[中报]捷捷微电(300623):2024年半年度报告

时间:2024年08月15日 20:40:57 中财网

原标题:捷捷微电:2024年半年度报告

江苏捷捷微电子股份有限公司 2024年半年度报告2024-067
【2024年8月】
第一节重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人黄善兵、主管会计工作负责人朱瑛及会计机构负责人(会计主管人员)张志红声明:保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。

本公司提请投资者认真阅读本半年度报告全文,并特别关注本报告第三节“管理层讨论与分析”之第十小节“公司面临的风险和应对措施”中描述了公司在经营中可能存在的风险及应对措施。

本报告中如有涉及未来的计划、业绩预测等方面的内容,均不构成本公司对任何投资者及相关人士的承诺,投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。

公司计划不派发现金红利,不送红股,不以公积金转增股本。

目录
..........................................................................第一节重要提示、目录和释义 -2-
......................................................................第二节公司简介和主要财务指标 -9-
................................................................................第三节管理层讨论与分析 -12-
................................................................................................第四节公司治理 -50-
....................................................................................第五节环境和社会责任 -52-
................................................................................................第六节重要事项 -68-
............................................................................第七节股份变动及股东情况 -95-
..................................................................................第八节优先股相关情况 -103-
......................................................................................第九节债券相关情况 -104-
..............................................................................................第十节财务报告 -108-
备查文件目录
一、载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表。

二、报告期内在巨潮资讯网上披露的所有公司文件的正本及公告的原稿。

三、载有公司法定代表人签名的2024年半年度报告文本原件。

四、其他相关资料。

以上备查文件的备置地点:公司董秘办。

释义

释义项释义内容
捷捷微电、公司、本公司江苏捷捷微电子股份有限公司
捷捷半导体捷捷半导体有限公司
捷捷上海捷捷微电(上海)科技有限公司
捷捷深圳捷捷微电(深圳)有限公司
捷捷新材料江苏捷捷半导体新材料有限公司
捷捷无锡捷捷微电(无锡)科技有限公司
捷捷南通科技捷捷微电(南通)科技有限公司
捷捷研究院江苏捷捷半导体技术研究院有限公司
江苏易矽江苏易矽科技有限公司
中创投资南通中创投资管理有限公司
捷捷投资江苏捷捷投资有限公司
蓉俊投资南通蓉俊投资管理有限公司
易微微电子深圳易微微电子科技有限公司
南通微电子捷捷微电(南通)微电子有限公司
半导体分立器件由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的 器件,其本身在功能上不能再细分。例如:二极 管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管 (可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、 MOSFET)、IGBT、IGCT、发光二极管、敏感器件 等。
功率半导体分立器件能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件, 主要用于电能变换和控制。
新型片式元器件无引线或短引线的新型微小元器件,又称片式元器 件,它适合于在没有穿通孔的印制板上安装,是SMT 的专用元器件。其具有尺寸小、重量轻、安装密度 高、可靠性高、抗振性好、高频特性好等特点。
光电混合集成电路把光器件和电器件集成为有某种光电功能的模块或 组件,用分立器件的管芯集成在一起的称为“光电 混合集成模块”。
电力电子技术使用功率半导体分立器件对电能进行变换和控制的 技术。电力电子技术所变换的“电力”功率可大到 数百兆瓦甚至吉瓦,也可以小到数瓦甚至1瓦以下。
ICIntegratedCircuit即集成电路,采用一定的工 艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电 感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块 半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳 内,成为具有所需电路功能的微型结构,从而实现 电路或者系统功能的半导体器件。
功率IC功率IC(IntegratedCircuit)是电力电子器件技 术与微电子技术相结合的产物。将功率半导体器件 及驱动/控制/保护/接口/监测等等外围电路集 成在一个或几个芯片上,包括AC-AC变压器、AC-DC 整流器、DC-AC逆变器、DC-DC稳压器、电源管理 IC、驱动IC等。
芯片如无特殊说明,本文所述芯片专指功率半导体分立 器件芯片,系通过在硅晶圆片上进行抛光、氧化、 扩散、光刻等一系列的工艺加工后,在一个硅晶圆 片上同时制成许多构造相同、功能相同的晶粒,再
  经过划片分立后便得到单独的晶粒,即为芯片。这 个晶片虽已具有了半导体器件的全部功能,但还需 要通过封装后才能使用。
封装将半导体芯片安装在规定的外壳内,起到固定、密 封、保护芯片、增强导电性能和导热性能、同时通 过内部连线将芯片电极与外部电极相连接的作用。
晶闸管/可控硅(SCR)晶体闸流管(thyristor)的简称,又可称作可控硅 整流器,能在高电压、大电流条件下工作,且其工 作过程可以控制和变换电能,被广泛应用于可控整 流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电 子电路中。
防护器件功率半导体防护器件,又称为“半导体防护器 件”、“保护器件”或“保护元件”,从保护原理 上又可以分为“过电流保护”和“过电压保护”, 过电流保护元件主要有普通熔断器、热熔断器、自 恢复熔断器及熔断电阻器(保护电阻)等,在电路 中出现电流或热等异常现象时,会立即切断电路而 起到保护作用;过电压保护元件主要有压敏电阻、 气体放电管、半导体放电管(TSS)、瞬态抑制二极 管(TVS)、TVS阵列(ESD)等,在电路中出现电压 异常时,过电压保护元件会将电压钳制在电路安全 的电压额定值下,当电压异常消除时,电路又恢复 正常工作。
二极管一种具有正向导通反向截止功能的半导体器件。
厚模组件厚模:即厚模集成,用丝网印刷和烧结等厚膜工艺 在同一基片上制作无源网络,并在其上组装分立的 半导体器件芯片或单片集成电路或微型元件,再外 加封装而成的混合集成电路。组件:只是把可控硅 芯片、二极管芯片等焊接上下金属片或焊接在DBC上 的半成品组件方便客户后续使用。
MOSFET简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模 拟电路和数字电路的场效应晶体管。MOSFET可以实 现较大的导通电流,导通电流可以达到上千安培, 并且可以在较高频率下运行可以达到MHz甚至几十 MHz,但是器件的耐压能力一般。因此MOSFET可以 广泛地运用于开关电源、镇流器、高频感应加热等 领域。
肖特基二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),在通信电源、 变频器等中比较常见。是以金属和半导体接触形成 的势垒为基础的二极管芯片,具有反向恢复时间极 短(可以小到几纳秒),正向导通压降更低(仅 0.4V左右)的特点。
IGBTBJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,同时具 备MOSFET开关速度高、输入阻抗高、控制功率低、 驱动电路简单、开关损耗小的优点和BJT导通电压 低、通态电流大、损耗小的优点。
FRDFastRecoveryDiode,快恢复功率二极管(FRD) 采用PN结构,采用扩散工艺,可以实现短时间的反 向恢复,一般反向恢复时间小于5微秒,广泛的使 用在变换器中。超快恢复功率二极管(UFRD)在快 速恢复功率二极管的基础上,采用外延工艺,实现 超快速反向恢复。
压敏电阻由在电子级ZnO粉末基料中掺入少量的电子级 Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、TiO2、Cr2O3、 Ni2O3等多种添加剂,经混合、成型、烧结等工艺 过程制成的精细半导体电子陶瓷;它具有电阻值对 外加电压敏感变化的特性,主要用于感知、限制电
  路中可能出现的各种瞬态过电压、吸收浪涌能量。
贴片Y电容电容既不产生也不消耗能量,是储能元件。Y电容是 分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电 容,一般是成对出现。塑封贴片陶瓷Y电容主要适用 于超薄电视,开关电源和手机适配器。
碳化硅(SiC)器件俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合 物,使用碳化硅材料制作的器件称之为“碳化硅器 件”。主要应用于:碳化硅器件主要以电动汽车、 消费类电子、新能源、轨道交通等。
氮化镓(GaN)器件氮和镓的化合物,使用氮化镓材料制作的器件称之 为“氮化镓器件”。主要应用于:LED、服务器电 源、车载充电、光伏逆变器以及远距离信号传输和 高功率级别,如雷达、移动基站、卫星通信、电子 战等。
单晶硅单晶体硅材料,其硅原子以金刚石结构进行晶格排 列,具有基本完整的晶格结构的单晶体。不同的晶 向具有不同的性质,是一种良好的半导体材料。用 于集成电路和半导体分立器件的生产制造。
碳化硅(SiC)俗称金刚砂,一种碳硅化合物,是第三代半导体的 主要材料。
氮化镓(GaN)氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,是一 种重要的宽禁带半导体材料。
RoHS由欧盟立法制定的一项强制性标准,它的全称是 《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的 指令》(RestrictionofHazardous Substances)。主要用于规范电子电气产品的材料 及工艺标准,使之更加有利于人体健康及环境保 护。
UL(美国)保险商试验所(Underwriter LaboratoriesInc.),该实验室主要从事产品的安 全认证和经营安全证明业务。
IDMIntegratedDeviceManufacturer,垂直整合制造 商,代表垂直整合制造模式,指业务范围涵盖芯片 设计、晶圆制造、封装测试等全业务环节的集成电 路企业组织模式。
Fabless无晶圆厂的集成电路设计企业,与IDM相比,指仅仅 从事集成电路的研发设计和销售,而将晶圆制造、 封装测试业务外包给专门的晶圆代工、封装测试厂 商的模式。
VDMOS垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 (VerticalDouble-diffusedMosfet),电流在芯 片垂直方向流动的DMOS器件,兼有双极晶体管和普 通MOS器件的优点。
SGTMOS中文全称:屏蔽栅沟槽,分别为LVSGTMOS器件和 MVSGTMOS器件,是目前半导体功率MOSFET中低压 领域最前沿的先进核心技术,与传统沟槽结构相 比,能大幅降低传导和开关损耗,明显提升电源电 力转换效率,并且在高性能领域具有明显的成本优 势。
wafer晶圆,加工制作成各种电路元件结构的半导体硅晶 片,一般分为4英寸、6英寸、8英寸、12英寸规格不 等。
FAB制造工厂(半导体)
CPControlPlan(控制计划)的英文简称,质量工 具,提供过程监视和控制方法,用于对特性的控 制,是对控制产品所要求的体系和过程的系统的文 件化的描述。
WIPWIP(workinprogress)指的是生产过程中的在制 品。
FTP网上数据传输系统
8D“EightDisciplinesProblemSolving”的缩写, 是团队导向问题解决方法,常用于品质工程师或其 他专业人员。
FMEA潜在的失效模式及后果分析(FailureModeand EffectsAnalysis,简记为FMEA),质量工具是“事 前的预防措施”,并“由下至上,一般用在产品研 发过程和工艺开发过程中。
APQPAdvancedProductQualityPlanning产品质量先期 策划,质量工具,是质量管理体系的重要组成部 分,用于对产品和工艺开发的过程控制所需的步 骤。
PPAPProductionpartapprovalprocess.生产件批准程 序,用来确定供应商是否已经正确理解了顾客工程设 计记录和规范的所有要求,以及其生产过程是否具 有潜在能力,在实际生产过程中按规定的生产节拍 满足顾客要求的产品。
MSA测量系统分析(MeasurementSystemsAnalysis, MSA),通过统计分析的手段,对构成测量系统的各 影响因子进行统计变差分析和研究以得到测量系统 是否准确可靠的结论。
SPC统计过程控制(StatisticalProcessControl)是 一种借助数理统计方法的过程控制工具,根据反馈 信息及时发现系统性因素出现的征兆,并采取措施 消除其影响,使过程维持在仅受随机性因素影响的 受控状态,以达到控制质量的目的。
DOEDOE(DESIGNOFEXPERIMENT试验设计)在质量控制 的整个过程中扮演了非常重要的角色,它是我们产 品质量提高,工艺流程改善的重要保证。
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《江苏捷捷微电子股份有限公司公司章程》
中国证监会中国证券监督管理委员会
报告期2024年1月1日至2024年6月30日止
上年同期2023年1月1日至2023年6月30日止
元/万元人民币元/万元
股东大会江苏捷捷微电子股份有限公司股东大会
董事会江苏捷捷微电子股份有限公司董事会
监事会江苏捷捷微电子股份有限公司监事会
第二节公司简介和主要财务指标
一、公司简介

股票简称捷捷微电股票代码300623
股票上市证券交易所深圳证券交易所  
公司的中文名称江苏捷捷微电子股份有限公司  
公司的中文简称(如有)捷捷微电  
公司的外文名称(如有)JiangsuJieJieMicroelectronicsCo.,Ltd.  
公司的法定代表人黄善兵  
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名张家铨沈志鹏
联系地址江苏省启东市经济开发区钱塘江路 3000号江苏省启东市经济开发区钱塘江路 3000号
电话0513-832288130513-83228813
传真0513-832200810513-83220081
电子信箱[email protected][email protected]
三、其他情况
1、公司联系方式
公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期是否变化□适用 ?不适用
公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期无变化,具体可参见2023年年报。

2、信息披露及备置地点
信息披露及备置地点在报告期是否变化
□适用 ?不适用
公司披露半年度报告的证券交易所网站和媒体名称及网址,公司半年度报告备置地在报告期无变化,具体可参见2023年年
报。

3、注册变更情况
注册情况在报告期是否变更情况
□适用 ?不适用
公司注册情况在报告期无变化,具体可参见2023年年报。

四、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
□是 ?否

 本报告期上年同期本报告期比上年同期增减
营业收入(元)1,262,514,903.71901,026,620.1840.12%
归属于上市公司股东的净利 润(元)213,988,469.6396,060,262.31122.76%
归属于上市公司股东的扣除 非经常性损益的净利润 (元)167,503,707.5076,835,810.84118.00%
经营活动产生的现金流量净 额(元)292,389,555.82173,205,381.1868.81%
基本每股收益(元/股)0.290.13123.08%
稀释每股收益(元/股)0.280.12133.33%
加权平均净资产收益率5.53%2.65%2.88%
 本报告期末上年度末本报告期末比上年度末增减
总资产(元)7,743,055,918.047,721,873,336.430.27%
归属于上市公司股东的净资 产(元)3,931,328,717.453,758,525,074.694.60%
截止披露前一交易日的公司总股本:

截止披露前一交易日的公司总股本(股)734,867,460.00
公司报告期末至半年度报告披露日股本是否因发行新股、增发、配股、股权激励行权、回购等原因发生变化且影响所有者
权益金额
?是□否

支付的优先股股利0.00
支付的永续债利息(元)0.00
用最新股本计算的全面摊薄每股收益(元/股)0.2912
五、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况□适用 ?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况□适用 ?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

六、非经常性损益项目及金额
?适用□不适用
单位:元

项目金额说明
非流动性资产处置损益(包括已计提 资产减值准备的冲销部分)34,369,019.83 
计入当期损益的政府补助(与公司正 常经营业务密切相关、符合国家政策 规定、按照确定的标准享有、对公司 损益产生持续影响的政府补助除外)23,814,251.07 
除同公司正常经营业务相关的有效套 期保值业务外,非金融企业持有金融 资产和金融负债产生的公允价值变动 损益以及处置金融资产和金融负债产 生的损益957,189.31 
除上述各项之外的其他营业外收入和 支出-89,625.72 
减:所得税影响额8,968,809.36 
少数股东权益影响额(税后)3,597,263.00 
合计46,484,762.13 
其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况:
□适用 ?不适用
公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目
的情况说明
□适用 ?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常
性损益的项目的情形。

第三节管理层讨论与分析
一、报告期内公司从事的主要业务
根据《国民经济行业分类与代码》(GB/T4754-2017)公司所处行业为计算机、通信和其他电子设备制造业(C39)和电气机械和器材制造业(C38),属于《产业结构调整指导目录》鼓励类范畴,同时,隶属于国家鼓励的战略性新兴产业范畴。

公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售,具备以先进的芯片技术和封装设计、制程及测试为核心竞争力的业务体系,业务模式以IDM模式为主。公司是集功率半导体器件、功率集成电路、新型元件的芯片研发和制造、器件研发和封测、芯片及器件销售和服务为一体的功率(电力)半导体器件制造商和品牌运营商。公司主营产品为各类电力电子器件和芯片,分别为:晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片(包括:TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻等)、二极管器件和芯片(包括:整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等)、厚膜组件、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器件及组件、碳化硅器件等。

公司所处的行业是功率半导体分立器件行业,分立器件是电力电子产品的基础之一,也是构成电力电子变化装置的核心器件之一,主要用于电力电子设备的变频、变相、变压、逆变、整流、稳压、开关、增幅、保护等,具有应用范围广、用量大等特点,在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯、智能穿戴、智能监控、光伏、物联网等众多国民经济领域均有广泛的应用。

公司通过了IATF16949汽车行业质量体系认证、ISO9001质量体系认证、ISO14001环境体系认证、ISO45001职业健康体系认证、QC080000有害物质过程管理体系认证、UL安全认证、SGS环保标准鉴定认证、知识产权管理体系认证、两化融合管理体系等规定,公司产品应符合UL电气绝缘性要求、RoHS环保要求、REACH化学品注册、评估、许可和限制要求、无卤化等。

一、目前公司主要经营模式:
公司晶闸管系列产品、二极管及防护系列产品采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式,即集功率半导体芯片设计、制造、器件设计、封装、测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体。公司MOSFET采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片相结合的业务模式,目前,芯片8英寸部分为委外流片,部分器件封测代工。

目前,公司具体经营模式如下:
1、采购模式
公司物资管理部负责原材料、辅助生产材料的采购,具体采购程序如下:(1)根据采购计划对采购产品进行分类
(2)采购信息的编制和确定
物资管理部根据《采购计划单》编制《采购合同》,主要原材料采购文件应包括拟采购产品必要的信息。如有必要,物资采购部应请相关技术、品质管理部参与采购要求和规范的制定,或与供方共同制定采购要求和规范,以便利用供方专业人员的知识使公司获益。

(3)采购的执行
物资管理部根据经批准的《采购合同》,在《合格供方名录》的供方范围内进行采购。

采购通常以与供方签订供货合同的方式进行,以明确采购产品的价格、交货期限、技术标准、验收条件、质量要求、违约责任等相关内容;对于长年供货的供方,物资管理部在以合同的采用传真购货或口头通知的方式进行具体的采购;物资管理部应及时跟踪采购进度,反馈给 相关部门。 (4)采购产品的验证 物资管理部应协调采购产品的验证活动;当公司或公司客户提出在供方的现场实施验证时, 物资管理部应在采购信息中对需要在供应商现场开展验证的安排作出规定;采购产品到达公 司后,材料仓库进行登记并存放于待检区,报相关技术、品质管理部进行检验;与供应商签 订的技术协议应交品质管理部进行审核,品质管理部负责技术协议文件的管理和发放,确保 公司使用的技术协议是现行有效的。 2、生产模式 (1)晶闸管和防护器件 公司根据销售订单要求,制定生产计划,由技术管理部制定工艺卡、作业指导书和检验 规程,交给生产人员在生产中参照执行。公司生产部门分为芯片制造部和封装制造部,生产 模式如下:①生产计划和任务单
芯片制造部/封装制造部根据产品要求评审的结果,考虑库存情况,并结合公司的生产能力,制定《生产计划单》;芯片制造部/封装制造部根据《生产计划单》,组织下达《随工单》安排生产;
②动力设备部负责按《设备管理控制程序》的规定做好生产设备的管理、维护和保养工作。

③生产过程控制
A.技术管理部负责编制适宜让生产员工清楚理解的工艺卡、作业指导书和检验规程;B.芯片制造部/封装制造部组织和监督操作者严格依据文件的要求进行操作,做好自检和互检要求的记录;
C.品质管理部根据《产品的监视和测量控制程序》的要求进行产品检验,按《纠正措施控制程序》和《预防措施控制程序》的要求对异常现场进行整改和预防。

(2)MOSFET
公司MOSFET采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片相结合的业务模式。公司部分产品的芯片委托芯片代工厂进行芯片制造,芯片一部分用于公司自主封装,另一部分委托外部封测厂进行封测。除部分产品的芯片制造由代工厂代工生产外,公司MOSFET产品与晶闸管和防护器件产品生产模式一致。

标准按照质量部编制规范检验。 ①工程部门在线WIP跟踪,运营部负责协助处理。 ②封测委外 A.运营部接到销售或者工程部门计划后,经过运营负责人审批后,制定封装计划下发 供应商。 B.物资管理部根据运营订单,安排对应的芯片发货。 C.供应商按照订单进行加工,产出后供应商需要以邮件形式给出正式出货邮件,出货 邮件需要包含型号、数量、订单号,同时及时上传数据到FTP。 D.运营部负责产品收货,根据封装厂商出货清单核实后发货。 E.质量部根据检验规范进行入库检验,检验不合格由检验处理。 (3)IGBT 公司IGBT采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和部分产品的委外流片相结合的业务 模式。公司部分产品的芯片委托芯片代工厂进行芯片制造,由于产能紧张,芯片一部分用于 公司自主封装,另一部分委托外部封测厂进行封测(主要为消费领域类器件)。除部分产品 的芯片制造由代工厂代工生产外,公司IGBT产品与晶闸管和防护器件产品生产模式一致。标准按照质量部编制规范检验。

①工程部门在线WIP跟踪,运营部负责协助处理。

②封测委外。

A.运营部接到销售或者工程部门计划后,经过运营负责人审批后,制定封装计划下发供应商。

B.物资管理部根据运营订单,安排对应的芯片发货。

C.供应商按照订单进行加工,产出后供应商需要以邮件形式给出正式出货邮件,出货邮件需要包含型号,数量,订单号,同时及时上传数据到FTP。

D.运营部负责产品收货,根据封装厂商出货清单核实后发货。

E.质量部根据检验规范进行入库检验,检验不合格有检验处理。

3、研发模式
公司主要采用自主研发模式,公司设有工程技术研究中心,主导新技术、新产品的研究和开发。为提高研发人员的积极性,公司建立了鼓励发明创造奖励制度。该奖励制度不仅提高了研发人员的工作积极性,还可以激励全体员工参与技术革新活动,取得了较为明显的成效。

公司研发活动按照以下流程开展:
(1)项目来源
公司研发项目主要来源于以下三个方面:一是工程技术研究中心基于对行业发展趋势的深入调研并结合公司发展战略和发展目标,选择新技术、新工艺、新产品进行研发;二是公司销售部通过对市场需求进行综合调研后,对前景广阔且市场需求大的新产品、新技术、新工艺提出立项申请;三是来源于客户定制化产品的研发需求。

(2)项目立项
工程技术研究中心接到新产品需求信息后对产品需求信息进行初步论证,如初步论证可行,则召开项目立项会议,确定项目研发内容和项目负责人并组建项目组,正式启动项目研发工作。

(3)设计和开发
项目组根据设计和开发的相关要求,开展设计和开发工作。设计和开发完成后,将召开评审会议,对项目是否已经完成设计和开发工作并取得相应的研发成果予以评定。

(4)反馈和纠正
项目组根据会议评审结果,对项目设计和开发方案予以进一步完善,并将修改和完善的内容及时反馈给工程技术研究中心主任。

(5)产品试制
项目组在品质、生产等相关部门的配合下,依据评审确定的设计和开发方案进行打样,样品质量及性能由品质部负责检验和认定。如样品经检验并经客户验证合格,则召开项目评审会,对样品的性能参数予以全面评估,如评估认定样品的性能参数通过项目验收,则进入批量试生产阶段。

(6)小批量试生产
产品试制通过后,进入小批量试生产环节。项目组指定具体研发人员全程跟踪小批量试生产的作业状况和产品品质,如小批量试生产产品符合相关要求,项目组提交批量投产申请,批量投产申请获得批准后,项目组将设计和开发成果移交生产部门进行大批量生产,项目研发工作结束。

4、销售模式
(1)营销理念
公司的营销理念为:建立售前、售中、售后一体的市场营销团队,发展知名品牌客户和优质渠道商,与客户形成战略性合作,树立公司国际品牌形象,提高市场占有率。

(2)营销方式
公司产品应用的市场领域较多,产品规格多,且对产品性能要求各异。公司既销售公司通用规格的产品,也可以根据客户的诉求为其设计、生产定制化产品,并可对客户提供全方位的技术服务。具体销售流程如下:
A.公司销售人员与客户进行初步沟通,了解客户的产品用途、需求、用量、付款条件等信息,及已有产品不足之处或预期产品需要达到的最佳效果,为客户提供选型服务或建议,与客户建立初步合作关系;
B.如客户有特殊要求,销售人员应与应用工程师或其他部门工程师共同评估公司产品是否满足客户的要求,并选择合适的产品型号;
C.销售人员和区域销售经理评估客户信誉状况,选择合作模式,后续按照此模式逐步推进合作;
D.销售人员提供给客户相应产品的规格书,向客户介绍公司产品特点、性能指标,帮助客户认识、了解公司的产品及性能,并听取客户进一步的意见;
E.根据进度安排,销售人员准备好选型的样品提供给客户,及时跟进客户的试验情况,与客户沟通解决试验中遇到的问题,最终达到客户要求的理想效果;F.针对有特殊要求的客户,如其用量较大或其应用具有领域代表性,公司可为其设计、生产定制化产品,定制化产品销售流程如下:
a.销售人员了解客户的产品特殊要求、产品应用领域、时间进度表、需求量、目标价格、付款条件等信息,填写《定制产品需求单》,交由区域经理或市场营销部正/副部长审核评估;
b.市场营销部将《定制产品需求单》送交相关技术部门和品质管理部,品质管理部组织各部门对定制产品的市场潜力、产品性能以及公司的生产能力、物料物资、资金情况等进行评估,将评估结果向总经理汇报,由总经理做出最终批示;
c.根据总经理同意生产定制产品的批示,市场营销部与客户签订定制产品加工合同;各部门按照分工开始生产样品,样品完成后,由相关技术部门完成产品的考核和试验;d.样品达到预期的性能指标后将该样品的试验结果和样品提供给客户进行产品试验,及时跟进客户的试验情况,改善产品性能并重新送样,最终满足客户要求的理想效果;e.根据客户定制产品的试验、生产情况,公司各部门对定制产品进行总结,确定是否将定制产品纳入公司标准产品的量产计划中。

5、质量管理模式
(1)质量管理目标
根据IATF16949汽车行业质量体系认证、ISO9001质量体系认证、ISO14001环境体系认证、ISO45001职业健康体系认证、QC080000有害物质过程管理体系认证、UL安全认证、SGS环保标准鉴定认证、知识产权管理体系认证、两化融合管理体系等规定,公司产品应符合UL电气绝缘性要求、RoHS环保要求、REACH 化学品注册、评估、许可和限制要求、无卤化等要求,明确各级人员的质量管理职责与权限,以保证公司质量体系持续有效运行,并最终获得顾客满意。

(2)质量管理体系
由公司质量管理部负责构建公司质量体系、有害物质减免管理体系、环境及职业健康安全管理体系相关的规章制度,确保公司产品质量符合品质标准、公司运营活动符合相关政策法规要求;同时,公司坚持持续改进及全员参与质量管理的理念,鼓励所有员工参与质量管理工作,建立TQM管理模式,通过8D方法、QCC等活动体现全员参与和持续改进的质量管理模式,通过建立《数据分析与持续改进控制程序》、《纠正预防措施控制程序》、《QCC活动管理办法》、《8D控制程序》等程序来确保质量管理体系持续改进的要求。

(3)质量过程控制
A.满足顾客要求过程中的质量控制:确保顾客要求得到评审并传达到相关部门执行,顾客抱怨采用8D的方法并在客户要求的时间内提供相应改善报告,FA实验室的建设满足顾客对失效品的原因分析从而制定有效地改善措施;
B.研发过程质量控制:设定产品研发项目质量负责人DQA,参与整个项目的质量管理,建立项目质量计划,确保研发过程中采用过程方法、FMEA/APQP/PPAP/MSA/SPC/DOE等质量工具,其中Fabless+封测业务模式需要外协供应商参与整个研发过程尤其是产品的工艺研发由供应商负责开发,本公司研发人员确认; C.生产过程质量控制:在生产过程中都需要应用CP/MSA/SPC/DOE等质量工具,同时需要 建立首末件检验,过程检验、入库及出库检验机制。IDM模式在公司内部有本公司质量部直 接监控或者执行,委外代工的业务模式由供应商质量部直接负责,公司对其从体系上进行保 证,重点在于供应商的管理。公司成立独立的SQE部门从供应商的选择开始进行控制,通过 使用IATF16949/VDA6.3等审核工具对其进行年度现场稽核,提供产品质量的月度、年度绩效 考核来监控供应商的交付质量绩效,对其变更控制作为重点进行管控; D.管理过程质量控制:质量中心组织各公司进行交叉内审工作,对发现的问题进行改进, 各公司取长补短共同发展,实现资源的共享和体系的一体化,最高管理者组织季度、年度管 理评审根据评审结果制定公司战略、产品战略,问题改进确保质量管理体系持续的适宜性、 充分性、有效性。 IDM模式质量管理体系流程图:委外代工业务质量管理体系流程图:
6、盈利模式
功率半导体芯片的设计制造能力是公司的核心竞争力,是公司可持续盈利及发展的基础。

公司多项功率半导体芯片和封装器件的先进技术不仅保证公司生产工艺领先、标准产品质量可靠,还能够按照客户提出的个性化需求设计、调整功率半导体芯片和封装器件的生产工艺,生产定制产品,及时满足终端产品在电能转换与控制、保护高端电子产品昂贵电路等方面的技术升级。同时,公司参与到客户的生产经营中,通过分析整理客户在产品结构调整、品质提升过程中的技术瓶颈,有针对性地研发新技术,改进生产工艺,并根据下游行业的发展趋势调整自身产品结构,经公司技术、市场、生产、财务、管理各部门共同严格论证后,将确定未来有广泛市场需求的定制产品转化为公司常规产品生产,最大程度地确保公司产品响应客户和行业发展的需要。

公司为客户定制产品不仅体现了公司研发创新的技术实力,也表现出公司与客户实现双赢的市场营销能力,因此,公司产品深受下游客户认可,品牌知名度和美誉度不断提升,客户结构正向大型化、国际化方向发展,同时,产品市场结构不断延伸,在保持传统家电市场、工业类市场优势地位的同时,正逐步进入航天、汽车电子、IT产品等新兴市场。

7、管理模式
在长期经营发展中,公司建立了符合公司自身经营特点和发展方式的管理模式,设置合理的职能部门,在公司董事会制定的经营路线下,坚持公开、透明地执行各项公司制度和发展计划,协调各部门之间有效配合,形成了较高的管理效率。

半导体行业是技术密集型行业,公司重视研发管理,根据公司现有和未来产品系列分别设立研发项目组,有针对性地研发新产品和新技术,最大程度地保证公司的研发效率和研发成果转化率,不断提高市场竞争力和盈利能力。同时,公司不断吸收引进先进人才,通过激励措施和实践培养,为公司未来发展储备技术、营销、采购等方面的管理人才。

二、公司主要产品系列及用途:
从产品构造划分,公司主要产品是功率半导体芯片和封装器件。功率半导体芯片是决定功率半导体分立器件性能的核心,在经过后道工序封装后,成为功率半导体分立器件成品。1、晶闸管系列:
晶闸管(又称:可控硅)耐压高、电流大,主要用于电力变换与控制,可以用微小的信号功率对大功率的电流进行控制和变换,具有体积小、重量轻、耐压高、容量大、效率高、控制灵敏、使用寿命长等优点。晶闸管的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电流,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等作用。晶闸管的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面广泛采用的电子元器件。

2、防护器件系列:
半导体防护器件种类较多,主要有半导体放电管(TSS)、瞬态抑制二极管(TVS)、静电防护元、器件(ESD)、集成防护器件、Y电容、压敏电阻等,可应用于仪器仪表、工业控制、汽车电子、手持终端设备、户外安防、电脑主机等各类需要防浪涌冲击、防静电的电子产品内部,保护内部昂贵的电子电路。由于使用场合广泛,市场需求量较大,半导体防护器件市场规模较为稳定。

3、二极管系列:
二极管是最常用的电子器件之一,二极管的单向导电特性可以把正弦波的交流电转变为脉动的直流电。用途广泛,几乎所有的电路中都有使用到。公司二极管芯片采用SIPOS+GPP钝化工艺,具有高可靠性,三种金属组合供客户选择,主要产品有高耐压整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、整流二极管模块组件等,用于民用电器电源整流、工业设备电源整流、漏电断路器、电表、通讯电源、变频器等应用领域。

4、MOSFET系列:
MOSFET,金属-氧化物半导体场效应晶体管,一种全控制型半导体功率分立器件,通过栅极电压的变化来控制输出电流的大小,并实现开通和关断,输入阻抗大、导通电阻小、功耗低、漏电小、工作频率高,工艺基本成熟,是市场规模最大的功率分立器件。应用极其广泛,主要包括电源类和驱动控制类两大类应用。公司MOSFET系列产品主要包括中低压沟槽 MOSFET产品、中低压分离栅MOSFET产品、中高压平面VDMOS产品以及超结MOS等产品,广泛用 于消费电子、通信、工业控制、汽车电子等领域。 5、IGBT系列: IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极结型晶体管)和MOS(金属-氧化物场效应晶体 管)组成的复合全控型-电压驱动式功率半导体器件,融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点, BJT饱和压降低及载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导 通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,被称 为是电力电子装置的“CPU”,高效节能减排的主力军。 6、厚模组件: 厚模组件系列产品采用,模块集成封装,把可控硅、二极管、MOSFET、IGBT、FRD等芯 片组合成不同的电路拓扑结构;在模块基础上集成控制线路,衍生出了固态继电器、智能模 块及IPM等功能模块,主要应用于调温系统、调光系统、调速等系统;具体应用于软启动、 变频器、无功补偿领域。 7、碳化硅器件: 碳化硅肖特基二极管是碳化硅器件之一,具有超快的开关速度,超低的开关损耗,正向 压降(Vf)为温度特性,易于并联,可承受更高耐压和更大的浪涌电流,用于电动汽车、消费 类电子、新能源、轨道交通等领域,主要产品为塑封碳化硅肖特基二极管器件。 8、其他: 功率型开关晶体管及达林顿晶体管,应用于点火器、磁电机等领域,具有良好的可靠性 和质量。 功率分立器件:从石英砂到终端产品:公司主要产品类别图示:
三、上下游行业及发展情况 1、与上下游行业间的关系: 公司所处半导体分立器件制造业的上游行业主要为单晶硅、金属材料、化学试剂行业, 下游行业主要为家用电器、漏电断路器等民用领域,无功补偿装置、电力模块等工业领域, 及通讯网络、IT产品等的防雷击和防静电保护领域。由于电力电子技术的广泛渗透性,在绝 大多数的用电场合,都可能应用电力电子技术进行电能控制和优化。①上游行业 上游行业单晶硅的价格对半导体分立器件制造行业的生产成本有直接影响。目前单晶硅 片市场趋于饱和,供需基本平衡;引线框架等金属材料和硼源等化学试剂的市场供应充足, 价格比较稳定。 ②下游行业 功率半导体分立器件的下游行业分布面极为广阔,终端产品的更新换代及科技进步引导的新 产品面世,都为功率半导体分立器件带来不断增长的市场空间。功率半导体分立器件是连接 弱电和强电的桥梁,无处不在,为了合理高效地利用电能,现在发达国家电能的75%需要经 过功率半导体分立器件变换或控制后使用。目前我国经过变换或控制后使用的电能仅占30%, 70%电能仍采用传统的传输方式,远远达不到应用电力电子技术才能实现的效果。随着我国 在民用和工业各个领域对能源节约政策的深入落实,新技术、新工艺、新产品将陆续被研发 和推广应用,满足市场需求的扩展和转变。 半导体芯片的分类:2个大类,7个小类:半导体各功率分立器件的特性及其应用:
资料来源:Yole,芯谋研究,2023年中国半导体产业发展状况报告
二、核心竞争力分析
报告期内,公司拥有的核心技术与研发能力、产品质量控制能力以及全行业覆盖的市场与销售体系仍是公司立足行业领先地位的核心竞争力。同时,公司的核心管理团队稳定,提高管理效率,优化流程,提升管理水平,坚持诚信为重、质量第一,为客户提供优质的产品和服务。

1、技术优势
(1)芯片研发能力和定制化设计能力
国外大型半导体公司以销售标准化产品为主,较少为客户生产定制产品,并且在为客户定制产品时,开发周期相对较长。国内大多数电力电子器件制造商不具备芯片设计制造能力,仅从事半导体分立器件的封装制造。公司立足于我国市场的实际情况,根据终端产品需求多样化和升级换代快的特点,依托于芯片研发设计技术优势,目前已经研发并生产多种型号和规格的标准产品,并通过对客户需求的评估生产个性化产品。

由于公司下游客户分布行业广泛,客户对产品性能的要求各异,定制产品具有很大的市场需求空间,其附加值也相应较高。公司为客户定制产品,需要结合生产工艺的调整和关键技术的协调匹配,是公司芯片研发能力的重要体现,也是公司差异化发展的重要标志。

公司多项功率半导体芯片和器件的核心技术不仅保证公司产品性能优良、工艺领先、质量稳定可靠、性价比高,还可及时根据客户需求设计、生产定制产品,不断推出新产品。

公司目前形成了以芯片研发和制造为核心、器件封装为配套的完整的生产链,不断提升公司芯片的研发与创新能力,促进新产品、新技术、新材料应用、新工艺的研发成果产业化,突出芯片研发和制造水平,走差异化发展道路。

(2)先进制造力优势和完善的管理体系
一般来说,半导体行业的运作模式分为IDM(整合元件制造商,即覆盖了整个芯片产业链,集芯片设计,制造和封装测试一体的半导体厂商)、Foundry(从事芯片加工制造,拥有晶圆生产技术而不参与设计的半导体公司)、Fabless(主要负责芯片设计而不从事制造的芯片企业)三种。其中,IDM模式对于公司的资本实力和技术实力要求最高,Foundry模式其次,Fabless模式最为常见。

由于公司在功率半导体分立器件的运作模式中采取的是以IDM模式为主、部分Fabless+封测的模式,IDM模式即公司所生产的功率半导体分立器件从设计、生产制造、封装测试都是公司独立完成的。公司先进的工艺技术全面应用到芯片设计和制造、成品封装及品质监控及检测的生产过程中,大大提高了产品的性能。

公司的先进制造力综合反映在将多项专利技术和专有技术全面融入生产工艺,形成完善的制造管理体系,不仅提高了产品的各项性能指标,也能够按照客户需求调整生产工艺,拓宽产品种类。

公司完善的管理体系严格监控每一生产步骤,保障产品的可靠性、稳定性和一致性处于行业领先水平。由于半导体分立器件制造行业属于技术密集型行业,公司先进制造力优势和充足的技术储备有助于公司实现以技术带动发展、以品质占领市场的可持续发展目标。

2、市场优势
公司通过技术创新提高产品的附加值,为客户设计生产定制化产品,提高了产品的性价比。公司在维持老客户稳定发展的同时,逐步打开高端客户的市场空间,境内市场份额迅速提高。知名企业对公司产品质量的充分认可是公司稳步拓展市场空间的基础,公司产品正在逐步实现以国产替代进口,降低我国晶闸管、二极管、防护类器件市场对进口的依赖。同时,公司产品也得到了国外知名厂商的认可,公司产品现已出口至韩国、日本、西班牙和台湾等电子元器件技术较为发达的国家或地区。公司生产的中高端产品实现替代进口及对外出口上升的趋势,打破了中国电子元器件领域晶闸管、防护类器件受遏于国外技术制约的局面。

3、替代进口优势
长期以来,我国功率半导体分立器件行业整体技术水平较国际先进技术水平有较大差距,因此我国功率半导体分立器件下游行业的知名企业长期购买和使用国际大型半导体公司的分立器件产品,以确保其产品性能先进、质量稳定。

晶闸管是我国技术成熟的功率半导体分立器件,行业内少数优秀企业已经具有较为先进的晶闸管芯片的研发制造能力。公司经过十几年的技术累积,现已形成成熟的自主知识产权体系和研发机制,晶闸管系列产品的技术水平和性能指标已经达到了国际大型半导体公司同类产品的水平,公司产品已经具备替代进口同类产品的实力。

公司通过技术创新提高产品的附加值,为客户设计生产定制化产品,提高了产品的性价比。公司在维持老客户稳定发展的同时,逐步打开高端客户的市场空间,境内市场份额迅速提高。知名企业对公司产品质量的充分认可是公司稳步拓展市场空间的基础,公司产品正在外知名厂商的认可,公司产品现已出口至韩国、日本、西班牙和台湾等半导体分立器件技术较为发达的国家或地区,并且对外出口数额逐年提高。公司生产的中高端产品实现替代进口及对外出口上升的趋势,打破了中国功率半导体分立器件细分领域晶闸管市场受遏于国外技术制约的局面。

4、品牌知名度优势
公司突出的芯片研发能力和产品质量持续提升公司品牌在行业内的美誉度和认可度。公司现有国内外知名客户如海尔集团、中兴通讯、正浩创新、三花等在前期使用小批量试用公司产品后,不断增加对公司产品的采购数量,现已成为公司重要客户。与此同时,更多国内外知名半导体分立器件制造商或下游行业的知名企业正在与公司开展技术、生产和质量等方面的全面接触,对公司产品进行考核、认定、现场审核或小批量试用等不同阶段,公司客户结构向大型化、国际化方向发展,品牌知名度和市场影响力日益增强。

公司产品获得越来越多的国内外知名企业的认可和使用,客户结构向大型化、国际化转变,以自身优势产品逐步扭转国内市场上进口半导体分立器件产品的绝对优势地位,成为国内外大型知名企业的供应商,推动公司品牌知名度迅速提升,市场影响力也逐步扩大。由于功率半导体分立器件下游行业的客户选择供应商的首要考量依据为该供应商已有客户级别,知名企业对公司产品的信任和使用将持续深化公司的品牌优势,增强公司的市场竞争能力。

5、人才引育和团队建设的优势
公司核心研发团队稳定,以黄善兵、王成森、黄健、张超、黎重林等为核心的技术团队长期从事电力电子技术等研究与开发工作,在产品技术创新与协同、生产工艺优化与升级、产品开发与成果转化等具有丰富的经验。公司核心管理团队成员结构合理,以黄善兵、黄健、沈卫群、黎重林、张家铨等为核心,涵盖了经营管理、运营管理、市场营销、产品应用、信息化管理及公司治理结构等方面,协同性和执行力强,保证了公司决策的科学性和有效性。

6、本报告期内,公司取得发明专利25项,实用新型专利16项。专利取得有利于公司保持技术领先水平,提升核心竞争力。

(1)公司在本报告期取得的专利情况如下:

序 号知识产权名称专利号发明人专利权人申请日类 别授权日
1高正向阻断电 压门极灵敏触 发单向可控硅 芯片和制造方 法ZL201910360828.0俞荣荣,王 成森,朱法 扬江苏捷捷微电 子股份有限公 司2019.04.30发 明 专 利2024.01.02
2一种分离栅 MOSFET器件结 构及其制造方 法ZL201810877368.4殷允超,周 祥瑞,刘锋江苏捷捷微电 子股份有限公 司2018.08.03发 明 专 利2024.1.12
3一种从框架完 整取料的多用 途冲压治具ZL202322090347.7袁晨,晏长春, 任文豪,李勤 建,严巧成,周 磊江苏捷捷微电 子股份有限公 司2023.08.04实 用 新 型2024.1.12
 能提高耐压能 力的半导体器 件终端结构及 其制造方法ZL201810520045.X刘锋,周祥 瑞,殷允超江苏捷捷微电 子股份有限公 司2018.05.28发 明 专 利2024.2.2
5一种低导通电 阻的沟槽 MOSFET器件 及其制造方法ZL201810132017.0殷允超,周 祥瑞江苏捷捷微电 子股份有限公 司2018.02.09发 明 专 利2024.2.2
6一种MOS型超 势垒整流器件 及其制造方法ZL201810072354.5殷允超,周 祥瑞江苏捷捷微电 子股份有限公 司2018.01.25发 明 专 利2024.2.2
7一种半自动光 学目检治具ZL2023219452062袁晨,晏长春, 陈旭,李勤建, 严巧成,周磊江苏捷捷微电 子股份有限公 司2023.07.24实 用 新 型2024.2.27
8一种硅胶垫块 键合治具ZL202322133419.1李勤建,袁晨, 晏长春,任文 豪,陈剑江苏捷捷微电 子股份有限公 司2023.08.09实 用 新 型2024.2.27
9一种门极和阳 极共面的双向 可控硅芯片及 其制造方法ZL202311456948.3朱法扬,俞荣 荣,彭鑫葆江苏捷捷微电 子股份有限公 司2023.11.3发 明 专 利2024.3.8
10一种带有过压 斩波特性的可 控硅芯片及其 制备方法ZL201910313691.3王成森江苏捷捷微电 子股份有限公 司2019.04.18发 明 专 利2024.4.16
11一种免清洗铝 带劈刀的治具ZL202322133278.3李勤建,袁晨, 晏长春,任文 豪,陈剑江苏捷捷微电 子股份有限公 司2023.08.09实 用 新 型2024.4.26
12一种横向结构 的可控硅芯片 及其制造方法ZL202410350377.3陈英杰,张翼, 朱法扬江苏捷捷微电 子股份有限公 司2024.3.26发 明 专 利2024.5.27
13一种半导体器 件的终端结构 及其制造方法ZL201811356122.9刘锋周祥瑞 殷允超江苏捷捷微电 子股份有限公 司2018.11.15发 明 专 利2024.6.3
14一种功率集成 电路芯片及其 制作方法ZL202010461595.6张超,王成 森,欧阳潇, 沈怡东,王志捷捷半导体有 限公司2020.05.27发 明 专2024.05.14
      
15一种制作静电 放电保护器件 的方法及静电 放电保护器件ZL202010385238.6庄翔,张超捷捷半导体有 限公司2020.05.09发 明 专 利2024.05.14
16制造单向负阻 ESD保护器件 的方法及单向 负阻ESD保护 器件ZL202010385095.9庄翔,张超捷捷半导体有 限公司2020.05.09发 明 专 利2024.05.14
17一种封装测试 方法、装置以 及电子设备ZL202110813260.0庄翔、鲍灵 风、张超捷捷半导体有 限公司2021.07.19发 明 专 利2024.05.14
18一种半导体器 件制作方法ZL202110262572.7沈怡东,王成 森,张超,李 松松捷捷半导体有 限公司2021.03.11发 明 专 利2024.05.03
19一种带有应力 释放槽的汽车 二极管用烧结 模具及使用方 法ZL201910714321.0吴家健、姚霜 霜、尹佳军捷捷半导体有 限公司2019.08.03发 明 专 利2024.04.30
20一种具有失效 开路特征的大 功率半导体器 件ZL201910714323.X王成森、吴家 健捷捷半导体有 限公司2019.08.03发 明 专 利2024.04.09
21一种快恢复二 极管及其制备 方法ZL201811635757.2张超、欧阳潇捷捷半导体有 限公司2018.12.29发 明 专 利2024.04.05
22低压降二极管 及其制备方法ZL201910189075.1王成森、潘建 英、沈怡东、 欧阳潇捷捷半导体有 限公司2019.03.13发 明 专 利2024.03.19
23一种耐短路电 流中击的沟槽 MOSFET器件ZL202120318412.5刘锋,殷允 超,刘秀梅捷捷半导体有 限公司2021.02.04实 用 新 型2024.03.11
24种超高压 VDMOS集成电 路芯片及其制 备方法ZL202111206527.6刘秀梅|刘锋| 殷允超|周祥 瑞捷捷半导体有 限公司2021.10.15发 明 专 利2024.02.20
 一种钝化层制 作方法ZL202110373658.7沈怡东,张 超,徐冠东捷捷半导体有 限公司2021.04.07发 明 专 利2024.02.06
26一种钝化层制 作方法ZL202110565421.9王志超、徐 琦、胡潘婷捷捷半导体有 限公司2021.05.24发 明 专 利2024.02.02
27一种双芯片垂 直并联方式的 二极体封装结 构和制造方法ZL201710096253.7李成军、薛治 祥、张松捷捷半导体有 限公司2017.02.22发 明 专 利2024.01.02
28一种晶舟结构 与晶圆加工设 备ZL202321895241.8徐海峰;唐青 青;王悦捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.7.18实 用 新 型2024.1.5
29一种去胶机与 晶圆处理系统ZL202321950143.X徐剑;吕明;宗 亮亮;郑东捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.7.21实 用 新 型2024.1.9
30一种沟槽氧化 层结构及电子 设备ZL202321487819.6王友伟;徐雷 军;王成森捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.6.12实 用 新 型2024.1.19
31过滤装置及过 滤设备ZL20232 2056437.4郁明亚;唐青 青;梁维建捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.8.1实 用 新 型2024.3.8
32一种机台保养 排气装置ZL20232 2183843.7吴加美;吴胜 荣;吕明;范建 强捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.8.14实 用 新 型2024.3.8
33一种外门控制 装置与晶圆加 工设备ZL20232 2511709.5宗亮亮;吕明; 汤豪杰;徐剑捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.9.14实 用 新 型2024.3.22
34行星式穹顶安 装架和真空镀 膜机ZL20221 0430415.7谈晶;陆帅龙; 薛文明捷捷微电(南 通)科技有限 公司2022.4.22发 明 专 利2024.4.5
35一种离子注入 设备与系统ZL20232 2201583.1曹忱根;李文 斌;吴胜荣捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.8.15实 用 新2024.4.9
       
36一种炉管填充 片与晶圆加工 装置ZL20232 2564830.4何路长;唐青 青;郁明亚;徐 志江捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.9.20实 用 新 型2024.4.16
37一种排水气分 离装置ZL20232 2208376.9曹忱根;张云 飞;吴胜荣捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.8.16实 用 新 型2024.4.26
38一种氮化镓功 率器件ZL20232 2261030.5孙伟锋;张龙; 孙媛;刘斯扬; 王成森;周榕 榕捷捷微电(南 通)科技有限 公司2023.8.21实 用 新 型2024.5.3
39一种IGBT动态 结温测试电路ZL202322701521.7皮彬彬;刘洋; 陈宏;叶士杰; 郭亚楠;刁绅江苏易矽科技 有限公司2023.10.09实 用 新 型2024.04.30
40一种高精度的 碳化硅模块温 度保护方法及 系统ZL202311816066.3刘洋;陈宏;黄 健;叶士杰;郭 亚楠;刁绅;皮 彬彬江苏易矽科技 有限公司;江 苏捷捷微电子 股份有限公司2023.12.27发 明 专 利2024.06.28
41一种电容可调 的SGTIGBT结 构及制备方法ZL202311772446.1郭亚楠;陈宏; 黄健;叶士杰; 刘洋;刁绅;皮 彬彬江苏易矽科技 有限公司;江 苏捷捷微电子 股份有限公司2023.12.21发 明 专 利2024.05.30
截至本报告期内,公司获得授权专利252件,其中:发明专利77项,实用新型专利174项,外观专利1项。

已受理发明专利95项,受理实用新型专利34项。

其中:捷捷微电子截至月底获得授权专利76项,其中发明专利23项、实用新型专利53项。申请受理专利共计24件,其中:发明专利20件,实用新型专利4项。

其中:捷捷半导体截至月底获得授权专利122项,其中发明专利37项、实用新型专利84项、外观专利1项。

申请受理专利共计34件,其中:发明专利27件,实用新型7件。

其中:捷捷上海截至月底获得授权专利28项,其中发明专利9项,实用新型专利19项。申请受理专利共计8件,其中:发明专利8件。

其中:捷捷无锡截至月底获得授权专利0项,其中发明专利0项,其中实用新型专利0项。申请受理专利共计6件,其中:发明专利6件。

其中:捷捷南通科技截止月底获得授权专利22项,其中发明专利5项,实用新型17项。申请受理专利共计36件,其中:发明专利17件,实用新型19项。

其中:江苏易矽截至月底获得授权专利4项,其中发明专利3项,实用新型1项。申请受理专利共计20件,其中:发明专利16项,实用新型4项。

其中:捷捷新材料截至月底获得授权专利0项,实用新型专利0项。申请受理专利共计1件,其中:发明专利1项。

此外,截止本报告期末,公司共获得商标118项。其中:捷捷微电93项;捷捷半导体4项;捷捷上海17项;捷捷易矽4项。

三、主营业务分析
概述
参见“一、报告期内公司从事的主要业务”相关内容。

主要财务数据同比变动情况
单位:元

 本报告期上年同期同比增减变动原因
营业收入1,262,514,903.71901,026,620.1840.12%主要原因系公司销售 收入增长所致。
营业成本794,377,507.56580,726,565.0836.79%主要原因系销售增加 同步增加营业成本所 致。
销售费用36,162,535.0131,704,579.1914.06% 
管理费用81,412,279.9473,887,582.5310.18% 
财务费用12,217,539.965,104,857.44139.33%主要原因系公司贷款 利息支出和汇兑净损 失增加所致。
所得税费用29,919,284.81-2,677,222.10-1,217.55%主要原因系本期利润 和递延所得税费用较 上年同期增加所致。
研发投入133,963,544.92122,448,678.069.40% 
经营活动产生的现金 流量净额292,389,555.82173,205,381.1868.81%主要原因系销售回款 较上年同期增加所 致。
投资活动产生的现金 流量净额3,301,762.69-513,036,924.16-100.64%主要原因系控股子公 司捷捷微电(南通) 科技随着项目推进支 付的工程、设备款项 减少所致。
筹资活动产生的现金 流量净额-243,092,059.12391,207,836.76-162.14%主要原因系公司信用 贷款减少所致。
现金及现金等价物净 增加额51,551,463.4452,516,689.86-1.84% 
公司报告期利润构成或利润来源发生重大变动(未完)
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