[年报]芯导科技(688230):2023年年度报告
原标题:芯导科技:2023年年度报告 上海芯导电子科技股份有限公司 2023年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”中的“四、风险因素”部分内容。 四、 公司全体董事出席董事会会议。 五、 天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、 公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人（会计主管人员）张娟声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司 2023年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润。本次利润分配方案如下： 公司拟向全体股东每 10股派发现金红利 6.00元（含税），截至 2023年 12月 31日，公司总股本 117,600,000股，以此计算合计拟派发现金红利 70,560,000.00元 (含税)。本年度公司现金分红总额占 2023年度归属于上市公司股东净利润的 73.13%。 如在本方案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。上述事项已获公司第二届董事会第十一次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 13 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 46 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 60 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 65 第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 91 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 101 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 102 第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 103
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
(一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
注： 1、2022年11月30日，财政部发布了《企业会计准则解释第16号》（以下简称“解释16号”），其中“关于单项交易产生的资产和负债相关的递延所得税不适用初始确认豁免的会计处理”的规定自2023年1月1日起施行。 2022年1月1日因适用解释16号的单项交易而确认的租赁负债和使用权资产，产生应纳税暂时性差异和可抵扣暂时性差异的，本公司按照解释16号和《企业会计准则第18号——所得税》的规定进行追溯调整。 2、本报告期公司实施资本公积转增股本，基本每股收益、归属于上市公司所有者的每股净资产的上年同期数按调整后股数重新计算。 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 报告期内，公司实现营业收入32,042.67万元，较上年同期减少4.68%；实现归属于上市公司股东的净利润9,648.77万元，较上年同期减少19.23%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4,357.55万元，较上年同期减少33.39%。影响上述指标变动的主要原因是： 1、 主营业务影响 2023年，在全球经济下行及行业景气度尚未恢复的情况下，行业库存消化速度缓慢，市场竞争激烈。受终端需求影响，公司部分细分市场短期增长受阻，部分产品销售价格有所下降，营业收入较去年同期减少； 面对复杂多变的市场环境，公司积极推进产品更新迭代，巩固现有市场份额，拓展新市场，加强供应链的合作及开发，公司2023年度毛利率保持稳定，随着消费电子产品等下游需求逐渐恢复及行之有效的相应策略，下半年公司营业收入较上年同期增长26.57%； 2、期间费用影响 （1）受美元汇率波动影响，2023年度汇兑收益较上年同期减少； （2）公司对核心员工实施中长期激励措施，增加股份支付费用； （3）募投项目购置的房屋建筑物于2022年8月转固，导致2023年折旧费用较上期增加； （4）为保证公司产品的竞争优势，公司有计划、有步骤地进行技术开发，2023年度研发投入较上年同期有所增加； 3、非经常性损益的影响 2023年度，公司使用暂时闲置的资金进行现金管理所产生的收益较上年同期有所增加。 报告期内，公司总资产228,154.47万元，同比增长3.11%；归属于上市公司股东的净资产222,254.94万元，同比增长2.37%，主要为报告期内公司实施2022年年度利润分配及资本公积金转增股本方案，转增33,600,000股，相比上年同期，股本和净资产增加，导致每股收益和加权平均净资产相比上年同期下降。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2023年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十一、非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 √适用 □不适用 公司因涉及商业秘密，对前五名供应商及客户名称进行豁免披露。 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 2023年度，在地缘政治形势、全球经济环境、行业周期等诸多挑战的背景下，公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命，凭借优秀的研发能力及研发团队，通过多年的技术积累，具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。 目前，公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台，公司针对TVS产品先后开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；公司针对MOSFET产品先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；公司针对第三代半导体GaN HEMT产品开发了高压P-GaN HEMT技术平台；公司针对IC产品先后开发了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台，负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步，在技术平台下持续更新、迭代，研发出新一代产品投入市场。 （一）报告期内主要经营情况 报告期内，公司实现营业收入 32,042.67万元，较上年同期减少 4.68%；实现归属于上市公司所有者的净利润 9,648.77万元，较上年同期减少 19.23%；归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润4,357.55万元，较上年同期减少33.39%。 报告期末，公司总资产 228,154.47万元，同比增长 3.11%；归属于上市公司的所有者权益222,254.94万元，同比增长2.37%。 （二）报告期内重点任务完成情况 1、持续加大研发投入，提升技术创新能力 报告期内，公司投入研发费用4,317.37万元，同比增长24.11%。作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，公司一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。 （1）功率器件研发方面： ①在TVS产品方面： A． 随着终端产品采用的电子元器件耐压越来越低，使工作电路变得更加脆弱和敏感，公司开发出基于 1.0*0.6mm尺寸下，电流泄放能力超过 20A的单、双向低容值、超低钳位电压的具有深回退特性的 ESD系列保护产品，并已经进入推广阶段。 B． 在超低容值（0.15pF）具有深回退特性、超小封装（0.6*0.3mm）的 SCR ESD产品基础上升级，开发具有更强静电防护能力的系列产品。同时开发用于 HDMI2.1接口保护应用的容值低于0.3pF的 4路深回退保护器件，以满足 4K电视的高速、高质量信号和数据传输应用。此外，在超低容值产品的开发工作方面，朝向更低的 0.1pF性能和更高的工作电压迈进。 C． 公司开发出的超低钳位电压、超大泄放电流的 TVS产品，已经通过部分终端客户的性能验证，由于具有优异的钳位电压、电流泄放能力和动态电阻性能，已被设计到终端产品中，目前部分产品已进入到量产阶段。同时，该产品正在逐步实现系列化，拓展更广泛的市场和更多的应用中。 ②在MOSFET产品方面： A． 中压超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET，已经在多个客户验证通过，部分客户已经进入批量出货阶段。同时，针对不同领域，更多应用范围的中压 MOSFET产品高性能化逐步完成、系列化在加快完善。 B． 低压超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET产品，在手机、平板电脑、TWS、PD快充、笔记本电脑、电动工具、BMS、电机控制等多领域的客户产品中被采用，逐步量产出货中。同时还在不断细化产品的参数规格、封装尺寸，以此更加贴合应用需求。此外，公司加快开发具有超低导通电阻的 P型低压 MOSFET产品，并在现有 P型低压 MOSFET产品性能基础上进一步升级，并逐步形成系列化。 ③在肖特基产品方面： A． 具有超低正向导通压降、大正向导通电流的超小封装尺寸（0.6*0.3mm）的肖特基产品实现量产。 B． 目前正在开发在小型封装中具有更低正向导通压降的肖特基产品，正在改进阶段。开发成功后，性能将具有业界领先水平。 ④在GaN HEMT产品方面： 第三代半导体 650V GaN HEMT产品已初步形成产品系列化，形成110mR~900mR范围，采用DFN5060、DFN8080、TO252、TO220、TO220F等多种封装形式的产品阵容，目前在电源、PD快充适配等领域重点推广，已经通过部分客户的验证，部分客户已进入小批量运行阶段。同时，中低压GaN HEMT产品的改进工作也在有序推进中。 ⑤在IGBT产品方面： A． 公司 650V/1200V 100A以下小电流产品已初步形成产品系列化，通流能力在 25A~75A范围，采用 TO-247/TO-247PLUS单管封装形式，目前在工业控制等领域重点推广； B． 公司 1200V 100A以上大电流产品设计和工艺平台初步建成，首颗 1200V200A芯片投入流片；1200V150A等系列化产品也已经设计完成，陆续进行流片产出。大电流产品主要采用Econodual3/62mm等模块封装形式，重点在储能等新能源领域推广。 （2）功率IC研发方面： ①在过流过压保护类IC产品方面： A． 现有产品系列化不断丰富，成功导入知名终端产品中，并实现量产。 B． 目前支持高压 30V插拔的可靠性增强型 OVP产品已研发成功，处于全面推广阶段。 C． 持续拓展小型化智能穿戴需求，致力于用更低功耗以满足客户应用，项目已在开发阶段。 ②在充电类IC产品方面： A． 能够满足消费工业类终端的快充需求，具有高精度、高效率与高稳定性降压型高压大电流系列，已完成产品性能验证；同时升降压大电流系列产品也在开发升级中。 B． 现有充电 IC产品线持续拓展系列化产品，已增加免主控独立充电管理应用，增加快充协议，并成功开发低功耗版本，目前 5A大电流开关充电已在改版开发中。 ③在大电流降压DC-DC IC产品方面： 具有高效率高可靠性特点的产品，已扩展到工控领域的应用，实现小批量出货，并同步推进平台验证，持续导入品牌客户。 ④在负载开关IC产品方面： 为了满足客户日益增长的功耗管理需求，对现有产品进行系列化，通过拓展限流负载开关产品，丰富开关保护IC品类，已成功导入多家品牌客户，同时还增加拓展坞和户外电源等新市场客户。 ⑤在相关的新能源应用领域： 公司坚持第三代半导体GaN氮化镓相关器件及驱动控制器的开发, 高整合度驱动器芯片已在客户端完成验证，并实现小批量出货。 2、不断巩固客户合作，积极推动市场开拓 报告期内，公司不断巩固与现有客户的合作关系。与小米通讯、TCL、传音等手机品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等业内知名的ODM手机厂商形成了长期稳定的合作关系；公司产品亦成功应用于小米，华为，OPPO，安克，森海塞尔、VIVO、哈曼、倍思、飞利浦等品牌旗下的多款TWS耳机产品；思摩尔、海派特、悦刻、同悦等品牌的电子烟产品以及魔样等客户的智能穿戴产品。基于与上述客户长期稳定的合作关系，公司围绕客户的需求积极开展产品升级迭代与新产品的研发工作。 报告期内，在车机联动、折叠屏手机、智慧屏电视、AR/VR、手表手环等产品革新力量的带动下，公司实现多个终端品牌客户突破，新增VR领域某全球知名客户、电子烟客户星泽威、电源管理客户天宝、ETC客户金溢等。同时，公司紧跟国家战略，坚持将新能源市场作为发展的战略方向，针对性研发产品，拓展渠道资源，争取突破。 2023年度，公司先后获得TCL优秀供应商奖、微克科技年度战略合作伙伴奖、魔样科技2023年度卓越合作伙伴奖、锐伟科技2023年度优秀合作伙伴奖等奖项。以上奖项既是对过往合作的认可，也是对未来更紧密合作的期待。
(二) 主要经营模式 公司自设立以来一直采用Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在Fabless模式下，公司专注于功率半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，由外协厂商负责生产。 （1）产品研发模式 公司采用Fabless经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注推进技术迭代，丰富产品种类和型号，拓展应用领域，从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。 （2）采购与生产模式 公司采用集成电路行业典型的Fabless经营模式，专注于功率半导体产品的研发和销售环节，晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。 （3）销售模式 根据行业、产品及市场情况，公司主要采取“经销为主，直销为辅”的销售模式。 (三) 所处行业情况 1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 公司所处行业属于集成电路设计行业，根据国家统计局 2017年修订的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。 2023年，受地缘政治形势、全球经济环境、行业周期等因素影响，全球半导体行业依然深处谷底，以智能手机为代表的消费电子领域整体表现持续低迷，直到 2023年下半年市场才逐步回暖。据半导体产业协会(SIA)数据显示，2023年全球半导体产业销售总额为5,268亿美元，比2022年的5,741亿美元下降了8.2%；2023年第四季度全球半导体产业的销售额为1,460亿美元，同比增长11.6%，环比增长8.4%。 Canalys发布的报告指出，2023年全球智能手机出货量为11.4亿台，跌幅较2022年收窄至4%；2023年第四季度，全球智能手机市场同比增长8%至3.195亿台。IDC数据显示，2023年中国智能手机出货量约为2.71亿台，同比下降5%；2023年第四季度，中国智能手机出货量约为7,363万台，同比增长1.2%。 2022年以来，美国及其盟国从半导体生产设备、设计软件到相关原料等对中国实施了一系列管制措施，以进一步限制中国先进的芯片制造和人工智能技术的发展。受复杂的外部环境因素影响，集成电路产业实现自主可控的要求越来越迫切，国产替代进口需求空间巨大，具有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。 公司产品主要包括功率器件和功率IC,功率器件产品主要为TVS（包括ESD保护器件）、MOSFET、肖特基等；功率 IC产品主要为电源管理 IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时，也在积极将产品向汽车电子、光伏储能等领域拓展。根据Yole报告，新能源变革为功率半导体行业带来巨大增长空间，全球功率半导体市场将从2021年的461亿美元增长到2027年的596亿美元，复合年均增长率为4.4%。 功率半导体行业属于典型的知识密集型行业，需要融合多种专业技术，跨越多个学科领域，如半导体器件物理、电路设计、产品工艺、应用方案设计等，且技术更新速度快，需要从业人员持续不断地学习、积累，行业技术门槛较高。 对晶圆制造工艺及封装工艺具有深刻的理解和掌握等特点；产品结构设计技术和产品工艺设计技术难度大、产品测试要求高；同时，品牌客户对企业的认证周期长、对产品的测试验证要求高，一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大，因此具有较高技术门槛。 2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况 公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。 公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节的占空比环路控制技术、一种复合DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术水平及市场竞争力，具有国内领先水平。一种GaN HEMT器件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得GaN HEMT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。公司已经正式发布具有自主专利技术的GaN HEMT产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。 公司的功率器件及功率IC产品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前主要被德州仪器（TI）、安森美（ON Semiconductor）、商升特半导体（Semtech Corporation）等国外半导体厂商占据，国产化替代空间巨大。随着公司产品不断向汽车电子、光伏储能等领域拓展，公司产品的应用需求将进一步释放，市场前景广阔。 3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1）半导体市场发展趋势 2022年以来，在贸易摩擦、全球通胀等多重因素导致需求收缩的背景下，半导体市场进入下行周期，2023年芯片市场依旧需求疲软，供应链库存消耗过程仍在继续。不过，对于半导体行业而言，最坏的时刻正在过去。半导体产业协会(SIA)表示，2024年半导体销售额有望摆脱萎缩转为增加，预计将增长 13.1%。世界半导体贸易统计协会（WSTS）预测2024年全球半导体市场将同比增长13.1%达5,880亿美元。随着智能手机需求的逐步复苏以及对AI芯片的强劲需求，IDC预计，半导体市场将在2024年回归增长趋势，年增长率将在20%以上。 由于中美科技摩擦不断，美对华技术封锁措施持续出台，加之全球多区域加强本土半导体产业的扶持，半导体产业呈现明显的逆全球化趋势。我国从中央到地区纷纷出台了多项支持半导体产业发展的政策，各地政府也加强建设集成电路等产业集群，旨在提升本土半导体制造业的规模，突破关键核心技术，解决“卡脖子”问题，加速推进我国半导体的国产化进程。 为推动半导体产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，带动传统产业改造和产品升级换代，进一步促进国民经济持续、快速、健康发展，我国近年来推出了一系列支持半导体产业发展
当前半导体产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注，将成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域，相关产品的技术开发具有应用战略性和前瞻性。GaN功率器件开关频率高、导通电阻小、电容小、禁带宽度大、耐高温、能量密度高、功率密度大，可在高频情况下保持高效率水平工作，将有望被广泛运用于5G通讯、智能电网、快充电源、无线充电等领域。市场空间巨大。越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列。 展望未来，国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要提出要加快发展现代产业体系，坚持自主可控、安全高效，加快补齐基础元器件的瓶颈短板，半导体产业未来发展可期。 （2）智能消费类电子领域 智能手机出货量在经历了近2年的低谷后，随着重磅手机的陆续发布，市场热度持续升温，出现复苏态势。市场调查机构 Counterpoint数据显示，2023年第四季度，智能手机出货量同比增长3%，达到3.12亿部，预计2024年全球智能手机出货量有望同比增长3%。同时，加拿大市场调研机构TechInsights发布报告称，2024年全球消费电子行业收入将突破1万亿美元，同比增速约为5.4%。TechInsights表示，这反映出用户对技术的依赖，以及在多个产品类别中对高端设备日益增长的偏好。未来，需求将受到智能家居和可穿戴市场的先进技术产品推动。同时，随着人工智能等创新尖端技术的整合，消费电子行业将引领一场技术变革，推动新的增长潜力。 然而，德国数据统计公司Statista对2024年消费电子行业发展，持并不乐观的发展态势预测，2024年全球消费电子产品支出将减少53亿美元至10,463亿美元，降幅为0.5%。可见，研究机构对于全球消费电子市场的展望存在着不同看法，这也意味着行业发展仍存在不确定性。 报告期内，公司积极推动产品升级迭代，基于自有的成熟设计模块，推陈出新，开发出了效率更高、更智能化的全系列充电芯片、保护芯片等产品。公司针对移动终端小型化的场景推出了超小封装产品系列，以其高性能、低损耗、低漏电的特点，不但助力客户产品实现更紧凑的功能布局，打造轻巧精致的设备外观，更为其安全使用保驾护航。 （3）功率半导体 受益于双碳时代背景，以新能源汽车、新能源发电为代表的产业将迎来长期发展机会，功率器件作为核心零部件也将随着迎来发展机遇。功率器件持续迭代升级，向高压、高功率、低功耗方向发展。功率器件从二极管、晶闸管发展到MOSFET、IGBT，再到第三代半导体器件，经历了长期的技术积累和产品迭代，技术门槛不断提高。随着电动汽车、新能源发电、工业控制等下游应用的快速发展，对高压、高电流、高频率、高功率的需求推动功率器件厂商不断优化升级，在更新换代的过程国产厂商有望实现新突破。全球功率半导体尤其是高端的功率器件主要被英飞凌、安森美、三菱、富士等欧美日大厂占据，国产厂商未来提升空间巨大。 (四) 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率IC工艺设计方面积累了多项核心技术。 在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了 TVS、肖特基、稳压管等产品的低漏电和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深槽隔离及穿通型NPN结构技术实现了TVS产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占用，同时提升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异；MOSFET的沟槽优化技术实现了 MOSFET产品的低导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发热；沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗。 报告期内，公司不断丰富产品阵容，第三代半导体650V GaN HEMT产品已初步形成系列化，包含110mR~900mR范围，采用多种封装形式，在电源、PD快充适配等领域重点推广，部分客户已进入小批量运营阶段；中低压 GaN HEMT产品的改进工作也在有序推进中；IGBT产品方面， 650V/1200V 100A以下小电流产品已初步形成产品系列化，同时1200V 100A以上大电流产品设计和工艺平台初步建成。 在功率IC方面：可连续调节占空比的环路控制技术使功率IC产品更快速响应负载变化，可调输出电压范围更大；一种复合DC-DC电路技术不需要额外补偿电路，可以使功率IC产品具有负载响应快、精度高的优点；一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置，即可完成负载大小的识别，实现简单且高效。通过衬底控制实现反向电流控制保护，有效解决系统多路电源复用安全控制问题。 报告期内，公司不断完善过流过压保护类IC产品、充电管理产品、开关保护等IC产品的性能与参数，现有产品系列化不断丰富。大电流降压DC-DC IC产品已扩展至工业领域，并且拓展了限流负载开关产品，丰富了开关保护IC品类，增加户外电源等新市场客户。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用
2. 报告期内获得的研发成果 截至2023年12月31日，公司现行有效知识产权累计108项，其中发明专利20项，实用新型34项，另有集成电路布图设计专有权48项，商标6项。报告期内，公司获得新增授权知识产权19项。 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
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