[中报]臻镭科技(688270):浙江臻镭科技股份有限公司2024年半年度报告

时间:2024年08月22日 18:01:12 中财网

原标题:臻镭科技:浙江臻镭科技股份有限公司2024年半年度报告

公司代码:688270 公司简称:臻镭科技






浙江臻镭科技股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人张兵、主管会计工作负责人李娜及会计机构负责人(会计主管人员)李娜声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 7
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 32
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 34
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 35
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 47
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 53
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 54
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 55



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
 经现任法定代表人签字和公司盖章的本次半年报全文和摘要。



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、母公 司、股份公司、臻镭科 技、浙江臻镭科技股份有限公司
城芯科技、城芯公司杭州城芯科技有限公司,公司全资子公司
航芯源、航芯源公司浙江航芯源集成电路科技有限公司,公司全资子公司
集迈科、集迈科公司浙江集迈科微电子有限公司
钰煌科技、钰煌公司杭州钰煌科技有限公司
基尔科技杭州基尔科技有限公司
《公司章程》浙江臻镭科技股份有限公司章程
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
报告期2024年1-6月
报告期末2024年6月30日
元、万元人民币元、人民币万元
芯片、集成电路、IC集成电路是一种微型电子器件或部件,采用集成电路加工工艺, 按照要求将所需的晶体管、电阻、电容和电感等电子元器件连接 起来,制作在同一晶圆衬底上,实现特定功能的电路,主要可分 为数字集成电路、模拟集成电路、内存集成电路以及微电子四类。 IC是集成电路(Integrated Circuit)的英文缩写,芯片是集成 电路的俗称
晶圆又称 Wafer、圆片、晶片,用以制造集成电路的圆形硅或化合物 晶体半导体材料
封测“封装、测试”的简称;“封装”指为芯片安装外壳,实现固定、 密封、导热、屏蔽和保护芯片的作用;“测试”指检测封装后的 芯片功能、性能指标是否满足要求
光罩又称光掩模、掩模版(英文称为:Mask、Photomask或Reticle), 是生产晶圆(晶片)的模具。光罩是根据芯片设计公司设计的集 成电路版图来生产制作的,一套光罩按照芯片的复杂程度通常有 几层到几十层,晶圆制造商根据制作完成的光罩进行晶圆生产
流片为了验证集成电路设计是否成功,必须进行流片,即从一个电路 图到一块芯片,检验每一个工艺步骤是否可行,检验电路是否具 备所需要的功能和性能。如果流片成功,就可以大规模地制造芯 片;反之,则需定位原因,并进行相应的优化设计——上述过程 一般称之为工程试作流片。在工程试作流片成功后进行的大规模 批量生产则称之为量产流片
相控阵雷达利用电子技术控制阵列天线各辐射单元的相位,使天线波束指向 在空间快速变化的雷达。其特点是:目标容量大、数据率高,可 同时监视和跟踪多目标;具有搜索识别、跟踪、制导等多种功能; 对复杂目标环境的适应能力强,抗干扰性能好,可靠性高
数字相控阵采用数字算法实现波束形成或同时多波束的相控阵系统
模拟芯片一种处理连续性模拟信号的集成电路。狭义的模拟芯片,其内部 电路完全由模拟电路的基本模块构成;广义的模拟芯片还包括数 模混合信号芯片和射频前端芯片
数模混合芯片一种结合模拟电路和数字电路功能的集成电路。其内部既能包含 电压源、电流源、运算放大器、比较器等模拟电路基本模块,又 能包含反相器、寄存器、触发器、微处理器、存储器等数字电路 基本模块
微波频率范围为300MHz~300GHz的电磁波,是无线电波中一个有限频 带的简称,即波长在1毫米~1米之间的电磁波。根据频率由低到 高依次包括:L波段(1~2GHz)、S波段(2~4GHz)、C波段(4~8GHz)、 X波段(8~12GHz)、Ku波段(12~18GHz)、K波段(18~26.5GHz)、 Ka波段(26.5~40GHz)、Q波段(30~50GHz)等
毫米波微波中一类高频的电磁波,频率范围为30GHz~300GHz,波长在1 毫米~10毫米之间
射频、RFRadio Frequency,简称RF,一种高频交流变化的电磁波,频率 范围在300kHz~300GHz之间
射频收发芯片位于射频前端芯片与基带芯片之间,具有频率变换、滤波、增益 控制和采样等功能,实现数字信号和模拟信号的互相转换
电源管理芯片在电子设备系统中负责电能的变换、分配、检测及其它电能管理 功能的芯片
固态电子开关采用半导体集成电路技术实现隔离控制电源或用电器功率回路 通断的装置,具备寿命长、可靠性高、无机械结构、无高压拉弧、 无开关寿命次数限制等优点,并且结合半导体集成电路工艺,可 将保护电路、电流监测电路等功能集成于固态电子开关内部,实 现功能的一体化
T/R组件、T/R射频微 系统一个无线收发系统连接中频处理单元与天线之间的部分,实现射 频信号的发射、接收、放大、移相、衰减、滤波和信道切换等功 能
ADC/DAC模数转换器/数模转化器
SDR软件定义无线电
射频微系统在传统模组基础上,采用垂直互联、MEMS硅腔、TSV硅转接板、 高精度 MMIC微组装以及晶圆级键合等技术,将多功能异质芯片 及无源器件进行一体化三维异构集成,形成多种高集成度、高可 靠性的微系统产品
基带处理芯片用来合成发射的基带信号或对接收到的信号进行解码的芯片
馈电网络对相控阵天线中对各个天线单元进行馈电和馈相的网络
信号处理机实现数据记录、信号调制解调、自动跟踪、目标识别等功能的电 子设备
雷达利用电磁波探测目标,并测定其距离、方位、速度的一种电子设 备
时钟分配器一种将输入时钟脉冲经过一定的分频后分别送到各路输出的逻 辑电路
数据链一种在多个传感器、指挥信息系统等单元之间,采用一种或多种 网络结构,按照规定的通信协议和消息标准传递格式化战术信息 的数据信息系统
新一代电台指采用现代化的通信技术和数字化技术,具备更高性能、更广覆 盖、更灵活可靠、更安全便捷的通信终端设备
卫星互联网通过卫星为全球提供互联网接入服务
雷达天线雷达中用来辐射和接收电磁波并决定其探测方向的设备
Sip ( system in package)系统级封装是将一个系统或子系统的全部或大部分电子功能配置在整合型 基板内,而芯片以2d、3d的方式接合到整合型基板的封装方式
卫星通信地球上(包括地面和低层大气中)的无线电通信站间利用卫星作 为中继而进行的通信
电子对抗双方为削弱、破坏对方电子设备的使用效能、保障己方电子设备 发挥效能而采取的各种电子措施和行动
声呐利用声波在水中的传播和反射特性,对水下目标进行探测和通讯 的电子设备
抗辐照电子元器件在辐射环境下维持其正常功能的能力
DBF数字波束成形(又称数字波束合成)(Digital Beam Forming),是 一种多通道信号处理技术,它通过对多个天线元件的信号进行加 权、相位调整和合成,形成一个方向性的波束


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称浙江臻镭科技股份有限公司
公司的中文简称臻镭科技
公司的外文名称Great Microwave Technology Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写GREAT MICROWAVE
公司的法定代表人张兵
公司注册地址浙江省杭州市西湖区智强路428号云创镓谷研发中心7号楼、8 号楼1-3层
公司注册地址的历史变更情况2017年3月1日注册地址由杭州市余杭区仓前街道绿汀路1号 1幢565室变更为杭州市西湖区西园三路3号5幢502室; 2017年3月9日注册地址由杭州市西湖区西园三路3号5幢 502室变更为杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢502室; 2017年5月4日注册地址由杭州市西湖区三墩镇西园三路3号 5幢502室变更为浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5 幢502室;2024年1月24日,注册地址由浙江省杭州市西湖 区三墩镇西园三路3号5幢502室变更为浙江省杭州市西湖区 智强路428号云创镓谷研发中心7号楼、8号楼1-3层
公司办公地址浙江省杭州市西湖区智强路428号云创镓谷研发中心7号楼、8 号楼1-3层
公司办公地址的邮政编码310030
公司网址http://www.greatmicrowave.com/
电子信箱[email protected]

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名李娜孙飞飞
联系地址浙江省杭州市西湖区智强路428号云创镓 谷研发中心8号楼浙江省杭州市西湖区智强路428号云创 镓谷研发中心8号楼
电话0571-810236770571-81023677
传真0571-810236750571-81023675
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称中国证券报(www.cs.com.cn)、上海证券报 (www.cnstock.com)、证券时报(www.stcn.com)、 证券日报(www.zqrb.cn)、经济参考网 (www.jjckb.cn)
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点浙江省杭州市西湖区智强路428号云创镓谷研发中心 8号楼2楼证券部

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板臻镭科技688270不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入117,985,952.43111,220,581.866.08
归属于上市公司股东的净利润5,629,647.9033,530,238.83-83.21
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润-605,600.9929,585,897.77-102.05
经营活动产生的现金流量净额-4,305,956.82-12,925,829.66不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产2,116,130,642.872,134,310,881.17-0.85
总资产2,210,938,552.592,245,228,030.57-1.53

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.030.16-81.25
稀释每股收益(元/股)0.030.16-81.25
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)-0.14-100.00
加权平均净资产收益率(%)0.261.60减少1.34个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)-0.031.41减少1.44个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)56.9846.46增加10.52个百分 点
注:因公司2024年5月完成资本公积金转增股本,故对上年同期基本每股收益进行重新计算。

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、本报告期公司营业收入为11,798.60万元,较上年同期增长6.08%。报告期内公司营业收入主要来自于射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC芯片、电源管理芯片、微系统及模组、技术服务等。主要原因系公司按照经营目标稳步推进工作,不断拓展市场领域,业务订单有序落地,同时公司强化内部管理,积极开展技术研发,稳妥保障产品生产和供应链安全,订单按计划完成交付验收,营业收入实现稳定增长。

2、本报告期公司实现归属于母公司所有者的净利润为562.96万元,较上年同期下降83.21%;归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-60.56万元,较上年同期下降102.05%。主要系报告期内公司研发投入持续增长,研发费用同比增幅较大;同时业务规模的扩大使得公司的销售费用、管理费用也有所增加。政府补助增加导致非经常性损益增加致使扣除非经常性损益的净利润下降较多。

3、本报告期经营活动产生的现金流量净额变动主要是销售商品、提供劳务收到的现金增加,支付的各项税费减少等变化引起。

4、本报告期基本每股收益、稀释每股收益同比下降 81.25%,扣除非经常性损益后的基本每股收益同比下降100.00%,主要系公司净利润下滑所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减 值准备的冲销部分-82,761.30 
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外4,922,235.10 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外,非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益1,395,564.74 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费  
委托他人投资或管理资产的损益  
对外委托贷款取得的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失  
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益  
非货币性资产交换损益  
债务重组损益  
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用,如安置职工的支出等  
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响  
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用  
对于现金结算的股份支付,在可行权日之 后,应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益  
交易价格显失公允的交易产生的收益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出210.35 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额  
少数股东权益影响额(税后)  
合计6,235,248.89 


对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 (一)所属行业 公司专注于集成电路芯片和微系统的研发、生产和销售,并围绕相关产品提供技术服务。根 据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引(2012年修订)》,公司所处行业为“计算机、 通信和其他电子设备制造业(分类代码:C39)”;根据国家统计局《战略性新兴产业分类 (2018)》(国家统计局令第23号),公司所处行业为战略性新兴产业分类中的“新型电子元 器件及设备制造”(分类代码:1.2.1)、“集成电路制造”(分类代码:1.2.4)。 (二)主营业务情况说明 公司主要产品包括射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC芯片、电源管理芯片、微系统及模组 等,为客户提供从天线到信号处理之间的芯片及微系统产品和技术解决方案。公司产品及技术主 要应用于无线通信终端、通信雷达系统、电子系统供配电等特种行业领域,报告期内公司持续拓 展低轨商业卫星等领域,承担着越来越多的元器件研发和供货任务,已成为国产基础元器件最重 要的供应商之一。 公司各产品在低轨商业卫星产业链中的应用示意图如下:


公司各产品应用在卫星载荷/终端系统中的原理示意图如下: 注:公司提供虚线框中的产品和技术方案
(三)公司主要产品
(1)射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC芯片
射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC芯片主要功能为发射通道和接收通道的射频模拟信号处理。发射通道将来自基带芯片的数字基带信号通过数模转换、滤波、混频、增益放大转换为模拟射频信号后,发送给功放芯片进行放大输出;接收通道将来自低噪放芯片的射频信号通过增益放大、混频、滤波、模数转换为数字信号后,发送给基带芯片进行信号处理。

公司基于SDR设计思想自主研发的射频收发芯片,具有软件可重构、多模并发、快速跳频、低功耗、小型化等特点;公司自主研发的高速高精度ADC/DAC芯片,模数转换采样率最高可达 4GSPS,数模转换采样率最高可达12GSPS,采样位数均达到14bit。两类产品可广泛应用于包括无线通信终端、新一代电台、高速跳频宽带数据链、雷达、卫星通信等各类场景。

报告期内,公司继续加大对低轨商业卫星、新一代数字阵列雷达等新兴领域的投入,布局了诸如高速高精度ADC/DAC芯片、数字波束成形芯片等多款型谱化、系列化芯片,报告期内共有三款适用于卫星载荷的抗辐照产品完成流片工作,现已处于回片测试和送样阶段。公司研发的星载抗辐照产品可以极大地降低卫星通信载荷射频收发链路的设计复杂度,在同等需求条件下有效降低通信载荷的体积、重量和功耗,并提高通信载荷的波速数据运算能力。另外,公司在报告期内迭代了CX8845、CX8445和CX8144等射频直采收发芯片,产品性能指标较前代有一定程度的提升,可应用于宽带数字阵列雷达和宽带终端等领域。

公司亦在报告期内对数据链系统和水下探测等领域的应用做了前期调研,研发定型了CX9450、CX2401和CX3614等新产品。其中CX2401是一款多路超高精度运算放大器,可应用于声学相控阵和振动测量等领域;CX9450/CX9450S是一款1收4发的宽窄融合射频收发器,产品支持高速跳频和多芯片同步,频率范围覆盖30MHz~6GHz,中频带宽52KHz~100MH,可应用于数据链等领域;CX3614为一款高性能时钟分发器,产品支持12通道时钟信号输出,具备通道输出确定性延时和极低附加时钟抖动特性,可应用于通用电子通信系统和数字相控阵等领域。

(2)电源管理芯片
电源管理芯片是一种在电子设备中负责电能变换、分配和监控的芯片,其功能一般包括电压转换、电流控制、低压差稳压、动态电压调节、电源开关时序控制等供配电管理。电源管理芯片的性能和可靠性对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,是电子设备中的关键器件,广泛应用于几乎所有的电子产品和设备。

公司的电源管理芯片包括负载点电源芯片、低压差线性稳压器、逻辑与接口、T/R电源管理芯片、MOSFET/GaN驱动器、PWM控制器、电池均衡器、固态电子开关8大电源芯片产品线以及负载点电源模块产品线,产品具有小体积、耐辐射、高效率、高可靠、高集成等特点,可广泛应用于相控阵雷达和各类航天供配电系统中。

公司的负载点电源芯片及模块、低压差线性稳压器芯片、逻辑与接口芯片、固态电子开关芯片、PWM控制器套片等产品凭借着其优异的性能与成本优势,已成功应用于低轨商业卫星的载荷及平台中。除此之外,公司在报告期内积极拓展客户渠道,丰富产品种类、优化产品结构,新研了用于卫星供配电的抗辐射加固隔离驱动器、PWM控制器,并完成了多款负载点电源芯片、低压差线性稳压器的产品迭代和性能提升。未来几年,公司将会继续紧跟我国航空航天产业的发展潮流,以更短的研发周期、更低的研发成本以及更高效的研发转化率提前布局更多标准化、系统化、模块化产品,为我国航空航天产业的发展保驾护航。

(3)微系统及模组
微系统及模组是一种将各类芯片利用垂直互联、MEMS硅腔、TSV硅转接板、高精度MMIC微组装以及晶圆级键合等三维异构集成技术进行小型化集成加工的先进封装产品,它的出现可以解决各类设备中所使用的芯片种类和芯片数量日益繁多的问题。微系统及模组可应用于卫星各类载荷系统中,采用多芯片组装和三维封装技术,将功率放大器、低噪声放大器、数控移相衰减、射频收发芯片、混频器、滤波器、ADC/DAC等功能器件与电源管理、波控电路、数字处理电路进行异构集成。

公司的微系统及SIP组件产品相较传统组件而言有较大优势,其体积重量至多可减少至传统方案的 10%,这极大地降低了下游的发射成本,在规模化、低成本化需求日益强烈的卫星产业中极具竞争力。凭借着上述优势,公司在报告期内实现了星载SIP组件产品的有效拓展,并在特种行业中完成了多款微系统和模块产品的交付,部分产品进入小批量生产阶段,客户覆盖国内各大主流研究所。此外,公司继续聚焦新一代的SIP组件技术及三维异构微系统设计技术的创新,在三维异构微系统关键技术日益成熟的情况下,开始着手部分三维异构微系统量产产品的研发。同时,公司持续聚焦装备信息化、小型化的需求,响应客户对于产品高频化、轻薄化、多功能化的需要,持续布局异构集成低成本射频微系统设计技术的研发,研发更多高频段、大功率、超宽带的货架产品,将公司的产品形式从完全定制化向半货架半定制化转变,维持公司产品在国内乃至世界的先进性。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司是国内少数能够在特种行业领域提供射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC、电源管理芯片、微系统及模组等产品整体解决方案及技术服务的企业之一,在国产装备跨越式发展中起到重要作用,公司研制的集成电路芯片产品技术性能达到国内一流、国际先进水平。

公司产品作为国家重大装备中的核心芯片,具有较高的技术门槛,已在国内形成较强的先发优势。预计未来一定期间内,公司通过持续的研发投入和新产品开发,仍将在相关领域内保持有利的市场地位。

公司掌握的主要核心技术情况如下:

序号主要应 用产品核心技术 名称技术 来源主要应用 和贡献核心技术说明
1高速高 精度 ADC/DAC 芯片宽窄带信 号兼容大 动态范围 接收通道 设计技术自主 研发提升芯片 射频、模 拟通道的 动态范围宽带多模应用存在小信号、强干扰的应用场 景,要求接收机具备大动态范围。根据系统 需求选择合适的接收机体系架构,同时在可 实现高比特模数转换器精度的前提下,进一 步比较和选择接收通道的低噪放、混频器、 滤波器等模拟单元不同模型架构的增益、噪 声系数、线性度,并进行系统仿真选择相关 参数经过设计后得到的最优值,具有明显的 高动态指标优势
2     
  低杂散低 噪声发射 通道设计 技术自主 研发满足发射 通道输出 信号对带 外的杂波 和镜频提 供尽可能 高的抑制 的要求在选择合适的发射机架构满足多种模式宽频 需要基础上,优化发射通道各模块的电路设 计及校正算法,使发射通道同时满足输出信 号带外的频谱纯净度要求,并对带外的杂波 和镜频提供尽可能高的抑制,具有明显的杂 波与噪声抑制指标优势
3     
  多芯片同 步设计技 术自主 研发芯片具备 多片同步 功能相控阵系统的多通道需要具备统一的相位特 性来进行波束合成,往往采用时钟馈线系统 实现,在频率较高时实现难度大、功耗高, 该技术设计了片上可同步的本振及时钟电 路,降低了相控阵系统中时钟同步网络的实 现难度以及功耗,具有多通道组阵同步优势
序号主要应 用产品核心技术 名称技术 来源主要应用 和贡献核心技术说明
4电源管 理芯片耐辐射微 型磁隔离 固体电子 开关设计 技术自主 研发满足不同 客户对磁 隔离固体 电子开关 微型化、 耐辐射需 求耐辐射磁隔离固体电子开关是航天能源供配 电系统的核心器件,传统的磁隔离固体电子 开关采用磁性线圈和分立器件进行搭建,不 仅体积大且保护监测功能简单。公司拥有高 压大电流耐辐射微型化磁隔离固体电子开关 设计能力,成功量产了耐辐射微型磁隔离固 体电子开关芯片,将磁隔离线圈和保护监测 功能在芯片内集成,最终实现超小体积全功 能保护的耐辐射磁隔离固体电子开关,该技 术方案较国内外相关磁隔离固体电子开关芯 片具有明显的耐辐射和集成度优势
5     
  耐辐射 T/R组件 电源管理 芯片设计 技术自主 研发满足客户 对耐辐射 T/R组件 电源管理 芯片小型 化、芯片 化需求传统T/R组件中存在大量非微波芯片,如波 控、电源调制、功率管、负压保护、栅压调 节等一系列芯片,占用了T/R组件大量的体 积、功耗,公司拥有耐辐射T/R电源管理系 统工艺融合设计能力,成功量产了全功能耐 辐射T/R组件电源管理芯片,将所有非射频 功能芯片整合至单芯片中,并可IP化嵌入 至微波单片中,最终实现T/R组件小型化、 芯片化,该技术方案较国内外相关T/R电源 管理芯片具有明显耐辐射和集成度优势
6     
  高可靠/耐 辐射、高 功率密度 微电源模 块设计技 术自主 研发满足客户 对电源超 小体积超 高功率密 度的需求传统开关电源电路需要控制器、功率管、电 感、变压器、电容和外部配置等大量电路, 占用电路板面积且需要用户自行配置调试。 公司拥有高密度多通道电源微系统设计能 力,将外围磁性器件进行微模块内集成,已 研制出多款高功率密度、高可靠或耐辐射的 微电源模块,可将多路开关电源集成到微小 型封装内,实现超小体积超高功率密度应 用,该方案较国内外相关高功率密度微电源 模块具有一定集成度优势和明显高可靠或者 耐辐射优势
7     
  耐辐射隔 离开关电 源控制芯 片设计技 术自主 研发满足客户 对隔离开 关电源系 统超小体 积超高功 率密度的 需求传统隔离开关电源控制器需要PWM控制器、 隔离反馈、功率管、隔离变压器、去耦电容 和外围配置阻容等大量电路,占用电路板面 积较大。公司拥有多拓扑高频率隔离控制驱 动器芯片设计能力,可支持交错正激、推 挽、半桥及全桥隔离电源拓扑,具有预偏置 启动和同步整流、功率管驱动能力,方便外 围电源拓扑设计,并具有打嗝过流、过温过 压等保护模式,该技术方案较国内外相关隔 离开关电源控制芯片具有明显耐辐射和集成 度优势。
8T/R射频 微系统 及模组三维异构 微系统无 源结构与 多物理场 综合设计 技术自主 研发满足客户 对T/R射 频微系统 小型化、 轻量化、 高密度集 成的需求通过对三维异构集成相控阵T/R微系统进行 详细的电、热设计,实现典型无源结构的高 精度模型提取,建立可支持用户仿真的PDK 模型库,利用多物理场仿真软件分析射频功 放芯片在三维集成结构中的散热过程,评估 立体散热设计的散热效果,以及电磁-热-力 多物理场联合作用下,热应力形变等多物理 场问题对TR微系统产生的电性能和可靠性
序号主要应 用产品核心技术 名称技术 来源主要应用 和贡献核心技术说明
     方面的影响,具有高精度和快速设计收敛优 势
9     
  多通道 T/R射频 微系统数 字、模 拟、射频 隔离度优 化设计技 术自主 研发满足客户 对T/R射 频微系统 多通道集 成、高隔 离度的需 求相较于传统的多通道T/R组件,多通道T/R 射频微系统将电源管理芯片、数字控制芯片 和射频芯片采用三维堆叠的形式集成在很小 的硅基板上,其集成度特别高,各种信号之 间的串扰问题将变得不容忽视。因此在多通 道T/R射频微系统的设计过程中,必须对通 道间的隔离特性进行研究,了解信号干扰的 机理,建立量化的通道隔离模型,采用多种 手段优化通道间的隔离,具有高隔离、抗干 扰指标优势
10     
  毫米波瓦 片式有源 相控阵天 线系统 中,输入/ 输出隔离 度优化技 术。自主 研发满足客户 对毫米波 有源相控 阵天线前 端高集成 度、轻量 化、低剖 面的需求相较于传统的毫米波有源相控阵天线集成方 式,毫米波瓦片式有源相控阵天线系统将 BGA封装的T/R组件通过回流焊接工艺焊接 到一体化综合母板上。一体化综合母板主要 由天线辐射单元层、馈电网络层、波控数据 分发层、电源分配层及其中之间的隔离地层 组成。该综合母板上集成了功率器件射频大 信号、馈电网络中的射频小信号、电源和数 字信号,因此在一体化综合母板的设计过程 中,必须对T/R的输出口和馈电网络布线、 数字控制信号线、电源走线进行隔离度仿真 和分析,分析信号增益大小和隔离度的关 系,接地孔间距和隔离度关系,采用类同轴 和SIW多种手段提高输入输出间的隔离,从 而防止通道自激,出现杂散。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
臻镭科技国家级专精特新“小巨人”企业2023年度——

2. 报告期内获得的研发成果
公司基于新阶段发展目标和战略定位,紧跟行业及客户的新需求,持续研发投入,多项核心技术取得新的突破。截至 2024年 6月 30日,公司及控股子公司拥有已获授予专利权的专利 42项,其中境内授权专利41项,境外授权专利1项,其中发明专利41项,实用新型专利1项。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利084241
实用新型专利0011
外观设计专利0000
软件著作权001111
其他002323
合计087776
注:“申请数”为剔除放弃申请、已无效申请的数量后,目前尚在知识产权登记部门审核中的专利。累计数量中的“获得数(个)”已剔除报告期内无效的专利,包含原始取得和继受取得的专利。


3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入67,227,877.1751,669,090.4830.11
资本化研发投入00不适用
研发投入合计67,227,877.1751,669,090.4830.11
研发投入总额占营业收入 比例(%)56.9846.46增加10.52个百 分点
研发投入资本化的比重(%)00不适用

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司本报告期研发投入金额为 6,722.79万元,较上年同期增加 1,555.88万元,同比上升30.11%。主要是公司作为芯片设计企业,需要持续进行技术迭代和新品研发,以保持公司产品的市场竞争力,报告期内公司研发人员薪酬、技术服务费及研发产品封装测试等投入增加所致。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名称本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性 成果拟达到目标技术 水平具体 应用 前景
1宇航高可靠 精密电源系 统套片研究1,658.188,390.66已按计划完成电 源系统套片的研 制和试验,第一 代产品已批量出 货;第二代套片 已完成初样试 制,正在进行正 样设计针对宇航电源系统高可靠 性、高冗余、全功能监测保 护特性,实现开关电源控 制、线性电源点负载、隔离 高压驱动、专用控制保护等 系列套片,可接入一次母线 进行高压隔离开关变换,并 具有二次高精度稳压、开关 保护、高速驱动控制等功 能,可重构形成多型多参数 电源变换系统国内 领先空间 电源 变换 与控 制保 护系 统
2多路射频直 采收发芯片 及同步收发 系统研究225.148,939.15已经按计划完成 产品正样的工程 批流片、封装和 研发测试,正在 开展性能指标遍 历性测试、可靠 性测试及鉴定检 验等相关试验实现具备同步能力的8收8 发宽带直采收发芯片,并基 于所研芯片实现多通道同步 收发板卡,具有宽带、大动 态、高集成度等特征国内 领先数字 相控 阵、 宽带 中频 收发 系统
3宽带高线性 高效率射频 前端芯片研 究252.151,330.04已完成部分样品 试制工作,部分 型号仍处于样品 生产阶段针对智能终端、5G通信等领 域结合新工艺和新架构,实 现宽带射频前端芯片的高线 性和高效率指标国内 领先智能 终 端、 5G通 信和 基站
4综合相控阵 微系统研究1,463.515,978.04已完成部分轻量 化射频TR微系统 的样品生产,目 前已进入性能测 试与环境试验验 证阶段;已完成 部分相控阵天线 产品的环境试验 验证,目前已进 入小批量试产阶 段实现超宽频带多功能相控阵 的可重构功能切换和高密度 三维集成国内 领先综合 相控 阵雷 达
5基带射频一 体化SDR微 系统研究224.242,038.28已完成变频微系 统的环境试验验 证,部分产品已 小批量供货实现基带芯片与射频收发芯 片的一体化三维集成,显著 降低互连损耗,显著减少对 外引脚数量和空间占用国际 先进数据 链终 端
6高可靠精密 微电源模块 研究165.44624.27已按计划完成微 电源模块的研制 和试验,并开始 批量出货;下一 代微电源模块已 完成初样试制可直接接入常用装备的供电 母线,实现高功率密度和恶 劣环境适应能力的隔离、非 隔离微电源模块,具备高效 率、高可靠的拓扑特性,并 可监测电源输入输出电压电 流变化情况,具有多种短路 过流、过欠压、过温保护模 式国内 领先空间 电源 变换 领域
7时钟分配器* 发生器研究204.53326.85已经完成多款产 品的研制并小批 量出货;下一代 全正向高性能的 管脚兼容产品已 完成片内PLL内 核电路的研制, 现处于芯片版图 设计阶段实现具备同步能力的时钟分 发及倍频芯片,部分芯片与 对标产品管脚兼容,单片集 成多路输出、片内集成高性 能低噪声PLL和可调输出延 时链路,具有高集成度、宽 频率范围、极低附加时钟抖 动等特征国内 领先数字 相控 阵、 通用 电子 通信 系统
8高性能射频 直采收发器 研究2,529.602,683.78已经完成2款抗 辐照产品的流 片,产品采用三 模冗余及抗辐射 加固设计,现处 于测试阶段。同 步开展了多款高 速高精度ADC芯 片、超高速ADC 芯片的电路研 制,目前芯片设 计和流片已完 成,处于回片测 试阶段实现具备抗辐照能力,可应 用于低轨卫星通信载荷并具 备同步能力的宽带射频直采 收发芯片,单片集成多路收 发、超低功耗、高性能时钟 电路和数字变频电路,具有 宽带、大动态、高集成度等 特征,显著提高系统集成 度、降低功耗、并提升系统 性能指标国际 先进低轨 商业 卫 星、 数字 相控 阵、 宽带 中频 收发 系统
合 计/6,722.7930,311.07////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)169153
研发人员数量占公司总人数的比例(%)56.7155.84
研发人员薪酬合计3,268.662,642.91
研发人员平均薪酬18.8818.91


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士研究生1610
硕士研究生7343
本科7343
专科74
高中及以下00
合计169100
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含30岁)9657
30-40岁(含30岁,不含40岁)6538
40-50岁(含40岁,不含50岁)85
50-60岁(含50岁,不含60岁)00
60岁及以上00
合计169100

6. 其他说明
□适用 √不适用


三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
公司主要产品包括射频收发及高速高精度ADC/DAC芯片、电源管理芯片、微系统及模组等,各类主要产品与同行业可比公司对标产品的性能指标对比如下:
(1)高速高精度ADC/DAC芯片CX8845

公司臻镭科技德州仪器 (TI)亚德诺(ADI)公司产品比较说明
型号CX8845AFE7422AD9082——
通道数8T8R2T2R4T2R通道数与对标产品 相当
ADC位数/采样频 率(bit/GSPS)14/414/312/6ADC位数/采样频率 与对标产品相当
输入频率范围 (MHz)10~600010~6000最大为8000输入频率范围与对 标产品相当
ADC 无杂散动态 范围(SFDR)75dBFS @2.3G (0.8Vpp、- 2dBFS)[email protected] (-3dBFS)65.2dBFS @2.7G (1.475V、- 1dBFS)ADC无杂散动态范 围优于对标产品
ADC 噪底(NSD)-151.3dBFS/Hz (0.8Vpp、 4GSPS)-151dBFS/Hz-153dBFS/Hz (1.475Vpp、 6GSPS)ADC噪底与对标产 品相当
单通道接收功耗 (W)(接口+数 字+ADC)1.81.9未公开 (总功耗 11.45W)接收功耗与对标产 品相当
DAC位数/采样频 率(bit/GSPS)14/1214/916/12DAC位数/采样频率 与对标产品相当
输出频率范围 (MHz)10~600010~6000最大为6000输出频率范围与对 标产品相当
DAC 无杂散动态 范围(SFDR)69.4dBc @12GSPS (1.5GHz)未公开68.5dBc @12GSPS (1.9GHz)DAC无杂散动态范 围与对标产品相当
DAC 噪底(NSD)-162.4dBm/Hz @700MHz未公开-166.7dBc/Hz @500MHzDAC噪底与对标产 品相当
单通道发射功耗 (W)(接口+数 字+DAC)1.81.8未公开 (总功耗 11.45W)发射功耗与对标产 品相当
注:CX8845即原先的CX8842,因该产品系列命名规范调整,故变更为CX8845。

CX8845芯片产品图示:




(2)高精度ADC芯片CX74E1N

公司臻镭科技TI公司产品比较说明
型号CX74E1NADS1274——
通道数44通道数与对标产品相当
位宽24bit24bit位宽与对标产品相当
增益调节范围-6dB~25dB,step 1dB/增益调节范围和精度优于对 标产品
SNR110dB@5kHz带宽;106dB@70kHz带宽信噪比与对标产品相当
SFDR103dBFS@10kHz109dBFS@10kHz动态范围劣于对标产品
噪底-145dBFS/Hz/——
电压3.3V、1.3V5V、1.8V低电压供电优于对标产品
功耗4mW/ch31mW/ch功耗远优于对标产品
CX74E1N芯片产品图示: (3)宽窄带融合收发器芯片CX9261A

公司臻镭科技亚德诺(ADI)公司产品比较说明
型号CX9261AAD9361——
通道数3收2发2收2发集成度优于对标产品
射频频段 (MHz)30~700070~6000射频频段范围与对标产品一致
中频带宽 (MHz)0.02~600.02~56中频带宽优于对标产品,应用范围 更广
接收噪 声系数≤3.6dB @40dB 增益≤3.8dB @最大RX增益接收噪声系数与对标产品相当
公司臻镭科技亚德诺(ADI)公司产品比较说明
接收输入三阶 交调截点-5dBm @55dB 增益-17dBm @最大模拟增益接收输入三阶交调截点与对标产 品相当
发射输出三阶 交调截点[email protected][email protected]发射输出三阶交调截点与对标产 品相当
通道间隔离度 (dB)7055通道间隔离度优于对标产品,产品 多通道并发工作时相互干扰相对 更小
频综积分 相噪0.29°@2.4GHz0.37°@2.4GHz频综积分相噪优于对标产品,支持 更高阶的调制及更优抗干扰能力
频率切换时间≤1μs未公开——
片上处理器通过集成处理器可配置度优于对 标产品
数字预失真 (DPD)功能通过集成DPD功能,相比对标产品 可支持更高线性的波形输出
工作温度 (℃)-55~125-40~85工作温度优于对标产品,应用范围 相对更广
CX9261A芯片产品图示: (4)差分运算放大器CX2401 (未完)
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