[中报]宏微科技(688711):江苏宏微科技股份有限公司2024年半年度报告

时间:2024年08月22日 20:45:45 中财网

原标题:宏微科技:江苏宏微科技股份有限公司2024年半年度报告

公司代码:688711 公司简称:宏微科技 转债代码:118040 债券简称:宏微转债 江苏宏微科技股份有限公司 2024年半年度报告 重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
本公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之五“风险因素”部分。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人赵善麒、主管会计工作负责人薛红霞及会计机构负责人(会计主管人员)薛红霞声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 7
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 32
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 34
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 37
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 68
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 75
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 76
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 79



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
发行人、公司、本公司、宏微 科技江苏宏微科技股份有限公司, 系由原江苏宏微科技有限公司 于2012年8月18日整体变更 设立
芯动能常州芯动能半导体有限公司
锦创科技常州锦创电子科技有限公司
宏电节能江苏宏电节能服务有限公司, 公司全资子公司
英飞凌英飞凌科技公司(Infineon Technology AG)
富士电机富士电机株式会社(Fuji Electric)
三菱电机/三菱三 菱 电 机 株 式 会 社 ( Mitsubishi Electric Corporation)
安森美安 森 美 半 导 体 公司( ON Semiconductor)
常春新优赣州常春新优投资合伙企业 (有限合伙)
汇川技术深圳市汇川技术股份有限公司
台达集团台达电子工业股份有限公司
英威腾深圳市英威腾电气股份有限公 司及其全资子公司苏州英威腾 电力电子有限公司
奥太集团山东奥太电气有限公司及其同 一控制下企业
伊顿伊顿电气有限公司
阳光电源阳光电源股份有限公司
爱士惟爱士惟科技股份有限公司
古瑞瓦特深圳古瑞瓦特能源股份有限公 司
禾望电气深圳市禾望电气股份有限公司 及其同一控制下企业
比亚迪深圳市比亚迪供应链管理有限 公司
苏州汇川苏州汇川技术有限公司,深圳 市汇川技术股份有限公司全资 子公司
汇川深圳市汇川技术股份有限公司 同一控制下企业
臻驱臻驱科技(上海)有限公司及 其全资子公司臻驱半导体(嘉 兴)有限公司
英飞源深圳英飞源技术有限公司及其 全资子公司南京英飞源技术有
  限公司
英可瑞深圳市英可瑞科技股份有限公 司
优优绿能深圳市优优绿能股份有限公司
特来电特来电新能源股份有限公司
芯片从晶圆上切割下来的内含基本 功能元胞的晶粒
功率半导体器件用于电器设备中实现电能变换 和控制的半导体器件(通常指 电流为数安至数千安,电压为 数百伏至数千伏的半导体器 件)
分立器件半导体分立器件,与集成电路 相对而言的,采用特殊的半导 体制备工艺,实现特定单一功 能的半导体器件。分立器件主 要包括功率二极管、功率三极 管、晶闸管、MOSFET、IGBT等
第三代半导体第三代半导体材料,主要包括 SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓) 等
光伏逆变器可将光伏(PV)太阳能板产生 的可变直流电压转换为市电频 率交流电(AC)的逆变器
IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor的缩写,绝缘栅双 极型晶体管,是一种电压控制 开关型功率半导体器件,也是 电能转换的核心器件
FRDFast-Recovery Diode的缩写, 快恢复二极管,是一种具有开 关特性好、反向恢复时间短特 点的半导体二极管,主要应用 于开关电源、PWM脉宽调制器、 变频器等电子电路中,作为高 频整流二极管、续流二极管或 阻尼二极管使用
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金 属氧化物场效应晶体管,是一 种高频的电压控制开关型功率 半导体器件
SiC碳化硅(SiC)是第三代宽禁带 半导体材料的代表之一,具有 禁带宽度大、热导率高、电子 饱和迁移速率高和击穿电场高 等特性,是生产第三代功率半 导体器件的主要材料
芯片代工芯片设计企业将设计方案完成 后,由芯片代工企业通过采购
  硅片材料、光刻、刻烛、离子注 入、扩散等环节制造出芯片
封装将晶圆分割成单个的芯片后, 将芯片安放、焊接引线和连接 到一个封装体上
测试封装后对半导体器件功能、电 参数等进行测量,以检测产品 的质量
保荐机构(主承销商)、保荐 人中信证券股份有限公司
证监会、中国证监会中国证券监督管理委员会
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《江苏宏微科技股份有限公司 章程》
报告期2024年1月1日至2024年6 月30日
报告期末2024年6月30日
元、万元人民币元、万元
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称江苏宏微科技股份有限公司
公司的中文简称宏微科技
公司的外文名称Macmic Science&Technology Co.,Ltd
公司的外文名称缩写MACMIC
公司的法定代表人赵善麒
公司注册地址常州市新北区华山路18号
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址常州市新北区华山路18号
公司办公地址的邮政编码213002
公司网址www.macmicst.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代 表)证券事务代表
姓名马君李甜甜
联系地址江苏省常州市新北区新竹路5号江苏省常州市新北区新竹路5号
电话0519-851637380519-85163738
传真0519-851622970519-85162297
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点董事会办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
人民币普通股 (A股)上海证券交易所科创板宏微科技688711不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入636,620,225.04764,417,819.31-16.72
归属于上市公司股东的净利润2,514,108.6662,518,536.56-95.98
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润-3,040,866.2558,388,048.43-105.21
经营活动产生的现金流量净额57,347,368.69-116,033,559.30不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产1,128,609,078.141,144,780,683.31-1.41
总资产2,512,592,501.822,488,990,937.420.95

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.01180.2944-95.99
稀释每股收益(元/股)0.01180.2931-95.97
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)-0.01430.2750-105.20
加权平均净资产收益率(%)0.226.28减少6.06个百分 点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)-0.265.88减少6.14个百分 点
研发投入占营业收入的比例(%)8.476.60增加1.87个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现营业收入 636,620,225.04 元,同比减少 16.72%;实现归属于上市公司股东的净利润 2,514,108.66 元,同比减少 95.98%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-3,040,866.25元,同比减少105.21%;基本每股收益0.0118元,同比减少95.99%;稀释每股收益0.0118元,同比减少95.97%;扣除非经常性损益后的基本每股收益-0.0143元,同比减少105.20%,主要系报告期内公司订单下降所致。

经营活动产生的现金流量净额57,347,368.69元,主要系报告期内公司将部分承兑汇票进行贴现及公司使用承兑汇票支付材料采购款所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减 值准备的冲销部分-668,150.03 
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外6,193,021.23 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外,非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益1,026,526.67 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费  
委托他人投资或管理资产的损益  
对外委托贷款取得的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失  
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益  
非货币性资产交换损益  
债务重组损益  
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用,如安置职工的支出等  
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响  
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用  
对于现金结算的股份支付,在可行权日之 后,应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益  
交易价格显失公允的交易产生的收益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-17,101.48 
其他符合非经常性损益定义的损益项目106,298.57个人所得税手续费返还
减:所得税影响额852,652.85 
少数股东权益影响额(税后)232,967.20 
合计5,554,974.91 

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司自设立以来一直从事IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRD单管和模块的核心是IGBT和FRD芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主,外购芯片为辅。IGBT、FRD作为功率半导体器件的主要代表,是新能源汽车和新能源发电、电气与自动化、电力传输与信息通信系统、家用电器和医疗器械中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下,积极推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义,而研发和生产自主可控的IGBT、FRD芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。

报告期内,公司产品已涵盖IGBT、FRD、MOSFET芯片及单管产品300余种,IGBT、FRD、MOSFET、整流二极管及晶闸管等灌封和塑封模块产品600余种,公司产品应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等),新能源发电(光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理)、新能源汽车(电控系统、充电桩和OBC、DC电源)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术处于行业先进水平。

(二)主要经营模式
1、研发模式
公司建立了以客户需求为导向的研发体系,制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件,研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段,各个研发项目均由产品质量先期策划(APQP)小组承接项目,每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性,每个新产品开发都需要经过计算机仿真验证,通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析,提取关键特性参数,预先发现潜在问题并加以设计优化。

2、采购模式
(1)采购流程
公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶及外壳和端子等,其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工,极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂商直接采购;其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。

公司采用订单采购的模式,对于生产中常用的直接物料,由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求,由采购部根据供应商的交货周期进行下单;对于偶然所需的临时物料,由需求部门填写《请购单》提出请购需求,通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批,通过后由采购部负责统一采购。

(2)供应商管理
公司执行与完善采购管理、供应商管理等相关制度,规范公司的采购与付款行为,明确请购与审批、招标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估等环节的职责和审批权限,对岗位分离与授权控制均进行严格的规定,同时,建立采购价格监督机制,针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查与评估。公司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二次审核的两级采购管理机制等措施,有效节约采购成本,降低相关风险。

3、生产模式
公司具备完善的生产运营体系,主要采取“以销定产”的生产模式,由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划,公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式:
(1)自产模式
公司模块采用自产模式,通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试,最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品,公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格,设计生产出通用的不同系列的产品,并向客户销售;定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作,设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前,公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试,公司依据研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等向客户收取技术服务费;量产后,公司按照设计方案、技术指标要求,组织生产并批量向客户交付产品。

(2)委托加工模式
公司采取Fabless模式,对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计,将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业制造,公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求,实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多,公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备单管先进封装工艺的公司进行代工。

4、营销模式
公司销售采取以直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下,公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动;在经销模式下,公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作,利用经销商的渠道和经验拓展客户资源,扩大市场占有率。

(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)发展阶段
功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分,更是发电、输电、变配电、用电、储电等领域的基础核心部件。

功率半导体的下游应用领域十分广泛,且需求持续稳定增长。除了消费电子、通信、计算机、工业控制、汽车电子等传统领域,近年来,功率半导体器件在新能源汽车/充电桩、新能源发电(光伏、风能和电源质量管理)、储能、智能电网、轨道交通、5G通讯、数据中心、变频家电等诸多新兴应用领域中得到广泛的应用,随着“碳中和”战略的推进,功率半导体器件将迎来一个高速发展时期。

(2)基本特点
半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业,无论是技术研发还是产线建设都需要大量的高端人才和资金投入。公司目前正面临新能源汽车、新能源发电、5G通讯和数据中心等下游新兴产业带来的市场机遇。公司在未来发展和争取市场机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金来进行产品及工艺的开发、产能的提升和产品的市场推广。

(3)主要技术门槛
自上世纪80年代IGBT产品开启工业化应用以来,一直被国外知名公司所垄断。国外知名公司的产品系列化很全,应用面很广,其中英飞凌IGBT已覆盖实现各种电压范围,三菱、富士电机、安森美也涵盖了多个电压区间。近年来,IGBT 技术经历了丰富的演变,涌现出不同的 IGBT 技术方案,这些方案主要由英飞凌、安森美、三菱电机和富士电机等海外厂商主导推动。海外厂商IGBT的结构设计仍在不断突破和创新,先后推出了沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区结构等新技术,推动了IGBT应用和市场发展。同时IGBT的制造工艺也在持续创新,深沟槽、精准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等多种工艺的引入形成了较高的技术壁垒,制造技术也成为实现IGBT自主创新的关键。近几年来,国内IGBT无论是在芯片设计方面还是在芯片制造和封装技术水平以及产品系列化方面,虽有较大突破但与国外相比仍有一定差距。

以SiC为代表的第三代半导体经历了十几年的芯片和封装技术探索和应用实践,在产业链下游应用需求的带动下,正在进入高速发展期,SiC功率器件(SBD、MOSFET)目前广泛用于新能源汽车、光伏、轨道交通、数据中心等领域,以Wolfspeed、意法半导体,英飞凌为首的国际领先企业已实现SiC MOSFET器件的量产并占据全球绝大部分市场份额。平面栅、沟槽栅、深沟槽、超薄片等新技术的引入以及衬底和外延成本下降使得 SiC MOSFET 器件在性价比上优势越来越明显。

但是,如何改善器件的栅氧质量、双极退化、阈值电压漂移、动态可靠性检测方面等诸多问题,不同公司在设计和制造端都形成了一定的技术壁垒。近年来,国内SiC行业在衬底制备、芯片设计、晶圆制造和封测方面都有突破,国产替代空间巨大。

2、市场规模分析
功率半导体器件在电子电力行业应用广泛,包括消费电子、汽车电子、工业电子等电力电子行业。与此同时,在新能源发电、数据中心、新能源汽车、充电桩、机器人及低空飞行器等多个新兴领域也有较为广泛的应用。Mordor Intelligence数据显示,功率半导体市场规模2023年约为418.1亿美元,预计到2028年将达到492.3亿美元,预测期内(2023-2028年)复合年增长率为3.66%。根据中商产业研究院数据显示,目前功率半导体市场中占比最多的是功率IC,以54.3%的占比成为功率半导体第一大细分市场,MOSFET、功率二极管、IGBT占比分别为16.4%、14.8%、12.4%。随着国内新能源汽车、风光储及数据中心等行业的快速发展,国内功率半导体器件市场发展前景广阔。

(1)新能源汽车及充电桩
2024年上半年,中国新能源汽车市场表现强劲,中汽协数据显示,2024年6月,国内新能源汽车产销量分别为100.3万辆和104.9万辆,同比分别增长28.1%和30.1%,市场占有率达到41.1%。

其中国内销量96.3万辆,环比增长12.5%,同比增长32.2%。6月海外出口8.6万辆,环比下降13.2%,同比增长10.3%。2024年1-6月国内新能源汽车产销量分别达到492.9万辆和494.4万辆,同比分别增长 30.1%和 32%,市场占有率达到 35.2%。其中国内销量 433.9 万辆,同比增长35.1%。海外出口60.5万辆,同比增长13.2%。2024年下半年,新能源汽车市场有望继续保持稳中向好的发展态势,IGBT模块作为新能源汽车电控系统中重要组成部分,将迎来更加广阔的发展空间。

充电桩作为新能源汽车重要的补能设备,随着新能源汽车的蓬勃发展也迎来新的发展前景。

中国充电联盟数据显示,2024年6月较2024年5月公共充电桩增加7.2万台,同比增长45.3%。

2024年1-6月全国公共充电桩新增39.6万台,同比增长12.7%。截至2024年6月,全国公共充电桩累计312.2万台,同比增长45.3%,其中直流充电桩139.2万台、交流充电桩173.0万台。

2024年1-6月随车配建桩约125.2万台,同比增长14.7%;截至2024年6月,随车配建充电桩累计712.2万台,同比增长58.2%。2024年1-6月全国新增充电桩车桩比约为1:3。

(2)风光储
国家能源局数据显示,2024年上半年,国内光伏装机量达到102.48GW,与2023年同期相比增长24.06GW,同比增长30.68%。其中集中式光伏电站49.6GW,同比增长32.41%;工商业光伏装机量37.03GW,同比增长90.47%;户用光伏15.85GW,同比下降26.35%;风电装机量25.84GW,与2023年同期相比增加2.85GW,同比增长12.4%。截至2024年6月,全国发电装机容量中风电累计装机容量为466.71GW,同比增长19.9%,占比15.2%;太阳能发电累计装机容量为713.5GW,同比增长 51.6%,占比 23.24%,风光合计占比接近 40%。根据中国光伏产业发展路线图中相关预测,2024年国内光伏装机量有望再次突破200GW。

根据中国海关总署数据显示,2024年1-6月国内逆变器出口量为2,519.34万台,逆变器出口总额为40.05亿美元,同比下降34.86%。与此同时,自2024年2月,我国逆变器出口已连续4 个月上升,6 月逆变器出口数量突破 580 万台,同比增长 19.98%,同比增长分别为 19.98%和25.21%;逆变器出口总额约9.18亿美元,同比下降3.76%,环比上升17.68%。整体态势呈现回暖迹象。

(3)工业控制
功率半导体器件在变频器、伺服系统等工业控制领域发挥至关重要的作用,它们不仅是电能转换和控制的核心部件,还直接关系到整个工业系统的运行效率、稳定性和可靠性。

2024年7月4日,国家发展改革委财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知。文件提出将统筹安排3,000亿元左右超长期特别国债资金,加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新。在工业、环境基础设施、交通运输、物流、教育、文旅、医疗等领域设备更新以及回收循环利用的基础上,将支持范围扩大到能源电力、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造。

3、公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019中国电动汽车用IGBT最具发展潜力企业称号”和“中国电气节能30年杰出贡献企业”等荣誉称号。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线,能够满足不同终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需求,具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021年,公司被认定为“江苏省小巨人企业”。2022年,公司被认定为“国家级专精特新小巨人企业”。2023年,公司被认定为“国家绿色供应链企业”。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系,同时依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了完整的研发体系和研发管理制度,加强对研发组织管理和研发过程管理,不断强化芯片设计与工艺实现、模块封装工艺与测试等关键技术的积累,在前沿技术方面不断突破,打造了自身在功率半导体芯片设计和模块封装领域的核心竞争力,形成的公司主要核心技术如下:
核心技术技术描述及特点使用该项核心技 术的主要产品
沟槽结构+场阻断 技术该技术覆盖诸多电压和电流规格,通过优化沟槽深 度、角度以及整体形貌,结合高质量栅氧工艺,保证 良好的多晶填充,实现可靠的沟槽结构,同时借助不 同沟槽栅结构的设计,满足不同特性要求;另外在场 阻断技术上,通过优化芯片厚度,场阻断层深度和浓 度以及氢注入的能量等工艺参数,在保证良好的开 关速度和软度的同时实现器件的低通态压降。芯片、单管及模块
虚拟原胞技术通过改变沟槽内多晶的电位连接方式或者调整发射 极的注入区域,实现虚拟原胞可有效调整沟道电流 密度及沟道电流分布,优化电容特性,改善器件的输 出特性、提高短路能力。芯片、单管及模块
逆导IGBT技术该技术通过将传统的IGBT元胞与FRD元胞集成于同 一芯片,在反向时由自身的FRD实现IGBT的续流, 提供了一个紧凑的电流泄放回路;该技术能够大幅 降低热阻,降低器件内部的最高结温波动,从而提高 器件的电流密度及工作寿命。该结构还能显著减少 单管和模块的封装体积,降低器件成本。芯片、单管及模块
微沟槽IGBT技术微沟槽 IGBT 相对普通型沟槽 IGBT 将芯片关键尺寸 大幅缩小,结构设计上创新性地引入虚拟沟槽和虚 拟栅极,在增强注入效率和降低通态压降的同时有 效调节 IGBT 的各类电容比例,实现 IGBT的良好可 控性和更宽的安全工作区,同时大幅提高了芯片的 电流密度。芯片、单管及模块
续流用软恢复二 极管芯片技术该技术采用独特的正面和背面掺杂浓度分布来精准 控制注入效率,加上特殊的基区少子寿命控制技术, 使 FRD 芯片不仅实现了较低的正向压降,较快的反 向恢复,还具有较软的反向恢复特性,更加适合于 IGBT续流二极管的应用。芯片、单管及模块
高效率整流二极 管芯片技术该技术采用多层外延设计、高电压终端设计及工艺 控制、高雪崩耐量设计和局部少子寿命控制技术,使 得产品具有超短的反向恢复时间、较低的正向压降 和高雪崩耐量。芯片、单管及模块
高压MOS芯片技术基于IGBT的场阻断薄片技术平台,通过调节衬底电 阻率和芯片厚度来实现不同的耐压,同时通过调整 源极的注入结构来有效调整沟道电流密度及电流分 布,实现较低Rdson并确保较高的抗闩锁能力。芯片、单管
银烧结技术该技术是最适合第三代半导体模块封装的界面连接 技术之一,也是SiC模块封装中的关键技术,因烧结 连接层成分为银,具有优异的导电和导热性能。由于 银的熔点高达961℃,将不会在熔点小于300℃的软 钎焊连接层中出现典型疲劳效应,具有很高的可靠 性。所用银烧结材料具有和传统软钎焊料相近的烧 结温度,且烧结料不含铅,属于环境友好型材料。SiC、MOSFET模块
低分布参数的模 块布线技术当IGBT关断时,回路瞬间加载于IGBT的集电极(C) 和发射极(E)之间会产生尖峰电压。采用低分布参 数的模块布线,模块产品可以实现在相同的基板面 积和线路拓扑下,寄生电感减少30%-50%。由于内部 寄生电感降低了近一半,因此所产生的尖峰电压也 随之降低了近一半,从而大大降低了器件过压失效 的概率。模块
端子超声键合技 术采用铜端子与铜基板的直接键合,可以避开因材料 膨胀系数错配而造成的应力变化。在超声焊接过程 会对焊接面积进行超声波振动,有效去除氧化层及 脏污。同时,超声波焊接时焊接端子截面积大,有利 于模块过流状态,并提供更好的功率循环表现。各系列模块产品
基于平面传递模 塑封 PTM 的双面/ 单面水冷技术该技术基于平面传递模塑封技术(Planar Transfer Molding,PTM)实现高功率密度双面水冷/单面水冷 散热封装,使得 DSC 模块热阻比传统水冷板式散热 模块降低40%;同时,平面封装设计带来的低电感效 应可以提升模块的开关速度,降低模块损耗,进一步 提升系统功率密度;通过采用Spacer互连技术替代 发射极绑定线,使得 DSC模块的 PCsec寿命是传统 WireBonding模块的4倍以上;采用高Tg高导热EMC 实现模块在185℃以上工作结温,表现出更加优秀的 抗高压高温高湿等老化性能。双面 DSC/单面 SSC 水冷系列化模块
上述技术来源均为公司自主研发,并独立享有相关知识产权成果。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
公司国家级专精特新“小巨人”企业2022-

2. 报告期内获得的研发成果
截至报告期末,公司凭借在科技创新工作中的卓越成效,累计获得发明专利授权43项,实用新型专利授权81项,外观设计专利授权7项。具体情况如下表所列:
报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利228843
实用新型专利238581
外观设计专利21107
软件著作权0000
其他0000
合计66183131
注:报告期内,发明专利累计申请数中有2个已失效;实用新型专利累计申请数中有8个已失效、累计获得数中有7个已失效。

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入53,908,387.6550,484,395.496.78
资本化研发投入---
研发投入合计53,908,387.6550,484,395.496.78
研发投入总额占营业收入 比例(%)8.476.60增加1.87个百分 点
研发投入资本化的比重(%)-- 

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序号项目名称预计总投资规 模本期投入金 额累计投入金额进展或阶段性成 果拟达到目标技术水平具体应用前景
1电动汽车 电机控制 用国产 IGBT模 块研发项 目3,000.00333.882,956.732款产品已小批 量供货,6款产 品已大批量供货完成新一代650V- 750V、400-820A车用 模块IGBT开发,产 品具备高可靠性、高 功率密度、高散热效 率,满足客户使用要 求,并最终批量化生 产国内先进新能源汽车
2新一代车 用IGBT 技术研究 及产业化 项目1,000.00824.58824.583款芯片设计开 发中,2款模块 产品工艺调试 中,2款模块产 品已通过客户阶 段性测试为满足纯电及插混车 型电控客户端需求, 开发多款750V、 1200V IGBT模块产 品,适配整车性能及 散热需要,并实现产 品批量交付国内先进新能源汽车
3定制化光 伏逆变器 用IGBT 模块的研 发及产业 化5,000.00327.714,121.414款产品设计开 发阶段,2款产 品工艺调试中, 9款产品已大批 量供货完成650V-1700V多 个电流规格模块产品 的开发,满足光伏客 户使用要求,并最终 批量化生产国内先进光伏
4精细结构 IGBT芯 片的开发 及产业化6,000.00267.254,746.051款产品设计开 发中,3款产品 已大批量供货完成下一代高功率 IGBT模块的IGBT芯 片需求进行技术攻 关,研发高功率、低国内先进工业控制、新 能源汽车
      损耗的芯片产品,并 推进产业化  
5新能源汽 车碳化硅 模块4,500.00203.333,371.361款产品在整机 客户端认证中, 1款产品工艺调 试中完成车用1200V、 300A-600A SiC MOSFET模块及相关制 程工艺开发,满足客 户提出的性能参数要 求,并实现批量交付国内先进新能源汽车
6CoolPack SSC 产品 开发75.0053.8053.80产品完成过程设 计定型,P4阶段 小批试产考核优 化中为满足插混车型客户 端电控系统应用需 求,开发750V 400A- 700A塑封IGBT模 块,适配客户双电机 电控定制化需求,通 过设计/过程定型及 可靠性考核,满足量 产交付要求国内先进新能源汽车
7工控智能 功率模块8,000.00214.845,732.854款产品已小批 量供货,2款产 品已大批量供货完成650V-1700V多 个电流规格模块产品 的开发,满足工控客 户使用要求,并最终 批量化生产国内先进工业控制
8光伏与储 能应用的 三电平功 率模块关 键技术研 究40.0019.4319.43三电平多种拓扑 的电磁仿真及大 面积塑封技术研 究形成阶段性成 果,完成2阶段 汇报交流针对150KW级光储逆 变器配套开发的塑封 三电平模块就电磁仿 真、大面积塑封及可 靠性考核等相关关键 技术进行预研研究, 为产品产业化提供支 撑国内先进光伏、储能
9光伏用 FRD芯片 及分立器 件的研发 及产业化3,000.00416.361,243.841款产品客户单 体验证中,1款 产品客户整机验 证中完成可匹配光伏应用 场景、芯片级功率密 度更高的、具备HV- H3TRB能力的FRD芯 片开发及量产国内先进光伏
10工控领域 用IGBT 模块研发 及产业化 项目4,500.001,621.541,850.768款产品在设计 开发中,3款产 品工艺调试中, 1款产品已小批 量供货新开发多款1700V 、 1200V IGBT和 FRED芯片,迭代升级 多种封装类型的大电 流1200V、1700V模 块,以满足高压变频 器、高压SVG市场需 求,并实现批量交付国内先进工业控制
11工控领域 用SiC功 率器件研 发及产业 化项目1,000.00357.17357.171款产品设计开 发中为满足工控领域应用 需求,拟开发1200V 7mΩ SiC模块,并实 现批量交付国内先进工业控制
12碳化硅芯 片开发项 目2,000.00492.50492.501款芯片设计开 发阶段、2款产 品客户测试中、 1款产品完成产 品设计和工艺验 证开发1200V 20A SBD 芯片、1200V 40mΩ、13mΩ SiC MOSFET芯片,并完成 多种封装类型的分立 器件及模块封装,实 现产品批量交付国内先进新能源汽车、 工业控制、光 伏
13ColdPack SDC-SiC 产品开发 与平台建 设290.0026.5826.581款模块产品设 计开发中完成6-10并联 1200V/1-2mohm直接 SiC模块产品设计定 型,完成SiC产品关 键设备导入调试,满国内先进新能源汽车
      足新能源汽车客户电 控开发需求  
14光储逆变 器用NPC 模块420.0031.5631.561款模块产品设 计开发中针对150KW级或以上 光伏逆变器和储能变 流器配套需求,满足 相关环境耐久性及可 靠性要求,开发耐湿 抗盐雾大面积塑封的 1200V/600A T-NPC模 块,实现设计定型, 为客户系列化需求搭 建产品平台国内先进光伏、储能
15储能领域 用IGBT 模块研发 及产业化 项目1,000.0057.1057.101款产品设计开 发中、1款产品 已小批量交付为满足储能领域应用 需求,拟开发650V、 1200V IGBT模块,并 实现批量交付国内先进储能
合计-39,825.005,247.6325,885.72----
注:以上在研项目按照累计投入金额比例依次排序。



5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)210143
研发人员数量占公司总人数的比例(%)18.7717.15
研发人员薪酬合计1,980.711,475.57
研发人员平均薪酬9.4310.32


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士研究生20.95
硕士研究生2913.81
本科及以下17985.24
合计210100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含30岁)10750.95
30-40岁(含30岁,不含40岁)7937.62
40-50岁(含40岁,不含50岁)167.62
50-60岁(含50岁,不含60岁)41.90
60岁及以上41.90
合计210100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、技术优势
经过多年的技术沉淀和积累,公司在IGBT、FRD等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面突破多项核心技术,其中芯片领域主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术;软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRD芯片设计及制造技术;高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。模块封装领域的核心技术主要包括低分布参数的模块布线技术、无压和有压银烧结技术、端子超声键合技术、双面散热塑封技术等。未来,公司将持续高筑核心技术壁垒,夯实行业竞争力。

2、人才优势
人才是半导体行业的重要因素,是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产、揽获多项专项技术的行业领军人才组建的硬科技企业,研发团队的核心成员均为从事电力电子器件行业 20 余载的高级技术人才,曾参加过国家“八五”、“九五”、“十一五”、“十二五”、“十四五”IGBT 芯片和模块技术攻关。未来,为保证研发实力的持续提升,公司将稳步扩张研发团队规模,强化人才优势。2024年上半年,公司博士后创新实践基地升级为国家级博士后工作站,为公司的高层次技术人才引进、产学研深度融合搭建桥梁,加速科技成果转化运用,助推以新质生产力为代表的高质量产业发展。

3、产品多品种规模化供应优势
功率半导体器件作为一种最基础的工业电子元器件,下游整机装备客户通常需要多种系列和规格的产品,为确保整机产品的稳定性,客户倾向于选择同一品牌的一站式采购。公司产品系列齐全,品种繁多,报告期内,公司产品已涵盖IGBT、FRD、MOSFET芯片及单管产品300余种,IGBT、FRD、MOSFET、整流二极管及晶闸管等灌封和塑封模块产品600余种,电流范围从3A到950A,电压范围从 60V 到 1700V,产品类型齐全。依托良好的技术优势及敏锐的市场洞悉能力,公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线。在产品种类上,公司形成了从芯片设计到模块封装,从功率二极管到MOSFET、IGBT,从低频到高频器件,从小功率产品到大功率模块的全系列、多规格产品格局。在产品适用范围上,公司产品适用于变频器、电焊机、UPS电源、逆变电源、高频开关电源、风光储、新能源汽车电控系统、新能源汽车充电系统等多元化领域。公司多品种、专业化、规模化的产品供应能力,使得公司具备突出的组合供应能力,能够为各领域客户提供多品种、多系列、专业化的一揽子产品解决方案。

4、客户资源优势
公司深耕功率半导体行业多年,凭借先进的产品技术、可靠的产品质量和优质的服务与各行业龙头企业及众多知名客户积累了深厚的商业合作关系,并被多家知名客户如汇川技术、台达集团、英威腾、奥太集团等评选为“优秀供应商”或“重要供应商”。同时,公司依托龙头企业产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。在工业控制领域,客户包含苏州汇川、台达集团、英威腾、伊顿等;在新能源发电领域,重点客户包含客户A、阳光电源、爱士惟、古瑞瓦特、禾望电气等;在新能源汽车领域,公司产品主要用于电控系统,主要客户有比亚迪、汇川、臻驱等;充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2024年上半年,受地缘政治紧张局势、国际贸易摩擦、加息周期等因素共同作用,全球经济增速有所放缓。全球半导体行业经历了2021年高速增长后,2022年增速开始回落,并在2023年进一步回落。2024年上半年,国内半导体市场结构性分化明显,其中,人工智能、XR、消费电子等领域下游市场需求显著回暖,新能源汽车、新能源发电等下游市场需求出现拐点,但汽车端的产品价格竞争较为激烈。2024年上半年,面临复杂的经营环境,受整体宏观经济以及市场竞争加剧的影响,公司经营业绩短期承压。

2024年下半年,公司将继续围绕“专注客户需求,狠抓质量管理,提升组织能力,扩大营销规模”的工作方针,迎难而上,锐意进取,努力实现经营业绩稳步增长。

(一)行业竞争格局加剧,公司业绩短期承压
2024年上半年,公司实现营业收入63,662.02万元,同比下降16.72%;归属于上市公司股东净利润251.41万元,同比减少95.98%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-304.09万元,同比减少105.21%。

2024年上半年,随着国内功率半导体行业竞争加剧,去库存压力较大,在短期内抑制了出货量和平均销售价格,导致公司经营业绩短期出现下滑。

2024 年是高质量快速发展的关键之年,公司管理团队将在董事会的领导下,围绕发展战略,为实现既定经营目标努力。2024年下半年,公司将进一步聚焦重点应用领域、重点技术和重点客户,持续开发具有高护城河、高技术浓度、高性价比的功率器件产品,降本增效,保障高质量完成年度经营目标。

(二)研发技术不断突破,主要产品持续放量
1、芯片产品
(1)光伏应用的FRD芯片:针对光伏应用的1000V M7U芯片已完成开发和认证,并形成量产。同时,与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计,通过了HV-H3TRB可靠性测试,贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。公司正在积极拓展工业控制和新能源产品线,以满足不同领域的新需求;
(2)SiC MOSFET芯片:公司首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功,已通过可靠性验证;车规1200V 13mohm SiC MOSFET芯片正在积极开发中;
(3)自研SiC SBD芯片:自主研发的SiC SBD(肖特基势垒二极管)芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证,并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试,部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展,为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广,公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。

2、模块产品
(1)光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付,储能用650V三电平产品批量交付;
(2)车规级280A-820A/750V灌封模块:针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景,公司相继成功开发了不同输流能力的灌封模块(280A-820A/750V),均已通过AQG324等相关车规级认证,并通过客户端整车认证,进入大批量生产阶段;
(3)车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产,基于市场需求对产能进行了翻倍升级,该塑封模块平台产品对公司 2024 年新能源汽车主驱逆变模块的销售增长提供新动力;
(4)车规级1200V SiC自研模块正在研制中,对应的银烧结工艺已通过可靠性验证,为下一步车规模块产品的开发提供了坚实的技术平台;
(5)1700V 系列化产品:多款产品完成开发,用于高压变频、风电变流器和 SVG 等多领域,且产品已通过客户端认证,可批量供应市场;
(6)不间断电源(UPS)系统定制的三电平SiC混合模块完成开发,已批量供货。

(三)巩固核心技术,研发投入持续加大
2024年上半年,公司持续加大对核心技术的研发投入,并致力于技术产品创新和升级。报告期内,公司研发人员数量为210人,同比增长46.85%,其中硕士、博士合计31人,占研发人员总数的比例为14.76%。2024年上半年,研发投入5,390.84万元,占营业收入的比例为8.47%,同比增加 1.87%。截至报告期末,公司共有专利 131 项,其中发明专利 43项,实用新型专利81项,外观设计专利7项。

2024 年上半年,公司围绕超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术等不断创新,产品全面覆盖新能源汽车、新能源发电、储能和工业控制领域,持续围绕第七代微沟槽IGBT技术、虚拟原胞技术、逆导IGBT技术、SiC、模塑封PTM的双面/单面水冷等多项功率芯片关键技术进行创新。同时,公司与国内多个科研院所、海外机构建立深入合作关系,积极布局下一代化合物半导体芯片设计及模块封装技术。

(四)升级质量管理体系,持续成本管理工作
公司将2024年定义为质量之年,上半年已围绕“狠抓质量,提质增效”开展了一系列质量提升举措,全面推行“三化一稳定、严进严出”质量管理措施;扩充实验室容量,提升实验能力;严格修订公司可靠性标准;提升 IT 化能力和数据统计分析能力;自主开发了一系列数据中台报表,并对生产全过程进行实时监控。上半年 IGBT 模块整体良率提升 1.4%,市场端失效率降低约5%,公司以精益生产与零缺陷质量管理,性能获得国内头部客户认可。

(五)增强战略客户粘性,加速抢占市场
公司长期致力于IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,同时为客户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2024年上半年,公司凭借技术优势,在重点应用领域,包含工业控制、新能源汽车、新能源发电、数据中心皆有所收获和积累,持续丰富优质客户资源。在稳步扩容现有客户订单份额的基础上,持续加大营销力度,积极开拓新客户及新市场,客户矩阵趋于丰富。

(六)公司治理规范高效,提升组织运营颗粒度
2024年上半年,公司董事会、监事会、管理团队严格按照《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《公司章程》等法律法规和规范性文件及公司内部制度要求,不断完善公司法人的治理结构,加强内部制度建设与内控体系建设,进一步促进公司规范运作,以精细化流程设计与系统化制度管理反哺生产经营业务稳健发展。报告期内,公司严格按照上市公司规范运作要求,合规履行信息披露义务,持续加强内控建设,以高效的法人治理水平和规范的运作水平助推生产经营提质增效。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)核心竞争力风险
技术升级及产品迭代风险
功率半导体器件行业技术不断升级,持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的关键。

公司现有技术存在被赶超和迭代的可能。如国内外竞争对手推出更先进、更具竞争力的技术和产品,而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的研究方向,或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平,新产品研发失败,将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。

(二)经营风险
重要供应商依赖的风险
公司的自研芯片是采用Fabless模式委托芯片代工企业进行生产,外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片供应商产能严重紧张或者难以通过供应商采购芯片,则可能导致公司产品无法及时、足量交付,进而对公司的经营业绩产生不利影响。

(三)行业风险
市场竞争风险
国际市场上,经过60余年的发展,以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时,国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术,其研发投入强度也高于国内企业,在全球竞争中保持优势地位,几乎垄断工业控制、新能源发电、新能源汽车等利润率较高的应用领域。

国内市场较为分散,市场化程度较高,各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件和功率模块市场,并保持着较快的发展速度,这可能会吸引更多的竞争对手加入,从而导致市场竞争加剧。如果产品开发效果不达预期,不能满足新兴市场及领域的要求,或者现有市场应用发生根本性变化,公司的市场份额可能存在下降风险。

(四)宏观环境风险
公司产品主要应用于工业控制、新能源发电、储能、新能源汽车等行业,如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响,半导体行业也将随之受到影响,从而对公司的销售和利润带来负面影响。

(五)财务风险
1、业绩大幅下滑或亏损的风险
报告期内,受国内外宏观经济形势及市场竞争加剧的影响,公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润发生亏损。2024年下半年,若国内外经济形势、市场需求未能改善,公司相关措施未能产生积极效果,公司将面临经营压力,存在业绩继续下滑的风险。

2、毛利率波动的风险
报告期内,公司主营业务毛利率为15.23%。受国内外宏观经济、光伏行业下行及新能源汽车市场竞争加剧等因素的影响,公司整体毛利率较去年同期相比有所下滑。如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、下游市场需求波动、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况,可能导致公司综合毛利率下降。

3、固定资产折旧的风险
随着公司改扩建项目的投产使用,在建工程将陆续转为固定资产,将会导致固定资产折旧费用的增加。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平,则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。


六、 报告期内主要经营情况
2024年上半年公司实现营业收入63,662.02万元,同比减少16.72%;实现归属于母公司所有者的净利润251.41万元,同比减少95.98%;
(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入636,620,225.04764,417,819.31-16.72
营业成本536,559,579.54601,778,265.15-10.84
销售费用12,531,792.989,825,168.5827.55
管理费用34,492,719.4223,544,273.9346.50
财务费用8,872,575.598,660,850.982.44
研发费用53,908,387.6550,484,395.496.78
经营活动产生的现金流量净额57,347,368.69-116,033,559.30不适用
投资活动产生的现金流量净额-90,630,844.67-26,369,496.86不适用
筹资活动产生的现金流量净额-63,374,712.79148,088,072.09-142.80
投资收益629,628.151,234,548.53-49.00
公允价值变动收益209,798.6384,435.66148.47
信用减值损失-1,137,264.68-7,740,636.71不适用
资产处置收益-668,150.03358,288.36-286.48
(未完)
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