[年报]蓝箭电子(301348):2023年年度报告

 时间：2024年04月23日 16:46:22 中财网

原标题:蓝箭电子:2023年年度报告

佛山市蓝箭电子股份有限公司 2023年年度报告

2024年04月
2023年年度报告
第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人王成名、主管会计工作负责人赵秀珍及会计机构负责人(会计主管人员)刘瑞心声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

本报告中涉及未来计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，也不代表公司的盈利预测，能否实现取决于市场状况变化等多种因素，存在较大不确定性，敬请投资者注意投资风险。

公司在本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“十一、公司未来发展的展望”中“3、可能面临的风险及应对措施”部分，详细描述了公司经营中可能存在的风险及应对措施，敬请投资者关注相关内容。

公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以200,000,000股为基数，向全体股东每10股派发现金红利2.8元（含税），送红股0股（含税），以资本公积金向全体股东每10股转增0股。


目录
第一节 重要提示、目录和释义 ...................................................................................................... 2
第二节 公司简介和主要财务指标 .................................................................................................. 8
第三节 管理层讨论与分析 .............................................................................................................. 12
第四节 公司治理 .............................................................................................................................. 52
第五节 环境和社会责任 .................................................................................................................. 69
第六节 重要事项 .............................................................................................................................. 71
第七节 股份变动及股东情况 .......................................................................................................... 92
第八节 优先股相关情况 .................................................................................................................. 98
第九节 债券相关情况 ...................................................................................................................... 99
第十节 财务报告 .............................................................................................................................. 100

备查文件目录
一、载有公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人签字并盖章的财务报表。

二、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。

三、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告原稿； 四、其他相关资料。


释义

释义项指释义内容
公司、本公 司、蓝箭电 子、蓝箭有限指佛山市蓝箭电子股份有限公司
银圣宇指深圳市银圣宇创业投资企业（有限合伙），系公司之股东
比邻创新指比邻创新（天津）股权投资基金合伙企业（有限合伙），系公司之股东
蓝芯咨询指深圳前海蓝芯咨询管理企业（有限合伙），系公司之股东
箭入佳境指深圳前海箭入佳境咨询管理企业（有限合伙），系公司之股东
ASM指先域微电子技术服务（上海）有限公司
联动科技指佛山市联动科技股份有限公司
长电科技指江苏长电科技股份有限公司
通富微电指通富微电子股份有限公司
华天科技指天水华天科技股份有限公司
气派科技指气派科技股份有限公司
《公司法》指《中华人民共和国公司法》
《证券法》指《中华人民共和国证券法》
《公司章程》指《佛山市蓝箭电子股份有限公司章程》
股东大会指佛山市蓝箭电子股份有限公司股东大会
董事会指佛山市蓝箭电子股份有限公司董事会
监事会指佛山市蓝箭电子股份有限公司监事会
元、万元指人民币元、人民币万元
中国证监会指中国证券监督管理委员会
交易所指深圳证券交易所
工信部指中华人民共和国工业和信息化部
审计机构、华 兴事务所指华兴会计师事务所（特殊普通合伙）
报告期指2023年1月1日-2023年12月31日
半导体指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料，按化学成分可分为 元素半导体和化合物半导体两大类。硅和锗是最常用的元素半导体，化合物半导体材料有砷化 镓、碳化硅、硫化锌、氧化亚铜等
分立器件指单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立式半导体器件有二极管、三极管、场效 应管等
IC、集成电路指Integrated Circuit的缩写，又称集成电路，指在导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法， 将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件，做在一个微小面积上，以完成某一特定逻 辑功能，达成预先设定好的电路功能要求的电路系统
晶圆指半导体制作所用的圆形硅晶片。在硅晶片上可加工制作各种电路元件结构，成为有特定电性功能 的半导体产品。多指单晶硅圆片，由普通硅砂拉制提炼而成，按其直径分为4英寸、5英寸、6英 寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格
芯片指如无特殊说明，本文所指芯片系通过在硅晶圆片上进行抛光、氧化、扩散、光刻等一系列的工艺 加工后，在一个硅晶圆片上同时制成许多构造相同、功能相同的单元，再经过划片分离后便得到 单独的晶粒
封装指对通过测试的晶圆进行划片、装片、键合、塑封、去氧化光亮、切筋成型等一系列加工工序而得 到独立具有完整功能的半导体器件的过程。其作用是保护电路芯片免受周围环境的影响（包括物 理、化学的影响），起到保护芯片、增强导热（散热）性能、实现电气和物理连接、功率分配、 信号分配，以沟通芯片内部与外部电路的作用
测试指对封装后的半导体器件功能、电参数进行测量、筛选，并通过结果发现芯片设计、制造及封装过 程中质量缺陷的过程
封测指半导体器件封装和测试两个环节的统称
自有品牌产品指公司外购芯片进行封装测试后形成的产品
封测服务产品指客户提供芯片委托公司封装测试后形成的产品
模拟电路指指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路
氮化镓、GaN指一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等 性质
功率半导体指是通过半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的电子器件，是电子装置的电能转换与电路 控制的关键装置，其功能为将电压、电流、频率转换到负载所需，主要包括功率器件和功率IC
功率器件指主要用于电力电子设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千 安，电压为数百伏以上）。主要进行功率处理，具有处理高电压、大电流能力的半导体器件。典 型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等，如功率MOS
功率IC指将功率半导体器件与驱动、控制、保护等外围电路集成而来的集成电路
宽禁带指禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构。能带结构中 能态密度为零的能量区间称为禁带。晶体中的电子是处于所谓能带状态，能带是由许多能级组成 的，能带与能带之间隔离着禁带。禁带越宽，意味着电子跃迁到导带所需的能量越大，也意味着 材料能承受的温度和电压越高，越不容易成为导体
IDM指Integrated Design and Manufacture缩写，即垂直整合制造模式。IDM厂商在半导体行业是指从 事集成电路设计、晶圆制造、封装测试及销售的垂直整合型公司
Fabless指无晶圆厂集成电路设计企业，是指只从事集成电路研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节 分别委托给专业厂商完成，也代指此种商业模式
MOSFET指Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的缩写，金属氧化物半导体场效应晶体 管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管
LED指Lighting Emitting Diode的缩写，发光二极管，是一种半导体固体发光器件
DC-DC IC指Direct current to direct current integrated circuit的缩写，DC-DC转换器，是转变输入电 压后有效输出固定电压的电压转换器。DC/DC转换器分为三类：升压型DC/DC转换器、降压型 DC/DC转换器以及升降压型DC/DC转换器。DC-DC转换器广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携 式媒体播放器等产品中。在电路类型分类上属于斩波电路
TVS指Transient Voltage Suppression Diode的缩写，瞬态电压抑制二极管，TVS二极管与常见的稳压 二极管的工作原理相似，如果高于标志上的击穿电压，TVS二极管就会导通，与稳压二极管相 比，TVS二极管有更高的电流导通能力。TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，以10^- 12S量级速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，同时吸收高达数千瓦的浪涌功率。使两极间的 电压箝位于一个安全值，有效地保护电子线路中的精密元器件免受浪涌脉冲的破坏
多通道阵列 TVS指通过芯片设计封装工艺，把多路TVS集成在同一个芯片版图上的TVS，该TVS具有封装体积小、 节省layout空间，方便布局，成本低等特点
LDO指Low Dropout Regulator的缩写，低压差线性稳压器，是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳 压器最大的不同点在于，LDO是一个自耗很低的微型片上系统（SOC）。它可用于电流主通道控 制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的MOSFET，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件 电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。低压差线性稳压 器通常具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比
SOP指Small Outline Package的缩写，表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状（L字 形）
TSSOP指Thin Shrink Small Outline Package的缩写，薄的缩小型小尺寸封装，比TSOP薄、引脚更密， 相同功能的情况下，封装尺寸更小
SSOP指Shrink Small Outline Package的缩写，缩小型小尺寸封装
SOT指Small Outline Transistor的缩写，表面贴装型封装之一，一般引脚小于等于8个的小外形晶体 管和集成电路
TO指Transistor out-line的缩写，晶体管外壳封装
BGA指Ball Grid Array Package的缩写，球栅阵列封装技术，它是集成电路采用有机载板的一种封装 法
QFN指Quad Flat No-lead Package的缩写，方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装
DFN指Dual Flat No-lead的缩写，双边扁平无引脚封装，DFN的设计和应用与QFN类似，都常见于需要 高导热能力但只需要低引脚数的应用。DFN和QFN的主要差异在于引脚只排列在产品下方的两侧 而不是四周
Flip Chip指又称倒装片，设计在I/O pad上沉积锡铅球，然后将芯片翻转加热利用熔融的锡铅球与陶瓷基板
　　或框架相结合，此技术可替换常规打线接合，简称FC
CSP指Chip size package的缩写，芯片尺寸封装
PCB指Printed circuit boards的缩写，印刷电路板，是电子元器件电气连接的提供装置
Clip bond指铜片夹扣键合工艺，是替代传统引线键合的一种新工艺。采用铜片夹扣的工艺使其产品本身就有 过大电流能力、热传导好的性能优势
FMEA指Failure Mode and Effects Analysis的缩写，设计潜在失效模式与影响分析，在产品设计阶段 和过程设计阶段，对产品构成和工序逐一进行分析，找出潜在的失效模式，并分析其可能的后 果，以提高产品的质量和可靠性的一种系统化的活动
MSA指Measurement Systems Analysis的缩写，测量系统分析，指对测量系统进行分析的方法
SPC指Statistical Process Control的缩写，统计过程控制，是一种借助数理统计方法的过程控制工 具。它对生产过程进行分析评价，根据反馈信息及时发现系统性因素出现的征兆，并采取措施消 除其影响，使过程维持在仅受随机性因素影响的受控状态，以达到控制质量的目的
TPM指Total Productive Maintenance的缩写，全员生产维护管理,是一种全员参与的生产维修方式， 通过建立一个全系统员工参与的生产维修活动，使设备性能达到最优
系统级封装 （SIP）指System in package的缩写，是指将多个有源器件和无源器件集成在一个包含特定功能的封装体 内，形成具备特定功能的器件或模块
μm指微米，长度计量单位，1微米=0.001毫米

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司信息

股票简称蓝箭电子股票代码301348
公司的中文名称佛山市蓝箭电子股份有限公司　　
公司的中文简称蓝箭电子　　
公司的外文名称（如有）Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.　　
公司的外文名称缩写（如 有）Blue Rocket Electronics　　
公司的法定代表人王成名　　
注册地址广东省佛山市禅城区古新路45号　　
注册地址的邮政编码528051　　
公司注册地址历史变更情况1、1998年12月，公司成立地址为佛山市佛平路一号； 2、2011年6月，公司注册地址变更为佛山市禅城区古新路45号。　　
办公地址中国广东省佛山市禅城区古新路45号　　
办公地址的邮政编码528051　　
公司网址http://www.fsbrec.com　　
电子信箱[email protected]　　
二、联系人和联系方式

　董事会秘书证券事务代表
姓名张国光林品旺
联系地址中国广东省佛山市禅城区古新路45号中国广东省佛山市禅城区古新路45号
电话0757-633133880757-63313388
传真0757-633134000757-63313400
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的证券交易所网站http://www.szse.cn（深圳证券交易所）
公司披露年度报告的媒体名称及网址中国证券报、证券时报、证券日报、上海证券报
公司年度报告备置地点公司董事会办公室
四、其他有关资料
公司聘请的会计师事务所

会计师事务所名称华兴会计师事务所（特殊普通合伙）
会计师事务所办公地址福建省福州市湖东路152号中山大厦B座7-9层
签字会计师姓名宁宇妮 叶晓丹
公司聘请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构
?适用 □不适用

保荐机构名称保荐机构办公地址保荐代表人姓名持续督导期间
金元证券股份有限公司广东省深圳市福田区深南大道 4001号时代金融中心4层刘绿璐 卢丹琴2023年8月10日-2026年 12月31日
公司聘请的报告期内履行持续督导职责的财务顾问
□适用 ?不适用
五、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
?是 □否
追溯调整或重述原因
其他原因


　2023年2022年　本年比上年增 减2021年　
　　调整前调整后调整后调整前调整后
营业收入 （元）736,580,879. 68751,633,605. 95751,633,605. 95-2.00%735,874,115. 27735,874,115. 27
归属于上市公 司股东的净利 润（元）58,368,765.2 471,424,649.0 571,424,649.0 5-18.28%77,270,578.1 677,270,578.1 6
归属于上市公 司股东的扣除 非经常性损益 的净利润 （元）42,395,530.8 965,400,473.8 169,168,448.4 4-38.71%72,090,430.4 476,275,306.3 6
经营活动产生 的现金流量净 额（元）92,607,221.4 495,995,329.8 395,995,329.8 3-3.53%47,637,844.3 147,637,844.3 1
基本每股收益 （元/股）0.350.480.48-27.08%0.520.52
稀释每股收益 （元/股）0.350.480.48-27.08%0.520.52
加权平均净资 产收益率5.75%9.85%9.85%-4.10%11.70%11.70%
　2023年末2022年末　本年末比上年 末增减2021年末　
　　调整前调整后调整后调整前调整后
资产总额 （元）1,917,266,56 3.601,121,237,68 6.951,121,237,68 6.9571.00%1,132,801,77 6.251,132,801,77 6.25
归属于上市公 司股东的净资 产（元）1,567,590,70 1.60725,216,318. 31725,216,318. 31116.15%653,791,669. 26653,791,669. 26
公司最近三个会计年度扣除非经常性损益前后净利润孰低者均为负值，且最近一年审计报告显示公司持续经营能力存在
不确定性
□是 ?否
□是 ?否
六、分季度主要财务指标
单位：元

　第一季度第二季度第三季度第四季度
营业收入174,770,168.39198,068,675.74156,761,694.48206,980,341.07
归属于上市公司股东的净利 润15,762,853.0024,687,165.038,322,496.369,596,250.85
归属于上市公司股东的扣除 非经常性损益的净利润13,546,695.8522,094,986.006,875,707.35-121,858.31
经营活动产生的现金流量净 额72,542,283.6036,825,597.55-23,571,669.676,811,009.96
上述财务指标或其加总数是否与公司已披露季度报告、半年度报告相关财务指标存在重大差异 □是 ?否
七、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

八、非经常性损益项目及金额
?适用 □不适用
单位：元

项目2023年金额2022年金额2021年金额说明
非流动性资产处置损益（包括已计提资产减值准备的冲销 部分）5,266,095.771,053,528.45-2,265,258.40　
计入当期损益的政府补助（与公司正常经营业务密切相 关，符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损 益产生持续影响的政府补助除外）13,822,587.151,476,522.622,709,569.17　
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，非金 融企业持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益 以及处置金融资产和金融负债产生的损益　　79,236.16　
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回　162,681.48　　
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-280,501.03-34,777.28-153,019.42　
其他符合非经常性损益定义的损益项目　　813,537.23　
减：所得税影响额2,834,947.54401,754.66188,792.94　
合计15,973,234.352,256,200.61995,271.80--
其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况：
?适用 □不适用

项目涉及金额（元）原因
2022年度归属于母公司所有者的非经常性损益净额65,400,473.81　
2022年度按《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号--非经常性损益(2023年 修订)》规定计算的归属于母公司所有者的非经常性损益净额69,168,448.44　
差异-3,767,974.63　
将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益
项目的情况说明
□适用 ?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为
经常性损益的项目的情形。


第三节 管理层讨论与分析 一、报告期内公司所处行业情况 公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要 求 （一）封装测试行业发展情况 封装环节是半导体封装和测试过程的主要环节。其功能主要包括两方面：首要功能是电学互联，通 过金属Pin赋予芯片电学互联特性，便于后续连接到PCB板上实现系统电路功能；另一功能是芯片保护， 主要是对脆弱的裸片进行热扩散保护以及机械、电磁静电保护等。 公司目前主要掌握的封测技术包括通孔插装技术、贴片式封装技术、倒装焊封装技术及系统级封装技术，主要涉及的封装形式包括TO、SOT/TSOT、SOD、SOP、DFN/QFN等。

（二）全球半导体市场发展情况
2023年，贸易摩擦和科技竞争加剧了全球半导体产业的紧张局势，导致市场的不确定性增加。其次，消费电子终端市场需求疲软，半导体产业发展受到一定制约。此外，通货膨胀率和局部战事的持续也给半导体产业带来了不小的影响。

但是在长期发展中，随着全球经济回暖，半导体产业仍然具有广阔的市场前景和增长潜力。随着数字化转型的深入推进，人工智能、物联网等新兴领域对高性能芯片的需求不断增加，同时 5G、自动驾驶、智能家居等应用场景也在不断拓展新的市场空间。

根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，2023年的全球半导体市场规模预计会出现一些变化。首先，WSTS调高了对于 2023年全球半导体营收的预期，预计今年全球半导体营收将达到 5201亿美元，年降幅为 9.4%。日前，多家行业协会和市场分析机构作出2024年全球半导体市场回暖的积极判数据来源：WSTS
（三）我国集成电路产业发展情况
在消费电子终端市场需求疲软，我国集成电路产业规模发展受到一定制约。根据国家统计局的数据显示，2023年中国的集成电路产量为3514亿块，相较2022年的3242亿块有所增长。根据中国海关总署官网数据显示，2023年中国累计进口集成电路4795亿颗，较2022年下降10.8%；进口金额3494亿美元，同比下降 15.4%。此外，2023年中国二极管和类似半导体组件进口量也下降23.8%。中国集成电路和半导体设备进口疲软，反映 2023年全球经济逆风，特别是中国智能手机和笔记本电脑销售疲软等因素影响。同时，随着我国集成电路产品国产替代进程的逐渐加快，中国企业也在努力提高本土芯片产量，以减少对进口芯片的依赖。

根据《2021-2025年中国半导体封测行业市场现状与发展前景报告》，预计中国半导体封测市场规模将从 2021年的约 3,467亿元增长至 2025年的约 5,189亿元，年复合增长率约为 7%。在增速方面，随着国内半导体产业的快速发展及全球产能转移趋势的持续，中国半导体封测市场将继续保持较高的增长速度。

（四）国家支持集成电路产业发展的相关政策
半导体产业作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的战略性产业，国家给予了高度重视和大力支持。为推动我国以集成电路为主的半导体产业发展，增强信息产业创新能力和国际竞争力，国家出台了一系列鼓励扶持政策，为半导体产业建立了优良的政策环境，促进半导体产业的快速发展。

部分相关政策包括：


序 号时间发布机构文件名称有关本行业的主要内容
12023 年工业和信息 化部《电子信息制造业 2023—2024年稳增长 行动方案》在集成电路、新型显示、智慧健康养老、超高清视频、北斗应用等领域 建立与有关国家（地区）间常态化交流合作机制。
22023 年国家发展和 改革委员会《关于促进电子产品 消费的若干措施》促进电子产品消费，助力消费恢复和扩大
32023 年工业和信息 化部《关于推动能源电子 产业发展的指导意 见》功率半导体器件。面向光伏、风电、储能系统、半导体照明等，发展新 能源用耐高温、耐高压、低损耗、高可靠 IGBT器件及模块，SiC、 GaN等先进宽禁带半导体材料与先进拓扑结构和封装技术，新型电力电 子器件及关键技术。
42021 年国务院《“十四五”数字经 济发展规划》瞄准传感器、量子信息、网络通信、集成电路等战略性前瞻性领域，提 高数字技术基础研发能力。完善 5G、集成电路、新能源汽车、人工智 能、工业互联网等重点产业供应链体系。
52021 年中华人民共 和国全国人 民代表大会《中华人民共和国国 民经济和社会发展第 十四个五年（ 2021- 2025年）规划和 2035 年远景目标纲要》瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、 空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家 重大科技项目。培育先进制造业集群，推动集成电路、航空航天、船舶 与海洋工程装备、机器人、先进轨道交通装备、先进电力装备、工程机 械、高端数控机床、医药及医疗设备等产业创新发展。
62021 年工业和信息 化部《基础电子元器件产 业发展行动计划 （2021-2023年）》重点发展微型化、片式化阻容感元件，高频率、高精度频率元器件，耐 高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块，小型化、高可 靠、高灵敏度电子防护器件，高性能、多功能、高密度混合集成电路。
72021 年广东省人民 政府《广东省制造业高质 量发展“十四五”规 划》“以广州、深圳、珠海为核心，打造涵盖设计、制造、封测等环节的半 导体及集成电路”；“以广州、深圳、东莞为依托，做大做强半导体与 集成电路封装测试”、“对半导体及集成电路产业的布局涵盖全链条， 包括芯片设计及底层工具软件、芯片制造、芯片封装测试、化合物半导 体、材料及关键元器件、特种装备及零部件配套”；根据《“十四五” 时期全省制造业总体空间布局图》，公司住所所在地佛山市为半导体与 集成电路产业集群的重点城市。
（五）公司市场地位
1、市场地位
公司主要从事半导体封装测试，拥有具有多项知识产权的半导体封装测试技术，经过多年潜心研发和市场开拓，公司目前形成了半导体器件年产超百亿只生产能力。

2、公司技术水平和特点
公司主要从事半导体封装测试业务，是专业化的半导体封装测试厂商，在金属基板封装、全集成的锂电保护IC、SIP系统级封装等方面拥有核心技术。公司主要技术特点如下： （1）封测细分领域核心技术竞争力突出，技术创新显著
公司在金属基板封装技术中已实现无框架封装；在DFN1×1的封装中，已将封装尺寸降低至370μm，达到芯片级贴片封装水平；公司具备 12英寸晶圆全流程封测能力，掌握 SIP系统级封装、倒装技术（Flip Chip）等先进封装技术，成功实现超薄芯片封装技术，在磨片、划片、点胶、粘片以及焊头控制方面形成独特工艺，成功突破80-150μm超薄芯片封装难题。公司经过多年的技术沉淀形成自（2）封装工艺技术创新不断
公司重点在半导体封装工艺的细节上进行研发，在研发生产实践中不断创新封测全流程工艺技术。

公司已掌握完整的宽禁带半导体封测技术体系，利用DFN5×4封装系列，开发大功率 MOSFET车规级产品，能够实现新能源汽车等领域多项关键功能的驱动控制。同时能够根据客户需求开发出的高集成锂电保护 IC产品，通过 SIP系统级封装技术能够实现多芯片合封，满足客户多样化需求。另外，公司在封测环节各项工艺细节中均不断创新，在功率器件封装中自主设计功率器件框架分离装置，在粘片环节发明了框架自动分离技术；自主设计塑封模具结构，实现铜引线框架在腔条内完成自动注胶固化；高可靠焊接技术拥有多项创新，打线工艺中公司铝带焊接工艺已成功掌握超低线弧和超长线弧控制技术；铜桥工艺解决传统打线工艺中的高密度焊线生产效率低、打线弹坑、封装寄生参数等问题；芯片倒装技术（Flip Chip）具有小尺寸封装大芯片、稳态热阻小的特点。此外，公司在智能制造领域目前已开展全部产线设备数字化管理和自动搬运管理推动升级，并通过引入机器人设备管理和制造业大数据分析系统，实现封测全流程自动化。

3、公司封测技术与行业技术发展趋势的匹配性
公司封装产品包括多个系列，主要包括QFN、DFN/PDFN、SOT/TSOT、SOP/ESOP、TO等。公司在倒装技术（Flip Chip）、系统级封装技术（SIP）等多项封装测试技术上拥有核心技术，能够紧跟行业技术发展趋势，技术能够应用于封装产品，具有一定市场竞争力。

公司主要封装系列产品技术水平与行业封装技术水平的匹配情况具体下表：
公司 封装 产品公司产品技术特点及优势应用领域公司与行业技术发展匹配情 况
QFN/ DFN/ PDFN1、公司核心技术之一金属基板封装技术在 DFN1×1封 装产品中得到广泛应用、具有可靠性高、封测成本低 的综合竞争优势，最小封装尺寸为 DFN0603系列； 2、采用背面贴膜的高密度蚀刻框架封装技术，可满足 高集成度要求； 3、实现超薄芯片封装，解决芯片暗伤等问题； 4、研发成品自动剥料机，提高工艺能力和效率； 5、采用 Clip bond封装技术，具有大电流、低热阻的 表现。主要产品包括二极管、 LDO、LED驱动、锂电 保护 IC、DC-DC、ESD 等，应用于消费类电 子、便携电子设备、安 防电子、网络通信、汽 车电子等，如笔记本电 脑、平板电脑、手机、 数码相机、手持风扇、 无人飞机等。公司掌握的高密度蚀刻框架 封装技术满足集成度高的要 求；Clip bond封装技术拥有 更高电学性能、成本更低； 公司目前已拥有 DFN0603、 DFN1006等多个小尺寸系列 的量产产品；公司技术与行 业朝向小型化、高电学性 能、高集成度发展方向相匹 配。
SOT/ TSOT1、设计具有自主知识产权的高密度框架，新设计的框 架单位成本有所下降，塑封、去氧化和成型分离生产 效率提升明显； 2、公司拥有高效的测试技术和超薄芯片封装技术； 3、在 SOT23-X的封装平台上，开发全集成锂电保护 IC；应用在 TSOT封装系列的倒装技术（Flip Chip）， 具有完善的芯片自主磨划工艺生产能力，采用金属柱 连接，能够缩小封装尺寸。主要产品包括三极管、 二极管、LDO、LED驱 动、锂电保护 IC、DC- DC等，应用于消费类 电子、安防、网络通 信、汽车电子、调制解 调器、通信设备（平板 电脑、数码相机等）等 领域。公司采用倒装技术（ Flip Chip），有效提高产品性能， 降低封装尺寸；采用高密度 框架直接提升塑封和后续工 序效率；采用集成芯片的封 装方式，降低封装尺寸、导 通电阻和综合成本，公司技 术与行业朝向小型化、多功 能、高速度等发展方向相匹
　　　配。
SOP/ ESOP1、依据客户需求，开展定制化生产； 2、在划片、点胶/压模、多芯片互联工艺生产、粘片 压焊以及焊头控制等环节拥有具有市场竞争力的工艺 改进技术； 3、拥有自主开发多站点（site）的测试电路和测试方 案的设计能力，集成电路测试技术覆盖面广； 4、能够利用 SIP系统级封装技术实现芯片垂直叠装、 芯片平面排布等封装结构。主要产品包括 AC-DC、 DC-DC、充电管理 IC、 LED驱动 IC、MOSFET 等，应用于消费类电 子、安防、网络通信等 领域。行业技术水平较为成熟，用 于通用产品封装，主要发展 方向为提升品质及生产效 率。 公司拥有成熟的该系列的封 装技术，与行业技术发展趋 势相匹配，并能针对客户需 求定制化生产，解决芯片暗 伤等技术难点。
TO成熟稳定的封装技术，能够为客户提供大批量、高质 量的半导体产品。主要产品为二极管、三 极管、MOSFET等，应 用于汽车电子、消费类 电子、网络通信、电 源、显示器等领域。行业技术水平成熟，主要发 展方向为提升品质及生产效 率。公司采用高密度框架封 装技术，生产效率提升明 显；在 TO-220系列中运用 Clip bond技术可有效提升产 品性能，与行业技术发展趋 势相匹配。
目前，我国半导体封装测试行业整体处于充分竞争的状态。在半导体全球产业链第三次转移的过程中，我国半导体封装测试技术整体与国际水平相接近。

公司目前已通过自主创新在封测全流程实现智能化、自动化生产体系的构建，具备 12英寸晶圆全流程封测能力，在功率半导体、芯片级贴片封装、第三代半导体等领域实现了科技成果与产业的深度融合，已形成年产超150亿只半导体的生产规模，分立器件生产能力全国企业排名第八，位列内资企业第四，是华南地区重要的半导体封测企业。

二、报告期内公司从事的主要业务
公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要
求
1、公司主营业务
公司从事半导体封装测试业务，为半导体行业及下游领域提供分立器件和集成电路产品。产品类型主要为二极管、三极管、场效应管、可控硅、IGBT、SiC SBD、SiC MOS等分立器件产品和 LDO、AC-DC、DC-DC、锂电保护充电管理IC及LED驱动IC等集成电路产品。

封装测试行业的创新主要体现为产品工艺上的创新，技术水平主要体现为产品生产的工艺水平。公司注重封装测试技术的研发升级，通过工艺改进和技术升级构筑市场竞争优势，掌握金属基板封装、全集成锂电保护IC、功率器件封装、超薄芯片封装、半导体/IC测试、高可靠焊接、高密度框架封装、系统级封装（SIP）等一系列核心技术，在封装测试领域具有较强的竞争优势。

公司已通过自主创新在封测全流程实现智能化、自动化生产体系的构建，具备 12英寸晶圆全流程公司已形成年产超150亿只半导体的生产规模，分立器件生产能力全国企业排名第八，位列内资企业第四，是华南地区重要的半导体封测企业。

公司作为国家级高新技术企业，自成立以来坚持以技术创新为核心，凭借多年丰富的行业经验积累以及自主研发能力，秉承“以客户需求为中心”的服务理念，获得行业内客户的广泛认可。经过多年发展与积累，公司客户遍布华南、华东、西北、西南等多个区域，产品广泛应用于家用电器、电源、电声等诸多领域。多年来公司与客户建立了长期稳定的合作关系。

公司持续加大对半导体封测技术的研发及创新投入，建立了半导体器件工程技术研究开发中心，并获得了广东省省级企业技术中心认定。公司拥有国内外先进的检测、分析、试验设备，利用统计过程控制（SPC）等工具实现严格的过程控制，拥有较为完善的设备试生产、验收流程，推行全员生产维护（TPM）管理模式和专业、专职的产品经理团队。

公司荣获高新技术企业、国家知识产权优势企业等资质及荣誉。公司多次荣获广东省科学技术奖、佛山市科学技术奖等省、市科技奖项。

目前，公司已通过ISO9001质量管理体系认证、ISO14001环境管理体系认证、IATF16949汽车行业质量管理体系标准认证、知识产权管理体系认证及职业健康管理体系认证。

报告期内，公司主营业务未发生重大变化。

2、公司的主要产品和服务
公司主要为半导体行业及下游领域提供分立器件和集成电路产品，产品类型主要为二极管、三极管、场效应管、可控硅、IGBT、SiC SBD、SiC MOS等分立器件产品和LDO、AC-DC、DC-DC、锂电保护充电管理IC及LED驱动IC等集成电路产品。公司主营业务产品如下：
注：图中标蓝的产品为公司主营业务产品。

（1）、分立器件产品
公司分立器件产品涉及 40多个封装系列。按照功率划分，公司分立器件产品包括功率二极管、功率三极管、功率MOS等功率器件和小信号二极管、小信号三极管等小信号器件产品；按照具体产品类别划分，公司分立器件产品包括高反压三极管、肖特基二极管、ESD保护二极管、屏蔽栅型MOSFET、超结型 MOSFET等产品；按照封装类型划分，公司分立器件产品主要封装形式包括 TO、SOT、SOP、DFN、PDFN等。具体产品情况如下：

产品 类别产品 名称具体 类别主要 功能应用领域具体 应用技术优势封装形式　　　
分立 器件三极管音频三极管信号放 大、信 号开 关、功 率放大 器等消费类电子电源、 显示 器、电 话机、 机顶盒 等封装产品规格齐全， 功率器件采用创新结 构设计。在产品设计 上具有客户配套服务 优势　　　　
　　普通三极管　　　　　　　　
　　　　　　　TO-220FTO-220DFN1006-3LSOT-323/363
　　数字三极管　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　
　　高反压三极管　　　　　　　　
　　　　　　　TO-252SOT-89SOT-23TO-3P
　二极管肖特基二极管电源整 流、电 流控 向、稳 压、开 关等消费类电 子、网络通 信、安防、 汽车电子等电源、 家电、 数码产 品等采用沟槽技术，采用 铜桥封装工艺，产品 具有优异的性能指标 及电学参数　　　　
　　ESD\TVS　　　　　　　　
　　　　　　　SMAF/SMBFTO-252DFN1006-2LDFN0603
　　稳压二极管　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　
　　快恢复二极管　　　　　　　　
　　　　　　　SOD-323SOD-123FLSMA/B/CTO-277
　　整流桥　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　
　　　　　　　MBFMBSABFABS
　场效 应管平面型 MOSFET信号放 大、负 载开 关、功 率控制 等消费类电 子、安防、 网络通信、 汽车电子等电源、 充电 器、电 池保 护、马 达驱 动、负 载开关 等采用有平面、沟槽和 超结芯片工艺产品， 采用铜桥封装工艺， 产品具有优异的性能 参数　　　　
　　沟槽型 MOSFET　　　　　　　　
　　　　　　　PDFN3×3TO-252SOP-8SOT23-3/6
　　屏蔽栅型 MOSFET　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　
　　超结型 MOSFET　　　　　　　　
　　　　　　　PDFN5×6DFN2×2DFN8×8-3LDFN1006-3L
（未完）
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