[中报]中微公司(688012):2024年半年度报告
原标题:中微公司:2024年半年度报告 中微半导体设备（上海）股份有限公司 2024年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“五、风险因素”部分内容。 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人尹志尧、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负责人（会计主管人员）陈伟文声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本半年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ....................................................................................................................................... 13 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................... 14 第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 18 第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 52 第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 54 第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 56 第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 68 第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 75 第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 75 第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 76
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2024年上半年度公司营业收入为 34.48亿元，同比增长 36.46%。公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，CCP和 ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升。本期刻蚀设备收入为 26.98亿元，较上年同期增长约 56.68%，刻蚀设备占营业收入的比重由上年同期的 68.16%提升至本期的 78.26%。公司的另一重要产品 MOCVD设备本期收入 1.52亿元，较上年同期减少约 49.04%，主要因为公司在蓝绿光 LED生产线和 Mini-LED产业化中保持绝对领先的地位，该终端市场近两年处于下降趋势。公司紧跟 MOCVD市场发展机遇，积极布局用于碳化硅和氮化钾基功率器件应用的市场，并在 Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得良好进展，已付运和将付运几种 MOCVD新产品进入市场。此外，本期公司新产品 LPCVD设备实现首台销售，收入 0.28亿元。 2024年上半年公司新增订单 47.0亿元，同比增长约 40.3%。其中刻蚀设备新增订单 39.4亿元，同比增速约 50.7%；LPCVD上半年新增订单 1.68亿元，新产品开始启动放量。 本期归属于上市公司股东的净利润为 5.17亿元，较上年同期下降约 4.86亿元，同比减少约48.48%，主要系 2023年公司出售了持有的部分拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约4.06亿元，而 2024年公司并无该项股权处置收益；以及公司上半年主要由于研发总投入增长下扣非后归母净利润较上年同期减少 0.36亿元。 2024年上半年归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约 4.83亿元，较上年同期减少0.36亿元（约 6.88%），主要由于公司显著加大研发力度，以尽快补短板，实现赶超。公司目前在研项目涵盖六类设备，20多个新设备的开发，2024年上半年公司研发投入 9.70亿元，较上年同期的 4.60亿元增加约 5.10亿元，同比大幅增长 110.84%。 等离子体刻蚀设备研发方面，公司根据技术发展及客户需求，大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的多款设备已经在客户UD-RIE已经在生产线验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的量产能力。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，在超低温静电吸盘和新型刻蚀气体研究上投入大量资源，积极储备更高深宽比结构（≥90:1）刻蚀的前卫技术。多款 ICP设备在先进逻辑芯片、先进 DRAM和 3D NAND产线验证推进顺利并陆续取得客户批量订单。晶圆边缘 Bevel刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证，公司的 TSV硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和 MEMS器件生产。 薄膜沉积设备研发方面，公司目前已有多款新型设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W钨设备的验证，取得了客户订单。公司近期已规划多款 CVD和 ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。 公司组建的 EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案,目前公司 EPI设备已顺利进入客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。 MOCVD设备研发方面，Micro-LED应用的专用 MOCVD设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，已付运样机至国内领先客户开展生产验证；用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，已付运样机至国内领先客户开展验证测试；下一代用于氮化镓功率器件制造的 MOCVD设备也正在按计划顺利开发中。 2024年上半年公司共生产专用设备 833腔，同比增长约 420%，对应产值约 68.65亿元，同比增长约 402%，为本年度出货及确认收入打下了较好的基础。本期末发出商品余额约 27.66亿元，较期初余额的 8.68亿元增长 18.98亿元；本期末合同负债余额约 25.35亿元，较期初余额的 7.72亿元增长约 17.64亿元。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用 单位：万元 币种：人民币
第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）所属行业情况 近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的最重要的引擎，也促进全球半导体芯片和晶圆制造领域的持续投资，推动半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值 40%以 上，而且在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变 人类的生产方式和生活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人 们最关注的硬科技产业之一。 半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件， 又是数码时代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展的关键。没有能加工微米和纳 米尺度的光刻机，等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随 着微观器件越做越小，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。 中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然 在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距， 但发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升，根据 SEMI的 统计报告显示，2023年中国大陆成为全球最大的集成电路设备市场，占比达到 35%。另外，根据 Gartner数据统计，2018年到 2025年全球芯片生产线建设项目共计 171座新产线，其中 74座位 于中国大陆，区域占比最高达 43%。 微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工工艺的变化。存储器件从 2D到 3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，相关设备市场的年平均增长速度远高于其他种类的设备，这给以刻蚀机和薄膜设备为主打产品的中微公司带来了成长机会。 近年来泛半导体产业的发展较快。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场应用发展迅速。这些器件所需的 MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路在很多种设备，很多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠 MOCVD设备实现，而且 MOCVD设备的大部分市场在中国大陆。公司开发的氮化镓基的 LED照明和 Mini-LED显示所用的 MOCVD设备已成为国内外绝大多数 LED生产线的优选设备。公司开发的包括碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、Micro-LED等器件所需的多类 MOCVD设备也取得了良好进展，已进入验证阶段后续有望规模化进入市场。 随着微观器件越做越小，检测设备也成为了更关键的设备，市场增长速度很快，成为占半导体前道设备总市场约 11%的第四大设备门类。公司通过投资布局了光学检测设备板块，并计划开发电子束检测设备，将不断扩大对多种检测设备的覆盖。 （二）公司主营业务情况 公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。 公司的等离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从 65纳米到 14纳米、7纳米和 5纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司的薄膜沉积设备已付运客户端验证评估，并如期完成多道工艺验证，目前更多应用正在验证当中，部分产品已收到客户重复订单。 公司 MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED设备制造商。 公司目前主要产品的具体情况如下： 1、刻蚀设备
报告期内，公司主营业务未发生变化。 （三）主要经营模式 1、盈利模式 公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备和 MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。 2、研发模式 公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。 公司按照刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。 3、采购模式 为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。 4、生产模式 公司主要实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。 5、营销及销售模式 公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的区域销售和支持部门。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司特别重视核心技术的创新。在开发、设计和制造刻蚀设备、薄膜沉积设备和 MOCVD等设备的过程中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新，公司的产品已达到国际先进水平。 1、刻蚀设备技术 报告期内，公司紧跟技术发展趋势和客户需求，坚持自主创新，致力于产品的差异化，持续强化刻蚀设备的技术领先优势，在深耕成熟刻蚀工艺市场的同时大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发。 在逻辑芯片制造方面，公司开发的 12英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单，已经在从 65纳米到 5纳米及更先进的各个技术结点大量量产；同时，先进逻辑器件制造对加工的精确性、重复性、微粒污染水平，以及反应腔之间的匹配度等都提出了更高的要求，公司着力改进刻蚀设备性能以满足、先进工艺关键步骤加工的要求。 在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。先进存储芯片制造中最关键的超高深宽比结构刻蚀应用目前仍然被国外半导体设备公司垄断。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的全套解决方案，相应的开发了配备超低频偏压射频的 ICP刻蚀机用于超高深宽比掩膜的刻蚀，并且开发了配备超低频高功率偏压射频的 CCP刻蚀机用于超高深宽比介质刻蚀。这两种设备都已验证成功，进入量产。 此外，公司和国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、微机电系统等领域不断拓展应用，持续获得订单。公司通过与国际领先客户合作，积极参与新兴器件制造技术的研发，在超构透镜（Metalenses）和基于 12英寸晶圆的微机电系统制造等方面都取得良好进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的研发和试产。 在不断扩大刻蚀应用市场占有率和提升产品性能的同时，公司从成立伊始就致力于建立完整且稳定的供应商体系。近年来，公司持续加大供应商本土化和多元化的投入，在合作的深度和广度上进一步加强，为产品降本增效和供应链安全稳定提供保障。 2、MOCVD设备技术 ? ? 用于蓝光 LED的 PRISMO D-Blue、PRISMO A7 MOCVD设备能分别实现单腔 14片 4英? 寸和单腔 34片 4英寸外延片加工能力。公司的 PRISMO A7设备已在全球氮化镓基 LED MOCVD市场中占据领先地位。 ? 用于制造深紫外光 LED的高温 MOCVD设备 PRISMO HiT3，其反应腔最高工艺温度可达1400度，单炉可生长 18片 2英寸外延晶片，并可延伸到生长 4英寸晶片，已在行业领先客户端用于深紫外 LED的生产验证并获得重复订单。 ? 用于 Mini-LED生产的 MOCVD设备 PRISMO UniMax，具有行业领先的高产能和高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达 4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制。PRISMO ? UniMax配置了 785mm大直径石墨托盘，可实现同时加工 164片 4英寸或 72片 6英寸外延晶? 片，PRISMO UniMax已在领先客户端开始进行规模化生产。 ? 用于硅基氮化镓功率器件用 MOCVD设备 PRISMO PD5，具有高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达 4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，仅通过更换石墨托盘即可实现 6英? 寸与 8英寸工艺的便捷切换，PRISMO PD5设备已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。 Micro-LED应用的专用 MOCVD设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，已付运样机至国内领先客户开展生产验证；用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，已付运样机至国内领先客户开展验证测试；下一代用于氮化镓功率器件制造的 MOCVD设备也正在按计划顺利开发中。 3、薄膜沉积设备技术 公司已经实现六种设备高效的研发交付及通过客户量产验证。公司开发的 CVD（化学气相沉积）钨设备已通过关键存储客户端现场验证，满足金属互联钨制程各项性能指标，并获得客户重复量产订单。公司在 CVD W基础上开发的 HAR（高深宽比）钨设备采用创新的工艺解决方案，已通过关键存储客户端现场验证，满足存储器件中的高深宽比金属互联应用中各项性能指标，并获得客户重复量产订单。除此之外，中微进一步开发的具备三维填充能力的 ALD（原子层沉积）钨设备，采用完全自主知识产权的机台设计, 可精准控制工艺过程，实现精准的原子级别生长。该设备已通过关键存储客户端现场验证，满足三维存储器件字线应用中各项性能需求，并获得客户重复量产订单。其他多个关键装备研发项目同时也在顺利推进。 公司完全自主设计开发的双台机金属钨系列设备，可以达到业界领先的生产率，同时保证较低的化学品消耗，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件栅极金属接触及接触孔填充应用，以及 64层和 128层 3D NAND中的多个关键应用。除此之外，公司新开发的 ALD 氮化钛设备，产品性能验证可以达到国际先进水平，可满足逻辑及存储多道关键应用需求。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用
2. 报告期内获得的研发成果 具体内容见下表 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 √适用 □不适用 报告期内，公司持续进行较高水平的研发投入，以保持公司的核心竞争力。本期研发投入总额9.70亿元，较上年同期增加 110.84%，主要系随着更多研发项目的开展，研发材料投入增加以及研发人员增加下职工薪酬增长。 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 √适用 □不适用 2024年上半年度，公司研究开发支出共计 97,048.66万元，政府补助抵减研发费用 1,841.38万元，研究开发支出净额为 95,207.28万元。其中：计入研发费用 56,768.63万元，开发支出资本化38,438.65万元。本期研发投入资本化的比重较去年同期增加 9.56个百分点，主要系随着研发项目持续推进，本期在研项目达到资本化标准的金额增加。 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：亿元
5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币
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