[中报]帝奥微(688381):2024年半年度报告

 时间：2024年08月16日 19:16:04 中财网

原标题:帝奥微:2024年半年度报告

公司代码：688381 公司简称：帝奥微






江苏帝奥微电子股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。



三、 公司全体董事出席董事会会议。



四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人鞠建宏、主管会计工作负责人成晓鸣及会计机构负责人（会计主管人员）成晓鸣声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 6
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 9
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 29
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 31
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 33
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 57
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 63
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 64
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 65



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报表
　经公司负责人签名的公司2024年半年度报告文本原件
　报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义　　
公司、本公司、 帝奥微指江苏帝奥微电子股份有限公司
南通帝迪指南通帝迪半导体有限公司，公司全资子公司
上海帝迪指上海帝迪集成电路设计有限公司，公司全资子公司
香港帝奥微指Dioo（HongKong）Co., Limited（帝奥（香港）有限公司），公司全资子 公司
美国帝奥微指Dioo Microcircuits Co., Ltd.（美商帝奥微电子有限公司），香港帝奥 微全资子公司，公司全资孙公司
台湾分公司指美商帝奥微电子有限公司台湾分公司，公司全资孙公司美国帝奥微在台湾 开设的分公司
蓝波微电子指Portland Semiconductor Co.,Ltd.（蓝波微电子有限公司），香港帝奥 微全资子公司，公司全资孙公司
安泰房地产指南通安泰房地产开发有限公司，公司发起人股东
上海沃燕指上海沃燕创业投资合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
江苏润友指江苏润友投资集团有限公司，公司发起人股东
苏州沃洁指苏州沃洁股权投资合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
国泰发展指国泰集成电路发展有限公司（Cathay IC Development Limited），公 司发起人股东
兆杰投资指宁波梅山保税港区兆杰投资管理合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
南通圣喜指南通圣喜企业管理合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
上海芯溪指上海芯溪集成电路技术中心（有限合伙），公司发起人股东
南通圣乐指南通圣乐企业管理合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
上海芯乐指上海芯乐集成电路技术中心（有限合伙），公司发起人股东
小米长江产业指湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙），公司发起人股东
OPPO 广东、 OPPO指OPPO广东移动通信有限公司
小米智造指北京小米智造股权投资基金合伙企业（有限合伙）
爻火微指上海爻火微电子有限公司
小米指XIAOMI CORPORATION及其附属公司，包括Xiaomi H.K. Limited、小米通 讯技术有限公司和江苏紫米电子技术有限公司等。XIAOMI CORPORATION为 香港联交所上市公司，股票代码：01810.HK
通力指通力电子控股有限公司及其关联公司
晶圆指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，在硅晶片上可加工制作成各种电路 元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品
芯片封装指把晶圆上的半导体集成电路固定在基座上，用各种连接方式，加工成含外 壳和管脚的可使用的芯片成品，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强 电热性能的作用
测试指集成电路晶圆测试、成品测试、可靠性试验和失效分析等工作
光罩指Mask，指布满集成电路图像的铬金属薄膜的石英玻璃片，在半导体集成电 路制作过程中，用于通过光蚀刻技术在半导体上形成图形
模拟信号指用连续变化的物理量表示的信息
信号链指一个系统中信号从输入到输出的路径，从信号的采集、放大、传输、处理 一直到对相应功率器件产生执行的一整套信号流程
转换器指将模拟或数字信号转换为数字或模拟信号的装置
带宽指在单位时间内可传输的数据量
浪涌指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电压的峰值 电压或过载电压
共模电压指同时加在电压表两测量端和规定公共端之间的那部分输入电压
结电容指在一特定反向偏压下，变容二极管内部PN结的电容
闪烁百分比指光输出波形的一个周期内，最大光输出等级与最小光输出等级之差与最大 光输出等级与最小光输出等级之和的百分比值
Fabless指Fabrication（制造）和less（无、没有）的组合，是指“没有制造业务、 只专注于设计”的集成电路设计企业的一种运作模式
IDM指Integrated Design and Manufacturer，即垂直整合制造商，涵盖集成电 路设计、晶圆制造、封装及测试等各业务环节的集成电路企业
LED指发光二极管（Light Emitting Diode）其核心部分是由p型半导体和n型 半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为 PN结。在半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时 会把多余能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能
MOSFET、MOS、 副芯片指Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物 半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效晶体 管，通常作为标准器件搭配驱动电路使用
AC/DC指交流转直流的电源转换器
DC/DC指直流转直流的电源转换器
ADC指Analog to Digital Converter，模数转换器
BCD工艺指一种单片集成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极性晶体管 Bipolar、CMOS和DMOS器件，因而被称为BCD工艺
USB指Universal Serial Bus，通用串行总线的缩写，是一个外部总线标准，用 于规范电脑与外部设备的连接和通讯，是应用在PC领域的接口技术
dB指信噪比的计量单位是dB，其计算方法是10log（Ps/Pn），其中Ps和Pn分 别代表信号和噪声的有效功率
HIFI指High Fidelity，一般在频率范围20Hz-20kHz，失真度小、信噪比高的高 品质音质效果
PWM指一般指脉冲宽度调制。脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，根据相应载荷 的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导 通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变
COT指Constant-on（off）-Time mode，恒定导通（关断）时间控制，它由迟滞 控制模式发展而来，采用双闭环控制系统，反馈有二个环路：电压外环和 电流内环
LDO指Low dropout regulator，低压差线性稳压器，一种电源转换芯片
C-PHY/D-PHY指MIPI的物理层协议标准，目前有D-PHY、M-PHY、C-PHY 等3种。D-PHY现 在大量应用于处理器与显示屏、摄像头连接。随着摄像头、显示屏的像素 和帧率的增加，D-PHY 的数据传输速度不足，因此推出速度更快的 C-PHY 标准。
Pst指短时间闪变值，该指标对可见光闪烁进行评估。典型观察时间是10分钟， 模拟人对光波动的主观视感，通过对于瞬时光闪烁概率进行分析计算，对 该段时间内的光闪烁严重程度作出评估
THD指总谐波失真，电路不可避免的振荡或其他谐振产生的二次，三次谐波与实 际输入信号叠加产生的谐波成分与实际输入信号的百分比值
TWS指True Wireless Stereo，真正的无线立体声，实现蓝牙左右声道无线分离 使用
LDMOS指Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化 物半导体，高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率 控制等方面的要求
JFET指Junction Field-Effect Transistor，结型场效应晶体管，JFET是由p-n
　　结栅极（G）与源极（S）和漏极（D）构成的一种具有放大功能的三端有源 器件
NMOS指N type-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体效应管， 一般指由栅氧化层上的多晶硅栅极（G）与栅极两侧的N型漏极（D）、源 极（S）型的背栅极（B）构成的一种广泛使用于模拟与数字电路中的N型 绝缘栅场效应晶体管


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称江苏帝奥微电子股份有限公司
公司的中文简称帝奥微
公司的外文名称Dioo Microcircuits Co., Ltd. Jiangsu
公司的外文名称缩写DIOO
公司的法定代表人鞠建宏
公司注册地址南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层
公司注册地址的历史变更情况无
公司办公地址上海市闵行区号景路206弄万象企业中心TC东栋
公司办公地址的邮政编码201101
公司网址http://www.dioo.com/
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引无

二、 联系人和联系方式

　董事会秘书（信息披露境内代 表）证券事务代表
姓名陈悦王建波
联系地址上海市闵行区号景路206弄万 象企业中心TC东栋上海市闵行区号景路206弄万 象企业中心TC东栋
电话021-67285079021-67285079
传真021-62116889021-62116889
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《上海证券报》（www.cnstock.com）、《中国证券 报》（www.cs.com.cn）、《证券时报》 （www.stcn.com）、《证券日报》（www.zqrb.cn）、 《经济参考报》（www.jjckb.cn）
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引无

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况　　　　
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板帝奥微688381/

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入265,936,625.96180,568,591.1447.28
归属于上市公司股东的净利润26,765,794.6428,970,032.15-7.61
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润-2,413,901.93-6,852,525.22不适用
经营活动产生的现金流量净额-30,878,710.53-7,860,783.61不适用
　本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产2,891,730,562.383,046,550,261.79-5.08
总资产2,983,900,553.033,138,956,843.84-4.94

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益（元／股）0.10930.1149-4.87
稀释每股收益（元／股）0.10930.1149-4.87
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）-0.0099-0.0272不适用
加权平均净资产收益率（%）0.900.92减少0.02个百分 点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）-0.08-0.22不适用
研发投入占营业收入的比例（%）29.9928.42增加1.57个百分 点
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
（1）报告期内，公司实现销售收入26,593.66万元，较上年同期增加47.28%；主要系报告期内，公司不断扩大产品矩阵，紧抓市场机遇，加大产品销售力度，提升客户份额，部分新产品已经开始向国内外头部客户出货，同比去年同期公司的上半年销售收入大幅增长。

（2）报告期内实现归属于上市公司股东的净利润2,676.58万元，较上年同期下降7.61%；主要系公司持续进行技术和产品创新，加大对研发项目的直接投入和引入优秀的研发技术人才导致对应的职工薪酬和其他研发费用增加。

（3）报告期内归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润较上年同期增加443.86万元，主要是提升客户份额，部分新产品向国内外头部客户出货，营业收入大幅增长所致。

（4）报告期经营活动产生的现金流量净额同比减少2,301.79万元，主要系公司①报告期内，公司全力拓展市场，营业收入增长，备货增加，相应的原材料和封测费等投入增加；②公司持续进行技术和产品创新，加大对研发项目的直接投入和引入优秀的研发技术人才，对应的研发投入增加。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减 值准备的冲销部分　　
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外1,262,555.68第十节、七、67
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益28,642,667.57第十节、七、68/70
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费34,999.98第十节、七、66
委托他人投资或管理资产的损益　　
对外委托贷款取得的损益　　
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失　　
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回　　
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投　　
非经常性损益项目金额附注（如适用）
资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益　　
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益　　
非货币性资产交换损益　　
债务重组损益　　
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用，如安置职工的支出等　　
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响　　
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用　　
对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益　　
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益　　
交易价格显失公允的交易产生的收益　　
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益　　
受托经营取得的托管费收入　　
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-99,716.29第十节、七、74/75
其他符合非经常性损益定义的损益项目　　
减：所得税影响额660,810.37　
少数股东权益影响额（税后）　　
合计29,179,696.57　

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
1、 所属行业概述
公司的主营业务为模拟集成电路产品的研发与销售，公司所处行业属于集成电路设计行业。

根据WSTS统计，全球模拟芯片市场规模从2017年的531亿美元增长到2021年的741亿美元。2022年全球模拟芯片市场规模约为845亿美元。2023年全球模拟芯片市场规模约为948亿美元。

中国模拟芯片市场是全球最主要的模拟芯片消费市场，市场占比超过三分之一。根据Frost&Sullivan数据，我国2022年模拟芯片市场规模约为2956.1亿元，2017-2022年复合增长率约为6.7%，高于全球同期增长水平，2023年规模大约3026.7亿元。随着新技术和产业政策的双轮驱动，未来中国模拟芯片市场将迎来发展机遇。

行业格局方面，根据IC Insights数据，德州仪器是全球模拟芯片行业龙头，2021年全球市场份额为19%，龙头地位较为稳固。其他国际领先模拟芯片厂商包括亚德诺、思佳讯、英飞凌、意法半导体等，全球前五大厂商市场份额合计为51.5%，竞争格局相对比较分散。

虽然我国是全球最大的模拟芯片应用市场，但由于国内半导体产业起步较晚，国内模拟芯片市场仍由国际巨头公司所垄断，海外厂商占据了超八成的市场份额，国产化率尚处于低位，国产替代空间广阔。

此外，我国已成为全球模拟集成电路最大应用市场。近年来，我国模拟集成电路应用市场占全球市场份额不断扩大，占全球市场规模超过50%，国内模拟集成电路行业巨大的市场需求给了本土企业广阔的发展空间。目前，我国在5G商业应用领域处于领先地位，同时也在不断推动工业自动化、汽车电动化和智能化的发展，未来我国模拟集成电路行业市场有望继续保持较快增长。


2、 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是研发驱动型公司，一直专注于模拟芯片领域，具备完善的技术、产品研发和创新体系，囊括了模拟芯片行业的主要细分领域，能够为客户提供整体解决方案。公司自成立以来，以信号链模拟芯片开始，产品逐步覆盖了信号链模拟芯片和电源管理模拟芯片的细分领域。依靠多年来深耕行业和自主研发，公司已设计出多款前沿产品，包括高速接口元件、高精度运算放大器与温度传感元件、低功耗高效率电源管理元件等，具备提供高性能模拟混合信号半导体行业解决方案的能力，并获得ISO9001认证。

在信号链模拟芯片领域，公司产品包括高性能运算放大器、高性能模拟开关、MIPI开关、电压/电平转换器、感测采集类器件等系列。公司是国内少数既可以提供低功耗、超宽输入电压范围的低边采样高精度运算放大器，又可以提供高边电流采样高压高精度运算放大器产品的供应商。公司的高速USB接口产品涵盖USB2.0、USB3.1、Redriver，产品采用自主研发的USB布图和结电容优化设计架构，具有高带宽、高耐压等特点，同时具备较强的数据端口保护和负压信号处理能力，整体性能超过欧美品牌，得到国内外手机终端厂商OPPO、小米、VIVO、三星等的一致认可。公司是国内少数针对服务器推出一系列解决方案的供应商，系列产品包括温度传感器、PCIE3.0开关、I2C开关、USB3.1开关、I3C开关、SPI开关等产品。

在电源管理模拟芯片领域，公司产品包括高低压直流转换器、马达驱动、全系列线性充电、开关充电、高边开关、AC/DC的控制器、过压保护负载开关和电池保护芯片等。公司是国内安防监控领域DC/DC转换芯片以及LED驱动芯片的供应商之一，具有稳定的客户基础。产品涵盖从5V到40V输入的降压系列，最大输出电流可以达到8A，得到客户的一致认可。公司是Harman TWS及蓝牙耳机的高低压充电解决方案的主流供应商之一，公司开发的满足JEITA规范的充电系列芯片有效解决了温度检测精度及头盔式蓝牙耳机充电充不满的问题。上述充电芯片与丰富的高保真（HIFI）音频开关系列产品共同巩固了公司在TWS耳机、无线头盔式耳机以及音响领域的市场地位。公司的车灯产品涵盖汽车头灯、尾灯、氛围灯等领域，致力于在车灯方面为客户提供全流程解决方案服务，力争成为国内车灯驱动的主要供应商。公司将持续加大在汽车高边开关的研发投入，扩展从1毫欧到160毫欧的全产品系列，力争成为国内高边开关的龙头企业。

未来，公司将进一步加大研发投入和市场开发力度，进一步巩固核心竞争力，提高市场地位。

3、 主要经营模式
公司主要从事模拟芯片的研发、销售业务，经营模式为典型的Fabless模式，即公司专注于从事产品的研发，将主要生产的环节委托给晶圆制造企业、封装测试企业完成。

公司根据终端客户的需求或者对于市场的前瞻性判断进行芯片设计，设计完成后公司根据销售计划向晶圆制造厂下达订单，由其完成晶圆的生产工作。封装测试厂完成芯片封装测试后发回公司，经测试合格后公司对外销售。



二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
经过多年积累，公司在模拟芯片研发方面已拥有多项国内领先的核心技术，具体情况如下表所示：

序 号核心技术 名称技术 来源技术先进性及表征主要应用
1超低寄生 电容 ESD 结构自主 研发①-40V~40V范围内不同工作电压等级管脚保护的 超低电容ESD器件和ESD电路结构；②可支持最 高带宽11GHz的全系列的高速开关产品。摄像头高速 MIPI 开关、USB2.0、 USB3.0、USB3.1 Type-C开关等
2超低寄生 电容后道 金属结构自主 研发①定制非常规的双层厚金属厚介质结构，结合串 入耗尽层降电容技术以及钝化层平坦化技术，比 常规后道金属结构的对地寄生电容降低30%以上； ②采用下一代填充介质的深槽工艺技术，可使高 速通道的金属走线和压焊盘寄生电容减小 60%以 上。摄像头高速 MIPI 开关、各类移动终 端的 USB3.1 Type-C开关等
3低成本集 成 高 压 MOS自主 研发①在5V CMOS标准工艺上只增加2层光罩，定制 出10V CMOS简洁工艺模块，不增加额外的工艺热 过程；②该工艺简洁且移植性强，与标准工艺相比 可以降低15%以上的制造成本。大摆幅正负压输 出的音频驱动产 品
4超高压器 件技术自主 研发①在晶圆厂的标准器件基础上，进一步开发超高 压器件IP；②实现面积更小、集成度更高的高压 LDMOS、JFET、高压电阻的二合一、三合一器件等 的IP，以及相应的静电保护。适配器、LED驱动
5零功耗的 高性能模 拟开关控 制技术自主 研发①通过对比每个端口的电压，实时选出最高和最 低电压，在不消耗电源电压的情况下，实现处理正 负信号的功能；②在电源掉电后，仍然可以通过电 压选择模块，选出最低电压来控制NMOS，从而实 现隔离正负信号的功能。智能手机、智能可 穿戴设备等消费 类电子产品
6带宽高达 11GHz 的 高速开关 架构自主 研发①采用NMOS结构，特殊的版图设计方式大幅减小 了器件的寄生电容；②内部采用较多高阻电路结 构，可以减小寄生电容对带宽的影响，大幅提高开 关的带宽；③拥有较强的隔离度和防串扰能力；④ 支持1.5V~5V超宽的电源电压范围。超高速USB3.1信 号切换
7应 用 于 Type-C 接 口的 THD+N 超 过 -100dB 的音频模 拟开关架 构自主 研发①采用钳位NMOS栅极与源极电压，使得栅极与源 极电压差保持恒定，从而减小失真度；②采用了三 级5V NMOS串联架构，可以正常传输正负电压的 音频信号；③内部电压集成浪涌保护模块，可以抵 抗±25V浪涌。同时在发生纳秒级的快速过压保护 时，内部也能迅速响应，减小低压端的残余电压， 保护系统内部器件；④超过-100dB的THD+N性能， 保证耳机高保真音频传输。各种超薄智能手 机、笔记本等电子 设备的Type-C接 口
8低电压工 作、超低 功耗的高 精度运算 放大器架 构自主 研发①采用斩波与自动清零结合的技术方法，大幅降 低芯片的功耗；②采用超低功耗的低压偏置方式； ③采用标准的5V工艺平台，实现工作电压在1.8- 5.5V，整体功耗小于 1μA，系统失调电压小于 35μV。温度检测、电流检 测等领域需要超 低功耗高精度检 测的电子设备
9高压高精自主①该架构的输入共模电压大幅高于电源电压，共各种需要高精度
　度电流检 测架构研发模输入范围广，可以广泛应用于高边检测采样和 低边检测采样中；②核心运算放大器采用高压高 精度的运算放大器架构；③闭环增益的反馈电阻 采用薄膜电阻工艺，实现线性度不随电压变化而 变化。电流检测的电子 设备
10耗尽型音 频开关技 术自主 研发①采用负压电荷泵，提高负电压下耗尽管的隔离 度，有效隔离高频音频信号；②采用耗尽型的NMOS 开关，电压选择一直保持栅源电压（VGS）为0， 实现耗尽型的模拟开关导通电阻始终恒定。头戴式耳机
11温度检测 精度达 1 度架构自主 研发①针对指定的负温度系数电阻，通过分别修调内 部电阻、电压的方式，检测温度精度可以达到1度， 同时可以根据不同的温度改变芯片的工作状态； ②该架构可以灵活嵌入各种需要精确监控环境温 度的芯片方案中。各种需要温度监 控的充电应用
12超低待机 功耗的线 性充电架 构自主 研发①采用低功耗的基准架构，在完成充电的情况下， 通过时序来关掉恒压环路、恒温环路、恒流环路 等，将功耗降低到 55μA 以下，达到业内领先水 平；②超小面积，可以放入 1mm*1mm 的超小封装 中，适合TWS耳机的应用。小型化、低功耗的 TWS耳机
13高性能的 线性稳压 技术自主 研发①只需要纳安级别的偏置电流即可正常工作；② 限流点在输出短路时，短路电流会达到最小值，从 而可以有效保护芯片。低功耗的便携式 电子设备
14高压 DC- DC COT控 制技术及 其相关短 路功率控 制电路自主 研发①提高环路稳定性，降低静态功耗；②更快的负载 动态响应能力；③开关频率伪固定及减小频率抖 动；④支持超低输出电压；⑤优化的突发工作模式 设计，从而方便实现轻载高效率；⑥短路打嗝恢复 无过冲软启动。12V/5V 供电的电 子电气设备
15超低功率 损耗特性 的电路休 眠控制技 术自主 研发①低功耗直流转换芯片电路休眠技术；②休眠状 态中完全关闭所有模拟控制电路；③参考电压采 样保持电路自动休眠和定时唤醒。TWS 耳机底仓电 池管理、低功耗无 线设备、电池供电 的便携式设备
16超低纹波 的同步直 流转换控 制及零功 耗电容自 举驱动技 术自主 研发①输出电压0.1%纹波直流转换控制技术：电流型 脉宽控制模式；②自动降频，满足99%占空比需求； ③高侧功率管驱动电路零功耗设计；④自举电容 自动充电。单相、三相智能电 表、电力载波模块
17具备小于 1% PWM调 光能力的 LED 背光 驱动控制 技术自主 研发①通过 PWM 沿调节和误差放大器斩波方法提高 LED 调光深度小于 1%；②该技术可广泛用于各种 LED驱动。笔记本摄像模块、 网络摄像机、红外 监控设备
18无外置电 流采样电 阻的充电 技术自主 研发①采用开关型充电芯片无采样电阻恒流充电技 术，通过内部电路逐周期采样功率管电流与内部 参考电流之间的差值在电容上的累积电压值比较 判断实现恒流效果；②无外置采样电阻，可减少芯低功耗锂电池应 用设备
　　　片管脚数。　
19“无源” 负载检测 技术自主 研发①采用“无源”电阻设计技术，利用负压电荷泵 控制耗尽管开关，实现该开关在有源时断开的功 能；②在无源时耗尽管闭合实现电阻特性。TWS耳机、蓝牙音 箱等影音设备
20电感型负 压降压直 流转换驱 动技术自主 研发①采用负压降压架构及其驱动技术，峰值电流采 样控制模式简化设计；②浮动电源轨驱动电路提 高效率及带载能力；③短路闩锁电路技术提高芯 片可靠性。手机、电脑、 AMOLED 显示终端 设备
21降低总谐 波失真及 提高功率 因数的技 术自主 研发①通过控制导通时间的电压，进一步调节频率限 制点，能够降低电网输入电压变化幅度大的负面 影响，从而降低总谐波失真、提高系统的功率因 数；②在升降压构架中实现全电压范围内总谐波 失真指标低于5%，同类产品一般在10%左右。LED商业照明
22基于深度 调光的电 流纹波消 除技术自主 研发①采用超低带宽环路技术，在调光小电流条件下 能够避免低频闪烁现象，实现低于 0.1 的短时间 闪变值（Pst），使得人眼对光照度闪变波动的主 观视感极小；②专利的去纹波模块，能够实现低于 1%的闪烁百分比，性能业界领先；③100V的高耐 压设计，可靠性更高，可降低系统设计风险和生产 不良率。智能调光 LED 灯 丝灯
23基于共阳 极非斩波 的智能调 光技术自主 研发①采用创新性的采样结构和深度调光架构，突破 了共阳极设计和无斩波恒流构架容易出现的调光 深度不足的问题，在实现无斩波恒流驱动的同时， 调光深度小于0.5%，业界领先；②共阳极设计能 够显著减少多路输出线的数量，降低整体电源成 本；③无斩波设计可以实现无频闪，是健康照明的 较优解决方案。LED智能照明
24集成式系 统 ESD 防 护器件自主 研发①研发用于消费类、工控产品芯片的内置集成式 系统ESD防护器件；②研发满足5V～60V电压电 压范围内的多个电压等级，集成式系统 ESD 保护 器件，实现高于8KV 接触式放电和15K空气放电 等级的高 ESD 保护能力；③同时研发超低电容的 集成系统ESD器件，满足高速IC产品应用；消费电子、安防、 工控、通讯设备、 医疗器械
25纳安级功 耗的按钮 控制器方 案自主 研发①采用depetion技术，在待机模式静态电流低至 10nA（典型值）；②采用高精度振荡器架构，计时 精度在整个输入电源范围和温度下高达+-20%；③ 在芯片激活状态下，静态功耗低至6.5uA（典型情 况下）；平板电脑、智能电 话、游戏控制台、 消费类医疗产品
26符合 IEC 61000-4- 2 level 4 ±8kV air contact 要求，自 动检测传 输方向的 高速电平 转换芯片自主 研发①研发用于 sim 卡的双向电平转换芯片；②研发 自动检测传输方向的电平转换方案；③研发低延 迟的电平转换方案；④支持传输时钟频率最高 10MHz。消费电子
27单向高速 电平转换自主 研发①研发低延迟的单向电平转换芯片；②研究防止 IO口到电源（在无电源时）反向漏电的架构，该服务器、消费电子
　架构　架构能降低到传统结构面积的约25%。③支持传输 时钟频率最高24MHz。　
28车载 40V 高压、超 低 功 耗 LDO架构自主 研发①采用特有的低功耗高压比较电路，可以处理0- 40V的比较电压，功耗小于100nA（已申请专利）； ②内置超低功耗UVLO结构，结合trim方案可以 实现±50mV 的精度，功耗小于 300nA（已申请专 利）；③内置高精度基准，全温精度+/-1.5%，保 证了输出电压全温度范围的精度；④支持0.65V- 16V的宽电压输出。汽车、工业、消费 电子、通讯
29开关电源 中的误差 放大器输 出下钳位 动态跟随 软起电压 的技术自主 研发①使误差放大器输出下钳位的参考电压实时动态 跟随软起动参考电压，开关电源软启动时其误差 放大器输出直流工作点跟随软启动参考电压的渐 变过程，快速建立正确工作点；②能够减小启动过 程中系统突然加载时输出电压的变化，是输出电 压上升更线性平滑；智能手机，平板， 手持设备中的高 性能开关电源
30自适应误 差放大器 输出下钳 位技术自主 研发①智能确定跟踪正确的误差放大器输出下钳位电 压点②自适应优化误差放大器下钳位点，减小误 差放大器响应负载变化时的摆幅，提高瞬态响应 能力包含误差放大器 的开关电源
31基于高耐 压多拓扑 DC-DC 构 架的恒流 驱动关键 技术自主 研发①研发用于汽车前照灯应用的高耐压多拓朴恒流 高亮度LED驱动芯片；②兼容Buck、Boost、Buck Boost、SEPIC和Flyback拓扑；③工作电压范围 为 4.5V-60V④低静态电流<15uA⑤支持模拟调光 及PWM调光汽车智能照明
32超低输入 单电源供 电负载开 关架构自主 研发①研发用于开启或者关闭电源轨的负载开关，采 用电荷泵技术和先进工艺，突破目前负载开关单 电源供电方案需要较高的电压，实现在超低单电 源供电条件下芯片可靠工作并提供极低的导通阻 抗；②采用单电源供电，最低输入电压低至0.65V； ③导通阻抗在0.65V下小于10mohm；④在输入电 源范围内最大静态功耗26uA（典型情况下）；笔记本电脑、平板 电脑、手机、电信、 存储
33一 种 对 PVT 不敏 感的高精 度限流电 路自主 研发①采用高精度钳位运放使功率管和采样管的漏端 电压相等，使得功率管和采样管的VGS和VDS均 相等，进而提高采样精度； ②高精度钳位运放 采用AZ稳定架构，降低钳位运放的输入失调电压 到uV级别，且不受PVT的影响，大大提高了采样 精度。各种智能手机、 PAD，笔记本电脑 等电子设备的 Type-C接口
34一种适用 于低噪声 LDO 的与 电源启动 速度无关 的的基准 软起动电 路自主 研发①提供了一种与电源启动速度无关的基准软启动 电路及其软启动方法，实现了基准软启动与电源 的启动速度无关，即在电源启动速度无论是快还 是慢的情况下均能够实现基准软启动；②通过一 个电路同时实现了 LDO 基准的低噪声和软启动问 题；笔记本电脑、平板 电脑、手机、电信、 存储
35多通道， 本地及远 程温度检自主 研发①研发高精度（-40℃~125℃范围误差±1℃）片上 温度传感器和读出电路；②研发高精度（- 40℃~125℃范围误差±1℃）remote 温度传感器服务器、消费电 子、安防、工控、 通讯
　测，可自 动 识 别 BJT 类型 和 PNP beta，高 精度温度 读出技术　（检测片外PNP或NPN温度）和读出电路；③支 持自动检测片外PNP和NPN类型；④支持自动检 测PNP beta，且支持beta低至0.1；⑤支持自动 校准片外BTJ串联寄生电阻（高达200Ω）；　
36提供诊断 保护且受 到全方位 保护的四 通道智能 高侧开关 技术自主 研发①研发应用于灯泡驱动器、高侧继电器、螺线管驱 动器以及可编程逻辑控制器（PLC）数字输出驱动 器等四通道高侧开关；②符合汽车类应用要求，提 供功能安全；③具有丰富诊断功能的四通道 120mohm 智能高侧开关；④宽工作电压范围： 3.5V~40V；⑤高精度电流感测，可使用外部电阻调 节限流；⑥通过电流限制实现接地短路保护；⑦具 有感性负载负电压钳位，已优化转换率；汽车、工业、安防、 通讯、医疗
37一种新型 的 type-C 口湿气检 测方案自主 研发①采用电压检测，电阻检测两种方式检测湿气是 否发生，提高检测可靠性；②每当type-C口线插 入 后 ， 进 行 一 次 湿 气 的 电 压 检 测 ， 当 CC_IN,SBU1,SBU2,DP/R,DN/L 中任何一个 pin 与 VBUS之前存在湿气，此pin电压会升高，进而被 内部湿气检测模块所检测；③在type-C口不插外 设 情 况 下 ， 进 行 湿 气 电 阻 检 测 ， 当 CC_IN,SBU1,SBU2,DP/R,DN/L 中任何一个 pin 与 VGND之前存在湿气，此pin电压会把拉低，进而 被内部湿气检测模块所检测；④当检测到湿气发 生后，通知主控芯片，主芯片将type-C口Switch turn off，并断电，可以防止type-C口大电流烧 坏，和氧化；手机、PAD，笔记 本电脑、存储设 备、手持设备等
38用于提高 LDO 输出 瞬态特性 的技术自主 研发①研发用于智能手机相机应用的多路 LDO 芯片； ②一种适用于p/n功率管输出的LDO的极限负载 跳变动态加速以及过冲抑制电路。③提供极限负 载跳变（空载到满载）动态加速功能；④以较为简 单结构实现极限跳变情况下LDO快速响应功能；消费电子，智能手 机、低功耗的便携 式电子设备
39一种带负 反馈的环 形振荡器 电路自主 研发①优化负反馈控制环路，减小电源电压、温度和工 艺对频率的影响，使环形振荡器产生高精度的时 钟，从而满足系统的需求。②与传统的电流控制对 电容充电的负反馈控制相比较，本技术对控制小 电容对大电容充电，极大的增大响应速度，且具备 低功耗的优势。汽车智能照明
40基于数模 混合芯片 的低功耗 EEPROM 读 取电路自主 研发①采用2个EEPROM单元的差分比较后输出，节省 偏置电流②降低 EEPROM 单元的工艺要求，达到 EEPROM低功耗和低成本的要求。汽车智能照明



国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
江苏帝奥微电子股份有限公 司国家级专精特新“小巨人”企业2023年/

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司新增知识产权项目48项，其中发明专利27项。截止2024年6月30日，公司累计获得知识产权项目授权203项，其中发明专利授权72项，实用新型专利37项，集成电路布图设计专有权94项。

报告期内获得的知识产权列表


　本期新增　累计数量　
　申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）
发明专利292714272
实用新型专利135537
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他0189594
合计3048292203
注：其他为集成电路布图设计。

3. 研发投入情况表
单位：万元

　本期数上年同期数变化幅度（%）
费用化研发投入7,975.335,131.7955.41
资本化研发投入///
研发投入合计7,975.335,131.7955.41
研发投入总额占营业收入 比例（%）29.9928.42增加1.57个百分 点
研发投入资本化的比重（%）///


研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
(1)公司持续进行技术和产品创新，加大对研发项目的直接投入;
(2)公司持续引入优秀的研发技术人才，研发人员数量较上年同期增长45.59%,对应的职工薪酬和其他研发费用增加;

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号项目 名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进 展 或 阶拟达到目标技 术 水 平具体应 用前景
　　　　　段 性 成 果　　　
1USB2 .0 高耐 压、 抗浪 涌、 耳机 检测 等多 功能 数据 开关2,450.0046.532,296.06设 计 升 级研发 TYPE C 端口多功能 数据开关，集成湿气检测 功能，具备高耐压，高带 宽，高抗浪涌能力，自动 识别耳机等特点国 际 先 进 水 平消费类 电子
2温度 传感 产品2,200.00268.251,040.37设 计 升 级①研发高精度片上温度 传感器(-40 度-125 度温 度范围内误差小于±1 度)和读出电路②支持地 址检测③超低静态功耗， 静态电流小于6uA国 内 先 进 水 平消费电 子、服务 器，电信 设备，测 试设备 等
3电压 / 电 平转 换器1,600.00194.671,012.63量 产 阶 段研发自动检测传输方向 和低延迟的电平转换方 案；支持传输时钟频率最 高10MHz。国 际 先 进 水 平汽车电 子，消费 电子，工 控
4电源 监控 产品350.0015.97245.89量 产 阶 段研发用于消费类产品的 可配置延迟的按钮式超 小型复位芯片；内置高精 度 计 时 功 能 ， 可 在 1.6V~6.6V 电压和全温度 下计时精度达到+-15%国 际 先 进 水 平消费电 子
5负载 限流 开关2,700.00311.261,420.49设 计 升 级研发具有低导通阻抗，集 成软启动，多种保护，短 路电流折返等功能的高 精度负载限流开关国 內 先 进 水 平消费电 子、工 控、汽 车、通讯 设备、医 疗器械
6高边 开关5,000.00323.471,243.91设 计 阶 段研发符合汽车类应用的 智能高测开关，具有丰富 的诊断功能以及高精度 电流感测功能，集成热保 护，电池反接保护以及失 地保护功能，内置限流环 路可从外部调节限流值 以限制浪涌或过载电流。国 内 先 进 水 平汽车、工 业消费 电子
7高集 成度 智能 控制 驱动600.0014.20483.43量 产 阶 段研发用于高集成度的中 大功率智能控制驱动；内 置 700V 高压启动器件和 600V低阻抗功率器件，满 足北美DLC5.1新标准，系国 内 先 进智能照 明
　　　　　　统集成度更高。原边恒流 驱动构架调光深度小于 1%水 平　
8高速 数据 开关5,250.00541.053,478.09设 计 升 级研发满足车载，服务器， 消费电子等应用中不同 种类信号传输需求的开 关产品，适用于多种高速 信号类型传输，包括 PCIe 5.0、USB 3.0/3.1、 USB 3.2 Gen 1x1/Gen 2x1、USB4 Gen 2x1/Gen 3x1、10GE、Thunderbolt 3、SAS3.0、SAS4.0 和 CXL1.0、DP1.4国 内 先 进 水 平消费电 子、安 防、工 控、汽车 电子
9高效 率充 电产 品3,750.00360.922,167.29设 计 升 级研发应用于消费电子产 品的充电芯片，优化充电 效率并实现功率路径管 理，支持多种保护功能， 达到灵活配置充电电流， 高效充电的设计要求。国 内 先 进 水 平消费电 子、医疗 器械
10高性 能电 源稳 压器4,700.00753.383,779.97验 证 阶 段研发高性能电源管理产 品 ， 具 备 超 低 压 差 （DROPOUT）、大电流带载 能力、宽工作电压范围、 低噪声、高输出电压精度 和高PSRR等特点。国 内 先 进 水 平消费电 子、车载 系统、安 防、工 控、通讯 设备、医 疗器械
11高性 能多 通道 汽车 智能 照明 驱动 芯片6,400.001,364.214,353.77设 计 阶 段研发高性能多通道汽车 智能照明驱动芯片，用于 汽车尾灯，组合前照灯， 氛围灯等，集成多种诊断 保护机制设计，满足汽车 高可靠性要求国 内 先 进 水 平汽车智 能照明
12高压 大电 流电 机驱 动3,800.00766.121,914.76设 计 升 级研发用于车载电机驱动， 集成 OCP，温度报警，开 路保护等多种机制指示 功能，具有standby电流 小于 1uA，低功耗，带载 电流可达到12A等特性。国 内 先 进 水 平汽车、工 业控制
13高压 高精 度运 算放 大器3,100.00696.402,300.18验 证 阶 段研发用于电流检测或电 压反馈控制回路的驱动 芯片，多种固定增益可 选，可应用于各种共模、 差模的方案；供电电压的 范围从2.7V到60V；在全 共模范围输出精度达到 0.5%国 际 先 进 水 平消费类 电子，工 业控制， 汽车电 子
14降压 电源 转换 器6,570.00508.754,221.89验 证 阶 段研发高功率直流同步降 压转换器，采用展频、虚 拟纹波注入等先进技术， 使产品具有轻载高效，快国 内 先 进消费电 子、工 控、车载 系统
　　　　　　速动态响应，超低静态功 耗等特点水 平　
15升压 电源 转换 器1,350.0023.42894.62验 证 阶 段研发高耐压，低电压启动 等不同应用需求的升压 电源转换器，具有超低关 断电流，大占空比工作稳 定等特点。国 内 先 进 水 平消费类 电子，工 业控制， 汽车电 子
16显示 驱动 产品5,400.00573.223,094.20设 计 阶 段为显示驱动芯片提供多 路高精度电源国 内 先 进 水 平消费电 子、安防
17接口 扩展1,900.00193.95415.39设 计 阶 段研发支持两个主控制器 和最多八个从设备的智 能交换机；兼容I2C、I3C Basic 1.0、JEDEC I3C和 SMBus 协议；支持 Hot Join、IBI、网络分区、混 合透明和SMBus总线代理 等功能。国 际 先 进 水 平服务器， 基站，汽 车电子
18高性 能模 拟开 关800.00223.77585.67设 计 升 级丰富公司高性能模拟开 关种类，采用独特的设计 提高不同类型的信号在 传输完整性，串扰，带宽， 总谐波失真和高ESD等性 能。国 内 先 进 水 平消费类 电子
19多路 检测 产品800.00330.89526.92设 计 阶 段①研发用于汽车系统并 具有集成ADC和可调湿性 电流的多路开关检测接 口芯片②开关输入可承 受 40V 电压(负载突降条 件）和负电压（反极性条 件）③24路检测开关，多 种可配置湿性电流配置 ④在轮巡模式下具有低 于80uA的工作电流国 际 先 进 水 平汽车 电 子
20高性 能收 发器800.00197.61311.70设 计 阶 段研发高速高耐压收发器 产品，集成欠压保护，过 温保护，低功耗睡眠模式 以及待机模式,带远程唤 醒功能以及本地唤醒功 能，具有高抗电磁干扰能 力。国 内 先 进 水 平汽车、工 业以及 消费电 子类
21磁传 感器2,800.00267.30294.23设 计 阶 段研发满足车规级要求高 灵敏度霍尔芯片，支持高 达40V抛负载和输出短路 保护，超宽的工作电压范 围，内置稳定且高灵敏度 的差分霍尔盘，高共模抑 制能力，符合功能安全标 准国 内 先 进 水 平汽车、工 业以及 消费电 子类
合 计/62,320.007,975.3336,081.45////
上表中数据如存在尾差，系因四舍五入所致 （未完）
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