[中报]格科微(688728):格科微有限公司2024年半年度报告

时间：2024年08月15日 20:26:17 中财网

原标题:格科微:格科微有限公司2024年半年度报告

公司代码：688728 公司简称：格科微






格科微有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。



三、 公司全体董事出席董事会会议。



四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人赵立新、主管会计工作负责人郭修贇及会计机构负责人（会计主管人员）杨佳蓓声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
√适用 □不适用
公司治理特殊安排情况：
√本公司为红筹企业
□本公司存在协议控制架构
□本公司存在表决权差异安排
公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司，公司治理模式与适用中国法律、法规及规范性文件的一般A股上市公司的公司治理模式存在一定差异。



八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者实质承诺，请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ........................................................................................................................ 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ........................................................................................ 7
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................. 10
第四节 公司治理 ............................................................................................................... 25
第五节 环境与社会责任..................................................................................................... 27
第六节 重要事项 ............................................................................................................... 29
第七节 股份变动及股东情况 ............................................................................................. 56
第八节 优先股相关情况..................................................................................................... 61
第九节 债券相关情况 ........................................................................................................ 62
第十节 财务报告 ............................................................................................................... 63

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表
	经公司负责人签名的公司2024年半年度报告文本原件
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、格 科微	指	格科微有限公司（GalaxyCore Inc.）
Uni-sky	指	Uni-sky Holding Limited，系公司控股股东
Cosmos	指	Cosmos L.P.，系公司员工持股平台
New Cosmos	指	New CosmosL.P.，系公司顾问持股平台
Hopefield	指	Hopefield Holding Limited，系公司股东
Keenway	指	Keenway International Limited，系公司股东
华登美元基金	指	Pacven Walden Ventures V, L.P.、Pacven Walden Ventures Parallel V-A C.V.、Pacven Walden Ventures Parallel V-B C.V.、 Pacven Walden Ventures V-QP Associates Fund,L.P.、Pacven Walden Ventures V Associates Fund, L.P.
上海橙原	指	上海橙原科技合伙企业（有限合伙），系公司股东
常春藤藤科	指	日照常春藤藤科股权投资中心（有限合伙），系公司股东
中电华登	指	中电华登（成都）股权投资中心（有限合伙），系公司股东
H&S	指	H&S Technologies Ltd.，系公司股东
格科微上海	指	格科微电子（上海）有限公司，系公司全资子公司
格科微浙江	指	格科微电子（浙江）有限公司，系公司全资子公司
格科置业	指	格科（浙江）置业有限公司，系公司全资子公司
格科半导体	指	格科半导体（上海）有限公司，系公司全资子公司
格科微香港	指	格科微电子（香港）有限公司，系公司全资子公司
格科集成电路	指	格科集成电路(上海)有限公司，系公司全资子公司
开曼/开曼群岛	指	Cayman Islands
三星、三星电子	指	Samsung Electronics Co.,Ltd.，主要从事电子产品的生产和销售 业务的韩国公司，为韩国证券交易所上市公司
Frost&Sullivan	指	弗若斯特沙利文咨询公司
苏州京浜	指	苏州京浜光电科技股份有限公司
上海芯物	指	上海芯物科技有限公司
建广广兴	指	建广广兴(德州)半导体产业投资基金合伙企业(有限合伙)
建广广辉	指	建广广辉(德州)股权投资管理中心(有限合伙)
AMOLED	指	Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，即有源矩阵有机 发光二极管，AMOLED 因为其对比 TFT-LCD 的优点，被称为继TFT- LCD后的新一代显示技术，其中 OLED（有机发光二极管）是描述薄 膜显示技术的具体类型，AM（有源矩阵体或称主动式矩阵体）是指 背后的像素寻址技术
BSI	指	Back Side Illumination，即背照式入射，将感光二级管元件调转 方向，光线从光电二级管的背面入射，从而避免了光电二级管电路 面的金属和电路对光线的阻挡，能够显著增加光电二级管的量子效 率，进而改善低光照条件下的图像效果
CMOS	指	Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物半 导体，指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造 出来的芯片
CMOS图像传感器 /CIS	指	Complementary Metal Oxide Semiconductor图像传感器，是采用 CMOS工艺制造的图像传感器；CIS是CMOS Image Sensor的简称
COB	指	Chips On Board，即板上芯片封装，指将裸芯片用导电或非导电胶 粘附在PCB上，然后进行引线键合实现其电气连接，并用胶把芯片
		和键合引线包封的封装技术
COF	指	Chip On Flex或Chip On Film，即薄膜覆晶，在柔性线路板上芯片 封装，指将芯片固定在柔性线路板上的芯片或模组封装技术
COF-Like	指	是公司自行研发的显示驱动芯片创新设计，能够以较低的成本实现 手机屏幕窄边框效果
COG	指	Chip On Glass，即芯片被直接键合在玻璃上的一种封装技术
COM	指	Chip On Module，是公司自行创新研发的高像素CMOS图像传感器封 装工艺
CML	指	Cambridge Mechatronic Limited
DAG HDR	指	Dual Analog Gain HDR 双模拟增益高动态范围技术
Fabless	指	无晶圆厂的集成电路企业经营模式，Fabless企业仅进行芯片的设 计、研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试外包给专业的晶圆代 工、封装和测试厂商
Fab-Lite	指	轻晶圆厂的集成电路企业经营模式，是介于Fabless模式与IDM模 式之间的经营模式，即在晶圆制造、封装及测试环节采用自行建厂 和委外加工相结合的方式
FHD	指	Full High Definition，通常为1920*1080或1920*1200分辨率， 最高可支持2560*1080分辨率
FPPI	指	Floating Poly Pixel Isolation，浮压多晶像素隔离，一种像素隔 离技术
HD	指	High Definition，通常为1280*720至1600*720分辨率，最高可支 持1600*720分辨率
IDM	指	Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造模式，即厂商拥 有自有品牌，并涵盖集成电路设计、晶圆加工及封装和测试等各业 务环节，形成一体化的完整运作模式
LCD	指	Liquid Crystal Display，即液晶显示，是一种借助于薄膜晶体管 驱动的有源矩阵液晶显示器
TDDI	指	Touch and Display Driver Integration，即触控与显示驱动器集 成，将触控芯片与显示芯片整合进单一芯片中
QQVGA	指	Quarter Quarter Video Graphics Array，通常为120*160分辨率
中高阶CMOS图像 传感器	指	中阶、高阶CIS分别主要包括： 500万至1,600万像素、3,200万 像素及以上的CIS
分辨率	指	屏幕图像的精密度，代表了显示器所能显示的像素数量
光罩	指	为晶圆制造过程中光刻工艺所需的掩模版，用于将电路图案复刻到 晶圆上
晶圆	指	制造半导体晶体管或集成电路的衬底，可加工制作成各种电路元件 结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品，通常指做完电路加 工后的成品晶圆，其尺寸分为8英寸或12英寸等
流片	指	将集成电路设计转化为芯片的试生产或生产过程
显示驱动芯片	指	显示面板的主要控制元件之一，可实现对屏幕亮度和色彩的控制
像素	指	组成图像的最小单位，像素数代表了图像中最小单位点的数量
制程	指	半导体加工工艺的精细度，可加工线条越精细，制程越小，相应的 工艺越先进
《上市规则》	指	《上海证券交易所科创板股票上市规则》
《公司章程》	指	《Memorandum of Association of GalaxyCore Inc.》和《Articles of Association of GalaxyCore Inc.》，包括对其不时进行的修订 和重述
报告期	指	2024年1月1日-2024年6月30日
元、万元、亿元	指	人民币元、人民币万元、人民币亿元

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	格科微有限公司
公司的中文简称	格科微
公司的外文名称	GalaxyCore Inc.
公司的外文名称缩写	GCORE
公司的法定代表人	赵立新
公司注册地址	4th Floor, Harbour Place, 103 South Church Street, P.O. Box 10240, Grand Cayman KY1-1002, Cayman Islands
公司注册地址的历史变更情况	无
公司办公地址	中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号2幢第11 层整层、第12层整层
公司办公地址的邮政编码	201210
公司网址	www.gcoreinc.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	无

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代 表）	证券事务代表
姓名	郭修贇	郭修贇
联系地址	中国（上海）自由贸易试验区 盛夏路560号2幢第11层整 层、第12层整层	中国（上海）自由贸易试验区 盛夏路560号2幢第11层整 层、第12层整层
电话	021-60126212	021-60126212
传真	021-58968522	021-58968522
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《上海证券报》（www.cnstock.com）《中国证券报》 （www.cs.com.cn）《证券时报》（www.stcn.com） 《证券日报》（www.zqrb.cn）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司证券事务部
报告期内变更情况查询索引	无

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所科创板	格科微	688728	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入	2,790,066,732	1,951,865,382	42.94
归属于上市公司股东的净利润	77,489,495	-22,829,686	不适用
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	45,982,053	-63,480,904	不适用
经营活动产生的现金流量净额	84,908,664	249,852,123	-66.02
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	7,761,203,818	7,879,867,967	-1.51
总资产	21,749,547,965	20,203,228,116	7.65

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.03	-0.01	不适用
稀释每股收益（元／股）	0.03	-0.01	不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	0.02	-0.03	不适用
加权平均净资产收益率（%）	0.98	-0.29	不适用
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	0.58	-0.81	不适用
研发投入占营业收入的比例（%）	13.87	15.33	减少1.46个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2024年上半年公司营业收入为 27.90亿元，同比上升 42.94%，主要原因是消费市场复苏，公司高像素芯片产品出货量增加所致。

2024年上半年归属于上市公司股东的净利润较上年同期由亏转盈，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润较上年同期由亏转盈，主要原因是消费市场复苏，公司高像素芯片产品出货量增加所致。

2024年上半年经营活动产生的现金流量净额为 0.85亿元，主要系报告期内因库存备货，采购增加所致。

总资产和归属于上市公司股东的净资产较报告期初分别增长 7.65%和减少 1.51%，主要原因为公司的经营模式将由 Fabless 模式转变为 Fab-Lite 模式增加资产投入带来的增长以及股份回购所致。

2024年上半年基本每股收益 0.03元，较上年同期增加 0.04元；稀释每股收益 0.03元，较上年同期增加 0.04元；扣除非经常性损益后的基本每股收益 0.02元，较上年同期增加 0.05元，主要系消费市场复苏，公司利润扭亏为盈所致。



七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减 值准备的冲销部分	-946,799
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外	14,717,751
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益	20,187,837
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费	2,897,143
委托他人投资或管理资产的损益
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用，如安置职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	-174,882
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	5,173,608
少数股东权益影响额（税后）
合计	31,507,442

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
√适用 □不适用
报告期内实现息税折旧摊销前净利润（EBITDA）68,835.86 万元。

注: 息税折旧摊销前净利润=利润总额+净利息支出+固定资产折旧+无形资产摊销+长期待摊费用 摊销+使用权资产折旧
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
根据中国证监会《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码“C39”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司属于“新一代信息技术产业”之“电子核心产业”之“集成电路制造”行业。

根据Frost&Sullivan统计，得益于智能手机、汽车电子、AR/VR等下游应用的驱动，预计未来全球CMOS图像传感器市场仍将保持较高的增长率，至2026年全球出货量达到98.6亿颗，市场规模将达到252.9亿美元。

目前，手机是CMOS图像传感器的主要应用领域，其他主要下游应用还包括平板电脑、笔记本电脑等其他电子消费终端，以及汽车电子、智慧城市、医疗影像等领域。至2025年，新兴领域应用将推动CMOS 图像传感器持续增长，但随着智能手机多摄趋势的不断发展，手机用CMOS图像传感器仍将保持其关键的市场地位。

公司是国内领先、国际知名的半导体和集成电路设计企业之一，主营业务为CMOS图像传感器和显示驱动芯片的研发、设计、封测和销售。公司目前主要提供QVGA（8万像素）至5,000万像素的CMOS图像传感器和分辨率介于QQVGA到FHD+之间的LCD以及HD和FHD的TDDI显示驱动芯片，其产品主要应用于手机领域，同时广泛应用于包括平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、移动支付、汽车电子等在内的消费电子和工业应用领域。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
目前公司技术水平先进、工艺节点成熟，并拥有多项专利和专有技术，多项核心技术处于国际先

产品类型	核心技术	领先程度	认定依据
CMOS图 像传感器	高像素 CIS的 3 层金属设计技 术	国际领先	行业主流参与者大多采用 5层及以上的金属设计， 而公司的 3层金属设计实现了与主流设计相同的产 品性能，并同时大幅降低了生产成本，产品性价比 国际领先。
	电路噪声抑制 技术	国际领先	采用数字相关双采样以及创新的噪声补偿修正电 路，实现抗干扰能力和噪声水平的优化，从而在较 少的光罩层数下完成产品的设计开发，并且通过设 计优化减小芯片面积。手机应用下，200 万 （1.75μm）、500万（1.12μm）及 800万（1.12μm） 像素产品最大信噪比分别达到 37.5dB、37.3dB和 36.8dB，Readnoise@16x（16倍增益下的读出噪声） 分别达到 1.75e-、1.5e-和 1.2e-；同类产品最大信噪 比的国际领先水平分别为 35~38dB、35~38dB和 36~38dB，Readnoise@16x的国际领先水平分别为 1.75~2e-、1.4~1.9e-和 1.15~1.9e-，公司处于国际领 先水平。
	低噪声像素技 术	国际领先	显著降低高温场景下暗电流带来的噪声，配合高像 素增益带来的低读出噪声，显著提升图像传感器在 低照度及高温场景下的信噪比。手机应用下，60℃ 下暗电流可达到 1e-10A/cm2以下；国际领先水平为 0.8~2.0e-10A/cm2，公司处于国际领先水平。
	黑电平改善技 术	国际领先	保证黑电平模块的稳定性，同时利用数字模块对黑 电平信号进行补偿，保证黑电平信号的一致性，在 32倍增益下黑电平的波动小于±0.5DN；国际领先 水平为±0.7DN及以下，公司处于国际领先水平。
	像素的光学性 能提升技术	国际领先	降低像素间的入射光线串扰和像素内的不同材料 界面反射，有效提升对应像素的光线收集效率，提 高像素的感光灵敏度。手机应用下，200 万 （1.75μm）、500万（1.12μm）及 800万（1.12μm） 像素产品灵敏度分别达到 1,260mV/（lux*sec）、 2,400e-/（lux*sec）和 2,950e-/（lux*sec）；同类产 品的国际领先水平分别为 1,100~1300mV/ （lux*sec）、2,200~2500e-（/ lux*sec）和 2,800~3200e- /（lux*sec），公司处于国际领先水平。
	低光高灵敏度 像素技术	国际领先	提升高像素增益可以带来更高的红外波长光线吸 收量子效率，而提升感光灵敏度则可以有针对性地 进行可见光和近红外波长下的优化，两者的配合能 够使得低光下的图像信噪比显著提升。手机应用 下，200万（1.75μm）、500万（1.12μm）及 800万 （1.12μm）像素产品最大信噪比分别达到 37.5dB、 37.3dB和 36.8dB；同类产品的国际领先水平分别为 35~38dB、35~38dB和 36~38dB，公司处于国际领先 水平。
	COM封装技术	国际领先	为公司独创技术，相比主流的 COB封装技术，能够 有效帮助模组厂降低生产成本、提升生产效率和良 率，获得了广泛的市场认可。
	FPPI 技术	国际领先	消除了 STI 隔离带来的侧壁 Si/SiO2 界面的各种 界面态和陷阱复合中心等白点及暗电流来源，在高 温下效果尤其明显。同时，该技术也避免了单纯靠
			PN结隔离带来的光学 cross-talk加大和满阱容量下 降等无法克服的缺点。
	高像素单芯片 集成技术	国际领先	在片内 ADC 电路、数字电路以及接口电路方面拥 有众多创新设计，相比于市场上同规格双片堆叠式 3200 万图像传感器，面积仅增大约 8%，消除了下 层堆叠的逻辑芯片发热带来的像素热噪声，显著提 高了晶圆面积利用率，满足 5G 手机紧凑的 ID 设 计需求。
显示驱动 芯片	COF-Like技术	国际领先	为公司独创技术，采用传统 COG封装工艺，实现 了能够媲美 COF封装技术的下边框尺寸及屏占比， 但其系统成本远低于 COF组装技术。公司目前部分 在研产品在 COF-Like技术下能够实现 1.6mm的屏 幕下边框宽度，显著低于主流 COG封装下的 3.3mm，并低于主流 COF封装下的 1.8mm，处于国 际领先水平。
	无外部元器件 的显示驱动芯 片设计技术	国际领先	无需使用外部元器件，能够减少模组生产及加工工 序及原材料消耗，显著降低产品的生产成本。公司 在 QQVGA至 HD区间内均已实现了 0D0C，而行 业主流参与者在该区间内大多尚未全部实现 0D0C，公司处于国际领先水平。
	图像压缩算法	国际领先	节省约一半的芯片内置缓存电路面积，进而显著减 小芯片的尺寸，减少原材料的消耗，实现产品成本 的降低。经图像压缩后，公司部分 QVGA产品的内 部缓存电路面积可达到 114万 μm2；国际主流领先 QVGA产品大多未经图像压缩，其电路面积为接近 200万 μm2，公司处于国际领先水平。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
格科微电子（上海）有限公 司	单项冠军示范企业	2021	CMOS 图像传感器

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司新增知识产权项目申请 68件（其中国内发明专利61件，集成电路布图设计7件），新增26件知识产权项目获得授权（其中国内发明专利23件，国外发明1件，集成电路布图设计2件）。截至2024年6月30日，公司累计获得国际专利授权16项（其中国外发明15件，国外实用新型1件），获得国内发明专利授权253项，国内实用新型专利212项。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	61	24	955	268
实用新型专利	0	0	247	213
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	0	0	2	2
其他	7	2	17	10
合计	68	26	1221	493

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	387,002,616	299,266,457	29.32
资本化研发投入	0	0	/
研发投入合计	387,002,616	299,266,457	29.32
研发投入总额占营业收入 比例（%）	13.87	15.33	减少1.46个百分 点
研发投入资本化的比重（%）	0	0	/

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名 称	预计总投资 规模	本期投入 金额	累计投入 金额	进展 或阶 段性 成果	拟达到目标	技 术 水 平	具体 应用 前景
1	第二代 背照式 亚微米 高像素 CMOS 图像传 感芯片 研发	25,796.00	1,164.00	15,200.00	在研	迭代国内晶圆厂的 工艺制程，研究新 的工艺技术、逻辑 架构、数字算法、 模拟电路、封装技 术，来实现高性能 0.7um BSI CMOS图 像传感器，满足品 牌客户对 32M 以 上 BSI CMOS图像 传感芯片的需求	国 内 先 进	CMOS 图像 传感 器芯 片
2	智能穿 戴 AMOLED 显示驱 动芯片 的研发	7,800.00	522.00	7,105.00	在研	研发智能穿戴 AMOLED显示驱动 芯片	国 内 先 进	显示 驱动 芯片
3	第一代 大靶面	5,500.00	2,958.00	4,767.00	在研	研发一款光学靶面 1/1.8, 图像分辨	国 内	CMOS 图像
	4M CMOS 图像传 感芯片 研发项 目					率 4M(2688×1520)， 具备高感光特性， 低噪声与高动态范 围的性能优良图像 传感器	先 进	传感 器芯 片
4	第二代 新型像 素研发 项目	21,888.00	2,395.00	10,261.00	在研	开发一款 0.64um 50M像素的图像传 感器，其中0.64um 像素采用新型像素 架构，实现像素间 全隔离	国 际 先 进	CMOS 图像 传感 器芯 片
5	高性能 1.0um 高像素 CMOS 图像传 感器研 发项目	8,000.00	2,322.00	2,525.00	在研	通过新开发的工艺 技术、逻辑架构、 数字算法、模拟电 路、封装技术打造 高性能1.0微米高 像素产品	国 际 先 进	CMOS 图像 传感 器芯 片
6	第三代 背照式 亚微米 高像素 CMOS 图像传 感芯片 研发	8,000.00	1,003.00	1,075.00	在研	通过新开发的工艺 技术、逻辑架构、 数字算法、模拟电 路、封装技术打造 高性能0.8um BSI CMOS图像传感器	国 际 先 进	CMOS 图像 传感 器芯 片
7	高性能 低成本 版 QQVGA 分辨率 显示驱 动芯片 的研发	3,000.00	436.00	1,563.00	在研	研发高性能低成本 版 QQVGA分辨率 （128RGB*160）的 显示驱动芯片	国 际 先 进	显示 驱动 芯片
8	第一代 数码低 功耗应 用 CMOS 图像传 感芯片 研发项 目	4,000.00	1,025.00	2,690.00	在研	研发一款图像分辨 率低功耗，具备高 感光特性，低噪声 与高动态范围的性 能优良图像传感器	国 内 先 进	CMOS 图像 传感 器芯 片
9	第四代 背照式 亚微米 高像素 CMOS 图像传	13,261.00	2,791.00	2,791.00	在研	在高性能 0.7um BSI CMOS图像传感 器基础上添加 AON 功能	国 际 先 进	CMOS 图像 传感 器芯 片
	感芯片 研发
10	小型化 0.6um 高像素 CMOS 图像传 感器研 发项目	15,217.00	3,131.00	3,131.00	在研	基于超小像素 0.61um像素开发 以及高清差值算法 的50M像素图像传 感器	国 际 先 进	CMOS 图像 传感 器芯 片
11	应用于 智能手 机的 OLED 显示驱 动芯片 技术研 发和产 业化	12,374.00	2,342.00	2,342.00	在研	研发智能手机 OLED显示驱动芯 片	国 际 先 进	CMOS 图像 传感 器芯 片
合 计	/	124,836.00	20,089.00	53,450.00	/	/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	745	467
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	41.95	31.24
研发人员薪酬合计	16,048.83	11,171.80
研发人员平均薪酬	21.54	21.86

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士	17	2.28
硕士	359	48.19
本科	275	36.91
专科	83	11.14
其他	11	1.48
合计	745	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
25岁以下	135	18.12
26-35岁	471	63.22
36-45岁	129	17.32
46岁以上	10	1.34
合计	745	100.00

注：为了避免研发人员数量波动的影响，研发人员平均薪酬计算口径调整为研发人员薪酬合计除 以平均研发人数。

6. 其他说明

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、电路设计和工艺研发优势
公司将工艺研发和产品设计创新能力视作价值创造的主要源动力，多年来致力于核心技术的研发，追求通过技术创新来给客户提供更大的影像整体解决方案（total solution），为客户创造更多价值。在工艺研发方面，公司拥有丰富的制造工艺创新经验，独创了一系列特色工艺路线，与市场上其他参与者相比，公司的产品能够以较少的光罩层数完成生产，并进行了优化的 Pixel工艺创新，在保障产品性能的同时实现了成本的大幅削减。在电路设计方面，公司采用成本较低的三层金属光罩设计，并通过对产品设计的持续优化有效缩小了芯片的尺寸，与同性能的其他产品相比实现了更为精益的成本控制。此外，公司还凭借对摄像头模组及屏模组的设计及工艺流程的深刻理解，独创了COM 封装技术、COF-Like 创新设计等多项有别于行业主流的特色解决方案，在保证产品性能的前提下对生产良率、工艺难度等进行了大幅改善。公司开创的FPPI技术，消除了STI 隔离带来的侧壁Si/SiO2 界面的各种界面态和陷阱复合中心等白点及暗电流来源，在高温下效果尤其明显。同时，该技术也避免了单纯靠PN 结隔离带来的光学cross-talk 加大和满阱容量下降等无法克服的缺点。此外，公司研发的高像素单芯片集成技术，在片内ADC 电路、数字电路以及接口电路方面拥有众多创新设计，相比于市场上同规格双片堆叠式3200 万图像传感器，面积仅增大约8%，消除了下层堆叠的逻辑芯片发热带来的像素热噪声，显著提高了晶圆面积利用率，满足5G 手机紧凑的ID 设计需求。因此，公司凭借卓越的工艺研发及电路设计，辅以在后道环节的不断创新，全方位地提升了产品的性价比，从而使公司在激烈的市场竞争中脱颖而出，并占据了有利的行业地位。公司研发的DAG HDR技术，基于单帧画面，在暗部使用高模拟增益，使暗部更清晰，更有质感；亮处使用低模拟增益，避免过曝发白，保留细节，最终输出高动态范围图像。与传统多帧HDR 相比，DAG HDR既可增加动态范围、避免伪影现象，实现精准还原，还能降低多帧合成带来的功耗问题。以拍照为例：在使用DAG HDR输出后，需要3帧合成的场景减少了50%。格科微光学防抖马达，通过先进的记忆金属驱动图像传感器运动，可以实现X、Y、Rotation三轴防抖补偿，相比传统镜头式光学防抖马达，可以覆盖更多场景，补偿更为精准，功耗更低。

创新的弹性电连接技术，在提供良好弹性的同时，确保图像信号的稳定传输，保证光学防抖效果和图像效果。未来，公司将继续坚持自主创新的研发模式，进一步扩大研发投入，以面向行业前沿的创新技术和市场需求为研发导向，不断开发新产品和新工艺，丰富核心技术，提升现有产品的性能与品质。

2、模式创新性
目前，公司运营模式已正式转变为Fab-Lite，通过自有Fab产线的基础，把整个产品从设计，研发，制造，测试，销售全环节打通，极高的提升了自身的产品竞争力。在此基础上，公司精准捕捉了行业运行规律，深刻理解了产业链各环节的联动方式与发展痛点，通过商业模式的优化与创新推动了行业经营效率的提升。未来，公司将建立更为高效的内生性产品研发模式，在公司内部形成由产品设计到批量生产的闭环机制，从而大幅提升工艺研发效率，推动公司在高像素领域达到行业前沿水平，满足客户日益更迭的产品需求。

3、供应链优势
公司具有高效且强大的供应链协调能力，与三星电子、中芯国际、SilTerra、华虹半导体、粤芯半导体等关键委外生产环节的供应商建立了长期稳定的合作关系。由于设计企业的产品生产、新产品工艺流片均需通过委外的方式进行，与上游生产资源的有效绑定将决定设计企业的产品开发和交付能力，是经营过程中至关重要的一环。基于良好的产业链上下游合作关系，公司制定了科学、有效的生产策略，通过逆周期采购方式应对产能供给的周期性变化，在资源有限的条件下实现了产品的稳定开发与交付。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
半导体及集成电路行业是国民经济支柱性行业之一，是信息技术产业的核心。作为中国新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化进程的强劲推动力量，半导体及集成电路行业是国家的战略性、基础性和先导性产业，在保障国家安全等方面发挥着至关重要的作用。一方面，为驱动行业持续发展、鼓励企业不断创新，我国各级政府先后出台了一系列支持性政策；另一方面，下游应用行业需求推动市场增长，高像素摄像头、多摄方案等推动了 CMOS 图像传感器的量价齐升，而高分辨率、大面积的显示设备也带动了显示驱动芯片产品在终端设备中重要性的提升。

公司为国内领先、国际知名的半导体和集成电路设计企业之一，主营业务为 CMOS 图像传感器和显示驱动芯片的研发、设计和销售。公司在 CMOS 图像传感器领域和显示驱动领域深耕多年，拥有业内领先的工艺研发和电路设计实力。凭借优异的产品质量与性价比、高效的服务与技术支持、强大的供应链垂直整合能力，公司累积了深厚的客户资源，并在市场上占据了独一无二的地位。目前，公司已成为国内领先、国际知名的 CMOS 图像传感器和显示驱动芯片供应商。

报告期内，公司实现营业收入 279,006.67万元，较上年同期上升 42.94%；实现归属于上市公司股东的净利润 7,748.95万元，实现扭亏为盈。实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 4,598.21万元，较上年同期大幅上升。

截止 2024年 6月 30日，公司总资产 2,174,954.80万元，同比增长 7.65%；归属于上市公司股东的净资产 776,120.38万元，同比下降 1.51%。

报告期内，公司主营业务各产品线销售情况如下表：

单位：万颗/万元	数量	收入	收入占比
CMOS 图像传感器-手机	45,631.90	156,372.46	56.06%
CMOS 图像传感器-非手机	11,843.29	64,223.57	23.02%
显示驱动芯片	23,834.67	58,358.22	20.92%
总计	81,309.86	278,954.25	100.00%

CMOS 图像传感器-手机
报告期内，消费电子市场缓慢复苏，下游客户优化成本结构的需求持续增长。公司单芯片高像素集成技术优势明显，已实现 1,300万-3,200万像素产品全线量产，不同规格的 5,000万像素产品也在小批量产中。产品结构升级为公司营业收入带来增长，本报告期内公司销售收入 27.90亿元，同比增加 42.94%。其中，1,300万及以上像素产品销售额 6.06亿元（未经审计），在安卓品牌手机主力出货机型的份额逐步提升，手机客户对公司中高像素产品认可度不断提高。

同时，在增加产品差异化方面，继正式发布业内首款支持单帧高动态的 1300万像素图像传感器 GC13A2后，报告期内公司成功量产高性能的第二代单芯片 3200万像素图像传感器——GC32E2。GC32E2搭配单帧高动态 DAG HDR技术，预览、拍照、录像时，均能以更低功耗输出明暗细节丰富、无伪影的影像。该产品目前已在 OPPO Reno12 海外版首发搭载，并将持续在品牌客户推广。


CMOS 图像传感器-非手机
在非手机 CMOS 图像传感器领域，报告期内，公司持续推广 400万、800万像素产品赋能智慧城市、智慧家居、会议系统等应用，400万像素产品出货量持续提升，800万像素产品成功实现量产出货，进一步拓宽公司收入空间。与此同时，公司不断迭代、开发新产品，报告期内公司成功研发新一代 400万像素产品 GC4103，搭载红外增强 NIR，支持预录实现 Always on功能，较上一代产品实现更低功耗、更强“夜视”能力。此外，公司还基于自有晶圆厂优势，深耕客户需求，凭借产品高效研发与迭代能力，为客户提供产品定制化服务，进一步深化客户关系，强化战略合作。在汽车电子领域，凭借成熟的像素工艺和先进的电路设计，报告期内公司产品在后装市场保持稳定发展，并积极开发满足车规要求、适用汽车前装的 CMOS图像传感器产品，预计下半年实现客户端送测。


显示驱动芯片
公司显示驱动芯片业务已覆盖 QQVGA 到 FHD+的分辨率，通过自主研发的无外部元器件设家居产品中小尺寸显示屏的应用，赋能智能家居、医疗、商业显示等多种场景。报告期内，公司HD和 FHD分辨率的 TDDI 产品进一步获得市场认可，产品导入多个国内外知名手机品牌并获得订单，部分订单已成功实现量产，TDDI产品销售占比进一步提升，公司将不断提升 TDDI产品的竞争力。除了 LCD 显示驱动芯片之外，公司已具备 AMOLED 驱动芯片产品的相关技术储备，持续推进 AMOLED产品研发，预计 2024年下半年开始将陆续推出基于可穿戴设备、智能手机的AMOLED产品。未来 AMOLED 显示驱动 IC 也将成为公司的重要增长点。


募投项目
2023年底，公司首次公开发行股票募集资金投资项目“12 英寸 CIS 集成电路特色工艺研发与产业化项目”（以下简称“募投项目”）已达到预定可使用状态，公司决定将其予以结项。

本次募投项目实施载体为格科半导体，新增产能主要用于生产中高阶 CIS 产品，是在现有业务的基础上对产品线的完善与补充。公司创新的高像素单芯片集成技术及高性能的产品设计使得公司有能力消化本次新增产能。同时，该项目还有助于实现公司在芯片设计端和制造端的资源整合，提升在背照式图像传感器领域的设计和工艺水平，加快研发成果产业化的速度，有利于增强公司的核心竞争力，为公司提高市场份额、扩大领先优势奠定发展基础。

报告期内，格科半导体已实现 800万及 1,300 万像素产品在自有工厂量产、5,000万像素产品小批量产，并顺利通过临港新片区“智能工厂”认定，正式获得临港新片区智能工厂授牌。这一认定肯定了格科微临港工厂的技术创新和高效运营，也展示了公司对推动企业数字化转型升级、实现行业可持续发展的承诺。在此基础上，后续公司将推出基于高像素单芯片集成技术的更高像素规格产品。同时，格科半导体取得了 IATF16949：2016质量管理体系认证证书。IATF16949是由国际汽车工作组（IATF）颁布并得到国际标准组织 ISO认可的主要规范汽车生产件及相关服务件的质量管理体系。本次取得 IATF16949：2016质量管理体系认证证书标志着格科半导体在汽车电子产品设计、制造及客户服务等方面达到了国际汽车行业的高标准，为公司进入汽车前装市场、为行业提供高质量车规产品奠定坚实基础。



报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
1、 技术创新风险
随着下游市场对产品的性能需求不断提升，半导体和集成电路设计行业技术升级和产品更新换代速度较快，企业需紧跟市场发展步伐，及时对现有产品及技术进行升级换代，以维持其市场地位。同时，半导体及集成电路产品的发展方向具有一定不确定性，因此设计企业需要对主流技术迭代趋势保持较高的敏感度，根据市场需求变动和工艺水平发展制定动态的技术发展战略。例如，在CMOS 图像传感器领域，不断缩小像素尺寸的工艺技术研发是紧跟行业技术前沿水平的根本。未来若公司技术研发水平落后于行业升级换代水平，或公司技术研发方向与市场发展趋势偏离，将导致公司研发资源浪费并错失市场发展机会，对公司产生不利影响。

2、 产品研发风险
公司的主要产品包括CMOS 图像传感器和显示驱动芯片，其产品的开发具有技术含量高、研发周期长、前期投入大的特点。目前，CMOS 图像传感器市场正朝着更高像素的方向不断发展，由于集成电路的研发存在前期规划偏离市场需求、研发成果不及预期、市场推广进程受阻的风险，公司当前产品研发最终的产业化及市场化效果存在一定的不确定性。因此，公司面临产品研发项目失败的风险，并有可能导致前期研发投入难以收回，从而对后续研发项目的开展和经营活动的正常进行造成负面影响。

3、 核心技术泄密风险
公司所处的半导体及集成电路设计行业具有较高的技术密集性特点，核心技术是设计企业在市场立足的根本，是企业核心竞争力的主要体现。未来，如果因核心技术信息保管不善等原因导致公司核心技术泄露，将对公司造成不利影响。（未完）