[中报]神工股份(688233):锦州神工半导体股份有限公司2024年半年度报告

时间:2024年08月16日 20:21:17 中财网

原标题:神工股份:锦州神工半导体股份有限公司2024年半年度报告

重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者注意投资风险。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人潘连胜、主管会计工作负责人袁欣及会计机构负责人(会计主管人员)刘邦涛声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 5
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 8
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 30
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 31
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 33
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 49
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 52
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 52
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 53



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责(会计主 管人员)签名并盖章的财务报表
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本 及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
神工股份、公司、本公 司锦州神工半导体股份有限公司
更多亮更多亮照明有限公司,系公司股东
矽康矽康半导体科技(上海)有限公司,系公司股东
北京创投基金北京航天科工军民融合科技成果转化创业投资基金(有限合 伙),系公司股东
晶励投资温州晶励企业管理合伙企业(有限合伙),系公司股东
旭捷投资宁波梅山保税港区旭捷投资管理合伙企业(有限合伙),系 公司股东
中晶芯北京中晶芯科技有限公司,系公司全资子公司
日本神工日本神工半导体株式会社,系公司全资子公司
上海泓芯上海泓芯企业管理有限责任公司,系公司全资子公司
福建精工福建精工半导体有限公司,系北京中晶芯科技有限公司控股 子公司
锦州精合锦州精合半导体有限公司,系福建精工半导体有限公司全资 子公司
锦州精辰锦州精辰半导体有限公司,系北京中晶芯科技有限公司控股 子公司
锦州芯菱锦州芯菱电子材料有限公司,系公司控股子公司
氩气退火工艺在氩气气氛下进行高温退火的工艺,能够有效地消除硅片近 表面区域缺陷,提高硅片质量。还可利用退火工艺在硅片内部 形成BMD(Bulk Micro Defect,硅氧化合物类的析出物)氧 沉淀来提高硅片的内吸杂能力,进而提高硅片质量
上海和芯上海和芯企业管理有限公司,系晶励投资执行事务合伙人
SK化学SKC Solmics Co., Ltd.
HanaHANA Materials Inc.
三菱材料Mitsubishi Materials Corporation
SEMISemiconductor Equipment and Materials International, 国际半导体设备和材料协会
WSTSWorld Semiconductor Trade Statistics,世界半导体贸易 统计协会
STIRSite Total Indicator Reading,局部平整度,硅片的每个 局部区域面积表面与基准平面之间的最高点和最低点的差值
TTVTotal Thickness Variation,总厚度偏差,指硅片的最大与 最小厚度之差值
单晶硅(硅晶体)硅(Si)的单晶体,也称硅单晶,是以高纯度多晶硅为原 料,在单晶硅生长炉中熔化后生长而成的,原子按一定规律 排列的,具有基本完整点阵结构的半导体材料
多晶硅由具有一定尺寸的硅晶粒组成的多晶体,各个硅晶粒的晶体 取向不同,是生产单晶硅棒的直接原料
等离子刻蚀机晶圆制造过程中干式刻蚀工艺的主要设备,主要分成 ICP 与 CCP 两大类。其原理是利用 RF 射频电源,由腔体内的硅上电 极将混合后的刻蚀气体进行电离,形成高密度的等离子体, 从而对腔体内的晶圆进行刻蚀,形成集成电路所需要的沟槽
直拉法切克劳斯基(Czochralski)方法,由波兰人切克劳斯基在
  1917 年建立的一种晶体生长方法。后经多次改进,现已成为 制备单晶硅的一种主要方法
热场用于提供热传导及绝热的所有部件的总称,由加热及保温材 料构成,对炉内原料进行加热及保温的载体,是晶体生长设 备的核心部件
单晶硅棒由多晶硅原料通过直拉法生长成的棒状硅单晶体,晶体形态 为单晶
晶圆、硅片硅基半导体集成电路制作所用的单晶硅片。由于其形状为圆 形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结 构,而成为有特定电性功能之集成电路产品
电极,刻蚀机电极,硅 上电极,硅片托环、硅 零部件集成电路制造主要工艺之一的“干式(等离子)刻蚀”所 用。等离子刻蚀设备腔体内的核心零部件。从控制腔体内洁 净度等方面考虑,材料多采用与硅片同质的大直径硅材料, 经精密加工后,成为刻蚀机腔体中硅上电极,或与晶圆直接 接触的硅片托环等硅零部件
芯片集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、封装、测 试后的产品
良率、良品率、成品率满足特定技术标准的产品数量占全部产品的数量比率
一致性不同批次产品核心质量参数的重复性和稳定性
元、万元、亿元人民币元、万元、亿元
报告期、本报告期2024年1月1日至2024年6月30日

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称锦州神工半导体股份有限公司
公司的中文简称神工股份
公司的外文名称Thinkon Semiconductor Jinzhou Corp.
公司的外文名称缩写ThinkonSemi
公司的法定代表人潘连胜
公司注册地址辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
公司注册地址的历史变更情况报告期内无
公司办公地址辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
公司办公地址的邮政编码121000
公司网址www.thinkon-cn.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)
姓名袁欣
联系地址辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
电话+86-416-711-9889
传真+86-416-711-9889
电子信箱[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板神工股份688233不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入125,219,876.7678,834,823.4358.84
归属于上市公司股东的净利润4,762,100.10-23,699,446.12不适用
归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益的净利润3,893,909.04-25,668,061.27不适用
经营活动产生的现金流量净额78,368,987.0937,877,267.51106.90
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产1,756,277,546.041,761,794,579.03-0.31
总资产1,942,298,211.131,933,422,436.150.46

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.03-0.15不适用
稀释每股收益(元/股)0.03-0.15不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.02-0.16不适用
加权平均净资产收益率(%)0.27-1.52不适用
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)0.22-1.65不适用
研发投入占营业收入的比例(%)9.8417.26减少7.42个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、营业收入同比增加58.84%,主要系半导体行业周期回暖,公司订单增加所致。

2、归属于上市公司股东的净利润同比增加,主要系营业收入增加所致。

3、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增加,主要原因同上。

4、经营活动产生的现金流量净额同比增加106.90%,主要系营业收入增加导致回款增加等因素所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减 值准备的冲销部分-18,756.29 
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外764,214.71 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外,非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益426,571.19 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费  
委托他人投资或管理资产的损益  
对外委托贷款取得的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失  
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益  
非货币性资产交换损益  
债务重组损益  
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用,如安置职工的支出等  
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响  
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用  
对于现金结算的股份支付,在可行权日之 后,应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益  
交易价格显失公允的交易产生的收益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出20,435.99 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额233,849.16 
少数股东权益影响额(税后)90,425.38 
合计868,191.06 

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
2024 年上半年,全球消费电子厂商及集成电路设计厂商的库存消耗取得一定成效。生成式人工智能与个人电脑、智能手机相结合,一批新概念、新产品初步面世,传统的个人电脑、智能手机等终端电子产品出货量也逐渐恢复;另一方面,汽车和工业领域集成电路市场则面临需求增长放缓,量价出现调整。上游集成电路制造、设备及材料厂商因其下游应用不同,受到的影响呈现结构性、阶段性特征。

随着以ChatGPT为代表的生成式人工智能应用渗透率提高,带动了先进制程芯片的研发、生产和投资,这有望成为下一轮半导体上行周期的先声。存储芯片市场受到HBM等高价值产品的需求拉动,已经出现结构性变化,三星、SK 海力士等头部存储厂商业绩回升,资本开支计划金额巨大。与此同时,经济大环境与半导体市场供求关系周期性变化的叠加,以及一些国家推出的半导体产业投资补贴政策和技术出口管制政策对供应链的扰动,继续造成报告期内较为复杂多变的市场环境。

根据世界半导体贸易统计协会(WSTS)2024年6月发布的数据,预计2024年全球半导体市场将同比增长16.0%,其中逻辑芯片市场增长10.7%,存储芯片市场增长76.8%。WSTS预计2025年全球半导体市场将同比增长 12.5%,其中逻辑芯片市场增长 10.0%以上,存储芯片市场增长25.0%以上。公司扎根于分工严密的国际半导体供应链中,所处硅材料细分行业在整个半导体产业链上游,经营业绩与上述数据所呈现的半导体行业景气度仍高度相关。

报告期内,公司采取措施继续优化成本和产品结构,进一步完善产品技术指标并拓展销售网络,加强研发工作,力图不断满足行业景气恢复后的新增市场需求。受半导体行业周期回暖带动,公司订单增加,报告期内实现营业收入12,521.99万元,相比去年同期增加58.84%。公司与中国本土半导体产业链融合程度渐深,业绩稳定性有所提升。

从公司主营业务分析:报告期内,大直径硅材料实现营业收入8,039.78万元,毛利率为57.75%;公司硅零部件产品受国产设备技术提升、产品迭代所带动,出现较大幅度的增长,报告期内实现营业收入3,657.68万元,接近该业务2023年全年收入即3,763.90万元,毛利率达35.42%,成为公司新的业绩增长点,按计划提高了公司整体业绩稳定性;半导体大尺寸硅片业务仍处于工艺优化和客户认证开拓期,尚未能够单独盈利。综上,公司在报告期内取得归属于上市公司股东的净利润476.21万元,实现扭亏为盈。

从产业链角度分析,公司的大直径硅材料产品,直接销售给日本、韩国等国硅零部件厂商,后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商,例如美国泛林集团(Lam Research)和日本东电电子(Tokyo Electron Limited ,TEL),并最终销售给三星电子、英特尔和台积电等国际知名集成电路制造厂商。根据上述国际主流刻蚀机设备厂商和集成电路制造厂商披露的财务数据,目前下游库存已经恢复到常规水平,高端存储芯片产品供不应求,集成电路制造厂商产能利用率逐步提升,资本开支水平企稳并有所增加。另一方面,中国本土半导体供应链安全需求迫切,国产设备厂商技术水平不断提升并追赶世界先进水平,产品迭代升级,中国本土主流集成电路制造厂商开工率逐步达到高水平,为公司带来市场机会。公司计划年内实现硅零部件产品向国产等离子刻蚀机厂商和存储类集成电路制造厂商的全面批量出货,实现硅零部件产品收入稳步提升。公司对标国际一流厂商某款销量较大的轻掺低缺陷硅片产品,已经进入国内主流集成电路制造厂认证阶段,公司将密切跟踪反馈情况,早日实现小批量订单。

年内,公司将加紧开发下游客户多样化的产品需求,以及中国本土头部企业对供应链安全及追赶世界先进水平的需求,争取取得更多订单,继续提升品牌知名度和客户信任度,实现业绩稳步增长。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
1.大直径硅材料
报告期内,继续通过工艺改进和设备升级等多方面手段来增加既有生产设备的单炉次产量,有效地控制成本;发挥公司特有的晶体生长技术优势,确保产品品质上的稳定性、一致性,保持国际上的领先地位。

2.硅零部件
报告期内,公司强化了定制开发能力,进一步满足了下游客户的需求。

3.半导体大尺寸硅片
报告期内,公司继续分阶段实施工艺优化,即通过工艺和热场结构的变化,加强对晶体内氧含量的控制,以适配不同规格硅片的相应技术要求,提高从晶体生长端到硅片加工端的协同效应。

公司掌握的核心技术情况如下:

序号核心技术技术优势
1无磁场大直径单 晶硅制造技术随着晶体直径的增加,生产用坩埚直径将增大,生产过程中热场的不 均匀性及硅熔液的对流情况也越明显,导致部分硅原子排列呈现不规 则性,进而形成更多的晶体缺陷,造成良品率下降。公司通过有限元 热场模拟分析技术,根据产品技术要求开发相应的热场及匹配工艺, 无需借助强磁场系统抑制对流,实现了无磁场环境下大直径单晶硅的 制造,有效降低了单位成本。
2固液共存界面控 制技术固液共存界面指晶体生长时的固态晶体与液态硅液接触的界面形状, 是硅单晶体生长的核心区域。由于晶体生长本质上属于原子层面的排 列变化,因此固液共存界面的微小变化均会对晶体生长质量产生重大 影响。晶体生长的不同阶段需要差异化的界面控制方法以保证形成合 适的固液共存界面状态,最终实现产品较高的良品率和参数一致性水 平。公司拥有的固液共存界面控制技术确保晶体生长不同阶段均能保 持合适的固液共存界面,大幅提高了晶体制造效率和良品率。
3热场尺寸优化工 艺对于大部分市场参与者,利用直拉法进行拉晶的过程中,成品晶体直 径与热场直径比通常不超过0.5。公司通过多年持续的研发试验,逐步 提升了热场设计能力并实现了热场尺寸的优化。目前公司成品晶体直 径与热场直径比已提高到0.6-0.7的技术水平,已实现使用28英寸石 英坩埚完成19英寸晶体的量产,有效降低了生产投入成本。
4多晶硅投料优化 工艺多晶硅投料优化工艺包括两大技术方向:一是多晶硅原材料与回收料 配比投入;二是单位炉次投料量单炉次投料数量受坩埚大小、热场尺 寸、产品型号等因素限制,投料数量的增加依赖工艺的改进和优化。 在保证高良品率的前提下,公司实现了多晶硅原材料与回收料配比投 入并量产,同时实现了单位炉次投料量及良品产量不断增长。
5电阻率精准控制 技术P型单晶硅棒电阻率控制是通过将硼系列合金掺入硅熔液中实现。公司 通过掺杂剂的标定方法、掺杂剂在硅溶液中的扩散计算方法、目标电 阻的设定方式实现了产品电阻率的精准控制。
6引晶技术通过控制晶体颈部的直径及长度等参数,快速排除晶体面缺陷和线缺 陷,减少晶体位错,从而提高一次引晶的成功率。
7点缺陷密度控制 技术轻掺晶体中容易产生晶体原生颗粒等点缺陷,导致单晶硅不能用于微 小设计线宽的集成电路制造,减少或消除晶体点缺陷是开发先进制程 硅片的前提,公司已实现在无磁场环境下利用点缺陷密度控制技术控 制并有效降低点缺陷密度。
8热系统封闭技术热系统是为晶体生长提供保障的关键部件,针对热场内部的石墨部件 损耗,开发出该方案。降低石墨部件随着气流所损耗的程度。保证晶 体结晶生长环境的稳定性。
序号核心技术技术优势
9晶体生长稳态化 控制技术基于理论和实践结果,生长状态保持稳定,有利于获得更高品质的晶 体。在晶体生长过程中,通过对热系统的配置、工艺参数控制,保持 均匀的原子排列速度,使晶体的生长处于稳定状态。
10多段晶体电阻率 区间控制技术由于掺杂剂的物理偏析特性,晶体的电阻率从头部到尾部是连续变化 的。控制不同区段的掺杂剂浓度,使得同一批次晶体,呈现多种电阻 率分布。
11硅片表面微观线 性损伤控制技术硅片抛光过程难免出现一些小划痕,从而降低良品率。在抛光工序 中,通过系统性的工艺改良,大大减少划痕的出现概率,提高良品 率。
12低酸量硅片表面 清洗技术对于去除硅片表面的重金属污染,传统方法是使用浓度较高的酸混合 液。通过改良清洗配方,降低酸的使用量,达到同样的去除金属效 果,并降低了制造成本。
13线切割过程中硅 片翘曲度的稳定 性控制技术通过对线切割过程中张力、砂浆配比、砂浆温度等参数进行优化调 整,有针对性地调整局部参数,系统性保障线切割过程的稳定性,有 效控制硅片的翘曲度。
14硅电极微深孔内 壁加工技术硅电极产品制作过程中需要打通近千个微小深孔,为了减少刻蚀过程 中的微小颗粒物数量,必须对其内表面进行抛光工艺处理,达到无毛 刺、表面洁净的效果。
15脆性材料非标螺 纹加工技术不同厂商的等离子刻蚀机,有不同规格的螺纹孔。公司通过对硅这种 脆性材料的深入研究,开发出一系列的加工工艺,可以制作各种规格 的螺纹,并且能够保证螺纹的完整性和强度。
16直拉法晶格间应 力释放技术对8英寸晶体内晶格间的应力进行有效释放,降低晶体缺陷。晶格间 的应力,影响晶体最终的缺陷形态,因此,硅原子相变过程中,通过 外部工艺施加影响,逐步释放这部分能量,降低缺陷的产生。
17热处理衍生缺陷 控制技术在8英寸晶体的生长过程中,通过控制晶体中的氧浓度,以及适当增 加异种元素浓度等工艺来控制氧化合物析出,以在合适水平控制热处 理衍生缺陷的技术。
188英寸晶体电阻 控制技术IC制造厂商根据使用方向的不同,对硅片的电阻率偏差要求不同。而 晶体生长过程中,由于偏析现象,晶体各部位的电阻率不同,头尾电 阻率比值较大。公司通过精准控制各种长晶参数,可较为精确地控制 晶体电阻率的均匀性。
19抛光硅片表面雾 化现象控制技术针对200mm抛光片雾化现象,公司综合硅片平坦度、表面粗糙度控制 等技术,结合特定的表面清洗工艺有效控制硅片表面颗粒粘附、边缘 崩塌等问题,控制抛光加工中的一些关键技术,极大改善和提升硅片 表面平坦度。
20单晶硅及多晶硅 材料细微深孔加 工技术针对单晶硅、多晶硅材料的细微深孔加工:通过一系列精密工艺,保 证了细微深孔圆度;研发出特制工具和装置,并通过改变转速、单次 啄钻深度、进给速度等参数,提高了细微深孔深度加工能力及精度; 同时采用更细密的磨削砂轮,降低表面粗糙度,精确控制表面各点磨 削去除量,发明了改善端面铣削进退刀痕迹的加工方法,达到了外观 修整的目的。
21多晶硅晶体生长 过程中晶格间排 列方向微控制技 术多晶硅晶体生长过程中,溶液分子容易与杂质或坩埚壁结合形成非均 质形核。这种晶核生长出的晶花较为松散,尺寸偏大,晶向无明显规 律。利用定向凝固方法,在原料中放置了一定比例的具有一定晶向的
序号核心技术技术优势
  原料,并辅助特定的堆料方式,通过精细化过程控制,达到多晶生长 过程中的晶格有序排列,提高了多晶硅晶体品质。
22多角度恒压力抛 光技术该项技术工艺可使抛光压力作用于各类表面的法线方向,实现圆形平 面,环形平面,圆锥面、大曲率变化面等复杂异形面的快速抛光,同 时在作业过程中实时监测系统的抛光压力并自动调整,保证所有表面 在同一抛光压力下完成,表面形貌一致,损伤层去除均匀,实现优良 的表面完整性,进一步满足下游客户的需求。
23硅片表面超平坦 抛光技术通过温度控制技术,管理抛光液及抛光垫温度,控制抛光片表面形貌 变化。针对抛光液用量和循环时间的管控,控制抛光定盘形状,通过 抛光过程中载荷和转数的匹配,使抛光过程中各个阶段的平坦度和去 除量达到平衡,从而达到有效控制平坦度的效果。
24硅部件精密磨削 工艺为了避免研磨工艺成本较高的弊端,公司开发了精密磨削工艺,在磨 削中能够精准的将表面粗糙度控制在Ra0.2~Ra0.8区间内,平面度达 到微米级别,在产品表面加工中替代研磨工艺,可以大幅提升效率。 加工后的产品表面状态优良,能够为后续的表面处理打下良好基础, 进一步丰富了工艺,提高了效率,强化了定制开发能力,满足客户的 多样化需求。
25硅部件精密洗净 技术精密硅部件需要通过特有的化学清洗工艺进行处理,方能保证产品的 纯净无污染。公司研发了洁净环境自动化清洗线,全程历经十几道工 艺段,辅以超纯水、超声波、高压清洗等手段,对硅部件产品进行全 方位精准清洗,再经过无尘干燥包装技术,对硅部件产品进行隔离防 护,避免二次污染,满足客户对产品洁净程度的要求。
26高温氩气退火技 术通过流体控制技术,调整升温时间以及升温速率等多项参数,在足够 高的温度区间,使硅片表层区域内的COP等原生点缺陷表面的自然氧 化膜向外扩散,并使得硅原子发生迁移从而补平该点缺陷,有效去除 近表层区域的晶体原生缺陷。同时,通过对氩气流量的控制,使硅片 在经过高温氩气退火工序后,表面雾化现象不易产生,在硅片体内的 中间部分增加BMD等析出物,增加了硅片的强度,使硅片不易发生翘 曲,从而提升硅片品质。
27酸腐蚀平坦度控 制技术通过在特殊配比的酸腐蚀混合溶液中添加两性离子表面活性剂,改变 硅片表面溶液的张力。腐蚀过程中通过特定的多种机械复合运动使硅 片在腐蚀溶液中均匀反应,有效改善STIR(Site Total Indicator Reading)和TTV(Total Thickness Variation)指标。
28硅部件精密刻蚀 洗净技术通过增加硅部件在不同清洗槽内的多段位移运动,形成硅部件产品清 洗的新工艺。同时辅以联合开发的预清洗机台、特殊比例药剂等工艺 方法共同配合,完成对硅部件内微小气孔及表面的彻底洗净,进一步 减少颗粒度并隔离金属离子,满足高端客户需求。
29硅片表面颗粒清 洗技术硅片加工过程中存在颗粒污染,这些颗粒通过化学吸附和物理吸附留 存在硅片表面造成污染。我司通过对清洗液的配比优化,减少硅片表 面微腐蚀,清洗表面颗粒,并使用特种过滤技术使颗粒不会再吸附在 硅片表面。使用特种声波技术清洗去除硅片表面细小颗粒,辅以表面 氧化使硅片表面形成钝化保护层。通过静电去除技术避免干燥后硅片 表面造成二次颗粒吸附。
30多晶硅晶体致密 性优化技术针对多晶抛光后易出现的表面异常白点或空洞,通过计算控制原料中 不纯物的混入量,辅助特殊的装料方法,减少空洞发生的概率。通过
序号核心技术技术优势
  更换离型剂的主要成分,改善硅晶体和引晶材料之间的界面能,有利 于诱导晶核的产生,提高晶体的致密性。
31高温气体可控分 布技术为保证大尺寸、复杂形状构件表面陶瓷涂层的完整均匀覆盖,避免出 现颗粒夹杂、生长取向偏差及晶型转变等沉积缺陷,公司通过对沉积 过程的热/流场模拟仿真并结合大量工艺实验,研发出一套适用于陶瓷 涂层高温沉积的可控气体分布技术。该技术将合理化的流道设计和独 特的喷嘴结构相结合,实现了对待沉积工件表面不同位置的工艺气体 均匀可控输送,从而很好地消除了大尺寸异型构件涂层过程中常见的 “阴影效应”和“位置效应”,能有效地提高该类产品的涂层质量和 良品率。
32快速CVD-SiC技 术在公司已有的SiC涂层CVD工艺积累基础上,研发出一套高通量工艺 气体进气系统,该系统可以在设备垂直方向和水平方向上同时保证工 艺气体进气均匀性的基础上,长时间维持大流量甲基三氯硅烷的进气 稳定性,从而保证SiC在基体表面的持续快速生长。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定 年度产品名称
锦州神工半 导体股份有 限公司国家级专精特新“小巨人”企业2021 年半导体单晶硅、大尺寸硅片及零部件

2. 报告期内获得的研发成果
公司持续加强研发投入,报告期内取得的研发成果包括:
报告期内,公司在CVD-SiC技术领域研发取得了“快速CVD-SiC技术”,公司的高通量工艺气体进气系统可以长时间维持大流量甲基三氯硅烷的进气稳定性,从而保证SiC在基体表面的持续快速生长。新增发明专利申请1个,实用新型专利申请2个,获得实用新型专利9个。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利102310
实用新型专利299184
外观设计专利    
软件著作权    
其他    
合计3911494

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入12,318,612.0613,607,992.23-9.48
资本化研发投入   
研发投入合计12,318,612.0613,607,992.23-9.48
研发投入总额占营业收入比例(%)9.8417.26减少7.42个百分点
研发投入资本化的比重(%)   

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用


4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序号项目名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平具体应用前景
18英寸硅 片研磨过 程中的 TTV控制 工艺研究300.00149.88423.51通过工艺开发和优化,采用新型号研磨机 台和研磨液添加剂,硅片TTV指标加工能 力达到国内领先水平,取得预期效果在现有平坦度基础上优 化,达到业内先进水平国内 先进8英寸芯片先进 制程的基础材料
2基于碱腐 蚀的硅片 平坦度研 究500.00216.30539.70已完成批量生产,通过工艺稳定性验证。 产品平坦度,金属检测指标达到国内领先 水平,取得预期效果在现有平坦度基础上优 化,达到业内先进水平国内 先进8英寸芯片先进 制程的基础材料
3氩气退火 工艺开发2,000.00240.07992.89已完成工艺调试,并实现批量生产,各类 重要检测指标均符合技术预期要求,基本 达到预期效果能够生产正片级别的氩气 退火片国内 先进8英寸芯片先进 制程的基础材料
4硬脆材料 特征加工 工艺研发200.0034.38117.45通过开发硅部件的特殊形状加工工艺和方 法,结合配套的工装器具,改善硅部件形 状加工的效率,提高了硅部件形状加工可 靠性和良品率,加工工艺已基本固化,工 艺取得预期效果。样件产品已送至客户进 行小批量验证提高硅部件形状加工多样 性,降低异形硅部件加工 难度,改善硅部件形状特 征加工后表面状态,提高 形状加工的生产效率,提 高终端客户实验测试多样 性国内 先进集成电路制造环 节中干法刻蚀机 中的硅部件
5柔性切削 减少表面 损伤层的 工艺方法50.0022.0861.64开发了柔性切削工艺,配合先进的自主设 计刀具,降低硅部件加工过程中产生的表 面损伤层厚度,提高硅部件表面加工质 量,使得产品化学腐蚀工艺难度降低,腐 蚀后的产品表面一致性好,提高了对等离 子体的耐受程度。通过柔性切削工艺完成 的产品,小批量样件已送至终端处测试,提高硅部件表面质量,降 低表面损伤层厚度,降低 化学腐蚀难度,使腐蚀后 的产品表面一致性好,等 离子体耐受程度提高,降 低客户使用成本国内 先进集成电路制造环 节中干法刻蚀机 中的硅部件
     效果良好。小批量测试已完成验证,进行 中试。   
6介质蚀刻 用新型硅 电极表面 改良技术150.00121.28223.00应对客户端的新需求,开发了新配方的蚀 刻用负离子混合溶液,辅以两性离子表面 活性剂并改良了原有工艺路线,在消除硅 部件加工损伤层的同时,表面能够形成不 同于一般酸性腐蚀的微观结构。初期实验 已经完成,样品在终端客户处验证通过并 小批量供货改善硅部件微观状态,满 足终端客户新型刻蚀设备 的使用需求,同时能提高 硅部件的使用寿命,丰富 公司蚀刻生产工艺,彰显 定制化研发能力,满足多 样化需求国内 先进集成电路制造环 节中干法刻蚀机 中的硅部件
7超大尺寸 硅材料表 面清洗工 艺研发500.00200.91200.91针对超大尺寸表面清洗困难,部分角落清 洗不干净的情况,公司通过自主设计外部 清洗设备及工装,模拟预期清洗效果提升产品表面洁净度,满 足客户需求国内 先进集成电路刻蚀用 高精密硅部件、 石英部件等
8SiC涂层 微结构控 制200.0094.0594.05公司本阶段通过分析不同产品需求,调整 沉积工艺参数,控制晶粒大小、生长速 率,调整涂层与不同基体的结合情况,确 认了工艺参数范围与微观结构的关系通过控制涂层微结构,匹 配不同产品的使用环境, 提高产品使用寿命国内 先进硅片外延成长用 的托盘,以及集 成电路制造设备 用的炉管晶舟等
9SiC-bulk 产品制备 技术300.0062.762.7通过对SiC块体生长环境的高精度控制和 机加工工艺的迭代优化来提高SiC-bulk 产品的性能、产能和良品率。利用自研的快速CVD-SiC 设备制备满足等离子刻蚀 设备应用要求的SiC-bulk 材料,并配套相应的机加 工和后处理工艺方案。国内 先进集成电路制造环 节中干法刻蚀机 中的电极和聚焦 环等部件
合计/4,200.001,141.652,715.85////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)8189
研发人员数量占公司总人数的比例(%)20.0523.99
研发人员薪酬合计484.11475.03
研发人员平均薪酬5.985.34


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士研究生34%
硕士研究生56%
本科4049%
专科及以下3341%
合计81100%
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含30岁)1721%
30-40岁(含30岁,不含40岁)4252%
40-50岁(含40岁,不含50岁)1012%
50-60岁(含50岁,不含60岁)79%
60岁及以上56%
合计81100%

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
经过多年积累,公司形成了较强的技术、质量、客户、销售服务、细分行业方面的领先优势,具体如下:
(1)技术优势
自成立以来,公司一直专注于大直径硅材料及其应用产品的研发、生产与销售,突破并优化了多项关键技术,构建了较高的技术壁垒。公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项业内领先的工艺或技术,在维持较高良率和参数一致性水平的基础上有效降低了单位生产成本。报告期内,公司在CVD-SiC技术领域研发取得了“快速CVD-SiC技术”,公司的高通量工艺气体进气系统可以长时间维持大流量甲基三氯硅烷的进气稳定性,从而保证SiC在基体表面的持续快速生长。

(2)质量优势
目前公司已经建立符合国际标准的质量控制和品质保证体系,并严格按照ISO9001质量管理体系认证的相关标准,在产品设计开发、原材料采购、产品生产、出入库检验、销售服务等过程中严格实施标准化管理和控制,实施精益生产,使产品质量得到巩固和提升。公司持续通过艰苦的努力,规范和提高生产各个环节的标准化。

(3)客户优势
公司下游客户对合格供应商的认证程序十分严格,认证周期较长,认证程序复杂。凭借较高良品率和参数一致性水平、持续稳定的产品供应能力,公司在集成电路刻蚀用的大直径硅材料领域树立了良好的口碑,并与海外客户建立了稳固的商业合作伙伴关系。公司产品直接销售给日本、韩国等半导体强国的知名硅零部件厂商。后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备原厂,例如美国泛林集团(Lam Research)和日本东电电子(Tokyo Electron Limited, TEL),并最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商。公司硅零部件产品已经进入北方华创、中微公司等中国本土等离子刻蚀机制造厂商和长江存储、福建晋华等本土一流存储类集成电路制造厂商;半导体大尺寸硅片产品已经定期供货给日本某集成电路制造厂商。

(4)销售服务优势
公司建立了覆盖海内外的系统销售服务体系,持续完善覆盖日本、韩国客户的服务网络,并建立了兼具广度和深度的国内销售网络,覆盖了国内主流刻蚀机原厂以及行业主流集成电路制造厂商,能够提供及时可靠的售前和售后服务。

公司成立了由管理层负责的专业销售团队。通过定期及不定期拜访客户,能够快速、准确地理解客户的个性化需求,并及时获取行业技术发展动态及市场信息。公司在客户需求的响应速度、产品供货速度、持续服务能力等方面均表现良好,形成了销售服务优势。

目前,公司泉州、锦州两处硅零部件工厂按需扩产,公司南北两处厂区的布局能够高效完成研发对接,快速响应下游国内等离子刻蚀机生产厂家以及集成电路制造厂商客户自主委托定制改进硅零部件的需求,更好地服务全国客户。

(5)细分行业领先优势
公司自成立以来一直专注于大直径硅材料及其应用产品的生产、研发及销售。凭借多年的积累和布局,公司在大直径硅材料领域继续保持领先地位,掌握了 22 英寸及以下尺寸晶体的所有技术工艺,能够大规模、高品质、高可靠、广覆盖地向全球下游厂商提供大直径硅材料产品,在全球细分领域处于领先地位。

2018 年以来,公司顺应了等离子刻蚀机技术升级所带来的新需求,突破了大直径硅材料领域的诸多技术障碍,长期的品质一致性和成本优势为公司赢得了国际市场份额,并使下游客户对公司产生依赖。

近年来,公司在 16 英寸以上大直径硅材料领域的产能扩张较快,已经确保公司产能大于下游厂商的自有大直径硅材料产能,具有技术和规模双重优势。由于公司下游直接客户硅电极产品的主要应用场景在于终端客户集成电路制造厂商的12英寸生产线,而12英寸晶圆制造越来越多地采用16英寸以上大直径硅材料产品所制成的硅零部件,因此公司具备独特的竞争优势。

在硅零部件领域,公司是国内极少数具备“从晶体生长到硅电极成品”完整制造能力的一体化厂商。公司硅零部件产品的上游原材料(大直径刻蚀用单晶硅材料)具备稳定性、一致性、便捷性及成本的优势;
报告期内,公司开发的各项技术,能够满足设备原厂不断提升的技术升级要求。在半导体大尺寸硅片领域,评估认证工作取得一定进展,具备了向国内集成电路制造厂商供应高质量硅片的潜在实力。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2024 年上半年,经过持续近两年的库存消耗,智能手机、个人电脑等主力消费电子产品销量温和回升,但受制于全球通货膨胀和地缘政治影响,消费者信心不振,因此尚未恢复往昔繁荣。

尽管以ChatGPT为代表的生成式人工智能应用呈现快速发展态势并带动下游高性能逻辑和存储芯片的研发、制造和投资,但从公开数据分析,其短期内仍不能代替消费电子产品对集成电路产品的需求拉动。半导体产业的下游客户仍在竞相通过大量资本开支和研发投入,利用更大规模的算力和存储投入,支撑产品和服务创新,试图找到大众消费的引爆点并占据下一轮景气周期的先机。

展望2024年下半年,台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)于2024年7月预测,晶圆代工业收入将增长10%;SEMI预测2024年全年全球半导体制造设备销售额将达到1090亿美元,同比增长3.4%,在前后端细分市场的推动下,2025年的销售额预计将创下1280亿美元的新高,同比增长将达到17%。

报告期内,公司作为深深植根于全球半导体产业链的细分市场领先企业,亦在稳健应对以上新形势下的机遇和挑战:一方面半导体市场仍处于调整阶段,集成电路制造厂开工率整体并未达到高水平,影响上游设备和材料市场;另一方面,下游终端市场出现新的结构性需求,先进制程的高性能逻辑芯片和存储芯片制造对硅材料及其制成品的物理化学性质提出了更严苛的要求。目前公司半导体大尺寸硅片项目的正片产品仍处于下游客户评估认证阶段,因此该项目产生效益暂时与新增固定资产和无形资产投资带来的折旧和摊销存在一定差距。以上因素在短期内对公司盈利能力造成了一定影响。

报告期内,公司实现营业收入12,521.99万元,较去年同期增加58.84%;归属于上市公司股东的净利润476.21万元,实现扭亏为盈。

公司已开展的具体工作情况如下:
(一)研发工作
公司高度重视对产品研发的投入和自身研发综合实力的提升,公司通过构建科学合理的研发体系,使公司研发方向能够始终紧随行业前沿步伐,又能紧密贴合客户实际需求。目前公司已扎根于分工严密的国际半导体供应链中,并在相关细分领域形成了一定的优势;随着中国本土硅材料及其制成品市场迅速扩张,公司聚焦高技术、高价值产品,在国产供应链细分市场中已经开始发挥独特作用。

报告期内,公司在CVD-SiC技术领域研发取得了“快速CVD-SiC技术”,公司的高通量工艺气体进气系统可以长时间维持大流量甲基三氯硅烷的进气稳定性,从而保证SiC在基体表面的持续快速生长。

(二)产能提升工作
大直径硅材料业务,公司将根据直接客户订单数量并结合行业的需求增速,按计划扩充产能;硅零部件业务,为保证未来客户批量订单的及时交付,公司正继续在泉州、锦州两地扩大生产规模,确保满足下游客户需求;
半导体大尺寸硅片业务,当前公司硅片产能稳定,产品大多数的技术指标和良率已经达到或基本接近业内主流大厂的水准。公司目前继续提升生产工艺和良率稳定性,努力实现兼顾验证评估需求与公司经济效益的最佳产量平衡和最优排产计划,为满足未来正片评估通过后的批量订货需求做好准备。

(三)市场拓展工作
大直径硅材料业务,公司根据下游市场需求不断优化单晶质产品的销售结构。大直径多晶硅材料及其制成品已通过海外客户评估并实现批量供货;
硅零部件业务,公司的硅零部件产品已经进入长江存储、福建晋华等中国领先的本土存储类集成电路制造厂商供应链,集成电路制造厂商向公司发出的硅零部件定制改进需求,主要为技术难度较大、价值量较高的先进机台所需产品,尺寸大、加工工艺要求高。公司在数家 12 英寸集成电路制造厂商已有数十个料号获得评估认证通过结果。完成评估认证的产品,在集成电路制造厂商相应料号中所占据的采购份额持续提升。

公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,适用于 12 英寸等离子刻蚀机,已有十余个料号通过认证并实现小批量供货,同时能够满足刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。

公司产品的认证应用范围,已经从研发机型扩展至某些成熟量产机型。

半导体大尺寸硅片业务,公司某款硅片已定期出货给某家日本客户。技术难度较高的8英寸轻掺低缺陷超平坦硅片在国内主流客户端评估中取得认证通过并取得批量订单。目前公司正积极同国内多家主流晶圆代工厂商开展硅片测试片及正片的评估认证。

(四)募投项目进展工作
公司首次公开发行股票募集资金投资项目“8 英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目”和“研发中心建设项目”已达到预定可使用状态并结项;公司以简易程序向特定对象发行股票募集资金投资项目“集成电路刻蚀设备用硅材料扩产项目”按计划投入并处于工程施工和设备安装阶段。新建的刻蚀用硅材料生产线,将满足下游日益增长的不同尺寸的市场需求。

市场信息显示,随着本轮半导体库存调整周期逐渐结束并再次进入景气周期,大直径硅材料的市场需求将继续增加。这一方面因为半导体市场的整体增长,另一方面是芯片制程对线宽的要求更加严苛且高深宽比刻蚀的应用增多,因此在单片硅片的刻蚀次数及相应的硅零部件消耗量正在增加,集成电路制造厂商的刻蚀设备采购金额占设备投资总额比例逐年上升。公司在 16 英寸以上大直径单晶硅材料以及超大直径多晶质产品的领先优势将有助于公司扩大市场份额。

公司将继续扩充产能、精研技术、提高管理水平,抓住时间窗口,迎接下一轮半导体上行周期不断扩大的下游需求。围绕“半导体材料国产化”的国家战略,公司“集成电路刻蚀设备用硅材料扩产项目”将进一步提升刻蚀用硅材料产品产能,巩固公司在全球范围内的竞争地位,满足公司战略发展的需要。公司将根据下游市场需求不断优化产品结构,进一步提升毛利率较高的16 英寸及以上大直径产品占比,同时积极拓展刻蚀用多晶硅材料产品业务,进一步提高盈利能力。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
1.客户集中风险
大直径硅材料产品是公司收入的主要来源。单晶硅材料行业具有进入门槛高、细分行业市场参与者较少等典型特征。公司主要客户包括三菱材料、SK 化学等境内外企业,主要分布在中国、韩国、日本等国家和地区,客户集中度较高,存在客户集中风险。如公司下游主要客户的经营状况或业务结构发生重大变化并在未来减少对公司产品的采购,或出现主要客户流失的情形,公司经营业绩存在下滑的风险。

2.供应商集中风险
公司生产用原材料主要为高纯度多晶硅、高纯度石英坩埚和石墨件等,其中高纯度多晶硅的终端供应商主要为瓦克化学,高纯度石英坩埚的主要供应商为SUMCO JSQ,尽管公司已经开始根据下游客户需求进行原材料国产化,但公司高纯度多晶硅和高纯度石英坩埚的采购渠道仍较为单一,采购集中度较高。如果公司主要供应商交付能力下降,公司原材料供应的稳定性、及时性和价格均可能发生不利变化,从而对公司的生产经营产生不利影响。

3.原材料价格波动风险
公司生产用主要原材料为高纯度多晶硅、高纯度石英坩埚和石墨件等,原材料成本占公司主营业务成本的比重较高,主要原材料价格的变化直接影响公司的利润水平。如果未来原材料价格大幅度上涨,且公司主要产品销售价格不能同步上调,将对公司的盈利能力产生不利影响。

同时公司采购的多晶硅原材料纯度通常为8个9以上,公司生产并销售的集成电路刻蚀用单晶硅材料产品纯度主要为 10 个 9 以上。纯度是公司产品的重要参数指标之一,从纯度参数看公司产品与原材料的纯度差异较小,约为1-2个数量级;如果公司采购的原材料质量不稳定,可能对公司产品品质产生一定不利影响。

4.业务波动及下滑风险
公司的大直径硅材料产品主要向下游集成电路刻蚀用零部件制造商销售。此类制造商对公司产品进行精密机械加工形成硅零部件产品,最终销售给等离子刻蚀机制造商或直接向集成电路制造厂商销售。

部分规模较大的硅零部件生产商除具备机械加工能力外,仍自行保有一定规模的大直径单晶硅材料生产能力。在行业上升周期,主要客户对单晶硅材料的增量需求主要通过外购满足,而在行业下行周期,主要客户因具备一定的大直径单晶硅材料生产能力,外购单晶硅材料的规模可能下降。因此,公司作为行业内主要的大直径单晶硅材料生产企业,在行业下行周期中可能面临较高的业务波动风险。

同时,报告期内公司产品主要向中国大陆、韩国、日本销售,半导体国产化进程及全球半导体产业景气恢复对公司业绩带来一定积极影响,但公司下游客户采购计划的调整相比行业景气度恢复具有一定的滞后性,且半导体行业属于周期性行业,行业整体需求受全球地缘政治冲突等影响仍存在不确定性。

公司硅零部件和半导体大尺寸硅片产品,面向半导体等离子刻蚀机设备厂商和集成电路制造商销售。考虑到半导体行业景气度通过影响存量芯片生产线的产能利用率以及芯片生产线的新增投资水平,最终影响等离子刻蚀机硅零部件产品和半导体大尺寸硅片市场需求,因此公司以上两种新产品的销售前景与半导体行业景气度相关,在行业下行周期中同样可能面临一定的业务波动风险。

5.市场开拓及竞争风险
公司大直径硅材料产品的现有客户包括三菱材料、SK 化学、CoorsTek、Hana 等半导体材料行业企业;硅零部件产品下游客户为国内等离子刻蚀机制造厂商和国内集成电路制造厂商,前者如北方华创、中微公司,后者如长江存储、福建晋华等公司;半导体8英寸轻掺低缺陷抛光硅片的目标客户群体为国内外集成电路制造商,主要包括台湾积体电路制造股份有限公司、中芯国际集成电路制造有限公司等企业。因此,公司大直径硅材料产品既有客户与硅零部件产品、半导体大尺寸硅片产品的目标客户并不重叠,公司拓展下游客户存在一定难度和不确定性;同时半导体8 英寸轻掺低缺陷抛光硅片所在细分市场的市场集中度较高,新进入者面临的市场竞争较为激烈。

如果公司不能成功开发半导体8英寸轻掺低缺陷抛光硅片或开发进度不及预期,则可能拉长前期技术投入的回报期或无法有效应对市场竞争,将会对公司未来经营业绩产生不利影响。

为加快8英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目实现效益,公司已采取及拟采取的措施包括:
1)调整募投项目建设节奏,稳步推进募集资金投入
公司于2021年 12月 27日召开第二届董事会第三次会议、第二届监事会第三次会议,分别审议通过了《关于部分募投项目延期的议案》,将募投项目“8 英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目”的预定可使用状态日期调整至2023年2月。公司于2023年2月20日召开第二届董事会第十次会议、第二届监事会第十次会议,分别审议通过了《关于部分募投项目延期的议案》,将募投项目“8英寸半导体级硅单晶抛光片生产建设项目”的预定可使用状态日期调整至2024年2月。

前述募投项目延期是公司根据项目实施的实际情况做出的审慎决定,未改变募投项目的投资内容、投资总额、实施主体,已经过公司审慎研究论证并由董事会审议通过,项目进度变化是为了更好地实施募投项目,不会对公司的生产经营造成不利影响,有利于公司的长远发展。

公司结合实际经营发展需求进行调整,稳步推进募集资金投入,以最大程度降低项目投资以及项目投产后的经营风险。

2)持续优化募投项目管理,确保募投项目实施进度
为保证募投项目本次延期后能够顺利完成,公司采取了如下措施:(1)由专人负责该募投项目相关工作的协调与沟通,保质保量加快进度,确保不出现关键节点延后的情形;(2)指定募投项目实施主体责任部门积极与项目相关方进行沟通与协调,配合做好各项工作,严格监督募投项目进展情况,确保募投项目按计划推进;(3)对设备安装及调试情况持续保持关注,对于可能拖延项目实施进度的情况及时向公司负责人汇报。

3)发挥技术及人才优势,加强募投项目人员支持
公司专注于生产技术门槛更高、市场容量更大的轻掺低缺陷抛光硅片,依靠在日本拥有 20-30年轻掺低缺陷硅片生产经验的核心技术团队,持续深入8英寸无缺陷晶体的工艺开发,全面掌握了晶体内部缺陷的控制方法。同时,公司始终注重人才培养工作,通过自主培养和外部引进的方式,培育了一大批优秀的管理、技术人才,人才储备丰富。

为了保障研发项目工作的顺利开展,公司成立了专门的项目开发小组,保障在研项目的人员配置。项目开发小组的主要成员均具有多年的半导体行业技术开发、工艺研究和生产组织管理方面的经验,能够确保在研项目按计划实施。公司将持续通过内部培养和外部引进的方式完善技术团队、提高技术实力,为项目配备经验丰富的人员,利用技术及人才优势加强对项目的技术支持,从而加快项目的效益实现进程。

4)与供应商加强沟通合作,提高产品研发测试效率
对于募投项目的实施过程所需的设备、原材料及相关服务等,公司实施严格的供应商准入制度,设有合格供应商名单,并对该名单中的合格供应商服务进行定期考核和评定。在具体项目执行时,通常会综合考虑供应商产品或服务的稳定性、成本结构以及时间周期等因素,持续与供应商保持沟通,以确保相关研发测试工作的顺利开展,提高产品研发过程中的测试效率。

5)提前与关键客户沟通对接,加快产品验证过程
公司8英寸硅片产品的正片认证周期较长,预计需要9-18个月,但一旦相关认证工作完成,芯片制造厂商通常不会轻易更换供应商。公司在研发过程中即提前与客户进行沟通对接,工艺实验围绕重点客户的特殊硅片工艺要求推进,并充分借鉴现有产品研发和测试分析经验以缩短产品的认证周期。公司某款硅片已定期出货给某家日本客户,其各项指标已经满足了正片标准,另外公司8英寸测试片已经是国内数家集成电路制造厂商该材料的合格供应商。后续公司将继续加大力度推进主流集成电路制造厂商的评估认证工作,并积极开拓中国本土大尺寸硅片市场需求,力争通过主流集成电路制造厂商的正片评估并取得相应订单。

6.毛利率下滑的风险
近年来下游市场需求和行业竞争格局不断变化,未来随着公司刻蚀用多晶硅材料销售规模的扩大以及募投项目建成后新增设备折旧的计提,若公司不能持续推出具有市场竞争力的优质产品,并通过提高生产效率、技术创新、规模效应等方式降低生产成本,则可能面临大直径硅材料业务毛利率进一步下滑的风险。

公司已采取或拟采取的应对措施包括:
1)积极开拓市场,加强客户开发与维护,持续拓展国外国内营销网络 公司持续挖掘市场深度,维护巩固现有客户的合作关系,公司产品主要销往日本、韩国等国家和地区。凭借先进的生产制造技术、高效的产品供应体系以及良好的综合管理能力,公司与客户建立了长期稳定的合作关系。目前公司已成功进入国际先进半导体材料产业链体系,在行业内拥有了一定的知名度。未来,公司将利用先发优势,凭借过往合作的良好关系和公司产品质量口碑,通过完善客户管理、提升客户服务水平等方式增强客户粘性,持续提高和现有客户的合作紧密程度,争取现有客户的持续性业务机会,并努力扩大业务合作规模。

公司拓宽市场广度,积极开拓新客户。在巩固与重点客户长期稳定的良好合作关系同时,公司尤其注重与国内半导体行业新兴设备厂商及终端集成电路客户的接触。未来,公司将继续以客户为中心,在原有营销体系的基础上,通过扩大和完善国内销售及售后服务网络建设,加强国内市场盲区覆盖,抓住国内半导体行业发展的机遇,凭借优质的产品性能和服务能力,积极拓展和培育符合公司整体战略方向的具有市场影响力的国内客户,扩大国内市场销售的份额。

2)加大技术研发投入,优化产品结构,保持产品竞争力
公司以行业技术发展趋势及客户核心需求为导向,持续培养和引进高素质研发技术人才,加大研发投入,储备新技术、新工艺,加强研发体系和能力建设,使公司保持高效的持续创新能力。

一方面,公司将持续强化现有核心产品的技术优势,保持现有产品的核心竞争力,并重点加强为客户提供定制化产品与解决方案的能力;另一方面,公司将加大对现有产品横向及纵向产品线的研发投入,致力于实现在半导体级单晶硅材料领域核心技术的突破,持续增强公司的行业竞争力和市场地位。

3)加强供应链管理,降低采购成本
公司持续提升对原材料市场进行研究和分析能力,密切关注原材料行情信息,根据市场价格波动情况及预期未来走势,结合公司安全库存、未来订单和排产计划,合理调整主要原材料备货量,尽可能降低原材料的采购成本。同时,公司将不断加强供应商管理,在与供应商保持长期稳定的合作关系的同时,积极开拓新的优质供应商,提高公司采购议价能力,在保证原材料品质的前提下,通过供应商询价与比价方式选择最有利的采购价格,不断降低采购成本。

4)强化生产管理水平,提高生产效率
在材料成本方面,公司将继续优化生产工艺流程或提升生产线自动化水平等方式,以进一步降低生产过程的材料损耗、提升产品良率和产品一致性;在人工成本方面,公司将通过优化生产安排、提升生产自动化水平等方式,强化公司生产现场管理水平,进一步提高一线生产效率,降低生产成本。

7.行业风险
半导体行业属于周期性行业,行业增速与科技发展、全球经济形势高度相关。此外,半导体行业的周期性还受技术升级、市场结构变化、应用领域升级、自身库存变化等因素的影响。近年来,半导体行业研发周期不断缩短,新技术、新工艺的不断应用导致半导体产品的生命周期不断缩短,对公司的技术优势产生影响。

2024 年,中美贸易摩擦仍然存在,全球性公共安全危机仍在对半导体产业链生产端造成负面影响,加之全球地缘政治军事冲突爆发等因素推高全球通胀水平,消费者信心受挫导致下游终端需求萎缩,全球半导体行业目前处于调整期。未来若中美贸易摩擦进一步升级、半导体产业景气度下滑,公司的生产运营可能受到影响。

8.宏观环境风险
全球范围内主要等离子刻蚀机生产厂商和刻蚀用硅电极制造厂商位于日本、韩国和美国,公司大直径硅材料产品亦主要出口上述国家,公司海外销售比例较高。如未来相关国家在贸易政策、关税等方面对我国设置壁垒或汇率发生不利变化,且公司不能采取有效措施降低成本、提升产品竞争力,将导致公司产品失去竞争优势,从而对公司经营业绩产生不利影响。(未完)
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