珂玛科技(301611):中信证券股份有限公司关于公司首次公开发行股票并在创业板上市的上市保荐书

时间：2024年08月14日 20:55:46 中财网

原标题:珂玛科技:中信证券股份有限公司关于公司首次公开发行股票并在创业板上市的上市保荐书

中信证券股份有限公司 关于 苏州珂玛材料科技股份有限公司 首次公开发行股票并在创业板上市 之 上市保荐书 保荐人（主承销商） 广东省深圳市福田区中心三路8号卓越时代广场（二期）北座

声 明
苏州珂玛材料科技股份有限公司（以下简称“珂玛科技”、“发行人”或“公司”）拟申请首次公开发行 A股股票并在创业板上市（以下简称“本次证券发行”或“本次发行”），并已聘请中信证券股份有限公司（以下简称“中信证券”）作为首次公开发行A股股票并在创业板上市的保荐人（以下简称“保荐人”或“本保荐人”）。

根据《公司法》《证券法》《首次公开发行股票注册管理办法》（以下简称“《首发管理办法》”）《证券发行上市保荐业务管理办法》等法律法规和中国证券监督管理委员会（以下简称“中国证监会”）和深圳证券交易所（以下简称“深交所”）的有关规定，中信证券及其保荐代表人诚实守信，勤勉尽责，严格按照依法制订的业务规则、行业自律规范出具本上市保荐书，并保证所出具文件真实、准确、完整。

（本上市保荐书中如无特别说明，相关用语具有与《苏州珂玛材料科技股份有限公司首次公开发行股票并在创业板上市招股说明书》中相同的含义）
目 录
声 明........................................................................................................................................ 1
目 录........................................................................................................................................ 2
一、本次证券发行的基本情况................................................................................................ 3
二、发行人本次发行情况...................................................................................................... 30
三、本次证券发行上市的项目保荐代表人、协办人及项目组其他成员情况.................. 32 四、保荐人是否存在可能影响其公正履行保荐职责的情形的说明.................................. 33 五、保荐人承诺事项.............................................................................................................. 34
六、发行人就本次证券发行上市履行的决策程序.............................................................. 35
七、保荐人对发行人是否符合上市条件的说明.................................................................. 35
八、保荐人对发行人持续督导工作的安排.......................................................................... 40
九、保荐人和相关保荐代表人的联系地址、电话和其他通讯方式.................................. 41 十、保荐人认为应当说明的其他事项.................................................................................. 42
十一、保荐人对本次股票上市的推荐结论.......................................................................... 42
一、本次证券发行的基本情况
（一）发行人基本情况

中文名称：	苏州珂玛材料科技股份有限公司
英文名称：	Suzhou Kematek, Inc.
注册资本：	36,100.00万元
法定代表人：	刘先兵
有限公司成立日期：	2009年 4月 27日
股份公司设立日期：	2018年 6月 26日
公司住所：	苏州高新区漓江路 58号 6#厂房东
邮政编码：	215163
联系电话：	0512-66917372
传真号码：	0512-66918281
互联网网址：	http://www.kematek.com
电子信箱：	[email protected]
经营范围：	生产、销售、加工和研发：各类陶瓷部件，并提供相关技术服务； 自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁 止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门 批准后方可开展经营活动） 一般项目：半导体器件专用设备制造；通用设备修理；专用设备修 理；金属表面处理及热处理加工；机械零件、零部件加工（除依法 须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
负责信息披露和投资者关系的 部门、负责人及联系电话：	部门：董事会办公室 负责人：仇劲松 联系电话：0512-68088521

（二）发行人的主营业务
公司主营业务为先进陶瓷材料零部件的研发、制造、销售、服务以及泛半导体设备表面处理服务。先进陶瓷材料是采用高度精选或合成的原料，具有精确控制的化学组成，并且具有特定的精细结构和优异性能的陶瓷材料。公司是国内本土先进陶瓷材料及零部件的领先企业之一，掌握关键的材料配方与加工工艺，并具备先进陶瓷前道制造、硬脆难加工材料加工和新品表面处理等全工艺流程技术。公司目前拥有由氧化铝、氧化锆、氮化铝、碳化硅、氧化钇和氧化钛6大类材料组成的先进陶瓷基础材料体系，主要类型材料的耐腐蚀、电绝缘、高导热、强机械性能等性能已达到国际主流客户的严格标准，公司也是国内半导体设备用先进陶瓷材料零部件的头部企业。依托领先的材料能力和丰富的加工制造工艺，公司的先进陶瓷材料零部件的下游领域覆盖较为广阔。

半导体设备是公司报告期内先进陶瓷材料零部件的最主要应用。半导体设备是半导体产业的基础支撑，其中前道工艺主要完成晶圆制造，该等工艺设备类型复杂，技术难度较高，对工艺环境、精密零部件和材料的要求严格。公司先进陶瓷主要应用于晶圆制造前道工艺设备，目前已进入刻蚀、薄膜沉积、离子注入、光刻和氧化扩散设备。陶瓷类零部件是半导体制造中距离晶圆较近的零部件类型之一，报告期内公司用于半导体设备的先进陶瓷零部件大部分置于腔室内，其中部分零部件与晶圆直接接触。半导体设备用先进陶瓷包括圆环圆筒、承重、手爪和模块等类型，公司从“02专项”起即不断完善模块类产品核心配方并攻克了多项复杂工艺，是国内本土较早切入高难度模块类产品研发和试产的企业。公司已进入全球知名半导体设备厂商供应链，并与北方华创、中微公司、拓荆科技等国内半导体设备龙头企业建立了稳定、深入的合作关系。

此外，公司先进陶瓷产品亦批量应用于显示面板、LED和光伏等其他泛半导体设备中，以及电子（含锂电池）材料粉体粉碎和分级、燃料电池、化工环保、汽车制造、生物医药和纺织等领域。公司充分面向国内和全球竞争，推动关键先进陶瓷材料零部件国产化，并不断通过新产品的研发和产业化挖掘更大的市场需求。

表面处理方面，报告期内公司表面处理服务面向显示面板制造厂和设备制造原厂，主要为显示面板工艺设备零部件提供清洗和再生改造服务。通过精密清洗、阳极氧化和熔射等主要手段，以洗净再生、熔射再生等综合解决方案形式为先进陶瓷、石英、金属等多种类型的设备零部件进行阶段性污染物控制，提高部件耐腐蚀性等性能，以保障显示面板制造工艺稳定、提高大规模制造良率。报告期内，公司表面处理服务聚焦于显示面板领域，服务京东方、TCL华星光电、友达光电和天马微电子等全球知名显示面板制造企业，在表面处理的洁净度、耐用性等关键指标上客户反馈良好，赢得了较高的市场声誉。在半导体领域，公司也已具备14nm制程设备零部件新品加工和再生改造的生产能力。

（三）发行人的核心技术与研发水平
1、核心技术情况
（1）主要产品的核心技术及技术来源
在先进陶瓷领域，公司系国内本土少有的掌握陶瓷材料、部件制造、新品表面处理和产品检测完整产业链技术的企业；在表面处理服务领域，公司在熔射细分领域具备较强的市场竞争力。经过多年自主研发和产业化实践，公司已掌握如下核心技术：

序号	技术类型	核心技术名称	技术内容和特征	技术先进性	专利情况	专有技术情况
1	先进陶瓷 粉末加工 技术	高纯氧化铝陶瓷 材料配方、粉末 处理技术	将材料配方和粉末处理工艺相 结合，获得具有较好成型性、 可加工性、烧结活性的造粒粉 该材料在等离子环境下具有优 秀的耐等离子腐蚀和低介电损 耗特性，减少对半导体制程工 艺的影响	（1）拥有丰富的配方体系、粉末处理工艺 和多种检测仪器，可控制浆料和粉末参数 （粒径、比表面等）；（2）造粒粉具有优良 的大尺寸零部件成型性、小尺寸零部件可加 工性；（3）造粒粉具有较好烧结活性，可在 相对较低温度下烧结；（4）产品耐等离子腐 蚀性等达国内领先	实用新型 1 项	（1）混料阶段：①材料配 方（原粉、添加剂等选择 和配比）②浆料参数③粉 末处理工艺（混料研磨时 间、转速及进出风温度 等）； （2）造粒阶段：①造粒工 艺②粉末参数
2
		高强度氧化锆陶 瓷低温烧结技术	调节稳定剂含量、烧结助剂添 加量并调整添加方式，匹配粉 末粒径等参数，实现低温烧结 抑制晶粒过快成长，获得高强 度高韧性材料	材料的强度、韧性指标达到国际主流水平， 零部件制品具有优秀的耐磨性	实用新型 1 项	对材料配方和烧结工艺掌 握
3
		高热导率的氮化 铝陶瓷材料配方 和烧结工艺技术	针对泛半导体设备零部件产 品，通过材料配方及烧结工艺 使产品满足高导热特性、高体 积电阻率和耐腐蚀特性	（1）公司系国内少数量产半导体设备用氮 化铝先进陶瓷材料零部件的企业；（2）具有 大尺寸部件的制作能力，可满足 18英寸工 艺制程下对零部件尺寸和加工工艺的需求	-	（1）材料配方； （2）烧结工艺（烧成温度 保温时间以及惰性气体压 力、流量等)
4
		氮化铝陶瓷可控 热导率和可控电 阻率技术	通过配方和烧结工艺调整，平 衡热导率、电阻率关系，调节 关键性能指标	丰富的材料型号可满足半导体领域工艺多 样化和持续迭代升级需求，主要性能指标达 到全球主流水平：（1）热导率：常温下 80W/ （m·K）热导率和 200W/（m·K）高热导率 11 （2）电阻率：常温下 10 Ω·cm电阻率和 15 10 Ω·cm高体积电阻率	-	（1）粉末处理工艺：不同 配方、添加剂体系； （2）烧结工艺：烧结温度 惰性气体氛围、压力和流 量等参数的烧结工艺
5
		高导热碳化硅材 料配方、粉末处 理和烧结工艺技 术	针对泛半导体设备零部件产 品，通过材料配方及烧结工艺 使产品满足高导热特性、较高 体积电阻率和高力学强度	热导率、致密性、弯曲强度和电阻率等综合 指标达到国内领先	-	（1）材料配方 （2）烧结工艺（烧成温度 保温时间以及其他综合工 况条件)

序号	技术类型	核心技术名称	技术内容和特征	技术先进性	专利情况	专有技术情况
6	先进陶瓷 材料零部 件加工制 造前道技 术	生坯回料的再处 理技术	实现了对先进结构陶瓷生坯加 工中产生的回料进行再处理， 将回料进行化浆再次造粒，保 证基本材料性能的前提下，提 高了资源的利用率。技术成本 低、效率高、绿色环保	粉料成本在生产成本中的占比约 30%，产生 的回料约占粉料总质量的 10~40%。此部分 回料的再处理后，所制备的材料在保证产品 基本性能的前提下，可以用于制作磨介、治 具等用途，可大幅降低生产成本	发明专利 1 项	-
7
		多类型生坯成型 技术	掌握干压成型、冷等静压、注 射成型、热压（烧结）成型等 适用不同原材料种类的生坯成 型工艺	根据不同先进结构陶瓷产品的尺寸和数量 需要，使用不同的生产工艺路线，以提高生 产效率	发明专利 3 项、实用新型 2项	成型过程压力控制技术、 粉末处理技术、填粉封装 技术
8
		大尺寸先进陶瓷 材料零部件前道 工艺	通过设置承烧板、垫烧板及辅 助收缩层等，控制烧结过程中 同向收缩。通过组合拼接的方 式生产大尺寸先进陶瓷材料零 部件	减少大尺寸零部件在烧结过程中开裂和变 形，提高烧结件的合格率。通过组合拼接方 式，在保障产品性能和生产效率的同时，降 低生产成本	实用新型 2 项	大尺寸产品填粉封装技术 与成型模具设计、大尺寸 产品加工工艺、大尺寸产 品烧结均一控制技术
9
		生坯加工专用刀 具设计技术	掌握铣刀、镗刀、摩棒等多种 刀具设计能力，并根据公司产 品生产工艺过程特点进行优化	根据加工产品，优化刀具特性，使切削过程 中刀具不易损坏，最大程度减少金属残留， 并减少受加工陶瓷产生裂纹、分层可能性	发明专利 3 项、实用新型 2项	对加工参数掌握（包括： 进刀量、刀具转速、工作 台移动速度等）
10
		烧结近净尺寸控 制技术	通过设置烧结治具、模具等， 减少产品烧结后的变形量。高 致密度且均匀一致	准确控制烧结收缩后尺寸精度、变形量，减 少后道加工工序时间，提高加工效率	实用新型 3 项	产品装炉摆放及围挡方式 设计
11	硬脆难加 工材料精 密加工技 术	不同先进陶瓷精 密抛光技术	开发适用多种先进陶瓷材料的 高效抛光工艺	表面粗糙度最低水平：氧化铝0.1μm，氮化 铝0.1μm，氧化锆达到0.1μm以下，碳化硅 达到0.1μm以下	实用新型 1 项	针对多种材料设计抛光液 参数配比，提高抛光效率 和表面质量
12
		大尺寸陶瓷盘平 面度、平行度加 工技术	基于大尺寸零部件前道制造技 术，先多片区抛光，后整片抛 光	高精度：平面度达 2μm、平行度达4μm	成功应用案例： φ576×20mm	-	划分多片区的局部修整技 巧
13
		长轴细径陶瓷精 加工技术	采用创新的磨削方式加工超细 长轴；长径比最大可达 1:60， 在长轴两端嵌入金属提高装夹 稳定性,以保证高精度	高难度：克服细长轴 加工过程中易变形、 断裂等难点	成功应用案例： φ40±0.01×1,942mm	-	掌握加工方法、特殊夹持 方式和加工支撑点选位
序号	技术类型	核心技术名称	技术内容和特征	技术先进性		专利情况	专有技术情况
14		大型薄壁陶瓷桶 精加工技术	通过内径多点支撑，保障薄壁 陶瓷桶精密加工中不变形、不 开裂	圆柱度达10μm，同 轴度达15μm	成功应用案例： φ210×420mm，壁厚 15mm。具备最薄壁厚 2mm加工能力	实用新型 1 项	掌握工装设计和加工过程 参数控制
15
		“陶瓷-金属”辊 超高形位公差精 密加工技术	多部件联合加工，并同时保证 （1）陶瓷部件高精度（2）金 属部件高精度（3）陶瓷相对金 属的超高形位公差精度	高精度：圆柱度达 4μm，圆度达2μm， 同轴度达2μm	成功应用案例： φ120×705mm 多部件：陶瓷与金属部 件组装后同时进行精 密加工	实用新型 1 项	掌握利用工装完成一次性 加工方法
16
		超大长条陶瓷精 加工技术	将均一长条烧坯加工为细长多 锥面规格，保证平面度、直线 度	在工件全尺寸范围 内保证尺寸精度和 高要求	成功应用案例： 3,622×141×12mm	-	掌握利用工装进行多次装 夹加工的方法，克服加工 中变形
17
		超薄陶瓷精密磨 削技术	加工超薄的氮化铝片	陶瓷薄片：量产 12英寸氮化铝陶瓷盘磨削 至厚度 1mm，可达到平面度15μm、平行度 40μm；并且具备磨削至 0.1mm厚度工艺能 力	发明专利 1 项	掌握加工过程中消除内应 力的方法以及尺寸减薄的 步骤切分技巧
18
		陶瓷高精密微径 深孔加工技术	在陶瓷体中加工出孔径远小于 深度的微孔	成熟掌握批量微孔的机械加工： φ0.20±0.01×3~5mm微孔	实用新型 1 项	掌握超声波刀具、高速机 床在特定进刀工序安排下 的使用
19
		陶瓷表面微凸点 精加工技术	通过高精度掩膜、高精密表面 抛光实现微凸台微米级尺寸、 公差精确控制，进而使工艺中 置于加热器上的晶圆具有更好 的温度均匀性及在静电卡盘应 用中保证静电吸附力均匀分布 在晶圆上	实现超过 300mm大直径范围内粗糙度小于 0.1μm的高精密表面，一次性加工百至千个 直径 0.5～2.5mm、高度10~50μm、高度公 差达±1μm的微小凸台	-	大量 0.5~2.5mm直径高精 度圆片掩膜制作，喷砂参 数（距离、砂量等）控制
20
		高难度硬脆陶瓷 材料精加工专用 设备与工具设计 技术	根据公司产品生产工艺过程等 特点，设计加工治具、抛光设 备、研磨设备等，提高加工效 率，实现产品加工后平整度、 粗糙度等指标特性	减小表面损伤，减少表面颗粒产生，减少后 道清洗工作量。兼顾提升生产效率与降低成 本	实用新型 15 项	对加工参数的掌握

序号	技术类型	核心技术名称	技术内容和特征	技术先进性	专利情况	专有技术情况
21	先进陶瓷 材料零部 件检测	高效检测工具设 计技术	根据公司产品检测过程等特 点，设计检测治具、夹具等	提升检验过程的自动化水平，有效提高检测 效率	实用新型 6 项	结合加工参数，掌握检测 治具、夹具设计能力
22	模块类产 品制造技 术	“氮化铝陶瓷- 金属”热压共烧 技术	陶瓷加热器产品使用，在氮化 铝陶瓷内部预埋射频（或静电 吸附）电极、加热电极，热压 共烧预埋金属电极的陶瓷，形 成金属电极完全被外部致密陶 瓷包裹的整体，保证半导体制 程工艺中不会因为电极的暴露 而产生金属污染	权衡氮化铝材料受热压工艺的影响、金属在 共烧中的变化等因素，最优化热压共烧工 艺，公司陶瓷加热盘温度均匀性达到全球主 流水平，且使用温度下材料电阻率≥ 9 10Ω·cm	实用新型 3 项	（1）烧结炉内工艺控制； （2）金属丝在陶瓷内布局 精确定位
23
		氮化铝“陶瓷-陶 瓷”精准定位气 密封接技术	陶瓷加热器“盘-管”连接和陶 瓷内气道嵌入气密封接工艺， 为保证氮化铝陶瓷性能，提供 不同温度气密封接选择，使连 接后的产品电阻、导热性能符 合半导体制造工艺需求	9 3 封接气密性指标≥10 Pa·m /s	实用新型 3 项	（1）气氛控制； （2）连接压力控制
24
		薄壁长管带贯通 气道氮化铝陶瓷 管加工烧结技术	（1）为方便陶瓷加热盘安装， 在其下连接一个陶瓷管以保证 密封安装面温度小于250℃。 为保证该陶瓷管实现优良绝热 效果，所使用的低热导率的氮 化铝陶瓷且管壁较薄对加工要 求高；（2）为配合气道连接， 需在薄壁管上增加贯通气道， 对烧结要求高	实现在薄壁管上增加多路贯通气孔，管壁厚 度≤4mm，长度>150mm	实用新型 1 项	（1）烧结工艺控制（温度 气氛）； （2）生坯加工、精加工等 控制
序号	技术类型	核心技术名称	技术内容和特征	技术先进性	专利情况	专有技术情况
25		陶瓷加热盘电极 精准引出焊接技 术	将预埋在加陶瓷加热器内的电 极精准引出与电极链接，选择 合适的焊料、设计钎焊连接头 等，使电极与陶瓷膨胀匹配， 提高钎焊可靠性，保证产品电 性能稳定	产品实现在500~600℃温度长期使用下可靠 应用，达到全球主流水平	实用新型 1 项	（1）电极引出位置控制； （2）钎焊工艺控制（电极 安装、温度、真空度等）
26
		应用在薄片状陶 瓷的精密流延成 型技术	应用于静电卡盘、薄片陶瓷产 品，精密调节各种成分相互作 用使材料适合流延成型工艺， 并使流延后的薄片厚度公差满 足工艺要求	产品实现薄片公差±0.01mm，达到全球主流 水平	-	（1）各成分相互作用控 制； （2）流延温度、风速、膜 带速度、张力等参数控制
27
		“陶瓷-金属”常 压一体共烧技术	应用于静电卡盘，控制还原气 氛和氧含量，实现“陶瓷-金属 的常压一体致密共烧	烧结后材料致密性达到陶瓷理论密度的 98%以上，达到全球主流水平	-	（1）烧结还原气氛、氧含 量的精确控制； （2）烧结曲线与气氛含量 设计；
28
		薄片材料精密电 极引出技术	预设金属电极孔以精确控制烧 结收缩对孔位置的影响，在超 薄电极层引出电极实现可靠连 接，保证产品电性能稳定	产品在蚀刻机中长期可靠运行，达到全球主 流水平	-	（1）电极引出位置控制； （2）焊接工艺控制（温度 真空度和焊接选材等）
29
		表面微小槽孔和 凸台精密加工技 术	通过精密加工实现加工槽孔的 尺寸精度，保证卡盘背氦稳定 维持	可加工 1mm以下的槽孔及凸台	-	精密加工工艺控制（加工 方式选择、加工工艺设计 等）
30
		“陶瓷-金属”基 底精密焊接技术	选择合适的焊接材料，控制焊 接层气密性，使焊接后产品的 导热、气密性满足使用要求	-8 3 焊接气密性指标≤10 Pa·m /s	实用新型 1 项	（1）焊接位置控制； （2）焊接工艺控制（温度 压力、真空度和焊接选材 等）
31	洗净再生	半导体先进陶瓷 材料零部件新品 精密清洗技术	通过前后工序设置、工序本身 的参数（处理时间、温度等）， 实现去除新品表面颗粒物、金 属离子	通过下游半导体领域客户认证，在污染物残 留指标方面达到了先进制程半导体设备零 部件的要求	-	掌握半导体先进陶瓷材料 零部件新品精密清洗药液 配方
序号	技术类型	核心技术名称	技术内容和特征	技术先进性	专利情况	专有技术情况
32		OLED设备零部 件精密清洗技术	通过前后工序设置、工序本身 参数（时间、温度等），实现对 OLED设备零部件粗糙度、厚 度、微尘数量等控制	实现对 OLED生产用 CVD设备、刻蚀设备 零部件精密清洗，该技术为国内领先	-	掌握 OLED设备零部件精 密清洗药液配方及工艺参 数控制
33	熔射再生	涂膜性能调节技 术	通过前后工序设置、工序本身 的参数（时间、送粉率、电流 电压时间等参数），实现对熔射 产品粗糙度、孔隙率的调节	加快工艺过程改进，有助于全方位提高对客 户需求响应能力	-	掌握熔射配方及熔射工艺 及工艺参数控制
34
		OLED设备零部 件熔射改造技术	延长 OLED设备零部件寿命、 品质稳定性，并用于 OLED设 备零部件新品制造	该技术为国内领先，熔射加工后零部件使用 寿命长	-	掌握熔射配方及熔射工艺
35
		大件表面处理能 力	掌握大件显示面板表面处理能 力，并集自动喷砂与自动铝熔 射工艺于一体，保证处理质量 稳定	在行业内较早提出了显示面板行业全世代 线部件熔射工艺概念。将金属加工与熔射结 合，进行超大型尺寸部件的改造优化；将陶 瓷零部件生产与熔射结合，进行部件性能优 化	实用新型 1 项	-
36	表面处理 综合	表面处理设备、 工装治具与机械 结构设计	根据客户对服务需求，设计优 化提高设备及工装治具功能， 以实现更高效的服务流程	节约表面处理与检测时间，提高表面处理与 检测溶液利用率等	发明专利 1 项、实用新型 12项	-

（2）核心技术产品占主营业务收入的比例
报告期内，公司主要依靠核心技术开展生产经营，应用核心技术的产品和服务收入占公司营业收入的比例超过95%。报告期内，公司应用核心技术产生的营业收入及占同期营业收入的比例如下：
单位：万元

项目	2023年度	2022年度	2021年度
核心技术产品和服务收入	47,682.62	46,097.64	33,736.30
营业收入	48,044.96	46,246.94	34,501.58
核心技术产品和服务收入占营业收入的比例	99.25%	99.68%	97.78%

2、发行人研发水平
（1）公司获得的重要奖项
报告期内，公司获得的重要奖项如下：

序号	奖项或荣誉	颁发机构	获得时间
1	江苏省科技型中小企业	江苏省科学技术厅	2013年
2	苏州市陶瓷材料与部件工程技术研究中心	苏州市科学技术局	2016年
3	苏州高新区科技工作单位	苏州高新区工委、管委会	2017年
4	江苏省最具成长性高科技企业 100强	江苏省生产力促进协会、江苏省生产 力促进中心等	2017年
5	苏南国家自主创新示范区瞪羚企业	江苏省科学技术厅	2017年
6	江苏省科技创新示范企业	江苏名牌企业促进会、江苏省民营企 业联合会、江苏经济报社	2018年
7	江苏省质量管理单位	江苏名牌企业促进会、江苏省产品质 量监督管理中心	2020年
8	省级工程技术研究中心	江苏省科学技术厅、江苏省财政厅	2020年
9	苏州市企业技术中心	苏州市工业和信息化局	2020年
10	杰出质量奖	拓荆科技	2021年
11	卓越品质奖	拓荆科技	2024年
12	江苏省省级专精特新小巨人	江苏省工业和信息化厅	2021年
13	北方华创全球金牌供应商	北方华创	2019年、 2020年、 2021年、 2024年
序号	奖项或荣誉	颁发机构	获得时间
14	北方华创核心供应商 TOP 100	北方华创	2017年、 2018年、 2019年
15	第四届“江苏省优秀侨资企业”	江苏省归国华侨联合会、江苏省商务 厅、国家税务总局江苏省税务局等	2022年
16	苏州高新区瞪羚企业	江苏省苏州市高新区	2022年
17	国家级专精特新“小巨人”企业	工信部	2022年
18	胡润全球猎豹企业	胡润研究院	2023年

（2）重大科研项目情况

起始 年度	验收 年度	重大科研项目名称	公司承担的任务	合作成果
2013年	2017年	国家“国际科技合作 专项”项目之“中美 合作大型异形透明陶 瓷件制造技术研发” 项目	市场需求调研分 析、粉末原料供应 商选择、透明氧化 铝陶瓷样品试制 和一般性工艺流 程开发等	掌握了细晶透明氧化铝陶瓷件的低成本 制造技术、大型异形透明氧化铝陶瓷件 制造技术等，建立了应用技术标准
2016年	2020年	国家“极大规模集成 电路制造装备及成套 工艺”项目（“02专 项”）之“PECVD设 备用陶瓷加热盘的关 键技术与产业化”课 题	负责课题的技术 研发与应用实施	（1）掌握了加热电路及 RF电极的结构 设计、陶瓷加热盘的制备技术以及加热 盘的性能测试技术，技术指标达到任务 合同书规定的考核要求，并申请了相应 专利； （2）建立了 PECVD设备用陶瓷加热盘 的关键技术与产业化平台； （3）形成了一支陶瓷加热盘的研发及产 业化团队
2021年	2024年	“江苏省科技成果转 化专项资金立项项 目”之“CVD专用绝 缘高导热氮化铝陶瓷 部件与加热器的研发 及产业化”	将提供 CVD装备 的核心部件，具有 绝缘性好、热导率 高、耐腐蚀性强、 尺寸大等特点，满 足晶圆镀膜工艺 的多种严苛要求	项目进行中

（3）技术储备情况
为了紧跟泛半导体等下游领域技术的快速发展，保持在先进陶瓷和表面处理的领先技术优势，公司通过一系列安排促进技术、产品与服务的持续创新。通过多年的技术研发和产业化实践，公司已经形成了深厚的材料体系和工艺能力积累，为新产品与服务的开发奠定了基础。同时，公司审慎判断市场发展方向、敏锐捕捉市场机遇，针对性地开展研发工作，在未来具有较大潜力的领域提前进行技术布局。公司主要技术创新和研发方向如下：

序号	研发方向	部分创新目标	效益分析
1	现有材料体系 的提升与完善	氧化铝材料：开发耐腐蚀更强、低介电损耗的 氧化铝陶瓷材料；开发电阻率可控的氧化铝陶 瓷材料	顺应下游半导体制程不断发 展，进一步巩固公司在半导 体领域的技术创新优势和领 先地位，确保公司现有业务 的稳定增长
		氮化铝材料：开发中低温下高电阻率的氮化铝 陶瓷材料；开发适用于陶瓷加热器的热压烧结 工艺氮化铝材料
		碳化硅材料（烧结工艺）：开发高电阻率的碳 化硅陶瓷材料
		氧化锆材料：开发适用中低温使用环境的氧化 锆陶瓷和氧化铝增强氧化锆陶瓷，提升材料的 耐磨性和抗老化性	为下游粉体粉碎和分级设备 企业提供更优质的核心零部 件，确保公司在国内市场领 先地位
2	材料应用关联 技术扩展	依托现有的材料体系，拓展现有陶瓷材料应用 到新领域的技术能力	支撑新应用领域陶瓷产品研 发
3	丰富新的材料 体系	开发耐等离子腐蚀的氧化钇陶瓷材料和低电 阻率的氧化钛陶瓷材料	开拓泛半导体及其他领域陶 瓷零部件应用
		开发高强度高耐磨性能的氮化硅陶瓷材料	为粉体粉碎和分级以及汽车 行业提供耐磨性更高、寿命 更长的替代材料，增强公司 在相关领域的领先地位
4	重点开发半导 体设备“卡脖 子”陶瓷零部件	完善 6寸、8寸和 12寸 CVD等半导体设备用 加热器的制备，完善具有真空吸附或静电吸附 功能的陶瓷加热器，并在此基础上继续开发不 同半导体工艺使用的陶瓷加热器；完善热压烧 结、高温陶瓷盘管气密性连接、引出电极焊接 精密凸点加工等工艺	推动半导体产业链关键陶瓷 零部件国产替代，培育形成 关键核心技术能力，进一步 拓展公司在半导体零部件领 域业务发展空间
		优先开发陶瓷烧结型静电卡盘，使之尽快投入 市场应用，完善 8寸、12寸刻蚀机静电卡盘 制备；逐步优化静电卡盘种类，使之适配不同 工艺要求；完善流延、电极印刷、层叠、共烧 结、精密连接等工艺
		开发大型立式炉管、立式舟、底座等超高纯碳 化硅套件；掌握注浆成型、渗硅、CVD镀高 纯度碳化硅包覆等工艺
5	新应用领域先 进陶瓷材料零 部件的研发	着手布局汽车、燃料电池制造、化工环保、生 物医药、纺织等领域陶瓷零部件新产品开发	开拓、发展新市场
6	先进功能陶瓷 产品的研发	依托先进结构陶瓷生产经验和技术积累，前瞻 性布局先进功能陶瓷产品的开发	拓展先进陶瓷材料零部件以 及元器件的品类
7	半导体部件表 面处理的研发	基于半导体刻蚀设备部件清洗技术储备，拓展 PVD、CVD设备部件清洗；形成半导体设备 零部件阳极氧化、熔射能力	将表面处理服务从显示面板 设备市场扩展至半导体设备 市场

目前，公司正在实施的部分研发项目如下：

序号	项目名称	研发内容和目标	应用于 产品和服务	技术 先进性	项目 阶段	项目 负责人
序号	项目名称	研发内容和目标	应用于 产品和服务	技术 先进性	项目 阶段	项目 负责人
1	碳化硅挤出成型 工艺研发	开发薄壁热交换管等产品，替代 金属、石墨材料用于化工环保领 域	先进陶瓷	国内领先	在研	王冠
2	碳化硅陶瓷厚壁 结构件的研发与 产业化	开发厚壁类挤出工艺的烧结碳 化硅产品	先进陶瓷	国内领先	在研	王冠
3	立式炉设备关键 零部件研发及产 业化-高纯碳化硅 零部件	超高纯碳化硅部件是立式热处 理装备反应腔室关键核心零部 件，开发包含粉体加工、复杂加 工工序等在内的完整制造技术， 推动国产化	先进陶瓷	国际主流	在研	王冠
4	整合真空和净化 气体管道的加热 器之研发	在陶瓷加热器制造基础上，增加 嵌入真空管道，并保证真空管道 的密闭性；增加表面的开放微 孔，并保证气流稳定性	先进陶瓷	国际主流	在研	施建中
5	陶瓷材料表面洁 净度的表征测试 及后续清洗工艺 的研发	构建陶瓷材料表面洁净度表征 测试整体方案，对洁净度不符合 标准的材料研发改进清洗工艺	先进陶瓷	国际主流	在研	庄苏伟
6	大尺寸氧化钇陶 瓷材料及制造工 艺的研发	开发具有较好机械强度和优秀 耐等离子刻蚀性能的大尺寸半 导体设备用氧化钇陶瓷零部件	先进陶瓷	国内领先	在研	庄苏伟
7	具有静电耗散功 能的氧化铝陶瓷 材料及工艺的开 发	开发中等电阻率、具有静电耗散 功能的氧化铝陶瓷，使产品较当 前行业使用的特氟龙涂层方案 增强耐腐蚀性	先进陶瓷	国内领先	在研	庄苏伟
8	大批量连续成型 的薄壁碳化硅陶 瓷管的研发与产 业化	开发挤出成型产品，并应用于锂 电池原材料加工窑炉棍棒、换热 管、方梁等高温设备零部件	先进陶瓷	国内领先	在研	王冠
9	半导体用高超精 密陶瓷部件研制 与应用	针对半导体行业对高纯碳化硅 晶舟等消耗性陶瓷需求，开发耐 高温、耐腐蚀、高纯、复杂结构 碳化硅晶舟陶瓷基体的杂质控 制技术、致密化技术与大面积超 高纯陶瓷涂层表面改性技术	先进陶瓷	国内领先	在研	王冠
10	碳化硅陶瓷管材 微波热裂切割装 置的研发	基于微波热裂法的陶瓷切割方 法和碳化硅陶瓷管材微波热裂 切割装置	先进陶瓷	国内领先	在研	王冠
11	碳化硅陶瓷管材 高温无压烧结进 料工装的研发	开发碳化硅陶瓷管材烧结工装 以优化工艺流程	先进陶瓷	国内领先	在研	王冠
12	碳化硅陶瓷管材 成型后快速冷却 工装的研发	开发碳化硅陶瓷管材成型后快 速冷却工装以优化工艺流程	先进陶瓷	国内领先	在研	王冠
序号	项目名称	研发内容和目标	应用于 产品和服务	技术 先进性	项目 阶段	项目 负责人
13	软件在氮化铝陶 瓷加热器上的应 用研发	通过仿真腔室气体流动和热环 境等，模拟得到陶瓷加热器表面 温度，指导加热丝排布设计，以 快速满足客户对加热器表面温 度均匀性的严格要求	先进陶瓷	国内领先	在研	王恺
14	提高氮化铝薄盘 使用寿命的工艺 改善	研究分析产品表面形貌、微观结 构，改善加工工艺，进一步提高 氮化铝薄盘使用寿命	先进陶瓷	国内领先	在研	徐威
15	一种喷嘴类产品 流量稳定性控制 工艺的研发	研发喷嘴类产品加工工艺、流量 测试方法，试验不同加工刀具、 参数设置等以实现稳定控制产 品流量	先进陶瓷	国内领先	在研	徐威
16	用于 3D打印的碳 化硅喷嘴的研发	利用碳化硅高导热、高耐磨性替 代金属材料，研发出用于 3D打 印的碳化硅喷嘴，提高 3D打印 喷嘴性能并延长使用寿命	先进陶瓷	国内领先	在研	杨永强
17	针对陶瓷靶材应 用的工艺开发及 改善	与陶瓷靶材粉末供应商进行粉 末改善，并改善制造工艺	先进陶瓷	国内领先	在研	庄苏伟
18	LCD/LTPS/OLED CVD产品 Upper Electrode（上电 极）自动吹干机器 人研发	优化工艺和设备，研发移动式清 洗吹干成套设备，导入完全自动 化系统，提高产品生产效率、良 率和品质稳定性，并降低成本	表面处理	国内领先	在研	卫志勇
19	LCD/OLED CVD 产品 Susceptor和 Diffuser高速砂流 全封闭式机器人 系统研发	在保障效率的前提下，使产品表 面处理修复状态（Ra值和微观 效果）合格率较目前设备提高大 幅提高，满足客户品质标准和上 机需求	表面处理	国内领先	在研	卫志勇
20	DepRing铝熔射涂 层附着力提升的 研发	调节基材前处理及电弧喷涂参 数以提高熔射膜层与基材的附 着力	表面处理	国内领先	在研	高涵

公司重点投入研发陶瓷加热器、静电卡盘和超高纯碳化硅套件，该等产品情况及公司研发和产业化进度如下：

重点研发 产品名称	产品应用 设备图	产品图示	适用 半导体设备	功能	2023年市场需求规模		全球 主要供应商	公司研发进展
					全球	中国大陆
陶瓷 加热器			薄膜沉积设 备（具体包 括 CVD、 PVD、ALD 设备）、激光 退火设备	薄膜沉积工艺过 程中，均匀加热硅 片，使构造稳定的 沉积工艺环境，对 晶圆质量和制造 良率起关键作用	保守估计 42~57 亿元人民币	保守估计 10~13 亿元人民币	日本碍子全 球份额超过 50%	（1）12寸 PECVD设备用陶瓷加热 器已通过验证，6寸 PECVD设备用 陶瓷加热器已量产供应北方华创； （2）8寸 CVD设备用陶瓷加热器目 前正在接受验证，12寸 SACVD设备 用陶瓷加热器已通过验证并转入量 产； （3）12寸激光退火设备用陶瓷加热 器已通过客户验证并量产； （4）12寸 LPCVD设备用陶瓷加热 器已通过中微公司验证； （5）12寸带真空吸附陶瓷加热器已 收到客户订单并量产； （6）12寸带静电卡盘功能的 650℃ 高温陶瓷加热器已量产，并在生产中 大批量应用
静电卡盘			刻蚀机、部 分薄膜沉积 设备	通过静电吸附硅 片，并吸引等离子 体完成刻蚀工艺。 在 PVD设备中往 往与陶瓷加热器 搭配使用	保守估计 36~42 亿元人民币	保守估计 7~8 亿元人民币	日本特殊陶 业是全球第 一大供应 商，其他供 应商包括京 瓷集团等	（1）8寸刻蚀机用静电卡盘已经通过 测试并量产； （2）12寸刻蚀机用静电卡盘正在接 受测试
重点研发 产品名称	产品应用 设备图	产品图示	适用 半导体设备	功能	2023年市场需求规模		全球 主要供应商	公司研发进展
					全球	中国大陆
超高纯 碳化硅 套件			氧化扩散 设备	将热源均匀、稳定 地传导至晶圆，提 供高纯度、稳定的 高温环境	保守估计 15~19 亿元人民币	半导体设备用 超高纯碳化硅 陶瓷零部件保 守估计为 4~5 亿元人民币	CoorsTek是 全球第一大 供应商，市 场份额超过 80%， AGC Inc.全球份 额为 10~20%	已取得北方华创订单；6寸、12寸半 导体设备用套件中晶舟等部分零部 件验证通过

资料来源：弗若斯特沙利文 （未完）