[中报]东芯股份(688110):2024年半年度报告
原标题:东芯股份:2024年半年度报告 2024年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人蒋雨舟及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 6 第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 9 第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 28 第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 31 第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 32 第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 63 第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 68 第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 68 第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 69
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 □适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 随着网络通信、消费电子等市场的逐步回暖，公司积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，有效推动了产品销售。公司持续布局网络通信、监控安防、可穿戴、工业等关键应用和头部客户，并逐步向汽车电子领域不断拓展，2024年上半年公司营业额呈现出上升趋势，销售数量与去年同期相比实现大幅增长。 2024年上半年，公司存储产品市场价格与周期性低点相比有所回升，但仍未完全恢复到去年同期水平，公司仍面临一定的价格压力和挑战。公司正持续优化产品结构和市场策略，以期在竞争激烈的半导体市场中进一步提升市场份额和盈利能力。在此情况下，公司营业收入逐季向好，第二季度营业收入环比第一季度增长 50.64%，2024年上半年实现营业收入 26,628.36万元，同比增长 11.12%。 公司坚持以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局。公司一方面坚持独立自主研发，在中小容量存储芯片领域继续保持高水平研发投入，不断丰富产品线，推进产品制程迭代，提高产品可靠性水平。另一方面积极扩充研发团队从事 Wi-Fi 7芯片的研发设计。报告期内公司研发投入合计 10,576.55万元，同比增加 26.31%。 本报告期公司经营活动产生的现金流量净额-17,305.00万元，较上年同期有所减少，主要系研发团队的扩充使得支付职工薪酬现金流出增加，以及收到的所得税返还同比减少。 此外，本报告期公司实现归属于上市公司股东的净利润-9,112.11万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-9,914.12万元，较上年同期有所下降，主要系：（1）研发费用增长：公司持续加大研发投入，强化基础技术的研发，不断提升技术创新能力，增强技术领先性，积累核心技术优势，研发人员数量及研发项目有所增加;（2）财务费用增长：存款利率下降和汇兑收益减少；（3）所得税费用增加，上年同期包含企业所得税退税。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 东芯股份是一家聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业，是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及解决方案。公司以存储为核心，同时向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局，以期为客户提供更多样化的芯片解决方案。 2、主要产品或服务 存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据 断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失 性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片 DRAM以及衍生产品 MCP： （1）NAND Flash NAND Flash 即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量 NAND Flash 主要为 MLC、TLC NAND Flash或 3D NAND Flash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量 NAND Flash主要是 SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的 NAND产品种 类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得 到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用 于 5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。 公司聚焦平面型 SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量 覆盖 512Mb至 32Gb，可灵活选择 SPI或 PPI类型接口，搭配 3.3V/1.8V两种电压，可满足客户 在不同应用领域及应用场景的需求。公司 NAND Flash 产品核心技术优势明显，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集 成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司 产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超 过 10万次，同时可在-40℃~105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10年，产品可靠性已逐步 从工业级标准向车规级标准迈进。 图：公司 NAND Flash产品 （2）NOR Flash NOR Flash 即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通 过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代 码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满 足快速启动应用系统的需求。 公司 SPI NOR Flash存储容量覆盖 64Mb至 1Gb，支持 Single/Dual/Quad SPI和 QPI四种指令 模式、DTR传输模式和多种封装方式。普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。 图：公司 NOR Flash产品 （3）DRAM DRAM即动态随机存取存储器，是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM 具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。 点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主 研发的 LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达 2133MHz， 适用于智能终端、可穿戴设备等产品。图：公司 DRAM产品 （4）MCP MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与 数据处理功能。 公司 MCP系列产品具有 NAND Flash和 DDR多种容量组合，Flash和 DDR均为低电压的设 计，核心电压 1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中，DDR包含 LPDDR1、 LPDDR2和 LPDDR4x等不同规格，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗 DRAM 和 NAND Flash进行合封，简化走线设计，节省组装空间，降低整体系统成本，提高整体集成度 和可靠性，适用于 PCB布板空间狭小的应用。公司产品凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发 科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。 图：公司 MCP产品 （5）技术服务 公司拥有自主完整的知识产权，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。 （二）主要经营模式 公司作为 IC设计企业，采取 Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。 公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。 （三）所处行业情况 公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。 2024年上半年，随着整个半导体行业的周期性复苏，存储芯片市场的供需关系也逐步恢复。 海外存储大厂经历了 2023年严重的经营亏损和库存过剩之后，今年仍然坚定地采取“调整产能、控制供应、强势提价”等手段，动态平衡了市场供应，提升了存储价格。随着 AI大模型等技术发展对高带宽、大容量存储芯片的需求不断增长，推动了市场的供需平衡回归，2024年上半年，受益于存储价格的回升，以及 HBM、DDR5等产品的出货增长，存储大厂收入同比取得较大增长，并成功扭亏为盈。 公司主要面对利基型存储芯片市场。2024年，受益于大宗存储价格增长，以及存储大厂的减产和对 HBM、DDR5产能重心的转移，利基型 DRAM 价格率先反弹。除此之外，随着部分应用产品升级换代的需求、安防监控等市场的逐步复苏以及产能限制等因素影响，SLC NAND产品价格也开始呈现温和上涨的趋势。受到消费电子产品市场的复苏、AIPC和 AI服务器的设备价值增加以及晶圆代工厂稼动率提升等影响，NOR Flash的价格也逐步上涨。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在 NAND FLASH、NOR FLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。 报告期内，公司核心技术没有发生重大变化，主要产品核心技术情况如下：
国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用 □不适用
2. 报告期内获得的研发成果 报告期内，申请发明专利 4项（其中中国发明专利 2项， PCT国际阶段发明专利申请 2项），获得发明专利授权 12项（其中中国发明专利 1项，美国发明专利 1项，韩国发明专利 10项）；申请集成电路布图设计权 5项，获得集成电路布图设计权 5项；申请注册商标 4项；申请软件著作权 1项，获得软件著作权 1项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利 95项、软件著作权 15项、集成电路布图设计权 86项、注册商标 14项。截至报告期末，公司累计申请境内外专利 177项，获得专利授权 95项，专利涉及 NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技报告期内获得的知识产权列表：
1、发明专利的“累计数量”中的“申请数”包括 PCT国际阶段发明专利申请数量；发明专利的“累计数量”中“获得数”包括曾获授权但已到期失效的发明专利，不包括已获得世界知识产权组织国际局给与国际公布的 PCT申请数量。 2、“其他”指集成电路布图设计权与注册商标。 3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：万元
5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币
6. 其他说明 □适用 √不适用 三、 报告期内核心竞争力分析 (一) 核心竞争力分析 √适用 □不适用 公司自成立以来就聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售，是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品被广泛应用于工业控制、通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等领域。 （1）不断完善的研发体系及持续的技术创新能力 公司基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环节从业经历与经验，以客户需求为导向，建立了产品线短、中、长期的多层次开发计划，持续完善研究开发的系统化平台，为后续产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。经过多年的技术积累和研发投入，公司在 NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，在实际研发过程中不断积累经验，形成了多项核心技术。 （2）稳定可靠的供应链体系 公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系，保证了供应链运转效率和产品质量。报告期内公司进一步优化产业链结构，加深与国际一流晶圆代工厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。 （3）完善的质量和服务体系 公司以“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”为公司质量方针，不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。报告期内，公司完善了项目管理系统，实现了客户反馈的电子化管理平台，建立了车规质量管理体系，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度。公司建立了优秀的客户服务团队，将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成良好的处理闭环，并持续提升客户服务管理能力。 （4）优秀的人才队伍 集成电路设计行业属于典型的技术密集型行业，公司自成立以来就坚持以人为本、创新发展，高度重视对半导体领域尤其是研发和管理领域人才的储备和培养。通过社招、校招、内推、内部培养等多种方式，公司逐步建立了一支拥有良好人才梯队、经验丰富、底蕴深厚的技术和研发团队。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员 196人，占公司总人数的 65.99%，其中本科及以上学历人数占比约 97.45%。公司的市场、运营等其他部门的核心团队均拥有行业内知名公司多年的工作经历，具有丰富的产业经验和专业的管理能力。除了不断完善的绩效考核和薪酬体系以外，公司还通过积极的股权激励计划来充分调动员工积极性，有效促使各方共同关注公司的长远发展，确保公司发展战略和经营目标的实现。 （5）自主清晰的知识产权 公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有覆盖主流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识产权，相关知识产权自主完整、权属清晰。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利 95项、软件著作权 15项、集成电路布图设计权 86项、注册商标 14项。 (二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用 四、 经营情况的讨论与分析 2024年上半年随着行业库存调整接近尾声、终端产品需求正在逐渐回暖。在车用、高性能计算（HPC）和物联网 AIoT等长期需求的支持下，半导体市场正在恢复增长轨迹。公司产品需求和价格随着行业的逐步回暖也在逐步进入上升通道。较上年同期相比，公司主营业务产品需求逐步回升，产品销售价格开始企稳向上。报告期内，公司实现营业收入 2.66亿元，同比上升 11.12%。 归属于上市公司股东的净利润为-9,112.11万元，较上年同期有所下降；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-9,914.12万元，较上年同期有所下降。 报告期内主要业务情况： （一）深耕主营业务技术创新 公司针对各类主营存储产品不断进行产品更新迭代工作，产品主要面向网络通信、监控安防、汽车、工业等行业市场及中高端消费类市场。 报告期内，公司基于 2xnm制程，持续进行 SLC NAND Flash产品系列的研发，不断扩充产品线。公司坚持技术创新，努力推进公司产品制程的进一步升级，公司先进制程的 1xnm SLC NAND Flash产品的研发工作已取得阶段性进展，产品已达成部分关键指标，为确保产品质量与性能稳定，目前正持续进行设计优化和工艺调试等技术攻关工作。 公司基于 48nm、55nm制程，持续进行 64Mb-1Gb的中高容量 NOR Flash产品研发工作，根据不同容量的目标客户群进行精确定位，保证性能、功耗和性价比的合理匹配。随着公司 NOR Flash产品持续迭代升级，产品品类不断丰富，将为可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子等领域的客户提供多样化、高可靠性的产品选择。 目前公司的 DRAM产品包括 DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、PSRAM，以及正在进行客户送样及市场推广的 LPDDR4x。公司将继续在 DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。 公司目前已可以向客户提供高至 8Gb+8Gb、16Gb+16Gb的 MCP产品，主要应用于车载模块（二）坚持核心技术自主可控 公司坚持核心技术自主可控，公司始终坚持自主研发和自主可控的原则。随着公司产品对终端市场不断渗透以及公司技术研发的不断完善，公司也通过多种方式保障知识产权的自主性与完整性。公司持续加大研发投入，强化基础技术的研发，不断提升技术创新能力，增强技术领先性，积累核心技术优势。报告期内，公司研发费用 1.06亿元，占当期营业收入的 39.72%，同比增长26.31%。 报告期内，公司新增申请发明专利 4项、新增授权发明专利 12项、获得软件著作权 1项、获得集成电路布图设计权 5项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利 95项、软件著作权 15项、集成电路布图设计权 86项、注册商标 14项。公司专利涉及 NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的设计核心环节。 （三）深化产业协同效应 作为一家 Fabless设计公司，公司高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。在报告期内，公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，携手应对市场需求波动带来的挑战。公司与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等各环节保持良好的沟通与协作，通过签署并执行产能保证协议等方式，深化上下游合作，为业务发展提供产能保障。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，以满足不同客户的需求。公司还与宏茂微、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等国内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，确保供应链的持续稳定。（未完）  |