[中报]纳芯微(688052):2024年半年度报告

时间：2024年08月22日 20:56:23 中财网

原标题:纳芯微:2024年半年度报告

公司代码：688052 公司简称：纳芯微






苏州纳芯微电子股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
公司已在本报告中描述公司面临的风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”相关内容，请投资者予以关注。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人王升杨、主管会计工作负责人朱玲及会计机构负责人（会计主管人员）朱玲声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无。


七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

本报告所涉及的公司未来发展计划、发展战略、经营计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。

九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 6
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 36
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 39
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 41
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 66
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 71
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 72
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 73

备查文件目录	载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并 盖章的财务报表
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
纳芯微、公司、本公司	指	苏州纳芯微电子股份有限公司
纳芯微有限公司	指	苏州纳芯微电子有限公司，系公司前身
远景科技	指	远景科技国际有限公司，系公司一级全资子公司
上海纳矽微、纳矽微	指	上海纳矽微电子有限公司，系公司一级全资子公司
襄阳臻芯	指	襄阳臻芯传感科技有限公司，系公司参股公司
苏州万芯微	指	苏州万芯微电子科技有限公司，系公司一级全资子公司
苏州纳希微、纳希微	指	苏州纳希微半导体有限公司，系公司一级全资子公司
苏州纳星	指	苏州纳星创业投资管理有限公司，系公司一级全资子公司
重元纳星创业投资	指	苏州工业园区重元纳星创业投资合伙企业（有限合伙），系公司 参股的合伙企业
苏州和煦	指	苏州和煦管理咨询合伙企业(有限合伙) ，系公司控股的合伙企 业
瑞矽咨询	指	苏州瑞矽信息咨询合伙企业（有限合伙）
纳芯壹号	指	苏州纳芯壹号信息咨询合伙企业（有限合伙）
纳芯贰号	指	苏州纳芯贰号信息咨询合伙企业（有限合伙）
纳芯叁号	指	苏州纳芯叁号信息咨询合伙企业（有限合伙）
苏州华业	指	苏州华业致远一号创业投资合伙企业（有限合伙）
长沙华业	指	长沙华业高创私募股权基金合伙企业（有限合伙）
小米长江	指	湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙）
津盛泰达	指	西藏津盛泰达创业投资有限公司
宁波宝芯源	指	宁波宝芯源功率半导体有限公司
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
《公司章程》	指	《苏州纳芯微电子股份有限公司章程》
集成电路、芯片、IC	指	采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电 感等元件及布线互联在一起，制作在一小块或几小块半导体晶 片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，使之成为具有所需 电路功能的微型结构。IC是 Integrated Circuit的英文缩写，即 集成电路，也可以称为芯片
分立器件	指	普通的电阻、电容、晶体管等单个电子元件，统称分立器件
MOSFET	指	金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结 构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立 器件使用以实现特定功能
IGBT	指	绝缘栅双极性晶体管，具备 MOSFET和双极型晶体管的优点， 如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作 频率高等特点
GaN	指	Gallium Nitride，氮和镓的化合物，一种第三代半导体，主要 应用为半导体照明和显示、电力电子器件、激光器和探测器等 领域
模拟信号	指	用连续变化的物理量所表达的信息，如温度、湿度、压力、长 度、电流、电压等，通常又把模拟信号称为连续信号，它在一定 的时间范围内可以有无限多个不同的取值
数字信号	指	自变量是离散的，因变量也是离散的信号，典型的就是当前用 最为常见的二进制数字来表示的信号。在实际的数字信号传输 中，通常是将一定范围的信息变化归类为状态 0或状态 1，这种
		状态的设置大大提高了数字信号的抗噪声能力
模拟芯片	指	一种处理连续性模拟信号的芯片。常见的模拟芯片主要包括线 性产品、转换器产品、隔离与接口产品、射频与微波产品、各类 ASIC芯片、各类电源管理芯片及驱动芯片等
混合信号芯片	指	一种结合模拟电路和数字电路的芯片，其内部既能包含电压源、 电流源、运算放大器、比较器等模拟电路基本模块，又能包含倒 相器、寄存器、触发器、MCU、内存等数字电路基本模块。混 合信号芯片也属于模拟芯片的范畴
ASIC	指	Application Specific Integrated Circuit的英文简称，即专用集成 电路，是指应特定用户要求或特定电子系统的需要而设计、制 造的集成电路
传感器	指	用于侦测环境中所生事件或变化，并将此讯息传送出至其他电 子设备（如中央处理器）的装置，通常由敏感元件和转换元件组 成
敏感元件	指	传感器的重要组成部分，能敏锐地感受某种物理、化学、生物的 信息并将其转变为电信息的特种电子元件
传感器信号调理 ASIC 芯片	指	是对传感器敏感元件输出的模拟信号进行放大、转换和校准的 专用芯片，也称 Sensor Signal Conditioner IC
数字隔离芯片	指	指标准数字隔离芯片、集成电源的数字隔离芯片（也称隔离电 源芯片）、隔离接口芯片、隔离驱动芯片、隔离采样芯片等采用 数字隔离工艺的产品
ADC	指	Analog-to-Digital converter的英文简称，即模拟数字转换器，是 用于将模拟形式的连续信号转换为数字形式的离散信号的器件
MCU	指	Microcontroller Unit的英文简称，即微控制单元，又称单片微型 计算机或单片机，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减， 并将内存（memory）、计数器（Timer）、USB、A/D转换、UART、 PLC、DMA等周边接口，甚至 LCD驱动电路都整合在单一芯 片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控 制
MEMS	指	Micro-Electro-Mechanical System的英文简称，即微机电系统， 是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置，其内部结构一般在 微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。主要由传感器、动 作器（执行器）和微能源三大部分组成
CMOS	指	Complementary Metal Oxide Semiconductor的英文简称，即互补 金属氧化物半导体，是一种集成电路的设计工艺，可以在硅质 晶圆模板上制出 NMOS（n-type Metal-Oxide-Semiconductor）和 PMOS（p-type Metal-Oxide-Semiconductor）的基本元件，由于 NMOS与 PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为 CMOS
PLC	指	Programmable Logic Controller的英文简称，即可编程逻辑控制 器，可用于内部存储程序、执行逻辑运算、顺序控制、定时、计 数与算术操作等面向用户的指令，通过数字或模拟式输入/输出 控制各种类型的机械或生产过程，是工业控制的核心部分之一
I2C	指	一种通讯接口标准
CAN	指	一种通讯接口标准
LIN	指	一种通讯接口标准
OOK	指	On-Off Keying的英文简称，即二进制启闭键控，以控制正弦载 波的开启与关闭的方式进行调制解调。该调制方式的实现简单， 在通信系统应用广泛
浪涌	指	瞬间出现超出稳定值的峰值，包括浪涌电压和浪涌电流。本质 上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉
		冲
AOP	指	Acoustic Overload Point的英文简称，是麦克风在总谐波失真小 于 10%时所能承受的最大声压级，又叫声压过载点
CMTI	指	Common Mode Transient Immunity的英文简称，即共模瞬态抗 扰度，是指瞬态穿过隔离层以破坏驱动器输出状态所需的最低 上升或下降斜率
VDE	指	欧洲最有测试经验的试验认证和检查机构之一，该机构会依据 德国 VDE国家标准、欧洲标准或 IEC国际电工委员会标准对电 工产品进行检验和认证
UL	指	全球检测认证机构、标准开发机构，其已成为世界知名的检测 认证机构之一
CQC	指	中国质量认证中心，是经中央机构编制委员会批准，由国家市 场监督管理总局设立，委托国家认监委管理的国家级认证机构
AEC-Q100	指	由汽车电子协会 AEC（Automotive Electronics Council）所制定 的规范，主要是针对车载应用的集成电路产品所设计出的一套 应力测试标准
AEC-Q103	指	由汽车电子协会 AEC（Automotive Electronics Council）根据车 载 MEMS特性制定出的专项标准，用于车载 MEMS的车规级 认证；其中，针对车规级 MEMS压力传感器的 AEC-Q103认证 与 AEC-Q100认证相比，在可靠性测试中增加了压力载荷，来 模拟芯片实际的运行环境
报告期、本报告期	指	2024年 1月 1日至 2024年 6月 30日
报告期末、本报告期末	指	2024年 6月 30日
元、万元、亿元	指	人民币元、人民币万元、人民币亿元

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	苏州纳芯微电子股份有限公司
公司的中文简称	纳芯微
公司的外文名称	Suzhou Novosense Microelectronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写	Novosense
公司的法定代表人	王升杨
公司注册地址	苏州工业园区东荡田巷9号
公司注册地址的历史变更情况	1、2016年10月10日，公司注册地址由苏州工业园区仁 爱路150号第二教学楼A104室变更为苏州工业园区若 水路388号E1105室； 2、2019年12月25日，公司注册地址由苏州工业园区若 水路388号E1105室变更为苏州工业园区金鸡湖大道88 号人工智能产业园C1-501； 3、2024年7月31日，公司注册地址由苏州工业园区金鸡 湖大道88号人工智能产业园C1-501变更为苏州工业园 区东荡田巷9号。
公司办公地址	苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园C1-501
公司办公地址的邮政编码	215000
公司网址	www.novosns.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	2024年6月19日，公司召开第三届董事会第九次会议， 审议通过了《关于变更公司注册地址、修订<公司章程 >并办理工商变更登记的议案》，上述议案已经2024年 第一次临时股东大会审议通过。具体内容详见公司于 2024年6月20日、2024年7月11日在上海证券交易所网站 披露的公告。 2024年8月2日，公司披露《关于完成工商变更并取得营 业执照的公告》，已完成注册地址变更的工商变更登记 以及修订后的《公司章程》备案工作。

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	姜超尚	王一飞
联系地址	苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能 产业园C1-501	苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能产 业园C1-501
电话	0512-6260 1802-823	0512-6260 1802-823
传真	0512-6260 1802	0512-6260 1802
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《上海证券报》（www.cnstock.com）《中国证券报》 （www.cs.com.cn）《证券时报》（www.stcn.com）《 证券日报》（www.zqrb.cn）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引	无

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	纳芯微	688052	无

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入	848,870,950.29	723,676,719.81	17.30
归属于上市公司股东的净利润	-265,250,845.17	-131,604,299.70	不适用
归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益的净利润	-286,357,952.51	-178,351,436.97	不适用
经营活动产生的现金流量净额	8,397,731.73	-260,167,586.85	不适用
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	6,084,574,396.49	6,206,502,327.47	-1.96
总资产	6,846,273,995.41	7,156,313,988.76	-4.33

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）	-1.86	-0.93	不适用
稀释每股收益（元／股）	-1.86	-0.93	不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	-2.01	-1.26	不适用
加权平均净资产收益率（%）	-4.31	-2.00	减少 2.31个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	-4.65	-2.71	减少 1.94个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	37.61	46.23	减少 8.62个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1. 随着下游汽车电子领域需求稳健增长，公司汽车电子领域相关产品持续放量，以及消费电子领域景气度的持续改善，报告期内，公司实现营业收入 84,887.10万元，同比增长 17.30%。其中，第一季度实现营业收入 36,248.16万元，第二季度实现营业收入 48,638.93万元，二季度环比增长 34.18%。

2. 本期归属于上市公司股东的净利润为-26,525.08万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-28,635.80万元；本期归属上市公司股东的净利润和归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润下降主要是因为：1) 受整体宏观经济以及市场竞争加剧的影响，公司产品售价承压，毛利率较上年同期有所下降；2) 公司在市场开拓、供应链体系建设、产品质量管理、人才建设等多方面资源投入的积累，使得公司销售费用、管理费用同比上升；3) 因公司实施限制性股票激励计划等，本报告期内摊销的股份支付费用 14,730.96万元，若剔除股份支付费用的影响，公司 2024年 1-6月实现归属于母公司所有者的净利润-11,794.12万元，实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-13,904.84万元。

3. 本期经营活动产生的现金流量净额为 839.77万元，经营活动产生的现金流量净额回正主要原因为：在销售端，本期客户销售回款增加，销售商品、提供劳务收到的现金同比增加 8,831.58万元，同比增长 12.59%；在采购端，公司持续推进库存管理的优化，购买商品、接受劳务支付的现金同比减少 22,963.20万元，同比下降 35.46%；两者同时影响下使得经营活动产生的现金流量净额回正。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减 值准备的冲销部分	-174,661.64	第十节七、71/75
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外	2,564,177.23	第十节七、67
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益	18,764,662.11	第十节七、68/70
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费
委托他人投资或管理资产的损益
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用，如安置职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	-44,847.80	第十节七、74/75
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	2,222.56	第十节七、76
少数股东权益影响额（税后）
合计	21,107,107.34

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）公司所属行业情况
公司所处行业属于集成电路设计行业。根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司所处行业属于 I652“集成电路设计”。《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520）。报告期内，公司所处行业情况具体如下：
1、模拟芯片市场概况
从全球市场来看，2024年上半年全球半导体市场经历了一些积极的变化，整体呈现复苏态势。

世界半导体贸易统计组织（WSTS）把对 2024年全球半导体市场规模同比增速的预测上调至 16.0%。

其中，美洲半导体市场规模将达 1,680.62亿美元，亚太地区将达 3,408.77亿美元。2024年推动全年增长并同时实现双位数增长的市场分别是逻辑器件增长 10.7%，存储器件增长 76.8%。根据预测，2025年全球半导体市场规模将继续增长 12.5%至 6,874亿美元。

从国内市场来看，2024年上半年中国集成电路产业快速增长，出口回升趋稳。根据国家统计局的数据，集成电路产品产量同比增长了 28.9%。据工信部及海关数据显示，2024年上半年，我国出口集成电路 1,393亿块，同比增长 9.5%。

从市场竞争状况来看，国内模拟芯片市场竞争仍在继续。尽管国际厂商仍占据市场主导地位，但国内模拟芯片厂商通过近年竞争力提升，有望逐步进入第二梯队，据中商产业研究院数据显示，中国模拟芯片自给率从 2017年的 6%上升至 2023年的 15%，预计未来随着本土模拟厂商进一步加强自身的产品优势，国产化率将进一步提升。

2、主要下游市场概况
汽车电子市场。2024年上半年，全球汽车销售市场表现出稳中有升的态势，特别是新能源汽同比增长 6.1%。其中，新能源汽车销量为 494.4万辆，同比增长 32%，市场占有率达到 35.2%，显示了电动化发展的新台阶。工信部表示将积极支持技术创新，加快推动新一代动力电池、车用芯片操作系统、自动驾驶大模型等技术攻关及产业化。随着国内新能源汽车逐步引领全球汽车产业升级，受益于车规级半导体国产厂商的崛起和汽车电动智能互联，中国的车规级模拟需求有望迎来供给和需求的共振。

工业控制市场。尽管 2023年中国工业自动化市场呈现负增长，但预计 2024年市场将保持 1至 3%的同比增长。国产替代成为工业自动化市场的主旋律，国产工控企业在变频器、伺服、PLC等产品上展现出强烈的国产替代及出海需求。

光伏市场。光伏行业在 2024年上半年展现出了积极的增长趋势，上半年中国光伏逆变器出货量快速增长，预计 2024年总出货量将超过 200GW，同比去年有显著提升。但与此同时也面临价格压力和市场调整的挑战，光伏、储能等泛能源需求仍处于库存去化及恢复阶段。

消费电子市场。消费电子行业作为周期性行业，2024年上半年消费电子市场在 AI技术的推动下，展现出复苏和创新的双重趋势，市场规模持续增长。AI技术在消费电子终端设备中的应用加速落地，推动了行业从弱复苏向成长的转变。AI手机和 AI PC等终端设备迎来了发展元年，预计 AI手机的渗透率在 2024年将达到 15%。消费电子行业正经历着前所未有的变革，AI终端设备的快速普及和应用将为行业带来新的增长点和机遇。

3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况
（1）AI及数据中心应用
人工智能是新一轮科技革命和产业变革的重要驱动力量，将对全球经济社会发展和人类文明进步产生深远影响。2023年，随着 Chat GPT持续火爆，人工智能和高性能计算需求的增长推动了 AI芯片的发展，特别是在智能手机、个人电脑等领域，AI功能的整合为半导体产业带来新的增长点。在此背景下，AI服务器和 AI PC市场规模保持高速增长态势，根据 MIC及 Trendforce测算，2023年全球 AI服务器出货量逾 125万台，同比增长超过 47%。预计全球 AI PC整机出货量将达到约 1,300万台，GPU产值预计同比激增 70%。

（2）人形机器人
在 AI技术的推动下，人形机器人被视为工业和服务业的潜在变革力量，吸引了大量的关注和投资。随着 AI大模型技术的发展，人形机器人在运动、感知和认知等方面的表现显著提升。据预测，2024年中国人形机器人市场规模将达到约 27.6亿元，并有望在 2029年增长至 750亿元，占全球总量的 32.7%，成为全球最大的市场之一。

人形机器人作为高度集成的技术产品，其在功能实现上对各类传感器依赖极大，人形机器人的感知系统类似于人类的感官神经，包括视觉传感器、力（力矩）传感器、IMU（惯性测量单元）、编码器以及主控芯片等。这些传感器集成使用，为机器人提供复杂交互性所需的感知能力。未来随着人形机器人的发展与普及，传感器在人形机器人中的应用有望打开，国内厂商发展潜力巨大。

（二）公司主营业务情况说明
1、主要业务情况 公司是一家高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。公司以『“感知”“驱动”未来，共建绿 色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命，坚持『可靠、可信赖、持续学习、坚持长期价值』企业 价值观，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。 公司专注于围绕下游应用场景组织产品开发，聚焦传感器、信号链和电源管理三大产品方向， 提供丰富的半导体产品及解决方案，并被广泛应用于汽车、泛能源及消费电子领域。目前已能提 供 2,100余款可供销售的产品型号。 报告期内，公司主营业务未发生重大变化。 2、主要产品和服务情况 公司产品涵盖传感器、信号链和电源管理三大产品领域，被广泛应用于汽车、泛能源及消费 电子领域，其中泛能源领域主要是指围绕能源系统的工业类应用，从发电端、到输电、到配电、 再到用电端的各个领域，包括光伏储能、模块电源、工控、电力电子等。公司产品具体情况如 下： （1）传感器产品
公司传感器产品主要包括磁传感器、压力传感器、温湿度传感器，具体如下：

产品类型	主要产品	主要特点
磁传感器	集成式电流传感器、 线性电流传感器、角 度传感器等	主要基于霍尔效应原理，为基于聚磁环的大量程电流 检测提供高精度的解决方案，可被广泛应用于电动汽 车电驱系统的相电流检测、工业系统中工业电机控制 和光伏逆变器等电流模块的大电流检测。
压力传感器	表压传感器、绝压传 感器、差压传感器等	主要基于硅的压阻效应并采用先进的 MEMS微加工工 艺，能够实现宽温度范围下的微低压压力检测（- 100kPa到 400kPa），同时产品出厂的预校准能大幅简 化客户系统设计，可广泛应用于汽车电子、工业控制、 医疗电子、白色家电等市场。
温湿度传感 器	模拟输出温度传感 器、数字输出温度传 感器、温度传感器等	主要采用晶体管 PN结温度效应并集成高精度信号调 理电路。其超高输出精度和极低的功耗可广泛应用于 工业、医疗、便携式设备、家用电器、可穿戴设备以及 电脑、服务器等市场，同时丰富的封装形式也可广泛适 用于多种环境与设备。

（2）信号链产品
信号链芯片是系统中信号从输入到输出的路径中使用的芯片，包括信号的收集、放大、传输和处理的全部过程，主要包括线性产品、隔离产品、转换器产品、接口产品等。公司信号链产品涵盖了信号链细分领域中的信号调理芯片、隔离、接口、放大器等，具体如下：

产品类型	主要产品	主要特点
传感器信号 调理芯片	MEMS麦克风 ASIC、热电堆传感 器 ASIC、PIR传感 器 ASIC、压力传感 器 ASIC、磁传感器 ASIC等	信号调理芯片将公司自主设计的各个电路模块集成至一 颗芯片中，能够实现传感器信号的采样、放大、模数转 换、传感器校准、温度补偿及输出信号调整等多项功能， 性能和成本都得到了大幅优化，是传感器系统的核心部 件，被广泛应用于汽车电子、工业自动化、智能家居、 TWS 耳机消费电子等场景。
隔离器系列	数字隔离器、隔离接 口、隔离电源、隔离 采样等	基于 CMOS工艺，通过电容耦合技术利用电容内部的电 场变化来实现数字信号的传输。另外，公司在标准数字 隔离芯片的基础上，陆续开发出了超宽体隔离器、“隔离 +”产品。“隔离+”产品集成了电源、接口等多类型的数字 隔离芯片，能够同时实现电源、接口隔离和信号隔离， 具有高集成度、低成本、小型化等优势，被广泛应用于 汽车电子、泛能源、消费电子等领域。
通用接口	CAN/LIN接口、I2C 接口等	接口芯片是基于通用和特定协议且具有通信功能的芯 片，广泛应用于电子系统之间的信号传输，可提高系统 性能和可靠性。
工业汽车 ASSP	工业变送器 ASIC、 汽车智能执行器电机 驱动 SoC等	为工业或者汽车行业中的特定应用开发的应用专用物 料。
通用信号链	电压基准、放大器、 数据转换器等	以运放（包括通用运放，精密运放，电流放大器等），通 用的电压基准，通用比较器，通用模拟开关，分立的 ADC/DAC等为基础的标准模拟信号链芯片。在工业、汽 车等应用场合作为模拟电路的基础元器件被广泛使用。

（3）电源管理产品
电源管理芯片是在电子设备系统中实现对电能的变换、分配、检测及其他电能管理职责的芯片，是电子设备中的关键器件，电源管理芯片同步于电子产品技术和应用领域升级，产品种类繁多。公司的电源管理产品主要包括栅极驱动、供电电源、LED驱动、电机驱动、音频功放、功率路径保护等芯片产品，具体如下：

产品类型	主要产品	主要特点
栅极驱动	隔离驱动、非隔离 驱动等	用来驱动 MOSFET、IGBT、SiC、GaN 等功率器件的 芯片，能够放大控制芯片（MCU）的逻辑信号，包括 放大电压幅度、增强电流输出能力，以实现快速开启
产品类型	主要产品	主要特点
		和关断功率器件。被广泛应用在工业、通信、新能源 汽车等不同领域的开关电源和电机控制设计中。
电机驱动	直流有刷电机驱 动、继电器与螺线 管驱动、步进电机 驱动等	用来驱动 BDC、Stepper、Relay、Valve、BLDC 等多种 电机负载的芯片，能够在控制芯片（MCU）的逻辑信号 输入下，开通或切换驱动输出，以实现系统驱动多种电 机负载按需求动作。被广泛应用在工业，汽车等不同领 域的电机控制设计中。
音频功放	音频功率放大器等	用来放大前级弱信号并驱动扬声器发出声音，主要为车 规级中大功率 D类音频功放，支持负载短路、开路、过 流等各种诊断与保护功能。
LED驱动	线性 LED驱动等	支持完整的诊断保护，并具有恒流精度高和散热能力强 等特点，主要应用于汽车尾灯、前灯、内饰氛围灯等场 景。
供电电源	LDO、电压监控等	专为汽车电池供电应用场景而设计，非常适合待机功耗 要求高的汽车应用，给待机系统中的 MCU和 CAN/LIN 收发器供电，达到省电和延长电池寿命的目的。
功率路径保护	电子保险丝等	适合驱动阻性、容性、感性等多种负载类型，并支持完 整的诊断保护功能。主要应用于车身控制器、整车控制 器、配电控制器、BMS等场景。

二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司以信号链技术为基础，在模拟及混合信号领域开展了自主研发工作，并在传感器、信号链、电源与驱动、第三代功率半导体五大领域形成了多项核心技术，上述核心技术均已应用于公司主要产品。截至本报告期末，公司核心技术具体情况如下：

序号	核心技术名称	核心技术先进性及表征
1	传感器信号调理及 校准技术	该技术实现了传感器信号调理 ASIC芯片的等效输入零漂 <1uV，共模抑制比大于 100dB，可用于对各种小电压输出传感 器的精确放大；另外，该技术可解决 MEMS麦克风芯片在前置 放大（Preamp）过程中信号过大带来的谐波失真问题，其 AOP 指标最高可达到 133dB；在信号校准方面，该技术涵盖多种校准 模式和校准算法，可适用于多种类型传感器的应用，校准精度 可达 0.1%。同时，也提供了传感器的开短路、过压、过流、高 温等诊断技术，产品自身的诊断功能可以在出现异常时发送特 定的信号或代码，降低失效带来的意外风险
2	/ 高压反压保护电 路技术	ASIC 该技术可在常规工艺条件下，实现车规级传感器信号调理 芯片超过+/-30V的高压/反压保护能力，在恶劣的工况环境下可 以提供更好的工作稳定性
3	CMOS 高精度 温度 传感器技术	该技术实现了 CMOS温度传感器高精度、高线性度的测温性能， -50℃-150℃ +/-0.75℃ 在 范围内，误差小于 ；在体温范围内误差 小于+/-0.2℃，分辨率达 0.015℃。温度转换加传输时间 50ms、 30μA 1μA 温度转换电流 、脉冲通信阶段
序号	核心技术名称	核心技术先进性及表征
4	高性能高可靠性 MEMS压力传感器 技术	采用该技术的集成式压力传感器芯片具有高灵敏度、高稳定性 的特点，产品灵敏度大于 10mV/V，综合精度小于 0.2%F.S.，寿 命周期内精度和稳定性优于 1%F.S.等；另外，通过该技术可实 现极低量程（低至 200Pa）以及满足车规级 AEC-Q103标准的集 成式压力传感器芯片
5	MEMS压力传感器 低应力耐介质封装 及 StripTest三温自 动化测试校准技术	低应力耐介质封装技术适用于微压 MEMS传感器产品，能够基 本消除外壳带来的应力，采用该技术的 MEMS气压式水位传感 器可达到全温区 1%精度。StripTest流水线自动化批量标定系 统，应用于自研绝压和差压产品的三温并行标定测试，具有单 颗全流程追溯功能，可以降低测试成本，提高标定效率
6	基于 “Adaptive OOK”信号调制的 数字隔离芯片技术	该技术可使公司的数字隔离芯片实现大于±200kV/μS的 CMTI。 同时，在极端环境下，该技术能够保护数字隔离芯片的内部器 件在 CMTI大于±300kV/μS时不被损坏；同时，该技术解决了 传统 OOK技术信号抖动过大的问题，可将信号抖动控制在 1ns 左右
7	高压隔离工艺	该工艺通过调整隔离栅的材料配比，在不影响产品电性能的前 提下，大幅度提升了安规隔离耐压和浪涌冲击能力，采用该技 术的产品均通过 DIN VDE0884-11 Reinforced Isolation（增强绝 缘）认证
8	隔离电源芯片设计 技术	该技术可以使隔离电源传输效率接近 50%，并且能实现宽范围 电压输入，输出电压精度可以达到 2%以内。采用该技术的隔离 电源芯片具有软启功能，能够保护输出侧的电路不受过压冲击， 保障输入侧电源的稳定供电。通过该技术可以实现在输出短路 或输入电压过大时保护芯片，增强了器件的可靠性
9	功率驱动技术	该技术可以使隔离驱动芯片的 CMTI达到±150KV/μS，具有很 强的抗共模干扰能力。该技术还可在芯片掉电或者供电不足时， 防止芯片误输出信号。采用该技术的产品能够实现小于 35ns传 输延时和小于 6ns的波形脉宽失真，并具有 4A~6A大电流的驱 动能力。公司的隔离驱动芯片能够满足 VDE、UL、CQC等安规 要求
10	/ 高精度隔离电压 电流检测技术	该技术实现了高压端电压/电流信号的检测和放大，并通过隔离 通信技术传输到低压端进行进一步处理。该技术采用了多种校 准、补偿技术，使产品的增益误差<0.3%、失调<100uV、非线性 度<0.03%、CMTI大于±100kV/μS，且具有极低温漂和 100dB左 右的电源抑制比、输入共模抑制比
11	磁传感技术	该技术实现了基于电磁感应原理的电流检测，可提供具有高隔 离等级的高边电流检测功能，电路采用低噪声低失调技术，实 现全温度<5mV零点误差，<1.5%灵敏度误差, 400KHz带宽，1us 响应时间,灵敏度从 0.5mV/G到 30mV/G可配置。集成电流路径 的磁电流产品可实现 5A~65A电流检测
12	LED驱动技术	该技术为 LED提供恒定的驱动电流，具有 PWM调光和外部可 配电阻两种调光方式；该技术具有完善的诊断、保护及自动恢 复功能；采用了“Thermal-blancing”方案，支持使用外部 shunt电 阻突破芯片散热功率限制，有效提升芯片的电流驱动能力
13	线性稳压器技术	该技术具备超低功耗特性，可以使线性稳压器在空载静态功耗 仅为 5uA的条件下，满足 3-40V输入电压范围，最大输出 500mA 负载电流同时兼备完整的保护功能，包括输入和输出欠压，输 出限流保护。此外，该技术引入动态极点补偿，实现整个宽负载 范围和宽输出电容组合范围内的环路稳定性
序号	核心技术名称	核心技术先进性及表征
14	汽车域控多路驱动 芯片技术	该技术利用多种高低压隔离环和多种高低压器件完成高压驱动 芯片的安全设计。内部集成带反馈的高精度电荷泵、高压 LDO、 浮动轨等多个电源轨；并集成复杂的数字控制逻辑以及可配置 的驱动电流时序，实现改善驱动延时，提高驱动效率，优化驱动 级电压转换速率等以改善系统 EMI的影响；集成高共模高精度 可调增益高压运放，帮助简化系统设计
15	直流电机驱动技术	该技术通过监控驱动 FET 的栅极电压和多级驱动电流方式，精 准控制 FET 的导通和关断时间。该技术还可以判断栅极驱动是 否输出异常，实现完整的驱动 VGS 与 VDS 监控保护功能和负 载输出状态（OPEN LOAD, STG, SCB, SHORT LOAD）诊断。 采用该技术的芯片能够在输出短路或过载时保护驱动芯片和负 载，提高系统可靠性，同时也一并优化系统效率和 EMI 等重要 指标
16	高压模拟电路及 MCU 技术	该技术通过将高压模拟电路、eFlash以及 ARM处理器集成在一 个芯片内来满足高度集成模拟电路的 SoC的设计。采用该技术 的 MCU芯片可以在一个芯片中集成 LIN总线接口电路，集成 40V的高压供电 LDO电源，集成 40V高压功率级输出。这样的 MCU芯片在应用上做到极小的周边电路面积，满足大部分的 Formfactor的应用场合
17	开关型稳压器技术	该技术包含 DC-DC降压稳压器、DC-DC升压稳压器和 flyback 反激稳压器等拓扑结构。DC-DC降压稳压器可实现从 3~100V 的宽输入范围，输出电压可调，输出电流 1~10A，具有极高转换 效率同时兼备完整的保护功能。Flyback 反激稳压器具有宽输入 范围，从 4~40V, 集成了软启动、可调 UVLO和短路保护等完 整的保护功能，支持多种反馈模式
18	第三代功率半导体 技术	该技术利用先进第三代半导体材料（也称宽禁带半导体）碳化 硅，实现大功率开关管及二极管等功率器件应用。与第一代半 导体硅材料相比，在提升功率器件耐压能力的同时可以大大降 低导通电阻及开关损耗，解决了传统功率器件在大功率大电流 情况下发热严重，效率低的问题。 碳化硅二极管基于混合式 PIN-肖特基二极管技术，推出了 1200V系列产品，可实现超低导通电压<1.4V,极低的反向漏电流 uA级，额定电流 10倍以上的抗浪涌电流能力；碳化硅 MOSFET 器件基于平面栅工艺，推出新一代自对准高电流密度产品，可 实现优异的比导通电阻参数<4mohm2，损耗更低，同时兼容 15V/18V驱动电压。该技术常用于光伏、储能、充电桩、电动汽 车充电机、主驱动等电力电子场景，用以降低系统损耗，成本及 体积等参数。
19	高共模电压高 CMRR电流放大技 术	该技术利用新一代国产 TFR电阻工艺平台开发了高 CMRR的 电流放大器技术，最高共模电压>76V，最高 CMRR典型值高达 140dB。该技术可以运用于基站电源监控，汽车底盘和车身执行 器的高精密电流采样等应用场景。
20	高边开关技术	该技术利用特殊 BCD 技术，实现了集成极低的导通阻抗的 NMOS，广泛用于驱动阻性、容性、感性等多种负载类型，并支 持完整的诊断保护功能。主要应用于车身控制器、整车控制器、 配电控制器、BMS等场景。
21	细分步进马达驱动 控制技术	该技术可以将每个步进角度再细分为更小的角度，细分数高达 1/256，极大的提高了步进电机的分辨率。采用该技术的驱动芯 片具有可调驱动电流和自动衰减功能，能够根据输入控制信号
序号	核心技术名称	核心技术先进性及表征
		精确产生相应的电流波形，相电流误差精度能够达到 2.5%以内， 保证驱动精度和电机的平顺运转。
22	自适应软关断技术	采用该技术的栅极驱动芯片能够根据系统过流严重程度，自适 应的调整关断电流。当系统过流较小的时候，尽快关断，保护系 统；当系统过流比较严重的时候，减少关断电流，避免系统电压 过充损坏外部功率管。
23	驱动控制电路、驱 动控制方法及驱动 控制系统技术	该技术利用高压电容对功率管（IGBT/SiC/GaN）的集电极/漏端 的压摆率进行采级，通过内部控制逻辑闭环调节被驱动功率管 的集电极/漏端电压变化率。该技术提出的控制方法和驱动电路 有效降低了电磁干扰，同时减少功率晶体管开启/关断过程中因 电压电流突变而带来的应力损坏风险。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
苏州纳芯微电子股份有限公司	国家级专精特新“小巨人”企业	2023	/

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司新增知识产权项目申请 26件，其中发明专利 16件，获得知识产权项目授权13件，其中发明专利 11件。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	16	11	155	68
实用新型专利	4	0	64	55
软件著作权	0	0	12	13
其他	6	2	103	74
合计	26	13	334	210

注：上表“其他”为集成电路布图设计及境外知识产权。其中，集成电路布图设计本期新增申请数为 1件，本期新增获得数为 1件，累计申请数为 69件，累计获得数为 73件；境外知识产权本期新增申请数为 5件，本期新增获得数为 1件，累计申请数为 34件，累计获得数为 1件。

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	319,220,021.48	334,582,461.51	-4.59
资本化研发投入
研发投入合计	319,220,021.48	334,582,461.51	-4.59
研发投入总额占营业收入比例（%）	37.61	46.23	减少 8.62个百分点
研发投入资本化的比重（%）

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序号	项目名称	预计总投 资规模	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或阶 段性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用前 景
1	步进马达驱 动芯片研发	1,000.00	225.00	780.08	持续开发	开发车规级 32/64/128/256细 分步进马达驱动芯片系列，驱 动电流达 1.5A以上，内部集 成电流检测，智能衰减模式， 自带各种保护功能，如欠压， 短路，负载检测等等	国内领先	汽车热管 理，车灯等
2	车规高性能 音频功放芯 片研发	5,000.00	1,314.59	1,446.28	持续开发	开发车规中大功率 D类音频 功夫系列产品，整体性能达到 国际厂商最新一代水平	国内领先	汽车影音娱 乐系统，智 能座舱，应 急电话系 统，发动机 噪音模拟系 统
3	车规级 LED 驱动研发	8,500.00	2,505.85	2,505.85	持续开发	开发汽车前灯应用场景一系 列芯片，包含恒压输出芯片和 恒流输出芯片，内部集成各种 错误检测，包含输入电压的欠 压过压，LED驱动输出开路短 路等	国内领先	汽车前灯
4	车规级高边 开关研发	15,000.00	2,073.22	2,073.22	持续开发	开发汽车应用一系列高边开 关，用于驱动阻性、容性和感 性负载等	国内领先	车身域，智 能座舱，前 灯等各种小 系统
5	车规级开关 电源研发	12,000.00	2,461.15	2,461.15	持续开发	开发车规级开关电源，包含升 压 Boost,降压 Buck,包含不同 的输入输出电压和不同的输 出电流能力等	国内领先	汽车智能座 舱等
6	处理器芯片 研发	15,000.00	893.15	1,172.50	持续开发	开发汽车专用 SOC处理器方 向在用的汽车马达控制 SOC， 汽车氛围灯和 Touch方向以及 汽车传感方向针对性的开发 一系列专用处理器	国际领先	汽车电子执 行器，汽车 智能氛围灯 和 TouchSense 以及汽车传 感方向
7	低功耗 MEMS麦克 风信号调理 芯片研发	4,000.00	326.09	970.75	持续开发	低功耗，高 PSRR，高 AOP/SNR的数字麦克风 ASIC	国际领先	手机内高性 能数字麦克 风模组
8	第三代半导 体栅极驱动 芯片研发	1,500.00	389.33	593.34	持续开发	开发适用于氮化镓及碳化硅 器件的专用栅极驱动芯片	国际领先	汽车激光雷 达，数字电 源，光伏等
9	多路半桥集 成马达驱动 芯片研发	3,000.00	827.33	827.33	持续开发	开发多路半桥集成直流电机 驱动芯片，覆盖 2通道到最高 12通道	国内领先	车身电子， 域控等
10	多路高低边 驱动芯片研 发	2,000.00	564.65	1,152.00	持续开发	开发车规及工规级单路/双路 /4路/8路低边，可配置高低边 驱动芯片系列，RDSon覆盖	国内领先	新能源车车 身电子，工 业自动化
						90mohm到 1mohm，集成负载 检测及各种保护功能
11	多路预驱马 达驱动芯片 研发	3,000.00	1,010.66	1,010.66	持续开发	开发多路直流电机预驱芯片， 覆盖 2通道到 8通道，集成各 种诊断及保护功能	国内领先	车身电子， 域控，底盘 等
12	高集成度传 感器调理芯 片研发	3,000.00	11.33	56.39	持续开发	针对不同的传感器类型，开发 完成一系列专用的高性能传 感器信号调理芯片	国际领先	汽车动力系 统 /热管理 系统 /制动 系统，工业 控制，光伏 等应用
13	高集成度专 用 ASSP芯片 研发	11,000.00	1,194.75	8,644.68	持续开发	研发符合 AEC-Q100标准的车 规级电机控制器系列，内置控 制 MCU+驱动半桥以及集成 功率管，支持 BLDC，BDC， Stepper	国内领先	主要应用于 新能源车热 管理系统和 车身管理系 统
14	高集成隔离 电源芯片的 研发	3,000.00	1,002.74	2,791.35	持续开发	开发高可靠性低 EMI的隔离 电源产品， EMI达到工业 ClassB的标准	国际领先	主要应用于 工业控制、 电源、电力 电表
15	高精度温/湿 度传感器芯 片研发	2,600.00	591.35	1,861.56	持续开发	研发集成式温湿度传感器芯 片，湿度精度可达+-3%，LGA 封装和 DFN两种封装；DFN 封装应用在工业，汽车领域； LGA封装应用在消费领域， IoT市场	国内领先	主要应用于 工业领域， 汽车电子领 域，消费和 IoT领域
16	高可靠性压 力传感器研 发	7,000.00	1,611.95	4,850.16	持续开发	通过小尺寸、小量程、低噪声 MEMS芯片+传感器信号调理 ASIC芯片，低应力集成封装 技术，实现差压传感器的 4~100kPa量程和绝压传感器 的 100~400kPa量程，全温域 可达精度 1%	国内领先	主要应用于 汽车电子领 域、工业领 域，医疗领 域
17	高性价比隔 离栅极驱动 器的研发	4,000.00	1,334.97	3,443.73	持续开发	基于新工艺平台，开发耐压 30V+，单通道，半桥，智能隔 离驱动产品系列。实现性能更 优，成本更低，驱动电流覆盖 1A~15A，进一步提升抗干扰 性能	国际领先	新能源车电 源与电控，
18	高性能高可 靠性 I2C接口 芯片研发	600.00	80.46	430.40	持续开发	开发工业级和汽车级的 I2C接 口类芯片，补全产品系列	国内领先	主要应用于 汽车电子领 域和工业领 域
19	高性能高可 靠性的隔离 采样芯片的 研发	7,000.00	748.86	2,927.19	持续开发	开发工业级隔离模拟信号采 样芯片，主要为高性价比隔离 电压采样芯片研发	国际领先	主要应用于 工业控制、 电源、电力 电表
20	基于化合物 半导体的功 率器件研发	1,500.00	171.96	400.88	持续开发	开发车规与工规 650V， 1200V，1700VSiCMOSFET产 品系列，涉及 TO247-3， TO247-4,TO263等封装，全面 覆盖新能源电源，热管理，光 伏，数字电源的应用场景	国内领先	新能源车电 源与热管理 系统，光伏， 数字电源
21	基于霍尔/磁 阻效应的磁 性传感器芯 片研发	16,500.00	3,268.93	7,304.67	持续开发	研发符合 AEC-Q100标准的车 规级磁传感器芯片，支持- 24V~28V过压反压保护，达到 1%的绝对精度，实现国产芯片 在磁传感器领域中高端应用	国内领先	主要应用于 汽车电子领 域、工业领 域
						上的突破；其中包括磁性位 移，电流，速度等传感器
22	基于新工艺 平台的非隔 离驱动研发	2,000.00	580.90	1,390.61	持续开发	基于新工艺平台，开发 35V， 120V，200V，600V，单通道， 半桥非隔离驱动产品系列。实 现性能更优，成本更低，驱动 电流覆盖 1A~5A	国内领先	新能源车电 源与电控， 泛能源
23	锂电池用过 流保护器件 研发	1,000.00	123.77	123.77	持续开发	开发出特色工艺，并在工艺基 础上开发多款低压平面 MOS 管，覆盖 1豪欧到 33豪欧	国际领先	手机锂电池 保护，智能 手表，充电 宝等锂电应 用场景
24	面向于泛能 源和新能源 汽车应用的 硅基功率器 件研发	1,000.00	287.33	522.81	持续开发	开发车规级 650V、750V、 1200V，30A至 280AIGBT各 等级单管产品，以及车规级 650V15A至 70A超级结功率 MOSFET系列产品，全面覆盖 新能源车电控，电源，热管理， 光伏，储能等应用场景	国内领先	新能源车电 控，电源与 热管理系 统，泛能源
25	汽车功能安 全隔离驱动 芯片研发	7,000.00	919.78	5,232.82	持续开发	开发符合汽车功能安全 ISO26262ASIL-D 认 证及 AEC-100标准的车规级智能 隔离栅极驱动芯片，从设计， 仿真，验证，生产制造全流程 符合汽车功能安全流程要求， 产品驱动电流达到+/-15A，集 成多通道高精度 ADC，集成上 电自检与诊断功能，同时适配 IGBT与 SiCMOSFET，多模 式，多功能的保护功能	国内领 先，CMTI 指标国际 领先	主要应用于 新能源车电 控
26	适用氮化镓 功率器件专 用芯片的研 发	2,000.00	423.13	1,366.75	持续开发	开发适配 E-ModeGaNFET专 用 驱 动 芯 片 及 合 封 PowerStage产品，集成 SR控 制及驱动电压调节功能，适配 各种厂商 GaNFET	国内领先	数字电源 类，光伏逆 变器等
27	通用信号链 AFE芯片的 研发	9,000.00	1,519.71	1,519.71	持续开发	研发 40V耐压，400mA输出 能力，带过流保护和预警的旋 转变压器驱动运算放大器，应 用于新能源汽车的主驱电机 系统中；研发 80V共模电压能 力，CMRR指标高达 120dB以 上的电流传感放大器，应用于 汽车车身和底盘系统以及 48V 通讯电源的输出监控系统中； 研发 40V耐压的通用汽车级 运算放大器；	国内领先	主要应用于 新能源汽车 主驱系统， 汽车车身底 盘以及通讯 电源系统中
28	同步整流功 率级芯片研 发	2,000.00	197.36	508.21	持续开发	开发适用于 AI服务器板卡 Vcore供电新型拓扑的同步整 流功率级芯片，实现高达 70A/CH电流能力，集成故障 回报，短路保护，过温保护等 各种保护功能	国际领先	AI服务器电 源
29	新一代高性 价比数字隔 离芯片的研 发	2,000.00	781.10	1,967.29	持续开发	研发高性价比数字隔离芯片	国际领先	主要应用于 汽车电子领 域、工业领 域
30	新一代高压 固态继电器	1,000.00	92.32	92.32	持续开发	开发适用于汽车绝缘监测系 统的高压固态继电器芯片，实	国际领先	汽车电子， 工业储能
	芯片开发					现 1700V和 600V两个电压挡 位，分别满足 800V和 400V的 电池系统，采用非光耦的传输 方式，提高了系统应用的长期 可靠性
31	新一代工业 和通讯类接 口芯片研发	2,000.00	674.70	674.70	持续开发	开发符合工业级高可靠性的 接口芯片，主要分为多点低压 差分接口 MLVDS芯片、隔离 485芯片和隔离 CAN接口芯 片	国内领先	工业控制、 通信设备等
32	新一代汽车 级接口芯片 研发	5,000.00	2,203.81	2,203.81	持续开发	开发满足 AEC-Q100标准的高 可靠性 LIN、CAN等接口芯 片， CAN 芯片需要满足 ISO11898国际标准，支持 56V 的总线耐压，系统 ESD达到 8kV	国内领先	汽车电子
33	音频功放芯 片研发	8,000.00	780.48	4,490.24	持续开发	开发符合车规的音频功放芯 片，主要分为四通道，两通道 和单通道。输入方式包含模拟 与数字，其中 4通道最高功率 需要达到 4*150W，每个通道 峰值电流会到 10A，此外由于 功率比较高，需要使用粗铜线 工艺与大散热封装	国内领先	主要用于车 载多媒体
34	直流有刷马 达驱动芯片 研发	3,000.00	718.39	1,226.42	持续开发	开发车规及工规级集成功率 MOSFETH桥驱动，3.5A~20A 驱动电流系列产品。多通道预 驱芯片系列，集成负载诊断及 各种保护功能	国内领先	车身电子及 娱乐系统
35	智能底盘控 制马达驱动 芯片研发	5,000.00	10.90	10.90	立项准备	开发适用汽车底盘的多款功 能安全直流电机驱动芯片	国内领先	汽车底盘， EPS等应用
合计	/	176,200.00	31,922.00	69,034.53	/	/	/	/

（未完）