因系去年同期基数较少。

归属于上市公司股东的净利润为 23,501.45 万元,较去年同期增长 85.25%,除归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润的变动影响以外,主要系报告期内政府补助项目完成验收,确认其他收益8,329万,去年同期为215万。

经营活动产生的现金流量净额为15,824.49万元,较去年同期增长155.79%,主要系营业收入增长带来的客户回款大幅增加等所致。

归属于上市公司股东的净资产和总资产较上年度末分别增长26.88%和14.79%,主要系公司 以简易程序向特定对象发行股票和2023年半年度经营积累所致。 基本每股收益和稀释每股收益较去年同期增长37.56%,主要系公司净利润同比增加85.25%, 同时以简易程序向特定对象发行股票和资本公积金转增股本所致。 扣除非经常性损益后的基本每股收益较去年同期下降11.86%,主要系公司扣除非经常性损 益的净利润同比增加18.61%,但是以简易程序向特定对象发行股票和资本公积金转增股本带来 股本增长率超过扣除非经常性损益的净利润增长率所致。 研发投入占营业收入的比例为17.62%,较去年同期增加2.69个百分点,主要由于公司在业 务开拓和发展过程中不断开展研发活动,持续保持研发投入,不断提升研发水平,同时去年同期 基数较少所致。

七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动资产处置损益-691,589.54 
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密 切相关,符合国家政策规定、按照一定标准定额或定 量持续享受的政府补助除外83,291,032.71 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,持 有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、 衍生金融负债产生的公允价值变动损益,以及处置交易 性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金 融负债和其他债权投资取得的投资收益13,845,516.30 
除上述各项之外的其他营业外收入和支出173.73 
减:所得税影响额-22,200,048.87 
合计74,245,084.33 

对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目,以及把《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 (一) 公司所属行业情况 1、半导体材料行业概况 公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光 液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂系列产品,主要应用于集成电路制造和先进封装领 域,属于半导体材料行业。 半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节,对半导体产业发展起着重要支撑作用,具有 产业规模大、细分行业多、技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。 半导体材料是半导体产业的重要支撑 数据来源:SEMI,WSTS,SIA
第一,产业规模大。半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料。根据SEMI,2022年全球半导体材料市场销售额增长8.9%,达到727亿美元,超过了2021年创下的668亿美元的前一市场高点。其中,晶圆制造材料和封装材料的销售额分别达到447亿美元和280亿美元,分别增长10.5%和6.3%。从地区分布来看,中国台湾凭借其晶圆代工产能和先进封装的基础,以201亿美元的销售额连续第13年成为世界上最大的半导体材料消费地区,增长率13.6%;中国大陆半导体材料市场销售额130亿美元,增长率7.3%,超越韩国位列第二。

中国是全球最大的半导体材料市场(亿美元) 数据来源:SEMI
第二,细分行业多。半导体材料行业是半导体产业链中细分领域最多的产业链环节,其中晶圆制造材料包括硅片、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材料、工艺化学品、电子特气、抛光液和抛光垫、靶材及其他材料,封装材料包括引线框架、封装基板、陶瓷基板、键合丝、包封材料、芯片粘结材料及其他封装材料,每一种大类材料又包括几十种甚至上百种具体产品,细分子行业多达上百个。

第三,技术门槛高、研发投入大、研发周期长。由于半导体材料尤其是晶圆制造材料在集成电路芯片制造中扮演着重要的角色,甚至部分关键材料直接决定了芯片性能和工艺发展方向,因此下游客户对于产品的要求极为苛刻,在上线使用前需要长周期的测试论证工作,并且上线使用后也会通过较长周期逐步上量。加之产品在能够进入测试论证阶段之前需要经历长时间、高难度的研发阶段,研发过程中需要大量的研发投入。

2、公司主要产品所属细分行业情况
在半导体特别是集成电路制造过程中,晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆优良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一,化学机械抛光(CMP)、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积(电镀)等表面技术起到非常关键的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理技术和高端化学品配方核心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建了“化学机械抛光液-全品类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局”、“电镀液及其添加剂-强化及提升电镀高端产品系列战略供应”三大具有核心竞争力的技术平台及应用领域。目前,公司技术已涵盖集成电路制造中的“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺,产品组合可广泛应用于芯片前道制造及后道先进封装过程中的抛光、刻蚀、沉积等关键循环重复工艺及衔接各工艺步骤的清洗工序。

公司主要产品在芯片制造及先进封装领域的关键循环重复工艺中多次应用 (1)化学机械抛光液市场情况
化学机械抛光(CMP)是半导体先进制程中的关键技术,其主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下,被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动,借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合,使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同,CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除,从而达到晶圆表面的高度(纳米级)平坦化效应。CMP已成为0.35μm以下制程不可或缺的平坦化工艺。

CMP工艺原理图 随着制程节点的进步,多层布线的数量及密度增加,CMP工艺步骤增加,CMP技术越来越重要,其对后续工艺良率的影响越来越大。例如14纳米技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数将由180纳米技术节点的10次增加到20次以上,而7纳米及以下技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数甚至超过30次。此外,更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料,为抛光液带来了更多的增长机会。同样地,对于存储芯片,随着由2D NAND向3D NAND演进的技术变革,也会使CMP工艺步骤数快速增加,带动了钨抛光液及其他抛光液需求的持续快速增长。此外,先进封装技术的应用使CMP从集成电路前道制造环节走向后道封装环节,在如硅通孔(TSV)、混合键合(Hybrid Bonding)等工艺中得到广泛应用。

化学机械抛光液在CMP技术中至关重要,在抛光材料中价值占比超过50%,其耗用量随着晶圆产量和CMP平坦化工艺步骤数增加而增加。根据应用的不同工艺环节,可以将抛光液分为硅衬底抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、介质材料抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液以及用于先进封装的硅通孔(TSV)抛光液等。抛光液特点为种类繁多,即使是同一技术节点、同一工艺段,根据不同抛光对象、不同客户的工艺技术要求也有不同配方。

根据TECHCET,2022年全球半导体CMP抛光材料市场规模近35亿美元,较2021年增长9%,其中抛光液市场规模超过20亿美元。2023年,由于DRAM产能过剩及市场整体调整,全球半导体CMP抛光材料市场规模预计下滑2.4%。随着中国及全球晶圆产能的增长,制造工艺不断向先进制程节点发展叠加先进封装的应用,CMP工艺步骤不断增加、技术要求也会相应提高,TECHCET预计全球半导体CMP抛光材料市场未来五年复合增长率为5.2%。

(2)湿电子化学品市场情况
湿电子化学品是在清洗、刻蚀等多个微电子/光电子湿法工艺环节中使用的各种高纯度电子化学材料的统称,其生产涉及的核心工艺包括分离纯化、分析检测、混配及包装运输技术等,具有较高的技术壁垒。湿电子化学品主要分为通用性湿化学品和功能性湿化学品,其中通用性湿化学品主要包括主体纯度大于99.99%、杂质含量低于ppm级别的酸类、碱类、有机溶剂类及其他类产品;功能性湿化学品指为满足湿法工艺中特殊工艺需求,通过复配工艺制备的配方类或复配类化学品,主要包括各类刻蚀液、清洗液及光刻胶配套试剂(剥离液、稀释剂、去边剂、显影 液)等。不同于混合使用的通用湿化学品可以由半导体制造企业自己混配使用,功能性湿化学品 需要由电子化学品生产企业进行研发和生产,以特定的产品形式供应给半导体制造企业使用。 公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道晶圆级封装用高端功能性湿电子化学品领域,产 品涉及清洗液、剥离液和刻蚀液。清洗液用于半导体制造的清洗工艺,去除微粒、金属或离子型 导电污染物及有腐蚀作用的无机、有机污染物等,根据其应用工艺不同,清洗液可分为化学机械 抛光(CMP)后清洗液、铝工艺刻蚀后清洗液、铜工艺刻蚀后清洗液、HKMG假栅去除后清洗液、 封装工艺用去溢料清洗液等。为最大限度地减少杂质对芯片良率的影响,当前的芯片制造流程在 光刻、刻蚀、离子注入、沉积、抛光等重复性工序后均设置了清洗工序,清洗步骤数量约占所有 芯片制造工序步骤的30%以上,是所有芯片制造工艺步骤中占比最大的工序,而且随着技术节点 的推进,清洗工序的数量和重要性将继续提升,在实现相同芯片制造产能的情况下,对清洗液的 需求量也将相应增加。光刻胶剥离液是在曝光显影及后续工艺后去除硅片上光刻胶所用的试剂, 光刻胶在经过湿法刻蚀、干法刻蚀、离子注入等不同工艺后不易被去除,要求剥离液对光刻胶有 较强的溶解性能。半导体制造工艺应用的刻蚀技术主要包括湿法刻蚀和干法刻蚀两大类,刻蚀工 艺用到的湿化学品为刻蚀液。 清洗和刻蚀是半导体制造过程中重要的工艺环节 湿电子化学品的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响,随着集成电路技术的不断发展,工艺复杂性和技术挑战不断增加,对湿电子化学品的杂质含量、颗粒数量、清洗去除能力、刻蚀选择性、工艺均匀性、批次稳定性与一致性等的管控要求越来越高。此外,由于新结构、新器件和新材料的不断引入,主流芯片制造厂商间的差异性也越来越大,对于功能性湿电子化学品来说,满足客户的定制化需求也成为未来发展的重要趋势。根据TECHCET,受益于逻辑和存储芯片技术节点进步、掩膜步骤数、3D NAND层数、刻蚀及刻蚀后去除步骤数增加,全球半导体关键清洗材料(包括刻蚀后残留物清洗液和抛光后清洗液)保持增长。2021年,全球半导体关键清洗材料市场规模超过10亿美元,预计2022年将达到11亿美元,2022-2026年复合增长率为6%。

(3)电镀液及添加剂市场情况
电化学沉积(电镀)技术作为集成电路制造的关键工艺技术之一,是实现金属互连的基石,主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺和后道先进封装凸块(Bumping)、重布线层(RDL)、硅通孔(TSV)等电镀工艺。随着晶体管尺寸不断缩小,进入130nm制程以后,铝互连工艺已经不能满足集成电路集成度、速度和可靠性持续提高等需求,铜已逐渐取代铝成为金属互连的主要材料。由于铜很难进行干法刻蚀,因此传统的金属互连工艺已不再适用,拥有镶嵌工艺的镀铜技术成为铜互连的主要制备工艺,业界也称为大马士革铜互连工艺。大马士革铜互连工艺在8 英寸以上晶圆、130nm 以下芯片制造中得到广泛应用。

在铜互连电镀工艺中,将带有扩散阻挡层和籽晶层的芯片浸没在含有添加剂的高纯电镀液中,用电镀工艺填充已经刻蚀好的互连穿孔(Via)和槽隙(Trench)。其中铜互连电镀添加剂包括加速剂、抑制剂及整平剂,在电镀工艺中起到关键作用,通过不同组分相互作用,实现从下到上填充效果以及镀层晶粒、外观及平整度。

除芯片制造铜互连工艺外,电镀液及添加剂还应用于Bumping 、RDL、TSV等先进封装工艺。TSV技术的核心是在晶圆上打孔,并在硅通孔中进行镀铜填充,从而实现晶圆的互联和堆叠,在无需继续缩小芯片线宽的情况下,提高芯片的集成度和性能。和芯片制造铜互连工艺相比,TSV电镀的尺寸更大,通常需要更长的沉积时间、更高的电镀速率以及多个工艺步骤,铜互连电镀液及添加剂成本占TSV工艺的总成本比重也更高。

目前半导体电镀已经不限于铜线的沉积,还有锡、锡银合金、镍、金等金属,但是金属铜的沉积依然占据主导地位。铜导线可以降低互联阻抗,降低器件的功耗和成本,提高芯片的速度、集成度、器件密度等。随着先进逻辑器件技术节点带来的互连层的增加,先进封装对重新布线层和铜柱结构应用的增加,以及广泛运用铜互连技术的半导体器件整体增长,带动了电镀液及其添加剂市场的增长。根据TECHCET,2022年全球半导体电镀化学品市场规模增长8.3%,达到10.2亿美元;受晶圆厂开工情况及市场库存调整影响,预计2023年全球半导体电镀化学品市场规模下降2%至9.87亿美元。未来几年,随着更多的电动汽车、更快的充电站、更强的数据存储及更多的下游应用带来更高密度、更低功率器件的需求增长,以及全球主要国家和地区的产业投资政策推动,将带动金属互连层数和先进封装应用的增加,进而带动半导体电镀化学品市场的增长,TECHCET预计2022-2027年金属互连和先进封装电镀化学品年复合增长率分别为3.3%和3.7%。

(二)主营业务情况 公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光 液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂系列产品,主要应用于集成电路制造和先进封装领 域。公司始终围绕液体与固体衬底表面处理和高端化学品配方核心技术并持续专注投入,成功打 破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液和部分功能性湿电子化学品的垄断,实现了进口替 代,使中国在该领域拥有了自主供应能力,并在报告期内拓展和强化了电化学沉积领域的技术平 台,产品覆盖多种电镀液及添加剂。同时,公司依靠自主创新,在特定领域实现技术突破,使中 国具备了引领特定新技术的能力。 在化学机械抛光液板块,公司致力于实现全品类产品线的布局和覆盖,旨在为客户提供完整的一站式解决方案。公司化学机械抛光液产品已涵盖铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液等多个产品平台。同时,公司还基于化学机械抛光液技术和产品平台,支持客户对于不同制程的需求,定制开发用于新材料、新工艺的化学机械抛光液。

在功能性湿电子化学品板块,公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道晶圆级封装用等高端功能性湿电子化学品产品领域,致力于攻克领先技术节点难关,并基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品水平的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。目前,公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、晶圆级封装用光刻胶剥离液、抛光后清洗液、刻蚀液等产品。

在电镀液及添加剂产品板块,公司完成了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及添加剂产品系列平台的搭建,并在自有技术持续数年开发的基础上,通过国际技术合作的形式,进一步完善和强化了平台能力建设,提升了公司在相关领域的综合水平,并开始量产,强化及提升电镀高端产品系列战略供应。

同时,为了提升自身产品的稳定性和竞争力,并确保战略供应,公司开始建立核心原材料自主可控供应的能力,以支持产品研发,并保障长期供应的可靠性。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司自成立之初就将自己定位为以科技创新及知识产权为本的高端半导体材料供应伙伴,始终围绕液体与固体衬底表面处理和高端化学品配方核心技术并持续专注投入,成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液和部分功能性湿电子化学品的垄断,并成功搭建了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及其添加剂产品系列平台。

公司拥有一系列具有自主知识产权的核心技术,核心技术权属清晰,技术水平国际先进或国内领先,成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司的核心技术涵盖了整个产品配方和工艺流程,包括金属表面氧化(催化)技术、金属表面腐蚀抑制技术、抛光速率调节技术、化学机械抛光晶圆表面形貌控制技术、光阻清洗中金属防腐蚀技术、化学机械抛光后表面清洗技术、光刻胶残留物去除技术、选择性刻蚀技术、电子级添加剂纯化技术、磨料制备技术、电镀液添加剂技术等。

公司主要依靠核心技术开展生产经营,核心技术产品为集成电路领域化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂。公司核心技术的应用主要体现在产品配方和生产工艺流程两个方面。一方面,公司基于核心技术研发产品配方并通过申请专利等方式加以保护,产品配方是核心技术的具体体现。另一方面,生产工艺流程是公司产品生产过程的关键,也是核心技术转化为最终产品的实现手段,公司通过技术秘密等形式对生产工艺流程予以保护。

截至2023年6月30日,公司及子公司拥有境内外授权发明专利264项。同时,公司持续加强知识产权管理,依照国家《企业知识产权管理规范》制订了完善的知识产权管理体系,并通过了国家知识产权管理体系认证。公司通过完善的知识产权布局保护核心技术,持续创新并更新知识产权库,实现产品和技术的差异化,为公司开发新产品和开拓新业务创造了有利条件。

未来,公司将凭借在高端半导体材料领域积累的宝贵经验持续深耕,依托已有的先进技术平台和人才团队为客户提供高附加值的产品和服务。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
安集微电子科技 (上海)股份有限 公司国家级专精特新“小巨人”企业2020年度化学机械抛光液 及功能性湿电子化学品等

2. 报告期内获得的研发成果
公司始终秉承“研发创新驱动企业发展”的理念,持续研发投入,不断提升研发创新能力,加大市场开拓力度。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建三大具有核心竞争力的技术平台及应用领域:化学机械抛光液-全品类产品矩阵、功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局、电镀液及其添加剂-强化及提升电镀高端产品系列战略供应。

公司围绕自身核心技术,基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品能力的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。在化学机械抛光液全品类产品领域,以创新驱动产品升级的能力持续增强现有客户粘度,巩固市场地位,以丰富经验及可靠的数据支撑和供应能力吸引新客户,开发新应用、开拓新兴市场领域:铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液及新应用的化学机械抛光液等各类产品线的研发进程及市场拓展顺利,客户用量及客户数量均达到预期。

在铜及铜阻挡层抛光液方面,公司紧跟摩尔定律,紧跟行业领先客户的先进制程,提前进行技术平台的布局及技术能力的积累,持续推进相关产品的研发,持续优化先进技术节点产品的性能及稳定性,部分领先技术产品在重要客户端完成验证;与成熟制程芯片制造厂保持紧密合作,持续进行产品迭代升级,进展顺利。

在介电材料抛光液方面,公司首款氮化硅抛光液在客户端上量顺利。结合成功经验,公司持续开拓市场份额,进一步开发先进技术节点系列产品,多款产品已在客户端测试验证。公司持续改进氧化物抛光液,具有更高性价比和更优性能的高倍稀释氧化物抛光液已成功实现量产。

公司钨抛光液在存储芯片领域的应用范围和市场份额持续稳健上升,多款钨抛光液在逻辑芯片成熟制程和先进制程进行测试验证,进展顺利,部分客户已通过验证,开启量产阶段。

公司与客户紧密合作,基于氧化铈磨料的抛光液产品突破技术瓶颈,目前已在3D NAND先进制程中实现量产并在逐步上量;基于氧化铈磨料的抛光液在国内领先的存储客户持续突破,多款新产品完成论证测试并实现量产销售,部分产品已成为主流,国产自主供应能力持续加强。

在衬底抛光液方面,公司紧跟国内大硅片企业的发展和打造材料自主可控能力的趋势,充分了解客户的需求后定制化开发抛光液产品。公司硅精抛液系列产品研发论证进展顺利,技术性能达到国际先进水平,并在国内领先硅片生产厂完成论证并实现量产,营业收入增长明显,部分产品已获得中国台湾客户的订单。用于三维集成的多款抛光液与国内外数十个客户进行合作,配合客户进行工艺开发,助力客户实现新技术,产品已经多个客户实现销售。第三代半导体作为下一代的衬底材料同样发展迅速,公司积极投入研发,为客户定制开发的用于第三代半导体衬底材料的抛光液,进展顺利,部分产品已获得海外客户的订单。

公司在功能性湿电子化学品领域,致力于攻克领先技术节点难关并提供相应的产品和解决方案,并持续拓展产品线布局,目前已涵盖刻蚀后清洗液、晶圆级封装用光刻胶剥离液、抛光后清洗液及刻蚀液等多种产品系列。报告期内,公司在碱性铜抛光后清洗液取得重要突破,在客户先进技术节点验证进展顺利,进入量产阶段,进一步完善了公司抛光后清洗液产品平台。

公司在电镀液及添加剂领域,完成了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及添加剂产品系列平台的搭建,并且在自有技术持续开发的基础上,通过国际技术合作等形式,进一步拓展和强化了平台建设,提升了公司在相关领域的技术水平,研发产品已覆盖多种电镀液添加剂。

报告期内,公司持续加强市场开拓,多种电镀液添加剂在先进封装领域已实现量产销售。

公司技术及产品已涵盖集成电路制造中“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺。随着公司研发产品范围及应用的进一步拓展,应用逐渐覆盖芯片制造中成熟制程及特殊制程多个技术节点,在先进封装领域的产品覆盖面也越来越广,客户数量得到进一步提升。

与此同时,公司持续加快建立核心原材料自主可控供应的能力,以优化产品性能及成本结构,提升现有产品竞争力,保障长期供应的可靠性,并在研究中寻求开发新产品的技术可行性。

报告期内,参股公司山东安特纳米材料有限公司开发的多款硅溶胶已在公司多款抛光液产品中通过内部测试,并在积极与客户合作进行测试验证中,部分已完成验证,实现销售;公司通过自研自建的方式持续加强了氧化铈颗粒的制备和抛光性能的自主可控能力,进展顺利,目前已完成中试验证,正在进行规模化量产能力建设。公司通过自建、合作等多种方式,加强产品及原料的自主可控,并已取得突破性进展,部分关键原材料成功已实现量产。

公司坚持秉承创新驱动宗旨,持续大力度投入资金、人力等研发资源,夯实现有研发平台能力建设,把握产品迭代更新,不断提高研发成果转化效率,公司产品的应用能力和延展能力得到进一步提升。公司坚持研发创新的同时,不断完善自主知识产权的布局,截至2023年6月30日,公司及其子公司共获得264项发明专利授权,其中中国大陆192项、中国台湾57项、美国5项、法国5项、新加坡3项、韩国2项;另有275项发明专利申请已获受理。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利614275264
实用新型专利    
外观设计专利    
软件著作权    
其他    
合计614275264

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入101,296,415.2675,135,838.6934.82
资本化研发投入---
研发投入合计101,296,415.2675,135,838.6934.82
研发投入总额占营业收入17.6214.93增加2.69个百分
比例(%)  
研发投入资本化的比重(%)---

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期内,公司研发投入同比增长34.82%,主要系物料消耗、资产折旧与摊销、人力成本等的增长,主要由于公司在业务开拓和发展过程中不断开展研发活动,持续保持研发投入,不断提升研发水平,同时去年同期基数较少所致。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用



4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序号项目名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1铜抛光液系 列产品12,000.002,013.925,639.70用于先进技术节点的产品 在客户端持续验证扩大销 售,具有更高性价比的产 品迭代正在进行。持续开发用于先进技 术节点的产品平台和 优化用于成熟技术节 点的具有更高性价比 的产品并在客户端测 试验证。达到国际先 进水平产品满足成熟制程 和先进制程的技术 要求,具有成长空 间。
2阻挡层抛光 液系列产品3,500.00650.931,645.08用于先进技术节点的产品 在客户端持续验证扩大销 售,具有更高性价比的产 品迭代正在进行。持续开发用于先进技 术节点的产品平台和 优化用于成熟技术节 点的具有更高性价比 的产品并在客户端测 试验证。达到国际先 进水平产品满足成熟制程 和先进制程的技术 要求,具有成长空 间。
3钨化学机械 抛光液12,000.002,180.425,980.56用于先进技术节点的产品 在客户端通过验证实现销 售,用于成熟技术节点的 产品持续在多个客户端验 证扩大销售。持续开发用于先进技 术节点的产品并在客 户端测试验证;持续 优化用于成熟技术节 点的产品并在客户端 验证,扩大应用范 围。达到国际先 进水平产品满足成熟制程 和先进制程的技术 要求,具有成长空 间。
4硅衬底抛光 液系列产品1,500.0067.171,317.47硅精抛液持续在客户端验 证,扩大销售。持续开发和优化硅精 抛液并在客户端验 证,扩大市场份额; 持续优化硅粗抛液并 在客户端验证。达到国际先 进水平逐步完善产品,扩 大应用和市场份 额。
5基于氧化铈 的抛光液系 列产品6,000.00941.322,663.79基于氧化铈磨料的抛光液 在存储芯片和成熟的逻辑 芯片制程持续验证,扩大 销售;持续优化用于28nm 及以下技术节点的产品并 在客户端进行测试。持续开发和优化用于 成熟技术节点和先进 技术节点的产品并在 客户端进行测试验 证,扩大应用范围。达到国际先 进水平逐步完善产品,扩 大应用和市场份 额。
6介电材料抛 光液系列产 品1,200.00105.28352.99开发了多款用于逻辑芯片 制程工艺的氮化硅抛光液 并在客户端测试,优化了 具有更高性价比的氧化硅 抛光液并在客户端测试。持续开发和优化氮化 硅抛光液并在客户端 测试验证;开发具有 更高性价比的氧化硅 抛光液在客户端测试 验证。达到国际先 进水平逐步完善产品,扩 大应用和市场份 额。
7新材料新工 艺用抛光液 系列产品2,000.00678.66957.34多款用于三维集成工艺的 抛光液如混合键合抛光 液、聚合物抛光液等在多 个客户端测试验证,并逐 步实现销售。持续与客户合作,完 成新材料用抛光液和 三维集成用抛光液的 开发和测试,扩大应 用。达到国际先 进水平持续扩大应用和市 场份额。
8刻蚀后清洗 液12,000.001,631.894,232.96用于先进技术节点的产品 在客户端持续验证扩大销 售,新技术需求产品持续 研发验证中。持续与客户合作,完 成先进技术节点刻蚀 后清洗液开发及产业 化达到国际先 进水平逐步完善产品,扩 大应用和市场份 额。
9光刻胶剥离 液1,000.00205.34379.85批量应用于晶圆级封装等 超越摩尔领域中,并持续 扩大应用,新技术需求产 品持续迭代中。厚膜光刻胶剥离液持 续优化,满足超越摩 尔等产品需求达到国际先 进水平满足先进技术节点 需求,市场前景广 阔。
10刻蚀液2,000.00220.47871.20成功建立刻蚀液技术平 台,刻蚀液研发正在按计 划进行中。开发适用于12英寸 先进制程独特配方型 刻蚀液,支持先进工 艺发展达到国际先 进水平满足先进技术节点 需求,市场前景广 阔。
11电镀液1,000.00297.99705.54完善集成电路大马士革工 艺及先进封装电镀产品 线,开始量产。建立电化学镀技术平 台,开发满足集成电 路大马士革工艺及先 进封装凸点工艺等电 镀液添加剂并进行产 业化达到国际先 进水平满足集成电路大马 士革工艺及先进封 装需求,市场前景 广阔。
12电子级添加 剂纯化3,000.00286.461,498.36成功建立电子级添加剂纯 化技术平台,多款添加剂 纯化达到ppb级别,并实 现量产,新技术需求产品 持续研发验证中。开发电子级添加剂纯 化技术,实现原材料 自主可控达到国际先 进水平满足先进技术发展 需求,有效支持公 司长期发展。
13高端纳米磨 料3,000.00754.372,052.40部分产品已通过客户端测 试验证,进入量产阶段。抛光指标和性能达到 国际先进水平达到国际先 进水平客制化磨料与进口 磨料互补,保障供 应安全。
合计/60,200.0010,034.2228,297.24////



5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)202151
研发人员数量占公司总人数的比例(%)46.9842.65
研发人员薪酬合计3,945.653,332.59
研发人员平均薪酬19.5322.07
注:上述薪酬不含股权激励,研发人员平均薪酬同比下降主要是由于第二季度公司为满足持续高强度研发活动的需要,新招募了各层级、各类型的研发技术人员导致。


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士2813.86
硕士4220.79
本科10250.50
大专2311.39
大专以下73.47
合计202100
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
20岁-29岁(含)10953.96
30岁-39岁(含)6934.16
40岁-49岁(含)157.43
50岁-60岁(含)94.46
合计202100

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、深耕高端半导体材料领域
公司自成立之初就将自己定位为以科技创新及知识产权为本的高端半导体材料供应伙伴,始终围绕液体与固体衬底表面处理和高端化学品配方核心技术并持续专注投入,成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液和部分功能性湿电子化学品的垄断,并在报告期内拓展和强化了电化学沉积领域的技术平台,产品覆盖多种电镀液及添加剂。

公司通过多年持续投入,已拥有一系列具有自主知识产权的核心技术,成熟并广泛应用于公司产品中。截至2023年6月30日,公司及子公司拥有境内外授权发明专利264项。同时,公司持续加强知识产权管理,依照国家《企业知识产权管理规范》制订了完善的知识产权管理体系,并通过了国家知识产权管理体系认证。公司通过完善的知识产权布局保护核心技术,持续创新并更新知识产权库,实现产品和技术的差异化,为公司开发新产品和开拓新业务创造了有利条件。

未来,公司将凭借在高端半导体材料领域积累的宝贵经验持续深耕,依托已有的先进技术平台和人才团队为客户提供高附加值的产品和服务。

2、持续的研发投入和高效的产品转化
公司持续投入的资金、人力等研发资源,将重点聚焦在产品创新上,以满足下游集成电路制造和先进封装行业全球领先客户的尖端产品应用,已成为国内高端半导体材料行业领域的领先供应商。最近三年,公司研发费用分别为8,889.84万元、15,310.78万元和16,136.46万元,累计占最近三年累计营业收入的比例为18.45%,研发投入持续保持在较高水平。

公司致力于为集成电路产业提供以创新驱动的、高性能并具成本优势的产品和技术解决方案,从解决方案设计、产品研发、测试认证、供应保障、物流配套、技术支持等方面着手,提供全生命周期、全价值链的一站式服务。得益于有竞争力的商业模式,公司产品研发效率高且具有针对性。公司利用在化学配方、材料科学等领域的专长,持续研发创新产品或改进产品以满足下游技术先进客户的需求,将客户面临的具体挑战转化成现实的产品和可行的工艺解决方案。

3、国际化、多元化的人才储备
通过多年的集成电路制造及先进封装领域的研发实践,公司组建了一批高素质的核心管理团队和专业化的核心技术团队。最近三年末,公司研发人员数量分别为119人、145人、180人,占员工总数的比重分别为42.65%、43.81%、45.69%,研发人才队伍不断扩充。公司核心技术团队均由资深行业专家组成,在化学、材料化学、材料工程等专业领域有着长达几十年的研究经验,并在半导体材料行业深耕积累了数十年的丰富经验和先进技术。公司核心管理团队也在战略规划、行业发展、人才培养、团队建设、销售与市场、跨国公司管理等方面拥有丰富经验。公司管理团队在半导体材料及相关行业的丰富经验为公司的业务发展带来了全球先进乃至领先的视角。公司高素质的员工队伍为维持竞争优势提供了保证。

与此同时,公司持续加大后备人才引进和培养,整合优势资源,进一步提升公司整体综合实力。团队规模逐渐扩大的同时,团队能力培养初见成效,公司加大培训投入,在识别和分析公司人才需求的基础上,针对性地组织内外部培训、研讨交流会、知识分享会,始终贯彻了“终生学习”的理念,构建了结构化、多元化、体系化的学院式培训,有效提升员工的综合素质能力。

4. 贴近市场和客户的服务模式
公司根植于全球半导体材料的第一大和第二大市场,布局富有经验的应用工程师团队在当地提供 24小时服务。根据 SEMI,2022年中国台湾半导体材料市场规模同比增长 13.6%,达到 201亿美元,继续位居全球第一;中国大陆半导体材料市场规模同比增长7.3%,达到130亿美元,超越韩国位列第二。贴近市场和客户的服务模式有利于公司及时响应客户需求,运输时间短,运输成本低,并且与本土客户文化融合程度高,沟通效率高,具有较强的灵活性。

5. 成熟高效的全流程质量保证体系
公司秉承“客户至上、质量导向、持续创新、全面可靠”的质量方针,致力于满足并超越客户的期望。公司围绕产品导入的全流程建立了成熟有效的产品质量保证体系,在产品研发、供应商管理、进料控制、过程控制、出货控制、客户服务、产品优化和迭代等方面进行全流程质量管控并已通过ISO9001,ISO14001,ISO45001等管理体系的第三方认证。

6.规范的管理机制和高效的风险管控能力
公司始终秉承“使命必达”的工作态度和服务宗旨,以高标准、严要求建立健全了以内部控制为中心的一系列政策体系、管理流程和机制,以全面防范应对各项风险危机。结合公司管理机制,管理团队从国际环境、客户需求等多角度预测,提前部署应对突发事件的准备工作,在人员、物资、原材料及供应链保障等方面制定多项应对方案及工作计划表,进一步保障公司日常生产运营的有序进行。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
安集科技作为一家以科技创新及知识产权为本的高端半导体材料企业,始终致力于高增长率和高功能材料的研发和产业化,坚持“立足中国,服务全球”的战略定位。公司持续深化化学机械抛光液一站式和全方位服务;进一步拓宽功能性湿电子化学品品类;在自主研发的基础上,引入电镀液及添加剂的国际合作,逐步覆盖多种产品品类;不断加深加快关键原材料的自主可控进程。在打破特定领域高端材料 100%进口局面,填补国内技术空白的基础上,带动、引领半导体材料产业链的快速发展。

? 市场拓展规划成效显现,营业收入稳健增长
公司基于“立足中国,服务全球”的战略定位,制定了切实可行的市场开拓策略,在面对行业和环境反复多变的情况下,公司继续保持与现有客户积极紧密的合作关系,以创新驱动产品升级的能力持续增强现有客户粘度,巩固市场地位,与此同时,加大力度开拓中国大陆地区成熟制程的市场,以丰富经验及可靠的数据支撑和供应能力吸引新客户,开发新应用、开拓新兴市场领域,加大国产替代进程。另外,为践行“服务全球”的战略宗旨,公司投入更多资源深入耕耘中国台湾及海外客户的市场份额。报告期内,市场开拓成效显现,客户数量客户用量保持健康增长,公司实现营业收入 57,491.03 万元,比去年同期增长 14.21%;归属于上市公司股东的净利润为23,501.45 万元,较去年同期增长 85.25%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为16,076.94万元,较去年同期增长18.61%。

? 夯实技术平台建设,提升核心竞争优势
公司始终秉承“研发创新驱动企业发展”的理念,持续研发投入,不断延伸研发创新能力,扩大市场开拓。公司始终围绕液体与固体衬底表面的微观处理技术和高端化学品配方核心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建了“化学机械抛光液-全品类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局”、“电镀液及其添加剂-强化及提升电镀高端产品系列战略供应”三大具有核心竞争力的技术平台及应用领域。同时,公司基于长期实践运用对高端纳米磨料及电子级添加剂等关键原材料有着深刻的理解并长期投入,研发经历了实验室小试、中试放大及工艺优化等阶段,掌握了高端纳米磨料制备技术、电子级添加剂纯化技术等核心工艺技术,通过中试放大研究了放大生产关键工艺参数及其放大路径,为进一步规模化生产奠定了坚实的技术基础。公司技术已涵盖集成电路制造中的“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺,产品组合可广泛应用于芯片前道制造及后道先进封装过程中的抛光、刻蚀、沉积等关键循环重复工艺及衔接各工艺步骤的清洗工序,结合高端纳米磨料及电子级添加剂纯化技术的熟练掌握,公司技术成果转化能力全面提升,进一步加强公司核心竞争优势。

? 完善人才激励、团队建设,凝心聚力共同前行
公司不断铸造创新驱动、研发技术迭代发展硬科技实力的同时,坚定人才强企战略,坚持“尊重、关怀、以人为本”的企业价值观,夯实企业软实力。报告期内,公司启动2023年限制股票激励计划,向201名员工授予749,164股限制性股票,将股权激励工具融入于薪酬管理体系,真正实现可持续性的长效激励机制。

报告期内,公司顺利完成金桥研发中心新址搬迁工作,随着进驻新址,员工办公环境得到全面提升,研发设备更加先进、完善,研发中心及上海浦东金桥生产基地合二为一,团队距离更加贴近。安集科技势将以此为新起点,继续发扬“克难攻坚,敢打硬仗”的创新精神,持续专注高端半导体材料的研发和产业化,共同实现公司的使命与愿景!

报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)产品开发风险
公司产品主要应用于集成电路制造和先进封装领域,对于产品技术创新要求较高。在下游产品不断提出更高技术要求的前提下,对上游关键半导体材料的要求也在不断提高,公司需要对客户需求进行持续跟踪研究并开发满足客户需求的产品。如果公司未来不能准确地把握技术发展趋势,在产品开发方向的战略决策上出现失误,或者未能及时进行产品升级和新技术的运用,将使得公司产品开发的成功率受到影响,持续大量的研发投入成本无法回收,进而对公司经营造成不利影响。

(二)客户集中度较高风险
2020年度、2021年度、2022年度和2023年上半年,公司向前五名客户合计的销售额占当期销售总额的百分比分别为84.99%、84.45%、82.47%和82.84%。公司销售较为集中的主要原因系国内外集成电路制造行业本身集中度较高、公司产品定位领先技术的特点和“本土化、定制化、一体化”的服务模式等,且公司主要客户均为国内外领先的集成电路制造厂商。如果公司的主要客户流失,或者主要客户因各种原因大幅减少对公司的采购量或者要求大幅下调产品价格,公司的经营业绩可能出现下降。

(三)原材料供应及价格上涨风险
目前公司生产所需的部分主要原材料采购来源以进口为主。2020 年度、2021 年度、2022 年度和2023年上半年,公司向前五名供应商合计的采购额占当期采购总额的百分比分别为53.21%、51.27%、52.81%和48.73%,采购相对集中。如果公司主要供应商的供货条款发生重大调整或者停产、交付能力下降、供应中断等,或者进出口政策出现重大变化,或者出现国际贸易摩擦,或者原材料采购国采取出口管制,或者公司主要原材料价格受市场影响出现上升,将可能对公司原材料供应的稳定性、及时性和价格产生不利影响,从而对公司的经营业绩造成不利影响。

此外,公司主要从上游基础化工或精细化工行业采购原材料,随着环保政策趋严,供应趋紧,原材料价格可能存在上涨的风险。(未完)
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