[中报]艾森股份(688720):2024年半年度报告
|
时间：2024年08月16日 19:11:11 中财网 |
|
原标题:
艾森股份:2024年半年度报告
公司代码：688720 公司简称：
艾森股份
江苏艾森半导体材料股份有限公司
2024年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析：五、风险因素”部分内容。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人张兵、主管会计工作负责人吕敏及会计机构负责人（会计主管人员）梅瑜声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2024年半年度利润分配预案为：公司拟以实施权益分派股权登记日登记的股份总数扣减公司回购专用证券账户中的股份数为基数，向全体股东每10股派发现金红利人民币0.45元（含税）。截至2024年8月16日，公司总股本88,133,334股，扣减回购专用证券账户中股份数291,073股后为87,842,261股，以此计算拟派发现金红利人民币3,952,901.75元（含税），占2024年半年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的28.77%。
本次利润分配不送红股，不进行公积金转增股本。在实施权益分派股权登记日前公司股份总数发生变动的，按照每股分配比例不变的原则对分配总额进行调整，如后续总股本发生变化，公司将另行公告具体调整情况。
公司2024年半年度利润分配预案已经公司第三届董事会第九次会议及第三届监事会第七次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ........................................................................................................................ 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ........................................................................................ 7
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................. 10
第四节 公司治理 ............................................................................................................... 27
第五节 环境与社会责任 .................................................................................................... 29
第六节 重要事项 ............................................................................................................... 32
第七节 股份变动及股东情况 ............................................................................................. 54
第八节 优先股相关情况 .................................................................................................... 59
第九节 债券相关情况 ........................................................................................................ 59
第十节 财务报告 ............................................................................................................... 60
| 备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人
员）签名并盖章的财务报表 |
| | 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 |
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
| 常用词语释义 | | |
| 艾森股份/本公
司/公司 | 指 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司 |
| 艾森世华 | 指 | 昆山艾森世华光电材料有限公司，艾森股份全资子公司 |
| 南通艾森 | 指 | 艾森半导体材料（南通）有限公司，艾森股份全资子公司，艾森股份募
投项目“年产12,000吨半导体专用材料项目”实施主体 |
| 艾森投资 | 指 | 昆山艾森投资管理企业（有限合伙） |
| 世华管理 | 指 | 昆山世华管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 芯动能 | 指 | 北京芯动能投资基金（有限合伙） |
| 上海成丰 | 指 | 上海成丰股权投资有限公司 |
| 鹏鼎控股 | 指 | 鹏鼎控股（深圳）股份有限公司 |
| 屹唐华创 | 指 | 北京屹唐华创股权投资中心（有限合伙） |
| 云栖创投 | 指 | 杭州云栖创投股权投资合伙企业（有限合伙） |
| 士兰创投 | 指 | 杭州士兰创业投资有限公司 |
| 保腾顺络 | 指 | 深圳保腾顺络创业投资企业（有限合伙） |
| 和谐海河 | 指 | 天津和谐海河股权投资合伙企业（有限合伙） |
| 苏民投资 | 指 | 苏民无锡智能制造产业投资发展合伙企业（有限合伙） |
| 海宁艾克斯 | 指 | 海宁艾克斯光谷创新创业投资合伙企业（有限合伙） |
| 芯沛投资 | 指 | 共青城芯沛投资合伙企业（有限合伙） |
| 小橡呈财 | 指 | 上海小橡呈财创业投资合伙企业（有限合伙） |
| 赛橡投资 | 指 | 苏州赛橡股权投资合伙企业（有限合伙） |
| 秋晟资产 | 指 | 上海秋晟资产管理有限公司 |
| 朗玛投资 | 指 | 朗玛三十九号（深圳）创业投资中心（有限合伙） |
| 国发创投 | 指 | 苏州国发科技创新投资企业（有限合伙） |
| 南通中金启江 | 指 | 南通中金启江股权投资合伙企业（有限合伙） |
| 京东方 | 指 | 京东方科技集团股份有限公司及其下属子公司 |
| 长电科技 | 指 | 江苏长电科技股份有限公司及其下属子公司 |
| 通富微电 | 指 | 通富微电子股份有限公司及其下属子公司 |
| 华天科技 | 指 | 天水华天科技股份有限公司及其下属子公司 |
| 上海华力 | 指 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 日月新 | 指 | 日月新半导体(昆山)有限公司、日月新半导体(威海)有限公司、日月新
半导体(苏州)有限公司及上述公司的附属公司 |
| 芯片、集成电路
（IC） | 指 | IntegratedCircuit，缩写作IC；或称微电路（microcircuit）、微芯片
（microchip）、晶片/芯片（chip），在电子学中是一种将电路小型化
的方式。IC是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路
中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在半
导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功
能的微型结构 |
| 晶圆（wafer） | 指 | 硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集
成电路产品 |
| 半导体 | 指 | 广义的半导体产业包括集成电路、平板显示、太阳能光伏、半导体照明
等行业，上述行业均应用了半导体制造工艺 |
| 被动元件 | 指 | 无源器件，主要包括电阻，电容，电感等 |
| 新型电子元件 | 指 | 传感器、片式元器件、光电子器件等 |
| 传统封装 | 指 | 先将晶圆片切割成单个芯片再进行封装的工艺，主要包括单列直插封装 |
| | | （SIP）、双列直插封装（DIP）、小外形封装（SOP）、小晶体管外形封
装（SOT）、晶体管外形封装（TO）、双平面无引脚封装（DFN）、方形
扁平无引脚封装（QFN）、方型扁平式封装技术（QFP）等封装形式 |
| Turnkey | 指 | 一站式或交钥匙解决方案，指将特定电子化学品与配套试剂或材料搭配
形成复配产品，并与具体应用工艺方案和工艺控制、现场服务相结合成
整体解决方案，买家购买后可以立即上线使用 |
| 湿化学品 | 指 | 微电子、光电子湿法工艺制程中使用的各种电子化工材料 |
| 电镀液 | 指 | 可以扩大金属的阴极电流密度范围、改善镀层的外观、增加溶液抗氧化
的稳定性等特点的液体；通常由主盐、导电盐、添加剂及溶剂等构成 |
| 高温回流焊 | 指 | 贴片安装工艺，通过重新熔化预先分配到 PCB焊盘上的焊料实现器件与
PCB的机械和电气连接，气体在焊机内循环流动产生高温从而达到焊接目
的，温度一般达到260℃ |
| 微电子 | 指 | 超小型化和微型化的电子电路和系统 |
| 光刻 | 指 | 通过涂胶、曝光、显影等工艺，利用化学反应进行微细加工图形转移的
技术工艺 |
| 显影 | 指 | 使已曝光的感光材料显出可见影像的过程 |
| 蚀刻 | 指 | 将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。通过曝光制版、显
影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解
腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果 |
| 先进封装 | 指 | 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封装、
晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封装、3D封装等均被认
为属于先进封装范畴 |
| 倒装封装（FC） | 指 | FlipChip，芯片级倒装封装，在芯片上制作凸块，然后翻转芯片用回流
焊等方式使凸块和PCB、引线框等衬底相连接 |
| 晶圆级封装
（WLP） | 指 | Wafer-LevelPackaging，在晶圆上封装芯片，而不是先将晶圆切割成单
个芯片再进行封装。这种方案可实现更大的带宽、更高的速度与可靠性
以及更低的功耗 |
| 2.5D/3D封装 | 指 | 基于TSV技术，垂直堆叠称为3D封装，互联堆叠称为2.5D封装 |
| Bumping | 指 | 一种先进封装工艺，在晶圆表面制作凸点以实现芯片电气连接，Bumping
工艺提高封装密度，具有高性能、高可靠性的特点一种先进封装工艺，
在晶圆表面制作凸点以实现芯片电气连接，Bumping工艺提高封装密度，
具有高性能、高可靠性的特点 |
| RDL | 指 | Re-distributed layer，重布线层，一种先进封装工艺。在晶元表面
沉积金属层和相应的介质层，并形成金属布线，对 I/O端口进行重新布
局，将其布局到新的、占位更为宽松的区域 |
| TSV | 指 | Through Silicon Via，硅通孔，一种先进封装工艺。通过铜等导电物质
的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连，减小互联长
度及信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增
加宽带和实现器件集成的小型化 |
| SiP | 指 | System In a Package，系统级封装，是将多种功能晶圆，包括处理器、
存储器等功能晶圆根据应用场景、封装基板层数等因素，集成在一个封
装内，从而实现一个基本完整功能的封装方案。 |
| 摩尔定律 | 指 | 集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过24个月便会增加一倍 |
| 光刻胶 | 指 | 经光照后，在曝光区能很快地发生光交联或者光分解反应，使树脂的溶
解度发生变化的耐蚀刻涂层材料。光刻胶是利用化学反应进行微细加工
图形转移的媒体，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种
主要成分组成的对光敏感的混合液体 |
| 正性光刻胶 | 指 | 正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被溶解，
只留下未受光照部分形成图形 |
| 负性光刻胶 | 指 | 负胶经过曝光后，受到光照的部分变得不易溶解，经过显影后，留下光 |
| | | 照部分形成图形 |
| OLED | 指 | Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管 |
| 阵列制造 | 指 | 半导体显示前段制程，将薄膜电晶体制作于玻璃上，主要包含成膜、微
影、蚀刻和检查等步骤 |
| 两膜层、全膜层 | 指 | 应用于OLED像素阵列全部使用光刻胶制作的层次。OLED像素阵列的制作
以干法制程为主，由包括门极、栅极、绝缘层、阳极等多层结构组成，
根据工艺的不同一般为4~7层，涉及使用光刻胶的具体层次包括GE1（栅
极 1）、GE2（栅极 2）、ILD（栅绝缘层）、PV（钝化层）、SD1（源极
漏极1）、SD2（源极漏极2）、AND（阳极），两膜层指应用于其中两个
膜层的应用。 |
| PCB | 指 | Printed Circuit Board，印刷电路板，是电子元器件的支撑体，并
为电子元器件提供电气连结 |
| TFT-LCD | 指 | Thin film transistor liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示
器 |
| 报告期 | 指 | 2024年1月1日至2024年6月30日 |
| 元、万元、亿元 | 指 | 人民币元、万元、亿元 |
| 《公司法》 | 指 | 《中华人民共和国公司法》 |
| 《证券法》 | 指 | 《中华人民共和国证券法》 |
| 《公司章程》 | 指 | 《江苏艾森半导体材料股份有限公司章程》 |
| 《上市规则》 | 指 | 《上海证券交易所科创板股票上市规则》 |
| 股东大会 | 指 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司股东大会 |
| 董事会 | 指 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司董事会 |
| 监事会 | 指 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司监事会 |
| 中国证监会 | 指 | 中国证券监督管理委员会 |
| 上交所/交易所 | 指 | 上海证券交易所 |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
| 公司的中文名称 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司 |
| 公司的中文简称 | 艾森股份 |
| 公司的外文名称 | Jiangsu Aisen Semiconductor Material Co., Ltd. |
| 公司的外文名称缩写 | ASEM |
| 公司的法定代表人 | 张兵 |
| 公司注册地址 | 江苏省昆山市千灯镇黄浦江路1647号 |
| 公司注册地址的历史变更情况 | 无 |
| 公司办公地址 | 江苏省昆山市千灯镇中庄路299号 |
| 公司办公地址的邮政编码 | 215341 |
| 公司网址 | http://www.asem.cn |
| 电子信箱 | [email protected] |
| 报告期内变更情况查询索引 | / |
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
| 公司选定的信息披露报纸名称 | 中国证券报、上海证券报、证券时报、证券日报 |
| 登载半年度报告的网站地址 | 上海证券交易所网站（http://www.sse.com.cn） |
| 公司半年度报告备置地点 | 公司董事会办公室 |
| 报告期内变更情况查询索引 | / |
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
| 公司股票简况 | | | | |
| 股票种类 | 股票上市交易所及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
| A股 | 上海证券交易所科创板 | 艾森股份 | 688720 | / |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币
| 主要会计数据 | 本报告期
（1－6月） | 上年同期 | 本报告期比上年同期
增减(%) |
| 营业收入 | 185,797,308.00 | 154,028,817.49 | 20.63 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 13,739,486.17 | 11,118,609.96 | 23.57 |
| 归属于上市公司股东的扣除非
经常性损益的净利润 | 8,196,272.66 | 10,908,521.32 | -24.86 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | -34,068,177.19 | -52,742,122.56 | 不适用 |
| | 本报告期末 | 上年度末 | 本报告期末比上年度
末增减(%) |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 1,007,294,074.62 | 1,016,246,943.63 | -0.88 |
| 总资产 | 1,184,163,965.68 | 1,279,889,093.54 | -7.48 |
(二) 主要财务指标
| 主要财务指标 | 本报告期
（1－6月） | 上年同
期 | 本报告期比上年同
期增减(%) |
| 基本每股收益（元／股） | 0.16 | 0.17 | -5.88 |
| 稀释每股收益（元／股） | 0.16 | 0.17 | -5.88 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元／股） | 0.09 | 0.17 | -47.06 |
| 加权平均净资产收益率（%） | 1.33 | 2.5 | 减少1.17个百分点 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%） | 0.79 | 2.45 | 减少1.66个百分点 |
| 研发投入占营业收入的比例（%） | 11.33 | 8.83 | 增加2.5个百分点 |
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内，国内半导体行业总体呈复苏趋势，下游厂商需求回暖，公司实现营业收入 1.86亿元，同比增长20.63%。其中电镀液及配套试剂销售收入同比增长13.31%，光刻胶及配套试剂销售收入同比增长44.57%。报告期内，公司在先进封装领域的销售收入持续提高，营业收入表现出良好的增长趋势。受益于收入的增长，报告期内，归属于上市公司股东的净利润同比增长23.57%。
报告期内，公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比下降24.68%，主要原因系：（1）报告期内，公司持续加大研发投入，研发费用同比增长54.81%；（2）报告期内，公司收到较多政府补助以及使用募集资金购买结构性存款取得的投资收益等计入非经常性损益的金额同比大幅增长。
报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额为负，主系公司票据收款贴现的现金流入计入“筹资活动产生的现金流量-取得借款收到的现金”所致。报告期内，公司经营活动现金净流出较上年同期有所下降，主要系公司票据贴现减少，承兑到期现金流入增加所致。
七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用
八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
| 非经常性损益项目 | 金额 | 附注（如适用） |
| 非流动性资产处置损益，包括已计提资产减值准备的冲销部分 | -24,367.37 | |
| 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关、符
合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损益产生持续影
响的政府补助除外 | 4,169,400.00 | |
| 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，非金融企业
持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益以及处置金
融资产和金融负债产生的损益 | 2,527,947.33 | |
| 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 | | |
| 委托他人投资或管理资产的损益 | | |
| 对外委托贷款取得的损益 | | |
| 因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的各项资产损失 | | |
| 单独进行减值测试的应收款项减值准备转回 | 158,626.45 | |
| 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资
时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益 | | |
| 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益 | | |
| 非货币性资产交换损益 | | |
| 债务重组损益 | | |
| 企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性费用，如安置职工
的支出等 | | |
| 因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益产生的一次性影响 | | |
| 因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份支付费用 | | |
| 对于现金结算的股份支付，在可行权日之后，应付职工薪酬的公
允价值变动产生的损益 | | |
| 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动
产生的损益 | | |
| 交易价格显失公允的交易产生的收益 | | |
| 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 | | |
| 受托经营取得的托管费收入 | | |
| 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 | -8,000.00 | |
| 其他符合非经常性损益定义的损益项目 | | |
| 减：所得税影响额 | 1,280,392.90 | |
| 少数股东权益影响额（税后） | | |
| 合计 | 5,543,213.51 | |
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）公司所属行业情况
1、公司所处的行业地位及行业特点
公司自成立以来一直专注于电子化学品的研发、生产、销售及技术服务，经过多年发展已成为国内电子化学品材料领域的知名企业之一，积累了丰富的研发能力、量产经验以及优秀的客户关系。公司产品广泛应用于集成电路、半导体显示及新型电子元器件等行业。按照行业的一般分类标准，公司所处行业为半导体材料行业。公司为国内领先的半导体材料提供商。
公司所处半导体材料行业属于技术密集及研发驱动行业，处于整个半导体产业链的上游环节，对半导体产业发展起着重要支撑作用，行业研发技术门槛较高，具有研发投入大、研发周期长、下游客户认证时间长、行业涵盖范围宽，下游应用领域广泛等特点。中国半导体产业供需缺口大，进口替代化是中长期半导体产业发展的重要趋势。
2、行业发展阶段
半导体行业作为现代信息技术产业的基础，是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分。当前半导体应用领域跨越消费、通信、工控、医疗、军工和航天等，伴随物联网、智能化、
新能源、
信息安全、5G 等趋势，半导体也迎来了新的需求及发展，为半导体材料企业发展提供了巨大的市场空间。
2024年是《国家集成电路产业发展推进纲要》出台十周年，也是酝酿第十五个五年规划的起点，对中国半导体行业而言，形成不被卡脖子的自主供应链体系，将是长期目标。为鼓励半导体材料产业发展，国家出台多项政策支持半导体行业发展，为半导体产业的发展提供良好的发展环境。出于供应链安全角度考虑，国内半导体制造厂商对关键原材料的国产化需求正在提速，这为国内半导体材料企业提供了难得的市场机遇。
3、市场规模
①集成电路湿电子化学品
公司的电镀液、光刻胶及配套试剂主要面向集成电路湿电子化学品市场。随着我国集成电路国产化进程的加深，在半导体工艺持续升级与下游应用领域的蓬勃发展的背景下，我国半导体材料行业将拥有广阔发展前景。根据中国电子材料行业协会（CEMIA）统计数据，2023年中国集成电路封装（含传统封装与先进封装）用湿化学品市场规模14.0亿元，随着晶圆制造工艺的不断提升，对与之配套的封测技术同步要求提高，传统封装技术的发展将趋于平稳，先进封装技术的应用将进一步加强，对湿化学品的需求量也将随之增加。预计2025年中国集成电路后道工艺用湿化学品市场规模将达到16.3亿元。
根据国际半导体产业协会（SEMI）统计数据，2023年中国集成电路晶圆制造用湿化学品市场规模 58.8亿元。预计到 2025年中国集成电路前道晶圆制造用湿化学品市场规模将增长至 69.8亿元。综合晶圆制造与封装领域来看，2023年中国集成电路用湿化学品总体市场规模达到 72.8亿元，预计2025年将增长至86.1亿元。
②光刻胶市场
光刻胶是技术壁垒最高的电子化学品之一。我国光刻胶产业，特别是集成电路用光刻胶，长期以来发展较为缓慢。2008年以后，在国家重大科技专项的支持和国内集成电路产业快速成长的带动下，这种局面得到了一定程度的改变，陆续有公司关注集成电路用光刻胶及其相关产品产业化技术开发，并有部分产品进入市场应用。但是，目前国内光刻胶仍主要集中在 PCB光刻胶、TFT-LCD光刻胶等产品，在OLED显示面板和集成电路用光刻胶等高端产品仍需大量进口，国产光刻胶正处于由中低端向中高端过渡阶段。
按曝光光源波长划分，光刻胶可分为g线光刻胶（436nm）、i线光刻胶（365nm）、KrF光刻胶（248nm）、ArF光刻胶（193nm）和 EUV光刻胶（13.5nm）。根据中国电子材料行业协会的数据，当前我国 g/i线光刻胶的国产化率 20%-25%，仍处于较低水平，KrF光刻胶整体国产化率约3%，ArF光刻胶整体国产化率不足1%。
根据中国电子材料行业协会（CEMIA）统计数据，2023年中国集成电路晶圆制造用光刻胶市场规模为49.39亿元，同比2022年的46.93亿元增长5.24%，预计到2025年中国集成电路晶圆制造用光刻胶市场规模将达到58.61亿元。其中，2023年中国集成电路晶圆制造用g/i线光刻胶市场规模5.88亿元，KrF光刻胶市场规模22.53亿元，ArF光刻胶市场规模 3.89亿元，ArFi光刻胶市场规模9.11亿元，PSPI光刻胶市场规模7.97亿元。
2023年中国集成电路封装用光刻胶市场规模11.31亿元，同比2022年的10.68亿元增长5.9%，预计到 2025年市场规模将增长至13.69亿元。其中，2023年中国集成电路封装用g/i线光刻胶光刻胶市场规模5.47亿元，PSPI光刻胶市场规模3.96亿元，其他光刻胶市场规模2.49亿元。
2023年中国OLED用光刻胶市场规模1.18亿元，预计到2025年中国OLED用光刻胶市场规模将增长至1.61亿元。
（二）公司主营业务及主要产品情况
公司主要从事电子化学品的研发、生产和销售业务，围绕电子电镀、光刻两个半导体制造及封装过程中的关键工艺环节，形成了电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂两大产品板块布局，专业致力于为电子行业提供定制化、一站式高端电子化学品及解决方案，聚焦半导体核心材料的国产化。
按工艺划分，集成电路封装可分为传统封装和先进封装。
传统封装与先进封装因性能、成本等差异适用于不同的应用领域，未来两种封装方式将持续并存，市场规模均将持续扩大。传统封装属于集成电路制造的后道工艺，是集成电路生产必不可少的关键环节，是大量集成电路产品所选用的封装方式，包括蓝牙芯片、音频芯片、电源管理芯片、视频监控芯片，以及车规级芯片等具有极高质量和可靠性要求的集成电路产品。传统封装用电镀液属于集成电路封装的核心材料，对品质、性能及稳定性等要求严苛，技术门槛高于一般电子电镀。
随着后摩尔定律时代的到来，先进封装成为集成电路技术发展的一条重要路径。先进封装技术通过优化连接、在同一个封装内集成不同材料、线宽的半导体集成电路和器件等方式提升集成电路的连接密度和集成度。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴。先进封装要求在晶圆划片前融入封装工艺步骤，具体包括应用晶圆研磨薄化、线路重排（RDL）、凸块制作（Bumping）及三维硅通孔（TSV）等工艺技术。先进封装结合了半导体制造工艺与传统封装工艺的特点，具有高集成度、工艺方法更加多元以及更优的导电和散热性能等优点，制程更灵活。在先进封装领域，电子化学品市场主要为外资厂商占据。
公司结合国内封装产业的技术发展趋势及客户工艺需求，针对性地研发电子化学品配方与生产工艺，在先进封装的电镀和光刻两个工艺环节均取得了一定的突破。
1.电镀液及配套试剂
在电镀液及配套试剂方面，公司在持续夯实传统封装国内龙头地位的基础上，逐步在先进封装以及晶圆28nm、14nm先进制程取得突破。①在先进封装领域，公司先进封装用电镀锡银添加剂已通过
长电科技的认证并取得小批量订单；先进封装用电镀铜基液（高纯硫酸铜）已在
华天科技正式供应；先进封装用电镀铜添加剂处于批次稳定性验证。②在晶圆领域，公司28nm大马士革铜互连工艺镀铜添加剂产品已进入样品试制和产品认证阶段；14nm先进制程的超高纯硫酸钴已完成样品生产，在客户端测试进展顺利；晶圆制造铜制程用清洗液已完成客户测试认证，实现小批量交付。
2.光刻胶及配套试剂
在光刻胶及配套试剂方面，公司以光刻胶配套试剂为切入点，已成功实现附着力促进剂、显影液、去除剂、蚀刻液等产品在下游封装厂商的规模化供应。同时，公司积极开展光刻胶的研发，以先进封装负性光刻胶、OLED阵列制造用光刻胶以及晶圆用 PSPI等特色工艺光刻胶为突破口，覆盖晶圆制造、先进封装及半导体显示等应用领域，成功打破国外垄断，并逐步向先进制程延伸。
目前，公司自研先进封装用负性光刻胶、晶圆制造i线正性光刻胶均已实现批量供应。
二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂均为配方型化学品，需要适配下游客户的生产工艺、生产设备、终端应用需求。终端电子产品不断更新迭代、下游集成电路、电子元件及显示面板等行业的工艺技术持续演进，对电子化学品企业的配方研发、生产工艺控制、产品应用等综合能力提出了较高的要求，需要电子化学品企业具备持续研发和创新的能力。公司不断突破技术瓶颈，在核心技术及核心产品方面做到“生产一代、储存一代、开发一代”的动态良性循环，以“在电子产业领域，为客户提供更好的产品和服务”为使命，为客户持续提供优势化、差异化、具有国际竞争力的产品。
经过多年探索和积累，公司通过反复科学实验、长期实践应用，自主研发取得了电子化学品领域的复配配方技术、生产工艺技术及产品应用技术，包括化学及电解去溢料化学品制备及应用技术、防高温回流焊变色化学品制备及应用技术、电镀液抗氧化添加剂制备及应用技术、凸块铜/锡银电镀液制备及应用技术、HDI高速填孔添加剂制备及应用技术、Bumping厚膜负性光刻胶制备及应用技术、晶圆制造用i线光刻胶制备及应用技术、OLED光刻胶制备及应用技术、附着力促进剂制备及应用技术、防腐蚀显影液制备及应用技术、防腐蚀及高效率剥离液制备及应用技术、Bumping蚀刻液制备及应用技术等技术。
公司的核心技术涵盖了整个产品配方和生产工艺流程，核心技术的应用主要体现在产品配方和生产工艺流程两个方面。一方面，公司基于核心技术研发产品配方并通过申请专利等方式加以保护。另一方面，生产工艺流程是公司产品生产过程的关键，也是核心技术转化为最终产品的实现手段，公司通过技术秘密等形式对生产工艺流程予以保护。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用
| 江苏艾森半导体材料股份有限公司 | 国家级专精特新“小巨人”企业 |
2. 报告期内获得的研发成果
公司围绕自身核心技术，基于产业发展及下游客户的需求，在不断提升技术与产品能力的同时拓宽产品品类，为客户提供更有竞争力的产品组合及整体解决方案。以创新驱动产品升级的能力持续增强现有客户粘度，巩固市场地位，以丰富经验及可靠的数据支撑和供应能力吸引新客户，开发新应用、开拓新兴市场领域。公司持续保持高水平的技术研发投入，配置先进设备，引进高端技术人才，坚持自主研发，提升公司产品和技术在行业内的领先水平。
报告期内，公司坚持中高端先进封装定位，公司自研先进封装用电镀锡银添加剂，凸块锡银电流密度高于5ASD，生产效率高。艾森作为国内唯一量产供应商，产品性能与国外厂商基本一致，产品已获得
长电科技的小批量订单，满足客户工艺需求。
截至2024年6月 30日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的发明专利35项，软件著作权1项，公司研发人员增至67人，2024年上半年研发投入2,105.16万元，较上年度同期增长54.81%。
2024年上半年度，公司获评2023年苏南国家自主
创新示范瞪羚企业、2024苏州民营企业创新100强、昆山市优秀创新企业。
报告期内获得的知识产权列表
| | 本期新增 | | 累计数量 | |
| | 申请数（个） | 获得数（个） | 申请数（个） | 获得数（个） |
| 发明专利 | 8 | 0 | 73 | 35 |
| 实用新型专利 | 3 | 0 | 3 | 0 |
| 外观设计专利 | | | | |
| 软件著作权 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 其他 | | | | |
| 合计 | 12 | 1 | 77 | 36 |
3. 研发投入情况表
单位：元
| | 本期数 | 上年同期数 | 变化幅度（%） |
| 费用化研发投入 | 21,051,618.47 | 13,598,491.46 | 54.81 |
| 资本化研发投入 | | | |
| 研发投入合计 | 21,051,618.47 | 13,598,491.46 | 54.81 |
| 研发投入总额占营业收入比例（%） | 11.33 | 8.83 | 增加2.5个百分点 |
| 研发投入资本化的比重（%） | | | |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
本报告期内研发费用2,105.16万元，同比增长54.81%，主要系公司加强研发团队建设，加大研发投入，研发人员薪酬、资产折旧、技术服务费增加所致。
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元
| 序
号 | 项目名
称 | 预计总投资
规模 | 本期投入
金额 | 累计投入
金额 | 进展或阶段性成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应用前景 |
| 1 | 高端半
导体被
动元件
封装用
高性能
绝缘油
墨的研
发 | 1,000.00 | 80.34 | 1000.94 | 量产 | （1）采用线型酚醛树脂与低α辐射
无机填料的搭配组合，通过优化配
方，保证油墨具有良好的耐候性、热
稳定性、绝缘性，并满足先进封装对
低α放射等级的要求；（2）采用三
辊研磨分散技术，通过采用先进的三
辊研磨机，保证油墨的细度达到5μm
以下;（3）产品抗硫化能力的特别要
求 | 低辐射及抗硫化能
力经测试满足特殊
使用场景下最高可
靠性指标要求 | 应用于集成电
路领域，主要用
于被动元件封
装领域 |
| 2 | LTPS阵
列制作
用正性
光刻胶 | 680.00 | 70.88 | 568.02 | 研发认证：已完成
客户端对涂布均一
性及Mura等测试；
目前在配方优化及
继续上线测试评估
准备中 | （1）感度与国际竞品相当；（2）涂
布均匀性满足≤3%要求，无Mura；（3）
无Peeling（剥离）；（4）耐干刻性
能与国际竞品相当（5）适合LTPS阵
列全膜层 | 对标国际竞品，产品
在实验室评估阶段
与国际产品性能相
当 | 应用于显示面
板领域，主要是
LTPS制程 |
| 3 | 先进封
装用负
性PSPI | 837.00 | 168.44 | 727.27 | 产品认证：已进行
初步客户端工艺测
试评估等工作，目
前在客户端产品认
证进行中 | （1）优异的材料稳定性和过程稳定
性，满足在材料储存及使用过程中对
PSPI的要求，具备良好的工艺窗口；
（2）通过聚合物结构设计及纯化技
术，保证材料具有优异的机械性能、
电学性能以及热稳定性，满足先进封
装制程对材料性能的要求；（3）通
过特殊的结构和配方设计，保证PSPI
对铜及其他材料具有优异的结合力 | 对标国际竞品，产品
在实验室评估阶段
与国际产品性能相
当 | 应用于集成电
路先进封装领
域 |
| 4 | 晶圆制
造钝化 | 890.00 | 165.28 | 658.52 | 产品认证：已进行
客户端初步工艺验 | （1）优异的材料稳定性和过程稳定
性，满足在材料储存及使用过程中对 | 对标国际竞品，产品
在实验室评估阶段 | 应用于半导体
晶圆制造领域 |
| | 防护层
用正性
PSPI | | | | 证和可靠性评估，
目前产品在客户端
认证中 | PSPI的要求，具备良好的工艺窗口；
（2）通过聚合物结构设计及纯化技
术，保证材料具有优异的机械性能、
电学性能以及热稳定性，满足晶圆制
造对材料性能的要求；（3）通过特
殊的结构和配方设计，保证PSPI对
各种基板具有优异的结合力 | 与国际产品性能相
当 | |
| 5 | 大马士
革铜互
联工艺
镀铜添
加剂 | 1,070.00 | 102.39 | 994.37 | 批次稳定性验证：
已完成客户端产品
测试评估及可靠性
认证，目前在进行
批次稳定性验证 | （1）解决公司在大马士革电镀领域
的技术空白，并为公司将来开发更高
阶产品（14nm节点）奠定技术和市场
基础；（2）协助客户实现28nm全流
程国产化，产品性能达到国际同类产
品水平 | 对标国际竞品，产品
在实验室评估阶段
与国际产品性能相
当 | 应用于半导体
晶圆制造领域 |
| 6 | 先进封
装用电
镀铜添
加剂 | 670.00 | 85.50 | 514.09 | 批次稳定性验证 | （1）适应大电流镀铜应用；（2）能
同时应用Bumping、RDL等工艺应用；
（3）铜柱顶端平整，凹陷或突起不
超过3μm | 对标国际竞品，产品
在实验室评估阶段
与国际产品性能相
当 | 应用于集成电
路先进封装领
域 |
| 7 | 晶圆制
造铜制
程用清
洗液 | 737.00 | 197.92 | 703.26 | 小批量交付 | 研发一种晶圆制造过程中Cu-CMP后
清洗液，非TMAH体系。具有以下特
性：（1）材料金属材料相容性好，
低的铜，钽，钴腐蚀速率；（2）与
介电材料相容性好，TEOS等腐蚀速率
低；（3）优异的颗粒清洗能力；（4）
清洗铜表面后防止铜再次氧化；（5）
药水金属杂质含量和颗粒物含量与
竞品相当 | 对标国外竞品，产品
目前在实验室评估
阶段与国际竞品性
能相当 | 应用于半导体
晶圆制造领域 |
| 8 | 芯片用
超纯硫
酸铜的
研发 | 487.00 | 100.65 | 284.29 | 实验室已获得合格
样品，在进行生产
工艺稳定性测试阶
段 | 配套大马士革电镀液使用，满足28nm
电镀节点要求。技术指标为：溶液中
金属杂质总量小于5ppm，有机物含量
小于10ppm，颗粒（＞0.20μm）小于
200unit/ml | 对标国外竞品，产品
目前在实验室评估
阶段与国际竞品性
能相当 | 应用于半导体
晶圆制造领域 |
| 9 | AS7100
晶圆用
化学放
大正胶 | 1,485.00 | 201.21 | 566.54 | 产品认证，客户端
测试认证中 | 研发一款高膜厚应用的化学放大型
正性光刻胶，5μm厚度下满足AR>5，
分辨率1μm以内的应用要求；金属
杂质含量控制小于10ppb | 对标国外竞品，产品
目前在客户端的测
试结果与国际竞品
性能相当 | 应用于半导体
晶圆制造领域 |
| 10 | 新一代
湿电子
化学品
的研发 | 277.00 | 64.09 | 129.70 | 产品认证，客户端
测试认证中 | （1）蚀刻液：无色透明液体，比重
1.0-1.2，铜蚀刻速率在
80?/s-120?/s，对SnAg、Ni、Al、Ti
等金属腐蚀速率均小于0.1?/s，
lifetime（168h及溶铜6000ppm）速
率降低小于5%，蚀刻后铜面均匀性
好；（2）显影液：无色透明液体，
比重0.9-1.1，TMAH含量（%）
3.81-3.83，Fe、K、Mg、Cu、Pb、Mn、
Ag等金属杂质含量＜50ppb ，显影液
铝腐蚀速率＜20A/min,显影速率＞
3um/min；（3）去胶液：棕褐色液体，
80℃浸泡30min干膜去除干净溶液无
干膜残渣，镍腐蚀速率＜5A/min。 | 对标国外竞品，产品
目前在客户端的测
试结果与国际竞品
性能相当 | 应用于集成电
路先进封装领
域 |
| 11 | 用于封
装基板
（IC
Substr
ate）的
酸铜添
加剂的
研发 | 250.00 | 44.50 | 44.50 | 经过多轮研发和优
化，电镀铜添加剂
产品已经达到可应
用的阶段。多项测
试结果显示，本产
品的实际表现与国
际顶尖竞品相当，
部分参数甚至优于
现有市场产品。当
前产品已准备进入
商业应用阶段，正
在与目标客户接
洽。 | 一种用于封装基板（IC Substrate）
的酸铜添加剂，提高IC载板的线路
密度和填充率，满足高密度互连的需
求，同时提高IC载板的表面光亮度
和均匀性，提高产品质量，降低IC
载板的生产成本，提高产品竞争力。 | 对标国外竞品，产品
目前在客户端的测
试结果与国际竞品
性能相当 | IC载板和玻璃
基板PLP市场
正在快速增长，
对高品质电镀
铜添加剂的需
求日益增加。随
着新型电子设
备的普及和精
密电镀技术的
发展，本产品在
该领域具备广
阔的应用前景。 |
| 12 | PLP电
镀添加
剂研发 | 500.00 | 102.29 | 102.29 | 客户打样考核 | ①满足客户对WUD的Via、RDL、线型
和均匀性要求②满足2/2um线路能力 | 最新最热的封装技
术，对标国外产品
（MLI、Dow、
ISHIHARA等） | 应用于面板级
封装 |
| 13 | 银蚀刻
液研发 | 1,000.00 | 214.36 | 214.36 | 实验室测试阶段 | 一种应用于OLED的银蚀刻液，通过
控制AG的析出，避免其对制造过程
和产品性能造成不良影响，同时提高
刻蚀速率，以提升生产效率，并控制
产品的高稳定性，提升产品质量，提
升产品竞争力，达到国产替代的目
标。 | 对标国外竞品，实验
室测试阶段：EP点，
CD bias，Profile，
Ag吸附抑制，
Lifetime/Loading
等各项指标与竞品
相当 | 应用于OLED
Anode制作 |
| 14 | 超纯硫
酸钴的
研发 | 1,000.00 | 236.72 | 236.72 | 实验室测试阶段 | 一种性能优越的硫酸钴电镀液，解决
在7nm制程的芯片中纯Co互联、带
Co垫和Co帽的铜互联的重要技术问
题，实现国产化替代。 | 对标国外竞品，产品
目前在客户端的测
试结果与国际竞品
性能相当 | 应用于半导体
芯片制造领域 |
| 15 | 化学镍
钯金材
料的研
发 | 400.00 | 172.16 | 172.16 | 化学镍目前有中磷
产品
化学钯目前有磷钯
产品
化学金目前有置换
金产品 | 满足铜基材、铝及铝合金（纯铝、铝
铜、铝硅、铝硅铜）化学镍钯金需求，
镍钯金层厚度均匀性小于10%，钯镀
速大于0.2um/10min，金层厚度大于
0.1um。镍钯金镀层无渗镀、漏镀异
常，表面无异色，无镍腐蚀状况。焊
接和打线工艺后结合力满足行业要
求 | 化学镍含有低磷、中
磷、高磷产品
化学钯含有纯钯产
品和磷钯产品
化学金含有还原金
产品和置换金产品 | 1. 用于
Bonding 工艺
中铝、金、铜线
键合的焊盘
2. 焊接工艺中
作为UBM层 |
| 16 | 自动化
学镀镍
钯金设
备的研
发 | 250.00 | 98.43 | 98.43 | 设计、组装完成，
整机调试中 | 对双8寸和单12寸晶圆进行化学镀
镍钯金工艺，并能达到工艺流程和要
求。 | 对标国内同功能设
备相当水平 | 应用于半导体
晶圆制造领域 |
| 合
计 | / | 11,533.00 | 2,105.16 | 7,015.46 | / | / | / | / |
5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币
| 基本情况 | | |
| | 本期数 | 上年同期数 |
| 公司研发人员的数量（人） | 67 | 52 |
| 研发人员数量占公司总人数的比例（%） | 35.26 | 30.59 |
| 研发人员薪酬合计 | 1,045.87 | 693.31 |
| 研发人员平均薪酬 | 15.61 | 13.33 |
| 教育程度 | | |
| 学历构成 | 数量（人） | 比例(%) |
| 博士研究生 | 3 | 4.48 |
| 硕士研究生 | 5 | 7.46 |
| 本科 | 52 | 77.61 |
| 专科 | 4 | 5.97 |
| 高中及以下 | 3 | 4.48 |
| 合计 | 67 | 100 |
| 年龄结构 | | |
| 年龄区间 | 数量（人） | 比例(%) |
| 30岁以下（不含30岁） | 32 | 47.76 |
| 30-40岁（含30岁，不含40岁） | 28 | 41.79 |
| 40-50岁（含40岁，不含50岁） | 6 | 8.96 |
| 50-60岁（含50岁，不含60岁） | 1 | 1.49 |
| 60岁及以上 | - | - |
| 合计 | 67 | 100 |
6. 其他说明
□适用 √不适用
三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、核心技术优势
电子化学品由于其功能性及应用的针对性，不同产品所需的产品配方、工艺技术差异较大，同样产品采用不同技术生产所得到的产品质量及一致性存在较大差别。公司在长期的研发及生产经营活动过程中，逐渐建立了自己的产品研发和技术创新模式，通过自主研发取得核心产品的关键技术，并已实现了先进封装、晶圆制造和OLED显示领域电子化学品的技术突破，主要产品的技术指标和产品性能方面均满足客户需要，主要性能达到国外厂商同等水平。
在电镀液及配套试剂方面，公司掌握了如“一种电镀锡添加剂及其制备方法和使用方法”、“一种用于电解沉积铜的组合物及酸铜电镀液”、“一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及电镀液”等多项电子化学品生产的关键专利技术，具备了自主开发多类半导体用化学品的技术能力。
公司凭借“半导体电镀液的研发与产业化升级改造”项目荣获省经信委专项资金“专精特新小巨在光刻胶及配套试剂方面，公司以光刻胶配套试剂为切入点，成功实现附着力促进剂、显影液、去除剂、蚀刻液等产品在下游封装厂商的规模化供应。同时，公司先进封装用g/i线厚膜负性光刻胶、OLED阵列制造的正性光刻胶取得了如“用于半导体封装工艺的负性光刻胶”、“一种OLEDarray制程用正性光刻胶”等专利，并掌握了如半导体封装用负性光刻胶制备及应用技术、晶圆制造i线光刻胶制备及应用技术和OLED光刻胶制备及应用技术等核心技术。（未完）
