[年报]上海合晶(688584):上海合晶2023年年度报告
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时间：2024年04月26日 00:19:21 中财网 |
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原标题:上海合晶:上海合晶2023年年度报告
公司代码：688584 公司简称：上海合晶
上海合晶硅材料股份有限公司
2023年年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。
四、 公司全体董事出席董事会会议。
五、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、 公司负责人刘苏生、主管会计工作负责人管继孟及会计机构负责人（会计主管人员）陈重光声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司于2024年4月25日召开第二届董事会第十二次会议审议通过了《关于2023年度利润分配方案的议案》，2023年度利润分配方案为每10股派发现金红利3元（含税），不送红股，不以资本公积金转增股本。截至2024年3月31日，公司总股本为662,060,352股，以此计算拟派发现金红利198,618,105.60元（含税），本次利润分配现金分红金额占2023年合并报表归属于母公司股东净利润的80.46%。在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动的，拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。本次利润分配方案尚需经股东大会审议批准。
八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。
十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十三、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 35
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 54
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 59
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 95
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 101
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 101
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 101
| 备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的
财务报表 |
| | 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件 |
| | 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本
及公告原稿 |
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
| 常用词语释义 | | |
| 公司、本公
司、股份公
司、上海合晶 | 指 | 上海合晶硅材料股份有限公司 |
| 合晶有限 | 指 | 上海合晶硅材料有限公司，公司前身，曾先后用名“上海晶华电子科技有限
公司”、“晶华电子材料有限公司” |
| STIC | 指 | Silicon Technology Investment （Cayman） Corp.（注册于开曼群岛），公
司控股股东 |
| 合晶科技 | 指 | 合晶科技股份有限公司（注册于中国台湾地区），其股票在中国台湾地区
证券柜台买卖中心挂牌交易 |
| WWIC | 指 | Wafer Works Investment Corp.（注册于萨摩亚），STIC控股股东 |
| 荣冠投资 | 指 | 荣冠投资有限公司（注册于中国香港，英文名称为 Fame Crown Investment
Limited），公司股东 |
| 美国绿捷 | 指 | 美国绿捷股份有限公司（注册于美国加利福尼亚州，英文名称为 Green
Expedition LLC），公司股东 |
| 兴港融创 | 指 | 河南兴港融创创业投资发展基金（有限合伙），公司股东 |
| 中电中金 | 指 | 中电中金（厦门）智能产业股权投资基金合伙企业（有限合伙），公司股
东 |
| 厦门联和 | 指 | 厦门联和集成电路产业股权投资基金合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 厦门联和二期 | 指 | 厦门联和二期集成电路产业股权投资基金合伙企业（有限合伙），公司股
东 |
| 厦门金创 | 指 | 厦门市金创集智创业投资合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 双百贤才 | 指 | 厦门双百贤才创业投资合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 比亚迪 | 指 | 比亚迪股份有限公司，公司股东 |
| 华虹虹芯 | 指 | 上海华虹虹芯私募基金合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 上海盛雍 | 指 | 上海盛雍国企改革新势能私募投资基金合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 瀚思博投 | 指 | 厦门瀚思博投企业管理合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 深圳众晶 | 指 | 深圳众晶投资合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 盛美上海 | 指 | 盛美半导体设备（上海）股份有限公司，公司股东 |
| 创启开盈 | 指 | 深圳市创启开盈创业投资合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 郑州兴晶旺 | 指 | 郑州兴晶旺企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 上海聚芯晶 | 指 | 上海聚芯晶企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 上海海铸晶 | 指 | 上海海铸晶企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 扬州芯晶阳 | 指 | 扬州市芯晶阳科技咨询服务合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 郑州兴芯旺 | 指 | 郑州兴芯旺企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 上海安之微 | 指 | 上海安之微企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 上海海崧兴 | 指 | 上海海崧兴企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东 |
| 上海合晶松江
厂、松江厂 | 指 | 上海合晶位于上海市松江区石湖荡镇长塔路 558号的生产基地 |
| 上海晶盟 | 指 | 上海晶盟硅材料有限公司，公司全资子公司 |
| 扬州合晶 | 指 | 扬州合晶科技有限公司，公司全资子公司 |
| 郑州合晶 | 指 | 郑州合晶硅材料有限公司，公司全资子公司 |
| 空港合晶 | 指 | 郑州空港合晶科技有限公司，公司曾经的全资子公司 |
| 上海有色硅材
料厂 | 指 | 上海市有色金属总公司硅材料厂，合晶有限曾经的股东 |
| 美国汉崧 | 指 | 美国汉崧国际有限公司（注册于美国加利福尼亚州，英文名称为 Helitek
Company Ltd.），合晶有限曾经的股东 |
| 锐正有限 | 指 | 锐正有限公司（注册于中国香港，英文名称为 Sharp Right Limited） |
| 意法半导体 | 指 | ST Microelectronics N.V.及其下属企业 |
| 威世半导体 | 指 | Vishay Intertechnology, Inc.及其下属企业 |
| 台积电 | 指 | 台湾积体电路制造股份有限公司及其下属企业 |
| 华虹宏力 | 指 | 华虹半导体有限公司及其下属企业 |
| 力积电 | 指 | 力晶积成电子制造股份有限公司及其下属企业 |
| 华润微 | 指 | 华润微电子有限公司及其下属企业 |
| 德州仪器 | 指 | Texas Instruments Incorporated及其下属企业 |
| 达尔 | 指 | Diodes Incorporated 及其下属企业 |
| 芯联集成 | 指 | 绍兴芯联集成电路制造股份有限公司 |
| 信越化学 | 指 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
| 日本胜高 | 指 | Sumco Corporation |
| 环球晶圆 | 指 | 环球晶圆股份有限公司 |
| 德国世创 | 指 | Siltronic AG |
| SK Siltron | 指 | SK Siltron Co., Ltd. |
| 元 | 指 | 人民币元 |
| 万元 | 指 | 人民币万元 |
| 亿元 | 指 | 人民币亿元 |
| 单晶硅 | 指 | 硅的单晶体，是一种良好的半导体材料 |
| 多晶硅 | 指 | 单质硅的一种形态，可作拉制单晶硅的原料 |
| 晶棒 | 指 | 硅晶棒，是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成的圆
柱状的单晶硅晶棒 |
| 抛光片、衬底
片 | 指 | 经过抛光工艺形成的半导体硅片，作为外延片的原材料时也被称为衬底片 |
| 外延片 | 指 | 在抛光片的基础上，经过外延工艺形成的半导体硅片 |
| 功率器件 | 指 | 用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件 |
| 模拟芯片 | 指 | 对连续性模拟信号进行传输、变换、处理、放大和测量的集成电路芯片 |
| CIS、图像传
感器 | 指 | CMOS Image Sensor，即 CMOS图像传感器，是一种典型的固体成像传感
器，可将光像转换为与光像成相应比例关系的电信号 |
| MOSFET | 指 | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效
应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管 |
| IGBT | 指 | Insulated Gate Bipolar Translator，绝缘栅双极型晶体管 |
| PMIC、电源
管理芯片 | 指 | Power Management IC，电源管理集成电路，是在单片芯片内包括了多种电
源轨和电源管理功能的集成电路 |
| 外延炉 | 指 | 用于外延生长的设备，使用高频感应炉或者红外辐射照加热，对衬底片进
行外延生长 |
| IDM | 指 | Integrated Device Manufacture，垂直整合制造，指垂直整合制造商独自完
成集成电路设计、晶圆制造、封装测试的全产业链环节 |
| 晶圆代工
(Foundry) | 指 | 半导体产业的一种营运模式，专门从事半导体晶圆制造生产，接受其他 IC
设计公司委托制造，自身不从事设计 |
| 5G | 指 | 第五代移动通信技术，是最新一代蜂窝移动通信技术 |
| mm | 指 | 毫米，0.001米 |
| μm | 指 | 微米，0.000001米 |
| SPC | 指 | Statistical Process Control，是一种借助数理统计方法的过程控制工具 |
| SAP管理系统 | 指 | Systems Applications and Products in Data Processing，又称企业管理解决方 |
| | | 案，借助软件程序为企业定制并创建管理系统 |
| MES生产管
理系统 | 指 | 一套面向制造企业车间执行层的生产信息化管理系统 |
| Super Junction | 指 | 超级结技术，超结功率半导体器件是一类具有超结耐压层的重要器件，能
够实现高速开关和耐高压等功能 |
| 良率 | 指 | 指产线上最终通过测试的良品数量占投入材料理论生产出的数量的比例 |
| 报告期、本报
告期 | 指 | 2023年 1月 1日至 2023年 12月 31日 |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况
| 公司的中文名称 | 上海合晶硅材料股份有限公司 |
| 公司的中文简称 | 上海合晶 |
| 公司的外文名称 | Wafer Works（Shanghai）Co., Ltd. |
| 公司的外文名称缩写 | WWXS |
| 公司的法定代表人 | 刘苏生 |
| 公司注册地址 | 上海市松江区石湖荡镇长塔路558号 |
| 公司注册地址的历史变更情况 | / |
| 公司办公地址 | 上海市松江区石湖荡镇长塔路558号 |
| 公司办公地址的邮政编码 | 201617 |
| 公司网址 | http://www.waferworks.com.cn |
| 电子信箱 | [email protected] |
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
| 公司披露年度报告的媒体名称及网址 | 中国证券报（www.cs.com.cn）、上海证券报（
www.cnstock.com）、证券时报（www.stcn.com）、
证券日报（www.zqrb.cn） |
| 公司披露年度报告的证券交易所网址 | www.sse.com.cn |
| 公司年度报告备置地点 | 上海市松江区石湖荡镇长塔路558号董事会办公室 |
四、公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
| 公司股票简况 | | | | |
| 股票种类 | 股票上市交易所
及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
| A股 | 上海证券交易所
科创板 | 上海合晶 | 688584 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、其他相关资料
| 公司聘请的会计师事务所（境
内） | 名称 | 立信会计师事务所（特殊普通合伙） |
| | 办公地址 | 上海市黄浦区南京东路 61号四楼 |
| | 签字会计师姓名 | 陈蕾、郑贤杰 |
| 报告期内履行持续督导职责
的保荐机构 | 名称 | 中信证券股份有限公司 |
| | 办公地址 | 广东省深圳市福田区中心三路 8号卓
越时代广场（二期）北座 |
| | 签字的保荐代表人姓
名 | 谢雯、张俊晖 |
| | 持续督导的期间 | 2024年 2月 8日-2027年 12月 31日 |
六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：万元 币种：人民币
| 主要会计数据 | 2023年 | 2022年 | 本期比上年
同期增减(%) | 2021年 |
| 营业收入 | 134,817.37 | 155,641.36 | -13.38 | 132,851.63 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 24,686.10 | 36,488.92 | -32.35 | 21,184.71 |
| 归属于上市公司股东的扣除非经
常性损益的净利润 | 21,322.79 | 35,673.62 | -40.23 | 20,558.86 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | 57,836.63 | 75,560.19 | -23.46 | 35,440.46 |
| | 2023年末 | 2022年末 | 本期末比上
年同期末增
减（%） | 2021年末 |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 278,881.78 | 258,250.75 | 7.99 | 226,034.85 |
| 总资产 | 367,344.18 | 375,206.05 | -2.10 | 367,818.62 |
(二) 主要财务指标
| 主要财务指标 | 2023年 | 2022年 | 本期比上年同
期增减(%) | 2021年 |
| 基本每股收益（元／股） | 0.41 | 0.61 | -32.79 | 0.37 |
| 稀释每股收益（元／股） | 0.41 | 0.61 | -32.79 | 0.37 |
| 扣除非经常性损益后的基本每
股收益（元／股） | 0.36 | 0.60 | -40.00 | 0.36 |
| 加权平均净资产收益率（%） | 9.20 | 15.15 | 减少5.95个百
分点 | 10.85 |
| 扣除非经常性损益后的加权平
均净资产收益率（%） | 7.94 | 14.81 | 减少6.87个百
分点 | 10.53 |
| 研发投入占营业收入的比例（%
） | 8.65 | 8.06 | 增加0.59个百
分点 | 7.44 |
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
公司 2023年实现营业收入 134,817.37万元，同比下降 13.38%；实现归属于母公司所有者的净利润 24,686.10 万元，同比下降 32.35%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益净利润21,322.79万元，同比下降 40.23%。
基本每股收益和稀释每股收益同比减少 32.79%，主要原因系受近期全球经济环境、半导体行业周期性下行等因素的影响，全球终端市场需求仍在谷底，公司订单减少导致营业收入下滑，以及产能利用率下降造成的成本上升，使得毛利率及营业利润较去年同期有所减少。
扣除非经常性损益后的基本每股收益同比减少 40.00%，主要原因系本期净利衰退所致。
加权平均净资产收益率同比减少 5.95个百分点，主要原因系本期净利衰退所致。
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率同比减少 6.87个百分点，主要原因系本期净利衰退所致。
七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明：
□适用 √不适用
八、2023年分季度主要财务数据
单位：万元 币种：人民币
| | 第一季度
（1-3月份） | 第二季度
（4-6月份） | 第三季度
（7-9月份） | 第四季度
（10-12月
份） |
| 营业收入 | 34,593.60 | 35,776.09 | 36,967.95 | 27,479.73 |
| 归属于上市公司股东的
净利润 | 5,934.55 | 7,127.39 | 8,332.71 | 3,291.45 |
| 归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益后的
净利润 | 5,568.93 | 7,001.13 | 5,815.11 | 2,937.62 |
| 经营活动产生的现金流
量净额 | 11,993.62 | 9,431.81 | 20,544.78 | 15,866.42 |
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
| 非经常性损益项目 | 2023年金额 | 附注
（如 | 2022年金额 | 2021年金额 |
| | | 适
用） | | |
| 非流动性资产处置损益，包括
已计提资产减值准备的冲销部
分 | -524,850.76 | | -1,533,236.82 | 236,832.99 |
| 计入当期损益的政府补助，但
与公司正常经营业务密切相
关、符合国家政策规定、按照
确定的标准享有、对公司损益
产生持续影响的政府补助除外 | 38,161,852.30 | | 14,544,037.15 | 7,826,042.27 |
| 除同公司正常经营业务相关的
有效套期保值业务外，非金融
企业持有金融资产和金融负债
产生的公允价值变动损益以及
处置金融资产和金融负债产生
的损益 | | | | |
| 计入当期损益的对非金融企业
收取的资金占用费 | | | | |
| 委托他人投资或管理资产的损
益 | | | | |
| 对外委托贷款取得的损益 | | | | |
| 因不可抗力因素，如遭受自然
灾害而产生的各项资产损失 | | | | |
| 单独进行减值测试的应收款项
减值准备转回 | | | | |
| 企业取得子公司、联营企业及
合营企业的投资成本小于取得
投资时应享有被投资单位可辨
认净资产公允价值产生的收益 | | | | |
| 同一控制下企业合并产生的子
公司期初至合并日的当期净损
益 | | | | |
| 非货币性资产交换损益 | | | | |
| 债务重组损益 | | | | |
| 企业因相关经营活动不再持续
而发生的一次性费用，如安置
职工的支出等 | | | | |
| 因税收、会计等法律、法规的
调整对当期损益产生的一次性
影响 | | | | |
| 因取消、修改股权激励计划一
次性确认的股份支付费用 | | | | |
| 对于现金结算的股份支付，在
可行权日之后，应付职工薪酬
的公允价值变动产生的损益 | | | | |
| 采用公允价值模式进行后续计
量的投资性房地产公允价值变
动产生的损益 | | | | |
| 交易价格显失公允的交易产生
的收益 | | | | |
| 与公司正常经营业务无关的或
有事项产生的损益 | | | | |
| 受托经营取得的托管费收入 | | | | |
| 除上述各项之外的其他营业外
收入和支出 | 1,163,816.31 | | -3,314,288.02 | -364,782.18 |
| 其他符合非经常性损益定义的
损益项目 | | | | |
| 减：所得税影响额 | 5,167,715.22 | | 1,543,567.86 | 1,439,601.02 |
| 少数股东权益影响额（税
后） | | | | |
| 合计 | 33,633,102.63 | | 8,152,944.45 | 6,258,492.06 |
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
□适用 √不适用
十、采用公允价值计量的项目
□适用 √不适用
十一、非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
2023年全球地缘经济博弈加剧、产业链割裂问题延续，经济蹒跚前行。据联合国贸易和发展会议（UNCTAD）发布的最新《全球贸易更新报告》显示，2023年全球贸易萎缩 1万亿美元，比2022年下滑了 3%，降至 31万亿美元。
半导体是制造芯片的必要材料，在全球范围内日益受到重视，半导体产业成为各国经济和科技发展的重要战略产业之一，在全球经济发展中扮演愈发重要的角色，半导体销售情况也与全球经济发展密切相关。2023年半导体行业仍处在调整周期阶段，去库存特征明显。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）统计调查结果，2023年全球半导体产业销售额为 5,201亿美元，同比下降9.4%。根据 SEMI报告，2023年全球硅晶圆出货下降 14.3%，营收较同期下降 10.9%，至 123亿美元。
中长期看，全球半导体行业兼具周期性和成长性，短期的供需失衡不会影响行业的中长期整体向好趋势。AI人工智能产业的发展，伴随着新能源、新材料、新型电力系统、先进节能减排等领域的新质生产力的高质量发展，加速推动了先进光伏和新型储能产业规模发展，将为功率器件的市场需求带来广阔空间。
公司长期以来专注从长晶开始的一体化外延片的研发、生产和销售，一直致力于成为世界一流的硅材料供应商，为客户提供产品解决方案。2023年在国内外经济与产业环境多变的复杂环境下，公司坚持“8英寸做强、12英寸做大”、“差异化竞争”的战略思想，积极应对各种挑战和机遇，继续稳步推进各项战略发展计划，虽营业额及利润额较上一年有所下降，但仍显示出较强的发展韧性。
(一)报告期内生产经营总体情况
报告期内，公司实现营业收入 134,817.37 万元，较 2022 年营业收入 155.641.36 万元降低13.38%，实现归属母公司所有者的净利润 24,686.10万元，同比减少 32.35%，归属母公司所有者的扣除非经常性损益净利润为 21,322.79万元，同比降低 40.23%。2023年末公司总资产 36.73亿元，2022年末为 37.52亿元，同比减少 2.10%；2023年末归属于上市公司股东的净资产 27.89亿元，2022年末为 25.83亿元，同比增长 7.99%；2023年基本每股收益为 0.41元，2022年为 0.61元，同比减少 32.79%。主要原因是受全球经济环境低迷、半导体产业周期性下行、公司订单减少、产能利用率下降导致成本上升以及产品毛利率走低的影响。
(二)报告期内重点任务完成情况
1、运营管理方面
公司采取差异化竞争策略，面对激烈的市场竞争，通过对行业、客户、竞争对手的充分研究，明确公司定位、目标市场及核心竞争力，制定一系列差异化竞争方案，凸显公司自身的独特性，其中包括产品创新、品质管控、服务质量与价格策略等方面。
公司采用关键指标管理策略，通过对上一年度工作进行总结，结合公司未来发展方向和目标，从质量、成本、效率、安全等维度，制定公司下一年度在客户服务、生产管理、采购管理、工厂运行等方面一系列的关键考核指标。公司关注盈利能力、盈利效率、盈利水平，以及员工对公司的满意度和服务的效率，更加科学合理地制定公司战略规划和发展方向。
2、产品研发方面
公司重视新质生产力的建设，整合平台优势、客户优势、市场优势、技术优势及人力优势，推动长晶至外延一体化各个环节生产制造技术的改造和升级，坚持科技创新，推动高质量发展，提升公司核心技术竞争力。
报告期内，公司持续投入 11,664.31万元进行 35个项目研发，其中 11项已完成并达到可量产的阶段。公司产品研发符合市场导向、客户需求，与半导体产业的发展及公司聚焦的产品赛道相融合，研发成果得到客户认可，同时加强了公司核心技术竞争力。
3、知识产权方面
公司重视知识产权建设，一是对研发人员将科研成果积极转化为国内或国际专利等知识产权进行激励，二是加强员工的知识产权法律观念，建立知识产权法律保护体系，促进公司及员工在技术研发方面的创新活动。报告期内，公司共申请专利 81项，其中发明专利 24项，实用新型专利 57项。截至报告期末，公司拥有境内外发明专利 26项、实用新型专利 158项、软件著作权 3项。
4、供应链保障方面
公司加强与供应商协同机制，顺应市场变化，加强销售预期分析，采用采购管理和库存管理系统对物料的采买、使用、库存、寿命进行动态监控和分析，及时调整安全库存容量及协调物料采购在途订单，使得生产工艺及设备所需物料、配件等物品能够及时交付。
5、人才团队建设方面
报告期末公司总人数达 1000 人，公司一直认为人才团队建设是支撑公司创新发展和高效运营的关键，需要不断完善培育机制、优化人才培养环境、营造良好的人才发展生态。建立管理人员绩效考核机制以及基层员工辅导员机制，通过引导和实践让员工既有公司归属感又有实干技能。
6、内部治理方面
公司建立了较为完善的内部控制和公司治理机制，定期对公司及各子公司部门进行内稽。报告期内，公司严格贯彻执行相关制度，通过不断完善法人治理及内部治理体系，有效防范财务及非财务层面的风险，提高公司运营的规范性和决策的科学性，积极履行企业应承担的各项社会责任，全面保障股东权益。
(三)报告期内公司在各方面的建设成果
1、公司获得台积电、华虹集团、安森美、达尔多家公司颁发“杰出供货商”等荣誉奖杯。
2、扬州合晶被认定为“江苏省专精特新中小企业”。
3、郑州合晶荣获“郑州市文明诚信企业”、河南省企业技术中心。
4、上海晶盟实验室通过中国合格评定国家认可委员会 CNAS 现场认证，跻身国家认可实验室行列；获得海关“AEO高级认证企业证书”，通过对标 AEO认证相关准则；“面向 5G应用及车规级芯片-12 英寸优质硅外延片”产品获得中国国际工业博览会颁发“新材料奖”；获得上海市集成电路行业协会颁发的上海市集成电路内资半导体材料业销售前五名。
(四)首次公开发行股份注册上市进度
2023年 8月 15日上海证券交易所上市审核委员会 2023年第 74次会议审议通过公司的首发申请。中国证劵监督管理委员会于 2023年 9月 26日批复同意公司首次公开发行股票的注册。公司股票已于 2024年 2月 8日在上海证券交易所科创板上市。
(五)募投项目进展
低阻单晶成长及优质外延研发项目，本项目总投资规模为 77,500.00万元，实施主体为郑州合晶。本项目建设内容主要包括厂房及厂务配套设施、购置 12英寸外延生长及晶体成长相关研发设备及检测设备等，主要针对公司现有 8英寸及 12英寸外延技术进行持续优化，并针对 CIS相关产品所需外延技术，尤其是 65nm-28nm外延相关技术进行研究开发。此外，本项目针对 12英寸低阻单晶成长工艺技术进行研究开发，建成投产后，将进一步增强在 12 英寸外延领域的技术水平，提升产品工艺技术。
优质外延片研发及产业化项目，本项目总投资规模为 18,856.26万元，实施主体为上海晶盟。
本项目建设内容主要包括各尺寸外延片生产相关设备购置及安装等。本项目建成投产后，上海晶盟将新增 12英寸外延片年产能约 18万片，新增 8英寸外延片年产能约 6万片，新增 6英寸外延片年产能约 24万片。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是中国少数具备从晶体成长、衬底成型到外延生长全流程生产能力的半导体硅外延片一体化制造商，主要产品为半导体硅外延片。公司致力于研发并应用行业领先工艺，为客户提供高平整度、高均匀性、低缺陷度的优质半导体硅外延片。公司的外延片产品主要用于制备功率器件和模拟芯片等，被广泛应用于汽车、工业、通讯、办公等领域。
公司主要采取以销定产的生产模式，通过直销和经销两种模式进行销售。公司主要原材料包括抛光片、多晶硅、石墨备品、气体、石英坩埚、粉体等。
2、主要产品
公司经过多年技术积累及持续研发，拥有砷、磷及硼元素重掺及轻掺的长晶核心技术，单片式、多片式的常压、减压外延生产核心技术，可为客户提供 6、8、12英寸功率、模拟等器件用半导体单晶硅外延片、埋层外延片的定制化生产加工及服务。
(二) 主要经营模式
1、采购模式
公司主要采取以产定购的采购模式。公司根据客户订单、生产计划、物料清单、物料安全库存及实际库存量，制定物料采购计划，并根据物料采购计划相应进行采购。
公司建立了完整的供应商认证管理制度。对于供应商管理，公司主要通过书面评估、现场稽核、样品认证、定期考核等手段，确保供应商有能力长期稳定供应产品，并保证产品质量。公司目前已与主要供应商建立了长期稳定的合作关系。
公司采取了规范的采购控制程序。公司秉承公平公正原则进行采购控制，对于新供应商或初次使用的物料，公司需对供应商资质及其提供的样品进行严格的认证程序，在认证通过后将相关供应商及产品纳入合格清单；对于公司的重要物料，公司需在合格清单范围内选取多家供应商进行询价、比价及议价；对于公司的常用物料，公司需定期议价。
2、生产模式
公司主要采取以销定产的生产模式，主要产品根据客户的差异化需求进行工艺设计及生产制造。生产部门根据销售计划来制定生产计划，同时将相关数据传送至采购部门，以确保原材料的供应。品保部门负责对产品关键质量参数进行审查及确认，环安部门确保公司在符合安全与环保规范的前提下合规运营。
长期的技术研发与生产运营，使得公司在技术水平和生产管理方面有着深厚积淀。公司先后通过 ISO45001、ISO14001、IATF16949等体系认证。目前，公司能够分别按国际 SEMI标准、中国国家标准、销售目的地国家标准及客户特定要求进行产品生产。同时采用 SAP管理系统、MES生产管理系统和 SPC过程控制工具，在产品开发、原材料采购、产品生产、出入库检验、销售服务等过程中严格实施标准化管理和控制，使产品质量的稳定性及一致性达到较高水平。
3、销售模式
公司采取直销和经销两种模式进行销售。在直销模式下，公司主要采取与客户直接沟通或谈判的方式获取订单，并负责为客户提供销售、技术及后续其他服务。公司与经销商的合作模式是公司向经销商买断式销售产品，再由经销商将产品销售给终端客户。
4、盈利模式
公司主要从事半导体硅外延片的研发、生产和销售，通过向国内外 Foundry、IDM 等芯片生产制造企业销售硅外延片实现收入和利润。
(三) 所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）所处行业：
公司主要从事半导体硅外延片的研发、生产及销售。根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第 39 大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第 398中类“电子元件及电子专用材料制造”。
根据国家发改委发布的《战略型新兴产业重点产品和服务指导目录（2016年版）》，6英寸/8英寸/12英寸集成电路硅片列入战略性新兴产业重点产品目录。根据国家统计局颁布的《战略性新兴产业分类（2018）》，硅外延片属于国家重点支持的新材料行业。
半导体硅片行业为国家重点鼓励、扶持的战略性新兴行业，符合产业政策和国家经济发展战略，公司所处行业细分领域为半导体材料环节的半导体硅外延片。
（2）行业发展阶段
半导体行业仍处于调整期，叠加全球通胀和地缘政治冲突等因素，2023年全球半导体市场表现乏力。根据半导体行业协会（SIA）的估计，2023年全球半导体行业的销售额下降了约 470亿美元，相比 2022年下降了约 8.2%。根据 SEMI报告，2023年全球硅晶圆出货量下降 14.3%，至126.02亿平方英寸，而营收较同期下降 10.9%，至 123亿美元。虽然市场下滑，但全球半导体行业兼具周期性和成长性，短期的供需失衡不会影响行业的中长期整体向好趋势。
（3）行业基本特点
半导体硅外延片的市场需求进一步扩大。近年来，受益于下游功率器件、模拟芯片市场规模的增长，外延片的市场需求也持续扩张。未来，随着越来越多智能终端及可穿戴设备的推出，新能源汽车、5G通信、物联网等新应用的普及，IGBT、MOSFET等功率器件及 CIS、PMIC等模拟芯片产品的使用需求和应用范围均将进一步扩大。
国产化趋势显著。在国家高度重视、大力扶持半导体硅行业发展的大背景下，我国半导体产业快速发展，产业链各环节的产能和技术水平都取得了长足的进步，但相对而言，以硅片为代表的半导体材料仍是我国半导体产业较为薄弱的环节，对于进口的依赖程度依然较高，国产化替代空间广阔。
8英寸产品目前占据主流，12英寸成为未来发展趋势。超越摩尔定律方向包括功率器件、模拟芯片、传感器等细分市场，侧重于功能的多样化，是由应用需求驱动的，其核心是在一个芯片上拥有更多的功能，目前 8英寸硅片在这个领域占据主要地位。另一方面，英飞凌、安森美等国际先进厂商在制造功率器件时已开始使用 12英寸外延片，华虹宏力、芯联集成等国内厂商也已建成 12英寸功率器件生产线，12英寸产品的优势越来越明显，所需的技术要求也相应大幅提高。
公司产品主要用于超越摩尔定律方向，报告期内以 8英寸产品为主，并实现 12英寸外延片量产，已开始给国际和国内大厂供货。
（4）行业主要技术门槛
半导体硅片行业普遍存在技术壁垒，认证壁垒，设备壁垒及资金壁垒四大门槛，特别是半导体硅片的研发和生产过程繁多复杂，涉及固体物理、量子力学、热力学、化学等多学科领域交叉，是典型的人才密集型，技术密集型行业。随着产业链下游的集成芯片制造工艺技术节点的推进及各个晶圆代工厂的硅片规格完全不同，各个终端产品的用途不同也会导致硅片的要求规格完全不同。这就要求硅片厂商要根据不同的终端客户产品来设计和制造不同的硅片，这更大增加了硅片供应难度。
半导体硅片制造其核心工艺包括但不仅限于单晶生长工艺、衬底切片、研磨、蚀刻、抛光和外延生长技术。其中单晶工艺是最为核心的技术，其控制工艺能力决定了硅片尺寸、电阻率、纯度、氧含量、位错、晶体缺陷等关键技术指标。随着集成电路制造技术的飞速发展，硅片直径不断增大，特征线宽不断减小，对硅片芯片原生缺陷及杂质控制水平，表面颗粒缺陷，表面金属含量，表面平坦度及芯片边缘的平整度、硅片表面的纳米形貌等参数的要求规格越来越严格，这也就对硅片衬底的切片、研磨、蚀刻、抛光、清洗等整个生产关键节点的工艺能力提出了更为严格的要求及较高的技术水平，也对市场新进者形成了较高的技术壁垒。
在半导体硅片制造领域，公司凭借多年的技术积累及市场开拓，已掌握了硅片制造多项关键技术，特别是但不限于超低阻单晶生长，磁场直拉单晶生产，单晶生产过程中热场控制，硅片的高精度蚀刻形貌控制，高精密的研磨，抛光，硅片清洗，外延等制备技术。得益于充沛的技术储备，公司在产品成本、良品率、参数一致性和产能规模等方面均具备较为明显的市场竞争优势，特别是细分市场占有率不断上升，市场地位和市场影响力不断增强。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
半导体硅片行业具有技术难度高、研发周期长、资本投入大、客户认证周期长等特点，因此全球半导体硅片行业集中度较高。国际硅片厂商长期占据较大的市场份额，排名前五的厂商分别为日本信越化学（Shin-Etsu）、日本胜高（Sumco）、环球晶圆（Global Wafers）、德国世创（Siltronic）、韩国 SK Siltron。
公司是中国少数具备从晶体成长、衬底成型到外延生长全流程生产能力的半导体硅外延片一体化制造商，实现了外延片的国产化，满足了国内半导体产业的需求。公司客户遍布北美、欧洲、中国、亚洲其他国家或地区，拥有良好的市场知名度和影响力。公司已经为全球前十大晶圆代工厂中的 7家公司、全球前十大功率器件 IDM厂中的 6家公司供货，主要客户包括华虹宏力、芯联集成、华润微、台积电、力积电、威世半导体、达尔、德州仪器、意法半导体、安森美等行业领先企业，并多次荣获华虹宏力、台积电、达尔等客户颁发的最佳或杰出供应商荣誉，是我国少数受到国际客户广泛认可的外延片制造商。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 半导体行业的发展主要分为两个方向：一类是以支撑线宽不断缩小为特征的深度摩尔定律方向，另一类是以应用功能多样化为特征的超越摩尔定律方向。超越摩尔定律方向包括功率器件、模拟芯片、传感器等细分市场，侧重于功能的多样化，是由应用需求驱动的，其核心是在一个芯片上拥有更多的功能，满足互联网、物联网、生物医药、新能源等新兴领域的发展应用需求。超越摩尔定律方向是硅外延产品应用的主要领域，产品直径也从 8英寸逐渐转到 12英寸。
公司是一体化外延片的专业生产制造商，外延片是以抛光片为衬底材料进行外延生长形成的半导体硅片，主要用于制作 MOSFET、IGBT等功率器件和 PMIC、CIS等模拟芯片，符合超越摩尔定律的技术发展路线。
公司除现有模拟器件、功率半导体、传感器等硅外延产品外，还聚焦以下重点产品的挖掘和研发：
（1）CIS（CMOS图像传感器）用外延产品方向。公司针对目标客户的高性能产品进行技术研发，开发具有高信噪比、高感亮度、高速全局快门捕捉、超宽动态范围、超高近红外感度、低功耗等特点的图像传感，将应用于特定领域及新兴需求。
（2）车规级 SJ（超级结结构）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）用外延片产品方向。随着新能源车企趋向于大量采用国产芯片，减少对进口芯片的依赖，将进一步推动中国国内半导体产业的发展与进步，尤其是长续航能力电池组件及快充充电桩模块外延产品将迎来新一轮的爆发。
（3）AI 赋能·产业焕新方向。目前国家大力推动算力基础设施高质量发展，而推动算力需要极大的储能及电力系统支持，这些方面皆需要外延片在逻辑产品、功率器件及影像辨识上持续发展，对公司而言，是挑战也是机遇。
(四) 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
核心技术主要围绕半导体材料的研发与生产，掌握了半导体硅片生产的多项核心技术，如直拉单晶生长技术、热场优化及调整，完美单晶生长技术、超精密抛光技术、优质外延技术等。实现了大尺寸完美单晶生长和平坦度控制工艺、公司拥有专门的研发团队结合现有技术，开发出具有知识产权的大尺寸完美单晶及硅片超精密抛光技术。
| 序
号 | 技术分类 | 技术名称 | 技术先进性 | 对应已授权
专利号 | 技术
来源 |
| 1 | 晶体成长 | 磁场直拉
单晶技术 | 在传统的直拉长晶基础上，结合磁
场控制长晶技术，通过自主设计并
优化工艺管控参数，有效提升晶体
生长过程中熔体及生长界面的稳定
性，大幅降低晶体缺陷，在控制晶
体参数均匀性和控制超低氧含量的
晶体成长上具备优势 | 202120477773.4
201420802643.3
200510023563.3 | 自主
研发 |
| 2 | 晶体成长 | 多元素掺
杂长晶技
术 | 半导体硅片有硼、磷、砷、锑四种
常规掺杂元素，公司已实现工艺的
全面覆盖。公司在自行开发的热场
基础上，针对不同掺杂元素物理特
性开发出不同的掺杂技术，加之针
对不同元素单晶的长晶工艺辅助，
实现半导体用常规四种掺杂单晶的
生长以及阻值控制 | 201921321603.6
201720543582.7
201621102268.7
202021001990.8
202020860547.X
201921320006.1
201720543564.9
201420799612.7
201320890834.5 | 自主
研发 |
| 3 | 晶体成长 | 晶体缺陷
控制技术 | 公司综合运用优化的长晶热场，根
据不同掺质产品的特性，结合流量、
压力、温度的合理设定，实现对晶体
原生缺陷的控制 | 202021103487.3
202021103640.2
202020832245.1
201420833489.6
201921940060.6
201921885954.X
201921885102.0
201921884778.8
201720735297.5 | 自主
研发 |
| 4 | 晶体成长 | 晶体中氧
析出行为
动力学模
型技术 | 晶体生长过程所经历的热历史决定
了晶体中氧的析出行为，进而影响
晶体的内部吸杂与硅片的强度，公
司通过自主开发设计的长晶热场与
工艺流程，通过晶体成长模拟技术，
优化工艺流程及工艺参数，实现对
晶体中氧的析出行为的有效控制 | 专有技术 | 自主
研发 |
| 5 | 晶体成长 | 超低电阻
长晶技术 | 公司利用自主设计并优化的长晶热
场和控制系统，综合搭配压力、流
量、温度等特定工艺设定，在避免
组成过冷的条件下，实现超低电阻
晶棒的生长 | 202020390927.1
201921314219.3
201220585217.X | 自主
研发 |
| 6 | 衬底成型 | 硅片单片
抛光技术 | 基于原厂所设计的单片式抛光机硬
件架构上，自主进行 27项硬件改造 | 202122526446.6
202122182302.3
202022551718.3 | 自主
研发 |
| 序
号 | 技术分类 | 技术名称 | 技术先进性 | 对应已授权
专利号 | 技术
来源 |
| | | | 进而提升制程能力，硅片边缘平坦
度达到国际先进水平 | 202022206758.4
201922134728.4
201820822046.5
M609202 | |
| 7 | 衬底成型 | 硅片表面
洁净度处
理技术 | 公司自主开发的硅片表面洁净度处
理技术，能够有效清除硅片表面的
各种污染物，如表面微尘、有机物、
轻/重金属等，目前公司衬底片的表
面洁净度水平处于国际先进 | 202022551717.9
202021342533.5
202022377926.6 | 自主
研发 |
| 8 | 衬底成型 | 表面纳米
形貌控制
技术 | 硅片表面纳米形貌会影响到制作半
导体组件时的表面氧化层厚度差
异。公司通过表面纳米形貌控制技
术，实现精准控制硅片表面粗糙度
和表面纳米形貌的效果，目前在
2mm×2mm 的微区上衬底片的微粗
糙度小于 60nm，达到国际先进水平 | I732719 | 自主
研发 |
| 9 | 衬底成型 | 硅片平整
度控制技
术 | 公司自主开发的硅片平整度控制技
术,通过优化抛光工艺，切片、磨片、
酸/碱蚀刻工艺中的关键参数，实现
衬底片平整度达到国际先进水平 | 201110231799.1
201110231810.4
200810204445.6
03116903.1 | 自主
研发 |
| 10 | 外延生长 | 外延片温
场控制技
术 | 由于外延生长的环境温度通常超过
1,100摄氏度，导致实际操作中很难
量测外延温度并进行控制。公司利
用自主设计的离子注入片在不同加
热温度下表现出的方块电阻，实现
对外延机台内不同点的实际加热温
度的监控、校验，并通过实时故障检
测与分类系统（FDC 系统）实现对
外延炉台的温度控制，可达到温度
精准控制在 0.5%以内 | 201310513112.2
201510448219.2
202121085132.0 | 自主
研发 |
| 11 | 外延生长 | 衬底晶背
多晶硅析
出控制技
术 | 通过外延特色工艺及在外延前对基
座的处理，使抛光片的背面在放入
炉台前得到保护，从而避免硅片背
面多晶硅析出 | 201810722379.5
202121408826.3 | 自主
研发 |
| 12 | 外延生长 | 外延机台
腔体内多
晶硅层刻
蚀技术 | 通过对外延炉的改造以及刻蚀技术
的优化，有效去除腔体内多晶层杂
质，以控制外延机台腔体洁净度，相
较传统工艺，减少 60%的氯化氢用
量 | 202122538445.3 | 自主
研发 |
| 13 | 外延生长 | 埋层外延
技术 | 埋层外延片的主要生产难点在于，
在外延前，硅片表面已有光照图形，
需要将高温外延流程控制在合适的
温度，使光照图形无模糊、无偏移畸
变，公司的埋层外延技术攻克了这
个技术难点，通过利用公司自主设
计的离子注入芯片，将温度准确控
制在适用于埋层外延的特殊温度，
实现高温外延中光照图形无模糊、
无偏移畸变 | 202123385124.0 | 自主
研发 |
| 序
号 | 技术分类 | 技术名称 | 技术先进性 | 对应已授权
专利号 | 技术
来源 |
| 14 | 外延生长 | 超厚外延
技术 | 公司利用自主设计的漂浮式取片
器，解决了硅片边缘的接触损伤问
题，有效提升了超厚外延产品的良
率，使公司具备了生产外延厚度
150μm 外延产品的能力，可应用于
制造大功率器件，同行业公司的技
术水平一般在 100μm | 201310240216.0
201320347279.1
202123388317.1 | 自主
研发 |
| 15 | 外延生长 | 超结器件
双层外延
技术 | 利用自主设计的超结器件双层同心
圆外延技术和自主设计改进的电阻
量测设备，在低功耗的基础上，实现
对外延电阻的精确控制，解决了外
延电阻率均匀性变差以及因自掺杂
现象导致“基板-外延”过渡区变宽的
问题，该技术制造的外延片可以用
于生产击穿电压达 630V 的超结功
率器件 | 201220432539.0
201210311175.5 | 自主
研发 |
| 16 | 外延生长 | 大尺寸厚
外延一次
成型技术 | 对于大尺寸外延片，在保证低缺陷
度水平的情况下，公司能够实现
75μm厚度的外延层一次成型，一方
面相较多次生长减少约 35~50%的
生产时间，另一方面避免多次生长
导致外延层电阻均匀性异常波动，
同行业公司的技术水平尚无法完成 | I795228 | 自主
研发 |
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用
| 认定称号 | 认定年度 | 产品名称 |
| 国家级专精特新“小巨人”企业 | 2022年 | 不适用 |
2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司申请发明专利 24项，取得发明专利授权 3项；申请实用新型专利 57项，取得实用新型专利授权 39项。截至报告期末，公司拥有境内外发明专利 26项、实用新型专利 158项、软件著作权 3项。
报告期内获得的知识产权列表
| | 本年新增 | | 累计数量 | |
| | 申请数（个） | 获得数（个） | 申请数（个） | 获得数（个） |
| 发明专利 | 24 | 3 | 80 | 26 |
| 实用新型专利 | 57 | 39 | 214 | 158 |
| 外观设计专利 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 软件著作权 | 0 | 0 | 3 | 3 |
| 其他 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 合计 | 81 | 42 | 297 | 187 |
3. 研发投入情况表
单位：万元
| | 本年度 | 上年度 | 变化幅度（%） |
| 费用化研发投入 | 11,664.31 | 12,548.90 | -7.05 |
| 资本化研发投入 | - | - | 不适用 |
| 研发投入合计 | 11,664.31 | 12,548.90 | -7.05 |
| 研发投入总额占营业收入
比例（%） | 8.65 | 8.06 | 增加 0.59个百分
点 |
| 研发投入资本化的比重（%） | - | - | 不适用 |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元
| 序
号 | 项目名称 | 预计总投
资规模 | 本期投入
金额 | 累计投入
金额 | 进展或
阶段性
成果 | 拟达到目标 | 技术水
平 | 具体应用
前景 |
| 1 | 国产研磨
砂配套工
艺的研究 | 160.00 | 127.36 | 127.36 | 试生产
阶段 | 研磨砂使用
成本降低
30% | 国内先
进水平 | 重要原辅
料国产化 |
| 2 | 水平炉长
厚POLY
技术研究 | 270.00 | 258.83 | 258.83 | 试生产
阶段 | 15000?
POLY良率
≥99% | 国内先
进水平 | 应用于功
率器件品
质提升 |
| 3 | 抛光片边
缘小坑改
善的研究 | 170.00 | 141.39 | 141.39 | 试生产
阶段 | 小坑发生率
从5%降低
至1%以下 | 国内先
进水平 | 应用于功
率器件品
质提升 |
| 4 | 线切割金
刚线改机
展开+研
磨优化 | 200.00 | 0.84 | 130.37 | 试生产
阶段 | warp均值
≤15um | 国内先
进水平 | 应用于功
率器件品
质提升 |
| 5 | 重掺B抛
光划伤及
参数改善
（Gdinde
r机台） | 250.00 | 1.38 | 156.76 | 试生产
阶段 | 降低抛光刮
伤不良率 | 国内先
进水平 | 应用于功
率器件品
质提升 |
| 6 | 国产PET
蓝膜研发 | 190.00 | 0.30 | 112.62 | 试生产
阶段 | 制程能力与
进口蓝膜能
力一致 | 国内先
进水平 | 重要原辅
料国产化 |
| 7 | POLY膜厚
均匀性及
良率提升
专案 | 150.00 | 0.13 | 128.15 | 试生产
阶段 | 15000?
POLY膜厚
均匀性
≤7%，良率
≥96% | 国内先
进水平 | 应用于功
率器件品
质提升 |
| 8 | 降低抛光
划伤不良
率 | 240.00 | 0.53 | 127.09 | 试生产
阶段 | 抛光划伤不
良率3500
站+3820站
≤5% | 国内先
进水平 | 应用于功
率器件品
质提升 |
| 9 | 抛光片清
洗能力提
升 | 180.00 | 0.99 | 141.32 | 试生产
阶段 | LPD：
0.16um≤30
ea；
0.2um≤8ea
；
0.3um≤3ea
；
0.5um≤2ea | 国内先
进水平 | 应用于功
率器件品
质提升 |
| 10 | 超低阻重
掺硼单晶
工艺开发 | 172.00 | 169.03 | 169.03 | 量产阶
段 | 单晶良率提
升 | 国内同
行业企
业同等
水平 | 用于超低
组重掺硼
半导体硅
单晶量产 |
| 11 | 8英寸轻
掺半导体
正片单晶
工艺开发 | 112.00 | 112.71 | 112.71 | 待小批
量实验
测试 | 单晶良率提
升 | 国内同
行业企
业同等
水平 | 用于轻掺
半导体硅
单晶产品
量产 |
| 12 | 300mm外
延掺杂剂
大系统开
发 | 828.82 | 186.58 | 700.70 | 量产阶
段 | 减少更换频
率提升产能 | 国内先
进水平 | 用于外延
生产 |
| 13 | 晶舟清洗
机的上线
开发 | 1,664.62 | 482.48 | 1,480.34 | 量产阶
段 | 节省机台占
地空间，节
约用水量 | 国内先
进水平 | 用于不同
类型晶舟
的清洗 |
| 14 | 300mm 外
延温度控
制优化 | 532.97 | 501.52 | 501.52 | 已完成 | 通过PID等
参数设定 | 国内领
先 | CIS器件
用、功率
器件用
12英寸
外延片 |
| 15 | 300mm 外
延炉机台
备件国产
化开发 | 572.48 | 523.53 | 523.53 | 已有合
格供应
商 | 通过石墨件
国产化达到
降低成本 | 国内领
先 | 国产化备
件全面应
用到12
英寸外延
炉 |
| 16 | 300mm 外
延片37nm
颗粒清洗
能力研发 | 477.60 | 431.65 | 431.65 | 完成工
艺验证
并进入
生产线
送样验
证阶段 | 提高清洗机
台清洗能
力，达到
37nm颗粒
制程能力 | 国内领
先 | 用于
IGBT，
P/P和一
般300mm
外延片中 |
| 17 | 300mm 全
自动目检
机开发 | 512.09 | 467.56 | 467.56 | 量产阶
段 | 减少人为因
素造成的产
品报废，提
高良率及品
质 | 国内领
先 | 应用于大
硅片外观
检查 |
| 18 | 300mm
P/P外延 | 513.47 | 466.20 | 466.20 | 已完成 | 通过温度/
生长速率/ | 国内领
先 | 大规模集
成电路 |
| | 片工艺研
发 | | | | | 气流配比控
制ADE参数 | | |
| 19 | ASM
E2000外
延炉备件
国产化开
发 | 2,150.16 | 1,439.08 | 1,439.08 | 已有合
格供应
商 | 开发国产化
替代备件，
降低运行成
本，降低备
件断料风险 | 国内领
先 | 国产化备
件全面应
用到ASM
E2000外
延炉，有
效避免断
料发生 |
| 20 | 多层外延
技术研发 | 1,963.26 | 1,305.12 | 1,305.12 | 量产阶
段 | 改善多层外
延能力 | 国内领
先 | 应用于制
造高压超
结Super
Junction
器件的衬
底，多层
外延可改
善器件电
性。 |
| 21 | LPE 3061
外延炉备
件国产化
开发 | 1,947.35 | 1,325.23 | 1,325.23 | 已完成 | 备件国产
化，降低断
料风险，降
低成本 | 国内领
先 | 国产化备
件全面应
用到LPE
3061外
延炉，有
效避免断
料发生 |
| 22 | 硅片表面
形貌控制
新工艺及
装置研发 | 1,350.00 | 222.31 | 1,062.08 | 量产阶
段 | 提高产品的
平坦度水平 | 达到国
际先进
水平 | 用于集成
电路平坦
度改善 |
| 23 | 直径
300mm 重
掺砷低阻
单晶硅棒
工艺研发 | 1,560.00 | 524.81 | 1,593.16 | 完成工
艺验证
并进入
生产线
量产阶
段 | 12英寸重
掺砷低阻单
晶硅棒的生
产技术 | 达到国
际先进
水平 | 大尺寸硅
晶棒的长
晶工艺开
发 |
| 24 | 直径
300mm 重
掺硅片吸
杂技术及
背封工艺
基础研究 | 720.00 | 292.40 | 767.99 | 产品小
规模生
产测试
阶段 | 提高产品的
平坦度、降
低缺陷度 | 达到国
际先进
水平 | 用于集成
电路制造
中低温氧
化物制程
多晶硅、
氧化硅等
薄膜沉积 |
| 25 | 直径
300mm 重
掺硅片超
精密抛光
技术研究 | 585.00 | 230.66 | 675.94 | 产品小
规模生
产测试
阶段 | 提高产品的
平坦度水平 | 达到国
际先进
水平 | 用于集成
电路平坦
度改善 |
| 26 | 直径
200mm 抛
光后硅片 | 520.00 | 219.28 | 472.82 | 量产阶
段 | 提升量测机
台的稳定
性,降低误 | 达到国
际先进
水平 | 集成电路
制造中硅
晶圆片的 |
| | -光学量
测仪器的
激光颗粒
检测新方
法研究 | | | | | 判率 | | 表面颗粒
光学检测 |
| 27 | 直径
300mm离
子植入技
术-新工
艺技术开
发 | 660.00 | 211.30 | 463.91 | 产品小
规模生
产测试
阶段 | 具备高能束
流离子注入
技术 | 达到国
际先进
水平 | 金属材料
改性及半
导体工艺
技术中应
用于掺杂
工艺 |
| 28 | 直径
300mm重
掺红磷低
阻单晶硅
棒研发 | 1,438.00 | 459.33 | 459.33 | 工艺参
数验证
阶段 | 实现对重掺
磷直拉硅单
晶电阻率的
有效控制 | 达到国
内先进
水平 | 大尺寸硅
晶棒的长
晶工艺开
发 |
| 29 | 直径
200mm轻
掺硼低氧
单晶硅棒
研发 | 1,036.00 | 172.42 | 172.42 | 产品小
规模生
产测试
阶段 | 控制硅片中
心氧含量水
平 | 达到国
内先进
水平 | 直拉单晶
硅的生长
技术 |
| 30 | 直径
300mm抛
光后硅片
表面缺陷
控制工艺
技术研究 | 808.00 | 302.77 | 302.77 | 工艺参
数优化
调整，
工艺参
数验证
阶段 | 完善12英
寸抛光片表
面缺陷控制
工艺 | 达到国
内先进
水平 | 集成电路
硅片表面
质量改善 |
| 31 | 直径
200mm硅
抛光片背
面缺陷控
制工艺技
术研究 | 460.00 | 303.38 | 303.38 | 抛光工
艺参数
调整测
试阶段 | 降低硅片背
面刮伤率 | 达到国
内先进
水平 | 集成电路
硅片表面
质量改善 |
| 32 | 直径
200/300m
m 重掺晶
圆Ring
etching
技术的研
究 | 1,365.00 | 134.54 | 134.54 | 产品小
规模生
产测试
阶段 | 实现边缘蚀
刻精度精准
控制，提高
产品良率 | 达到国
际先进
水平 | 硅晶圆表
面清洗、
刻蚀及表
面定性等
工艺 |
| 33 | 直径
200mm硅
片研磨污
染控制新
工艺及装
置研发 | 440.00 | 241.72 | 241.72 | 工艺参
数调整
测试阶
段 | 提高产品的
洁净度水平 | 达到国
内先进
水平 | 集成电路
硅片表面
质量改善 |
| 34 | 直径
200mm抛
光布形状
控制新技 | 812.00 | 192.34 | 192.34 | 抛光工
艺参数
调整测
试阶段 | 提高产品的
平坦度 | 达到国
内先进
水平 | 集成电路
平坦度改
善 |
| | 术及装置
研究 | | | | | | | |
| 35 | 一种侦测
200mm晶
圆盒变形
的研发装
置研究 | 400.00 | 214.61 | 214.61 | 工艺参
数调整
测试阶
段 | 提高产品的
平坦度、降
低缺陷度 | 达到国
内先进
水平 | 集成电路
平坦度改
善 |
| 合
计 | / | 25,410.83 | 11,664.31 | 17,303.57 | / | / | / | / |
（未完）
