[中报]新洁能(605111):2024年半年度报告
原标题:新洁能:2024年半年度报告 无锡新洁能股份有限公司 2024年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司全体董事出席董事会会议。 三、 本半年度报告未经审计。 四、 公司负责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以截至2024年8月12日的总股本扣除回购专户中的股份数量后的股本数414,278,987股为基数，向全体股东每10股派发现金红利0.53元（含税），预计派发现金21,956,786.31元（含税），剩余未分配利润结转以后年度分配。如在本半年度利润分配预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，拟维持分配总额不变，相应调整每股分配金额，并另行公告具体调整情况。 六、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 七、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、 重大风险提示 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅本报告中“第三节 管理层讨论与分析”之“可能面对的风险”的内容。 十一、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ........................................................................................................................ 5 第二节 公司简介和主要财务指标 ........................................................................................ 7 第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................. 10 第四节 公司治理 ............................................................................................................... 33 第五节 环境与社会责任..................................................................................................... 36 第六节 重要事项 ............................................................................................................... 38 第七节 股份变动及股东情况 ............................................................................................. 52 第八节 优先股相关情况..................................................................................................... 58 第九节 债券相关情况 ........................................................................................................ 59 第十节 财务报告 ............................................................................................................... 60
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司信息
二、 联系人和联系方式
三、 基本情况变更简介
四、 信息披露及备置地点变更情况简介
五、 公司股票简况
六、 其他有关资料 □适用 √不适用 七、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 1、2024年 1-6月，公司共实现营业收入 87,348.90万元，较去年同期增长了 15.16%；归属于上市公司股东的净利润 21,764.85万元，较去年同期增长了 47.45%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 21,413.50万元，较去年同期增长了 55.21%。 2024年第二季度，公司实现营业收入 501,806,575.28元，环比第一季度增长 35.01%；实现归属于上市公司股东的净利润 117,582,102.62元，环比第一季度增长 17.50%。 2、由于实施 2023年年度权益分派，公司的股份数量因转增发生变动，根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 9号——净资产收益率和每股收益的计算及披露》（2010年修订）规定，以调整后的股数重新计算并列示上年同期的基本每股收益、稀释每股收益。 八、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 九、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、 其他 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 1、主营业务 公司的主营业务为 MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET （SGT MOSFET）、超结 MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动 IC、电源管理 IC 等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号 3000余款，电压覆盖 12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI 算力服务器和数据中心、工控自动化、消费电子、5G 通讯、机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。 2、经营模式 公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。 3、行业情况 （1）所处行业 公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。 功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。 功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。 据 Yole数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。 发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如 SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达成了优秀水平。 （2）市场规模分析 根据世界半导体贸易统计（WSTS）组织预测，2024年全球半导体销售额将增长 13.1%。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在 8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据 Omida的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到 503亿美元，预计 2027年市场规模将达到 596亿美元，其中功率 IC市场占 54.8%，功率分立器件占 30.1%，功率模块占 15.1%；中国功率半导体的市场规模，预计 2024年将达到 206亿美元，占全球市场约为 38%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。 ①按产品品类 功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率 IC三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以 MOSFET、IGBT、SiCMOSFET为代表的功率器件需求旺盛，市场规模如下：
随着新能源汽车和充电桩、AI算力服务器及数据中心、光伏及储能、无人机、5G、物联网、人工智能等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。 新能源汽车及充电桩 汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐步成熟，产品向多元化发展。 据中国汽车工业协会分析，2024年上半年，国内汽车销量同比微增，终端库存高于正常水平；汽车出口保持快速增长，对拉动市场整体增长贡献显著，新能源汽车出口增速明显放缓；新能源汽车产销继续保持较快增长，市场占有率稳步提升。中汽协数据显示，2024年 1-6月，汽车产销分别完成 1,389.1万辆和 1,404.7万辆，同比分别增长 4.9%和 6.1%。其中，新能源汽车产销分别完成 492.9 万辆和 494.4 万辆，同比分别增长 30.1%和 32%。2024 年 1-6 月，汽车出口 279.3万辆，同比增长 30.5%。下半年我国汽车市场有望继续保持稳中向好发展态势，新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量，汽车电子需求旺盛，MOSFET作为汽车功率器件中的重要组成部分，亦将迎来广阔的应用空间。 在新四化趋势下，汽车产业进入百年未有的大变革时代，新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的 2至 3倍。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为 600至 700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至 1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至 3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和 OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基 MOSFET、IGBT和 SiC MOSFET均有广泛使用。根据 IC WISE的数据，车用 MOSFET 的增速将在未来中短期内总体高于行业整体的增速，成为支撑 MOSFET行业的中坚力量，预计到 2026年，车用 MOSFET在 MOSFET领域的占比将提升至 34%。 充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。交通运输部印发《关于加快推进 2024年公路服务区充电基础设施建设工作的通知》，通知中提到，2024 年全国计划新增公路服务区充电桩 3,000个、充电停车位 5,000个，持续提升公路沿线充电服务保障能力。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的 50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。 AI算力服务器及数据中心 随着 5G网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC 预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026 年，全球新建数据中心数量将以 8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。 国务院总理李强在北京调研时明确指出：“人工智能是发展新质生产力的重要引擎。要加强前瞻布局，加快提升算力水平，推进算法突破和数据开发使用，大力开展‘人工智能+’行动，更好赋能千行百业”。 服务器是数据中心中的一部分，负责执行具体的计算和存储任务，数据中心则提供了一个更加全面和集中的环境，用于管理和运营这些服务器和其他 IT设备。服务器根据场景需求变化，目前市场格局为传统服务器、云服务器、AI服务器和边缘服务器四足鼎立。受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对 AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推 AI服务器市场及出货量高速增长。据 IDC与浪潮信息的数据显示，2023年全球 AI服务器市场规模为211亿美元，预计 2026年达 347亿美元，5年 CAGR达到 17.3%；预计 2025年中国 AI服务器市场规模达到 103.4亿美元。 以 SGT MOSFET、SJ MOSFET、GateDriver、Dr MOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等服务器重要部件中有广泛应用。目前国产服务器厂商在全球市场份额占比超 35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。 光伏储能：库存改善、加速渗透 随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源安全保障能力持续增强，能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。根据国家能源局数据，2024年上半年，光伏新增装机 102.48GW。其中，集中式光伏新增装机 49.6GW；工商业新增装机 37.03GW；户用光伏新增装机 15.85GW。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华预测，2024 年中国新增光伏装机保守情况达到 190GW，同比下滑；乐观情况下同比略有上升，达220GW，2024年全行业首要任务是确保光伏产业稳定健康发展，防止大起大落。 中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。全球光伏逆变器出货量靠前的企业均为中国企业，占全球光伏逆变器总出货量的大部分，且呈现向头部集中的趋势。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。根据中国海关总署数据显示，2024年 1-6月我国光伏逆变器累计出口 40.11亿美元，同比下降 34.76%。与此同时，逆变器出口自今年 2月以来连续 4月环比提升，6月我国逆变器出口金额 9.18亿美元，为近 12个月最高水平，同、环比分别增长-4%、18%。欧洲仍是主要需求地区，去库进入尾声，亚、非、拉等新兴市场表现亮眼。 IGBT 器件及模块、中高压 MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。 IGBT 单管及模块占光伏逆变器价值量的 15%至 20%，不同的光伏电站需要的 IGBT 产品略有不同，如集中式光伏主要采用 IGBT模块，而分布式光伏主要采用 IGBT单管或模块。 工控自动化、泛消费及其他市场 在工业生产中，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等应用中扮演着核心角色，可以精确控制电机的速度和扭矩，从而实现节能和提升效率。通过使用 IGBT和 MOSFET等功率半导体组件，这些应用不仅提高了能源使用效率，而且还优化了运行性能。功率半导体也广泛应用于各种消费电子产品中，比如电源适配器、电源供应器和 LED照明系统。在家庭中，从微波炉到电磁炉，再到洗衣机等各种家用电器，都需要依赖功率半导体来控制电力的使用，控制和转换电力，以满足这些设备对电能的精确要求，而且能够提高能效和减少待机能耗。根据 TrendForce 统计，全球功率半导体下游应用中，工业占比 35%，消费电子占比 19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。 2024年 7月 25日，国家发展改革委、财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知，文件提出统筹安排 3000亿元左右超长期特别国债资金，加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新。加大设备更新支持力度方面，提出将支持范围扩大到能源电力、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造，并结合实际动态调整；支持老旧营运船舶报废更新；支持老旧营运货车报废更新；提高农业机械报废更新补贴标准；提高新能源公交车及动力电池更新补贴标准；提高设备更新贷款财政贴息比例。加力支持消费品以旧换新方面，提出支持地方提升消费品以旧换新能力；提高汽车报废更新补贴标准；支持家电产品以旧换新；落实废弃电器电子产品回收处理资金支持政策。在国家政策的催化下，工业及消费品领域的市场空间有望进一步释放。 除上述应用外，功率半导体在无人机、安防、医疗设备、锂电保护、5G通信、物联网等领域均有大量应用，市场规模将随经济发展、技术迭代、新应用普及等因素而稳步提升。 二、报告期内核心竞争力分析 √适用 □不适用 1、研发实力优势 自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有 197项专利（其中发明专利 93项、美国专利 2项），集成电路布局图 40项，软件著作权 1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与 IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在 IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文 22篇，其中 SCI 收录论文 15 篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅 MOSFET 产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于 12英寸芯片工艺平台的 MOSFET产品，实现基于 12英寸芯片工艺平台的 IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品及功率 IC 产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 2、产品系列优势 公司目前主要产品为 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、沟槽型功率 MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖 12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中 MOSFET 产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在 IGBT 领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能、汽车、工业等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经逐步实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的 SiC MOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaN HEMT 部分产品开发完成并通过可靠性测试。 公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有 3000余款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。 3、产品品质优势 公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了 ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET”、“超结功率 MOSFET”、“沟槽型功率 MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过 AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。 4、产业链协作优势 产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得 IGBT、MOSFET主要基于 8英寸以及 12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。 公司目前是国内 8英寸和 12英寸工艺平台上 IGBT和 MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。 5、进口替代优势 国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止 IGBT、屏蔽栅功率 MOSFET以及超结功率 MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对 MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。 6、品牌和客户优势 公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过领先的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。 7、人才优势 公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于 8英寸和 12英寸芯片工艺平台对 MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在 MOSFET、IGBT 等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。 公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 三、经营情况的讨论与分析 报告期内，公司共实现营业收入 87,348.90 万元，较去年同期增长了 15.16%；归属于上市公司股东的净利润 21,764.85 万元，较去年同期增长了 47.45%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 21,413.50万元，较去年同期增长了 55.21%。 2024年第二季度，公司实现营业收入 50,180.66万元，环比第一季度增长 35.01%；归属于上市公司股东的净利润 11,758.21万元，环比第一季度增长 17.50%。 （一）市场营销 2023年受全球经济增速放缓、下游应用市场景气度波动、局部国际形势恶化等因素的综合影响，全球半导体行业市场增速有所放缓。同时，国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争，公司面临着诸多挑战。基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。 2024年春节以来，下游市场逐步恢复，新兴应用领域需求显著增加，公司库存加速消化，部分产品出现了供不应求甚至持续加单的情况。公司敏锐把握市场行情，及时了解和积极响应客户需求变化，提前加大排产，满足市场新增需求，进而推动业绩稳步增长。 ? 产品结构方面： （1）IGBT产品作为光伏和储能行业的重点应用产品，2023年受到光伏储能行业整体去库存的影响，需求有所减弱。2024年初以来，下游客户需求逐渐恢复，并逐步加大提货力度，但整体销售尚未达到去年同期水平。对此，公司积极调整结构应对下游变化，拓宽了更多的应用领域，加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车电子等领域的销售力度。2024年上半年，公司 IGBT实现了销售收入 1.41亿元，相比去年同期减少了 22.64%；销售占比从去年同期的 24.07%降低到今年的 16.20%。公司预计下半年光伏 IGBT产品会进一步回暖，同时新品大电流 IGBT单管上量，销售将比上半年有所增长。 （2）SGT-MOSFET 产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，也是公司产品中销售基数最大、客户群体最多的产品平台。目前 SGT-MOSFET产品主要应用于汽车电子及工控、泛消费领域当中，受益于相关下游领域的景气度影响，上半年产品销量显著增长。2024年上半年，公司 SGT-MOSFET实现销售收入 3.60亿元，相比去年同期增长了 40.29%，销售占比从去年同期 33.95%增长到 41.44%。目前，公司的 SGT-MOSFET产品部分品种已处于供不应求阶段，公司将积极跟进客户需求，保证已有销售市场，并积极拓展其他新兴市场，尤其是AI算力服务器应用中，多款产品均为 SGT系列。公司预计下半年 SGT产品的销售量仍会继续提升。 （3）SJ-MOSFET产品方面，上半年实现销售收入 1.02亿元，相比去年同期增加了 8.49%， 销售占比从去年同期的 12.48%降低至 11.78%。公司最新的第四代 SJ-MOSFET 产品系列型号齐 全，已经开始批量交付，下半年将进一步加大在家电、AI服务器、汽车 OBC等领域的推广，预 计公司 SJ-MOSFET产品的销售将迈上新的台阶。 （4）Trench-MOSFET 作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，客户群体众多，应用模 式多样，长期积累的客户群体广泛，对于公司产品有长期信任的基础，随着春节后部分市场的复 苏，工控、泛消费、汽车电子需求的带动下，公司 Trench-MOSFET产品的销售也获得了相应的增 长。2024年上半年，Trench-MOSFET产品实现销售收入 2.55亿，比去年同期增长了 19.64%，销 售占比从去年同期的 28.15%提升到 29.30%。 ? 市场结构和客户结构方面： 2024年上半年，公司坚守稳固已有客户，开拓更多市场应用，一方面积极响应原有市场客户 需求，持续跟进订单，并通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入；另一方面，公司积 极探索新的下游应用领域，在新能源汽车、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机等重点新兴 应用领域不断加大投入，推动和客户的战略合作，增加客户对公司品牌的认可度，进而形成战略 互补深度合作，以获取更大的市场份额提升。 从具体结构来看： 汽车电子方面：2023年底公司与比亚迪的合作转为直供，对于产品需求的及时保障显得更为重要，公司为比亚迪销售配置专门的团队，从产品生产组织、品质管控、销售发货、到客户使用的全过程进行跟踪，服务协调，实现了更多车规产品的导入，进一步扩大与比亚迪的合作规模。 2024年上半年同比增长供应产品数量超 5成，并有多款型号应用于 OBC、DC转换等重要三电电源模块；对于其他已经形成规模出货的车企，加速提供更多 AEC-Q认证的产品系列，扩大销售产品规模，涉及新的车规产品、新的车企用户，从产品送样开始建立管理体制，确保送样产品从生产制程、具体车载应用、具体车型等可追溯。同时，积极协调车企对公司的审核，快速实现产品上量销售，持续加强新洁能品牌在汽车类客户的知名度和占比。公司继续将汽车市场国产品牌出货品种数最多，出货总数量最大作为公司的销售目标。 光伏储能市场：2024年上半年实现了显著回暖。特别是在 20KW以内混网和离网市场，受非洲等地区供电不稳定因素影响，该市场需求快速增长，形成了增长点。对此，公司一方面，积极开拓光伏企业，推广第七代 IGBT 产品，同时针对于该市场供应快、低成本的特点，主动进行部分库存 IGBT 的去库存。对于 0.5 至 2 度电类储能电源，公司通过前期市场推广布局，大力推广SGT类产品，抓住行业头部客户，有效形成了订单增量，并积极协调产能应对紧急交付，实现销售额增长。组串式光伏市场，依旧是光伏市场主要产品形态，但该市场受欧洲能源危机解除、全球经济疲软、光伏企业迅速增加等多重影响，该市场依旧处于恢复期。从长远来看，光伏依旧是实现能源清洁低碳转型、能源独立、能源安全的长远之计，光伏行业依旧是发展空间巨大、前景广阔的重要市场，公司将持续重点关注与发力。 其他市场：近年以来，随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，助推 AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求，一方面，公司产品持续在传统服务器领域发力，以获取更多的市场份额；另一方面，公司利用自身优势，围绕 AI算力服务器的相关需求开发产品，并积极开发下游客户，目前公司的相关产品已最终应用于 GPU领域海外头部客户并实现大批量销售，且更多料号已通过验证，未来将进一步快速增长。 此外，随着中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台，短途运输、物流配送、低空旅游、体验飞行、文化体育等“大众化”和“个性化”航空消费场景不断涌现，低空空域逐步开放，无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品将具有更广阔的市场前景。当前我国低空应用和需求远未饱和，产业链各个环节均将受益。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作，公司的 MOSFET产品在无人机 BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司将紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。 （二）研发创新 2024 年上半年，公司实现研发投入 4,046.81 万元，占营业收入的比例为 4.63%。截至目前，公司共有专利 197项，其中发明专利 93项（不含已到期专利），集中电路布局图 40项。 ? IGBT平台： （1）第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 650V和 1200V产品已经完成 40A~200A多个电流规格产品量产，并通过代表性光伏、储能客户测试，开始进入批量阶段； （2）目前第七代 IGBT在 12寸和 8寸晶圆全部具备量产条件，并有相应产品开始批量投产。 第七代 650V高短路能力低频系列 IGBT产品已经完成内部测试，开始向客户推广，主要用于马达驱动、工业变频等应用； （3）750V 高频大饱和电流 IGBT平台已经搭建完成，电流规格涵盖 40~200A，已经开始批量投产，主要用于单项和工商业光伏逆变及储能应用； （4）1400V 高短路能力低频 IGBT 平台工程流片已完成，参数达到预期水平，并完成交直流测试，开始送客户端评估，该系列主要目标市场为 800V及以上电池系统的汽车空调、PTC 等应用； （5）第七代快速恢复体二极管的 650V逆导（RC-IGBT）IGBT 目前已经在开发流片中，该系列产品主要用于冰箱、空调等消费类马达驱动应用； （6）第七代 IGBT 1000V平台已完成初步搭建，芯片已经产出，各项参数达到预期水平，该平台主要用于光伏、储能应用的三电平 IGBT模块中； （7）第七代 IGBT产品中并联的快恢复二极管（FRD）芯片全部自行设计，并专门设计了不同的动态特性以匹配相应的 IGBT产品应用。 ? SJ MOS平台： （1）第四代超结 MOS 600V、650V优化特征导通电阻（Rsp）平台已经在 8寸晶圆厂全面量产； （2）500V优化特征导通电阻（Rsp）工程批已产出，特征导通电阻（Rsp）可以降低 10%左右，后续将逐步进行平台展开； （3）第四代 800V深沟槽 SJ MOS平台开始进入量产，并增加快速恢复体二极管设计，产品主要用于微型逆变器等市场； （4）第四代 950V深沟槽 SJ MOS平台目前已经开始工程流片，该平台预计较第二代 SJ MOS 900V平台特征导通电阻（Rsp）降低 25%以上； （5）在四代 SJ MOS 平台上新衍生开发了使用重金属掺杂工艺控制载流子寿命的超快恢复体二极管产品，目前首轮工程批已完成，反向恢复速度可以提升 40%，反向恢复损耗降低 60%左右，参数符合预期，目前正在进行可靠性考核，该系列产品后续主要用于大功率 OBC、充电桩等应用； （6）第五代 SJ MOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计，在 12寸晶圆厂进行工程流片，目标 600V特征导通电阻（Rsp）降低至 0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内，进一步提升器件功率密度。产品目标市场主要是对器件体积和效率有要求的应用中，如大功率汽车 OBC、铂金电源等。 ? SGT MOS平台： （1）P沟道 60V SGT MOS平台完成车规认证，参数性能达到业界领先水平，已进入量产阶段； （2）具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的 N沟道 30V第三代 SGT MOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低 39%，该平台不同电流规格和封装外形系列产品数量已拓展至 18款； （3）具有业界最小单位元胞尺寸的 N沟道 40V第三代 SGT MOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低 26%，不同电流规格和封装外形系列产品数量已拓展至 40余款，10余款产品已完成车规认证，20余款产品正在进行车规认证； （4）上述 N30V~N40V第三代 SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用； （5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性 N 沟道 150V 第三代 SGT MOS 平台实现量产，并且完成车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，平台产品数量拓展至 10余款，主要针对 A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用； （6）基于 12寸平台，达到业界领先水平的 FOM、高鲁棒性 N沟道 60V、85V、100V第三代 SGT MOS均完成工艺固化，进入风险量产阶段。以 85V第三代 SGT MOS为例，Rsp相较于上一代产品降低 35%，器件 FOM较同规格最优竞品降低达 30%以上，产品主要针对 AI算力、混动新能源车 48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。 ? Trench MOS平台： （1）基于 8寸平台具有创新结构的高可靠性 P30V~60V产品平台，已 Tape out一颗产品并完成 1st工程批流片参数基本达到要求，可靠性能满足车规要求； （2）N200V的工艺条件确定且工厂 flow 已建完，待工程批上线流通； （3）具有高元胞密度（0.75um Cell Pitch）的第五代 P沟道 20V~40V产品平台已 tape out 7套 mask并衍生出 32颗系列产品； （4）超高元胞密度（0.55um Cell Pitch）第七代 N沟道 12V~20V产品平台工艺固化，已 tape out 3套 mask，产品进入小批量； （5）基于 12寸平台具有超高元胞密度（0.65um Cell Pitch）第六代 N沟道 20V~60V工艺平台工艺条件已确定，目前正单项开发中。 ? 第三代半导体功率器件平台： （1）公司已开发完成 1200V 23mohm~75mohm和 750V 26 mohm SiC MOSFET 系列产品，新增产品 6款，相关产品处于小规模销售阶段； （2） 650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品 2 款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200V GaN 产品开发中。 ? 汽车电子平台： 公司在 SGT MOS、Trench MOS、SJ MOS、IGBT四大产品平台上已有 150余款典型产品基于 APQP 完成了产品开发，通过了 AEC-Q101 车规可靠性考核，报告期内新增 10 余款车规级产品，另有 70余款产品正在认证中。其已开发完成的电压范围覆盖了 P型 20V至 200V共 7个电压等级，N型 30V至 650V共 13个电压等级，报告期内新增 N型 75V和 82V两个电压平台系列产品，且在持续扩充增量中。此外，公司正在积极开发具有更低热阻、更高功率密度的先进车规级封装外形产品，包括双面散热 PDFN5×6、TOLT、sToll等，相关系列产品均已在可靠性验证中。 目前，公司的车规产品已大批量交付近 100家 Tier1厂商及终端车企，新增导入 10余家汽车客户，从原先的域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC、电控悬架等领域，公司产品进一步应用到智能驾驶等要求更高安全、高功率、高稳定的模块中。 此外，公司针对汽车质量管理体系不断完善和改进，进一步落实汽车质量管理体系对于公司的适宜性、充分性和有效性，确保质量管理体系满足 IATF16949：2016与 ISO9001：2015标准要求和公司发展需要。 报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强 AI 与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化、和半导体功率模块产品的开发力度。工艺条件已确定，目前正单项开发中。 （三）生产运营 报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，目前已与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。 报告期内，芯片代工供应稳定，同时公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前 SiC MOSFET 产品进入风险量产。同时，公司积极开发符合车规要求的化镀资源，完成了 TOLT、LFPAK、STOLL等新品的工程批试封，推动封装运营管理系统的进一步电子化。 （四）子公司发展情况 1、电基集成 公司的全资子公司电基集成，致力为公司提供优质且稳定的封装和测试资源。报告期内，总营收比去年同期增长 14.17%，利润与去年同期相比增加了 181.61%，实现扭亏为盈。 一直以来，电基集成特别注重制造智能化和汽车封测产线的建设，今年上半年新增数十家汽车客户的导入和监督审核，汽车产品在公司的产品结构中的占比进一步提升。厂房布局不断向智能化方向调整，智能醒料系统已建设完成并顺利投入使用，省市级智能制造示范车间项目和星级上云项目都已在申报过程中，同时持续推动智能工厂建设，以进一步提升企业竞争力。 电基集成正在积极开发多款具有更低热阻、更大电流能力和更高功率密度的汽车级和工业级产品，包括 DSC PDFN、sTOLL 等封装形式，其中 sTOLL的 Clip加 Wire的工艺已进入小量阶段，sTOLL 的 Full Clip的工艺已进入小试状态，配合先进封装的激光全切技术已调试完成。 2、金兰半导体 公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。 目前公司已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部分成员具有十几年丰富的 IGBT 模块产品及工艺开发经验，且拥有系统的生产品质管理经验。金兰半导体已建设完成第一条 IGBT 模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能 6万个模块/月。计划 2024年开始按车规要求升级产线，满足车规产品的生产要求，2025年通过车规质量体系 IATF16949审核。 产品开发方面： （1）开发完成：基于 650V和 1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT 芯片，多款模块产品完成开发。完成开发的模块产品平台有 LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2等。 其中应用于组串式光伏逆变/储能的产品 LQ2_300A&450A/650V和 LE3_650A/650V已通过内部测试，客户测试进行中；应用于集中式逆变/储能的产品 L62_800A/1200V和 LD3_600A&800A/1200V开发完成，通过内部测试，客户测试进行中；应用于车用空调控制的产品 LE1_35A/1200V 和LE2_50A/1200V已通过客户测试，预计 2024年下半年开始批量生产。 （2）正在开发：基于 1000V和 1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片，多款应用于光伏逆变/储能领域和工业控制变频的 IGBT模块产品正开发。包括应用于组串式光伏逆变/储能的产品 LE2_100A&150A&200A/1200V、LQ2_400A/1000V、LE3_600A/1000V（同一电流电压规格下有 3款拓扑不同的产品）；集中式光伏的 L62_1000A/1200V、LD3_1000A/1200V。 公司计划在 2024 年下半年初步完成光伏领域的产品布局，与此同时，2024 年下半年计划完成开发用于工业电机控制和变频的 3个产品平台，包括 L34、LN2、LN3；以及，在原有产品平台 LE1、LE2、L62、LD3上拓展产品，开发应用于工业控制和变频的系列产品。 2024年上半年，公司申请了专利 27项（其中 5项为发明专利），已授权 5项实用新型；公司通过了 2024年“无锡市智能制造成熟度二级”的审核；2025年计划申请“国家高新科技企业”。 3、国硅集成 公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅集成就特别注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过 ISO9001体系认证。 目前，国硅集成已实现量产 25V低侧驱动系列产品 18款，适用于光伏 MPPT应用，家电 PFC应用；量产 40V桥式驱动系列产品 4款，适用于中小功率风机、中低压水泵；量产 250V半桥驱动芯片 25 款（2024年新增 5款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片 20款（2024年新增 4款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增的高侧驱动、马达驱动两条产品线，已经在重卡、高速电摩、BMS锂电控制、智能家居等应用展开推广、销售。 国硅集成 2024年通过江苏省“专精特新”企业、无锡市“雏鹰企业”等认定；顺利通过无锡市“尚贤人才计划”优秀创新人才的选拔及项目立项；2024年获得无锡市人社局“创响无锡”项目资金、产业前瞻及关键技术研发项目、双创博士第二批资助资金及无锡市集成电路产业扶持项目资金入账。 截至目前，国硅集成累计获得知识产权 55项，其中专利 14项（发明专利 6项，实用新型 8项），集成电路布图 40件，软件著作权 1件。 （五）内部管理 2024 年上半年，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。同时，合法合规前提下积极做大做强公司市值，并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。 （六）投资情况 2024年，公司继续围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在公司所处产业链相关领域，通过对一些能够与公司业务形成紧密协同、且具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，形成新的整体解决方案，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，从而增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。 2024年上半年，公司参与无锡盛景微电子股份有限公司首次公开发行股票战略配售，进一步加强了双方在技术研发、供应链及品牌方面的合作。此外，公司参股投资以高能单相电机为技术核心的智能无刷电动工具供应商、原材料自主可控的陶瓷基板材料供应商，该两项投资有利于公司纵向资源整合，持续完善产业链布局。 报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项 □适用 √不适用 四、报告期内主要经营情况 (一) 主营业务分析 1 财务报表相关科目变动分析表 （未完）  |