[年报]捷捷微电(300623):2023年年度报告

时间:2024年03月12日 20:47:33 中财网

原标题:捷捷微电:2023年年度报告

江苏捷捷微电子股份有限公司 2023年年度报告 2024-034【2024年3月】
2023年年度报告
第一节重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人黄善兵、主管会计工作负责人朱瑛及会计机构负责人(会计主管人员)张志红声明:保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

公司在经营管理中可能面临的风险与对策举措已在本报告中第三节“管理层讨论与分析”之“十一、公司未来发展的展望”部分予以描述。敬请广大投资者关注,并注意投资风险。

一、管理及人力资源风险。公司业务正处在快速发展阶段,多个重大投资项目实施建设后,资产与业务规模的扩张将对公司的管理及人力资源需求提出更高的要求,公司管理及销售人员将增加,技术人员、生产线工人将在现有基础上大幅增加,且国内制造业用工成本逐年增长,公司存在人力资源不足及人力成本上升的风险;同时,公司业务及资产规模的扩张将对公司现有的管理体系及管理制度形成挑战,如公司管理体系及管理制度不能适应扩大后的业务及资产规模,公司将面临经营管理风险。

二、市场竞争加剧的风险。国际知名大型半导体公司占据了我国半导体市场50%左右的份额,我国本土功率半导体分立器件生产企业众多,但主要集中和器件的研发、设计、生产和销售一体化的业务体系,主要竞争对手为国际知名大型半导体公司,随着公司销售规模的扩大,公司与国际大型半导体公司形成日益激烈的市场竞争关系,加剧了公司在市场上的竞争风险。

三、资产折旧摊销增加的风险。随着公司“高端功率半导体产业化建设项目”、功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目及其它投资项目投入使用或逐步投入使用,固定资产规模大幅增加,资产折旧摊销随之加大,若不能及时释放产能产生效益,将对公司经营业务产生不利影响。

四、重点研发项目及在建工程进展不及预期的风险。近年来,公司一直致力于产业链的拓宽和产品的转型升级,并以重点研发项目为牵引,加大研发投入力度,以及公司重大项目工程已开工建设。由于国外先进半导体制造商产品更具品牌效应与关键技术可靠性与稳定性,客户对于新产品的立项或论证(可替换)周期较长,在项目工程施工的执行过程中,也存在法律、法规、政策、履约能力、技术、市场等方面不确定性,还可能受外部环境发生重大变化、突发意外事件,以及其他不可抗力因素影响等,公司可能会面临重点研发项目及在建工程进展不及预期的风险。

五、募集资金运用的风险。募集资金投资项目涉及公司业务和产品结构的扩充、升级,面临战略布局、资源重新配置、运营管理优化等全方位的挑战。

基于目前的市场环境、产业政策、技术革新等不确定或不可控因素的影响,项目实施过程中,可能出现项目延期、投资超支、市场环境变化等情况,以及项目建成投产后的市场开拓、产品客户接受程度、销售价格等可能与公司预测存在差异,投资项目存在无法正常实施或者无法实现预期目标的风险。

六、国际政治经济环境变化风险。近年来,国际环境复杂多变,美国对中国半导体行业采取了多项限制措施,包括限制中国企业获取高性能芯片和先进计算机、限制美国人为涉及中国的特定半导体活动提供支持、限制中国获取先进半导体制造物项与设备等。标的公司所处行业属于美国加以压制的行业之一,面对国际环境复杂多变、贸易摩擦升级,标的公司面临的外部环境不利因素增多,如果贸易摩擦持续升级,将对标的公司的经营活动带来一定的不利影响。

七、环保风险。功率半导体分立器件制造过程涉及到多种化学工艺,会产生以废水、废气为主的污染物。环保问题已经越来越受到我国政府的重视,不排除今后由于环保标准提高导致公司环保费用增加的可能。此外,若在生产过程中因管理疏忽、不可抗力等因素以致出现环境事故,可能会对环境造成一定的破坏和不良后果。若出现环保方面的意外事件、对环境造成污染、触犯环保方面法律法规,则会对公司的声誉及日常经营造成不利影响。

公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为:以734,866,697为基数,向全体股东每10股派发现金红利0.58元(含税),送红股0股(含税),以资本公积金向全体股东每10股转增0股。

目录
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第一节重要提示、目录和释义...........................
第二节公司简介和主要财务指标.........................错误!未定义书签。

第三节管理层讨论与分析...............................错误!未定义书签。

第四节公司治理.......................................错误!未定义书签。

第五节环境和社会责任...........................................114第六节重要事项.................................................124第七节股份变动及股东情况.......................................153第八节优先股相关情况...........................................162第九节债券相关情况.................................错误!未定义书签。63第十节财务报告.....................................错误!未定义书签。67备查文件目录
一、载有法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的会计报表。

二、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。

三、报告期内在巨潮资讯网上披露的所有公司文件的正本及公告的原稿。

四、载有公司法定代表人签名的2023年年度报告文本原件。

五、其他相关资料。

以上备查文件的备置地点:公司董秘办。

释义

释义项释义内容
捷捷微电、公司、本公司江苏捷捷微电子股份有限公司
捷捷半导体捷捷半导体有限公司
捷捷上海捷捷微电(上海)科技有限公司
捷捷深圳捷捷微电(深圳)有限公司
捷捷新材料江苏捷捷半导体新材料有限公司
捷捷无锡捷捷微电(无锡)科技有限公司
捷捷南通科技捷捷微电(南通)科技有限公司
捷捷研究院江苏捷捷半导体技术研究院有限公司
江苏易矽江苏易矽科技有限公司
中创投资南通中创投资管理有限公司
捷捷投资江苏捷捷投资有限公司
蓉俊投资南通蓉俊投资管理有限公司
易微微电子深圳易微微电子科技有限公司
南通微电子捷捷微电(南通)微电子有限公司
半导体分立器件由单个半导体晶体管构成的具有独 立、完整功能的器件,其本身在功能 上不能再细分。例如:二极管、三极 管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸 管(可控硅)、场效应晶体管(结型 场效应晶体管、MOSFET)、IGBT、 IGCT、发光二极管、敏感器件等。
功率半导体分立器件能够耐受高电压或承受大电流的半导 体分立器件,主要用于电能变换和控 制。
新型片式元器件无引线或短引线的新型微小元器件, 又称片式元器件,它适合于在没有穿 通孔的印制板上安装,是SMT的专用元 器件。其具有尺寸小、重量轻、安装 密度高、可靠性高、抗振性好、高频 特性好等特点。
光电混合集成电路把光器件和电器件集成为有某种光电 功能的模块或组件,用分立器件的管 心集成在一起的称为“光电混合集成 模块”。
电力电子技术使用功率半导体分立器件对电能进行 变换和控制的技术。电力电子技术所 变换的“电力”功率可大到数百兆瓦 甚至吉瓦,也可以小到数瓦甚至1瓦以 下。
ICIntegratedCircuit即集成电路,采 用一定的工艺,把一个电路中所需的 晶体管、电阻、电容和电感等元件及 布线互连一起,制作在一小块或几小 块半导体晶片或介质基片上,然后封 装在一个管壳内,成为具有所需电路 功能的微型结构,从而实现电路或者 系统功能的半导体器件。
功率IC功率IC(IntegratedCircuit)是电 力电子器件技术与微电子技术相结合
  的产物。将功率半导体器件及驱动/ 控制/保护/接口/监测等等外围电 路集成在一个或几个芯片上,包括AC- AC变压器、AC-DC整流器、DC-AC逆变 器、DC-DC稳压器、电源管理IC、驱动 IC等。
芯片如无特殊说明,本文所述芯片专指功 率半导体分立器件芯片,系通过在硅 晶圆片上进行抛光、氧化、扩散、光 刻等一系列的工艺加工后,在一个硅 晶圆片上同时制成许多构造相同、功 能相同的晶粒,再经过划片分立后便 得到单独的晶粒,即为芯片。这个晶 片虽已具有了半导体器件的全部功 能,但还需要通过封装后才能使用。
封装将半导体芯片安装在规定的外壳内, 起到固定、密封、保护芯片、增强导 电性能和导热性能、同时通过内部连 线将芯片电极与外部电极相连接的作 用。
晶闸管/可控硅(SCR)晶体闸流管(thyristor)的简称,又 可称作可控硅整流器,能在高电压、 大电流条件下工作,且其工作过程可 以控制和变换电能,被广泛应用于可 控整流、交流调压、无触点电子开 关、逆变及变频等电子电路中。
防护器件功率半导体防护器件,又称为“半导 体防护器件”、“保护器件”或“保 护元件”,从保护原理上又可以分为 “过电流保护”和“过电压保护”, 过电流保护元件主要有普通熔断器、 热熔断器、自恢复熔断器及熔断电阻 器(保护电阻)等,在电路中出现电 流或热等异常现象时,会立即切断电 路而起到保护作用;过电压保护元件 主要有压敏电阻、气体放电管、半导 体放电管(TSS)、瞬态抑制二极管 (TVS)、TVS阵列(ESD)等,在电路 中出现电压异常时,过电压保护元件 会将电压钳制在电路安全的电压额定 值下,当电压异常消除时,电路又恢 复正常工作。
二极管一种具有正向导通反向截止功能的半 导体器件。
厚模组件厚模:即厚模集成,用丝网印刷和烧 结等厚膜工艺在同一基片上制作无源 网络,并在其上组装分立的半导体器 件芯片或单片集成电路或微型元件, 再外加封装而成的混合集成电路。组 件:只是把可控硅芯片、二极管芯片 等焊接上下金属片或焊接在DBC上的半 成品组件方便客户后续使用。
MOSFET简称金氧半场效晶体管,是一种可以 广泛使用在模拟电路和数字电路的场 效应晶体管。MOSFET可以实现较大的 导通电流,导通电流可以达到上千安 培,并且可以在较高频率下运行可以
  达到MHz甚至几十MHz,但是器件的耐 压能力一般。因此MOSFET可以广泛地 运用于开关电源、镇流器、高频感应 加热等领域。
肖特基二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD), 在通信电源、变频器等中比较常见。 是以金属和半导体接触形成的势垒为 基础的二极管芯片,具有反向恢复时 间极短(可以小到几纳秒),正向导 通压降更低(仅0.4V左右)的特点。
IGBTBJT和MOSFET组成的复合功率半导体 器件,同时具备MOSFET开关速度高、 输入阻抗高、控制功率低、驱动电路 简单、开关损耗小的优点和BJT导通 电压低、通态电流大、损耗小的优 点。
FRDFastRecoveryDiode,快恢复功率二 极管(FRD)采用PN结构,采用扩散 工艺,可以实现短时间的反向恢复, 一般反向恢复时间小于5微秒,广泛 的使用在变换器中。超快恢复功率二 极管(UFRD)在快速恢复功率二极管 的基础上,采用外延工艺,实现超快 速反向恢复。
压敏电阻由在电子级ZnO粉末基料中掺入少量的 电子级Bi2O3、Co2O3、MnO2、 Sb2O3、TiO2、Cr2O3、Ni2O3等多种 添加剂,经混合、成型、烧结等工艺 过程制成的精细半导体电子陶瓷;它 具有电阻值对外加电压敏感变化的特 性,主要用于感知、限制电路中可能 出现的各种瞬态过电压、吸收浪涌能 量。
贴片Y电容电容既不产生也不消耗能量,是储能 元件。Y电容是分别跨接在电力线两线 和地之间(L-E,N-E)的电容,一般 是成对出现。塑封贴片陶瓷Y电容主要 适用于超薄电视,开关电源和手机适 配器。
碳化硅(SiC)器件俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的 陶瓷状化合物,使用碳化硅材料制作 的器件称之为“碳化硅器件”。主要 应用于:碳化硅器件主要以电动汽 车、消费类电子、新能源、轨道交通 等。
氮化镓(GaN)器件氮和镓的化合物,使用氮化镓材料制 作的器件称之为“氮化镓器件”。主 要应用于:LED、服务器电源、车载充 电、光伏逆变器以及远距离信号传输 和高功率级别,如雷达、移动基站、 卫星通信、电子战等。
单晶硅单晶体硅材料,其硅原子以金刚石结 构进行晶格排列,具有基本完整的晶 格结构的单晶体。不同的晶向具有不 同的性质,是一种良好的半导体材 料。用于集成电路和半导体分立器件 的生产制造。
碳化硅(SiC)俗称金刚砂,一种碳硅化合物,是第 三代半导体的主要材料。
氮化镓(GaN)氮和镓的化合物,是一种直接能隙的 半导体,是一种重要的宽禁带半导体 材料。
RoHS由欧盟立法制定的一项强制性标准, 它的全称是《关于限制在电子电器设 备中使用某些有害成分的指令》 (RestrictionofHazardous Substances)。主要用于规范电子电 气产品的材料及工艺标准,使之更加 有利于人体健康及环境保护。
UL(美国)保险商试验所(Underwriter LaboratoriesInc.),该实验室主要 从事产品的安全认证和经营安全证明 业务。
IDMIntegratedDeviceManufacturer, 垂直整合制造商,代表垂直整合制造 模式,指业务范围涵盖芯片设计、晶 圆制造、封装测试等全业务环节的集 成电路企业组织模式。
Fabless无晶圆厂的集成电路设计企业,与IDM 相比,指仅仅从事集成电路的研发设 计和销售,而将晶圆制造、封装测试 业务外包给专门的晶圆代工、封装测 试厂商的模式。
VDMOS垂直双扩散金属氧化物半导体场效应 晶体管(VerticalDouble-diffused Mosfet),电流在芯片垂直方向流动 的DMOS器件,兼有双极晶体管和普通 MOS器件的优点。
SGTMOS中文全称:屏蔽栅沟槽,分别为LV SGTMOS器件和MVSGTMOS器件,是目 前半导体功率MOSFET中低压领域最前 沿的先进核心技术,与传统沟槽结构 相比,能大幅降低传导和开关损耗, 明显提升电源电力转换效率,并且在 高性能领域具有明显的成本优势。
wafer晶圆,加工制作成各种电路元件结构 的半导体硅晶片,一般分为4英寸、6 英寸、8英寸、12英寸规格不等。
FAB制造工厂(半导体)
CPControlPlan(控制计划)的英文简 称,质量工具,提供过程监视和控制 方法,用于对特性的控制,是对控制 产品所要求的体系和过程的系统的文 件化的描述。
WIPWIP(workinprogress)指的是生产 过程中的在制品。
FTP网上数据传输系统
8D“EightDisciplinesProblem Solving”的缩写,是团队导向问题解 决方法,常用于品质工程师或其他专 业人员。
FMEA潜在的失效模式及后果分析(Failure ModeandEffectsAnalysis,简记为 FMEA),质量工具是“事前的预防措
  施”,并“由下至上,一般用在产品 研发过程和工艺开发过程中。
APQPAdvancedProductQualityPlanning 产品质量先期策划,质量工具,是质 量管理体系的重要组成部分,用于对 产品和工艺开发的过程控制所需的步 骤。
PPAPProductionpartapprovalprocess. 生产件批准程序,用来确定供应商是否 已经正确理解了顾客工程设计记录和 规范的所有要求,以及其生产过程是 否具有潜在能力,在实际生产过程中 按规定的生产节拍满足顾客要求的产 品。
MSA测量系统分析(MeasurementSystems Analysis,MSA),通过统计分析的手 段,对构成测量系统的各影响因子进 行统计变差分析和研究以得到测量系 统是否准确可靠的结论。
SPC统计过程控制(StatisticalProcess Control)是一种借助数理统计方法的 过程控制工具,根据反馈信息及时发 现系统性因素出现的征兆,并采取措 施消除其影响,使过程维持在仅受随 机性因素影响的受控状态,以达到控 制质量的目的。
DOEDOE(DESIGNOFEXPERIMENT试验设 计)在质量控制的整个过程中扮演了 非常重要的角色,它是我们产品质量 提高,工艺流程改善的重要保证。
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《江苏捷捷微电子股份有限公司公司 章程》
中国证监会中国证券监督管理委员会
报告期2023年1月1日至2023年12月31日止
上年同期2022年1月1日至2022年12月31日止
元/万元人民币元/万元
股东大会江苏捷捷微电子股份有限公司股东大 会
董事会江苏捷捷微电子股份有限公司董事会
监事会江苏捷捷微电子股份有限公司监事会
第二节公司简介和主要财务指标
一、公司信息

股票简称捷捷微电股票代码300623
公司的中文名称江苏捷捷微电子股份有限公司  
公司的中文简称捷捷微电  
公司的外文名称(如有)JiangsuJieJieMicroelectronicsCo.,Ltd.  
公司的法定代表人黄善兵  
注册地址江苏省启东市经济开发区钱塘江路3000号  
注册地址的邮政编码226200  
公司注册地址历史变更情况公司上市时的注册地址为“江苏省启东科技创业园兴龙路8号”,2020年7月6日变更为 “江苏省启东市经济开发区钱塘江路3000号”。  
办公地址江苏省启东市经济开发区钱塘江路3000号  
办公地址的邮政编码226200  
公司网址http://www.jjwdz.com/  
电子信箱[email protected]  
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名张家铨沈志鹏
联系地址江苏省启东市经济开发区钱塘江路 3000号江苏省启东市经济开发区钱塘江路 3000号
电话0513-832288130513-83228813
传真0513-832200810513-83220081
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的证券交易所网站深圳证券交易所(http://www.szse.cn)
公司披露年度报告的媒体名称及网址《证券时报》、《中国证券报》、巨潮资讯网 (http://www.cninfo.com.cn)
公司年度报告备置地点公司董秘办
四、其他有关资料
公司聘请的会计师事务所

会计师事务所名称容诚会计师事务所(特殊普通合伙)
会计师事务所办公地址北京市西城区阜成门外大街22号1幢外经贸大厦901-22至 901-26
签字会计师姓名潘坤、奚澍、周思莹
公司聘请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构

保荐机构名称保荐机构办公地址保荐代表人姓名持续督导期间
华创证券有限责任公司贵州省贵阳市云岩区中华北 路216号华创大厦杨锦雄、万静雯2019年1月22日-2024年12月 31日
公司聘请的报告期内履行持续督导职责的财务顾问
□适用 ?不适用
五、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
□是 ?否

 2023年2022年本年比上年增减2021年
营业收入(元)2,106,360,178.681,823,510,570.8015.51%1,772,800,861.84
归属于上市公司股东 的净利润(元)219,129,187.55359,454,254.44-39.04%497,056,872.37
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润(元)204,261,573.12300,299,217.14-31.98%458,768,737.35
经营活动产生的现金 流量净额(元)934,614,802.10337,294,145.56177.09%396,381,073.76
基本每股收益(元/ 股)0.300.49-38.78%0.68
稀释每股收益(元/ 股)0.280.46-39.13%0.64
加权平均净资产收益 率5.97%10.50%-4.53%17.88%
 2023年末2022年末本年末比上年末增减2021年末
资产总额(元)7,721,873,336.437,624,824,487.221.27%5,726,489,037.73
归属于上市公司股东 的净资产(元)3,758,525,074.693,579,699,142.165.00%3,269,250,995.43
公司最近三个会计年度扣除非经常性损益前后净利润孰低者均为负值,且最近一年审计报告显示公司持续经营能力存在不
确定性
□是 ?否
扣除非经常损益前后的净利润孰低者为负值
□是 ?否
截止披露前一交易日的公司总股本:

截止披露前一交易日的公司总股本(股)736,321,359.00
公司报告期末至年度报告披露日股本是否因发行新股、增发、配股、股权激励行权、回购等原因发生变化且影响所有者权
益金额
?
是□否

支付的优先股股利0.00
支付的永续债利息(元)0.00
用最新股本计算的全面摊薄每股收益(元/股)0.2976
六、分季度主要财务指标
单位:元

 第一季度第二季度第三季度第四季度
营业收入403,374,881.98497,651,738.20525,428,657.29679,904,901.21
归属于上市公司股东 的净利润31,761,034.2864,299,228.0346,468,974.8276,599,950.42
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润27,399,389.7449,436,421.1037,026,615.2090,399,147.08
经营活动产生的现金 流量净额34,426,380.41138,779,000.77557,002,916.16204,406,504.76
上述财务指标或其加总数是否与公司已披露季度报告、半年度报告相关财务指标存在重大差异□是 ?否
七、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况□适用 ?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况□适用 ?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

八、非经常性损益项目及金额
?适用□不适用
单位:元

项目2023年金额2022年金额2021年金额说明
非流动性资产处置损 益(包括已计提资产 减值准备的冲销部 分)447,842.0836,967,509.69848,200.56 
计入当期损益的政府 补助(与公司正常经 营业务密切相关,符 合国家政策规定、按 照确定的标准享有、 对公司损益产生持续 影响的政府补助除 外)20,130,818.0043,650,102.7119,978,801.34 
除同公司正常经营业 务相关的有效套期保 值业务外,非金融企 业持有金融资产和金-22,021.05515,996.9027,661,059.45 
融负债产生的公允价 值变动损益以及处置 金融资产和金融负债 产生的损益    
单独进行减值测试的 应收款项减值准备转 回 102,838.75155,294.65 
除上述各项之外的其 他营业外收入和支出436,476.66-757,007.36-1,393,925.10 
减:所得税影响额2,936,989.165,117,827.417,556,047.67 
少数股东权益影 响额(税后)3,188,512.1016,206,575.981,405,248.21 
合计14,867,614.4359,155,037.3038,288,135.02--
其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况:
□适用 ?不适用
公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目
的情况说明
□适用 ?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常
性损益的项目的情形。

第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所处行业情况 功率半导体可以分为功率器件、功率IC(IntegratedCircuit)和功率模组等。功率器 件是进行电能(功率)处理的核心器件,是弱电控制与强电运行间的桥梁,主要由二极管、 晶闸管、晶体管等构成;功率IC是电力电子器件技术与微电子技术相结合的产物,将功率器 件及其驱动电路、保护电路、接口电路等外围电路集成在一个或几个芯片上,包括AC-AC变 压器、AC-DC整流器、DC-AC逆变器、DC-DC稳压器等;功率模块是功率器件按一定的功能组 合封装而成的模块。 功率半导体产业链如下:功率半导体作为电子装置电能转换与电路控制的核心,能够实现变频、变相、变压、逆变等功能,在当前的大功率、大电流、高频高速等应用领域有着无法替代的关键作用,被广泛应用于汽车、消费电子、新能源等领域。2021年全球半导体和全球功率分立器件由于市场半导体芯片涨价、囤货以及计算市场、汽车电子、通信市场、消费电子、工业电子各市场需求等因素快速增长,2022年全球半导体和全球功率分立器件由于受到下游库存及消费类行业需求低迷等因素的影响,增长放缓,但车规及光伏储能行业的需求依旧保持旺盛。2023年以来,由于通胀加剧以及智能手机、PC等终端市场需求疲弱,导致内存需求预估将呈现大幅减少、逻辑芯片需求萎缩等因素,WSTS进一步调降了对2023年的预测,预计2023年全球半导体销售额仅为5151亿美元,同比下跌幅度达到10.3%。IDC预测,全球半导体产业市场规模在2023年将同比降低13.1%至5188亿美元。整体来看,2023年全球市场规模预计会呈现10%左右幅度的下滑。但对2024年的市场趋势,全球各主要机构均持乐观预期。根据McKinsey的预测,全球半导体市场规模将从2021年的5,900亿美元增长到2030年的10,650亿美元,2021-2030年CAGR7%,其中增速最快的领域为汽车领域,其次是工业领域。另外,根据市场研究机构Omdia预测,预计至2024年全球功率半导体市场规模将增长至522亿美元。随着消费电子市场逐步回暖,晶圆厂商去库存逐步完成,全球半导体市场将在2023年下半年逐渐恢复增长,2024年会逐渐回归增长轨道,增长速度有望达到20%。

随着新基建、物联网、云计算等新一代信息技术的发展,功率半导体芯片的应用领域越加广泛,同时新兴技术的发展也对功率半导体芯片提出了轻薄小、更高功率密度、更低功耗的国产化率处于较低水平,功率半导体企业的市场占有率亦相对较低,在中美贸易摩擦和科技对垒的大环境下,进口替代空间巨大。

功率半导体作为技术密集、资金密集和人才密集型行业,前期投入大、回报周期长、投资风险大,为了加快国产化进程,近年来国家先后出台了《基础电子元器件产业发展行动计划(2021-2023年)》、《电子信息制造业2023—2024年稳增长行动方案》等,支持高端功率半导体的国产化替代,为功率半导体市场的稳步发展提供了良好的政策环境。

公司经过多年的经营积累,已掌握了独立的功率半导体技术,产品的品质以及稳定性等获得了全球一线品牌的认可。随着PC、手机产品销量的逐渐放缓,功率半导体产业发展的下游推动力量已经开始向5G、汽车电子、AI、物联网等新兴需求转变,数字化应用场景的快速发展,推动功率半导体行业市场规模快速增长。

二、报告期内公司从事的主要业务
根据《国民经济行业分类与代码》(GB/T4754-2017)公司所处行业为计算机、通信和其他电子设备制造业(C39)和电气机械和器材制造业(C38),属于《产业结构调整指导目录(2019年本)》鼓励类范畴,同时,隶属于国家鼓励的战略性新兴产业范畴。

公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,具备以先进的芯片技术和封装设计、制程及测试为核心竞争力的业务体系,业务模式以IDM模式为主。公司是集功率半导体器件、功率集成电路、新型元件的芯片研发和制造、器件研发和封测、芯片及器件销售和服务为一体的功率(电力)半导体器件制造商和品牌运营商。公司主营产品为各类电力电子器件和芯片,分别为:晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片(包括:TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻等)、二极管器件和芯片(包括:整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等)、厚膜组件、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器件及组件、碳化硅器件等。

公司所处的行业是功率半导体分立器件行业,分立器件是电力电子产品的基础之一,也是构成电力电子变化装置的核心器件之一,主要用于电力电子设备的变频、变相、变压、逆变、整流、稳压、开关、增幅、保护等,具有应用范围广、用量大等特点,在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯、智能穿戴、智能监控、光伏、物联网等众多国民经济领域均有广泛的应用。

公司通过了IATF16949汽车行业质量体系认证、ISO9001质量体系认证、ISO14001环境体系认证、ISO45001职业健康体系认证、QC080000有害物质过程管理体系认证、UL安全认证、SGS环保标准鉴定认证、知识产权管理体系认证、两化融合管理体系等规定,公司产品应符合UL电气绝缘性要求、RoHS环保要求、REACH化学品注册、评估、许可和限制要求、无卤化等。

一、目前公司主要经营模式:
公司晶闸管系列产品、二极管及防护系列产品采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式,即集功率半导体芯片设计、制造、器件设计、封装、测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体。公司MOSFET采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片相结合的业务模式,目前,芯片(8英寸、12英寸)部分为委外流片,部分器件封测代工。

目前,公司具体经营模式如下:
1、采购模式
公司物资管理部负责原材料、辅助生产材料的采购,具体采购程序如下:(1)根据采购计划对采购产品进行分类
(2)采购信息的编制和确定
物资管理部根据《采购计划单》编制《采购合同》,主要原材料采购文件应包括拟采购 产品必要的信息。如有必要,物资采购部应请相关技术、品质管理部参与采购要求和规范的 制定,或与供方共同制定采购要求和规范,以便利用供方专业人员的知识使公司获益。 (3)采购的执行 物资管理部根据经批准的《采购合同》,在《合格供方名录》的供方范围内进行采购。 采购通常以与供方签订供货合同的方式进行,以明确采购产品的价格、交货期限、技术标 准、验收条件、质量要求、违约责任等相关内容;对于长年供货的供方,物资管理部在以合 同的方式向供方明确采购产品的技术标准、验收条件、质量要求、违约责任等相关内容后, 可以采用传真购货或口头通知的方式进行具体的采购;物资管理部应及时跟踪采购进度,反 馈给相关部门。 (4)采购产品的验证 物资管理部应协调采购产品的验证活动;当公司或公司客户提出在供方的现场实施验证 时,物资管理部应在采购信息中对需要在供应商现场开展验证的安排作出规定;采购产品到 达公司后,材料仓库进行登记并存放于待检区,报相关技术、品质管理部进行检验;与供应 商签订的技术协议应交品质管理部进行审核,品质管理部负责技术协议文件的管理和发放, 确保公司使用的技术协议是现行有效的。 2、生产模式 (1)晶闸管和防护器件 公司根据销售订单要求,制定生产计划,由技术管理部制定工艺卡、作业指导书和检验 规程,交给生产人员在生产中参照执行。公司生产部门分为芯片制造部和封装制造部,生产 模式如下:①生产计划和任务单
芯片制造部/封装制造部根据产品要求评审的结果,考虑库存情况,并结合公司的生产能力,制定《生产计划单》;芯片制造部/封装制造部根据《生产计划单》,组织下达《随工单》安排生产;
②动力设备部负责按《设备管理控制程序》的规定做好生产设备的管理、维护和保养工作。

③生产过程控制
A.技术管理部负责编制适宜让生产员工清楚理解的工艺卡、作业指导书和检验规程;B.芯片制造部/封装制造部组织和监督操作者严格依据文件的要求进行操作,做好自检和互检要求的记录;
C.品质管理部根据《产品的监视和测量控制程序》的要求进行产品检验,按《纠正措施控制程序》和《预防措施控制程序》的要求对异常现场进行整改和预防。

(2)MOSFET
公司MOSFET采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片相结合的业务模式。公司部分产品的芯片委托芯片代工厂进行芯片制造,由于产能紧张,芯片一部分用 于公司自主封装,另一部分委托外部封测厂进行封测。除部分产品的芯片制造由代工厂代工 生产外,公司MOSFET产品与晶闸管和防护器件产品生产模式一致。标准按照质量部编制规范检验。 ①工程部门在线WIP跟踪,运营部负责协助处理。 ②封测委外 A.运营部接到销售或者工程部门计划后,经过运营负责人审批后,制定封装计划下发 供应商。 B.物资管理部根据运营订单,安排对应的芯片发货。 C.供应商按照订单进行加工,产出后供应商需要以邮件形式给出正式出货邮件,出货 邮件需要包含型号、数量、订单号,同时及时上传数据到FTP。 D.运营部负责产品收货,根据封装厂商出货清单核实后发货。 E.质量部根据检验规范进行入库检验,检验不合格由检验处理。 (3)IGBT 公司IGBT采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片相结合的业务 模式。公司部分产品的芯片委托芯片代工厂进行芯片制造,由于产能紧张,芯片一部分用于 公司自主封装,另一部分委托外部封测厂进行封测(主要为消费领域类器件)。除部分产品 的芯片制造由代工厂代工生产外,公司IGBT产品与晶闸管和防护器件产品生产模式一致。标准按照质量部编制规范检验。

①工程部门在线WIP跟踪,运营部负责协助处理。

②封测委外。

A.运营部接到销售或者工程部门计划后,经过运营负责人审批后,制定封装计划下发供应商。

B.物资管理部根据运营订单,安排对应的芯片发货。

C.供应商按照订单进行加工,产出后供应商需要以邮件形式给出正式出货邮件,出货邮件需要包含型号,数量,订单号,同时及时上传数据到FTP。

D.运营部负责产品收货,根据封装厂商出货清单核实后发货。

E.质量部根据检验规范进行入库检验,检验不合格有检验处理。

3、研发模式
公司主要采用自主研发模式,公司设有工程技术研究中心,主导新技术、新产品的研究和开发。为提高研发人员的积极性,公司建立了鼓励发明创造奖励制度。该奖励制度不仅提高了研发人员的工作积极性,还可以激励全体员工参与技术革新活动,取得了较为明显的成效。

公司研发活动按照以下流程开展:
(1)项目来源
公司研发项目主要来源于以下三个方面:一是工程技术研究中心基于对行业发展趋势的深入调研并结合公司发展战略和发展目标,选择新技术、新工艺、新产品进行研发;二是公司销售部通过对市场需求进行综合调研后,对前景广阔且市场需求大的新产品、新技术、新工艺提出立项申请;三是来源于客户定制化产品的研发需求。

(2)项目立项
工程技术研究中心接到新产品需求信息后对产品需求信息进行初步论证,如初步论证可行,则召开项目立项会议,确定项目研发内容和项目负责人并组建项目组,正式启动项目研发工作。

(3)设计和开发
项目组根据设计和开发的相关要求,开展设计和开发工作。设计和开发完成后,将召开评审会议,对项目是否已经完成设计和开发工作并取得相应的研发成果予以评定。

(4)反馈和纠正
项目组根据会议评审结果,对项目设计和开发方案予以进一步完善,并将修改和完善的内容及时反馈给工程技术研究中心主任。

(5)产品试制
项目组在品质、生产等相关部门的配合下,依据评审确定的设计和开发方案进行打样,样品质量及性能由品质部负责检验和认定。如样品经检验并经客户验证合格,则召开项目评审会,对样品的性能参数予以全面评估,如评估认定样品的性能参数通过项目验收,则进入批量试生产阶段。

(6)小批量试生产
产品试制通过后,进入小批量试生产环节。项目组指定具体研发人员全程跟踪小批量试生产的作业状况和产品品质,如小批量试生产产品符合相关要求,项目组提交批量投产申请,批量投产申请获得批准后,项目组将设计和开发成果移交生产部门进行大批量生产,项目研发工作结束。

4、销售模式
(1)营销理念
公司的营销理念为:建立售前、售中、售后一体的市场营销团队,发展知名品牌客户和优质渠道商,与客户形成战略性合作,树立公司国际品牌形象,提高市场占有率。

(2)营销方式
公司产品应用的市场领域较多,产品规格多,且对产品性能要求各异。公司既销售公司通用规格的产品,也可以根据客户的诉求为其设计、生产定制化产品,并可对客户提供全方位的技术服务。具体销售流程如下:
A.公司销售人员与客户进行初步沟通,了解客户的产品用途、需求、用量、付款条件等信息,及已有产品不足之处或预期产品需要达到的最佳效果,为客户提供选型服务或建议,与客户建立初步合作关系;
B.如客户有特殊要求,销售人员应与应用工程师或其他部门工程师共同评估公司产品是否满足客户的要求,并选择合适的产品型号;
C.销售人员和区域销售经理评估客户信誉状况,选择合作模式,后续按照此模式逐步推进合作;
D.销售人员提供给客户相应产品的规格书,向客户介绍公司产品特点、性能指标,帮助客户认识、了解公司的产品及性能,并听取客户进一步的意见;
E.根据进度安排,销售人员准备好选型的样品提供给客户,及时跟进客户的试验情况,与客户沟通解决试验中遇到的问题,最终达到客户要求的理想效果;F.针对有特殊要求的客户,如其用量较大或其应用具有领域代表性,公司可为其设计、生产定制化产品,定制化产品销售流程如下:
a.销售人员了解客户的产品特殊要求、产品应用领域、时间进度表、需求量、目标价格、付款条件等信息,填写《定制产品需求单》,交由区域经理或市场营销部正/副部长审核评估;
b.市场营销部将《定制产品需求单》送交相关技术部门和品质管理部,品质管理部组织各部门对定制产品的市场潜力、产品性能以及公司的生产能力、物料物资、资金情况等进行评估,将评估结果向总经理汇报,由总经理做出最终批示;
c.根据总经理同意生产定制产品的批示,市场营销部与客户签订定制产品加工合同;各部门按照分工开始生产样品,样品完成后,由相关技术部门完成产品的考核和试验;d.样品达到预期的性能指标后将该样品的试验结果和样品提供给客户进行产品试验,及时跟进客户的试验情况,改善产品性能并重新送样,最终满足客户要求的理想效果;e.根据客户定制产品的试验、生产情况,公司各部门对定制产品进行总结,确定是否将定制产品纳入公司标准产品的量产计划中。

5、质量管理模式
(1)质量管理目标
根据IATF16949汽车行业质量体系认证、ISO9001质量体系认证、ISO14001环境体系认证、ISO45001职业健康体系认证、QC080000有害物质过程管理体系认证、UL安全认证、SGS环保标准鉴定认证、知识产权管理体系认证、两化融合管理体系等规定,公司产品应符合UL电气绝缘性要求、RoHS环保要求、REACH 化学品注册、评估、许可和限制要求、无卤化等要求,明确各级人员的质量管理职责与权限,以保证公司质量体系持续有效运行,并最终获得顾客满意。

(2)质量管理体系
由公司质量管理部负责构建公司质量体系、有害物质减免管理体系、环境及职业健康安全管理体系相关的规章制度,确保公司产品质量符合品质标准、公司运营活动符合相关政策法规要求;同时,公司坚持持续改进及全员参与质量管理的理念,鼓励所有员工参与质量管理工作,建立TQM管理模式,通过8D方法、QCC等活动体现全员参与和持续改进的质量管理模式,通过建立《数据分析与持续改进控制程序》、《纠正预防措施控制程序》、《QCC活动管理办法》、《8D控制程序》等程序来确保质量管理体系持续改进的要求。

(3)质量过程控制
A.满足顾客要求过程中的质量控制:确保顾客要求得到评审并传达到相关部门执行,顾客抱怨采用8D的方法并在客户要求的时间内提供相应改善报告,FA实验室的建设满足顾客对失效品的原因分析从而制定有效地改善措施;
B.研发过程质量控制:设定产品研发项目质量负责人DQA,参与整个项目的质量管理,建立项目质量计划,确保研发过程中采用过程方法、FMEA/APQP/PPAP/MSA/SPC/DOE等质量工具,其中Fabless+封测业务模式需要外协供应商参与整个研发过程尤其是产品的工艺研发由供应商负责开发,本公司研发人员确认;
C.生产过程质量控制:在生产过程中都需要应用CP/MSA/SPC/DOE等质量工具,同时需要建立首末件检验,过程检验、入库及出库检验机制。IDM模式在公司内部有本公司质量部直接监控或者执行,委外代工的业务模式由供应商质量部直接负责,公司对其从体系上进行保证,重点在于供应商的管理。公司成立独立的SQE部门从供应商的选择开始进行控制,通过使用IATF16949/VDA6.3等审核工具对其进行年度现场稽核,提供产品质量的月度、年度绩效考核来监控供应商的交付质量绩效,对其变更控制作为重点进行管控;D.管理过程质量控制:质量中心组织各公司进行交叉内审工作,对发现的问题进行改进,各公司取长补短共同发展,实现资源的共享和体系的一体化,最高管理者组织季度、年度管理评审根据评审结果制定公司战略、产品战略,问题改进确保质量管理体系持续的适宜性、充分性、有效性。

IDM模式质量管理体系流程图:委外代工业务质量管理体系流程图:6、盈利模式
功率半导体芯片的设计制造能力是公司的核心竞争力,是公司可持续盈利及发展的基础。公司多项功率半导体芯片和封装器件的先进技术不仅保证公司生产工艺领先、标准产品质量可靠,还能够按照客户提出的个性化需求设计、调整功率半导体芯片和封装器件的生产工艺,生产定制产品,及时满足终端产品在电能转换与控制、保护高端电子产品昂贵电路等 方面的技术升级。同时,公司参与到客户的生产经营中,通过分析整理客户在产品结构调 整、品质提升过程中的技术瓶颈,有针对性地研发新技术,改进生产工艺,并根据下游行业 的发展趋势调整自身产品结构,经公司技术、市场、生产、财务、管理各部门共同严格论证 后,将确定未来有广泛市场需求的定制产品转化为公司常规产品生产,最大程度地确保公司 产品响应客户和行业发展的需要。 公司为客户定制产品不仅体现了公司研发创新的技术实力,也表现出公司与客户实现双 赢的市场营销能力,因此,公司产品深受下游客户认可,品牌知名度和美誉度不断提升,客 户结构正向大型化、国际化方向发展,同时,产品市场结构不断延伸,在保持传统家电市 场、工业类市场优势地位的同时,正逐步进入航天、汽车电子、IT产品等新兴市场。 7、管理模式 在长期经营发展中,公司建立了符合公司自身经营特点和发展方式的管理模式,设置合 理的职能部门,在公司董事会制定的经营路线下,坚持公开、透明地执行各项公司制度和发 展计划,协调各部门之间有效配合,形成了较高的管理效率。 半导体行业是技术密集型行业,公司重视研发管理,根据公司现有和未来产品系列分别 设立研发项目组,有针对性地研发新产品和新技术,最大程度地保证公司的研发效率和研发 成果转化率,不断提高市场竞争力和盈利能力。同时,公司不断吸收引进先进人才,通过激 励措施和实践培养,为公司未来发展储备技术、营销、采购等方面的管理人才。 二、公司主要产品系列及用途: 从产品构造划分,公司主要产品是功率半导体芯片和封装器件。功率半导体芯片是决定 功率半导体分立器件性能的核心,在经过后道工序封装后,成为功率半导体分立器件成品。1、晶闸管系列:
晶闸管(又称:可控硅)耐压高、电流大,主要用于电力变换与控制,可以用微小的信号功率对大功率的电流进行控制和变换,具有体积小、重量轻、耐压高、容量大、效率高、控制灵敏、使用寿命长等优点。晶闸管的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电流,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等作用。晶闸管的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面广泛采用的电子元器件。

2、防护器件系列:
半导体防护器件种类较多,主要有半导体放电管(TSS)、瞬态抑制二极管(TVS)、静电防护元、器件(ESD)、集成防护器件、Y电容、压敏电阻等,可应用于仪器仪表、工业控制、汽车电子、手持终端设备、户外安防、电脑主机等各类需要防浪涌冲击、防静电的电子产品内部,保护内部昂贵的电子电路。由于使用场合广泛,市场需求量较大,半导体防护器件市场规模较为稳定。

3、二极管系列:
二极管是最常用的电子器件之一,二极管的单向导电特性可以把正弦波的交流电转变为脉动的直流电。用途广泛,几乎所有的电路中都有使用到。公司二极管芯片采用SIPOS+GPP钝化工艺,具有高可靠性,三种金属组合供客户选择,主要产品有高耐压整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、整流二极管模块组件等,用于民用电器电源整流、工业设备电源整流、漏电断路器、电表、通讯电源、变频器等应用领域。

4、MOSFET系列:
MOSFET,金属-氧化物半导体场效应晶体管,一种全控制型半导体功率分立器件,通过栅极电压的变化来控制输出电流的大小,并实现开通和关断,输入阻抗大、导通电阻小、功耗低、漏电小、工作频率高,工艺基本成熟,是市场规模最大的功率分立器件。应用极其广泛,主要包括电源类和驱动控制类两大类应用。公司MOSFET系列产品主要包括中低压沟槽MOSFET产品、中低压分离栅MOSFET产品、中高压平面VDMOS产品以及超结MOS等产品,广泛用于消费电子、通信、工业控制、汽车电子等领域。

5、IGBT系列:
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极结型晶体管)和MOS(金属-氧化物场效应晶体管)组成的复合全控型-电压驱动式功率半导体器件,融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,BJT饱和压降低及载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,被称为是电力电子装置的“CPU”,高效节能减排的主力军。

6、厚模组件:
厚模组件系列产品采用,模块集成封装,把可控硅、二极管、MOSFET、IGBT、FRD等芯片组合成不同的电路拓扑结构;在模块基础上集成控制线路,衍生出了固态继电器、智能模块及IPM等功能模块,主要应用于调温系统、调光系统、调速等系统;具体应用于软启动、变频器、无功补偿领域。

7、碳化硅器件:
碳化硅肖特基二极管是碳化硅器件之一,具有超快的开关速度,超低的开关损耗,正向压降(Vf)为温度特性,易于并联,可承受更高耐压和更大的浪涌电流,用于电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等领域,主要产品为塑封碳化硅肖特基二极管器件。

8、其他:
功率型开关晶体管及达林顿晶体管,应用于点火器、磁电机等领域,具有良好的可靠性和质量。

功率分立器件:从石英砂到终端产品:公司主要产品类别图示:三、上下游行业及发展情况
1、与上下游行业间的关系:
公司所处半导体分立器件制造业的上游行业主要为单晶硅、金属材料、化学试剂行业,及通讯网络、IT产品等的防雷击和防静电保护领域。由于电力电子技术的广泛渗透性,在绝 大多数的用电场合,都可能应用电力电子技术进行电能控制和优化。2、上下游行业的发展情况
①上游行业
上游行业单晶硅的价格对半导体分立器件制造行业的生产成本有直接影响。目前单晶硅片市场趋于饱和,供需基本平衡;引线框架等金属材料和硼源等化学试剂的市场供应充足,价格比较稳定。

②下游行业
功率半导体分立器件的下游行业分布面极为广阔,终端产品的更新换代及科技进步引导的新产品面世,都为功率半导体分立器件带来不断增长的市场空间。功率半导体分立器件是连接弱电和强电的桥梁,无处不在,为了合理高效地利用电能,现在发达国家电能的75%需要经过功率半导体分立器件变换或控制后使用。目前我国经过变换或控制后使用的电能仅占30%,70%电能仍采用传统的传输方式,远远达不到应用电力电子技术才能实现的效果。随着我国在民用和工业各个领域对能源节约政策的深入落实,新技术、新工艺、新产品将陆续被研发和推广应用,满足市场需求的扩展和转变。

半导体芯片的分类:2个大类,7个小类:半导体各功率分立器件的特性及其应用:资料来源:Yole,芯谋研究,2023年中国半导体产业发展状况报告
三、核心竞争力分析
报告期内,公司拥有的核心技术与研发能力、产品质量控制能力以及全行业覆盖的市场与销售体系仍是公司立足行业领先地位的核心竞争力。同时,公司的核心管理团队稳定,提高管理效率,优化流程,提升管理水平,坚持诚信为重、质量第一,为客户提供优质的产品和服务。

1、技术优势
(1)芯片研发能力和定制化设计能力
国外大型半导体公司以销售标准化产品为主,较少为客户生产定制产品,并且在为客户定制产品时,开发周期相对较长。国内大多数电力电子器件制造商不具备芯片设计制造能力,仅从事半导体分立器件的封装制造。公司立足于我国市场的实际情况,根据终端产品需求多样化和升级换代快的特点,依托于芯片研发设计技术优势,目前已经研发并生产多种型号和规格的标准产品,并通过对客户需求的评估生产个性化产品。

由于公司下游客户分布行业广泛,客户对产品性能的要求各异,定制产品具有很大的市场需求空间,其附加值也相应较高。公司为客户定制产品,需要结合生产工艺的调整和关键技术的协调匹配,是公司芯片研发能力的重要体现,也是公司差异化发展的重要标志。

公司多项功率半导体芯片和器件的核心技术不仅保证公司产品性能优良、工艺领先、质量稳定可靠、性价比高,还可及时根据客户需求设计、生产定制产品,不断推出新产品。

公司目前形成了以芯片研发和制造为核心、器件封装为配套的完整的生产链,不断提升公司芯片的研发与创新能力,促进新产品、新技术、新材料应用、新工艺的研发成果产业化,突出芯片研发和制造水平,走差异化发展道路。

(2)先进制造力优势和完善的管理体系
一般来说,半导体行业的运作模式分为IDM(整合元件制造商,即覆盖了整个芯片产业链,集芯片设计,制造和封装测试一体的半导体厂商)、Foundry(从事芯片加工制造,拥有晶圆生产技术而不参与设计的半导体公司)、Fabless(主要负责芯片设计而不从事制造的芯片企业)三种。其中,IDM模式对于公司的资本实力和技术实力要求最高,Foundry模式其次,Fabless模式最为常见。

由于公司在功率半导体分立器件的运作模式中采取的是以IDM模式为主、部分Fabless+封测的模式,IDM模式即公司所生产的功率半导体分立器件从设计、生产制造、封装测试都是公司独立完成的。公司先进的工艺技术全面应用到芯片设计和制造、成品封装及品质监控及检测的生产过程中,大大提高了产品的性能。

公司的先进制造力综合反映在将多项专利技术和专有技术全面融入生产工艺,形成完善的制造管理体系,不仅提高了产品的各项性能指标,也能够按照客户需求调整生产工艺,拓宽产品种类。

公司完善的管理体系严格监控每一生产步骤,保障产品的可靠性、稳定性和一致性处于行业领先水平。由于半导体分立器件制造行业属于技术密集型行业,公司先进制造力优势和充足的技术储备有助于公司实现以技术带动发展、以品质占领市场的可持续发展目标。

2、市场优势
公司通过技术创新提高产品的附加值,为客户设计生产定制化产品,提高了产品的性价比。公司在维持老客户稳定发展的同时,逐步打开高端客户的市场空间,境内市场份额迅速提高。知名企业对公司产品质量的充分认可是公司稳步拓展市场空间的基础,公司产品正在逐步实现以国产替代进口,降低我国晶闸管、二极管、防护类器件市场对进口的依赖。同时,公司产品也得到了国外知名厂商的认可,公司产品现已出口至韩国、日本、西班牙和台湾等电子元器件技术较为发达的国家或地区。公司生产的中高端产品实现替代进口及对外出口上升的趋势,打破了中国电子元器件领域晶闸管、防护类器件受遏于国外技术制约的局面。

3、替代进口优势
长期以来,我国功率半导体分立器件行业整体技术水平较国际先进技术水平有较大差距,因此我国功率半导体分立器件下游行业的知名企业长期购买和使用国际大型半导体公司的分立器件产品,以确保其产品性能先进、质量稳定。

晶闸管是我国技术成熟的功率半导体分立器件,行业内少数优秀企业已经具有较为先进的晶闸管芯片的研发制造能力。公司经过十几年的技术累积,现已形成成熟的自主知识产权体系和研发机制,晶闸管系列产品的技术水平和性能指标已经达到了国际大型半导体公司同类产品的水平,公司产品已经具备替代进口同类产品的实力。

公司通过技术创新提高产品的附加值,为客户设计生产定制化产品,提高了产品的性价比。公司在维持老客户稳定发展的同时,逐步打开高端客户的市场空间,境内市场份额迅速提高。知名企业对公司产品质量的充分认可是公司稳步拓展市场空间的基础,公司产品正在逐步实现以国产替代进口,降低我国晶闸管市场对进口的依赖。同时,公司产品也得到了国外知名厂商的认可,公司产品现已出口至韩国、日本、西班牙和台湾等半导体分立器件技术较为发达的国家或地区,并且对外出口数额逐年提高。公司生产的中高端产品实现替代进口及对外出口上升的趋势,打破了中国功率半导体分立器件细分领域晶闸管市场受遏于国外技术制约的局面。

4、品牌知名度优势
公司突出的芯片研发能力和产品质量持续提升公司品牌在行业内的美誉度和认可度。公司现有国内外知名客户如海尔集团、中兴通讯、正浩创新、三花等在前期使用小批量试用公司产品后,不断增加对公司产品的采购数量,现已成为公司重要客户。与此同时,更多国内外知名半导体分立器件制造商或下游行业的知名企业正在与公司开展技术、生产和质量等方面的全面接触,对公司产品进行考核、认定、现场审核或小批量试用等不同阶段,公司客户结构向大型化、国际化方向发展,品牌知名度和市场影响力日益增强。

公司产品获得越来越多的国内外知名企业的认可和使用,客户结构向大型化、国际化转变,以自身优势产品逐步扭转国内市场上进口半导体分立器件产品的绝对优势地位,成为国内外大型知名企业的供应商,推动公司品牌知名度迅速提升,市场影响力也逐步扩大。由于功率半导体分立器件下游行业的客户选择供应商的首要考量依据为该供应商已有客户级别,知名企业对公司产品的信任和使用将持续深化公司的品牌优势,增强公司的市场竞争能力。

5、人才引育和团队建设的优势
公司核心研发团队稳定,以黄善兵、王成森、黄健、张超、黎重林等为核心的技术团队长期从事电力电子技术等研究与开发工作,在产品技术创新与协同、生产工艺优化与升级、产品开发与成果转化等具有丰富的经验。公司核心管理团队成员结构合理,以黄善兵、黄健、沈卫群、黎重林、张家铨等为核心,涵盖了经营管理、运营管理、市场营销、产品应用、信息化管理及公司治理结构等方面,协同性和执行力强,保证了公司决策的科学性和有效性。

6、本报告期内,公司取得发明专利19项,实用新型专利28项。专利取得有利于公司保持技术领先水平,提升核心竞争力。

(1)公司在本报告期取得的专利情况如下:

序 号知识产权名称专利号发明人专利权人申请日类 别授权日
1一种晶闸管器 件和晶闸管电 路ZL202222822206.5周榕榕;张 晓仪;龚雨 桃江苏捷捷微 电子股份有 限公司2022.10.25实 用 新 型2023.02.03
2一种倒装GaN 功率器件封装 结构及其制备 方法ZL 202011381123.6王其龙;徐 洋;施嘉颖; 杨凯锋;顾红 霞江苏捷捷微 电子股份有 限公司2020.12.01发 明 专 利2023.04.11
3一种内置过温 保护的塑封可 控硅ZL 202221415990.1张正荣;周榕 榕;颜呈祥江苏捷捷微 电子股份有 限公司2022.06.07实 用 新 型2023.04.18
4一种新型HTRB 老化PCB测试 板ZL202321264788.8李小建,杨 芹,侯辉,钱 凌峰,金星宇江苏捷捷微 电子股份有 限公司2023.05.24实 用 新 型2023.12.26
5一种新型 DFN5X6封装 MOS单芯产品 的PCB测试板ZL202320786516.8李小建,沈志 鹏,侯辉,杨 芹,钱凌峰江苏捷捷微 电子股份有 限公司2023.04.11实 用 新 型2023.11.17
6一种功率铜片 产品塑封填充 结构ZL202321442904.0梁光毅、宴 长春、任文 豪、徐和 生、李兵、 向晨江苏捷捷微 电子股份有 限公司2023.06.08实 用 新 型2023.11.14
7一种双排结构 内绝缘型塑封 半导体器件及 其制造方法ZL201811062379.3徐洋;杨凯 锋;顾红霞; 施嘉颖江苏捷捷微 电子股份有 限公司2018.09.12发 明 专 利2023.12.26
8一种BMS保护 时加速关断 MOS管的电路ZL202222641337.3李立,周 祥瑞,杨长 伟,王宏民捷捷微电(无 锡)科技有限 公司2022.10.09实 用 新 型2023.03.03
9一种减少掩膜ZL202210416134.6张楠,黄捷捷微电(上2022.04.202023.05..12
 次数的Trench MOSFET的制作 工艺 健,孙闫 涛,顾昀 浦,宋跃 桦,刘静, 吴平丽海)科技有限 公司、江苏 捷捷微电子 股份有限公 司 明 专 利 
10一种新型SiC MOSFET结构及 其制造方法ZL202210944357.X韦宁,黄 健,孙闫 涛,顾昀 浦,宋跃 桦,张楠, 刘静,吴平 丽捷捷微电(上 海)科技有限 公司、江苏 捷捷微电子 股份有限公 司2022.08.07发 明 专 利2023.3.28
11一种半导体器 件制作方法和 半导体器件ZL202310821471.8黄磊,吴盛 凯,王友 伟,徐雷军捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.7.6发 明 专 利2023.09.08
12一种基于半导 体器件的光刻 方法ZL202310913108.9曾渝;王友 伟;徐雷军捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.7.25发 明 专 利2023.11.10
13一种显影液测 量组件及系统ZL202221674566.9符小冬,陈 国超捷捷微电(南 通)科技有限 公司2022.6.29实 用 新 型2023.1.24
14一种湿法设备 与晶圆处理系 统ZL202321504432.7高建军捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023..6.13实 用 新 型2023.12.26
15低压降二极管 及其制造方法ZL202311051317.3张超,黎重 林,庄翔,胡 潘婷捷捷半导体 有限公司2023.08.21发 明 专 利2023.10.20
16一种取舟器与 取舟系统ZL202321943820.5沈怡东,张 超,柏浩, 李轶轩捷捷半导体 有限公司2023.07.21实 用 新 型2023.12.22
17一种半导体封 装器件与电子 设备ZL202321838659.5李成军,倪 亮亮、韩慧 聪捷捷半导体 有限公司2023.07.12实 用 新 型2023.12.15
18一种炉管保温 桶及炉管恒温 系统ZL202321569860.8李松松、钱 海军、钱如 意捷捷半导体 有限公司2023.06.19实 用 新2023.11.17
       
19一种炉管保温 罩及炉管恒温 系统ZL202321567494.2李松松、钱 海军、钱如 意捷捷半导体 有限公司2023.06.19实 用 新 型2023.11.17
20芯片缓冲装置 及芯片卸片机ZL202321552832.5徐琦、李松 松、陆松林捷捷半导体 有限公司2023.06.16实 用 新 型2023.11.14
21一种折弯吸笔ZL202321296343.8祁林波,张 超,潘蔡军捷捷半导体 有限公司2023.05.25实 用 新 型2023.10.20
22一种半导体芯 片切割用夹持 装置和芯片加 工设备ZL202321305890.8管昊,钱清 友,江林华, 任佳祥,卢新 昭,曹一楠捷捷半导体 有限公司2023.05.25实 用 新 型2023.10.31
23一种封装结构 及电子元器件ZL202320832369.3李成军、倪 亮亮、施健捷捷半导体 有限公司2023.04.12实 用 新 型2023.08.01
24集成电路封装 料盒ZL202320431147.0俞嘉亮,李成 军,倪亮亮捷捷半导体 有限公司2023.03.08实 用 新 型2023.07.28
25一种半导体器 件ZL202223603192.4王志 杰 张 超 胡 潘婷捷捷半导体 有限公司2022.12.30实 用 新 型2023.09.15
26一种框架分离 设备与系统ZL202223602282.1孙超 赵国捷捷半导体 有限公司2022.12.29实 用 新 型2023.05.16
27一种静电保护 器件和电子设 备ZL202222998861.6庄翔鲍灵凤 黄雁张超捷捷半导体 有限公司2022.11.10实 用 新 型2023.03.28
28一种功率器件 模块与电子设 备ZL202222928571.4吴家健钱嘉 丽孙健锋捷捷半导体 有限公司2022.11.03实 用 新 型2023.03.24
29一种功率器件 与电子设备ZL202222929338.8吴家健钱嘉 丽孙健锋捷捷半导体 有限公司2022.11.03实 用2023.03.31
      新 型 
30一种可控硅模 块与电子设备ZL202222933392.X吴家健王成 森孙健锋捷捷半导体 有限公司2022.11.03实 用 新 型2023.05.30
31一种封装模具 及封装结构ZL202222748397.5韩慧聪、李 成军、倪亮 亮捷捷半导体 有限公司2022.10.18实 用 新 型2023.02.03
32芯片烧结模具ZL202222701319.X倪亮亮、李 成军捷捷半导体 有限公司2022.10.13实 用 新 型2023.03.14
33一种器件测试 夹具与器件测 试组件ZL202222533620.4江林华、钱 清友、管昊捷捷半导体 有限公司2022.09.23实 用 新 型2023.02.03
34防电子干扰的 测试夹具ZL202222504835.3管昊、江林 华、钱清友捷捷半导体 有限公司2022.09.21实 用 新 型2023.02.17
35一种电泳工装 夹具与电泳系 统ZL202222023862.9沈怡东、徐 冠东、张 超、胡潘婷捷捷半导体 有限公司2022.08.02实 用 新 型2023.02.28
36一种三相整流 模块及其制作 方法ZL202111085031.8吴家健、王 成森、孙健 锋、钱嘉 丽、陆施睿捷捷半导体 有限公司2021.09.16发 明 专 利2023.12.12
37一种压敏组 件、压敏组件 制作方法及过 压保护电路ZL202110675780.X王成森、吴 家健、李成 军捷捷半导体 有限公司2021.06.18发 明 专 利2023.07.07
38一种快恢复二 极管及其制备 方法和应用ZL202010547030.X欧阳潇,沈 怡东,王成 森捷捷半导体 有限公司2020.06.16发 明 专 利2023.09.12
39一种共阳极整 流半桥芯片及 其制备方法ZL201710833477.1王成森、王 琳、周榕 榕、钱清友捷捷半导体 有限公司2019.09.15发 明 专 利2023.04.28
40一种半导体超ZL201910714316.X孙健锋、吴捷捷半导体2019.08.032023.08.11
 声焊接自动定 位工装及其加 工工艺 家健有限公司 明 专 利 
41浅沟槽高压 GPP芯片及其 制备方法ZL201910189092.5潘蔡军、王 成森、张超捷捷半导体 有限公司2019.03.13发 明 专 利2023.03.28
42一种用于G﹒ fast低容放电 管阵列ZL201811617876.5庄翔、何新 建、张超捷捷半导体 有限公司2018.12.28发 明 专 利2023.09.22
43一种超低漏电 水平的低压 TVS器件及其 制造方法ZL201710618686.4王志超、张 慧玲、朱明捷捷半导体 有限公司2017.07.26发 明 专 利2023.06.20
44一种能充分利 用显影液的新 型自动显影机ZL201710461897.1王成森、沈 广宇、薛治 祥、沈怡 东、王琳捷捷半导体 有限公司2017.06.19发 明 专 利2023.03.21
45一种大通流斩 波防雷器件及 应用于防雷器 件中铜电极的 制造方法ZL201710448783.3王成森、吴 家健、朱 倩、尹佳军捷捷半导体 有限公司2017.06.14发 明 专 利2023.07.14
46带筛孔状低应 力铜引线电极 的可控硅模块 及其组装方法ZL201710326416.6吴家健、尹 佳军、朱倩捷捷半导体 有限公司2017.05.10发 明 专 利2023.09.19
47一种高散热能 力的小型贴片 固态继电器及 其制造方法ZL201710197330.8吴家健、朱 倩、尹佳军捷捷半导体 有限公司2017.03.29发 明 专 利2023.07.21
截至本报告期末,公司获得授权专利224件,其中:发明专利51项,实用新型专利172项,外观专利1项。已受理发明专利115项,受理实用新型专利20项。(未完)
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