[年报]天岳先进(688234):山东天岳先进科技股份有限公司2023年年度报告
原标题:天岳先进:山东天岳先进科技股份有限公司2023年年度报告 山东天岳先进科技股份有限公司 2023年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之四“风险因素” 四、 公司全体董事出席董事会会议。 五、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、 公司负责人宗艳民、主管会计工作负责人 Teo Nee Chuan及会计机构负责人（会计主管人员）王俊国声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 综合考虑公司目前经营状况以及未来发展需要，为保障公司生产经营的正常运行，增强抵御风险的能力，实现公司持续、稳定、健康发展，更好的维护全体股东的长远利益，公司2023年利润分配预案为：不派发现金红利，不进行公积金转增股本、不送红股。以上利润分配方案已经公司第二届董事会第二次会议和第二届监事会第二次会议审议通过，尚需公司2023年年度股东大会审议通过。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告涉及未来计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ..................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 14 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 41 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 57 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 63 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 91 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 102 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 103 第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 104
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2023年，公司实现营业总收入125,069.57万元，较上年同期增加199.90%；扣除与主营业务无关的业务收入和不具备商业实质的收入后的营业收入 125,045.55万元，较上年同期增加199.92%；基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益较上期增加；实现归属于母公司所有 者的净利润-4,572.05万，实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-11,272.08万元，较上年同期亏损收窄。 2023年在下游新能源汽车、光伏发电、储能等应用领域的应用渗透，碳化硅半导体整体市场规模不断扩大。 报告期内，公司经营战略取得阶段性良好成果，推动公司2023年营收增长。公司高品质碳化硅衬底获得了国内外客户的认可，公司客户群体持续增 加，并与下游电力电子、汽车电子领域的国内外知名企业开展了广泛合作。公司上海临港智慧工厂于2023年中开启产品交付，为公司长期的产能产量提 升奠定基础。公司持续加大技术投入，加快大尺寸等新产品的规划布局。 整体上2023年得益于公司导电型产品产能产量持续提升，产品交付能力增强，营业收入与上年同期相比增长，产品毛利率上升，归属于上市公司股 东的净利润和扣除非经常性损益的净利润同比亏损收窄。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2023年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十一、非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 √适用 □不适用 公司部分信息涉及商业秘密，根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》的相关规定，公司已按照《信息披露暂缓与豁免事项管理制度》完成相应的审批程序。 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 全球能源电气化、低碳化的发展趋势明确， 2023年全球第三代半导体行业发展保持了强劲势头。碳化硅衬底材料作为第三代半导体行业基石，在电动汽车，光伏新能源、储能、充电桩等终端需求带动下，以及电动汽车800V高压平台的加速推进，进入战略机遇期。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。 2023年，国际市场对高品质导电型碳化硅衬底的需求旺盛，而终端应用端跨过导入期，在新能源汽车行业规模化应用，并向其他各领域应用渗透拓展。第三代半导体产业进展超预期，全球头部企业在衬底材料、晶圆制造环节等产业链关键环节正加快加大布局。 公司是国内技术最全面、国际化程度最高的碳化硅衬底厂商之一，自成立以来坚持在产业链关键环节，深耕技术突破，建立领先竞争优势。 2023年公司继续专注于长远发展战略目标的实现，加快提高产能，加强与国内外头部客户长期战略合作，加大前瞻性技术布局和人才培养，致力于成为国际著名的半导体材料公司。 （一）公司经营情况 公司围绕公司长远发展战略目标，本年度公司经营进展情况良好。 1、立足全球市场，提升公司的产能产量布局。全年济南工厂的产能产量稳步推进。2023年公司加快上海临港工厂投产进度，上海工厂已于年中顺利开启产品交付。同时上海临港工厂实现了快速的产能产量爬坡，原计划临港工厂2026年30万片导电型衬底的产能规划提前实现，公司将继续推进第二阶段产能提升规划。 整体上，2023年度公司实现营业收入12.51亿元，较2022年增长199.90%。公司连续七季度保持的营收增长。本年第三四季度，公司转向季度盈利，全年净亏损缩窄。公司全年各季度衬底产品毛利率持续提升，一方面依靠公司长期布局核心关键技术获得积极效果，另一方面公司大规模稳定供应能力获得一线客户认可。 2、在客户和市场方面，公司加强与国内外知名客户开展长期合作。截至目前，全球前十大功率半导体企业超过 50%已成为公司客户，有助于共同推动碳化硅材料和器件的渗透应用。公司在产品稳定性、一致性上获得国际一线客户认可，在大规模应用过程中有助于为客户提供额外的价值。 2023年公司与英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业签署了新的长期合作协议。公司向英飞凌提供6英寸导电型衬底和晶棒，占英飞凌需求的两位数水平，同时公司还将助力英飞凌向8英寸产品转型。 根据日本权威行业调研机构富士经济报告测算，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）跃居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。 3、在产品方面，公司实现快速战略转型，车规级导电型碳化硅衬底产品实现行业领先。公司高品质6英寸导电型衬底产品向国际大厂客户大规模批量供应，推动公司本年度业绩增长。 公司在8英寸导电型衬底产品布局上领先。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，推动头部客户积极向8英寸转型。公司将逐步根据下游市场客户情况，合理提升8英寸产品产能。 （二）研发创新情况 2023年，公司研发费用13,721.06万元，围绕前瞻性技术、大尺寸产品和关键核心等方面持续投入。 碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，具有较高的技术壁垒。公司在核心技术和产业化能力优势，保障了产品的大批量稳定交付。目前公司在衬底制备上处于国际第一梯队，引领行业发展，在大尺寸产品产业化、前瞻技术布局、高品质产品研发等方面依托于完全自主研发创新。 公司研发与规模化生产形成良好的正循环积累。工程化试验数据为技术和良率的持续改进提供了关键支持。公司继续加强基础研究，在晶体生长的缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品品质。公司业内首创使用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。 截至 2023年末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权 172项，实用新型专利授权 317项，其中境外发明专利授权13项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。 公司董事长宗艳民在2023年第十二届中国知识产权年会大会发表主旨演讲表示，公司将坚持创新引领发展的理念，重视专利布局，持续提升技术竞争力。 截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计 59人，占研发人员总数的 47.58%。公司享受国务院特殊津贴专家两人。 （三）年度成果和荣誉 2023年，公司上海临港工厂顺利实现产品交付，开启了公司发展新的篇章。上海临港工厂将是公司导电型产品的主要生产基地。上海工厂具有模块化高标准设计，率先打造碳化硅衬底领域智慧工厂，通过AI和数字化技术持续优化工艺，为产能提升打下重要基础。 2023年，公司评选为国家市场监督管理总局、工业和信息化部公布的“2023年度智能制造标准应用试点项目”，其中天岳先进是唯一一家半导体材料生产企业。 2023年，公司获得由中国工业经济联合会在相关部委和四十多个地方发改委、工信、国资、生态环境部门组织评选的“中国工业碳达峰领跑者企业”荣誉称号。 2023年，公司新设立“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”，与公司已经设立的“碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心”、“国家博士后科研工作站”、“山东省碳化硅材料重点实验室”等创新平台，持续推动碳化硅技术的产业化进程。 公司被国际权威指数机构MSCI公司纳入“MSCI中国A股在岸指数”的成分股名单，公司已经成为科创50等重要指数成分股。 2023年是公司发展的重要战略窗口期，天岳先进始终围绕技术、产能、客户、市场构建长远发展的核心竞争力。经过多年发展，公司技术优势显著，临港工厂的顺利投产有利保障了客户订单的稳定交付。上海临港工厂第二阶段产能提升规划也已启动，公司将持续提升高品质导电型碳化硅衬底产品的产能产量，服务全球知名客户。 碳化硅技术在终端应用的渗透推动市场需求的持续增长，公司将坚持追求卓越的产品品质，始终为客户创造更大的价值。 未来，天岳先进将以“先进品质持续”的经营理念，以宽禁带半导体技术和市场发展为导向，立足国际能源变革和数字化低碳化发展大趋势，巩固和提升公司在行业中的领先地位，致力于成为国际著名的半导体材料公司。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司是一家国内领先的宽禁带半导体材料生产商，目前主要从事碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体材料在5G通信、新能源汽车、储能等领域具有明确且可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。 公司已经实现8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的批量供应，主要客户包括国内外电力电子器件、5G通信、汽车电子等领域知名客户。 公司积极优化产能布局。目前已形成山东济南、济宁碳化硅半导体材料生产基地。上海临港智慧工厂已于2023年5月实现产品交付，是公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。公司同时在日本设立研发及销售中心，积极开拓海外市场。公司高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，获得英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。 公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站、山东省碳化硅材料重点实验室等国家和省级研发平台，拥有一批高素质的研发人员，承担了一系列国家和省部级研发和产业化项目。公司子公司上海天岳与长三角国家技术创新中心、上海长三角技术创新研究院共建了“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”，共同推动碳化硅半导体领域关键核心技术攻关，助力长三角一体化高质量快速发展，用科技创新发展新质生产力。 截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权172项，实用新型专利授权317项，其中境外发明专利授权13项，是国家知识产权示范企业；自设立以来，公司获得了国家制造业单项冠军等多项国家级和省级荣誉，并于2019 年获得了“国家科学技术进步一等奖”。 公司将始终以客户为中心，不断加大研发投入、强化自主创新、加快产品迭代、提升产品质量、增加产能、扩大市场份额，致力于成为国际著名的半导体材料公司。 2、主要产品及服务情况 公司生产的碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。 全球宽禁带半导体材料及器件正处于快速发展期，产品广泛应用于5G通信、轨道交通、新能源汽车及充电桩、新能源、储能、大数据中心、工控等下游领域，应用领域非常广泛。 在“碳达峰、碳中和”的大背景下，绿色电力、储能、电动汽车等新能源行业迅猛发展，电气化和能源的高效利用推动碳化硅半导体行业快速发展。 公司产品以导电型碳化硅衬底为主，具体情况如下：
(二) 主要经营模式 公司自成立以来，始终坚持自主研发创新，通过技术驱动，持续提升产品品质，推动碳化硅半导体材料的拓展应用。公司通过自建工厂，持续提升产能产量，扩大经营规模。 1、研发模式 公司研发工作由研发中心主导，实行层级管理的项目制运作，具体流程如下： （1）需求提交与论证 公司结合日常工作、外部合同、政府项目、市场调研及调研结果分析或者收集的客户需求，并进行清晰准确的描述后提交需求申请。 （2）项目立项 研发中心选定项目负责人及项目组成员。项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、项目启动背景、可行性分析、项目目标、项目财务预算等。 （3）项目执行 项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案和实验计划等，并根据设计方案完成实验验证。项目组根据实验结果编写各类研发文件，由专人保管，并安排专人进行项目全过程管理，及时跟进检查各进度节点的完成情况，确保项目按照计划顺利开展。 （4）项目验收 项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编制《项目验收报告》并交至研发中心审核。项目验收后，研发中心评估研发成果，采取多种手段保护知识产权。 2、采购模式 公司采购以“安全、品质”为导向建立了采购相关制度、管理流程及业务规范，在保证产品品质的前提下，有效保证了供应链的稳定及持续供应。总体上，公司采取“以产定购、战略备货”3、生产模式 公司实行以订单生产（MakeToOrder）为主的生产模式。在生产环节，公司采用信息化系统，制定了完善的生产过程控制程序，建立了一套快速有效处理客户订单的流程，销售部门依据客户订单生成ERP系统内部销售订单，订单经销售、技术、质量、生产计划部门评审后，下达生产工单给生产部门，生产部门依据生产工单领料并进行生产。质量部进行全过程品质控制，达到“不接收、不制造、不流出”不良品的目的。公司生产模式有利于满足不同客户的需求，有利于提升订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，并有助于控制库存水平及提高资金利用效率。 4、营销及销售模式 公司主要采取直销的销售模式。公司营销中心主要负责对接客户，为客户提供技术支持和服务，并承担行业趋势研究、市场调研及公司产品推广等营销工作。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。 公司所属的半导体材料行业，属于半导体芯片制造、封测的支撑性行业。常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。 宽禁带半导体产业保持高速发展。碳化硅材料本身优异的物理性能以及在下游应用领域的不断深入，并伴随着全球及国内在新能源汽车、新能源发电和储能等终端市场需求的快速增长，行业对碳化硅衬底需求呈现出持续旺盛的趋势。根据IHS数据，受新能源汽车行业庞大的需求驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元，2018-2027年的复合增速接近40%。 日本权威行业调研机构富士经济报告指出，在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体坚挺，2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。 EVTank数据显示，2023年全球新能源汽车销量达到1465.3万辆，同比增长35.4%。展望未来，EVTank预计2024年全球新能源汽车销量将达到1830.0万辆，2030年全球新能源汽车销量将达到4700.0万辆。受益于汽车电气化的持续推进，汽车电子成为半导体领域逆势增长的代表。 800V平台架构下SiC功率电子器件需求增长明显，越来越多的半导体器件大厂纷纷加快布局碳化硅产业链，包括英飞凌、博世、安森美、意法等全球知名tier1厂家均加大了在碳化硅产业链中的投资。据NE时代数据，我国新能源上险乘用车800V车型中碳化硅渗透率显著提升，2023年6-11月800V车型中碳化硅车型占比分别为15%/18%/29%/35%/39%/45%，渗透率持续提升。 除汽车应用外，光伏风电和储能成为第二大推动力。绿色低碳发展趋势影响，多国加速出台减碳政策，全球光伏行业受益于高景气度运行。根据中国光伏行业协会(CPIA)在《中国光伏产业发展路线图（2022-2023年）》中的预测，到2030年，全球新增光伏装机规模保守估计为超过400GW，乐观估计将超过500GW。根据全球风能理事会（GWEC）发布的《2023年全球风能报告》，预计未来五年（2023-2027年）将有680GW的新装机容量，这意味着到2027年每年新装机容量将达到136GW。 根据彭博新能源财经最新发布的《全球能源存储展望》报告中显示，到2030年累计安装量将达到358GW，是2020年16.5GW的20倍以上。 微波射频市场将继续保持稳步增长。综合Yole及Trendforce数据，GAN微波射频器件未来几年将保持18%的增速，其中GAN-on-SIC器件占据了九成的市场份额。安防航天应用仍然是GAN微波射频器件市场发展的最重要驱动力量之一，GAN微波射频器件在无线宽带、射频能量等市场碳化硅衬底生产是行业发展的关键环节，但衬底制备难度大，技术和资金壁垒高长期来看，国内外下游市场需求增长明确，以Wolfspeed为代表的龙头企业纷纷加大资本开支，进行产能建设或技术迭代升级。国内主要碳化硅衬底厂商也在加速扩充产能。 伴随着下游应用领域旺盛的需求，碳化硅市场产能持续稳定释放、上下游产业链的协同发展、碳化硅厂商的核心技术竞争力将成为全球宽禁带半导体行业未来发展的重点。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况 碳化硅半导体材料主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。 公司自主攻克了碳化硅晶体生长、衬底加工等一系列国际难题，掌握碳化硅衬底材料产业化核心关键技术，获得国家科技进步一等奖，是国家工信部单项冠军示范企业和“专精特新”小巨人企业。 同时，公司是全球大规模量产导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底的科技型领军企业。 继半绝缘型碳化硅衬底市占率连续4年位居全球前三以来，根据日本权威行业调研机构富士经济报告测算，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率前三的公司有1家来自中国，天岳先进（SICC）超过高意(Coherent)跃居全球第二。公司导电型碳化硅衬底产量持续攀升，市场占有率逐步提高，国际竞争力持续提升。 公司是我国最早从事碳化硅衬底制备的企业之一，十几年来始终专注于碳化硅衬底制备，公司在山东济南、上海临港拥有碳化硅衬底智慧化工厂。 公司凭借产品质量、产能规模、稳定供应能力，受到国际市场关注，公司高品质碳化硅衬底产品获得了全球客户的广泛认可，产品加速“出海”。公司先后与全球电力电子、汽车电子知名企业英飞凌、博世签订了长期供应协议。同时，全球前十大功率半导体企业超过50%都是公司客户。公司与部分国际一线大厂签订了长期供应协议，且是部分国际一线大厂的主供货商。公司与国际一线大厂的持续稳定合作，为公司未来可持续增长奠定了坚实的基础。 另一方面，公司在大尺寸及高品质产品方面取得了突破性进展。公司通过自主扩径实现高质量8英寸产品的制备，在产品性能持续提升和批量化制备等各方面具有领先优势，目前已实现批量化销售。公司将根据下游市场的进展情况，积极进行8英寸导电型产品的产能布局，引领产业和技术发展方向。 碳化硅衬底材料是第三代半导体行业的基石。公司始终以行业领军企业为己任，为我国第三代半导体的发展奠定好基石，公司将继续与下游器件端一起努力，推动技术迭代，把碳化硅衬底做成质量最优，成本最低，共同推动碳化硅半导体行业发展。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 碳化硅器件成本降低的需求驱动着碳化硅衬底往更大的晶体尺寸、更优的衬底质量、更低的制备成本发展。在衬底制备过程中，需要持续提升晶体质量，多维度管理衬底品质，确保向客户持续供应高质量的衬底产品。 总的来说，随着电动汽车、充电桩、新能源发电、储能等行业发展，半导体器件的性能也需要持续提升。一方面仍然会向8英寸碳化硅产品前进，另一方面6英寸碳化硅产品仍将在很长一段时间内继续发展。 目前具备大规模量产能力和有效产能仍然是行业内主要关注的重点，由于碳化硅衬底材料制备难度大，扩产周期长，短期内行业对车规级等高品质衬底的需求和稳定供应能力仍比较关注。 (四) 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各类核心技术。 具体情况如下： （1）碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术 公司的碳化硅单晶生长设备采用真空系统结构和材料设计，可在保持极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了高纯碳化硅粉料和碳化硅单晶生长腔室的纯度。此外，公司对设备自动化程度进行不断提升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。 碳化硅单晶生长热场是碳化硅单晶生长的核心，决定了单晶生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。公司的热场仿真模拟团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅单晶进行精确的热场仿真、模拟和设计，从而满足不同尺寸、不同类型晶体的生长技术需求。 （2）高纯碳化硅粉料制备技术 碳化硅粉料是碳化硅单晶生长的原料。由于合成环境及使用物料吸附杂质的影响，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。公司研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。 （3）精准杂质控制技术及电学性能控制技术 半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，碳化硅单晶电学性能的控制是基于精准的控制生长过程中进入到晶体中的杂质来实现的。 公司基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制，实现了半绝缘碳化硅衬底的高阻电学特性和导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性。 （4）碳化硅单晶生长过程中的缺陷控制技术 碳化硅中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅包含200多种晶型结构，其中多种晶型结构间的形成能接近，在高温生长过程中易产生晶型转化，从而导致多型夹杂；碳化硅单晶生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。 公司通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和低微管密度的晶体生长；通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，提高了晶体结晶质量；自主研发了晶体生长界面移位控制技术和生长界面C/Si组分调控技术，实现了晶体连续生长的质量稳定可控。 （5）碳化硅单晶衬底超精密加工技术 ①高面型质量的碳化硅晶棒多块切割技术 单晶SiC材料的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，而且脆性高，属于典型的硬脆材料。公司开发了多块拼接多线切割技术，解决了相邻碳化硅晶体之间切割质量差的难题，一批次可实现多块晶体的切割；设计了独有的碳化硅晶体切削液配方，大幅度降低了切割片的表面损伤；开发了一整套的多线切割工艺，每项参数均计算出最优的工艺曲线，提高了切割片的面型质量。 ②高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术 由于碳化硅单晶材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。 公司通过多年研究，研发了一整套的碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。例如，双端面研磨工艺中，公司自主设计了研磨液配方、研磨盘面和夹具模型、磨片修盘工艺；多级机械抛光工艺中，公司设计了金刚石磨料和多级抛光组合工艺；强氧化化学机械抛光（CMP）工艺中，公司开发了特有的强氧化性的抛光液配方。 ③碳化硅衬底表面洗净技术 CMP工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面微米级颗粒、沾污、金属离子等。公司自主研制了化学清洗液，开发了5步清洗工艺，可有效去除衬底表面的微小颗粒，在客户端达到了开盒即用的水平。 国家科学技术奖项获奖情况 √适用 □不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用
2. 报告期内获得的研发成果 报告期内，新申请发明专利和实用新型专利共51项，其中发明专利39项，实用新型12项。 截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权172项，实用新型专利授权317项，其中境外发明专利授权13项。 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：元
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