[年报]新洁能(605111):2023年年度报告

时间:2024年03月28日 00:06:39 中财网

原标题:新洁能:2023年年度报告

公司代码:605111 公司简称:新洁能


无锡新洁能股份有限公司
2023年年度报告









重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司全体董事出席董事会会议。


三、 天衡会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


四、 公司负责人朱袁正 、主管会计工作负责人陆虹 及会计机构负责人(会计主管人员)邱莹莹声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以截至 2024年 3月 27日的总股本(扣除回购专户中的股份数量)298,168,303股为基数,向全体股东每 10股派发现金红利 2.17元(含税),预计派发现金红利 64,702,521.75元(含税),剩余未分配利润结转以后年度分配;拟以资本公积向全体股东每 10股转增 4股,预计拟转增 119,267,322股。如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间,公司总股本发生变动的,公司拟维持分配总额及每股转增比例不变,相应调整每股分配金额以及转增数量,并将另行公告具体调整情况(注:因涉及零碎股处理,最终股本变动情况以中国结算上海分公司登记的股本结构为准)。


六、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


七、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述存在的风险因素,请查阅本报告中“公司关于公司未来发展的讨论与分析”中可能面对的风险部分的内容。


十一、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 .................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 5
第三节 管理层讨论与分析........................................................................................................... 11
第四节 公司治理........................................................................................................................... 43
第五节 环境与社会责任............................................................................................................... 61
第六节 重要事项........................................................................................................................... 64
第七节 股份变动及股东情况....................................................................................................... 84
第八节 优先股相关情况............................................................................................................... 97
第九节 债券相关情况................................................................................................................... 98
第十节 财务报告........................................................................................................................... 99




备查文件目录载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖 章的财务报告。
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及 公告的原稿。



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、新洁能无锡新洁能股份有限公司
新洁能香港新洁能功率半导体(香港)有限公司
电基集成无锡电基集成科技有限公司
金兰半导体金兰功率半导体(无锡)有限公司
国硅集成国硅集成电路技术(无锡)有限公司
富力鑫无锡富力鑫企业管理合伙企业(有限合伙)
临芯投资上海临芯投资管理有限公司
常州臻晶常州臻晶半导体有限公司
上海贝岭上海贝岭股份有限公司,上市公司(600171)
华虹宏力上海华虹宏力半导体制造有限公司,华虹半导体有限公司 (01347.HK)的子公司
长电科技江苏长电科技股份有限公司,上市公司(600584)
华润上华无锡华润上华科技有限公司
日月光日月光投资控股股份有限公司(ASX.US),全球领先半导体封 装与测试制造服务公司
捷敏电子捷敏电子(上海)有限公司
英飞凌(Infineon)德国英飞凌技术股份有限公司,1999 年成立,是全球领先的半 导体公司之一
WSTS世界半导体贸易统计组织
非公开发行无锡新洁能股份有限公司 2021年度非公开发行 A股股票
中国证监会、证监会中国证券监督管理委员会
报告期2023年度
人民币元
IC或集成电路一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺,把一个 电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起, 制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一 个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。
分立器件半导体分立器件,与集成电路相对而言的,采用特殊的半导体制 备工艺,实现特定单一功能的半导体器件,且该功能往往无法在 集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立 器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。
MOSFET 、 功 率 MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,是一种典型半导体器件结构, 目前已广泛使用在电力电子电路中,也可以单独作为分立器件使 用以实现特定功能。
沟槽型功率 MOSFET、 Trench-MOSFETMOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备,具有高元胞密度、低导 通损耗等特点。
超结功率 MOSFET、超 结 MOSFET 或 SJ-MOSFET基于全球先进的电荷平衡技术理论,打破了普通 MOSFET的“硅 限”,特别适用于 500V~900V高压应用领域,具有工作频率高、 导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点,目前主要用在高 端电源管理领域。
屏蔽栅功率 MOSFET、 屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET 、 SGT 或 SGT-MOSFET基于全球先进的电荷平衡技术理论,打破了普通 MOSFET的“硅 限”,特别适用于 30V~300V电压应用领域,具有导通电阻低、 开关损耗小、频率特性好等特点。目前主要用于高端电源管理、 电机驱动、汽车电子等领域。
IGBT绝缘栅双极型晶体管,同时具备 MOSFET和双极性晶体管的优 点,如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、 工作频率高等特点,适用于 600V~6500V高压大电流领域。与功 率 MOSFET相比,更侧重于大电流、低频应用领域。
功率驱动 IC又称栅极驱动器 IC,是控制信号与功率开关器件(MOSFET、 IGBT等)的信号集成电路产品。
功率模块将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一 起,形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功 率控制能力强,往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。
晶圆又称晶圆材料片,制造半导体器件的基本材料,在晶圆片上通过 半导体加工工艺,可加工制作成各种集成电路或分立器件,而成 为有特定电性功能的半导体产品。
芯片经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品,进一步通过封装测 试可以形成半导体器件产品。每片 8英寸芯片包含数百颗至数万 颗数量不等的单芯片。
功率器件已经封装好的 MOSFET、IGBT等产品。芯片制作完成后,需要 封装才可以使用,封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、散热以 及电气连接和隔离等作用,以便使器件与其他电容、电阻等无源 器件和有源器件构成完整的电路系统。
流片像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片。
IDM指垂直一体化模式,半导体行业中从芯片设计、加工制造、封装 测试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司。
Fabless半导体行业中,“没有制造业务、只专注于设计”的一种运作模式, 也用来指未拥有芯片制造工厂的 IC或功率器件设计公司。
Foundry半导体行业中专门负责生产、制造芯片的厂家,其依据设计企业 提供的方案,提供芯片代工服务。
芯片代工芯片设计企业将设计方案完成后,由芯片代工企业通过采购晶圆 材料、光刻、刻蚀、离子注入、电镀等环节制造出芯片。
封装测试、封测封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装,再对元 器件进行结构及电气功能的确认,以保证半导体元件符合系统的 需求,整个过程被称为封装测试。
SiC碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁 带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质, 特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域
GaN氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁 带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电 场高等性质。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司信息

公司的中文名称无锡新洁能股份有限公司
公司的中文简称新洁能
公司的外文名称WUXI NCE POWER CO.,LTD.
公司的外文名称缩写NCE
公司的法定代表人朱袁正

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名肖东戈陈慧玲
联系地址无锡市新吴区电腾路6号无锡市新吴区电腾路6号
电话0510-85618058-81010510-85618058-8101
传真0510-856201750510-85620175
电子信箱[email protected][email protected]

三、 基本情况简介

公司注册地址无锡市新吴区电腾路6号
公司注册地址的历史变更情况2021年3月19日,公司披露了《关于完成工商变更登记并换发营 业执照的公告》(公告编号:临2021-007),公司的注册地址由 “无锡市高浪东路999号B1号楼2层”变更为“无锡市新吴区研发一 路以东,研发二路以南”;2021年6月30日,公司披露了《关于完 成工商变更登记并换发营业执照的公告》(公告编号:临2021-026 ),公司的注册地址由“无锡市新吴区研发一路以东,研发二路 以南”变更为“无锡市新吴区电腾路6号”。
公司办公地址无锡市新吴区电腾路6号
公司办公地址的邮政编码214028
公司网址www.ncepower.com
电子信箱[email protected]

四、 信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称 及网址《上海证券报》、《证券时报》
公司披露年度报告的证券交易 所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点董事会秘书办公室

五、 公司股票简况

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所新洁能605111/

六、 其他相关资料

公司聘请的会计师事务 所(境内)名称天衡会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址南京市建邺区江东中路106号万达广场商务楼B 座 20楼
 签字会计师姓名顾春华、王天
报告期内履行持续督导 职责的保荐机构名称广发证券股份有限公司
 办公地址广东省广州市天河区马场路 26号广发证券大厦
 签字的保荐代表人 姓名范毅、朱孙源
 持续督导的期间2022年 1月至 2023年 12月

七、 近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2023年2022年本期比上年 同期增减 (%)2021年
营业收入1,476,561,366.821,810,946,756.88-18.461,510,738,793.41
归属于上市公司股东的 净利润323,116,344.25435,180,979.82-25.75416,405,470.70
归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益的净 利润304,369,345.44411,743,783.42-26.08407,774,008.49
经营活动产生的现金流 量净额475,469,445.87273,308,464.5773.97450,884,685.73
 2023年末2022年末本期末比上 年同期末增 减(%)2021年末
归属于上市公司股东的 净资产3,642,558,105.243,362,694,574.648.321,536,921,867.36
总资产4,339,720,370.313,989,496,638.018.781,891,981,304.07

(二) 主要财务指标

主要财务指标2023年2022年本期比上年 同期增减(%)2021年
基本每股收益(元/股)1.131.52-25.661.50
稀释每股收益(元/股)1.131.52-25.661.50
扣除非经常性损益后的 基本每股收益(元/股)1.061.44-26.391.45
加权平均净资产收益率 (%)9.2518.77减少9.52个 百分点30.99
扣除非经常性损益后的 加权平均净资产收益率 (%)8.7117.76减少9.05个 百分点30.35

报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
由于实施 2022年年度权益分派,公司的股份数量因转增发生变动,根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 9号——净资产收益率和每股收益的计算及披露》(2010年修订)规定,以调整后的股数重新计算并列示上年同期的基本每股收益、稀释每股收益。


八、 境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

九、 2023年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入373,676,238.37384,808,894.09345,778,453.35372,297,781.01
归属于上市公司股东的 净利润64,952,655.7582,660,261.1967,279,915.68108,223,511.63
归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益后的 净利润63,747,565.5174,216,966.0364,161,032.47102,243,781.43
经营活动产生的现金流 量净额19,251,651.94128,608,657.89103,785,820.29223,823,315.75

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

十、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2023年金额附注(如适 用)2022年金额2021年金额
非流动性资产处置损益,包括已计 提资产减值准备的冲销部分154,334.05附注七、73194,173.39196,816.01
计入当期损益的政府补助,但与公 司正常经营业务密切相关、符合国 家政策规定、按照确定的标准享 有、对公司损益产生持续影响的政 府补助除外17,117,001.80附注七、6713,544,689.318,261,832.32
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,非金融企业持 有金融资产和金融负债产生的公 允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益10,662,945.49附注七、7014,870,732.00 
委托他人投资或管理资产的损益1,660,717.65附注七、68583,524.771,699,270.19
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出-232,422.21附注七、 74&75356,024.38-3,257.09
其他符合非经常性损益定义的损 益项目-7,748,538.98   
减:所得税影响额4,441,227.59 4,800,497.801,523,199.22
少数股东权益影响额(税后)-1,574,188.60 1,311,449.65-
合计18,746,998.81 23,437,196.408,631,462.21

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

十一、 采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的 影响金额
交易性金融资产 52,233,945.4952,233,945.491,660,717.65
应收款项融资176,350,567.56156,036,858.23-20,313,709.33 
其他非流动金融资产103,970,732.00159,399,732.0055,429,000.0010,662,945.49
合计280,321,299.56367,670,535.7287,349,236.1612,323,663.14

十二、 其他
□适用 √不适用


第三节 管理层讨论与分析

一、经营情况讨论与分析
报告期内,公司共实现营业收入 147,656.14万元,较去年同期减少 18.46%;其中主营业务收入 147,083.92万元,较去年同期减少 18.51%;归属于上市公司股东的净利润 32,311.63万元,较去年同期减少 25.75%。

(一)市场营销
2023年以来,公司下游应用市场的整体景气度较长一段时间延续了 2022年第四季度以来的下行趋势,主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时,伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争,公司面临着新的挑战。基于此,公司积极应对市场变化和响应客户需求,积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会,利用技术和产品优势、产业链优势等,持续优化产品结构、市场结构和客户结构,将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心等新兴领域客户,并开发出更多的行业龙头客户,进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。

? 产品结构方面:
(1)IGBT产品作为光伏储能行业的重点应用产品,由于 2023年公司的主要下游光伏储能客户处于消化库存阶段,整体处于供大于求的状态。公司积极调整结构应对下游变化,拓宽了更多的应用领域,加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车等领域的销售力度,但受到报告期内光伏储能需求减弱的影响,整体 IGBT产品的销售仍然呈现下滑状态。2023年公司的 IGBT产品实现了销售收入 2.66亿元,比去年同期下滑了 33.97%,销售占比从去年的 22.33%下降到今年的 18.09%。公司预计 2024年光伏需求会有所回暖、进而促进 IGBT产品的销售回升,其他变频、小家电、汽车等领域的 IGBT产品销售规模亦将进一步扩大。

(2)SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台,受到的市场波动影响也较大。对于此,公司一方面持续加大研发投入,持续实现产品平台的升级与型号拓展;另一方面主动参与到市场价格竞争中,给客户提供更具性价比的产品方案,并加强与客户的沟通与服务,进一步提高客户的黏性,促进在重点领域的销售规模和市场份额扩大。

如:在新能源汽车领域,公司已经覆盖比亚迪汽车的全系列车型,在国产供应商份额中处于领先地位并不断放量,与联合电子、伯特利等 tier1厂商实现深入合作,导入到哈曼卡顿、法雷奥等国际 tier1厂商;在 AI服务器领域,公司已经在行业头部客户实现批量销售,并将进一步放大规模;其他如视源股份等家电客户、明纬电子等工控客户,公司持续实现销售份额的提升;大疆无人机、卧龙电驱商络电子等其他新兴应用领域客户,公司亦在不断加强深入合作。公司的 SGT-MOSFET产品 2023年实现了销售收入 5.46亿元,比去年下降了 19.80%,主要系受到之前产品价格波动的影响,但产品的整体销量上保持了稳健向上趋势;销售占比相对稳定,为 37.11%。随着公司在汽 车电子、AI服务器、无人机等下游新兴应用领域客户销售规模的进一步扩大,预计公司 2024年 SGT产品的销售规模将得以进一步提升。 (3)SJ-MOSFET产品方面,2023年实现销售收入 1.84亿元,相比去年减少了 13.56%,销 售占比从去年同期的 11.83%提升至 12.52%。公司 4代 SJ MOS产品系列型号齐全,已经开始批量 交付,2024年公司将全面开展 SJ MOS产品从 3代到 4代的替换,并加大对于 AI服务器和数据 中心、汽车 OBC、充电桩等领域的推广,以进一步促进 SJ MOS产品的销售,成为公司新的业绩 增长点。 (4)Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台,面临的客户群体众多, 应用模式多样,长期积累的客户群体广泛,对于公司产品有长期信任的基础,但市场波动对 Trench-MOSFET的影响也大,公司积极采取了让利保市场的策略,并进一步促进了销售规模。2023 年 Trench MOS产品实现销售收入 4.54亿,相比去年下降了 9.34%,但销售数量和市占率获得显 著提升,其销售占比从 2022年的 27.79%提升至 2023年的 30.84%。 ? 市场结构和客户结构方面: 2023年公司坚守稳固已有客户,开拓更多市场应用,一方面积极挖掘原有市场客户的合作机 会,通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入;另一方面,公司积极探索新的下游应用 领域,在新能源汽车、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机等重点新兴应用领域不断加大投 入,推动和客户的战略合作,增加客户对公司品牌的认可度,进而形成战略互补深度合作,以获 取更大的市场份额提升。
汽车电子领域:公司目前已经推出 200款车规级 MOSFET产品。2023年以来,公司与比亚迪的合作转向直供,并应用至比亚迪的全系列车型中,持续扩大销售规模,实现了多款产品的大批量供应;同时对联合电子、伯特利等国内头部 Tier1持续规模出货,截至目前,公司已经获得联合电子 20多个汽车电子项目的定点通知书,合作时间从 2024年持续到 2029年。公司的产品涉OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统。公司目标成为汽车市场国产品牌出货品种最多,出货数量最大的功率器件设计公司。未来公司在汽车电子产品的整体销售规模和占比预计得以快速提升。

光伏储能领域:相比于去年同期,2023年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等,报告期内光伏储能海外市场的需求出现部分下滑,同时国内外 IGBT产品供应商的产能增加,市场的供需关系发生一定变化。面对市场现状,公司一方面保持与阳光电源固德威德业股份上能电气锦浪科技、正泰电源等头部客户的紧密合作,及时了解市场波动及客户需求情况,提供更具性价比的合作方案;另一方面加强新产品的开发,积极推动更多大电流单管 IGBT和模块产品的放量进度,在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时,推动公司的IGBT模块产品在光伏储能领域的快速推广。预计 2024年光伏储能需求会有所回暖,将有力支撑公司业绩的进一步向好。

AI服务器领域:2023年以来,随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型,训练需求及推理需求高速增长,共同驱动算力革命,助推 AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求,一方面,公司产品持续在传统服务器领域发力,以获取更多的市场份额;另一方面,公司利用自身优势,围绕 AI算力服务器的相关需求开发产品,并积极开发下游客户,目前公司的相关产品已经在 AI算力领域头部客户实现批量销售,且将进一步快速增长。

(二)研发创新
2023年度,公司实现研发投入 8,731.42万元,占营业收入的比例为 5.91%。截至目前,公司共有专利 196项,其中发明专利 86项(不含已到期专利)。2023年全年新增产品 600余款。

? IGBT平台:
1)第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 650V和 1200V大饱和电流的中高频系列产品已经通过内部测试,正在进行客户端导入测试,产品交直流参数已经达到预期水平,正在同步做良率优化,同系列光伏逆变应用的业界最大电流 TO-247 Plus封装单管产品 1200V 160A产品正在进行客户应用验证,650V 200A单管样品已完成直流参数验证,正在进行交流参数验证; 2)第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 650V和 1200V高短路能力低频系列产品已完成直流参数验证,正在做交流参数优化;
3)第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 800V、1000V、1400V系列已完成直流参数验证,符合设计预期,正在进行交流参数验证;
4)IGBT并联 SiC二极管产品已通过客户验证,开始批量出货;
5)具有不同反向恢复特性的 600V和 1200V FRD系列产品已经全部进入量产,其他电压平台正在开发流片中。

? SJ MOS平台:
1)第四代超结 MOS(SJ MOS)平台在 8寸和 12寸都已进入全面稳定量产,500V、600V、650V系列产品在高能效大功率电源、新能源汽车 OBC、充电桩、工业变频、家电、消费类电子等市场都已持续批量出货;
2)在现有量产的第四代超结平台上,针对 600V和 650V电压平台进一步创新进行特征导通电阻(Rsp)优化,相较于第四代产品,器件 Rsp进一步降低 12%,该系列新增加产品型号超过30款,已经进入量产阶段;
3)搭载快速恢复体二极管的第四代 800V深沟槽 SJ MOS平台 140mΩ产品交直流参数已经达设计预期,器件 Rsp相较于三代产品降低 35%,产品正在进行良率提升和终端客户应用测试; 4)第五代SJ MOS平台工程流片中,650V产品Rsp可以降低至0.95欧姆每平方毫米(Ω.mm2),目前已经通过 1000小时以上可靠性考核,正在进行客户验证和良率提升。

? SGT MOS平台:
1)针对车规应用的 P沟道 150V SGT MOS平台完成车规认证,参数性能达到业界领先水平,已进入量产阶段;
2)具有业界最小单位元胞尺寸(Cell Pitch)的 N沟道 30V第三代 SGT MOS平台实现量产,Rsp相较于上一代产品降低 39%,正在持续进行同平台不同电流规格和封装外形产品拓展; 3)具有业界最小单位元胞尺寸的 N沟道 40V第三代 SGT MOS平台实现量产,Rsp相较于上一代产品降低 26%,代表产品已完成车规认证,正在进行不同电流规格和封装外形系列产品拓展; 4)上述 N30V~N40V第三代 SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、大功率数据中心、AI服务器、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用;
5)达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性 N沟道 150V 第三代 SGT MOS平台实现量产,正在进行车规认证,器件核心综合性能优值(FOM)较业界同规格最优竞品降低达 25%以上,产品主要针对 A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用;
6)基于 12寸平台,达到业界领先水平的 FOM、高鲁棒性 N沟道 60V、85V、100V第三代SGT MOS均完成工程验证,产品正在进行可靠性评估,以 100V产品为例:器件 Rsp相较于同规格最优竞品小 20%以上,栅极电荷(Qg)较同规格最优竞品降低 15%以上,器件 FOM较同规格最优竞品降低达 30%,产品主要针对混动新能源车 48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、AI服务器、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。

? Trench MOS平台:
1)针对汽车应用,基于 8寸平台完成了具有创新结构的高可靠性 P沟道 60V~200V设计与工艺固化,系列产品全面量产,多款产品通过车规认证,后续会衍生开发 P沟道 30V~60V产品平台; 2)具有高元胞密度(0.75um Cell Pitch)的第五代 P沟道 20V~40V产品平台开发完成,以P40V为例,器件 Rsp相较于上一代降低 31%,系列产品全面量产并持续拓展规格型号; 3)具有超高元胞密度(0.55um Cell Pitch)第七代 N沟道 12V~20V产品平台工程开发中,正在进行成品级测试和可靠性考核评估;
4)应用于智能手机和智能可穿戴设备的具有超高元胞密度的 12V~24V CSP MOS系列产品已完成工艺开发和终端客户评测;
5)基于 12寸平台完成多款车规级产品开发,产品批量交付汽车客户; 6)12寸 N沟道 30V、40V全系列产品均已完成平台升级迭代,以 N30V为例,Rsp相较于上一代降低 16%,持续进行系列产品拓展;
7)基于 12寸平台具有超高元胞密度(0.65um Cell Pitch)第六代 N沟道 20V~60V工艺平台开发流片中。

? 第三代半导体功率器件平台:
1)公司已开发完成 1200V 23mohm~75mohm和 750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品,新增产品 12款,相关产品处于小规模销售阶段;
2)650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、 650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成,新增产品 2款,产品各项电学参数指标达到国内领先水平,项目产品通过可靠性考核,100V/200VGaN 产品开发中。

? 汽车电子平台:
SGT MOS、Trench MOS、SJ MOS、IGBT四大产品平台中已有 140余款典型产品基于 APQP完成了产品开发,通过了 AEC-Q101车规可靠性考核,另有 70余款产品认证中。其已开发完成的电压范围覆盖了 P20V、P30V、P40V、P60V、P100V、P150V、P200V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V、N120V、N200V、N250V、N150V、N650V、N1200V等,且在持续扩充增量中。

公司的车规产品已大批量交付近 90家 Tier1厂商及终端车企,除域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等应用外,在线控刹车系统、车身控制模块、变速箱控制器、电控悬架等动力安全领域已实现大规模应用。

公司将持续基于 IATF16949汽车质量管理体系对车规产品的整个生命周期进行管理。在顾客导向过程中,基于客户的需求,运用 APQP,PPAP,DFMEA等工具实现满足客户需求的车规产品的开发。在资源管理过程中,基于管理评审、经营计划等,协调各方面资源配置保证车规产品快速高质量生产。在客户支持过程中,基于 VDA6.3/VDA6.5对产品的过程及成品进行验证,包括可靠性的测试、车规设备的认证、人力资源的支持和预见性维护和保养等,通过管控关键的生产过程来保证车规产品质量。公司致力于向汽车客户提供零缺陷产品,持续满足客户需求、提高客户满意度。

报告期内,公司进一步加大了研发方面投入,积极扩充研发团队,不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才,并积极引入高学历人才,以进一步加强新能源光储充、汽车电子、工业自动化、AI服务器与数据中心,以及半导体功率模块产品的开发力度。

(三)生产运营
报告期内,公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2023年以来,随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放,公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作,确保公司供应链稳定供货。同时,公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配,与各主要供应商继续保持良好合作关系,并开发更多的封测领域供应商,为后续进一步加强合作提供了供应保障。

2023年芯片代工供应稳定,同时公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂,目前 SiC MOSFET产品和 GaN HEMT产品均已实现工程产出。其他部分工作完成如下:1)项目管理试点推行(比亚迪专项、光伏专项)达成预期;2)降低封装成本,针对十余家封装厂进行全面议价;3)完成 STOLL、双面散热等新品引入;4)配合完成汽车电子客户审核导入及普通产品封装厂巡线工作;5)细化未投料产品生产管理,有效缩短生产周期等。

(四)子公司建设
1、电基集成
公司的全资子公司电基集成,致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品。一直以来电基集成特别注重车规级封测产线的建设与管理,并在 2023年顺利通过 SGS IATF 16949体系换证审核。

2023年,电基集成全面提升组织的 ISO14001环境管理体系、ISO45001 职业健康安全管理体系和 IECQ QC080000有害物质管理体系的系统化和执行效果;深化改革公司的 EAP设备自动化系统、TMS 测试管理系统和条码系统,加快建设智能工厂和数字化车间建设,为公司持续发展提供了源源不断的动力,推动公司向更高标准和更专业的方向发展。

SOP8和 PDFN3.3x3.3 等新封装形式目前处于小批量阶段,sTOLL等无引脚先进功率封装处于设备调试状态。

2、金兰半导体
公司的控股子公司金兰功率半导体(无锡)有限公司,其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子(含新能源)、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛,金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展,成为公司发展道路上新的业绩增长点。

目前公司已建立一支完整的包括产品开发,工艺技术,设备维护的技术团队,该团队大部成员具有十几年丰富的 IGBT模块产品及工艺开发经验,并拥有优秀的生产品质管理经验。截至目前,金兰已经完成建设第一条 IGBT模块的封装测试产线,生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备,满产后可达到产能 6万个模块/月。计划 2024年开始按车规要求升级产线,满足车规产品的生产要求,并逐步通过车规质量体系 IATF16949审核。

产品开发方面:
(1)开发完成:基于 650V和 1200V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片,多款模块产品完成开发。其中应用在 110KW光伏逆变器上的第一款产品 450A/650V已通过内部可靠性测试,客户测试正在进行中;应用在集中式逆变器上的产品 600A/1200V开发完成,通过内部可靠性测试,客户测试正在进行中;应用于车用冷却泵控制的产品 50A/1200V已通过客户测试,即将开始小批量生产。

(2)正在开发:基于650V和1000V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片,多款应用于光伏储能/光伏逆变领域的 IGBT模块产品正开发。包括应用于光伏储能的 100KW模块 300A/1000V、125KW模块 400A/1000V、215KW模块 600A/1000V ; 应用于光伏逆变的 150KW模块 600A/650V、320KW升压模块 600A/1000V 和 320KW逆变模块 600A/1000V。以上产品将在2024年上半年完成开发并送客户测试验证。

金兰 2023年申请专利 13项(其中 2项为发明专利),已授权 2项实用新型。

3、国硅集成
公司的控股子公司国硅集成电路技术(无锡)有限公司,致力于智能功率集成电路芯片的设计,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来,国硅进一步加强了研发与生产质量的建设与管理,并顺利通过 ISO9001体系认证。

目前,国硅集成已实现量产 25V低侧驱动系列产品 18款,适用于光伏 MPPT应用,家电 PFC应用;量产 40V桥式驱动系列产品 4款,适用于中小功率风机、中低压水泵;量产 250V半桥驱动芯片 15款(2023年新增 9款),适用于智能短交通、电动工具应用;700V半桥驱动芯片 16款(2023年新增 10款),适用于储能、工业控制等应用;相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增高侧驱动、马达驱动两条产品线(推出 6款新品),适用于重卡、高速电摩、BMS锂电控制、智能家居等应用。

国硅 2023年通过国家高新技术企业、国家级科技型中小企业、创新型中小企业、无锡市“专精特新”企业、无锡市“雏鹰企业”等认定。2023年获得无锡市科技局“太湖之光”科技攻关(产业前瞻及关键技术研发)立项、无锡市工信局集成电路产业发展资金项目立项、无锡市人社局“创响无锡”项目立项,并顺利通过 2023年度的江苏省“双创人才”拨款考核。

国硅集成 2023年度新增授权知识产权 12项;当期申报专利 16项,其中发明专利 4项,实用新型 5项,集成电路布图 7项。

(五)内部管理
2023年度,公司继续不断完善内部治理,建立健全公司内部控制制度、内部流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步整合优化各项制度流程,提升组织能力与运营效率;根据资本市场规范要求,提升公司规范运营和治理水平;严格按照相关法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时、真实、准确和完整;认真做好投资者关系管理工作,通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通,以便于投资者全面获取公司信息,树立公司良好的资本市场形象。

(六)资本市场
公司围绕整体发展战略,持续关注外延式扩张机会,主要目标集中在产业链相关领域,通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资,进行积极的横向与纵向资源整合,最大程度发挥协同效应,进一步加强与客户之间的合作黏性,有利于公司更好地契合下游市场,更精准地开发新品并进行快速推广,以增强公司的核心竞争力,提升长期盈利能力,创造更多的经济效益与社会价值。

2023年上半年,公司与无锡临芯投资有限公司共同投资设立无锡临尚创业投资合伙企业(有限合伙),主要作为公司整合优质项目资源模式的一种探索创新,符合公司未来发展战略规划,有利于抓住行业快速发展的契机,拓宽投融资渠道,整合多方资源,可以进一步增强公司的整体实力。

2023年下半年,公司参股投资了无锡金源半导体科技有限公司、苏州矩阵光电有限公司两个项目,该两项投资有利于促进公司的业务横向与纵向协同,以及新技术的开发。

(七)荣誉奖项
2023年,公司新增荣誉如下:
2023年国家级专精特新小巨人企业
2023年江苏省科技成果转化项目
2023年江苏省工业和信息产业转型升级专项资金专精特新中小企业能力提升项目 2023 年无锡市集成电路产业扶持项目
2023年无锡市高新区(新吴区)飞凤人才基金
2023年无锡市高新区(新吴区)支持新产品研发项目
2023年无锡市高新区(新吴区)支持关键人才引进和扎根
2023年无锡市高新区(新吴区)三类企业认定
2022年无锡市高新区(新吴区)科技领军人才创新创业项目
2023年苏南国家自主创新示范区瞪羚企业。


二、报告期内公司所处行业情况
1、行业特点及发展趋势
公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品,根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》(标准编号:GB/T4754-2017),公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业(C39)”大类下“半导体分立器件制造(3972)”;根据证监会《上市公司行业分类指引》(2012年修订),公司所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。

分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示,近几年来,分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在 22%—25%之间。

功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心,在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变(直流转交流)和整流(交流转直流)等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进,迫切需要高质量、高效率的电能,目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用,这一比例还将进一步扩大。

功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用,从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新,演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗,其结构设计朝着理想目标不断改进,以适应更多应用场景的需要。

据 Yole 数据,功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代,相比其他半导体,迭代周期相对慢,每一代芯片都拥有较长的生命周期。

发展至今,功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术,中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化,从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域,如 SGT MOSFET、SJ MOSFET、IGBT、化合物半导体等,由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因,国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品,成为国内中高端器件的领军企业,专注于产品设计与推广,精准把握市场需求和供应节奏,与国际一流代工厂长年紧密合作,在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达成了优秀水平。

2、市场规模分析
2023年,受全球经济增速放缓、下游应用市场景气度波动、局部国际形势恶化等因素的综合影响,全球半导体行业市场增速有所放缓。Gartner公司发布了 2023年全球半导体行业报告,显示全球半导体收入总额为 5,330亿美元,较 2022年下降 11.1%。据中华人民共和国海关总署公布的 2023年进出口主要商品数据,2023年全年集成电路出口 2,678.3亿个,同比下降 1.8%;全年集成电路进口 4,796亿个,同比下降 10.8%。

尽管 2023年全年数据经历了周期性下滑,但跟踪世界半导体贸易统计(WSTS)组织的月度数据,2023年第三季度开始呈现增长趋势,第四季度持续回暖,WSTS预测 2024年全球半导体销售额将增长 13.1%。

功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在 8%—10%之间,结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业,新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长,因此行业周期性波动较弱,全球功率半导体市场规模稳步增长。根据 Omida的数据及预测,2023年全球功率半导体市场规模达到 503亿美元,预计 2027年市场规模将达到 596亿美元,其中功率 IC市场占 54.8%,功率分立器件占30.1%,功率模块占 15.1%;中国功率半导体的市场规模,预计 2024年将达到 206亿美元,占全球市场约为 38%。中国作为全球最大的功率半导体消费国,未来市场发展前景良好。

(1)从产品品类角度分析
功率半导体按器件集成度可以分为分立器件(含模块)、功率模块和功率 IC三大类。其中,功率半导体分立器件,按照器件结构划分,可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等,其中以 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 为代表的功率器件需求旺盛,市场规模如下:

产品品类特点市场规模测算
MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、 导通内阻小、易于驱动、热稳定 性好等优点,既可在低电流和低 电压条件下工作,也可用于大电 流开关电路和高频高速电路,应 用场景广泛。根据 WSTS统计数据,2023年全球 MOSFET市 场规模为 143亿美元,预计 2026年将增长至 160 亿美元;2023年中国 MOSFET市场规模约为 51 亿美元,占全球市场的 36%。预计 2026年中国 MOSFET 市场规模将增长至 57.6亿美元,增速 高于全球市场增速。 高压 MOSFET产品占比由 2020年的 29%增长至 36%,出货量复合增速达 8.1%
IGBT能源变换与传输的核心器件,可 在更高电压下持续工作,具有高 输入阻抗、低导通压降、驱动功 率小而饱和压降低的特点,功率 增益更大,广泛应用于直流电压 为 600V 及以上的变流系统。WSTS 数据显示,2023 年全球 IGBT 市场规模 达到 90亿美元,预计 2026年将达到 121亿美元; 中国是全球 IGBT最大的消费市场,2023年中国 IGBT市场规模达 32亿美元,预计到 2026年中 国 IGBT市场规模将达到 42亿美元。
第三代半 导体碳化硅器件:具有耐高压、大电 流、耐高温、高频、高功率和低 损耗等众多优点。 氮化镓器件:具有高电子迁移率、 宽频带、高击穿场强、耐高温尺 寸小等特点。结合 Yole 数据测算,碳化硅功率半导体器件市 场将从 2021年 10.9亿美元增至 2027年 62.97亿 美元,年复合增长率 34%。 氮化镓功率半导体器件市场将从 2021年 1.26亿 美元增至 2027年 20亿美元,年复合增长率 59%。
(2)从应用领域角度分析
随着新能源汽车和充电桩、光伏及储能、AI服务器及数据中心、无人机、5G、物联网、人工智能等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求,工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展,作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。

新能源汽车及充电桩:新四化持续推动功率器件市场增长
汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业,加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向,我新能源汽车产业链逐步成熟,产品向多元化发展。随着新能源汽车购置税减免政策的延续、用车环境优化、限牌限号地方政策等因素的催化下,新能源车的优势逐渐显露,预计未来渗透率将不断提高。

中国汽车工业协会(以下简称“中汽协”)数据显示,2023年我新能源汽车产销量分别达 958.7万辆和 949.5万辆,同比分别增长 35.8%和 37.9%,市场占有率达 31.6%。2023年我国汽车出口491万辆(整车出口 485.28万辆),出口量首次超过日本,成为全球第一大汽车出口国。2024年我国汽车市场有望继续保持稳中向好发展态势,中汽协发布的《2024中国汽车市场整体预测报告》预测 2024年新能源汽车销量为 1,150万辆左右,出口量为 550万辆左右;2024年我国汽车总销量将达到 3,100万辆,同比增长 3%。乘用车销量在 2,680万辆左右,同比增长 3.1%。新能源汽车销量将达到 1,150万辆左右,同比增长 20%。新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量。

新四化即电动化、智能化、网联化、共享化,电动化指的是新能源动力系统领域;智能化指的是无人驾驶或者驾驶辅助子系统;网联化指的是车联网布局;共享化,指的是汽车共享与移动出行。在新四化趋势下,汽车产业进入百年未有的大变革时代,新能源汽车迎来大发展,汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统,都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源,功率半导体作为实现电能转换的核心器件,新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的 2至 3倍。中汽协提供的数据显示,传统燃油车所需汽车芯片数量为 600至 700颗,而电动车所需的汽车芯片数量将提升至 1,600颗/辆,更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至 3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和 OBC (车载充电器)等产品将依据各自的工作功率大小,选择不同的功率半导体器件,高、中、低压硅基 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 均有广泛使用。(未完)
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