[中报]国博电子(688375):南京国博电子股份有限公司2024年半年度报告

时间:2024年08月25日 16:15:31 中财网

原标题:国博电子:南京国博电子股份有限公司2024年半年度报告

公司代码:688375 公司简称:国博电子






南京国博电子股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”中披露了可能面对的风险,提请投资者注意查阅。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人梅滨、主管会计工作负责人何莉娜及会计机构负责人(会计主管人员)贾燕声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司经本次董事会审议通过的利润分配方案为:以公司总股本596,014,900股为基数,公司拟向全体股东每10股派发现金红利5.10元(含税),拟派发现金红利合计人民币303,967,599.00元(含税),本次利润分配不送红股、不以公积金转增股本。

如在公司 2024 年半年度利润分配方案的公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间,因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的,公司拟维持每股分配比例不变,相应调整分配总额,并将另行公告具体调整情况。

本次利润分配方案尚需提交公司2024年第二次临时股东大会审议通过。


七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 7
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 28
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 31
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 33
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 55
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 60
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 60
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 61



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计主管人员签名并盖章的 财务报表
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
报告期2024年1月1日至2024年6月30日
公司、本公司、国博电子南京国博电子股份有限公司
国微电子南京国微电子有限公司
中国电科中国电子科技集团有限公司
国基南方中电国基南方集团有限公司
中国电科五十五所中国电子科技集团公司第五十五研究所
中电科投资中电科投资控股有限公司
南京芯锐南京芯锐股权投资合伙企业(有限合伙)
中电科国微中电科国微(天津)集成电路芯片合伙企业(有限合伙)
广州越博广州越博电子科技有限公司,曾用名“北京南博射频科技有限 公司”
中惠科元共青城中惠科元投资合伙企业(有限合伙)
天津丰荷天津丰荷科技合伙企业(有限合伙)
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《南京国博电子股份有限公司章程》
集成电路、ICIntegrated Circuit,简称IC,是一种通过一定工艺把一个电 路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线 互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上, 然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型电子器 件或部件。按照结构形式可以分为单片集成电路和混合集成电 路,公司T/R组件和射频模块属于混合集成电路,射频芯片属 于单片集成电路。
芯片集成电路的载体,是集成电路经过设计、制作、封装、测试得 到的具有特定功能的微电路或器件。
模块将多个芯片、元件及布线经过设计、制造、封装、测试得到的 具有特定功能的器件。
T/R组件Transmitter and Receiver,简称T/R,一个无线收发系统连 接中频处理单元与天线之间的部分,是相控阵雷达的核心,主 要用于实现发射、接收信号的放大,以及信号幅度、相位的控 制,由低噪声放大器、功率放大器、限幅器、移相器等组成。
有源相控阵、AESAActive Electronically ScannedArray,简称AESA,相控阵 雷达的一种射频前端,具有众多的天线单元,每个天线单元都 配有独立的T/R组件,每一个T/R组件都能单独发射和接收电 磁波,部分T/R组件失去效能不会影响雷达整体工作,具有更 高的可靠性。
射频芯片工作在射频频段的芯片,实现信号的滤波、放大、射频转换、 调制/解调等功能,通常包含低噪声放大器、功率放大器、滤 波器、混频器、频率合成器等。
化合物半导体晶态无机化合物半导体,即是指由两种或两种以上元素以确定 的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结构 等半导体性质。目前化合物半导体主要包括以砷化镓、磷化铟 等为代表的二代化合物半导体和以氮化镓、碳化硅等为代表的 三代宽禁带半导体。
氮化镓、GaN是氮和镓的化合物,是研制微电子器件、光电子器件的新型半
  导体材料,与碳化硅(SiC)等半导体材料一起被誉为第三代 半导体材料。
4G、5G、6G分别指第4代、5代、6代移动通信技术与标准。
基站、移动通信基站移动设备接入互联网的接口设备,是指在一定的无线电覆盖区 中,通过移动通信交换中心,与移动电话终端之间进行信息传 递的无线电收发信电台。
终端、通信终端安装有智能操作系统,可由用户自行安装程序和应用来实现相 应功能的便携设备,主要包括智能手机、平板电脑等。
封装测试、封测封测是“封装、测试”的简称,“封装”指为芯片安装外壳, 起到安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用;“测 试”指检测封装后的芯片是否可正常运作。
晶圆Wafer,集成电路制作所用的晶片,生产集成电路所用的载体, 可加工制作成各种电路元件结构,由于其形状为圆形,故称为 晶圆。
低噪声放大器、LNALow-Noise Amplifier,简称LNA,构成射频前端的一种芯片, 主要用于通信系统中将接收自天线的信号放大,以便于后级的 电子设备处理。
功率放大器、PAPower Amplifier,简称PA,构成射频前端的一种芯片,是各 种无线发射机的重要组成部分,将调制振荡电路所产生的射频 信号功率放大,以输出到天线上辐射出去。
PAMPower Amplifier Module,功率放大器模块。集成功率放大器 (PA)、开关和滤波器的射频前段模块。
射频开关可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件,用于信号 切换到不同的信号通路中去。
高线性HBT放大器基于HBT工艺制作的OIP3/EVM等高线性度指标较高的放大器。
相控阵雷达利用电子技术控制阵列天线各辐射单元的相位,使天线波束指 向在空间快速变化的雷达。其特点是:目标容量大、数据率高, 可同时监视和跟踪数百个目标;具有搜索识别、跟踪、制导等 多种功能;对复杂目标环境的适应能力强,反干扰性能好,可 靠性高。
数控衰减器用来控制微波信号幅度,实现对信号的定量衰减。
元件普通的电阻、电容、晶体管等单个电子元件,内部不再有其它 元件功能单元。
器件由多个电路元件构成具备独立封装结构的电路单元集合,用于 实现对磁波能量和信号处理变换等功能,如功率放大器、混频 器、天线等。
组件由多个器件组成的具有多种功能或某一较复杂功能的器件集 成体,或是具备完成一个或多个完整微波信号处理任务的复杂 组件与器件集成体。
微系统以微电子、光机等技术为基础,通过系统架构和算法软件,将 微传感器、机构或执行控制各种接口及能源等集成形成的多功 能一体化系统。
DiFEM集成射频开关和滤波器的前端射频模组。
U6G国际移动通信标准化组织3GPP RAN#96会议,正式定义了U6G (6GHz上半段,即6425-7125MHz)授权频谱,频段号为n104, 明确了对应的网络/终端射频标准。
ODUOutdoor Unit,简称ODU,室外单元,用于微波点对点通信。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称南京国博电子股份有限公司
公司的中文简称国博电子
公司的外文名称Guobo Electronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Guobo Electronics
公司的法定代表人梅滨
公司注册地址南京市江宁经济技术开发区正方中路155号
公司注册地址的历史变更情况2023年8月,公司注册地址由“南京市江宁经济技术开 发区正方中路166号”变更为“南京市江宁经济技术开 发区正方中路155号”
公司办公地址南京市江宁经济技术开发区正方中路155号
公司办公地址的邮政编码211111
公司网址www.gbdz.net
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名刘洋魏兴尧
联系地址南京市江宁经济技术开发区正方中路 155号南京市江宁经济技术开发区正方中路 155号
电话025-69090053025-69090051
传真025-69090144025-69090144
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《证券 日报》《经济参考报》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点董事会办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板国博电子688375不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入1,302,612,361.681,921,453,673.22-32.21
归属于上市公司股东的净利润244,556,106.08308,653,248.97-20.77
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润237,794,461.25285,639,610.57-16.75
经营活动产生的现金流量净额361,189,602.39141,709,445.73154.88
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产6,246,784,355.915,998,068,027.984.15
总资产8,070,096,310.478,471,069,558.54-4.73
注:
中国证券监督管理委员会于2023年颁布了《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益(2023年修订)》,该规定自公布之日起施行。公司按照规定编制了2024年半年度非经常性损益明细表,2023年6月30日非经常性损益数据已相应重列。


(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.410.52-21.15
稀释每股收益(元/股)0.410.52-21.15
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.400.48-16.67
加权平均净资产收益率(%)3.995.33减少1.34个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)3.884.93减少1.05个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)13.819.31增加4.50个百分点
注:
本报告期每股收益采用2024年7月2日实施权益分派方案后的596,014,900股为基数计算所得,具体内容详见公司于2024年7月2日披露于上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)的《南京国博电子股份有限公司2023年年度权益分派实施结果暨股份上市公告》(公告编号:2024-030)。

同时,为了保证财务数据可比性,上年同期每股收益已根据变更后股份数重列。


公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
(1)报告期内公司营业收入同比下降 32.21%:主要系报告期内 T/R 组件和射频模块业务收入减少所致。

(2)报告期内公司经营活动产生的现金流量净额同比增长154.88%:主要系报告期内应收票七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减 值准备的冲销部分234,983.20 
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外6,228,493.42 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外,非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益1,497,614.94 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费  
委托他人投资或管理资产的损益  
对外委托贷款取得的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失  
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益  
非货币性资产交换损益  
债务重组损益  
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用,如安置职工的支出等  
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响  
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用  
对于现金结算的股份支付,在可行权日之 后,应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益  
交易价格显失公允的交易产生的收益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-5,282.99 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额1,194,163.74 
少数股东权益影响额(税后)  
合计6,761,644.83 

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)报告期内公司所从事的主要业务
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业,核心技术达到国内领先、国际先进水平,公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。

国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局,产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵T/R组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等,均属于模拟集成电路。

1、T/R组件和射频模块

产品类别主要产品用途或功能
T/R组件和射频模块有源相控阵T/R组件信号收发放大、移相衰减或混频处理功能
 射频模块信号的功率放大及控制
射频芯片射频放大类芯片实现信号功率放大或增益放大等功能
 射频控制类芯片实现射频通路或信道切换、信号步进衰减等功能
(1)有源相控阵T/R组件 T/R 组件是指在雷达或通信系统中用于接收、发射一定频率的电磁波信号,并在工作带宽内 进行幅度相位控制的功能模块,是有源相控阵雷达实现波束电控扫描、信号收发放大的核心组件。 整个雷达系统由成百上千个辐射器按照一定的排布构成,每个辐射器后端均连接一个单独有源相 控阵T/R组件,在波束形成器的控制下,对信号幅度和相位进行加权控制,最终实现波束在空间 的扫描。因此,有源相控阵T/R组件的性能参数直接决定相控阵雷达系统的作用距离、空间分辨 率、接收灵敏度等关键参数。此外,有源相控阵雷达需要数量众多的T/R组件共同构成有源相控 阵阵面,有源相控阵T/R组件的性能也进一步决定了有源相控阵雷达系统的体积、重量、成本和 功耗。 根据雷达的不同工作环境和不同的性能要求,有源相控阵T/R组件的构成形式不尽相同,但 其基本结构一致,主要由数控移相器、数控衰减器、功率放大器、低噪声放大器、限幅器、环形 器以及相应的控制电路、电源调制电路组成。典型的有源相控阵T/R组件工作原理示意图如下图 所示: 图1:典型的有源相控阵T/R组件工作原理示意图

(2)射频模块 在射频模块领域,国博电子相关产品主要包括大功率控制模块和大功率放大模块,产品覆盖 多个频段,主要应用于移动通信基站等领域。移动通信基站系统结构如下: 图2:通信基站系统结构 大功率控制模块是大功率移动通信系统信号发射和接收时信号控制的一个重要器件,对系统 的性能有直接影响,通常位于通信系统的最前端,用于实现信号收发间的切换。大功率放大模块 的功能是实现基站发射链路的信号功率放大,与功率控制模块共同组成了基站发射链路射频的最 前端。大功率放大模块对整个基站发射信号质量、效率、功耗等一系列性能产生决定性的影响, 是基站射频系统中关键的射频器件。 GaN射频模块产品,目前主要应用于国内5G通信基站,主要特性为大带宽,高效率,高线性 度,高功率,产品功率覆盖100W-600W,主流通信频段均有批量应用。产品以金属陶瓷封装为主, 塑封功放模组也形成批量产品,应用于U6G频段的通信应用。 2、射频芯片 国博电子射频芯片主要包括射频放大类芯片、射频控制类芯片,广泛应用于移动通信基站等 通信系统。 图3 国博电子主要射频芯片产品图示
(1)射频放大类芯片
公司射频放大类芯片产品主要包括低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,简称LNA)和功率放大器(Power Amplifier,简称PA)。低噪声放大器一般用于实现接收通道的射频信号放大,处于接收链路的前端,低噪声放大器的性能对整个通信设备的信噪比等指标至关重要。功率放大器的作用是对发射通道的射频信号进行放大,是无线通信设备射频的核心组成部分,影响整个无线通信设备发射性能、系统功耗等重要指标。

(2)射频控制类芯片
公司射频控制类芯片产品主要包括射频开关和数控衰减器。射频开关是指可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件,用于信号切换到不同的信号通路中去。数控衰减器主要用来控制微波信号幅度,实现对信号的定量衰减,通过数控衰减器调整射频链路的信号幅值,能够保证(二)主要经营模式
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,具备满足不同平台、不同需求的提供射频系统集成解决方案的能力,拥有完整的研发、采购、生产、销售及服务体系。

T/R组件和射频模块领域,公司主要负责芯片设计,组件和模块的设计、制造以及测试,芯片的生产、封装一般委托第三方厂商或机构完成。射频芯片领域,公司采用Fabless模式负责射频芯片的设计和质量把控,芯片的生产、封装、测试工作一般委托第三方厂商或机构完成。

公司建立了完备的采购控制程序和质量管理体系,建立了合格供应商名录;公司建立了较为完善的营销体系,与主要客户建立了稳定的合作关系,积极跟踪客户需求,依托自身的技术实力研发符合客户需求的产品。

(三)行业情况说明
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》(2012年10月修订),国博电子有源相控阵T/R组件和射频模块所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”(分类代码C39),射频芯片所处行业为“软件和信息技术服务业”(分类代码I65)。根据《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司有源相控阵 T/R 组件和射频模块所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”,射频芯片所处行业为“I65软件和信息技术服务业”。

集成电路行业作为全球信息产业的基础,经历了60多年的发展,如今已成为世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如 PC、互联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用,成为现代日常生活中必不可少的组成部分。从信号分类上来看,集成电路可分为模拟集成电路和数字集成电路,其中模拟集成电路用于处理模拟信号(如温度、声音),数字集成电路用于处理数字信号(如0、1),与数字集成电路相比,模拟集成电路具有设计门槛高、制程要求不高、种类繁杂和生命周期长等特点。模拟集成电路的下游市场应用非常广泛,广泛应用于通信、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

报告期内,国博电子是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业,产品均属于模拟集成电路,核心技术达到国内领先、国际先进水平。公司紧密结合国家战略新兴产业政策导向和市场需求,坚持创新驱动、产融结合发展道路,建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局,产品覆盖芯片、模块、组件。芯片和模块方面,公司立足于国内移动通信市场,依托自身的研发实力和丰富的射频集成电路系列产品行业经验,形成了系列化的射频集成电路产品,是国内移动通信基站射频器件核心供应商。同时,公司积极开拓终端领域,多款终端用射频芯片产品已经开始向业内知名终端厂商批量供货。组件方面,公司研制了数百款有源相控阵T/R组件,产品市场占有率保持国内领先地位,除整机用户内部配套外,是国内面向各整机单位销量最大的有源相控阵T/R组件平台。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
(1)T/R组件和射频模块领域
国博电子具备T/R组件产品设计平台、高密度高精度三维集成工艺平台以及全自动通用测试平台,积累了关键核心技术,研制了数百款有源相控阵T/R组件,其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项。公司自主研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。公司积极推进射频组件设计数字化转型,重点围绕W波段有源相控微系统、低剖面宽带毫米波数字阵列等新领域,持续开展相关关键技术攻关,积极推进异构集成技术产品化技术,为新一代产品开拓打下基础。公司积极开展T/R组件应用领域拓展,在低轨卫星和商业航天领域均开展了技术研发和产品开发工作,多款产品已开始交付客户。

国博电子推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当,产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。

公司推进技术升级,产品功率密度,效率,增益等特性不断迭代提升,持续保障产品的性能竞争力。公司在先进封装领域不断优化工艺技术,新型高导热材料封装技术、低成本塑封空腔封装技术等陆续应用,持续提升成品率、降低生产成本,保证产品的竞争力。

(2)射频芯片
在移动通信基站和终端领域。 国博电子开发完成WiFi、手机PA等射频放大类芯片产品,性能达到国内先进水平,同时正在进行基于新型半导体工艺的新产品研发;在射频控制类芯片方面,公司应用于终端的射频开关、天线调谐器产品量产,多个射频开关被客户引入并批量交付,DiFEM相关芯片量产交付,产品性能达到国内先进水平。公司基站射频芯片开发紧跟市场需求,针对5G-A通感基站应用,进行产品的性能优化,产品规格达到国际领先水平。

公司已开展卫星通信领域多个射频集成电路的技术研发和产品开发工作,多款产品已被客户引入。多款射频集成电路已应用于5.5G通感一体基站中。应用于基站新一代智能天线的高线性控制器件业务批量供货,并针对5.5G通信的发展需求持续进行产品迭代开发和新产品研发。应用于无人机的射频前端模组批量出货,下一代高性能射频前端模组已完成样品研制工作。公司将持续加大研发投入,不断提升产品的性能和质量以满足市场需求。同时,公司也将密切关注行业的最新动态和技术趋势,及时调整公司的战略方向,确保我们在市场竞争中保持竞争优势。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,公司申请发明专利3项,申请实用新型专利2项;取得发明专利授权12项,实用新型专利授权4项,集成电路设计布图专有权4项。截至报告期末,公司累计获得各类知识产权177项,其中发明专利55项,实用新型专利37项,软件著作权9项,集成电路设计布图专有权76项。

报告期内获得的知识产权列表

 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利3123255
实用新型专利24937
外观设计专利0000
软件著作权0009
其他042976
合计52070177

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入179,831,873.30178,949,803.460.49
资本化研发投入0.000.000.00
研发投入合计179,831,873.30178,949,803.460.49
研发投入总额占营业收入 比例(%)13.819.31增加4.50个百分点
研发投入资本化的比重(%)0.000.000.00

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名称预计总投资 规模本期投入金额累计投入金额进展或阶段性成 果拟达到目标技术水平具体应用 前景
1多频段系列化 瓦片式T/R组 件研发14,800.000.0012,811.23已完成多频段的瓦片组件体系主要性能指标 均已处于国内 领先水平雷达及通 信领域
2基于国产半导 体工艺的毫米 波核心技术研 究项目40,000.006,163.196,163.19产品开发阶段, 部分技术导入产 品并开始量产实现公司主要芯片产品全 国产化供应链,推动半导 体工艺性能和质量提升主要性能指标 均已处于国内 领先水平通信领域
3基站及终端用 射频集成电路 芯片器件研发 项目15,000.003,546.473,546.47产品开发阶段, 完成多款产品开 发并开始量产对移动通信基站及终端用 射频电路设计、射频前端 模组设计、多芯片封装、 射频测试等关键技术的攻 关,形成系列化产品主要性能指标 均已处于国内 领先水平通信领域
4基于自动化和 信息化的智能 制造平台建设9,700.002,177.396,503.38平台建设阶段, 进一步提高自动 化覆盖率推动基于产品链的数字化 全面管理与全程管理系统 的建立主要性能指标 均已处于国内 领先水平雷达及通 信领域
5多功能综合射 频技术研究项 目36,300.006,096.1414,792.23新产品开发阶 段,完成多款产 品开发和测试平 台搭建建立国内领先的射频微系 统设计、工艺制造、高效 测试试验、电磁兼容、高 效散热、系统应用等多方 面能力主要性能指标 均已处于国内 领先水平雷达及通 信领域
合 计/115,800.0017,983.1943,816.50////
注:合计行尾差系四舍五入所致。

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)399296
研发人员数量占公司总人数的比例(%)22.4815.37
研发人员薪酬合计6,385.935,554.76
研发人员平均薪酬16.0018.77


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士研究生123.01
硕士研究生21152.88
本科及以下17644.11
合计399100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
35岁以下(不含35岁)32280.70
35-40岁(含35岁,不含40岁)4310.78
40-50岁(含40岁,不含50岁)307.52
50-60岁(含50岁,不含60岁)41.00
合计399100.00
注:公司研发人员数量增加,系报告期内公司根据研发情况增加招聘研发人员所致。


6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、技术创新优势
国博电子坚持技术引领、创新驱动,立足自主创新,建立了高效的研发体制,组建了专业的研发团队,建立了以化合物半导体为核心的技术体系,产品覆盖芯片、模块、组件。

公司结合技术发展趋势和市场需求痛点,进一步推进新材料、新器件的开发应用,进一步完善和拓展产品种类及谱系,积极推进建立集成开发设计研发体系,推进先进封装技术产品化应用,合理布局一代(Si)、二代(GaAs)、三代(GaN)半导体射频IC和模块的技术研究和产品开发,持续拓展系统级应用市场。在T/R组件领域,公司建立了设计平台、微波高密度互连工艺平台、全自动通用测试平台,在高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计等技术领域积累了关键核心技术;在射频集成电路领域,公司基于以化合物半导体为基础,掌握了非线性仿真设计、模拟电路设计与仿真、芯片可靠性分析与测试等核心技术,形成了射频芯片和模块、微波毫米波芯片等产品。

公司积极发挥创新主体作用,不断深化促进与产业链上下游企业、高校院所的技术创新合作,积极发挥射频集成与微组装技术工程实验室(国家地方联合工程中心)、高密度射频微系统集成工程技术研究中心的平台作用,促进国内射频电子产业链的技术协同发展。报告期内,公司研发投入1.80亿元,较上年同期增长了0.49%,占营业收入占比为13.81%。截至本报告期末,公司累计获得各类知识产权177项,其中发明专利55项,实用新型专利37项,软件著作权9项,集成电路设计布图专有权76项,保证了公司在技术创新方面的领先优势。

2、产品优势
公司基于化合物半导体核心技术,公司形成了系列化的产品结构和产业化的生产能力,产品覆盖芯片、模块和组件,具备为有源相控阵雷达、移动通信基站和终端以及其他相关垂直应用提供成套解决方案的能力。

在有源相控阵T/R组件领域,公司持续专注高频高密度领域业务,产品主要集中于多通道、高频、高集成方向。公司现已研制了数百款有源相控阵T/R组件,具有体积小、重量轻、集成度高、性能优异等特点,多个有源相控阵T/R组件定型批产,工程化应用于各个领域。除有源相控阵雷达外,公司在低轨卫星和商业航天领域均开展了技术研发和产品开发工作,多款T/R组件产品已开始交付客户。

在射频集成电路领域,公司主要产品包括射频放大类芯片、射频控制类芯片、大功率控制模块和大功率放大模块,产品覆盖多个频段,主要应用于移动通信基站和终端等领域。公司射频集成电路及组件产品已经在国内4G、5G移动通信领域实现大批量供货,针对终端应用的开关、天线调谐器、DiFEM相关芯片产品被客户引入并批量交付。国博电子推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当,产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。

3、品牌客户优势
国博电子设立以来获得了多项荣誉,积累了良好的品牌声誉。公司于2020年获赛迪网、《互联网经济》杂志评选的“2020行业信息化竞争力百强”和“2020行业信息化领军企业”;2020年获某主流移动通信设备供应商“供应商最佳交付奖”和“优秀质量协作奖”、2022年获某主流移动通信设备供应商“最佳协同奖”;2021年和2022年入选南京市“独角兽”企业,2023年获评为“江苏省优秀企业”,2024年获评“2023-2024年度射频芯片市场最佳产品奖”。

公司致力于有源相控阵T/R组件和射频集成电路领域系列产品的研发、生产和销售,并形成了相关核心技术。依靠卓越的科研能力和优良的产品质量,国博电子的产品得到了市场的认可,同下游单位建立了良好的企业形象和合作关系,主要客户为各科研院所、整机单位和移动通信设备制造商。

4、人才优势
公司的研发管理团队、生产管理团队、质量管理团队和市场销售团队具有丰富的集成电路行业相关经验,具备扎实的专业能力和丰富的管理经验。公司核心管理团队构成合理,涵盖经营管理、技术研发、市场营销、生产运营、质量控制、财务管理等各个方面,互补性强,保证了公司决策的科学性和有效性。

公司高度重视研发人才队伍建设,通过不断引进行业专家并持续培养内部人才,组建了涵盖电子、通信、计算机、化学、材料等跨学科的复合型团队。截至本报告期末,国博电子共有研发人员399名,较上年同期增加了103名,其中博士和硕士研究生增加了43名;研发人员占比22.48%,较上年同期提高了7.11个百分点。截至本报告期末,核心技术人员累计获得国家科学技术进步奖1项、国防技术发明奖1项、国防科学技术进步奖9项、中国电子学会科技进步奖3项和中国电子科技集团科学技术奖18项。

公司结合发展需要,开展多层次人才培训,持续推动全体员工提升职业素质、提高履职能力。公司以服务中心工作为出发点,以促进人才健康成长为目标,以提升人才能力素质为核心,结合实际工作需要,制定员工培训教育管理制度,大力加强和改进公司教育培训工作,全面提升教育培训质量,不断改进和加强公司人力资源教育培训工作,推进员工教育培训工作科学化、制度化、规范化,培养造就高素质的员工队伍。

5、产业链优势
国博电子深耕射频电子专业技术领域,形成了从芯片到模块、组件的产业链布局,具备了射频微波毫米波核心技术领域的自主知识产权。

公司以市场需求为导向,以核心产品为突破口,以优化性能、降低成本为动力,按照重点突破、平台支撑、体系推进的思路,推动T/R组件和射频集成电路产品设计、制造、测试验证能力体系成系统的发展。

公司加快推进射频芯片和组件产业化项目,进一步提升射频芯片、模块和T/R组件领域的研发能力和制造能力。实现T/R组件设计技术、工艺制造技术、测试、可靠性评估等能力提升,实现移动通信射频芯片和微波毫米波芯片设计研发、在片测试能力提升,提高自动化设备占比,提高产线的柔性化和智能化,提高产线规模、完善产品结构布局,满足日益增加的市场需求。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2024年上半年,面对外部环境的压力,公司以国家战略和市场需求为导向,始终聚焦主营业务发展和核心技术创新,持续推进技术创新,提升满足不同应用、不同需求的能力;持续推进资源优化、流程优化,提高管理效率和经营效益。报告期内,公司实现营业收入130,261.24万元,较上年同期减少32.21%;归属于上市公司股东的净利润24,455.61万元,较上年同期减少20.77%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润23,779.45万元,较上年同期减少16.75%。

具体情况如下:
T/R 组件领域,公司积极推进射频组件设计数字化转型,重点围绕 W 波段有源相控微系统、低剖面宽带毫米波数字阵列等新领域,持续开展相关关键技术攻关,积极推进异构集成技术产品化技术,为新一代产品开拓打下基础。公司积极开展T/R组件应用领域拓展,在低轨卫星和商业航天领域均开展了技术研发和产品开发工作,多款产品已开始交付客户。

射频模块领域,上半年发布多款GaN射频模块产品。新技术持续攻关,改善产品的线性度、效率等性能。预计下半年新一代的产品开发及应用,器件综合竞争力进一步提升。

射频芯片领域,2024 年,5G 基站市场整体保持平稳,5G-A 通感基站试点带动基站射频芯片销售增长。面对存量市场的激烈竞争环境,公司积极推进新产品研发和新领域的拓展。新产品方面,公司为下一代基站平台新研数款物料稳步推进中。终端射频芯片产品持续稳定交付,系列化新产品研发稳步推进,积极推进基于新型半导体工艺的产品开发工作,拓展公司终端射频芯片品类。新领域和新客户方面积极推进ODU及卫星通信芯片开发推广,部分产品已进入客户认证阶段。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)核心竞争力风险
1.新产品研发的风险
国博电子主要从事模拟集成电路领域的技术研发和产品制造,属于资金密集型、技术密集型行业,公司在研发过程中需要投入大量的人力及资金。如果未来公司不能继续保持对研发支出的高投入、抓住技术发展趋势及下游需求的变化、不断吸引专业领域的优秀人才,公司可能会面临技术滞后,对行业发展趋势及下游客户需求的判断发生偏差的情况,导致新产品偏离市场需求,进而影响公司未来发展的持续性和稳定性。

2.核心技术失密的风险
经过多年技术创新与经验积累,公司在化合物半导体等核心技术方面取得突破,上述核心技术构成了公司的核心竞争力。随着市场的变化,存在因核心技术人员流失或工作失误,导致核心技术泄露的风险,若同行业竞争企业获悉公司核心技术,将对公司的生产经营和发展产生不利影响。

3.核心技术人员流失的风险
公司的核心技术人员是公司持续保持技术优势、市场竞争力和提升发展潜力的保障。随着射频电子的应用领域和市场需求不断增长,对技术人才需求较高,随着行业竞争的日益激烈,企业与地区之间高端人才竞争也逐渐加剧,公司现有人才也存在流失的风险。如果公司不能为核心技术人员提供优秀的研发条件、具有前景的发展平台及有竞争力的薪酬,可能面临核心技术人员流失的风险,进而对公司的持续经营能力产生不利影响。

4.市场竞争加剧的风险
公司主要产品包括有源相控阵T/R组件和系列化射频集成电路产品,专用市场对产品的稳定性、安全性要求较高,因此行业进入壁垒较高,行业内竞争者数量较少,但随着国家产业政策的实施,未来更多社会资源进入该领域,市场竞争将更加充分。通用市场领域关注产品性能与成本,Skyworks、Qorvo、住友等国外企业规模较大,并持续保持了较高的研发投入,在技术等方面领先,公司面临的竞争压力较大,上述情况或将加剧公司面临的市场竞争风险。

(二)经营风险
1.经营模式的风险
公司有源相控阵T/R组件和射频模块产品主要采取设计+制造+测试的经营模式,射频芯片产品主要采取Fabless模式。芯片的制造、封装测试工序一般由外协厂商负责,外协加工厂商按照公司的设计图纸及具体要求进行部分工序的作业。采用外协加工的模式有利于公司将资源投入到核心工序、核心技术研究和产品研发中去,增强核心竞争力。但是公司存在因外协厂商生产排期导致供应量不足、供应延期或外协工厂生产工艺存在不符合公司要求的潜在风险。此外,晶圆制造为资本及技术密集型产业,其集中度较高是行业普遍现象。如果上述供应商发生不可抗力的突发事件,或因集成电路市场需求旺盛出现产能紧张等因素,晶圆代工产能可能无法满足需求,将对公司经营业绩产生一定的不利影响。

2.产品未完成审价而影响经营业绩的风险
公司生产销售的T/R组件主要用于有源相控阵T/R组件,主要用户为各科研院所和总体单位等专用产品客户。根据我国相关管理制度和规则,该类产品的销售价格应经过审价后最终确定。

由于审价的周期较长,对于尚未完成审价的产品,公司在符合收入确认条件时按照暂定价确认收入,待价格审定后签订补价协议或取得补价通知单时确认价格差异。由于审价周期和最终审定价格均存在不确定性,受此影响,尚未审定价格的产品存在未来年度集中确认价差进而对公司盈利构成影响的风险。

3.原材料价格及交付波动的风险
公司生产依赖于多种原材料,包括各种芯片、电子元件等,原材料成本是公司营业成本的主要构成部分。虽然公司经过多年的生产经营已经建立相对完善的供应商管理体系,但如果未来原材料价格出现大幅波动,则可能造成公司经营业绩出现相应波动。同时,公司的一些重要基础原材料如芯片等上游行业呈现集中度较高的市场格局,使公司在采购该等原材料时供应商集中度也相对较高。同时,由于国际政治及其他不可抗力等因素,原材料供应可能会出现限制供应、延迟交货或提高价格的情况。如果出现不能及时获得足够的原材料供应或者需高于正常价格获取原材料的情况,公司的正常生产经营可能会受到不利影响。

4.客户集中的风险
公司的客户相对集中,主要为各科研院所或整机单位、国内主流移动通信设备制造商。如果未来公司主要客户的采购、经营战略发生较大变化,或主要客户资信情况发生重大不利变化,或因公司提供的产品质量问题与客户发生纠纷,或者因技术原因等因素无法满足客户的需求,则公司经营业绩将面临下降或增速放缓的风险。

5.整机单位T/R组件采购模式由对外采购变更为内部配套的风险
整机单位T/R组件采购模式包括对外采购和内部配套两种模式。整机厂商基于专业化分工的角度考虑,通常聚焦于整机的实现,采用外购专业化公司T/R组件产品的模式。部分整机厂商自建了T/R组件生产研制平台,实现了T/R组件的内部配套。如果未来采取对外采购的整机单位变更为内部配套模式,则会对公司T/R组件业务的经营造成影响,进而影响公司整体经营业绩。

6.产品质量风险
公司高度重视产品质量控制,自设立以来未出现重大质量纠纷。公司射频芯片业务主要采用Fabless 模式,由于生产周期较长影响,如因产品设计缺陷或第三方生产工艺控制不当导致产品缺陷,将有可能导致大量的产品报废或市场召回,由此给公司经营带来风险。公司有源相控阵T/R组件业务主要客户为各科研院所或整机单位,对产品质量和可靠性要求较高,尽管公司在生产经营过程中高度重视产品质量控制,仍可能出现质量未达标准的情况,这将对公司的品牌声誉和经营业绩造成不利影响。

(三)财务风险
1.存货跌价的风险
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,技术要求高、生产环节多、生产周期长,同时公司为能够及时满足客户需求,需备有一定的生产库存;另外,公司部分发出商品需待客户签收或验收合格后方能确认收入,上述业务特点决定了公司具有存货余额高的运营特点。如果未来公司产品出现滞销、验收较慢或者大幅降价等情况,可能会导致公司存货积压并给公司带来较大资金压力,并面临存货跌价风险,从而对公司的经营业绩造成不利影响。

2.经营性应收款项金额较大的风险
公司报告期末经营性应收款项余额较大主要系有源相控阵T/R组件客户结算方式导致,有源相控阵T/R组件客户一般按照背靠背的方式进行结算,即下游客户回款后向上游供应商进行结算。

如果部分客户出现支付困难或者长期拖欠款项,将对公司产生不利影响。

3.经营活动现金流量对公司持续经营能力的影响
公司有源相控阵T/R组件业务验收及付款周期较长,部分客户一般采取背靠背的方式进行结算,造成公司销售货款结算周期较长。收款周期较长,而原材料、人工等付款周期较短,导致经营活动现金流一般较差,面临一定的资金周转压力。如果业务规模快速增长或下游客户货款结算不及时,公司营运资金的周转压力将变大,可能会对公司经营活动现金流量产生不利影响。

(四)行业风险
1.行业周期、产业政策以及宏观经济波动的风险
公司属于集成电路设计和集成电路制造行业,属于技术密集型、资金密集型企业,具有产品更新换代快等特点,产品结构、收入、毛利率受下游市场需求、产品先进性等多种因素影响。

公司有源相控阵T/R组件产品的下游客户为各研究院所或整机单位,射频集成电路产品主要用户为移动通信设备制造商,均受到宏观经济及最终市场需求变化的影响。近年来,国家对集成电路产业政策的支持为公司带来了良好的发展机遇,但若发生集成电路的产业政策发生重大不利变化、宏观经济发生剧烈波动等情况将会对公司下游需求,公司的销量、毛利率、经营业绩将因此受到影响。

(五)宏观环境风险
1.被列入“实体清单”的风险
自2018年8月,美国商务部陆续将中国的高科技企业列入“实体清单”,并进一步加强对我国集成电路企业的限制,国博电子亦在“实体清单”之列。该事项对公司采购美国生产原材料、采购或使用含有美国技术的知识产权和工具等产生一定限制。鉴于国际形势的持续变化和不可预测性,“实体清单”影响的长期持续性或公司受到进一步的技术限制措施可能会对公司的日常经营带来负面影响。

2.税收优惠变化的风险
公司于2021年11月通过江苏省高新技术企业复审,国微电子于2023年11月通过江苏省高新技术企业认定,本报告期均可享受15%的企业所得税优惠税率。上述税收优惠政策对公司的发展、经营业绩起到促进作用。但是未来如果国家相关税收优惠政策发生变化,或未完成复审,将无法继续享受上述优惠政策,将会对公司经营业绩产生不利影响。

(六)其他重大风险
1.管理风险
公司自设立以来,经营规模不断扩大,资产规模和员工数量也迅速扩张。随着募集资金投资项目的实施,公司的资产规模及员工数量将进一步扩大,公司在资源整合、人员管理、技术开发等方面将面临更大的挑战。如果公司经营团队的决策水平、人才队伍的管理能力和组织结构的完善程度不能适应经营规模的扩张,将面临快速扩张可能带来的管理风险。

2.关联交易金额较大的风险
公司具有独立、完整的业务体系,能够独立进行经营决策,并且已经建立了包括《关联交易管理制度》在内的完整的内部控制制度,严格规定了重大关联交易的审批程序,保证关联交易定价公允和公司及股东利益,但如果公司内部控制措施不能有效执行,公司关联方有可能通过关联交易对公司及中小股东利益造成影响。

3.环保及生产安全风险
公司在生产过程中会产生废水、废气、固体废弃物等,如果公司的污染物排放不符合国家环保政策规定,将面临被国家有关部门处罚、责令关闭或停产的可能。此外,报告期内公司虽未发生重大安全事故,但不排除未来因设备老化、物品保管及操作不当、自然灾害等原因而造成意外安全事故的可能,从而影响公司生产经营的正常进行。

4.募集资金投资项目实施及新增折旧摊销对公司业绩影响的风险
公司募集资金投资项目为射频芯片和组件产业化项目,募集资金投资项目可行性分析是基于公司的技术基础、当前市场环境以及对射频行业未来发展趋势的预测等因素做出的,公司对募集资金投资项目进行了充分的论证和分析。但募集资金投资项目需要一定的建设期和培育期,在此期间内可能会受到国家和产业政策变化、市场环境变化、研发和制造成本上升及其他不可预见因素的影响,使得项目的实际收益低于预期,直接影响公司业务规模及潜在业务收入,从而影响项目的投资回报和公司的预期收益。本次募集资金投资项目达产后,公司的折旧摊销费用也会有较大幅度增加。如果市场环境发生重大不利变化导致公司营业收入没有保持相应增长,则公司存在因固定资产折旧大幅增加导致的利润下滑风险。


六、 报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入130,261.24万元,受T/R组件和射频模块收入减少的影响,较上年同期下降32.21%;实现利润总额25,592.71万元,较上年同期下降22.61%;实现归属于上市公司股东的净利润24,455.61万元,较上年同期下降20.77%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润23,779.45万元,较上年同期下降16.75%。(未完)
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