[中报]华海清科(688120):2024年半年度报告

时间：2024年08月16日 17:06:17 中财网

原标题:华海清科:2024年半年度报告

公司代码：688120 公司简称：华海清科

华海清科股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述了公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者注意投资风险，审慎作出投资决定。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人张国铭、主管会计工作负责人王怀需及会计机构负责人（会计主管人员）王峰声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ........................................................................................................................ 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ........................................................................................ 5
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................... 8
第四节 公司治理 ............................................................................................................... 37
第五节 环境与社会责任..................................................................................................... 39
第六节 重要事项 ............................................................................................................... 42
第七节 股份变动及股东情况 ............................................................................................. 67
第八节 优先股相关情况..................................................................................................... 73
第九节 债券相关情况 ........................................................................................................ 73
第十节 财务报告 ............................................................................................................... 74

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责人签名并盖章的财务报表
	经公司负责人签名的公司2024年半年度报告文本原件
	报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
华海清科、公司、本公司	指	华海清科股份有限公司
华海清科（北京）	指	华海清科（北京）科技有限公司
清控创投	指	清控创业投资有限公司
清华控股	指	清华控股有限公司，现已更名为“天府清源控股有限公司”
四川能投	指	四川省能源投资集团有限责任公司
科海投资	指	天津科海投资发展有限公司
清津厚德	指	清津厚德（天津）科技合伙企业（有限合伙）
清津立德	指	清津立德（天津）科技合伙企业（有限合伙）
清津立言	指	清津立言（天津）科技合伙企业（有限合伙）
国投创业基金	指	国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）
金浦国调	指	上海金浦国调并购股权投资基金合伙企业（有限合伙）
长江存储	指	长江存储科技有限责任公司
中芯国际	指	中芯国际集成电路制造有限公司
华虹集团	指	上海华虹（集团）有限公司
长鑫存储	指	长鑫存储技术有限公司
盛合精微	指	盛合晶微半导体（江阴）有限公司
长电科技	指	江苏长电科技股份有限公司
《公司章程》	指	《华海清科股份有限公司公司章程》
股东大会	指	华海清科股份有限公司股东大会
董事会	指	华海清科股份有限公司董事会
监事会	指	华海清科股份有限公司监事会
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
中国证监会	指	中国证券监督管理委员会
上交所	指	上海证券交易所
半导体	指	常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，按照制造技 术可分为集成电路（IC）、分立器件、光电子和传感器，可 广泛应用于下游通信、计算机、消费电子、网络技术、汽车 及航空航天等产业
IC、集成电路、芯片	指	Integrated Circuit的简称，指集成电路，通常也叫芯片 （Chip），是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺， 把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布 线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片 上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型 结构
化学机械抛光（CMP）	指	Chemical Mechanical Polishing，集成电路制造过程中实 现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺
晶圆、基片、Wafer	指	晶圆指制造集成电路芯片的衬底（也叫基片）。由于是晶体 材料，其形状为圆形，所以称为晶圆。按其直径主要分为6 英寸、8英寸、12英寸等规格
硅片	指	SiliconWafer，半导体级硅片，用于集成电路、分立器件、 传感器等半导体产品制造
晶圆再生、再生晶圆	指	对晶圆制程所需挡、控片（材质为晶圆）进行回收，通过去 除晶圆表面的杂质和缺陷，使处理后的晶圆在平整度和表面 的颗粒数量上都达到新片的标准，实现其循环再利用
减薄	指	对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度 磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态
封装	指	在半导体开发的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在 支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电 路板的工艺技术
先进封装	指	处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结 构的封装、圆片级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D 封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴
MEMS	指	Micro Electro Mechanical System，微机电系统
逻辑芯片	指	一种通用芯片，它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定
DRAM	指	动态随机存取存储器，属于易失性存储器
NAND	指	闪存，属于非易失性存储器
Chiplet	指	芯粒,预先制造好、具有特定功能、可组合集成的晶片
HBM	指	HighBandwidthMemory的缩写，即高带宽内存，是一种新型 的CPU/GPU内存芯片
MicroLED	指	微发光二极管，一种新型的显示器件
Cu/Al/W	指	铜/铝/钨，芯片加工常用的金属材料
节点、制程	指	泛指在集成电路制造过程中的“晶体管栅极宽度的尺寸”， 尺寸越小，表明工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上， 可以制造出更多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用 更小的空间，主要节点如90nm、65nm、45nm、28nm、14nm、 7nm、5nm等
SEMI	指	Semiconductor Equipmentand Materials International， 国际半导体设备与材料产业协会
报告期	指	2024年1-6月
报告期期末	指	2024年6月30日

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	华海清科股份有限公司
公司的中文简称	华海清科
公司的外文名称	Hwatsing Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写	Hwatsing
公司的法定代表人	张国铭
公司注册地址	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
公司注册地址的历史变更情况	2021年10月19日注册地址由天津市津南区咸水沽镇聚兴道9 号3号楼一层变更为天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
公司办公地址	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
公司办公地址的邮政编码	300350
公司网址	www.hwatsing.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	不适用

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	王同庆	王旭
联系地址	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号
电话	022-59781962	022-59781962
传真	022-59781796	022-59781796
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	上海证券报、中国证券报、证券日报、证券时报
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号证券部
报告期内变更情况查询索引	不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所科创板	华海清科	688120	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
√适用 □不适用

报告期内履行持续督 导职责的保荐机构	名称	国泰君安证券股份有限公司
	办公地址	中国（上海）自由贸易试验区商城路618号
	签字的保荐代表人姓名	陈圳寅、裴文斐
	持续督导的期间	2022年6月8日至2025年12月31日

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入	1,496,518,920.68	1,234,424,929.07	21.23
归属于上市公司股东的净利润	432,651,363.46	374,097,280.17	15.65
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	368,257,010.57	307,458,275.64	19.77
经营活动产生的现金流量净额	372,015,773.46	268,502,815.49	38.55
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	5,881,379,075.86	5,517,735,976.37	6.59
总资产	10,294,135,034.60	9,117,359,632.14	12.91

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同 期	本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）	2.72	2.35	15.74
稀释每股收益（元／股）	2.72	2.35	15.74
扣除非经常性损益后的基本每股收益（元／股）	2.32	1.93	20.21
加权平均净资产收益率（%）	7.54	7.53	增加0.01个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%）	6.42	6.19	增加0.23个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	11.72	11.24	增加0.48个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2024年上半年，公司积极把握集成电路产业需求拉动所带来的市场机遇，持续加大研发投入和生产能力建设，增强了企业核心竞争力，公司CMP产品作为集成电路前道制造的关键工艺装备之一，获得了更多客户，市场占有率不断提高。随着公司CMP产品的市场保有量不断扩大，关键耗材与维保服务等业务规模逐步放量，同时晶圆再生及湿法装备收入逐步增加，公司营业收入及净利润均较同期增长，但股份支付费用导致相关费用的增幅高于营业收入的增幅,因此归母净利润及扣非净利润增幅略低于营业收入增幅。

2024年上半年度经营活动产生的现金流量净额较上年同期大幅增加，主要系公司业务规模扩大，销售回款增加。

报告期末，归属于上市公司股东的净资产较上年末增加6.59%，总资产较上年末增加12.91%，主要系公司盈利以及存货增加的影响。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减值准备的冲销部分	-7,200.72
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关、 符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损益产生持 续影响的政府补助除外	50,481,235.80
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，非金融企 业持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益以及处置 金融资产和金融负债产生的损益	17,112,100.18
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	108,604.46
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	3,300,386.83
少数股东权益影响额（税后）
合计	64,394,352.89

定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 √适用 □不适用
单位：元币种：人民币

项目	涉及金额	原因
软件增值税即征 即退退税	68,239,394.70	公司所销售产品中的嵌入式软件增值税即征即退是因 公司正常经营业务产生的持续性事项，与主营业务密 切相关且能够持续取得，体现公司正常的经营业绩和 盈利能力，不符合非经常性损益的定义，因此归于经 常性损益。
增值税加计抵减	24,793,281.31	根据财政部、国家税务总局相关规定，公司作为集成电 路企业自2023年1月1日至2027年12月31日期间 可按照当期可抵扣进项税额加计 15%抵减应纳增值税 税额，公司子公司华海清科（北京）作为先进制造业企 业自2023年1月1日至2027年12月31日期间可按 照当期可抵扣进项税额加计 5%抵减应纳增值税税额， 上述抵减是按照确定的标准享有、对公司损益产生持 续影响的政府补助，不符合非经常性损益的定义，因此 归于经常性损益。

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一) 所属行业及产品
公司主要从事半导体专用装备的研发、生产、销售及技术服务，根据中国证监会颁布的《上市公司行业分类指引（2012年修订）》，公司属于专用设备制造业（行业代码：C35）。根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司属于专用设备制造业下的半导体器件专用设备制造（行业代码：C3562）。根据国家统计局《战略性新兴产业分类（2018）》，公司属于“1、新一代信息技术产业”中“1.2.1新型电子元器件及设备制造-3562*半导体器件专用设备制造”。

公司是一家拥有核心自主知识产权的高端半导体装备供应商，自成立以来始终坚持自主创新的发展路线，在纳米级抛光、纳米精度膜厚在线检测、纳米颗粒超洁净清洗、大数据分析及智能化控制等关键技术层面取得了有效突破和系统布局，开发出了CMP装备、减薄装备、划切装备、湿法装备、晶圆再生、关键耗材与维保服务等，初步实现了“装备+服务”的平台化战略布局。公司主要产品及服务已广泛应用于集成电路、先进封装、大硅片、第三代半导体、MEMS、MicroLED等制造工艺，具体如下：


1、CMP装备

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
Universal H300		具有四个12英寸抛光单元，通过创新抛光系统 架构设计，并优化清洗技术模块，具有更好的晶 圆清洗效果，整机性能大幅提高，满足集成电 路、先进封装、大硅片等制造工艺。
Universal-300E		具有四个 12英寸抛光单元和单套组合清洗单 元，可配备 7区抛光头，可集成多种终点检测 技术，满足集成电路、先进封装、大硅片等制造 工艺。
Universal-300Dual		具有四个 12英寸抛光单元和双套组合清洗单 元，可集成多种终点检测技术，满足集成电路、 先进封装、大硅片等制造工艺。
Universal-300X		具有四个 12英寸抛光单元和双套组合清洗单 元，配备 7区抛光头，可集成多种终点检测技 术，满足集成电路、先进封装、大硅片等制造工 艺。
Universal-300T		在Universal-300X机型基础上搭载了更先进的 组合清洗技术，可满足集成电路、先进封装、大 硅片等制造工艺。
Universal-200Smart		具有四个8英寸抛光单元和单套组合清洗单元， 可集成多种终点检测技术，满足集成电路、先进 封装、硅片、第三代半导体、MEMS、MicroLED等 制造工艺。
Universal-150Smart		可用于 6-8英寸各种半导体材料抛光，拥有四 个独立的抛光单元，工艺搭配灵活，产出率高， 满足第三代半导体、MEMS等制造工艺。

2、减薄装备

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
Versatile-GP300		集成超精密磨削、抛光及清洗单元，配置先进的 厚度偏差与表面缺陷控制技术，提供多种系统 功能扩展选项，具有高精度、高刚性、工艺开发 灵活等优点，可以满足集成电路、先进封装等制 造工艺的12英寸晶圆减薄需求。
Versatile-GM300		面向封装领域的晶圆减薄贴膜一体机，兼容 8/12英寸晶圆，采用新型布局，可实现薄型晶 圆背面超精密磨削与应力去除，依托卓越的厚 度在线测量与表面缺陷控制技术，具有高精度、 高刚性、工艺开发灵活等优点，满足封装领域的 薄型晶圆加工需求。

3、划切装备

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
Versatile-DT300		集成切割、传输、清洗及量测单元，配置高速高 扭矩主轴控制、高分辨率视觉对准及测量、高精 密多轴联动切割、全自动传输及高洁净度清洗等 先进技术，具有高精度、工艺开发灵活等优点， 可满足集成电路、先进封装等制造工艺的12英 寸晶圆边缘切割需求。

4、清洗装备

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
HSC-S3810		主要应用于12英寸集成电路FEOL/BEOL晶圆正 背面及边缘清洗，通过二流体喷嘴与刷洗相结 合实现高效微粒去除。配备抽拉式腔室设计和 高精度的远程气液路流量等参数闭环控制，具 有维护便捷、产能高等特点，适用于大规模产线 应用。
HSC-F3400		应用于12英寸硅衬底CMP工艺后清洗，具备正 面和背面清洗功能，采用独特的腔室气流流场 设计保证工艺腔室内流场稳定。配备新颖的晶 圆背面清洗和背面干燥模块，具有维护便捷、工 艺调整灵活、产能高等特点，适用于大规模产线 端应用。
HSC-S1300		主要应用于 4/6/8英寸化合物半导体的刷片清 洗设备，具备正面和背面刷洗功能。整机集成水 平刷洗及单片清洗干燥技术，可满足晶圆干进 干出和湿进干出两种放片模式。机台兼容酸性 溶液清洗和碱性溶液清洗，兼容透光和不透光 晶片的清洗。
HCC-3080S		应用于4/6/8/12英寸片盒清洗。盒内外侧增压 喷淋方式实现高效清洗。双门设计，片盒装载移 出独立，降低污染风险。可配置水回收装置，减 少纯水消耗。

5、供液系统

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
HSDS		满足半导体制造过程中湿法工艺设备的研磨液 等供应需求，操作维护便捷，具有高可靠性、安 全性和低维护保养成本、配置灵活等优点。
HCDS		满足半导体制造过程中湿法工艺设备的清洗液 等化学品供应需求，操作维护便捷，具有高可靠 性、安全性和低维护保养成本、配置灵活等优 点。

6、膜厚测量装备

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
FTM-M300DA		可进行非接触式、无损伤测量，精度高、测量结 果可靠、准确，边缘测试性能优异，可实现3D 形貌可视化，主要应用于 Cu、Al、W、Co等金 属制程。

7、晶圆再生

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
晶圆再生		晶圆再生是将集成电路制造厂商在制造芯片的 过程中使用过的控挡片回收，将其工艺薄膜、金 属颗粒残留等杂质去除，使其达到再次使用的 标准，公司为客户提供晶圆再生服务和再生晶 圆销售。

8、关键耗材与维保服务

类别/型号	图示	产品特征/应用领域
关键耗材与维保		关键耗材与维保服务主要是向客户的CMP装备 提供关键易磨损零部件的维保、更新服务，以保 证设备的稳定运行。关键耗材主要包括抛光头、 保持环、气膜等，维保服务主要包括为客户进行 抛光头维保等。

(二) 主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事半导体专用装备的研发、生产、销售及技术服务，通过向下游集成电路制造商及科研院所等客户销售CMP、减薄、划切、清洗等半导体装备，并提供关键耗材与维保、升级等技术服务和晶圆再生业务。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体装备产品的销售，其他收入来源于关键耗材与维保、晶圆再生等技术服务。

2、研发模式
公司主要采取自主研发模式，取得了CMP装备、减薄装备、划切装备、清洗装备、膜厚测量装备等关键核心技术领域的重要成果。集成电路装备研发难度极高，按照国际行业惯用研发模式，公司的产品研发及商品化流程主要包括规划和概念阶段、设计阶段、开发实现阶段（Alpha和Beta）、验证确认阶段、量产及生命周期维护阶段。

3、采购模式
公司采购的主要原材料包括机械标准件类、机械加工类、气体/液体控制类、电气类和机电一体类等，其中机械加工类是供应商依据公司提供的图纸自行采购原材料并完成定制加工的零部件。其他常规标准零部件，公司面向市场进行独立采购。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。公司会根据主生产计划、物料BOM清单和零部件的库存量，动态计算和更新零部件的采购计划，并按照采购计划在《合格供应商名录》中选择供方并进行采购。采购物资送达后，质量部进行到货检验，检验合格后由库房部办理入库手续，完成采购。

4、生产模式
公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产和库存式生产相结合的生产管理方式。基于公司设备采用模块化设计的优势，公司在客户有较明确采购预期就可以开始安排销售机台的模块库存式生产，通常先预生产一部分通用模块,等待获得正式订单后再开始订单式生产，根据确定的参数配置需求设计差异模块，生产剩余的通用模块（如有）和定制化方案中的差异模块并完成总装、测试。

5、销售模式
公司通过直销模式销售产品，与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。公司设有市场营销部负责市场开发、产品的销售，同时技术服务中心的服务工程师在客户所在地驻场工作，负责公司产品的安装、调试、保修、维修、技术咨询。同时，公司也从事CMP等装备有关的耗材、配件销售以及相关技术服务，对于客户的设备耗材、备件以及维保、工艺测试、设备升级、晶圆再生等服务需求，公司在与之签订相关合同或订单后，协调公司有关部门完成相关发货、安装、测试等。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司在纳米级抛光、纳米精度膜厚在线检测、纳米颗粒超洁净清洗、大数据分析及智能化控制和超精密减薄等领域研发的核心技术达到了国内领先的水平，主要核心技术概况如下：

序号	核心技术类别	核心技术名称	技术来源	具体表征
1	纳米级抛光	直驱式抛光驱动技 术	自主研发	抛光盘与转子整体形成，支撑轴承的内圈固定安装于转 子轴盘，支撑轴承的外圈固定安装于轴承座内，支撑轴 承为转子轴盘和抛光盘提供精密的旋转支撑，直驱电机 定子通过支撑盘安装于转子轴盘内部。
2
		多区压力调控抛光 技术	自主研发	TM 即Flapa 系列承载头成套产品，具有多元迭代的弹性膜 耦合连接部和自动补偿的叠层边缘结构，可实现腔室压 力的协同及独立调控，将动态终端控制分区从 6个扩展 至8个，提升边缘区域调压能力。
3
		自适应承载头技术	自主研发	结合历史工艺数据的分析和制程需求，在承载头的内部 设置由复合材料和/或功能合金制成的旋转枢轴，通过适 应性吸收电磁波干扰，实现不同类型晶圆抛光的准确停 止，并且旋转枢轴的外缘部与承载头基座的内壁形成为 线性隔离接触，增加基板与抛光垫之间的平行度。
4
		自适应性抛光技术	自主研发	在承载头的内部设置复合材料和功能合金制成的旋转枢 轴，选择性吸收电磁波干扰，实现化学机械抛光的准确 停止；承载头的内部设置用于定心的旋转枢轴，旋转枢 轴的外缘部与承载头基座的内壁形成为线性的隔离接 触。
5	纳米精度膜厚 在线检测	归一化抛光终点识 别技术	自主研发	根据驱动抛光盘的电机负载率随时间变化率、摆臂的摆 动角度随时间变化率和承载头相对于抛光盘中心的摆动 距离随时间变化的数据，计算得到归一化摩擦力矩随时 间变化的数据，以消除抛光单元运行参数的波动影响。
6	纳米颗粒超洁 净清洗	马兰戈尼干燥技术	自主研发	TM 即VRM 竖直干燥装置，采用可旋转固定的整流喷头组件 将干燥溶剂喷射至“气-固-体”的三相交界线，整流喷 头组件的喷头的喷射角度和距离均经过系统性迭代优 化，能够将漂洗液准确喷射至晶圆表面形成完整的螺旋 液流膜并将干燥气体喷射覆盖所述三相交界线。
7
		智能清洗技术	自主研发	在清洗刷从初始位置移向晶圆的过程中，根据驱动电机 负载变化，检测清洗刷与晶圆的接触状态并记录为接触 零点，按照预设工艺控制清洗刷在设定位置对晶圆刷洗； 并且将清洗效果、清洗刷与晶圆的距离以及刷洗摩擦力 矩等参数构建模型，迭代优化预设工艺流程。
8
		工艺腔室气流场改 善技术	自主研发	通过新型气流场布局形式，完善并优化腔室内部尤其是 被清洗晶圆周边气流场，避免了气流的紊流现象。通过 工艺过程微环境性能的提升，使得清洗工艺效果得到显 著提升。
9	大数据分析及 智能化控制	高产能设备架构技 术	自主研发	采用多工位串行并行兼容的模块化布局，基于浏览器/服 务器模式的符合SEMI标准的分布式工程控制软件，引入 复杂工艺流程调度及应急处理与恢复算法来处理系统级 颗粒污染控制等集成难题，保证设备的可靠性和高效率。
10
		抛光装备运行参数 智能监测与调控技 术	自主研发	实时监控抛光垫的形貌和表面温度等运行参数，同时利 用电涡流传感器测量保持环金属部的位移，预测其磨损 程度，并使上述运行参数与磨损程度等数据与承载头的 载荷耦联，调控承载头的载荷施加。
11
		基于智能控制的抛 光技术	自主研发	TM 即 SPTC 智能调控系统，获取抛光压力分布、去除速率 形貌、目标去除速率形貌、压力响应模型，然后利用目
				标去除速率形貌和去除速率形貌计算去除速率形貌变 化；利用去除速率形貌变化和压力响应模型计算压力变 化并通过历史大数据回归分析推荐抛光参数。
12	超精密减薄	超精密研磨面形控 制技术	自主研发	将研磨面形特征分解为凹凸度和饱满度，采用非接触测 量方式，检测晶圆关键位置的厚度，省去中间位置的检 测步骤，基于人工智能技术，构建磨抛参数与晶圆面形 智能模型，精确预测磨抛补偿参数，提升面形控制的准 确性。
13
		超精密集成减薄技 术	自主研发	通过移动缓存部在集成设备空间的磨削单元和化学机械 抛光单元之间传输晶圆，并具有固定机构、定心机构和 水平移动机构，定心机构设置在固定机构上以将放置于 固定机构的基板定位至与固定机构同心的位置，固定机 构与水平移动机构连接以使固定机构带载基板水平高速 移动提高机台生产效率。
14
		超精密集成减薄智 能控制技术	自主研发	根据化学机械抛光之前测量的晶圆的厚度分布与历史大 数据的比较分析，通过机器学习调整承载头对晶圆的各 分区的预加载，同时根据对晶圆进行化学机械抛光期间 在线测量的厚度分布和TTV阈值实时调整压力分布。

国家科学技术奖项获奖情况
√适用 □不适用

奖项名称	获奖年度	项目名称	奖励等级
国家技术发明奖	2023年度	集成电路化学机械抛光关键技术与装备	一等奖

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
华海清科股份有限公司	国家级专精特新“小巨人”企业	2021年度 （2023年复 审通过）	化学机械抛光设备
华海清科股份有限公司	单项冠军示范企业	2021年度	化学机械抛光设备

2. 报告期内获得的研发成果
截至2024年6月30日，公司累计获得授权专利388件，软件著作权29件。具体情况详见下表：
报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	16	17	493	203
实用新型专利	0	3	196	185
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	2	3	31	29
其他	0	1	90	72
合计	18	24	810	489

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	170,878,607.64	138,709,837.94	23.19
资本化研发投入	4,499,172.57	-	不适用
研发投入合计	175,377,780.21	138,709,837.94	26.43
研发投入总额占营业收入比例（%）	11.72	11.24	增加0.48个百分点
研发投入资本化的比重（%）	2.57	-	增加2.57个百分点

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司高度重视核心技术的研发和创新以及技术人才的挖掘和培养，持续加大研发投入。本期研发投入中研发人员薪酬大幅增加，同时新增加对研发人员的股份支付费用。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序号	项目名称	预计总投 资规模	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或阶段 性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用前景
1	关键零部件项目	21,400.00	897.52	21,844.15	产业化应用	研制出集成电路设备相关核心零 部件，满足产业化应用要求。	国际先进水平	集成电路设备
2	先进抛光装备项目	3,890.00	967.62	4,064.86	产业化应用	研制先进半导体领域专用的抛光 设备，满足量产要求。	国际先进水平	第三代化合物 半导体
3	先进零部件项目	8,400.00	2,215.61	4,859.41	产业化应用	研制纳米级先进零部件，通过集 成验证与应用，满足集成电路精 密制造需求。	国际先进水平	集成电路设备
4	先进CMP工艺项目	2,600.00	2,124.27	4,792.38	产业化应用	突破先进制程CMP材料及工艺技 术，具备先进制程CMP工艺整体 解决方案的能力。	国际先进水平	先进制程逻辑 芯片制造
5	3D NAND芯片制造Oxide CMP装备研发	1,360.00	76.69	730.02	产业化应用	研制3D NAND Oxide CMP装备， 满足量产要求。	国际先进水平	≥128层3D NAND芯片制造
6	先进湿法设备项目	1,194.50	22.07	632.03	工艺验证	研制半导体湿法设备并满足量产 要求。	国际先进水平	逻辑芯片、存 储芯片
7	300mm晶圆超精密全自动 Trimming机台	1,816.00	870.43	1,268.29	客户端验证	研制出关键集成电路设备 Trimming机台，满足产业化应用 要求。	国际先进水平	集成电路设备
8	CMP过程白光在线测量技 术研究与开发	1,106.00	318.51	826.58	测试阶段	研制光学在线量测模块，实现晶 圆非金属膜层厚度的CMP过程在 线测量，满足产业化应用要求。	国际先进水平	集成电路设备
9	膜厚探测器在12英寸晶 圆减薄装备的集成应用	450.00	66.99	264.47	测试阶段	研制12英寸晶圆高精度减薄验证 平台，实现膜厚传感器在减薄装 备上的集成与应用，满足产业化 应用要求。	国际先进水平	集成电路设备
10	先进制程关键零部件	19,500.00	7,000.99	19,302.53	工艺验证	研制用于先进制程的关键零部 件，满足产业化应用要求。	国际先进水平	集成电路设备
11	具有竖直擦洗的300 TS 机台开发	1,810.00	829.01	1,001.94	工艺验证	研制用于高端制程的CMP设备， 提高清洗能力，满足产业化应用 要求。	国际先进水平	集成电路设备
12	竖直擦洗技术在高端Cu 制程的应用研究	470.00	355.17	355.17	测试阶段	研制基于竖直清洗体系的竖直擦 洗清洗技术与模组，满足产业化 应用要求。	国际先进水平	集成电路设备
13	华海清科天津市重点实验 室创新能力建设项目	780.00	64.89	64.89	设计阶段	攻克先进非金属制程膜厚测控、 智能调控等关键CMP核心技术， 满足产业化应用要求。	国际先进水平	集成电路设备
14	其他项目	7,920.00	1,728.01	4,040.76	/	/	/	/
合计	/	72,696.50	17,537.78	64,047.48	/	/	/	/

情况说明
因部分项目新增研发内容，项目预计投资规模增加。

5. 研发人员情况
单位:万元币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	527	373
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	36.60	33.36
研发人员薪酬合计	7,791.24	5,976.33
研发人员平均薪酬	16.16	16.02

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士研究生	16	3.04
硕士研究生	242	45.92
本科	245	46.49
专科	23	4.36
高中及以下	1	0.19
合计	527	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
30岁以下（不含30岁）	238	45.16
30-40岁（含30岁，不含40岁）	245	46.49
40-50岁（含40岁，不含50岁）	42	7.97
50-60岁（含50岁，不含60岁）	2	0.38
合计	527	100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
（1）掌握核心技术，技术储备丰富
公司高度重视核心技术的自主研发与创新，保持高额的研发投入，保证了科技创新成果的持续输出。通过承担、实施各类重大科研项目，公司的技术创新能力得到了显著的提升，先后攻克了纳米级抛光、纳米颗粒超洁净清洗、纳米精度膜厚在线检测、大数据分析及智能化控制等多项关键核心技术，研制出具有自主知识产权的CMP装备系列产品，满足逻辑芯片、存储芯片、先进封装、大硅片等制造工艺。同时公司围绕集成电路先进制程中晶圆减薄、再生晶圆代工等市场需求，突破了晶圆减薄装备、划切装备、清洗装备、供液系统、晶圆再生、关键耗材与维保服务等技术，并不断向更高性能和更先进制程突破。公司在不断研发与创新的过程中注重对技术成果的保护，截至2024年6月30日，公司累计获得授权专利388件，软件著作权29件。

（2）资深、优秀的研发技术团队
公司高度重视技术人才的培养和发掘，坚持人才培养与优秀人才引进并举的策略，持续培养和引进国际及国内一流的技术人才，形成了以董事长兼首席科学家路新春先生为核心的技术研发团队，主要核心技术团队成员均有多年集成电路行业从业研究经历。同时，公司在研发高端半导体装备的过程中，坚持自主创新，通过承接国家重大专项及地方重大科研任务，培养建立了高效稳定的研发人才体系，截至2024年6月30日，公司研发人员达527人，占公司总人数的36.60%，形成了具有层次化的人才梯队。

（3）健全有效的质量管理体系
公司秉承以客户为中心的原则，将质量管理体系贯穿到整个价值链当中，为客户提供高质量的产品和一流的服务。公司建立了符合行业规范的全面质量管理体系，于2014年通过GB/T19001-2016/ISO9001:2015质量管理体系认证并持续保持其有效性；于2021年通过ISO22301:2019业务连续性管理体系认证并持续保持其有效性；针对晶圆再生业务通过了IECQQC080000:2017有害物质过程管理体系认证；报告期内再次完成ISO9001:2015质量体系再认证工作。公司常态化组织公司员工参与质量培训，提升专业能力，推动质量问题流程改进与机制升级。公司始终将保证产品质量贯穿到产品研发、设计和生产各个环节中，并通过质量标准化操作和规范化业务处理流程，保证各项业务和流程在所有环节均处于可控状态，产品质量和可靠性得到客户的高度认可。

（4）优质、稳定的客户资源
公司自成立至今，一直专注于高端半导体设备和工艺及配套耗材的研发，坚持自主研发和持续创新，产品已成功进入中芯国际、长江存储、华虹集团、长鑫存储、盛合精微、长电科技等行业知名芯片制造企业，取得了良好的市场口碑，与客户建立了良好的合作关系。公司通过在上述集成电路制造企业的产品验证过程，对客户的核心需求、技术发展的趋势理解更为深刻，有助于在设备具体定制化研发方向的选择上更加贴近客户的需求。

（5）安全、完善的供应链
公司较早就开始投入较大精力进行核心零部件的自主研发及国内零部件供应商的培养，以实现公司产品零部件的自主可控，目前公司与核心供应商建立了密切的合作关系，已经建立了完善、稳定的供应链体系，保证公司产品原料来源的稳定性及可靠性。同时公司为提高核心竞争力和保障国产设备零部件的供应链安全，成立子公司建设半导体设备关键零部件孵化平台，培育一批有潜力的半导体设备专用高精密零部件项目，扩大市场竞争优势，与公司现有业务形成良性的互动和补足。

（6）本地化的售后服务
半导体设备制造商售后服务的快速响应和无障碍沟通方面尤为关键，关系到设备在客户生产线上正常、稳定地运行。随着半导体制造环节向亚洲尤其是中国大陆转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近客户，能提供更快捷、更经济、更顺畅的技术支持和客户服务。为保证公司的售后服务水平，公司组建了一支现场与远程相结合的经验丰富的技术支持和售后服务团队，累计覆盖27个区域超91个客户群体，保证7×24小时快速响应客户的需求，并在约定时间内到达现场排查故障、解决问题。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2024年，全球半导体市场普遍呈现出回暖态势，随着消费电子市场的持续复苏以及人工智能（AI）应用领域的加快落地，行业逐步走出景气底部区间，有望迎来新一轮的增长周期。同时随着AI、高性能计算等领域的快速发展，对芯片性能和功耗的要求不断提高，通过内部互联技术实现多个模块芯片与底层基础芯片封装的Chiplet和基于2.5D/3D封装技术将DRAM Die垂直堆叠的高带宽存储器（HBM）等先进封装技术和工艺成为未来发展的重要方向。公司主打产品 CMP装备、减薄装备均是芯片堆叠技术、先进封装技术的关键核心装备，将获得更加广泛的应用，也是公司未来长期高速发展的重要机遇。

作为一家拥有核心自主知识产权的高端半导体装备供应商，公司始终坚持以技术创新为企业发展的驱动力，并努力践行“装备+服务”的平台化发展战略，深耕集成电路制造上游产业链关键领域，大力发掘CMP装备、减薄装备、划切装备、湿法装备、测量装备、晶圆再生、耗材服务等集成电路领域的新机会，持续优化企业管理体系及客户服务保障能力，努力提高产品市场表现及竞争能力。报告期内，公司在技术突破、产品研发、市场竞争、规范治理等方面不断向世界一流水准迈进。

1、持续推进新产品新工艺开发，市场竞争力稳步提升
公司产品研发始终坚持以市场和客户需求为导向，持续深耕半导体关键装备与技术服务，一方面基于现有产品不断进行更新迭代，另一方面积极布局新技术新产品的开发拓展，在CMP装备、减薄装备及其他产品方面取得了积极成果。

（1）CMP装备
公司高度重视CMP产品的技术和性能升级，推出了满足更多材质工艺和更先进制程要求的新功能、新模块和新产品，持续推进面向更高性能、更先进节点的CMP装备开发及工艺突破，市场占有率持续提升。公司推出的全新抛光系统架构CMP机台Universal H300已经实现小批量出货，客户端验证顺利；面向第三代半导体的新机型正在进行客户需求对接，预计2024年下半年发往客户验证。

（2）减薄装备
公司基于自身对CMP装备领域的深耕和技术积累，开发出适用于先进封装领域和前道晶圆制造背面减薄工艺的减薄装备，12英寸超精密晶圆减薄机 Versatile–GP300已取得多个领域头部企业的批量订单，获得客户的高度认可；12英寸晶圆减薄贴膜一体机 Versatile–GM300已发往国内头部封测企业进行验证。

随着公司减薄装备量产化进程快速推进，为提高核心竞争力和保障国产设备零部件的供应链安全，公司积极推进减薄装备核心零部件国产化进程，持续推进国内零部件供应商的培养和自研投入力度，报告期已完成主轴、多孔吸盘等核心零部件国产化开发，部分已达到量产条件。

（3）划切装备
公司研发出满足集成电路、先进封装等制造工艺的12英寸晶圆边缘切割装备，集成切割、传输、清洗及量测单元，配置高速高扭矩主轴控制、高分辨率视觉对准及测量、高精密多轴联动切割、全自动传输及高洁净度清洗等先进技术，具有高精度、工艺开发灵活等优点，已发往多家客户进行验证。

（4）清洗装备
公司在CMP整机装备、成套工艺等贯穿式研究过程中掌握了纳米颗粒超洁净清洗相关的核心技术并达到了国内领先水平，且公司CMP产品中配备的清洗单元能够在抛光完成后对晶圆表面污染物残留进行有效去除，基于公司在此领域的技术积淀和集成电路客户需求，公司积极开展清洗装备的研发工作，是公司立足产业化、面向市场需求全面发展的又一重要布局。公司自主研发的清洗装备已批量用于公司晶圆再生生产；本报告期，应用于4/6/8英寸化合物半导体的刷片清洗装备已通过客户端验收；应用于4/6/8/12英寸片盒清洗装备已取得小批量订单，待发往客户端进行验证。

（5）供液系统
用于湿法工艺装备中研磨液、清洗液等化学品供应的SDS/CDS供液系统装备已获得批量采购，在国内众多集成电路客户实现产业化应用。

（6）膜厚测量装备
应用于Cu、Al、W、Co等金属制程的薄膜厚度测量装备已发往多家客户验证，测量精度高、结果可靠、准确，本报告期已取得某集成电路制造龙头企业的批量重复订单。

（7）晶圆再生业务
公司以自有CMP装备和清洗装备为依托，针对下游客户生产线控片、挡片的晶圆再生需求，积极拓展晶圆再生业务，目前已成为具备Fab装备及工艺技术服务的晶圆再生专业代工厂。公司通过采用先进的CMP研磨方式，大幅提升再生晶圆的循环使用次数，获得客户的高度认可，在更先进制程再生晶圆服务方面具有更强竞争力，获得多家大生产线批量订单并长期稳定供货，并积极推进产能扩张进程。

（8）关键耗材与维保服务
CMP装备是运动损耗较多、材料消耗较多的半导体工艺设备，在运行过程中会产生大量的耗材和零部件消耗，需要在设备运行一定周期后持续维保，或进行相应模块替换以保证设备性能。

随着消费电子需求端回暖，客户产线利用率预计将快速提升，同时叠加公司CMP装备保有量的不断攀升，耗材零部件、抛光头维保服务等业务量也会相应提升，关键耗材维保及技术服务将成为公司新的利润增长点。

2、突出政治引领作用，提升党建工作实效
公司始终秉承“思想立党、机制建党、创新强党、融合促党”的工作理念，把党的政治优势转化为企业的竞争优势和发展优势。公司领导班子高度重视思想建设，坚持先学一步、深学一层，积极开展党纪学习教育和廉洁警示教育，扎实推进党风廉政建设和反腐败工作。公司党总支持续创新方法、优化质效，开展特色党建活动，推动党建工作质效双升。通过专题辅导、交流研讨、警示教育、主题宣讲、廉洁党课等多种方式，切实将党纪学习教育成果转化为解决问题、改进工作、促进发展的实际举措。不断以“党建+”的思维推进党建工作和中心工作有机融合，以高质量党建引领全体党员群众勇于担当、积极作为，改革创新、锐意进取，为企业高质量发展注入“红色力量”。（未完）