[年报]新洁能(605111):2023年年度报告
原标题:新洁能:2023年年度报告 无锡新洁能股份有限公司 2023年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司全体董事出席董事会会议。 三、 天衡会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 四、 公司负责人朱袁正 、主管会计工作负责人陆虹 及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以截至 2024年 3月 27日的总股本（扣除回购专户中的股份数量）298,168,303股为基数，向全体股东每 10股派发现金红利 2.17元（含税），预计派发现金红利 64,702,521.75元（含税），剩余未分配利润结转以后年度分配；拟以资本公积向全体股东每 10股转增 4股，预计拟转增 119,267,322股。如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额及每股转增比例不变，相应调整每股分配金额以及转增数量，并将另行公告具体调整情况（注：因涉及零碎股处理，最终股本变动情况以中国结算上海分公司登记的股本结构为准）。 六、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 七、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、 重大风险提示 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅本报告中“公司关于公司未来发展的讨论与分析”中可能面对的风险部分的内容。 十一、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 .................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 5 第三节 管理层讨论与分析........................................................................................................... 11 第四节 公司治理........................................................................................................................... 43 第五节 环境与社会责任............................................................................................................... 61 第六节 重要事项........................................................................................................................... 64 第七节 股份变动及股东情况....................................................................................................... 84 第八节 优先股相关情况............................................................................................................... 97 第九节 债券相关情况................................................................................................................... 98 第十节 财务报告........................................................................................................................... 99
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司信息
二、 联系人和联系方式
三、 基本情况简介
四、 信息披露及备置地点
五、 公司股票简况
六、 其他相关资料
七、 近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 由于实施 2022年年度权益分派，公司的股份数量因转增发生变动，根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 9号——净资产收益率和每股收益的计算及披露》（2010年修订）规定，以调整后的股数重新计算并列示上年同期的基本每股收益、稀释每股收益。 八、 境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 九、 2023年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 十、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十一、 采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十二、 其他 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 报告期内，公司共实现营业收入 147,656.14万元，较去年同期减少 18.46%；其中主营业务收入 147,083.92万元，较去年同期减少 18.51%；归属于上市公司股东的净利润 32,311.63万元，较去年同期减少 25.75%。 （一）市场营销 2023年以来，公司下游应用市场的整体景气度较长一段时间延续了 2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战。基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。 ? 产品结构方面： （1）IGBT产品作为光伏储能行业的重点应用产品，由于 2023年公司的主要下游光伏储能客户处于消化库存阶段，整体处于供大于求的状态。公司积极调整结构应对下游变化，拓宽了更多的应用领域，加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车等领域的销售力度，但受到报告期内光伏储能需求减弱的影响，整体 IGBT产品的销售仍然呈现下滑状态。2023年公司的 IGBT产品实现了销售收入 2.66亿元，比去年同期下滑了 33.97%，销售占比从去年的 22.33%下降到今年的 18.09%。公司预计 2024年光伏需求会有所回暖、进而促进 IGBT产品的销售回升，其他变频、小家电、汽车等领域的 IGBT产品销售规模亦将进一步扩大。 （2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，受到的市场波动影响也较大。对于此，公司一方面持续加大研发投入，持续实现产品平台的升级与型号拓展；另一方面主动参与到市场价格竞争中，给客户提供更具性价比的产品方案，并加强与客户的沟通与服务，进一步提高客户的黏性，促进在重点领域的销售规模和市场份额扩大。 如：在新能源汽车领域，公司已经覆盖比亚迪汽车的全系列车型，在国产供应商份额中处于领先地位并不断放量，与联合电子、伯特利等 tier1厂商实现深入合作，导入到哈曼卡顿、法雷奥等国际 tier1厂商；在 AI服务器领域，公司已经在行业头部客户实现批量销售，并将进一步放大规模；其他如视源股份等家电客户、明纬电子等工控客户，公司持续实现销售份额的提升；大疆无人机、卧龙电驱、商络电子等其他新兴应用领域客户，公司亦在不断加强深入合作。公司的 SGT-MOSFET产品 2023年实现了销售收入 5.46亿元，比去年下降了 19.80%，主要系受到之前产品价格波动的影响，但产品的整体销量上保持了稳健向上趋势；销售占比相对稳定，为 37.11%。随着公司在汽 车电子、AI服务器、无人机等下游新兴应用领域客户销售规模的进一步扩大，预计公司 2024年 SGT产品的销售规模将得以进一步提升。 （3）SJ-MOSFET产品方面，2023年实现销售收入 1.84亿元，相比去年减少了 13.56%，销 售占比从去年同期的 11.83%提升至 12.52%。公司 4代 SJ MOS产品系列型号齐全，已经开始批量 交付，2024年公司将全面开展 SJ MOS产品从 3代到 4代的替换，并加大对于 AI服务器和数据 中心、汽车 OBC、充电桩等领域的推广，以进一步促进 SJ MOS产品的销售，成为公司新的业绩 增长点。 （4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，面临的客户群体众多， 应用模式多样，长期积累的客户群体广泛，对于公司产品有长期信任的基础，但市场波动对 Trench-MOSFET的影响也大，公司积极采取了让利保市场的策略，并进一步促进了销售规模。2023 年 Trench MOS产品实现销售收入 4.54亿，相比去年下降了 9.34%，但销售数量和市占率获得显 著提升，其销售占比从 2022年的 27.79%提升至 2023年的 30.84%。 ? 市场结构和客户结构方面： 2023年公司坚守稳固已有客户，开拓更多市场应用，一方面积极挖掘原有市场客户的合作机 会，通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入；另一方面，公司积极探索新的下游应用 领域，在新能源汽车、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机等重点新兴应用领域不断加大投 入，推动和客户的战略合作，增加客户对公司品牌的认可度，进而形成战略互补深度合作，以获 取更大的市场份额提升。 汽车电子领域：公司目前已经推出 200款车规级 MOSFET产品。2023年以来，公司与比亚迪的合作转向直供，并应用至比亚迪的全系列车型中，持续扩大销售规模，实现了多款产品的大批量供应；同时对联合电子、伯特利等国内头部 Tier1持续规模出货，截至目前，公司已经获得联合电子 20多个汽车电子项目的定点通知书，合作时间从 2024年持续到 2029年。公司的产品涉OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统。公司目标成为汽车市场国产品牌出货品种最多，出货数量最大的功率器件设计公司。未来公司在汽车电子产品的整体销售规模和占比预计得以快速提升。 光伏储能领域：相比于去年同期，2023年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等，报告期内光伏储能海外市场的需求出现部分下滑，同时国内外 IGBT产品供应商的产能增加，市场的供需关系发生一定变化。面对市场现状，公司一方面保持与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等头部客户的紧密合作，及时了解市场波动及客户需求情况，提供更具性价比的合作方案；另一方面加强新产品的开发，积极推动更多大电流单管 IGBT和模块产品的放量进度，在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，推动公司的IGBT模块产品在光伏储能领域的快速推广。预计 2024年光伏储能需求会有所回暖，将有力支撑公司业绩的进一步向好。 AI服务器领域：2023年以来，随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，助推 AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求，一方面，公司产品持续在传统服务器领域发力，以获取更多的市场份额；另一方面，公司利用自身优势，围绕 AI算力服务器的相关需求开发产品，并积极开发下游客户，目前公司的相关产品已经在 AI算力领域头部客户实现批量销售，且将进一步快速增长。 （二）研发创新 2023年度，公司实现研发投入 8,731.42万元，占营业收入的比例为 5.91%。截至目前，公司共有专利 196项，其中发明专利 86项（不含已到期专利）。2023年全年新增产品 600余款。 ? IGBT平台： 1）第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 650V和 1200V大饱和电流的中高频系列产品已经通过内部测试，正在进行客户端导入测试，产品交直流参数已经达到预期水平，正在同步做良率优化，同系列光伏逆变应用的业界最大电流 TO-247 Plus封装单管产品 1200V 160A产品正在进行客户应用验证，650V 200A单管样品已完成直流参数验证，正在进行交流参数验证； 2）第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 650V和 1200V高短路能力低频系列产品已完成直流参数验证，正在做交流参数优化； 3）第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 800V、1000V、1400V系列已完成直流参数验证，符合设计预期，正在进行交流参数验证； 4）IGBT并联 SiC二极管产品已通过客户验证，开始批量出货； 5）具有不同反向恢复特性的 600V和 1200V FRD系列产品已经全部进入量产，其他电压平台正在开发流片中。 ? SJ MOS平台： 1）第四代超结 MOS（SJ MOS）平台在 8寸和 12寸都已进入全面稳定量产，500V、600V、650V系列产品在高能效大功率电源、新能源汽车 OBC、充电桩、工业变频、家电、消费类电子等市场都已持续批量出货； 2）在现有量产的第四代超结平台上，针对 600V和 650V电压平台进一步创新进行特征导通电阻（Rsp）优化，相较于第四代产品，器件 Rsp进一步降低 12%，该系列新增加产品型号超过30款，已经进入量产阶段； 3）搭载快速恢复体二极管的第四代 800V深沟槽 SJ MOS平台 140mΩ产品交直流参数已经达设计预期，器件 Rsp相较于三代产品降低 35%，产品正在进行良率提升和终端客户应用测试； 4）第五代SJ MOS平台工程流片中，650V产品Rsp可以降低至0.95欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，目前已经通过 1000小时以上可靠性考核，正在进行客户验证和良率提升。 ? SGT MOS平台： 1）针对车规应用的 P沟道 150V SGT MOS平台完成车规认证，参数性能达到业界领先水平，已进入量产阶段； 2）具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的 N沟道 30V第三代 SGT MOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低 39%，正在持续进行同平台不同电流规格和封装外形产品拓展； 3）具有业界最小单位元胞尺寸的 N沟道 40V第三代 SGT MOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低 26%，代表产品已完成车规认证，正在进行不同电流规格和封装外形系列产品拓展； 4）上述 N30V~N40V第三代 SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、大功率数据中心、AI服务器、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用； 5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性 N沟道 150V 第三代 SGT MOS平台实现量产，正在进行车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达 25%以上，产品主要针对 A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用； 6）基于 12寸平台，达到业界领先水平的 FOM、高鲁棒性 N沟道 60V、85V、100V第三代SGT MOS均完成工程验证，产品正在进行可靠性评估，以 100V产品为例：器件 Rsp相较于同规格最优竞品小 20%以上，栅极电荷（Qg）较同规格最优竞品降低 15%以上，器件 FOM较同规格最优竞品降低达 30%，产品主要针对混动新能源车 48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、AI服务器、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。 ? Trench MOS平台： 1）针对汽车应用，基于 8寸平台完成了具有创新结构的高可靠性 P沟道 60V~200V设计与工艺固化，系列产品全面量产，多款产品通过车规认证，后续会衍生开发 P沟道 30V~60V产品平台； 2）具有高元胞密度（0.75um Cell Pitch）的第五代 P沟道 20V~40V产品平台开发完成，以P40V为例，器件 Rsp相较于上一代降低 31%，系列产品全面量产并持续拓展规格型号； 3）具有超高元胞密度（0.55um Cell Pitch）第七代 N沟道 12V~20V产品平台工程开发中，正在进行成品级测试和可靠性考核评估； 4）应用于智能手机和智能可穿戴设备的具有超高元胞密度的 12V~24V CSP MOS系列产品已完成工艺开发和终端客户评测； 5）基于 12寸平台完成多款车规级产品开发，产品批量交付汽车客户； 6）12寸 N沟道 30V、40V全系列产品均已完成平台升级迭代，以 N30V为例，Rsp相较于上一代降低 16%，持续进行系列产品拓展； 7）基于 12寸平台具有超高元胞密度（0.65um Cell Pitch）第六代 N沟道 20V~60V工艺平台开发流片中。 ? 第三代半导体功率器件平台： 1）公司已开发完成 1200V 23mohm~75mohm和 750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品，新增产品 12款，相关产品处于小规模销售阶段； 2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、 650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品 2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN 产品开发中。 ? 汽车电子平台： SGT MOS、Trench MOS、SJ MOS、IGBT四大产品平台中已有 140余款典型产品基于 APQP完成了产品开发，通过了 AEC-Q101车规可靠性考核，另有 70余款产品认证中。其已开发完成的电压范围覆盖了 P20V、P30V、P40V、P60V、P100V、P150V、P200V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V、N120V、N200V、N250V、N150V、N650V、N1200V等，且在持续扩充增量中。 公司的车规产品已大批量交付近 90家 Tier1厂商及终端车企，除域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等应用外，在线控刹车系统、车身控制模块、变速箱控制器、电控悬架等动力安全领域已实现大规模应用。 公司将持续基于 IATF16949汽车质量管理体系对车规产品的整个生命周期进行管理。在顾客导向过程中，基于客户的需求，运用 APQP,PPAP,DFMEA等工具实现满足客户需求的车规产品的开发。在资源管理过程中，基于管理评审、经营计划等，协调各方面资源配置保证车规产品快速高质量生产。在客户支持过程中，基于 VDA6.3/VDA6.5对产品的过程及成品进行验证，包括可靠性的测试、车规设备的认证、人力资源的支持和预见性维护和保养等，通过管控关键的生产过程来保证车规产品质量。公司致力于向汽车客户提供零缺陷产品,持续满足客户需求、提高客户满意度。 报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，并积极引入高学历人才，以进一步加强新能源光储充、汽车电子、工业自动化、AI服务器与数据中心，以及半导体功率模块产品的开发力度。 （三）生产运营 报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2023年以来，随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，与各主要供应商继续保持良好合作关系，并开发更多的封测领域供应商，为后续进一步加强合作提供了供应保障。 2023年芯片代工供应稳定，同时公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前 SiC MOSFET产品和 GaN HEMT产品均已实现工程产出。其他部分工作完成如下：1）项目管理试点推行（比亚迪专项、光伏专项）达成预期；2）降低封装成本，针对十余家封装厂进行全面议价；3）完成 STOLL、双面散热等新品引入；4）配合完成汽车电子客户审核导入及普通产品封装厂巡线工作；5）细化未投料产品生产管理，有效缩短生产周期等。 （四）子公司建设 1、电基集成 公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品。一直以来电基集成特别注重车规级封测产线的建设与管理，并在 2023年顺利通过 SGS IATF 16949体系换证审核。 2023年，电基集成全面提升组织的 ISO14001环境管理体系、ISO45001 职业健康安全管理体系和 IECQ QC080000有害物质管理体系的系统化和执行效果；深化改革公司的 EAP设备自动化系统、TMS 测试管理系统和条码系统，加快建设智能工厂和数字化车间建设，为公司持续发展提供了源源不断的动力，推动公司向更高标准和更专业的方向发展。 SOP8和 PDFN3.3x3.3 等新封装形式目前处于小批量阶段，sTOLL等无引脚先进功率封装处于设备调试状态。 2、金兰半导体 公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。 目前公司已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部成员具有十几年丰富的 IGBT模块产品及工艺开发经验，并拥有优秀的生产品质管理经验。截至目前，金兰已经完成建设第一条 IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能 6万个模块/月。计划 2024年开始按车规要求升级产线，满足车规产品的生产要求，并逐步通过车规质量体系 IATF16949审核。 产品开发方面： （1）开发完成：基于 650V和 1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片，多款模块产品完成开发。其中应用在 110KW光伏逆变器上的第一款产品 450A/650V已通过内部可靠性测试，客户测试正在进行中；应用在集中式逆变器上的产品 600A/1200V开发完成，通过内部可靠性测试，客户测试正在进行中；应用于车用冷却泵控制的产品 50A/1200V已通过客户测试，即将开始小批量生产。 （2）正在开发：基于650V和1000V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片，多款应用于光伏储能/光伏逆变领域的 IGBT模块产品正开发。包括应用于光伏储能的 100KW模块 300A/1000V、125KW模块 400A/1000V、215KW模块 600A/1000V ; 应用于光伏逆变的 150KW模块 600A/650V、320KW升压模块 600A/1000V 和 320KW逆变模块 600A/1000V。以上产品将在2024年上半年完成开发并送客户测试验证。 金兰 2023年申请专利 13项（其中 2项为发明专利），已授权 2项实用新型。 3、国硅集成 公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅进一步加强了研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过 ISO9001体系认证。 目前，国硅集成已实现量产 25V低侧驱动系列产品 18款，适用于光伏 MPPT应用，家电 PFC应用；量产 40V桥式驱动系列产品 4款，适用于中小功率风机、中低压水泵；量产 250V半桥驱动芯片 15款（2023年新增 9款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片 16款（2023年新增 10款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增高侧驱动、马达驱动两条产品线（推出 6款新品），适用于重卡、高速电摩、BMS锂电控制、智能家居等应用。 国硅 2023年通过国家高新技术企业、国家级科技型中小企业、创新型中小企业、无锡市“专精特新”企业、无锡市“雏鹰企业”等认定。2023年获得无锡市科技局“太湖之光”科技攻关（产业前瞻及关键技术研发）立项、无锡市工信局集成电路产业发展资金项目立项、无锡市人社局“创响无锡”项目立项，并顺利通过 2023年度的江苏省“双创人才”拨款考核。 国硅集成 2023年度新增授权知识产权 12项；当期申报专利 16项，其中发明专利 4项，实用新型 5项，集成电路布图 7项。 （五）内部管理 2023年度，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。 （六）资本市场 公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极的横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。 2023年上半年，公司与无锡临芯投资有限公司共同投资设立无锡临尚创业投资合伙企业（有限合伙），主要作为公司整合优质项目资源模式的一种探索创新，符合公司未来发展战略规划，有利于抓住行业快速发展的契机，拓宽投融资渠道，整合多方资源，可以进一步增强公司的整体实力。 2023年下半年，公司参股投资了无锡金源半导体科技有限公司、苏州矩阵光电有限公司两个项目，该两项投资有利于促进公司的业务横向与纵向协同，以及新技术的开发。 （七）荣誉奖项 2023年，公司新增荣誉如下： 2023年国家级专精特新小巨人企业 2023年江苏省科技成果转化项目 2023年江苏省工业和信息产业转型升级专项资金专精特新中小企业能力提升项目 2023 年无锡市集成电路产业扶持项目 2023年无锡市高新区（新吴区）飞凤人才基金 2023年无锡市高新区（新吴区）支持新产品研发项目 2023年无锡市高新区（新吴区）支持关键人才引进和扎根 2023年无锡市高新区（新吴区）三类企业认定 2022年无锡市高新区（新吴区）科技领军人才创新创业项目 2023年苏南国家自主创新示范区瞪羚企业。 二、报告期内公司所处行业情况 1、行业特点及发展趋势 公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。 分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在 22%—25%之间。 功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。 功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。 据 Yole 数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。 发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如 SGT MOSFET、SJ MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达成了优秀水平。 2、市场规模分析 2023年，受全球经济增速放缓、下游应用市场景气度波动、局部国际形势恶化等因素的综合影响，全球半导体行业市场增速有所放缓。Gartner公司发布了 2023年全球半导体行业报告，显示全球半导体收入总额为 5,330亿美元，较 2022年下降 11.1%。据中华人民共和国海关总署公布的 2023年进出口主要商品数据，2023年全年集成电路出口 2,678.3亿个，同比下降 1.8%；全年集成电路进口 4,796亿个，同比下降 10.8%。 尽管 2023年全年数据经历了周期性下滑，但跟踪世界半导体贸易统计（WSTS）组织的月度数据，2023年第三季度开始呈现增长趋势，第四季度持续回暖，WSTS预测 2024年全球半导体销售额将增长 13.1%。 功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在 8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据 Omida的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到 503亿美元，预计 2027年市场规模将达到 596亿美元，其中功率 IC市场占 54.8%，功率分立器件占30.1%，功率模块占 15.1%；中国功率半导体的市场规模，预计 2024年将达到 206亿美元，占全球市场约为 38%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。 （1）从产品品类角度分析 功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率 IC三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 为代表的功率器件需求旺盛，市场规模如下：
随着新能源汽车和充电桩、光伏及储能、AI服务器及数据中心、无人机、5G、物联网、人工智能等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。 ①新能源汽车及充电桩：新四化持续推动功率器件市场增长 汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐步成熟，产品向多元化发展。随着新能源汽车购置税减免政策的延续、用车环境优化、限牌限号地方政策等因素的催化下，新能源车的优势逐渐显露，预计未来渗透率将不断提高。 中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）数据显示，2023年我国新能源汽车产销量分别达 958.7万辆和 949.5万辆，同比分别增长 35.8%和 37.9%，市场占有率达 31.6%。2023年我国汽车出口491万辆（整车出口 485.28万辆），出口量首次超过日本，成为全球第一大汽车出口国。2024年我国汽车市场有望继续保持稳中向好发展态势，中汽协发布的《2024中国汽车市场整体预测报告》预测 2024年新能源汽车销量为 1,150万辆左右，出口量为 550万辆左右；2024年我国汽车总销量将达到 3,100万辆，同比增长 3%。乘用车销量在 2,680万辆左右，同比增长 3.1%。新能源汽车销量将达到 1,150万辆左右，同比增长 20%。新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量。 新四化即电动化、智能化、网联化、共享化，电动化指的是新能源动力系统领域；智能化指的是无人驾驶或者驾驶辅助子系统；网联化指的是车联网布局；共享化，指的是汽车共享与移动出行。在新四化趋势下，汽车产业进入百年未有的大变革时代，新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的 2至 3倍。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为 600至 700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至 1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至 3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和 OBC （车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 均有广泛使用。 充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。中国充电联盟数据显示，2023年，充电基础设施增量为 338.6万台。国家能源局数据显示，截至 2023年底，我国充电基础设施总量达 859.6万台，同比增长 65%。交通运输部印发《关于加快推进 2024年公路服务区充电基础设施建设工作的通知》，通知中提到，2024年全国计划新增公路服务区充电桩 3,000个、充电停车位 5,000个，持续提升公路沿线充电服务保障能力。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的 50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。 ②AI服务器及数据中心：新技术发展带来广阔空间 随着 5G 网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026年，全球新建数据中心数量将以 8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。 国务院总理李强在北京调研时明确指出：“人工智能是发展新质生产力的重要引擎。要加强前瞻布局，加快提升算力水平，推进算法突破和数据开发使用，大力开展‘人工智能+’行动，更好赋能千行百业”。 服务器是数据中心中的一部分，负责执行具体的计算和存储任务，数据中心则提供了一个更加全面和集中的环境，用于管理和运营这些服务器和其他 IT设备。服务器根据场景需求变化，目前市场格局为传统服务器、云服务器、AI服务器和边缘服务器四足鼎立。受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对 AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推 AI服务器市场及出货量高速增长。据 IDC与浪潮信息的数据显示，2023年全球 AI 服务器市场规模为 211亿美元，预计 2026年达 347亿美元，5年 CAGR达到 17.3%；预计 2025年中国 AI 服务器市场规模达到 103.4亿美元。 以 SGT MOSFET、SJ MOSFET、Gate Driver、Dr MOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热风扇等服务器重要部件中有广泛应用。以浪潮、华为、联想、新华三为代表的国产服务器厂商在全球市场份额占比超 35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。 ③光伏储能：库存改善、加速渗透 随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源安全保障能力持续增强，能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。根据国家能源局数据，2023年国内光伏新增装机达到 216.88GW，同比大幅增长 148%，接近此前四年新增装机总和。截至 2023年 12月底，国内太阳能发电装机容量约 610GW，正式超越水电约 420GW的装机规模，成为全国装机量第二大电源形式，在电力能源结构主体地位进一步提升。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华预测，2024年中国新增光伏装机保守情况达到 190GW，同比下滑；乐观情况下同比略有上升，达 220GW，2024年全行业首要任务是确保光伏产业稳定健康发展，防止大起大落。 中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。全球光伏逆变器出货量靠前的企业均为中国企业，占全球光伏逆变器总出货量的大部分，且呈现向头部集中的趋势。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。根据中国海关总署数据显示，2023年我国逆变器出口实现 99.54亿美元，同比2022年的 89.38亿美元，上升 11.37%。与此同时，逆变器出口环比改善，库存去化进展超市场预期。 IGBT器件及模块、中高压 MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。 IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的 15%至 20%，不同的光伏电站需要的 IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用 IGBT模块，而分布式光伏主要采用 IGBT单管或模块。 ④传统领域：工业、家电及其他市场稳健增长 根据 TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，工业占比 35%，消费电子占比 19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。 工业方面，我国处于工业 4.0快速发展时期，在《“十四五”智能制造发展规划》中政府提出明确发展目标：到 2025年，规模以上制造业企业基本普及数字化，重点行业骨干企业初步实现智能转型。到 2035年，规模以上制造业企业全面普及数字化，骨干企业基本实现智能转型。工业4.0，即第四次工业革命，是生产中的物联网，可使整个价值链连接在一起，智能机器将彼此交换信息，并自行组织，整个价值链中的流程将实现互联和自动化。因此，整个生产将变得更高效、更敏捷。工业自动化是工业 4.0的关键之一，主要利用电子电气、机械、软件组合实现，即通过计算机控制系统和自动化机械来代替人类决策和参与制造过程，使工厂的生产和制造过程更加自动化、效率化、精确化，并具有可控性及可视性，同时也能提高生产速度、控制质量和提高安全性。功率半导体作为实现整流、变频的主要器件之一在工业 4.0的实现当中发挥着不可替代的作用。 家电方面，变频家电能够智能调节压缩机转速，从而减少能源浪费，变频家电相比传统家电能够减少高达 30%至 40%的电力消耗，且能够在较宽的电压范围内正常工作，低噪音更环保，在节能减排的环保趋势及消费者需求升级下，我国变频家电渗透率不断提升。白色家电一般要求在家中使用 5至 10年，产品稳定性、可靠性要求高，技术门槛高。功率半导体在家电实现两大功能：电流转换（交/直流电变换）、电源供应（电流升/降压输出），是变频家电的核心。 除上述应用外，功率半导体在安防、医疗设备、锂电保护、5G通信、物联网等领域均有大量应用，市场规模将随经济发展、技术迭代、新应用普及等因素而稳步提升。 三、报告期内公司从事的业务情况 1、主要业务 公司的主营业务为 MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。 公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了 IGBT、屏蔽栅 MOSFET （SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动 IC、电源管理 IC 等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号 3,000余款，电压覆盖 12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI 服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G 通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。 2、经营模式 公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。 3、市场地位 公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率 MOSFET及超结功率 MOSFET的公司，也是国内最早在 12英寸工艺平台实现沟槽型 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET 量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有 IGBT、屏蔽栅 MOSFET（SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了 12V~1700V的全系列产品，为国内 MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据 Omdia统计数据，2021年国内 MOSFET市场销售额排名中，含英飞凌、安森美等国际厂商在内公司排名第 5，其中在设计领域公司名列第一。 四、报告期内核心竞争力分析 √适用 □不适用 1、研发实力优势 自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有196项专利（其中发明专利 86项、美国专利 2项），集成电路布局图 39项，软件著作权 1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与 IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在 IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文 22篇，其中 SCI收录论文 15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端 IGBT、MOSFET 的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆 IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于 12英寸芯片工艺平台的 MOSFET产品，实现基于 12英寸芯片工艺平台的 IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品及功率 IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对 SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 2、产品系列优势 公司目前主要产品为 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、沟槽型功率 MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖 12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中 MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。 在 IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经逐步实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的 SiC MOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaN HEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有 3000余款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。 3、产品品质优势 公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了 ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET”、“超结功率 MOSFET”、“沟槽型功率 MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过 AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。 4、产业链协作优势 产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得 IGBT、MOSFET主要基于 8英寸以及 12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。 公司目前是国内 8英寸和 12英寸工艺平台上 IGBT和 MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。 5、进口替代优势 国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET以及超结功率 MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对 MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。 6、品牌和客户优势 公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。 7、人才优势 公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于 8英寸和 12英寸芯片工艺平台对 MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在 MOSFET、IGBT 等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。 公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 五、报告期内主要经营情况 报告期内，公司共实现营业收入 147,656.14万元，较去年同期减少 18.46%；其中主营业务收入 147,083.92万元，较去年同期减少 18.51%；归属于上市公司股东的净利润 32,311.63万元，较去年同期减少 25.75%。业绩变化的主要原因系：2023年度，公司下游应用市场的整体景气度延续了 2022年第四季度以来的下行趋势，主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时，伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着新的挑战。但与此同时，公司积极应对市场变化和响应客户需求，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心、无人机等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在高端市场的应用规模及影响力。 (一) 主营业务分析 1. 利润表及现金流量表相关科目变动分析表 单位：元 币种：人民币
营业成本变动原因说明：主要系本期销售收入降低，导致产品结转对应成本也降低。 销售费用变动原因说明：主要系对销售人员激励导致的股份支付费用本期分摊减少所致。 管理费用变动原因说明：主要系对管理人员激励导致的股份支付费用本期分摊减少所致。 财务费用变动原因说明：主要系本期通过现金管理增加利息收入所致。 研发费用变动原因说明：主要系对研发人员激励导致的股份支付费用本期分摊减少所致。 经营活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系本期公司购买商品、接受劳务支付的现金减少所致。 投资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系本期公司购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金以及投资支付的现金增加较多所致。 筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明：主要系上期公司存在非公开发行融资、股权激励收款和子公司吸收少数股东投资的现金所致。 信用减值损失变动原因说明：主要系本期公司计提的其他应收款坏账损失减少所致。 资产减值损失变动原因说明：主要系本期公司计提较多的存货跌价损失所致。 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用 2. 收入和成本分析 √适用 □不适用 报告期内，公司共实现营业收入 147,656.14万元，较去年同期减少 18.46%；其中主营业务收入 147,083.92万元，较去年同期减少 18.51%；实现营业成本 102,247.43万元，较去年同期减少10.48%；其中主营业务成本 102,151.93万元，较去年同期减少 10.43%。 (1). 主营业务分行业、分产品、分地区、分销售模式情况 单位:元 币种:人民币
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